CN102484939A - 等离子体处理装置和基板处理方法 - Google Patents

等离子体处理装置和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102484939A
CN102484939A CN2010800371514A CN201080037151A CN102484939A CN 102484939 A CN102484939 A CN 102484939A CN 2010800371514 A CN2010800371514 A CN 2010800371514A CN 201080037151 A CN201080037151 A CN 201080037151A CN 102484939 A CN102484939 A CN 102484939A
Authority
CN
China
Prior art keywords
microwave
inner wire
radially
processing apparatus
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010800371514A
Other languages
English (en)
Inventor
石桥清隆
森田治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN102484939A publication Critical patent/CN102484939A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461—Microwave discharges
    • H05H1/4622—Microwave discharges using waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461—Microwave discharges
    • H05H1/463—Microwave discharges using antennas or applicators

Abstract

等离子体处理装置(11)所具备的微波供给单元(20)具备短截线部件(51)，该短截线部件，作为使内导体(32)的外周面(36)的一部分与在径向与内导体(32)的外周面的一部分相对的相对部在此为冷却板突出部(47)在径向的距离变更的变更单元，能够从外导体(33)侧向内导体(32)侧延伸出。短截线部件(51)包括：在外导体(33)侧被支承，且设置为在径向延伸的棒状部(52)；和作为对棒状部(52)的径向的移动量进行调整的移动量调整部件的螺钉部(53)。

Description

等离子体处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置和基板处理方法，特别涉及作为等离子体源使用微波的等离子体处理装置和使用这样的等离子体处理装置进行的基板处理方法。
背景技术
LSI(Large Scale Integrated circuit，大规模集成电路)等的半导体装置，通过对半导体基板实施蚀刻或CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)、溅镀等的处理来制造。关于蚀刻或CVD、溅镀等的处理，具有作为其能量供给源使用等离子体的处理方法，即等离子体蚀刻或等离子体CVD、等离子体溅镀等。
在此，在日本特开2006-179477号公报(专利文献1)中公开有涉及在产生等离子体时使用微波的微波等离子体处理装置的技术。按照专利文献1，在圆形矩形导波管与圆极化转换器之间的圆筒导波管与假负载(Dummy Load)连接。该假负载的轴线构成为：从反射体向圆极化转换器的方向偏离微波的被反射体反射的驻波的管内波长的1/4波长L。由此，通过假负载有效地吸收从径向波导箱反射来的微波。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-179477号公报
发明内容
发明要解决的问题
对专利文献1代表的现有技术中的一般的等离子体处理装置的结构简单地进行说明。图15是扩大表示现有技术中的一般的等离子体处理装置的一部分的概略截面图。此外，在图15中，将纸面上下方向作为装置的上下方向。另外，在图15中，在规定的地方形象地图示有微波。
参照图15，等离子体处理装置101具备：在其内部对被处理基板进行等离子体处理的处理容器；使微波透过到处理容器内的圆板状的电介质板102；缝隙天线板103，其呈薄板圆板状，设置有在板厚方向上贯通的多个缝隙孔(未图示)，并配置于电介质板102的上方侧，对电介质板102发射(辐射)微波；配置于缝隙天线板103的上方侧，且在径向传播微波的圆板状的滞波板104；配置于处理容器的外部且产生微波的微波发生器105；和向处理容器内供给由微波发生器105产生的微波的微波供给单元106。
微波供给单元106包括同轴导波管107，其设置为在上下方向上延伸，并与缝隙天线板103连接。同轴导波管107具备：圆棒状的内导体108；和与内导体108隔着径向的间隙110并设置于内导体108的外径侧的圆筒状的外导体109。
对于同轴导波管107，从确保使在电介质板102的下方一侧生成的等离子体的圆周方向上的均匀性的观点出发，以内导体108的径向的中心与缝隙天线板103的径向的中心一致的方式，与该缝隙天线板连接。另外，对于外导体109，设置为外导体109的径向的中心与内导体108的径向的中心一致。
在具有这样的结构的等离子体处理装置101中，一般来讲，构成同轴导波管107的内导体108和外导体109，各自以不同的方式制造。然后，将以不同的方式制造的内导体108和外导体109，组合为内导体108的径向的中心与外导体109的径向的中心一致。然后，以使缝隙天线板103的径向的中心与内导体108的径向的中心一致的方式，组装到等离子体处理装置101。此外，在图15中，将表示内导体108的径向的中心的中心线用点划线111表示，将表示外导体109的径向的中心的中心线用双点划线112表示。
在此，当形成同轴导波管107时，具体来讲，当组合内导体108和外导体109时，内导体108的径向的中心与外导体109的径向的中心的位置产生偏差。该偏差用图15中的长度尺寸X表示，实际上大约为0.05mm左右。此外，从容易理解的观点出发，夸张地图示有用长度尺寸X表示的偏差。
当产生该偏差时，内导体108与外导体109之间的径向的间隙110的距离，在同轴导波管107的圆周方向的位置上，变得不同。于是，在同轴导波管107内传播的微波的强度，在同轴导波管107的圆周方向的位置上，变得不同。其结果，传播到电介质板102的微波的强度在圆周方向上变得不均匀，导致在电介质板102的下方侧形成的电磁场分布偏斜。这样的电磁场分布的偏斜，使在处理容器内产生的等离子体产生在圆周方向上的不均匀，其结果，产生被处理基板的面内的处理的不均匀。
在此，在组装同轴导波管107时，将内导体108的中心与外导体109的中心的偏差降低到不使等离子体的不均匀产生的程度是非常困难的，并且也成为成本增大的主要原因。对于滞波板、电介质板的安装，也是同样的。
本发明的目的在于提供能够使产生的等离子体在电介质板的下表面侧变得均匀的等离子体处理装置。
本发明的其他的目的在于提供能够使被处理基板的面内的处理变得均匀的基板处理方法。
用于解决课题的方法
本发明涉及的等离子体处理装置具备：处理容器，其上部侧开口，且在其内部对被处理基板进行等离子体处理；气体供给部，其对处理容器内供给等离子体处理用的气体；保持台，其配置于处理容器内，并在该保持台的上方保持被处理基板；微波发生器，其产生等离子体激励用的微波；电介质板，其以覆盖处理容器的开口的方式配置，密封处理容器，并且使微波透过到处理容器内；缝隙天线板，其设置有多个缝隙孔，且配置于电介质板的上方侧，向电介质板发射微波；滞波板，其配置于缝隙天线板的上方侧，使微波在径向传播；和微波供给单元，其向缝隙天线板供给由微波发生器产生的微波。微波供给单元具备：同轴导波管，其包括一个端部与缝隙天线板的中心连接的大致圆棒状的内导体，和与内导体在径向隔开间隙且设置于内导体的外径侧的大致圆筒状的外导体；和变更单元，其使内导体的外周面的一部分与在径向与内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更。
根据这样的等离子体处理装置，即使在制造时等的同轴导波管的内导体的中心与外导体的中心产生偏差，也能够通过使内导体的外周面的一部分与在径向与内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更的变更单元，来调整内导体的外周面的一部分与相对于内导体的外周面的一部分的相对部的径向的长度，使在同轴导波管传播的微波的强度在圆周方向上为非对称。因此，能够消除由内导体的中心与外导体的中心的偏差引起的在电介质板形成的电磁场分布的圆周方向上的偏斜，使在处理容器内产生的等离子体在电介质板的下表面侧变得均匀。在该情况下，也能够对应例如由滞波板的安装误差等引起的电磁场分布的圆周方向上的偏斜。其结果，能够使被处理基板的面内的处理变得均匀。
优选变更单元包括能够从外导体侧向内导体侧延伸出的短截线部件。
还优选短截线部件包括：在外导体侧被支承并设置为在径向延伸的棒状部；和对棒状部的径向的移动量进行调整的移动量调整部件。
另外，短截线部件也可以构成为在延伸方向上隔开间隔地设置多个同轴导波管。
还优选在圆周方向上隔开间隔地设置多个短截线部件。
作为还优选的一个实施方式，在圆周方向上以大致相等的间隔设置多个短截线部件。
还优选短截线部件之中的至少能够位于间隙的部分的材质是电介质。
作为还优选的一个实施方式，在同轴导波管的轴方向上，滞波板的上方侧的端部与短截线部件的距离为10mm以下。
作为还优选的一个实施方式，变更单元能够使内导体的外周面的一部分与相对于该一部分的相对部在径向的距离变更为4mm以下。
还优选微波发生器包括磁控管、隔离器和调谐器。
在本发明的其他的方面，基板处理方法的特征在于：准备一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：处理容器，其上部侧开口，且在其内部对被处理基板进行等离子体处理；气体供给部，其向处理容器内供给等离子体处理用的气体；保持台，其配置于处理容器内，且在保持台的上方保持被处理基板；微波发生器，其产生等离子体激励用的微波；电介质板，其以覆盖处理容器的开口的方式配置，密封处理容器，并且使微波透过到处理容器内；缝隙天线板，其设置有多个缝隙孔，且配置于电介质板的上方侧，向电介质板发射微波；滞波板，其配置于缝隙天线板的上方侧，在径向传播微波；和微波供给单元，向缝隙天线板供给由微波发生器产生的微波，微波供给单元具备：同轴导波管，其包括一个端部与缝隙天线板的中心连接的大致圆棒状的内导体，和与内导体在径向隔开间隙且设置于内导体的外径侧的大致圆筒状的外导体；和变更单元，其使内导体的外周面的一部分与在径向与内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更，将被处理基板保持在保持台，通过微波发生器产生微波，通过变更单元，使内导体的外周面的一部分与在径向与内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更，使在处理容器内产生的等离子体在电介质板的下表面侧变得均匀，并对被处理基板进行等离子体处理。
根据这样的基板处理方法，能够使被处理基板的面内的处理变得均匀。
发明效果
根据这样的等离子体处理装置，即使在制造时等的同轴导波管的内导体的中心与外导体的中心产生偏差，通过使内导体的外周面的一部分与在径向与内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更的变更单元，来对内导体的外周面的一部分与相对于内导体的外周面的一部分的相对部的径向的长度进行调整，能够使在同轴导波管传播的微波的强度在圆周方向上为非对称。因此，能够除去因内导体的中心与外导体的中心的偏差而引起并在电介质板形成的电磁场分布的圆周方向的偏斜，使在处理容器内产生的等离子体在电介质板的下表面侧变得均匀。在该情况下，也能够对应例如因滞波板的安装误差等引起的电磁场分布的圆周方向上的偏斜。其结果，能够使被处理基板的面内的处理变得均匀。
另外，根据这样的基板处理方法，能够使被处理基板的面内的处理变得均匀。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的主要部分的概略截面图。
图2是扩大地表示图1所示的等离子体处理装置具备的同轴导波管的附近的概略截面图。
图3是从图1中的箭头III的方向观察图1所示的等离子体处理装置具备的缝隙天线板的图。
图4是用图2中的IV-IV切断图1所示的等离子体处理装置具备的同轴导波管时的截面图。
图5用与轴垂直的平面切断未设置有短截线部件时的同轴导波管的概略截面图。
图6是表示在图5中图示的电力线的一维等效电路的概略图。
图7用与轴垂直的平面切断设置有短截线部件时的同轴导波管的概略截面图。
图8是表示在图7中图示的电力线的一维等效电路的概略图。
图9是本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装置具备的设置有6个短截线部件的同轴导波管的截面图，是表示各短截线部件的位置的图。
图10是表示电介质板的各方向的相对能量积分值的图，表示一部分的短截线部件的前端与内导体的外周面的距离为基准距离的情况。
图11是表示电介质板的各方向的相对能量积分值的图，表示一部分的短截线部件的前端与内导体的外周面的距离为6mm的情况。
图12是表示电介质板的各方向的相对能量积分值的图，一部分的短截线部件的前端与内导体的外周面的距离为4mm的情况。
图13是表示电介质板的各方向的相对能量积分值的图，一部分的短截线部件的前端与内导体的外周面的距离为2mm的情况。
图14是扩大表示本发明的其他的实施方式涉及的等离子体处理装置具备的同轴导波管的附近的概略截面图。
图15是扩大表示现有技术中的一般的等离子体处理装置具备的同轴导波管的附近的概略截面图。
图16是表示微波发生器的结构的概略图。
图17是表示本发明的另外其他的实施方式涉及的等离子体处理装置的主要部分的概略截面图。
图18是扩大表示图17所示的等离子体处理装置具备的同轴导波管的附近的概略截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的主要部分的概略截面图。图2是扩大表示图1所示的等离子体处理装置具备的同轴导波管的附近的概略截面图。图3是从图1中的箭头III的方向观察图1所示的等离子体处理装置具备的缝隙天线板的图。图4是用图2中的IV-IV切断图1所示的等离子体处理装置具备的同轴导波管时的截面图。此外，在图1和图2中，将纸面上下方向作为装置的上下方向。另外，本申请说明书中，径向是指图4的从同轴导波管包括的内导体朝向外导体的方向。
参照图1～图4，等离子体处理装置11具备：处理容器12，其上部侧开口，且在其内部对被处理基板W进行等离子体处理；气体供给部13，其向处理容器12内供给等离子体激励用的气体和等离子体处理用的气体；保持台14，其配置于处理容器12内，且在该保持台的上方保持被处理基板W；微波发生器15，其配置于处理容器12的外部，产生等离子体激励用的微波；电介质板16，其以覆盖处理容器12的开口方式配置，密封处理容器12，并且使微波透过到处理容器12内；薄板状的缝隙天线板18，其设置有多个缝隙孔17，并配置于电介质板16的上方侧，向电介质板16发射微波；滞波板19，其配置于缝隙天线板18的上方侧，并在径向传播微波；微波供给单元20，向处理容器12内供给由微波发生器15产生的微波；和对离子体处理装置11的整体进行控制的控制部(未图示)。控制部控制气体供给部13中的气体流量、处理容器12内的压力等的、用于对被处理基板W进行等离子体处理的工序条件。此外，对于微波发生器15，用图1中的点划线表示。
处理容器12包括：位于保持台14的下方侧的底部21；和从底部21的外周部向上方延伸的侧壁22。侧壁22为圆筒状。在处理容器12的底部21的径向的中央侧，设置有排气用的排气孔23。处理容器12的上部侧开口，通过配置于处理容器12的上部侧的电介质板16和介于电介质板16与处理容器12之间的作为密封部件的O形环24，使处理容器12构成为能够密封。此外，上述的气体供给部13的一部分设置为埋入侧壁22，从处理容器12的外部向处理容器12内供给气体。
电介质板16的下方侧的面25是平坦的。电介质板16的材质是电介质。作为电介质板16的具体的材质举例有石英和氧化铝等。
缝隙天线板18的板厚方向的两面各自是平坦的。在缝隙天线板18设置有在板厚方向上贯通的多个缝隙孔17。缝隙孔17构成为以2个矩形状的开口部为一对地呈大致T字状地配置。设置的缝隙孔17大致分为：配置于内周侧的内周侧缝隙孔群26a；和配置于外周侧的外周侧缝隙孔群26b。内周侧缝隙孔群26a是设置在由图3中的虚线围成的范围内的8个缝隙孔17。外周侧缝隙孔群26b是设置在由图3中的点划线围成的范围内的16个缝隙孔17。在内周侧缝隙孔群26a中，8个缝隙孔17各自等间隔地配置为环状。在外周侧缝隙孔群26b中，16个缝隙孔17各自等间隔地配置为环状。缝隙天线板18具有以径向的中心28为中心的旋转对称性，例如与以中心28为中心旋转45°而呈的形状相同。
在滞波板19的中央设置有开口，该开口用于配置后述的同轴导波管31所具备的内导体32。形成开口的周围的滞波板19的内径侧的端部向板厚方向突出。即，滞波板19具备从内径侧的端部向板厚方向突出的环状的滞波板突出部27。滞波板突出部27安装在滞波板19的上侧。滞波板19的材质是电介质。作为滞波板19的具体的材质举例有石英和氧化铝等。在滞波板19的内部传播的微波的波长，比在大气中传播的微波的波长短。
电介质板16、缝隙天线板18和滞波板19都为圆板状。在制造等离子体处理装置11时，以各自使电介质板16的径向的中心、缝隙天线板18的径向的中心28和滞波板19的径向的中心都一致的方式制造。由此，使从中心侧向外径侧传播的微波在圆周方向上的微波传播程度相同，以确保在电介质板16的下方侧产生的等离子体的圆周方向上的均匀性。此外，在此，以缝隙天线板18的径向的中心28为基准。
微波供给单元20具备同轴导波管31，该同轴导波管具备：一个端部35与缝隙天线板18的中心28连接的大致圆棒状的内导体32；和与内导体32在径向隔开间隙34地设置于内导体32的外径侧的大致圆筒状的外导体33。即，以内导体32的外周面36与外导体33的内周面37相对的方式组合内导体32和外导体33，并构成同轴导波管31。同轴导波管31被设置为在图1中的纸面上下方向上延伸。内导体32和外导体33各自以不同的方式制造。而且，被组合为使内导体32的径向的中心与外导体33的径向的中心一致。
另外，微波供给单元20包括：一个端部38与微波发生器15连接的导波管39；和转换微波的模式的模式转换器40。导波管39设置为在横方向上延伸，具体来讲在图1中的纸面左右方向上。此外，作为导波管39，使用截面为圆形形状的导波管或截面为矩形形状的导波管。
在此，对微波发生器15的详情进行简单说明，如以下所述。图16是表示微波发生器15的结构的概略图。参照图16，微波发生器15具备：在最上游侧产生微波的磁控管29a；隔离器29b，其设置于磁控管29a的下游侧，在向下游侧供给由磁控管29a生成的微波时，其除去从下游侧反射来的反射波；和4E调谐器29c，其配置于隔离器29b的下游侧，在向下游侧传播由磁控管29a生成的微波时，作为对微波的相位进行调整的匹配单元。此外，在此，将微波传播的方向设为从上游到下游。即，磁控管29a位于最上游，隔离器29b、4E调谐器29c依次位于下游侧。4E调谐器29c被构成为包括：设置于微波的传播方向，且从导波管向外径侧凹陷的4个凹部30a、30b、30c、30d；和配置于4个凹部30a～30d的各自的内部，能够在径向可动，且设为凹部30a～30d的盖子那样的形状的4个可动短路板30e、30f、30g、30h。在此所说的径向是指图16的上下方向。使4个可动短路板30e～30h各自在径向移动，对在导波管39内传播的微波的相位进行调整。图16的左侧的端部30i与图1的端部38连接。
在微波发生器15中产生的微波，经由导波管39和同轴导波管31，被传播到处理容器12内。作为在微波发生器15中产生的微波的频率，例如选择2.45GHz。
例如，在微波发生器15产生的TE模式的微波，在导波管39内向图1中的箭头A1所示的纸面左方传播，通过模式转换器40转换向TEM模式。然后，被转换为TEM模式微波，在同轴导波管31内向图1中的箭头A2所示的纸面下方传播。具体来讲，微波在形成有间隙34的内导体32与外导体33之间和在内导体32与冷却板突出部47之间传播。在同轴导波管31传播的微波，在滞波板19内向径向传播，从设置于缝隙天线板18的多个缝隙孔17发射到电介质板16。透过电介质板16的微波，在电介质板16的正下方产生电场，使处理容器12内生成等离子体。
而且，等离子体处理装置11具备：电介质板按压环41，其配置于侧壁22的开口侧的上方端部的上方侧，且从上方侧按压电介质板16；按压天线部件42，其配置于电介质板按压环41的上方侧，且从上方侧按压缝隙天线板18；冷却板43，其配置于滞波板19的上方侧，且对滞波板19等进行冷却；电磁遮蔽弹性体44，其配置为介于按压天线部件42与冷却板43之间，且在处理容器12内外遮蔽电磁场；固定缝隙天线板18的外周部的外周固定环45；和固定缝隙天线板18的中心的中心固定板46。
在冷却板43的中央，设置有用于配置同轴导波管31的开口。形成开口的周围的冷却板43的内径侧的端部向板厚方向突出。即，冷却板43具备从内径侧的端部向板厚方向突出的环状的冷却板突出部47。冷却板突出部47安装在冷却板43的上侧。
在冷却板突出部47的上方侧配置有圆筒状的外导体33。冷却板突出部47的上方侧端部与外导体33的下方侧端部抵接。在该情况下，外导体33的内周面37与冷却板突出部47的内周面50相连，内导体32的外周面36与外导体33的内周面37的径向的距离，与内导体32的外周面36与冷却板突出部47的内周面50的径向的距离相同。此外，在内导体32与外导体33之间形成的间隙34位于上述的滞波板突出部27的上方侧。
另外，在冷却板43的外周部分，设置有向电介质板16侧环状地突出的滞波板定位部48。滞波板19的径向的位置由滞波板定位部48决定。在设置有滞波板定位部48的径向的位置，外周固定环45固定缝隙天线板18。
此外，设置有收纳凹部49，其在电介质板16的上方侧的面之中的径向的中央，以自电介质板16的上方侧的面起减少板厚的方式凹陷，用于收纳中心固定板46。
在此，微波供给单元20具备短截线部件51，其作为使内导体32的外周面36的一部分与在径向的与内导体32的外周面的一部分相对的相对部在此为冷却板突出部47在径向的距离变更的变更单元，能够从外导体33侧向内导体32侧延伸出。
短截线部件51包括：棒状部52，其在外导体33侧被支承，并被设置为在径向延伸；和螺钉部53，其作为对棒状部52的径向的移动量进行调整的移动量调整部件。螺钉部53设置于棒状部52的外径侧端部。
短截线部件51安装于冷却板突出部47。具体来讲，在冷却板突出部47设置有在径向笔直地延伸贯通的螺钉孔54，通过螺合该螺钉孔54与螺钉部53，将短截线部件51安装于冷却板突出部47。即，短截线部件51，在外导体33侧，通过与设置在冷却板突出部47的螺钉孔54螺合的螺钉部53而被支承。
通过使螺钉部53旋转，能够使包括棒状部52的短截线部件51整体在径向移动。在图2中，短截线部件51能够在纸面的左右方向上移动。另外，其移动量通过螺钉部53的旋转量进行调整。
短截线部件51在圆周方向上以大致相等的配置总共设置有6个(参照图4)。即，6个短截线部件配置为在圆周方向上的相邻的短截线部件间的角度间隔为60°。
6个短截线部件51各自独立，能够在径向移动。即，能够各自不同地调整各短截线部件51所包括的棒状部52的前端部55的径向的位置。
根据这样的等离子体处理装置，即使在制造时等的同轴导波管的内导体的中心与外导体的中心产生偏差，通过使内导体的外周面的一部分与在径向与内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更的变更单元，来调整内导体的外周面的一部分与相对于内导体的外周面的一部分的相对部在径向的长度，能够将在同轴导波管传播的微波的强度设为在圆周方向上非对称。因此，消除由内导体的中心与外导体的中心的偏差引起的、在电介质板形成的电磁场分布的圆周方向上的偏斜，能够使在处理容器内产生的等离子体在电介质板的下表面侧变得均匀。在该情况下，也能够对应例如由滞波板的安装误差等引起的电磁场分布的圆周方向上的偏斜。其结果，能够使被处理基板的面内中的处理变得均匀。
即，本发明的一个实施方式涉及的基板处理方法，准备一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：处理容器，其上部侧开口，且在其内部对被处理基板进行等离子体处理；气体供给部，其向处理容器内供给等离子体激励用的气体和等离子体处理用的气体；保持台，其配置于处理容器内，且在该保持台的上方保持被处理基板；产生等离子体激励用的微波的微波发生器；电介质板，其以覆盖处理容器的开口的方式配置，密封处理容器，并且使微波透过到处理容器内；缝隙天线板，其设置有多个缝隙孔，并配置于电介质板的上方侧，向电介质板发射微波；滞波板，其配置于缝隙天线板的上方侧，在径向传播微波；和向缝隙天线板供给由微波发生器产生的微波的微波供给单元，微波供给单元具备：同轴导波管，其包括一个端部与缝隙天线板的中心连接的大致圆棒状的内导体，和与内导体在径向隔开间隙且设置于内导体的外径侧的大致圆筒状的外导体；和变更单元，其使内导体的外周面的一部分与在径向与内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更，此后将被处理基板保持在保持台，通过微波发生器产生微波，通过变更单元，使内导体的外周面的一部分与在径向与内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更，使在处理容器内产生的等离子体在电介质板的下表面侧变得均匀，并对所述被处理基板进行等离子体处理。
在此，对本申请发明的原理进行说明。图5是表示未设置有短截线部件的现有技术中的同轴导波管内的电力线的模式图。图6是表示图5所示的虚线上的图5所示的电力线的一维等效电路的概念图。图7是表示设置有短截线部件的本申请发明涉及的同轴导波管内的电力线的模式图。图8是表示图7所示的虚线上的图7所示的电力线的一维等效电路的概念图。此外，上述的电力线的总根数取决于微波的功率。另外，从容易理解的观点出发，仅表示同轴导波管所包括的内导体和外导体。
参照图5和图6，在没有短截线部件的情况下，在同轴导波管61内，从内导体62向外导体63延伸的电力线64，在圆周方向上是均匀的。即使在一维等效电路65中，左右的电容器66、67的电容也相同。这样的电力线64，在内导体62的径向的中心与外导体63的径向的中心几乎完全一致的情况下产生。
在此，当内导体62的径向的中心与外导体63的径向的中心产生偏差时，导致上述的电力线64的平衡崩溃。于是，其结果，导致产生的等离子体的圆周方向上的均匀性被损害。在该情况下，为了确保产生的等离子体的圆周方向上的均匀性，只能够重新组装，以使得如图5所示的内导体62的径向的中心与外导体63的径向的中心几乎完全一致。具体来讲，表示上述的图15所示的径向的中心间的偏差的长度尺寸X为0.01mm的水平。
另一方面，参照图7和图8，在设置有短截线部件的本申请发明中，在同轴导波管71的内导体72的径向的中心与外导体73的径向的中心产生偏差的情况下，变更短截线部件74的径向的距离。如果存在内导体72的外周面与其他部件，在此与短截线部件74的径向的距离的较短的部分时，则电力线75在该部分集中。于是，在一维等效电路76中，相对左侧的电容器77，右侧的电容器78因图8中的用剖面线79表示的短截线部件74的影响而其电容变大。因此，变更短截线部件74的径向的移动量，具体来讲内导体72的外周面与短截线部件74的径向的距离，调整电力线75的圆周方向上的平衡，以确保产生的等离子体的圆周方向上的均匀性。
接着，对变更短截线部件与内导体的距离时的影响进行说明。图9是同轴导波管的截面图，表示各短截线部件的位置。此外，图9所示的截面相当于使图4所示的截面向左旋转90度的图。图10、图11、图12和图13各自是表示电介质板的各方向上的基于模拟结果的相对能量积分值的图。具体来讲，图10～图13中的径向的数值是由如下方法所求得的值：将电介质板分割为圆周方向上的6个区域，计算各区域中的电场强度能量积分值，用电场强度能量积分值的6个区域中的平均值除去各区域的电场强度能量积分值。此外，在该计算中，缝隙孔的配置，虽然使用具有旋转60°也得到相同形状的旋转对称性的模型，但缝隙孔的旋转对称性和短截线部件的旋转对称性并不一定必须相同。
在图9的短截线部件付加的号码和在图10～图13的电介质的能量积分值的径向的各轴付加的号码，表示相同的圆周方向上的位置。即，图9所示的号码1的短截线部件的位置表示圆周方向上的相同位置的电介质板的区域。图10表示全部的短截线部件的位置相同的情况，并以此为基准。图11表示号码1、2、3的短截线部件的前端部与内导体的外周面的距离为6mm的情况。图12表示号码1、2、3的短截线部件的前端部与内导体的外周面的距离为4mm的情况。图13表示号码1、2、3的短截线部件的前端部与内导体的外周面的距离为2mm的情况。另外，关于圆周方向上的均匀性，图10中的1σ的值为0.8％，图11中的1σ的值为1.9％，图12中的1σ的值为3.8％，图13中的1σ的值为7.6％。其中，σ表示标准偏差。
参照图9～图13，当变更短截线部件的位置时，具体来讲，当使棒状部的前端部与内导体的外周面的距离变更时，电介质板的相对能量积分值变大。在此，制造时的内导体的径向的中心与外导体的径向的中心产生偏离，即使相对能量积分值与图10所示的情况相差较大，也能够使短截线部件在径向移动，来调整各区域的相对能量积分值。而且，即使不重新组装内导体和外导体，也能够接近图10所示的基准。即，能够使产生的等离子体在电介质板的下表面侧变得均匀。
此外，作为短截线部件的材质，优选短截线部件之中的至少能够位于间隙的部分的材质为电介质。由此，能够实现短截线部件的长寿命化。作为电介质，例如举例有石英和氧化铝等。当然，短截线部件的整体也可以由金属构成。
另外，优选在同轴导波管的轴方向上，滞波板的上方侧的端部与短截线部件的距离为10mm以内。具体来讲，再次参照图2，在图2所示的截面中，将短截线部件51所具备的棒状部52的轴方向的中心线56与滞波板突出部47的上方侧的端部57的轴方向的距离L1设为10mm以内。在上述结构的等离子体处理装置11中，较强地受到同轴导波管31的下方侧区域的电磁场的强度分布的影响。在此，当距离L1比10mm长时，圆周方向的呈非对称的微波的强度有可能再次对称，即恢复原状。因此，通过这样的结构，能够更加有效地使电磁场分布在圆周方向上变得均匀。
在本实施例中，表示有短截线部件的延伸方向为水平方向，即短截线部件在径向笔直地延伸的例子，但如图14所示的方式，短截线部件的延伸方向也可以为斜下方。图14是扩大表示该情况下的等离子体处理装置的同轴导波管的附近的概略截面图，与图2相当。参照图14，在本发明的其他的实施方式涉及的等离子体处理装置81所具备的冷却板82的冷却板突出部83，设置有多个螺钉孔84，该多个螺钉孔以向内径侧为下侧的斜下方延伸的方式贯通冷却板突出部83的一部分。而且，各螺钉孔84被以短截线部件85向斜下方延伸的方式安装。通过这样的结构，短截线部件85起作用的点在于：具体来讲，能够使短截线部件85的前端部分接近滞波板19。为了消除电磁场分布的圆周方向上的偏斜，优选能够在尽可能接近滞波板19的位置进行调整。因此，通过将短截线部件85设置为能够向斜下方延伸，能够更加有效地进行电磁场分布的圆周方向上的调整。
在该情况下，短截线部件85和滞波板86设置为：当延伸短截线部件85时，短截线部件85的前端部87与滞波板突出部88的上方侧的端部89之间的距离L3为10mm以下即可。此外，在上述的结构的等离子体处理装置中，优选变更单元构成为能够使内导体的外周面的一部分与相对于该一部分的部分在径向的距离变更为4mm以下。具体来讲，参照图2，构成为能够使内导体32的外周面36与短截线部件51所具备的棒状部52的前端部55在径向的距离L2变更为4mm以下。由此，能够在更加宽的范畴内提高圆周方向上的等离子体的均匀性。
另外，在上述的实施方式中，短截线部件在冷却板突出部被支承，但不限定于此，也可以为在外导体被支承的结构。具体来讲，在外导体设置在径向贯通的螺钉孔，使该螺钉孔与螺钉部螺合地安装短截线部件。在该情况下，与内导体的外周面的一部分相对的相对部为外导体的内周面的一部分。
此外，在本实施例中，短截线部件设为具有旋转对称性的等间隔的配置，但如果具有旋转对称性，则短截线部件的配置也可以不为等间隔。
另外，在上述的实施方式中，短截线部件在圆周方向合计设置6个，但不限定于该个数，例如也可以是4个、8个等，按照需要设置任意个数的短截线部件。
此外，在上述的实施方式中，在同轴导波管的延伸方向上设置一个，即在上下方向的相同位置设置6个短截线部件，但不限定于此，也可以在同轴导波管的延伸方向隔开间隔地设置多个短截线部件。当设置作为电磁场调整单元的短截线部件时，微波的一部分通过上述的棒状部向上方向反射。在此，有可能产生用入射波的电场强度除去反射波的电场强度而得到的值所表示的反射率的部分的功率损失，并且有可能因该反射波的影响，而使得电磁场的调整变得复杂，难以使得电磁场分布变得均匀。于是，通过在同轴导波管的延伸方向隔开间隔地设置多个短截线部件，能够较大地降低因短截线部件而产生的反射波的影响，使电磁场的调整变得容易，使电磁场分布在圆周方向上更加均匀。
对此，进行具体说明。图17是表示该情况下的等离子体处理装置的一部分的截面图，是与图2相当的截面。参照图17，在本发明的进一步其他的实施方式涉及的等离子体处理装置91中，在图17的上下方向上设置有2个短截线部件群92a、92b。在下方侧设置的作为电磁场调整机构的第一短截线部件群92a，与被设置于图1所示的等离子体处理装置11的情况相同地，设置于冷却板43之中的冷却板突出部47。第一短截线部件群92a之中的各短截线部件是与设置于图1所示的等离子体处理装置的短截线部件相同的结构。即，第一短截线部件群92a所具备的各短截线部件是具备螺钉部和棒状部的结构，该螺钉部和棒状部设置为：能够在径向延伸出，且在径向笔直地延伸，与在冷却板突出部47设置的螺钉孔螺合。另一方面，在上方侧设置的作为反射波补偿机构的第二短截线部件群92b，设置于同轴导波管31之中的外导体33。第二短截线部件群92b所具备的各短截线部件，也是与第一短截线部件群92a所具备的各短截线部件相同的结构，且是具备螺钉部和棒状部的结构，该螺钉部和棒状部设置为：能够在径向延伸出，且在径向笔直地延伸，与在外导体33设置的螺钉孔螺合。
关于2个短截线部件群之中的第一短截线部件群92a，与图1所示的情况相同地在圆周方向上大致相等间隔地设置有6个短截线部件。关于第二短截线部件群92b，也在圆周方向上大致相等间隔地设置有6个短截线部件。此外，在此所说的2个短截线部件群表示：在上下方向上各自隔开间隔地设置有由在圆周方向隔开间隔地设置的6个短截线部件构成的短截线部件的群。
关于第一和第二短截线部件群92a、92b之中的设置各短截线部件的圆周方向上的位置，构成为：第一短截线部件群92a之中的各短截线部件和第二短截线部件群92b之中的各短截线部件形成于相同位置。即，构成为：在从图17的上方观察的情况下，能够看见图4所示的那样，即能够看见第一短截线部件群92a之中的各自的短截线部件与第二短截线部件群92b之中的各自的短截线部件重叠。另外，关于第一短截线部件群92a与第二短截线部件群92b的上下方向的间隔，即第一短截线部件群92a与第二短截线部件群92b之间的距离L4，构成为同轴导波管31的管内波长的四分之一。第一短截线部件群92a与第二短截线部件群92b之间的距离L4，是图17中的由点划线表示的第一短截线部件群92a的轴方向即上下方向的中央的位置与图17中的由双点划线表示的第二短截线部件群92b的上下方向的中央的位置之间的距离。另外，第一短截线部件群92a所具备的各短截线部件的微波的反射率与第二短截线部件群92b所具备的各短截线部件的微波的反射率相同。第一和第二短截线部件群92a、92b所具备的各短截线部件的材质，例如是氧化铝和金属等。
根据这样的结构，通过作为电磁场调整机构起作用的第一短截线部件群92a和作为反射波补偿机构起作用的第二短截线部件群92b，能够更加有效地使电磁场分布变得均匀。此外，关于与图1和图2所示的等离子体处理装置11同样的结构，在图17和后述的图18中使用相同的符号进行表示，且省略它们的说明。
在此，对上述的图17所示的等离子体处理装置91的原理进行说明。图18是扩大表示图17所示的等离子体处理装置91所具备的同轴导波管31的附近的概略截面图。此外，从理解容易的观点出发，在图18中概略地图示有第一和第二短截线部件群92a、92b的结构等。
参照图17和图18，从上侧向下方入射的入射波C1在到达作为电磁场调整机构的第一短截线部件群92a所具备的短截线部件之后，其一部分作为反射波C2向上方反射。另外，入射波D1在到达作为反射波补偿机构的第二短截线部件群92b所具备的短截线部件之后，其一部分作为反射波D2向上方反射。在此，延迟了经过第一短截线部件群92a与第二短截线部件群92b之间的距离L4的往返的距离所需的时间的反射波C2，与反射波D2发生干涉。在该情况下，第一短截线部件群92a与第二短截线部件群92b之间的距离L4是同轴导波管31的管内波长的四分之一，因此第一短截线部件群92a与第二短截线部件群92b之间的距离的往返的距离是同轴导波管31的管内波长的二分之一。于是，各自的反射波C2、D2的相位偏差180度。在此，由于第一短截线部件群92a所具备的短截线部件的反射率与第二短截线部件群92b所具备的短截线部件的反射率相同，因此反射波C2、D2恰好消除，能够进行反射波的影响被很大地降低了的电磁场调整。因此能够更加有效地均匀地供给电磁场。此外，上述的微波发生器15所具备的包括可动短路板30e～30h的4E调谐器29c，设置于导波管39，用于单独地调整由磁控管29a产生的微波的相位，该4E调谐器，与设置于同轴导波管31，具备短截线部件，作为反射波补偿机构用于消除从配置于下游侧的第一短截线部件群92a反射的反射波的第二短截线部件群92b相比较，其结构有很大不同。
在此，使第一短截线部件群92a所具备的短截线部件的反射率与第二短截线部件群92b所具备的短截线部件的反射率相同，但根据具体的实施方式，可以设置各自的反射率为0.1～0.2，总和的反射率为0.03以下。但是，严密来讲，上述的入射波C1被第二短截线部件群92b所具备的短截线部件反射一部分而变小。因此，考虑其影响，也可以变更第一短截线部件群92a所具备的短截线部件的反射率和第二短截线部件群92b所具备的短截线部件的反射率。
此外，在上述的图17所示的实施方式中，第一短截线部件群和第二短截线部件群的上下方向的间隔为同轴导波管的管内波长的四分之一，但不限定于此，也可以为同轴导波管的管内波长的四分之一的奇数倍。由此，也能够使各自的反射波的相位偏差180度，能够起到上述的效果。另外，即使与同轴导波管的管内波长的四分之一的奇数倍稍微偏差，也能够降低反射波的影响。
另外，在上述的图17所示的实施方式中，使第一短截线部件群所具备的各短截线部件的圆周方向上的位置与第二短截线部件群所具备的各短截线部件的圆周方向上的位置相同，但不限定于此，即使在圆周方向上稍微偏差也没关系。另外，也可以使第一短截线部件群所具备的短截线部件的数量与第二短截线部件群所具备的短截线部件的数量不同。
此外，在上述的图17所示的实施方式中，第一和第二短截线部件群所具备的各短截线部件设置为在径向笔直地延伸，但不限定于此，也可以使各短截线部件的延伸方向为斜下方。在该情况下，可以将在第一和第二短截线部件群中的任一群所具备的短截线部件的延伸方向设为斜下方，也可以将在第一和第二短截线部件群的双方所具备的各短截线部件的延伸方向设为斜下方。
此外，在上述的实施方式中，将短截线部件设为变更单元，但不限定于此，变更单元也可以为其他的结构。即，例如可以在外导体的内周面设置能够在径向延伸出且能够调整延伸出的距离的突起部，并将其作为变更单元。另外，也可以设为以下那样的结构：使外导体的外径面凹进，根据该凹部变更外导体的内周面与内导体的外周面的距离。
另外，在上述的实施方式中，在外导体侧设置变更单元，但不限定于此，也可以在内导体侧设置变更单元。具体来讲，该变更单元的结构为：设置在内导体侧，能够使内导体的外周面向外径侧即形成有间隙的方向延伸出，并能够调整延伸出的距离。可以设为这样的结构。
另外，在上述的实施方式中，使电介质板的下方侧的表面平坦，但不限定于此例如，也可以在电介质板的下方侧的表面设置向电介质板的内方侧即上侧凹进的凹部。
以上，参照附图对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于图示的实施方式。对于图示的实施方式，在与本发明相同的范围内或均等的范围内，可以添加各种修正和变形。
产业上的可利用性
本发明涉及的等离子体处理装置，能够有效地利用于在被处理基板的面内要求进行均匀的等离子体处理的情况。
符号说明
11、81、91等离子体处理装置，12处理容器，13气体供给部，14保持台，15微波发生器，16电介质板，17缝隙孔，18缝隙天线板，19、86滞波板，20微波供给单元，21底部，22侧壁，23排气孔，24O形环，25面，26a  内周侧缝隙孔群，26b外周侧缝隙孔群，27、88滞波板突出部，28中心，29a磁控管，29b隔离器，29c 4E调谐器，30a、30b、30c、30d凹部，30e、30f、30g、30h可动短路板，31、61、71同轴导波管，32、62、72内导体，33、63、73外导体，34间隙，30i、35、38、57、89端部，36外周面，37、50内周面，39导波管，40模式转换器，41电介质按压环，42按压天线部件，43、82冷却板，44电池遮蔽弹性体，45外周固定环，46中心固定板，47、83冷却板突出部，48滞波板定位部，49收纳凹部，51、74、85短截线部件，52棒状部，53螺钉部，54、84螺钉孔，55、87前端部，56中心线，64、75电力线，65、76一维等效电路，66、67、77、78电容器，79剖面线，92a、92b短截线部件群。

Claims (11)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：
处理容器，其上部侧开口，且在其内部对被处理基板进行等离子体处理；
气体供给部，其向所述处理容器内供给等离子体处理用的气体；
保持台，其配置于所述处理容器内，且在所述保持台的上方保持所述被处理基板；
微波发生器，其产生等离子体激励用的微波；
电介质板，其以覆盖所述处理容器的开口的方式配置，密封所述处理容器，并且使微波透过到所述处理容器内；
缝隙天线板，其设置有多个缝隙孔，且配置于所述电介质板的上方侧，向所述电介质板发射微波；
滞波板，其配置于所述缝隙天线板的上方侧，在径向传播微波；和
微波供给单元，向所述缝隙天线板供给由所述微波发生器产生的微波，
所述微波供给单元具备：
同轴导波管，其包括一个端部与所述缝隙天线板的中心连接的大致圆棒状的内导体，和与所述内导体在径向隔开间隙且设置于所述内导体的外径侧的大致圆筒状的外导体；和
变更单元，其使所述内导体的外周面的一部分与在径向与所述内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述变更单元包括能够从所述外导体侧向所述内导体侧延伸出的短截线部件。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述短截线部件包括：
棒状部，其在所述外导体侧被支承，且设置为在径向延伸；和
移动量调整部件，其对所述棒状部的径向的移动量进行调整。
4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述同轴导波管的延伸方向上隔开间隔地设置有多个所述短截线部件。
5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在圆周方向上隔开间隔地设置有多个所述短截线部件。
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在圆周方向上以大致相等的间隔设置有所述多个短截线部件。
7.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述短截线部件之中的至少能够位于所述间隙的部分的材质是电介质。
8.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述同轴导波管的轴方向上，所述滞波板的上方侧的端部与所述短截线部件的距离为10mm以下。
9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述变更单元能够使所述内导体的外周面的一部分与相对于所述一部分的相对部在径向的距离变更为4mm以下。
10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述微波发生器包括磁控管、隔离器和调谐器。
11.一种基板处理方法，其特征在于：
准备一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：
处理容器，其上部侧开口，且在其内部对被处理基板进行等离子体处理；
气体供给部，其向所述处理容器内供给等离子体处理用的气体；
保持台，其配置于所述处理容器内，且在所述保持台的上方保持所述被处理基板；
微波发生器，其产生等离子体激励用的微波；
电介质板，其以覆盖所述处理容器的开口的方式配置，密封所述处理容器，并且使微波透过到所述处理容器内；
缝隙天线板，其设置有多个缝隙孔，且配置于所述电介质板的上方侧，向所述电介质板发射微波；
滞波板，其配置于所述缝隙天线板的上方侧，在径向传播微波；和
微波供给单元，向所述缝隙天线板供给由所述微波发生器产生的微波，
所述微波供给单元具备：
同轴导波管，其包括一个端部与所述缝隙天线板的中心连接的大致圆棒状的内导体，和与所述内导体在径向隔开间隙且设置于所述内导体的外径侧的大致圆筒状的外导体；和
变更单元，其使所述内导体的外周面的一部分与在径向与所述内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更，
将被处理基板保持在所述保持台，
通过所述微波发生器产生微波，
通过所述变更单元，使所述内导体的外周面的一部分与在径向与所述内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更，使在所述处理容器内产生的等离子体在所述电介质板的下表面侧变得均匀，
对所述被处理基板进行等离子体处理。
CN2010800371514A 2009-08-21 2010-08-16 等离子体处理装置和基板处理方法 Pending CN102484939A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009191700 2009-08-21
JP2009-191700 2009-08-21
PCT/JP2010/063831 WO2011021607A1 (ja) 2009-08-21 2010-08-16 プラズマ処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102484939A true CN102484939A (zh) 2012-05-30

Family

ID=43607058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800371514A Pending CN102484939A (zh) 2009-08-21 2010-08-16 等离子体处理装置和基板处理方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9237638B2 (zh)
JP (1) JP5440604B2 (zh)
KR (1) KR101378304B1 (zh)
CN (1) CN102484939A (zh)
TW (1) TW201143545A (zh)
WO (1) WO2011021607A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111101113A (zh) * 2018-10-25 2020-05-05 六晶科技有限公司 微波等离子体cvd装置及利用其合成金刚石的方法

Families Citing this family (222)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010118549A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
WO2013098795A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Selex Galileo S.P.A. Slotted waveguide antenna for near-field focalization of electromagnetic radiation
JP2014035887A (ja) * 2012-08-09 2014-02-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、および高周波発生器
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6383674B2 (ja) 2014-02-19 2018-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6501493B2 (ja) * 2014-11-05 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20170100519A (ko) * 2014-12-26 2017-09-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP2016225047A (ja) * 2015-05-27 2016-12-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10182387B2 (en) 2016-06-01 2019-01-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for distributing content via diverse networks
JP6683924B2 (ja) * 2016-06-23 2020-04-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ調整用の支援装置、プラズマ調整方法及び記憶媒体
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
JP2018010752A (ja) * 2016-07-12 2018-01-18 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波調整方法
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
JP6752117B2 (ja) * 2016-11-09 2020-09-09 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP6698560B2 (ja) * 2017-02-01 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ源、マイクロ波プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
JP2019012656A (ja) * 2017-06-30 2019-01-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生ユニット及びプラズマ処理装置
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
JP6835358B2 (ja) * 2017-11-24 2021-02-24 森田テック 株式会社 アンテナ装置、アンテナシステム、及び計測システム
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
JP7067913B2 (ja) * 2017-12-13 2022-05-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010026575A1 (en) * 1999-12-20 2001-10-04 Noriyoshi Sato Plasma processing system
US20020043937A1 (en) * 2000-10-18 2002-04-18 Toshio Ogura Magnetron having a lowered oscillation frequency and processing equipment employing the same
US20020148564A1 (en) * 2000-03-30 2002-10-17 Nobuo Ishii Apparatus for plasma processing
CN1628495A (zh) * 2002-02-06 2005-06-15 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN1742522A (zh) * 2003-01-27 2006-03-01 东京威力科创股份有限公司 等离子体处理装置和等离子体处理方法
JP2008182713A (ja) * 2008-01-31 2008-08-07 Tokyo Electron Ltd マイクロ波アンテナ及びマイクロ波プラズマ処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6263830B1 (en) * 1999-04-12 2001-07-24 Matrix Integrated Systems, Inc. Microwave choke for remote plasma generator
JP4522356B2 (ja) * 2000-03-30 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4837854B2 (ja) * 2001-09-28 2011-12-14 東京エレクトロン株式会社 整合器およびプラズマ処理装置
JP3969081B2 (ja) * 2001-12-14 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4854317B2 (ja) 2006-01-31 2012-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010026575A1 (en) * 1999-12-20 2001-10-04 Noriyoshi Sato Plasma processing system
US20020148564A1 (en) * 2000-03-30 2002-10-17 Nobuo Ishii Apparatus for plasma processing
US20020043937A1 (en) * 2000-10-18 2002-04-18 Toshio Ogura Magnetron having a lowered oscillation frequency and processing equipment employing the same
CN1628495A (zh) * 2002-02-06 2005-06-15 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN1742522A (zh) * 2003-01-27 2006-03-01 东京威力科创股份有限公司 等离子体处理装置和等离子体处理方法
JP2008182713A (ja) * 2008-01-31 2008-08-07 Tokyo Electron Ltd マイクロ波アンテナ及びマイクロ波プラズマ処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111101113A (zh) * 2018-10-25 2020-05-05 六晶科技有限公司 微波等离子体cvd装置及利用其合成金刚石的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160093474A1 (en) 2016-03-31
KR20120036372A (ko) 2012-04-17
US9237638B2 (en) 2016-01-12
JPWO2011021607A1 (ja) 2013-01-24
WO2011021607A1 (ja) 2011-02-24
TW201143545A (en) 2011-12-01
KR101378304B1 (ko) 2014-03-27
US20120160809A1 (en) 2012-06-28
JP5440604B2 (ja) 2014-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102484939A (zh) 等离子体处理装置和基板处理方法
US20220344131A1 (en) Modular microwave plasma source
CN110612594B (zh) 使用模块化微波源的具有对称且不规则的形状的等离子体
KR102007059B1 (ko) 플라즈마 발생용 안테나, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
CN107564793B (zh) 电感耦合式等离子体(icp)反应器中的功率沉积控制
TWI548311B (zh) Surface wave plasma generation antenna and surface wave plasma processing device
JP6624833B2 (ja) マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
KR20160114508A (ko) 마이크로파 플라즈마원 및 플라즈마 처리 장치
JP7351636B2 (ja) 一体化されたガス分配装置を有するモジュール型高周波源
CN101278378A (zh) 等离子体处理装置和方法
US6796268B2 (en) Microwave plasma processing system
TW201532119A (zh) 多單元共振器微波表面波電漿設備
US10504699B2 (en) Phased array modular high-frequency source
JP2006040609A (ja) プラズマ処理装置および方法、並びにフラットパネルディスプレイ装置の製造方法
WO2021220551A1 (ja) プラズマ処理装置
US11081317B2 (en) Modular high-frequency source
KR20160068544A (ko) 플라즈마 처리장치용 파워분배기 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치
KR102585773B1 (ko) 플라스마 처리 장치
KR20160066872A (ko) 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치
JP5822658B2 (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120530