CN102468375A - 发光二极管封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是有关于一种发光二极管封装结构及其制造方法，其制造方法包括：制备一设有至少一发光二极管晶片的基板、一用以围绕发光二极管晶片的框体，及一用以覆盖框体的一侧的盖体；将框体与基板结合，且使发光二极管晶片位于框体围绕的区域中；及将盖体与框体结合，使盖体与框体共同构成容置发光二极管晶片的凹槽；其中使盖体与框体的结合力小于框体与基板的结合力，致使移除盖体时能不破坏框体与基板的结合。借此能在光源系统的应用端移除盖体后，利用框体保护导线不被碰触，且使光源系统具有较小光展量。

Description

发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法，特别是涉及一种具有可移除的盖体的发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术
随着科技的演进，很多电子产品都朝缩小体积、减轻重量发展，以能方便携带使用。其中微投影机也是小型化可携带的新一代产品，由于发光二极管具有体积小、省电、使用寿命长等优点，适合做为微投影机的光源。
在微投影机中，其光源系统为光展量有限的系统(Etendue-limitedsystem)，因此光源的光展量(Etendue)越小，光的使用效率越高，而光展量与光线所经过的介质的折射率有关，介质的折射率越低，则光展量越小。通常空气的折射率低于一般玻璃或光学级树脂等透光材质的折射率，所以光源出光后直接在空气中传播的光展量较小。
由此可见，上述现有的发光二极管封装结构在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种具有较小光展量的发光二极管封装结构，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种具有可移除的盖体，以在移除前保护晶片，并在移除后使光源系统具有较小光展量的发光二极管封装结构的制造方法。
本发明的另一目的在于，提供一种具有可移除的盖体的发光二极管封装结构。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种发光二极管封装结构的制造方法；包括以下步骤：制备一设有至少一发光二极管晶片的基板、一用以围绕该发光二极管晶片的框体，及一用以覆盖该框体的一侧的盖体；将该框体与该基板结合，且使该发光二极管晶片位于该框体围绕的区域中；以及将该盖体与该框体结合，使该盖体与该框体共同构成容置该发光二极管晶片的凹槽；其中使该盖体与该框体的结合力小于该框体与该基板的结合力，致使移除该盖体时不破坏该框体与该基板的结合。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
较佳地，前述的发光二极管封装结构的制造方法，其中该盖体与该框体的结合力为一第一结合力，而该框体与该基板的结合力为一第二结合力，该第一结合力和该第二结合力的差的绝对值与该第二结合力的百分比例介于25％至小于100％之间，且该第一结合力不小于5kgf/cm2。
较佳地，前述的发光二极管封装结构的制造方法，其中该盖体与该框体是以胶合剂胶合方式结合，而该第一结合力是依据胶合该盖体与该框体的胶合剂的一黏接面积或是依据胶合该盖体与该框体的胶合剂的一胶合力而决定。
较佳地，前述的发光二极管封装结构的制造方法，其中胶合该盖体与该框体的胶合剂的该胶合力是依据以下条件而决定，该条件包括选用适当黏度的胶合剂、控制胶合剂的固化时间，或以化学剂处理、高温效应处理、超音波处理或紫外光照射方式弱化胶合剂的胶合力。
较佳地，前述的发光二极管封装结构的制造方法，其中该框体与该基板以焊接方式或以胶合剂胶合方式结合。
较佳地，前述的发光二极管封装结构的制造方法，其中该框体与该基板及该框体与该盖体是以胶合剂胶合方式结合，且胶合该框体与该盖体的胶合剂的黏接面积小于胶合该框体与该基板的胶合剂的黏接面积，或胶合该框体与该盖体的胶合剂的胶合力小于胶合该框体与该基板的胶合剂的胶合力。
较佳地，前述的发光二极管封装结构的制造方法，其中该盖体与该框体结合后，经过化学剂处理、高温效应处理、超音波处理或紫外光照射，而弱化该盖体与该框体的结合力。
较佳地，前述的发光二极管封装结构的制造方法，其中该第一结合力和该第二结合力的差的绝对值与该第二结合力的百分比例介于40％至90％之间。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种发光二极管封装结构，包括：一基板及至少一设于该基板上的发光二极管晶片；该发光二极管封装结构还包括：一框体及一盖体，该框体设于该基板上并围绕该发光二极管晶片，并具有一顶侧及一位于该顶侧的相反侧的底侧，该底侧与该基板结合，该盖体移除地结合于该框体的该顶侧，与该框体共同罩覆该发光二极管晶片。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
较佳地，前述的发光二极管封装结构，其中该盖体与该框体的结合力小于该框体与该基板的结合力。
较佳地，前述的发光二极管封装结构，其中该盖体与该框体的结合力为一第一结合力，而该框体与该基板的结合力为一第二结合力，该第一结合力和该第二结合力的差的绝对值与该第二结合力的百分比例介于25％至小于100％之间，且该第一结合力不小于5kgf/cm2。
较佳地，前述的发光二极管封装结构，其中该框体还具有一由该顶侧往下凹陷的缺口。
较佳地，前述的发光二极管封装结构，其中该框体还具有相对的两第一侧壁，且各该第一侧壁具有一由外侧往内凹设的内凹部。
较佳地，前述的发光二极管封装结构，其中各该内凹部位于各该第一侧壁的中间区域。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明发光二极管封装结构及其制造方法至少具有下列优点及有益效果：本发明借由盖体可移除地与框体结合，能够利用盖体及框体保护发光二极管晶片及其导线，并能在光源系统的应用端(组装在微投影机中)移除盖体后，利用框体保护导线不被碰触，且使光源系统具有较小光展量。
综上所述，本发明能在光源系统的应用端移除盖体后，利用框体保护导线不被碰触，且使光源系统具有较小光展量。本发明在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是一方块图，说明本发明发光二极管封装结构的制造方法的一较佳实施例的流程步骤；
图2及图3是说明本发明发光二极管封装结构的第一具体例及两种制作该第一具体例的具体实施步骤的流程示意图；
图4是一说明不同组成成份的胶合剂具有不同黏度的曲线关系图；
图5是一说明同材质的胶合剂依据不同固化时间具有不同的硬度的曲线关系图；及
图6是一说明本发明发光二极管封装结构的第二具体例及制作该第二具体例的具体实施步骤的流程示意图，其中部份元件被省略。
具体实施方式
有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考图式的一较佳实施例及两个具体例的详细说明中，将可清楚的呈现。
在本发明被详细描述之前，要注意的是，在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。
参阅图1为本发明发光二极管封装结构的制造方法的一较佳实施例的流程，其步骤包括：
步骤100，制备一设有至少一发光二极管晶片的基板、一用以围绕发光二极管晶片的框体，及一用以覆盖框体的一侧的盖体。
步骤200，将框体与基板结合，且使发光二极管晶片位于框体围绕的区域中。
步骤300，将盖体与框体结合，使盖体与框体共同构成容置发光二极管晶片的凹槽。
其中，为避免移除盖体时能不破坏框体与基板的结合，盖体与框体的结合力应小于框体与基板的结合力。
此外，假设盖体与框体的结合力为一第一结合力(F1)、框体与基板的结合力为一第二结合力(F2)，第一结合力(F1)与第二结合力(F2)的关系式较佳为：
25 % < ( | F 1 - F 2 | F 2 &times; 100 % ) < 100 %
亦即第一结合力(F1)和第二结合力(F2)的差的绝对值与第二结合力(F2)的百分比例较佳介于25％至小于100％之间。
更佳地，第一结合力(F1)和第二结合力(F2)的差的绝对值与第二结合力(F2)的百分比例可以介于40％至90％之间，且第一结合力(F1)较佳为不小于5kgf/cm2。
如此，盖体与框体有足够的结合力(第一结合力)，以避免受到轻微碰撞或震动而使盖体脱落，而且因为第一结合力与第二结合力具有上述的关系式，能在蓄意移除盖体时，框体与基板之间有足够的结合力(第二结合力)可以抵抗移除盖体的外力，而不会破坏框体与基板的结合。
以下借由两个具体例进一步说明本发明发光二极管封装结构及制造方法。
参阅图2与图3，为本发明发光二极管封装结构的第一具体例及两种制作第一具体例的具体实施流程。在第一具体例中，发光二极管封装结构10，包括：一基板2、多个设于基板2上的发光二极管晶片1、一设于基板2上并围绕发光二极管晶片1的框体3，及一可移除地结合于框体3，并与框体3共同罩覆发光二极管晶片1的盖体4。当然，发光二极管晶片1也可只设置一个。具体而言，在第一具体例，基板2设有电路图案21，并设有四个发光二极管晶片1，发光二极管晶片1与电路图案21之间由导线11(一般为金线)形成电连接。框体3呈方形中空状，并具有一顶侧31及一位于顶侧31的相反侧的底侧32，其中盖体4结合于框体3的顶侧31，基板2结合于框体3的底侧32，进一步地，顶侧31具有由内缘下凹形成的一限位槽311以容设盖体4，方便将盖体4定位，限位槽311的四个角落特别形成较大的圆角，以方便盖体4的四个角落设置，可避免盖体4的角尖与框体3碰撞或摩擦而受损。而且框体3还具有一由顶侧31往下凹陷的缺口33，可供气体流通或是可在后续应用端中便于移除盖体4。虽然在本具体例中框体3呈方形，由相对的两第一侧壁34及与第一侧壁34连接的两第二侧壁35构成，但是框体3也可以是其他形状并无限制，适用于框体3的材质可以是陶瓷、玻璃、金属、或塑胶等，其中塑胶材质可例如聚邻苯二甲酰胺塑胶(polyphthalamide，PPA)、液晶塑胶(Liquid Crystal Plastic，LCP)等。盖体4可以由玻璃或光学级树脂制成，虽然本实施例所示盖体4为平板状，但是盖体4也可以是透镜(lens)形状或凹杯形状。
制作发光二极管封装结构10的具体实施步骤可以如图2所示，先将框体3与基板2结合，再将盖体4与框体3结合，或者，可以如图3所示，先将盖体4与框体3结合，再将框体3与基板2结合，因此，框体3与基板2或框体3与盖体4结合的前后实施顺序并不限制。而且为了方便说明起见，本具体例只以制作一个发光二极管封装结构10来说明，在实际制作时，图2、图3所示的基板2只是一片大型基板中的一个单元，也就是说，大型基板由多数个如基板2的单元构成，可同时在大型基板上完成多数个发光二极管封装结构10，再将大型基板分割形成单一个发光二极管封装结构10。
其中框体3与基板2可以以焊接方式或以胶合剂胶合方式将彼此结合，实际采行方式可以依据框体3与基板2材质而定，适用于焊接的焊料例如：焊锡、银胶、铜胶等。适用于胶合框体3与基板2的胶合剂例如：环氧树脂(epoxy)、硅胶(silicone)、氰基丙烯酸酯(Cyanoacrylate)、氯丁二烯橡胶(Chloroprene Rubber)、聚氯乙烯(Polyvinylchloride)、聚氯丁烯(Polychloroprene)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene)等。
盖体4与框体3也可以利用焊接方式或利用胶合剂胶合方式将彼此结合，适用于焊接的锡料与前面类似，不再赘述，适用于胶合盖体4与框体3的胶合剂例如，环氧树脂、压克力胶(acrylic glue)、硅胶(silicone)、聚氨酯胶(polyurethane，PU)、聚乙烯醇缩丁醛树脂(polyvinyl butyral，PVB)、淀粉类、橡胶(rubber)类、聚酯(polyester)类、聚醚(polyether)类、聚乙烯(polyethylene)类等。
为了符合上述第一结合力(F1)与第二结合力(F2)的关系式，可以借由控制盖体4与框体3的结合力(即第一结合力F1)来达成，控制方式包括：I.控制胶合盖体4与框体3的胶合剂的黏接面积，使盖体4与框体3的黏接面积小于框体3与基板2的黏接面积；或II.控制胶合盖体4与框体3的胶合剂的胶合力。具体说明如下：
I.控制黏接面积的方式：
(A)例如，将框体3的顶侧31(与盖体4结合的一侧)表面粗化或形成凹凸结构，以减少框体3与盖体4的接触面积，其中形成凹凸结构的方式，举例如：使顶侧31的四个角落较为凸出，或在适当的位置间隔分布凸柱，使盖体4只与凸出的部分接触，即可减少框体3与盖体4的接触面积。此外，在本实施例中，顶侧31具有限位槽311，使盖体4只接触顶侧31内缘的下凹处(即位于限位槽311底部)，因而也可以减少盖体4与框体3的接触面积。相较于框体3的底侧32可以全面接触基板2，框体3的顶侧31借由表面粗化、凹凸结构或限位槽311，而使盖体4与框体3的接触面积小于框体3与基板2的接触面积，当盖体4与框体3的接触面积越小，黏接面积也越少，则盖体4与框体3的结合力(即第一结合力F1)越小。
(B)同样地，若框体3的顶侧31与盖体4的接触面积和底侧32与基板2的接触面积相同时，可以借由控制胶合剂的涂布面积来控制黏接面积，例如在框体3的顶侧31以局部点胶的方式减少胶合剂的分布面积，而在底侧32全面涂布胶合剂，即可使顶侧31与盖体4的黏接面积小于底侧32与基板2的黏接面积，造成结合力的差异。
II.控制胶合盖体4与框体3的胶合剂的胶合力的方式，包括：(A)选用适当黏度的胶合剂、(B)控制胶合剂的固化时间或(C)弱化胶合剂的胶合力，例如以化学剂处理、高温效应处理、超音波处理、或紫外光照射方式。
(A)选用适当黏度的胶合剂：
由于不同种类的胶合剂本身的黏度就有差异，可以选用不同种类的胶合剂来胶合盖体4与框体3以及框体3与基板2，其中用于胶合盖体4与框体3的胶合剂的黏度，相对于胶合框体3与基板2的胶合剂的黏度或焊接框体3与基板2的焊料的结合力，必须是较差的。
以不同成分的环氧树脂为例，如图4所示，同样以三小时的固化时间固化后，环氧树脂的黏度有显著的差异，因此借由选用适当黏度的胶合剂，即可控制盖体4与框体3的结合力(即第一结合力F1)小于框体3与基板2的结合力(即第二结合力F2)，且使
Figure BSA00000349258600061
介于25％至小于100％之间。
(B)控制胶合剂的固化时间：
同种类的胶合剂也可因为固化时间不同而有不同硬度因而产生不同的胶合力，以硅胶为例，如图5所示，固化时间t1(约17分)后以Asker-C硬度计所测得的硬度为6(相当于第一结合力F1)，固化时间t2(约26分)后以Asker-C硬度计所测得的硬度为10(相当于第二结合力F2)，两者结合力差异的百分比为：
( | F 1 - F 2 | F 2 &times; 100 % ) = 40 %
由此可知，若胶合盖体4与框体3的胶合剂以及胶合框体3与基板2的胶合剂都采用具有如图5所示性质的硅胶时，胶合盖体4与框体3采用t1的固化时间，而胶合框体3与基板2采用t2的固化时间，则盖体4与框体3的结合力约比框体3与基板2的结合力小40％。
(C)弱化胶合剂的胶合力：
除了选用不同种类胶合剂或控制胶合剂固化时间，以达到所需的结合力之外，还可以用化学剂处理、高温效应处理、超音波处理、或紫外光照射方式弱化胶合剂的胶合力。也就是说，原本胶合盖体4与框体3的胶合剂具有较佳的胶合力，但是在胶合盖体4与框体3的胶合剂固化后，可以利用化学剂处理、高温效应处理、超音波处理、或紫外光照射方式来降低已固化的胶合剂的胶合力。
化学剂处理的方式，例如依据胶合剂的性质选用酸性液、碱性液或有机溶剂(如酒精、丙酮、松香、正己烷、甲苯、异丙醇等)与已固化的胶合剂接触，以改变胶合剂的胶合力(即降低盖体4与框体3的结合力)。
高温效应处理是利用胶合剂的特性，超过某一温度以上，会产生破坏行为，例如100℃以上会对压克力胶及PU胶产生破坏，200℃以上会对大部分胶合剂产生破坏，借此可以降低盖体4与框体3的结合力。
超音波处理是利用震动原理松脱结合物，而能降低盖体4与框体3的结合力。
紫外光照射就是对已胶合盖体4与框体3的胶合剂照射紫外光，利用紫外光对胶合剂的有机链产生破坏行为，可以降低盖体4与框体3的结合力。
参阅图6，为说明本发明发光二极管封装结构的第二具体例及制作第二具体例的具体实施步骤。由于第二具体例与第一具体例大致相同，惟，框体3的构造略有差异，在图6中只示出框体3与盖体4加以说明，其余元件可参考第一具体例而未在图6中示出。在第二具体例中，框体3的各第一侧壁34具有一由外侧往内凹设的内凹部341，且各内凹部341位于各第一侧壁34的中间区域。借由二内凹部341可增加夹取盖体4的空间，在结合或移除盖体4时方便对盖体4施力。此外，在第二具体例中，限位槽311是借由二第二侧壁35靠外侧的凸缘来界定，同样可使盖体4位于限位槽311中。
以下以实验例进一步说明本发明，各实验例分别以不同的盖体4与框体3的结合力(F1)，及框体3与基板2的结合力(F2)，来观察盖体4本身是否容易脱落，以及结合力差异对于盖体4移除难易度及盖体4移除时对框体3完整性的影响。兹将实验结果整理如表1所示，其中各栏位意义为：
F1代表盖体4与框体3的结合力，即第一结合力；
F2代表框体3与基板2的结合力，即第二结合力；
差异性百分比为依据上述关系式
Figure BSA00000349258600081
计算所得数值；
A代表盖体4与框体3的结合性，○表示结合性良好，X表示盖体4在移除前先行脱落；以及
B代表移除盖体4后框体3的完整性，○表示框体3完整地与基板2结合，X表示框体3脱落或剥离。
表1
  实验例   F1(kgf/cm2)   F2(kgf/cm2)   差异性百分比   A   B
  1   10   12   16.7％   ○   ×
  2   15   20   25.0％   ○   ○
  3   5   100   95.0％   ×   ○
  4   15   200   92.5％   ○   ○
在实验例1中，因为F1与F2的差异性较小，施力移除盖体4的同时，也会对框体3与基板2的结合性造成破坏，导致框体3剥离或脱落。
在实验例3中，虽然F1与F2有较大的差异，移除盖体4时不会对框体3与基板2的结合性造成破坏，但是因为盖体4与框体3的结合力(F1)较弱，可能在分割形成单颗发光二极管封装结构10或者在下游端制作光源系统的过程中先行脱落，而失去使用盖体4的保护功能。
在实验例2及实验例4中，F1与F2具有适当的差异，可以在移除盖体4时，不破坏框体3与基板2的结合，于是能保持框体3与基板2结合的完整性，而且盖体4与框体3有足够的结合力以抵抗后段制造过程的震动或碰撞，达到盖体4的保护功能。借此，在光源系统的应用端移除盖体4后，亦即，组装在微投影机中的发光二极管封装结构已移除盖体4，可以利用框体3的高度高于连接发光二极管晶片1的导线11而具有限高装置的功能，来保护导线11不被碰触，并能使光源系统具有较小光展量。
综上所述，本发明发光二极管封装结构10借由盖体4可移除地与框体3结合，能够利用盖体4及框体3保护发光二极管晶片1及导线11，并能在光源系统的应用端移除盖体4后，利用框体3保护导线11不被碰触，且使光源系统具有较小光展量，故确实能达成本发明的目的。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (14)

1.一种发光二极管封装结构的制造方法；其特征在于包括以下步骤：
制备一设有至少一发光二极管晶片的基板、一用以围绕该发光二极管晶片的框体，及一用以覆盖该框体的一侧的盖体；
将该框体与该基板结合，且使该发光二极管晶片位于该框体围绕的区域中；以及
将该盖体与该框体结合，使该盖体与该框体共同构成容置该发光二极管晶片的凹槽；
其中使该盖体与该框体的结合力小于该框体与该基板的结合力，致使移除该盖体时不破坏该框体与该基板的结合。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该盖体与该框体的结合力为一第一结合力，而该框体与该基板的结合力为一第二结合力，该第一结合力和该第二结合力的差的绝对值与该第二结合力的百分比例介于25％至小于100％之间，且该第一结合力不小于5kgf/cm2。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该盖体与该框体是以胶合剂胶合方式结合，而该第一结合力是依据胶合该盖体与该框体的胶合剂的一黏接面积或是依据胶合该盖体与该框体的胶合剂的一胶合力而决定。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：胶合该盖体与该框体的胶合剂的该胶合力是依据以下条件而决定，该条件包括选用适当黏度的胶合剂、控制胶合剂的固化时间，或以化学剂处理、高温效应处理、超音波处理或紫外光照射方式弱化胶合剂的胶合力。
5.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该框体与该基板以焊接方式或以胶合剂胶合方式结合。
6.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该框体与该基板及该框体与该盖体是以胶合剂胶合方式结合，且胶合该框体与该盖体的胶合剂的黏接面积小于胶合该框体与该基板的胶合剂的黏接面积，或胶合该框体与该盖体的胶合剂的胶合力小于胶合该框体与该基板的胶合剂的胶合力。
7.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该盖体与该框体结合后，经过化学剂处理、高温效应处理、超音波处理或紫外光照射，而弱化该盖体与该框体的结合力。
8.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该第一结合力和该第二结合力的差的绝对值与该第二结合力的百分比例介于40％至90％之间。
9.一种发光二极管封装结构，包括：一基板及至少一设于该基板上的发光二极管晶片；其特征在于：该发光二极管封装结构还包括：一框体及一盖体，该框体设于该基板上并围绕该发光二极管晶片，并具有一顶侧及一位于该顶侧的相反侧的底侧，该底侧与该基板结合，该盖体移除地结合于该框体的该顶侧，与该框体共同罩覆该发光二极管晶片。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该盖体与该框体的结合力小于该框体与该基板的结合力。
11.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该盖体与该框体的结合力为一第一结合力，而该框体与该基板的结合力为一第二结合力，该第一结合力和该第二结合力的差的绝对值与该第二结合力的百分比例介于25％至小于100％之间，且该第一结合力不小于5kgf/cm2。
12.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该框体还具有一由该顶侧往下凹陷的缺口。
13.如权利要求9或12所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该框体还具有相对的两第一侧壁，且各该第一侧壁具有一由外侧往内凹设的内凹部。
14.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于：各该内凹部位于各该第一侧壁的中间区域。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104380488A (zh) * 2012-06-28 2015-02-25 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 电构件和用于制造电构件的方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD772181S1 (en) * 2015-04-02 2016-11-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting diode package substrate
TWD186014S (zh) 2016-09-29 2017-10-11 新世紀光電股份有限公司 發光二極體模組之部分
TWD188042S (zh) 2016-09-29 2018-01-21 新世紀光電股份有限公司 發光二極體封裝體之部分
TWD188043S (zh) * 2016-09-29 2018-01-21 新世紀光電股份有限公司 發光二極體封裝
EP3413360A1 (en) * 2017-06-07 2018-12-12 Valeo Iluminacion Electronic assembly and lighting device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1612369A (zh) * 2003-10-30 2005-05-04 京瓷株式会社 发光元件收纳用封装、发光装置以及照明装置
US20070080362A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Osram Sylvania Inc. LED with light transmissive heat sink
CN1967889A (zh) * 2005-11-18 2007-05-23 精工爱普生株式会社 光学模块及其制造方法
US20070146573A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Innolux Display Corp. Light emitting diode backlight module and liquid crystal display
US20070145404A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method of semiconductor device
US20090078950A1 (en) * 2007-09-21 2009-03-26 Tsung-Ting Sun Package structure with replaceable element for light emitting diode

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5192811B2 (ja) * 2004-09-10 2013-05-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
DE202006018081U1 (de) * 2006-11-28 2007-02-08 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungseinheit für Fahrzeugscheinwerfer und Fahrzeugscheinwerfer
US9147812B2 (en) * 2008-06-24 2015-09-29 Cree, Inc. Methods of assembly for a semiconductor light emitting device package

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1612369A (zh) * 2003-10-30 2005-05-04 京瓷株式会社 发光元件收纳用封装、发光装置以及照明装置
US20070080362A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Osram Sylvania Inc. LED with light transmissive heat sink
CN1967889A (zh) * 2005-11-18 2007-05-23 精工爱普生株式会社 光学模块及其制造方法
US20070146573A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Innolux Display Corp. Light emitting diode backlight module and liquid crystal display
US20070145404A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method of semiconductor device
US20090078950A1 (en) * 2007-09-21 2009-03-26 Tsung-Ting Sun Package structure with replaceable element for light emitting diode

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104380488A (zh) * 2012-06-28 2015-02-25 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 电构件和用于制造电构件的方法
CN104380488B (zh) * 2012-06-28 2017-04-26 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 电构件和用于制造电构件的方法

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