具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述,现有的晶圆基座由于承载面上设置有用于真空吸附晶圆的吸附孔,在清洗晶圆基座时,清洗液容易渗入吸附孔中,而导致清洗液中混合的残渣堵塞通气管道,或造成二次污染。
针对上述问题,本发明的发明人提供了一种晶圆基座,通过设置与真空抽气系统并联且连接至通气管道的导气系统,在清洗晶圆基座时,向通气管道内导气,以防止清洗液渗入吸附孔中。
图2为本发明所述晶圆基座的结构示意图,基本结构包括:
承载基座100,其承载面上设置有限位导片101以及吸附孔102,所述吸附孔102与通气管道103相连通;真空抽气系统200,与所述通气管道103连接,用于在通气管道103内抽真空;导气系统300,与所述通气管道103连接,用于向通气管道103内导气,控制单元400,用于控制真空抽气系统200或导气系统300工作。
其中,所述限位导片101能够在承载面上限制晶圆产生侧滑或偏移,使其对准吸附孔102。所述吸附孔102均匀分布于承载面上,能够在吸附晶圆时,使得晶圆表面各处受力均匀。所述通气管道103的一端与各吸附孔102连通,另一端则贯穿承载基座100,并从承载基座100的背面延伸出,连接至真空抽气系统200以及导气系统300。
作为可选的方案,所述通气管道103上设置有开关阀104,所述开关阀104连接至控制单元400。这样无论真空抽气系统200以及导气系统300工作与否,均可以通过控制单元400关闭开关阀104,使得承载面上的晶圆不受吸附孔102的气压影响。
作为可选的方案,所述真空抽气系统200与通气管道103之间设置有抽气阀201,所述抽气阀201连接至控制单元400。当导气系统300向通气管道103内导气时,可以通过控制单元400关闭所述抽气阀201,避免气体流向真空抽气系统200,而产生漏气,影响通气管道103内的气压大小。
作为可选的方案,所述导气系统300与通气管道103之间设置有导气阀301,所述导气阀301连接至控制单元400。当真空抽气系统200在工作时,可以通过控制单元400关闭所述导气阀301,避免因导气系统300产生漏气,而影响吸附孔102对晶圆的吸附效果。
作为优选的方案,所述导气系统300的输出气流可以是过滤了杂质颗粒的纯净空气,也可以是氮气、惰性气体等,所述气流可以在向通气管道103内导气的同时清洁管道,并避免与清洗液中的残渣物质产生化学反应产生二次污染;所述输出气流在通气管道103内产生的压强大于外界环境气压,以排出渗入吸附孔102中的清洗液以及残渣。
下面结合图2所示的晶圆基座,详细阐述其使用以及清洗方法,以示出本发明之优点。
图3是本发明实施例承载晶圆的流程示意图,具体步骤包括:
执行步骤S101、保持真空抽气系统200以及导气系统300关闭,使得通气管道103内的气压等于外界的环境气压;
具体的,通过控制单元400关闭真空抽气系统200以及导气系统300,同时也可以关闭通气管道103上的开关阀104,以及抽气阀201、导气阀301。此时通气管道103内不会产生任何的气体流动,所述吸附孔102内外的气压达到平衡状态。
执行步骤S102、将晶圆放置于承载基座100的承载面上,并通过限位导片101限位;
具体的,将晶圆的中心对准承载基座100的承载位置,并缓慢放置。所述晶圆在自身重力的作用下,将沿着限位导片101滑落至正确的承载位置。晶圆的底部覆盖均匀设置于承载面的吸附孔102。
执行步骤S103、开启真空抽气系统200,在通气管道103内抽真空以吸附晶圆。
具体的,保持导气阀301关闭,通过控制单元400打开开关阀104以及抽气阀201,此时吸附孔102与真空抽气系统200间连通;然后开启真空抽气系统200,使其在通气管道103内抽真空。由于导气阀301已关闭,因此通气管道103不会通过导气系统300产生漏气,而影响抽真空的效果。随着通气管道103内的真空度增大,晶圆在吸附孔102处的气压差也越来越大,外界的气压将晶圆紧压于承载基座100的承载面上。
所述真空抽气系统200在抽真空时,应当避免因吸附力过强,而导致晶圆碎裂的情况产生。作为可选的方案,所述控制单元400探测通气管道103内的气压,当通气管道103内的真空度达到所需程度后,控制单元400关闭抽真空系统200停止抽真空,或直接关闭抽气阀201以及开关阀104的其中任意一个即可。
当晶圆承载至晶圆基座后,便可以对晶圆进行常规半导体工艺的加工处理,在加工处理结束后,需要将晶圆从晶圆基座中卸载。
图4是本发明实施例卸载晶圆的流程示意图,具体步骤包括:
执行步骤S201、关闭真空抽气系统200,停止在通气管道103内抽真空;
具体的,可以通过控制单元400直接关闭真空抽气系统200使其停止工作。同时还可以关闭抽气阀201,以避免真空抽气系统200的管路对后续导气系统300的工作造成影响。此时通气管道103内的气压不会再降低,而保持恒定。
执行步骤S202、通过控制单元400打开开关阀104以及导气阀301,开启导气系统300向通气管道103内导气,使得通气管道103内的气压回升。
导气系统300向通气管道103内注入气流后,通气管道103的气压迅速回升,晶圆在吸附孔102处的气压差也迅速减小。
执行步骤S203、当通气管道103内的气压大于外界的环境气压时,移除晶圆。
具体的,随着通气管道103内的气压回升,晶圆在吸附孔102处的气压差达到平衡或产生反向的气压差时,即可移除晶圆。
在卸载已加工的晶圆后,可以进行下一片晶圆的加工处理,重复上述承载、加工、卸载的步骤即可。上述晶圆基座的使用操作具有较强的重复性,因此可以预设成固定程序,而通过控制单元自动完成。
所述晶圆基座在进行晶圆的加工处理后,容易在晶圆基座上产生晶圆的碎屑、反应物残渣等残留物,容易对后续批次的晶圆加工工艺造成不良影响,需要对晶圆基座进行清洗。图5是本发明实施例清洗晶圆基座的流程示意图,具体步骤包括:
执行步骤S301、保持真空抽气系统200关闭;同时,可以关闭抽气阀201,以避免后续导气系统300工作时,气流进入真空抽气系统200而影响导气效果。
执行步骤S302、开启导气系统300,向通气管道103内导入气流;
具体的,需要先通过控制单元400打开导气阀301以及开关阀104,使得导气系统300与通气管道103连通,且通过吸附孔102连通至外界环境中。然后开启导气系统300工作,向通气管道103内导入气流,并经由吸附孔102排出。所述导气系统300的输出气流可以使过滤后的纯净空气,也可以是氮气、惰性气体等,但通常从成本考虑优选纯净空气或氮气。由于吸附孔102的孔径有限,如果导气系统300的气体流速足够大,便能够在通气管道103内产生较大的气压。优选的,在导气过程中,所述控制单元400探测抽气管道103内的气压,并逐步增大导气系统400的气体流速,使得通气管道103内的气体压强大于外界环境气压。
执行步骤S303、在所述承载基座100的承载面上喷洒清洗液,并进行刷洗。
具体的,所述清洗液可以是去离子水以及酸剂、有机溶液等可溶性溶液,取决于晶圆加工工艺的类型以及产生残渣的性质。在喷洒清洗液时,由于吸附孔102向外排出气体,因此清洗液不容易渗入吸附孔102内而进入并堵塞通气导管103。此外如果通气管道103内的气压大于外界环境气压,即时有残渣堵塞通气管道103,也很容易随着气体排出。
容易看出,本发明所述的晶圆基座与现有技术相比较,能够有效防止在清洗时通气管道103的堵塞,进而避免产生二次污染。
本发明虽然以较佳实施例公开如上,但其并不是用来限定本发明,任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,都可以做出可能的变动和修改,因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。