CN102468108A - 光电倍增管 - Google Patents

Abstract

本发明的光电倍增管(1)，其特征在于：具备由上侧框架(2)以及下侧框架(4)构成的箱体(5)、具有被排列于下侧框架(4)上的倍增极(33a～331)的电子倍增部(33)、光电面(41)以及阳极部(34)；在上侧框架(2)的相对面(20a)上设置有导电膜(202)；电子倍增部(33)具有被设置于倍增极(33a～33d)各自的下侧框架(4)一侧的基台部(52a～52d)、在沿着各个基台部(52a～52d)相对面(40a)的方向的一个端部上被连接于导电膜(202)的供电部(53a～53d)；基台部(52a～52d)是以其两端部被接合于该相对面(40a)并且其中央部从该相对面(40a)分离的方式被构成的，而且是以供电部(53a～53d)一侧的一个端部的截面积成为比另一个端部上的截面积大的方式被形成的。

Description

光电倍增管

技术领域

本发明涉及检测来自外部的入射光的光电倍增管。

背景技术

一直以来，利用细微加工技术的小型光电倍增管的开发一直在进行。例如将光电面、倍增极(dynode)以及阳极部配置于透光性绝缘基板上的平面型的光电倍增管已为人所熟知(参照下述专利文献1)。根据这样的构造，能够实现微弱光检测，并且还能够达成装置的小型化。

专利文献1：美国专利第5,264,693号说明书

然而，在如上述那样的以往的光电倍增管中，为了在绝缘基板上将不同电位的构造物接近地配置，在小型化的情况下会造成各个构造物之间的耐受电压降低的问题。特别是在电子倍增部，由于所生成的二次电子入射到绝缘基板上，恐怕会使绝缘基板带电而使邻接的倍增极之间的耐受电压下降。另外，因为随着小型化的实施而使倍增极的物理强度降低，由于供电部件的连接而造成倍增极的变形或者损坏等，也恐怕会使耐受电压下降。

发明内容

因此，本发明有鉴于上述课题而完成，其目的是提供一种即使在小型化的情况下也能够抑制耐受电压下降的光电倍增管。

为了解决上述课题，本发明的光电倍增管具备：外围器，包含互相相对配置且各个相对面由绝缘材料构成的第1以及第2基板；电子倍增部，具有沿着从第1基板的相对面上的一端侧向另一端侧的一个方向依次分离排列的多阶倍增极；光电面，在外围器内的一端侧与电子倍增部分离设置，将来自外部的入射光变换成光电子并放出光电子；阳极部，在外围器内的另一端侧与电子倍增部分离设置，将由电子倍增部进行倍增的电子作为信号读取；在第2基板的相对面上设置有用于对电子倍增部供电的供电部，电子倍增部具有：支撑台，被设置为与多级倍增极的各个的第1基板侧的端部电连接，且横跨由多级倍增极形成的电子倍增路；供电部件，以从各个支撑台的沿着第1基板的相对面的方向上的两端部中的一个端部朝着第2基板延伸的方式形成、并与供电部电连接；支撑台是以两端部与该相对面接合，并且由两端部夹持的中央部从该相对面分离的方式构成的，而且是以两端部中的供电部件一侧的一个端部上的沿着该相对面的截面积成为比两端部中的另一个端部上的截面积要大的方式而形成的。

根据这样的光电倍增管，入射光通过入射到光电面上而被变换成光电子，该光电子通过入射到电子倍增部而被倍增，被倍增的电子作为电信号从阳极部被读取，所述电子倍增部由外围器内的第1基板内面上的多级倍增极而形成。在此，在各个倍增极中，支撑台被设置于其第1基板侧的端部，在该支撑台上电连接从其一个端部朝着与第1基板相对的第2基板延伸的供电部件，通过将该供电部件连接于被设置于第2基板内面的供电部，从而各个倍增极获得供电。而且，支撑台其两端部被接合于第1基板的相对面，而其中央部与相对面分离，供电部件一侧的一个端部沿相对面的截面积被制成比另一个端部的截面积大。由此，在由于二次电子等的入射而使得基板的绝缘面容易带电的电子倍增路的区域中，因为各个倍增极与基板的绝缘面分离所以能够抑制耐受电压的下降。而且，因为通过提高与基板的供电部相接触的部位一侧的支撑台的端部强度，从而对于由用于供电的接触而引起的加压能够确保电子倍增部的物理强度，所以就不会发生变形或者破损等并且能够抑制耐受电压的下降。

优选在第1基板的相对面上形成有凹部，支撑台的中央部通过被配置于凹部上从而与该相对面分离。在此情况下，因为不会使电子倍增部的强度降低并且能够使支撑台的中央部从基板分离，所以能够进一步抑制耐受电压的下降。

另外，优选为凹部横跨分别与所述多级倍增极的各个连接的多个支撑台而形成。如果采用这样的结构，那么通过防止由多级倍增极之间通过的二次电子而引起的带电从而就能够更进一步抑制耐受电压的下降。

而且，优选为对应于多级倍增极的多个支撑台沿着第1基板的相对面以一个端部和另一个端部互相错开进行排列的方式配置。这样的话，因为能够分别增大各个支撑台的供电部件一侧的端部沿基板的截面积，所以能更进一步提高电子倍增部的物理强度，并且还能够更进一步抑制耐受电压的下降。

附图说明

图1是本发明优选的一个实施方式所涉及的光电倍增管的立体图。

图2是图1的光电倍增管的分解立体图。

图3是图1的侧壁框架的平面图。

图4是表示图1的侧壁框架以及下侧框架主要部分的一部分破断立体图。

图5是沿着图1的光电倍增管的V-V线的截面图。

图6(a)是从背面侧看到图1上侧框架的底面图，图6(b)是图1侧壁框架的平面图。

图7是表示图6上侧框架与侧壁框架的连接状态的立体图。

图8是图1的侧壁框架以及下侧框架的一部分破断立体图。

图9是本发明的比较例所涉及的电子倍增部的平面图。

图10是本发明的另一个比较例所涉及的电子倍增部的平面图。

图11是本发明的变形例所涉及的下侧框架的立体图。

图12是从背面侧看到图11的下侧框架的底面图。

图13是本发明的另一变形例所涉及的下侧框架的立体图。

实施方式

以下是一边参照附图一边详细地说明有关本发明所涉及的光电倍增管的优选的实施方式。此外，在附图的说明中将相同的符号标注于相同或者相当部分以免重复说明。

图1是表示本发明优选的一个实施方式所涉及的光电倍增管1的立体图，图2是图1的光电倍增管1的分解立体图。

由图1所表示的光电倍增管1是具有透过型光电面的光电倍增管，并具备由上侧框架(第2基板)2、侧壁框架3、相对于上侧框架2夹持侧壁框架3并相对的下侧框架(第1基板)4构成的外围器，即箱体5。该光电倍增管1是一种如下所述的电子管，即，在电子倍增部上的电子倍增方向与朝着光电面进行入射的光的入射方向相交叉，也就是说，如果光从由图1的箭头A所表示的方向被入射，则从光电面放出的光电子入射到电子倍增部，在由箭头B所表示的方向上级联(cascade)放大二次电子并且从阳极部读取信号。

还有，在以下的说明中，沿着电子倍增方向将电子倍增路(电子倍增通道)的上游侧(光电面一侧)作为“一端侧”，将下游侧(阳极部一侧)作为“另一端侧”。接着，就有关光电倍增管1的各个构成要素作如下详细的说明。

如图2所示，上侧框架2是将矩形平板状的配线基板20作为基体而构成的，所述配线基板20是以绝缘性陶瓷作为主材料的。作为这样的配线基板，可进行细微的配线设计，而且能够自由设计表里配线图形的LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同时烧成陶瓷)等的多层配线基板被使用。在配线基板20中，在其主面20b上设置有多个导电性端子201A～D，其与侧壁框架3、后述的光电面41、聚焦电极31、壁状电极32、电子倍增部33以及阳极部34电连接并且实行从外部的供电和信号读取。导电性端子201A是作为侧壁框架3的供电用端子，导电性端子201B是作为光电面41和聚焦电极31以及壁状电极32的供电用的端子，导电性端子201C是作为电子倍增部33的供电用端子，导电性端子201D是作为阳极部34的供电以及信号读取用的端子而被分别设置。这些导电性端子201A～D与导电膜或者与导电性端子(下文详细描述)互相连接，所述导电膜或者与导电性端子在配线基板20的内部与主面20b相对的绝缘性相对面20a上，并且这些导电膜、导电性端子与侧壁框架3、光电面41、聚焦电极31、壁状电极32、电子倍增部33、以及阳极部34相连接。另外，上侧框架2并不限于设置有导电性端子201的多层配线基板，也可以是进行从外部的供电和信号读取的导电性端子被贯通设置、由玻璃基板等的绝缘材料构成的板状部件。

侧壁框架3将矩形平板状的硅基板30作为基体而构成。从硅基板30的主面30a朝着与其相对的面30b形成有被框状侧壁部302围绕的贯通部301。该贯通部301其开口为矩形，并且以其外周沿着硅基板30的外周的方式形成。

在该贯通部301内部，从一端侧向另一端侧配置有壁状电极32、聚焦电极31、电子倍增部33以及阳极部34。这些壁状电极32、聚焦电极31、电子倍增部33以及阳极部34是通过由RIE(Reactive IonEtching)加工等方法来对硅基板30进行加工而被形成的，且将硅作为主要材料。

壁状电极32从与后述的玻璃基板40的相对面40a进行正对的方向(与相对面40a的大致垂直方向)看是以围绕后述的光电面41的方式而形成的框状电极。另外，聚焦电极31是为了对从光电面41放出的光电子进行聚焦并用于向电子倍增部33进行引导的电极，被设置于光电面41与电子倍增部33之间。

电子倍增部33是由沿着从光电面41朝着阳极部34的电子倍增方向(由图1箭头B所表示的方向，以下相同)被设定为不同电位的N级(N为2以上的整数)的倍增极(电子倍增部)所构成，横跨各级而具有多个电子倍增路(电子倍增通道)。另外，阳极部34与光电面41一起被配置于夹持电子倍增部33的位置上。

这些壁状电极32、聚焦电极31、电子倍增部33以及阳极部34分别是由使用了阳极部接合、扩散接合、进而采用低熔点金属(例如铟)等的密封材料的接合等而被固定于下侧框架4，并且由此在该下侧框架4上二维配置。

下侧框架4将矩形平板状的玻璃基板40作为基体而构成。该玻璃基板40是由作为绝缘材料的玻璃形成相对于配线基板20的相对面20a的、作为箱体5内面的相对面40a。在相对面40a上，与侧壁框架3的贯通部301相对的部位(除了与侧壁部302的接合区域之外的部位)且与阳极部34一侧相反侧的端部形成有作为透过型光电面的光电面41。另外，相对面40a上搭载有的电子倍增部33以及阳极部34的部位形成有用于防止向倍增电子相对面40a的入射的矩形状洼坑部(凹部)42。

参照图3～图5，详细说明有关光电倍增管1的内部构造。图3是图1的侧壁框架3的平面图，图4是表示图1的侧壁框架3以及下侧框架4主要部分的一部分破断立体图，图5是沿着图1的光电倍增管的V-V线的截面图。

如图3所示，贯通部301内的电子倍增部33是由从相对面40a上的一端侧朝着另一端侧(朝着电子倍增方向的箭头B所指示的方向)依次分离排列的多级倍增极33a～331所构成的。这些多级倍增极33a～33l形成多个排列的电子倍增通道C，该电子倍增通道C是由沿着箭头B的指示方向从一端侧的第1级的倍增极33a到另一端侧最终级(第N级)的倍增极33l以连续的方式被设置的N个电子倍增孔所构成的。

另外，光电面41与一端侧的第1级电子倍增器33a在夹持着聚焦电极31的相对面40a上的一端侧是分离设置的。该光电面41在玻璃基板40的相对面40a上作为矩形状的透过型光电面而形成。从外部透过作为下侧框架4的玻璃基板40的入射光在到达了光电面41之后对应于该入射光的光电子被放出，且该光电子由壁状电极32以及聚焦电极31而被引导到第1级倍增极33a。

另外，阳极部34与另一端侧最终级的倍增极331在相对面40a上的另一端侧是分离设置的。该阳极部34是用于将由电子倍增部33在电子倍增通道C内在箭头B所指示的方向上倍增的电子作为电信号向外部读取的电极。

如图4所示，多级倍增极33a～33d是与被形成于下侧框架4的相对面40a上的洼坑部42的底部分离设置的。倍增极33a包含：多个柱状部51a，沿着相对面40a在与电子倍增方向为大致垂直的方向上进行排列，且朝着上侧框架2的相对面20a基本垂直地延伸；基台部(支撑台)52a，在多个柱状部51a的洼坑部42一侧的端部上连续性地被形成并且沿着洼坑部42的底部在与电子倍增方向为大致垂直的方向上延伸。另外，关于倍增极33b～33d的各个柱状部51b～51d以及各个基台部52b～52d，都具有与倍增极33a相同的构造。在各个柱状部51a～51d上的所邻接的部件之间形成有电子倍增通道C，基台部52a～52d是以横跨形成有该电子倍增通道C的区域Ac(图3)的方式进行设置的。在此，基台部52a～52d与各个柱状部51a～51d互相电连接，并且具有从洼坑部42的底部将多个柱状部51a～51d分离保护的作用。还有，在本实施方式中，在倍增极33a～33d上虽然多个柱状部51a～51d以及基台部52a～52d分别被形成为一体，但是也可以将柱状部和基台部做成分体。另外，虽然没有图示，倍增极33e～331也具有相同的构造。

而且，在与该基台部52b、52d的电子倍增方向垂直的方向一个端部上一体地形成有从其端部朝着上侧框架2基本垂直地延伸的、具有大致圆柱形状的供电部53b、53d。该供电部53b、53d是用于经由基台部52b、52d而对多个柱状部51b、51d实施供电的部件。

如图5所示，具有如以上所述的构造的倍增极33b与电子倍增方向垂直，并且沿着相对面40a的方向的基台部52b的两端部通过与相对面40a接合从而相对于下侧框架4被固定，由在基台部52b上的这两端部所夹持的中央部54b是以其相对面40a一侧的面从洼坑部42的底部分离的方式被设置的。换而言之，倍增极33b中，形成有电子倍增通道C的电子倍增区域从下侧框架4被分离配置，并与电子倍增方向垂直、且以沿着相对面40a的方向的两端部成为相对于下侧框架4的固定部的方式在下侧框架4的相对面40a上形成洼坑部42。另外，虽然有细小形状上的差异，其它倍增极33a、33c～33l也具有与柱状部、基台部以及供电部相同的基本构造。另外，对应于此，相对面40a上的洼坑部42是以在电子倍增方向上横跨多级倍增极33a～33l的基台部以及阳极部34那样的宽度而形成的。总之，洼坑部42不仅仅只是对应于倍增极33a～331以及阳极部34的部位，还包括被这些夹持的区域并具有一体地下陷的底面，以从下侧框架4分离的方式连续性地形成，其范围从形成有第1级倍增极33a上的电子倍增通道C的电子倍增区域到与阳极部上34上的最终级倍增极331的电子倍增区域相对的相对区域为止。

其次，参照图6以及图7，关于光电倍增管1的配线构造进行说明。在图6中，(a)是从背面20a侧看到上侧框架2的底面图，(b)是侧壁框架3的平面图，图7是表示上侧框架2与侧壁框架3的连接状态的立体图。

如图6(a)所示，在上侧框架2的相对面20a上设置有：多个导电膜(供电部)202，在上侧框架2的内部分别与导电性端子201B、201C以及201D电连接；导电性端子203，在上侧框架2的内部与导电性端子201A电连接。另外，如图6(b)所示，在电子倍增部33上如已述的那样竖立设置有与导电膜202相连接的连接用的供电部53a～53l，在阳极部34的端部上竖立设置有与导电膜202相连接的连接用供电部37。而且，在壁状电极32的角落部竖立设置有与导电膜202相连接的连接用供电部38。另外，聚焦电极31通过在下侧框架4一侧与壁状电极32形成为一体从而与壁状电极32电连接。而且，在壁状电极32上通过将矩形平板状的连接部39一体形成于下侧框架4的相对面40a一侧、并且该连接部39与在相对面40a上电接触于光电面41而形成的导电膜(没有图示)接合，从而壁状电极32和光电面41电连接。

如果上述结构的上侧框架2和侧壁框架3接合，导电性端子203与侧壁框架3的侧壁部302电连接。并且，电子倍增部33的供电部53a～53l、阳极部34的供电部37以及壁状电极32的供电部38分别经由由金(Au)等构成的导电部件而与对应的导电膜202独立连接。根据这样的连接结构，侧壁部302、电子倍增部33以及阳极部34而分别与导电性端子201A、201C、201D电连接且从外部能够进行供电，并且壁状电极32与聚焦电极31以及光电面41一起与导电性端子201B电连接并从外部被供电(图7)。

在此，如图6(b)所示，倍增极33b的基台部52b的两端部当中与供电部53b连接的一个端部沿相对面40a的截面积S₁，成为比相当于与在其两端部当中的另一个端部上的与相对面的接合部位的截面积S₂要大的方式规定倍增极33b的基台部52b以及供电部53b的形状。在该倍增极33b中，设置有供电部53b的一个端部与另一个端部的大小关系，在倍增极33b的端部整体，即到达上侧框架2一侧的面为止，被连续性地满足。为此，从正对于相对面40a的方向所看到的情况的面积或者其体积方面，设置有供电部53b的一个端部比另一个端部大。除了如以上所述设置有供电部53b的一个端部在物理强度方面优秀之外，由于上侧框架2一侧的面较大，所以还能够获得与由金(Au)等构成的导电部件的接触的面积，并且切实的电连接也变得有效。而且，构成电子倍增部33的其它倍增极33a、33c～33l也被规定成满足相同关系的截面形状。另外，多级倍增极33a～33l在相对面40a上以供电部53a～53l侧的一个端部和与其相反侧的另一个端部沿着电子倍增方向进行互相交错排列的方式被配置。换而言之，多级倍增极33a～33l是以将其供电部53a～53l的配置方向作为基准的基台部的朝向(以从设置有供电部的一个端部向另一个端部进行延伸的方向规定的基台部的朝向)成为交替反方向的方式被设置于相对面40a上。

根据以上所说明的光电倍增管1，入射光通过入射到光电面41而被变换成光电子，该光电子通过依次入射到电子倍增通道C而被倍增，被倍增的电子作为电信号从阳极部34被读取，所述电子倍增通道C由箱体5内下侧框架4的内面40a上的多级倍增极33a～33l形成。

在此，如果将倍增极33a～33d作为例子来说明，则在各个倍增极33a～33d中基台部52a～52d被设置于其下侧框架4侧的端部，在该基台部52a～52d上电连接有从其一个端部朝着与下侧框架4相对的上侧框架2进行延伸的供电部53a～53d，该供电部53a～53d通过与设置在上侧框架2内面20a的导电膜202连接，从而各个倍增极33a～33d被供电。而且，基台部52a～52d其两端部被接合于下侧框架4的相对面40a，并且其中央部从相对面40a分离，供电部53a～53d侧的一个端部的沿着相对面40a的截面积S₁被制成比另一个端部的截面积S₂大。由此，在由二次电子或者光电子的入射而使得下侧框架4的绝缘面容易带电的电子倍增路的区域中，因为各个倍增极33a～33d从下侧框架4的绝缘面分离，所以能够抑制耐受电压的降低。与此同时，因为通过提高与上侧框架2的导电膜202相接触的部位一侧的基台部52a～52d的端部强度，从而对于用于供电的接触而引起的加压就能够确保电子倍增部33的物理强度，所以不会发生变形和破损等，因而也就能够抑制耐受电压的降低。

另外，在下侧框架4的相对面40a上形成有洼坑部42，基台部52a～52d的中央部由于被配置于洼坑部42上，所以不会使电子倍增部33的强度降低并且能够从下侧框架4的绝缘面分离基台部52a～52d的中央部。而且，由于洼坑部42横跨着多个基台部52a～52d的中央部而形成，所以通过防止由多级倍增极33a～33d之间通过的二次电子向绝缘面的入射而引起的带电，从而就能够进一步抑制耐受电压的降低。

然后，通过各个倍增极33a～33l从下侧框架4的相对面40a分离从而具有下述效果。即，如果用倍增极33a、33b进行例示，则在其柱状部51a、51b表面的二次电子面具有活性时，在倍增极33a、33b级之间以及倍增极33a、33b下部(在由图8的箭头所指示的方向上)，碱金属(K、Cs等)蒸气的流动就会变得良好并且容易形成均匀的二次电子面。另外，因为能够减小电子倍增部33与下侧框架4之间的接合面积，所以能够防止由于异物被夹入到电子倍增部33与下侧框架4之间而引起的接合不良，从而提高了可靠性。而且，因为通过设置洼坑部42而使倍增极33a～33l分离的构造而能够增大箱体5的内部容积，所以即使从内部构成部件有气体放出也能够抑制真空度的降低。例如，相对于倍增极33a～33l的厚度为1mm而没有洼坑部42的光电倍增管，倍增极33a～33l的厚度是一致、洼坑部42的深度为0.2mm、以及对洼坑部42的相对面40a的加工面积的比例为50％的光电倍增管，能够将其内部容积增大10％左右。进而言之，即使是在箱体5内存在异物的情况下，因为异物容易掉落到与倍增极33a～33l相分离的洼坑部42内，所以异物难以被夹在倍增极33a～33l之间，使得由于异物而引起的耐受电压不良的情况减少。另外，因为箱体5与倍增极33a～33l的接触面积变小，所以在箱体5上的温度变化的影响变得难以涉及到电子倍增部33，能够减轻伴随着周围温度上升的二次电子面的损伤。该效果特别是在电子倍增部等的电极被直接配置于箱体5内面上的构造中显得尤为重要。

而且，对应于多级倍增极33a～33l的多个基台部沿着下侧框架4的相对面40a，供电部53a～53l侧的一个端部和与此相反侧的另一个端部被互相交错排列。即，例如在所邻接的倍增极33b以及倍增极33c中以如下方式被排列，与倍增极33b的供电部53b侧的一个端部相对的倍增极33c的端部为另一个端部，并且与倍增极33b的另一个端部相对的倍增极33c的端部是成为供电部53c侧的一个端部。而且，是横跨多级倍增极33a～33l以满足此种关系的方式进行排列的。即，与供电部53a～53l侧的一个端部邻接的是相邻的倍增极的另一个端部，并且因为能够增大各个基台部的供电部53a～53l侧的端部沿着下侧框架4的截面积，所以能够进一步提高电子倍增部33的物理强度。另外，多级倍增极33b～33l的另一个端部成为朝着上侧框架2基本垂直伸展的柱状部，从与下侧框架4的相对面40a相正对的方向看，其最前端部退缩到比供电部53a～53l更靠近洼坑部42一侧。因此，另一个端部与供电部53a～53l的间隔变大。而且，另一个端部沿着下侧框架4的截面形状(从与下侧框架4的相对面40a相正对的方向看到的形状)具备朝着相对于电子倍增方向基本垂直的方向(在各个倍增极上从一个端部朝着另一方端部的方向)进行延伸的尖头形状。通过具有这样的尖头形状，从而既能够保持与供电部53a～53l的间隔又能够增大到下侧框架4的接合面积，并且还能够抑制耐受电压的降低。相对于此，如图9所示将供电部53a～53l侧的端部沿着相对面40a邻接排列的情况下，有必要考虑供电部53a～53l之间的耐受电压，而较大地(例如在倍增极的厚度为0.35mm的情况下是0.5mm)设定倍增极之间的间隔。其结果，配置数目相同的倍增极的情况需要较大的面积，并在以成批处理加工硅基板的情况下使每一片的面积增大，进而使每一片的成本上升。另外，由于使倍增极间隔变大从而导致电子倍增率的降低，并且还会降低作为光电倍增管的性能。另一方面，如图10所示为了使倍增极间隔变得狭窄而考虑了倍增极33a～33f的供电部53a～53f沿着相对面40a以蛇行的方式进行交替错位而邻接配置。由此，虽然使倍增极间隔变得狭窄(例如间隔为0.2mm)并能够在一定程度上提高电子倍增率，但是有必要在供电部53b、53d所突出的倍增极33b、33d上为了维持级间的耐受电压而明显地缩窄(例如0.05mm)供电部53b、53d侧的端部与倍增极33b、33d中央部之间的部位。其结果，可能会出现倍增极33b、33d的强度发生降低，并产生龟裂而导致破损以至于不能向二次电子面供电的情况存在。或者，可以考虑为即使没有产生龟裂也使电阻值变大，并且妨碍从供电部53b、53d向具有二次电子面的倍增极中央部的电位供给。由此可知，本实施方式中的倍增极33a～33l的配置能够抑制耐受电压降低，并且由于缩窄倍增极的间隔，所以从电子倍增率这一方面来说也是有利的。

还有，本发明并不限定于所述的实施方式。例如，如图11以及图12所示，也可以在下侧框架4洼坑部42的地面上，对应于电子倍增部33的倍增极33a～33l上的各级之间以及电子倍增部33(倍增极33l)与阳极部34之间的位置，以下侧框架4的绝缘面不露出的方式形成多个带状导电膜43。该导电膜43是由贯通于下侧框架4进行设置的导电性端子44而供电的。由此，就能够切实地防止由于通过电子倍增部33的电子的向下侧框架4的入射而引起的带电。而且，如图13所示通过横跨电子倍增部33整体来将导电膜45设置于洼坑部42的底面上，从而也能够防止下侧框架4的带电。但是，在该情况下因为导电膜45与电子倍增部33各个倍增极的电位差变大所以更加优选为图11的结构。

还有，在本实施方式中，光电面41虽然是透过型光电面，但也可以是反射型光电面，光电面41也可以被配置于上侧框架2侧。在将光电面41配置于上侧框架2侧的情况下，作为上侧框架2可以使用将供电端子埋设于玻璃基板等的具有光透过性的绝缘性基板的构件，作为下侧框架4除了玻璃基板之外还可以使用各种各样的绝缘性基板。另外，阳极部34也可以被配置于倍增极33k与倍增极331之间。

Claims (4)

1.一种光电倍增管，其特征在于：

具备：

外围器，包含互相相对配置且各个相对面由绝缘材料构成的第1以及第2基板；

电子倍增部，具有沿着从所述第1基板的所述相对面上的一端侧向另一端侧的一个方向依次分离排列的多级倍增极；

光电面，在所述外围器内的所述一端侧与所述电子倍增部分离设置，将来自外部的入射光变换成光电子并放出所述光电子；以及

阳极部，在所述外围器内的所述另一端侧与所述电子倍增部分离设置，将由所述电子倍增部进行倍增的电子作为信号读取，

在所述第2基板的所述相对面上设置有用于对所述电子倍增部供电的供电部，

所述电子倍增部具有：

支撑台，被设置为与所述多级倍增极的各自的所述第1基板侧的端部电连接，且横跨由所述多级倍增极形成的电子倍增路；以及

供电部件，以从各个所述支撑台的沿着所述第1基板的所述相对面的方向上的两端部中的一个端部朝着所述第2基板延伸的方式形成，并与所述供电部电连接，

所述支撑台为：

以所述两端部与该相对面接合，并且由所述两端部夹持的中央部从该相对面分离的方式构成；

而且所述两端部中的所述供电部件侧的一个端部中的沿着该相对面的截面积被形成为比所述两端部中的另一个端部中的截面积大。

2.如权利要求1所述的光电倍增管，其特征在于：

在所述第1基板的所述相对面上形成有凹部，

所述支撑台的所述中央部通过被配置于所述凹部上，从而与该相对面分离。

3.如权利要求2所述的光电倍增管，其特征在于：

所述凹部横跨分别与所述多级倍增极的连接的多个支撑台而形成。

4.如权利要求1～3中任意一项所述的光电倍增管，其特征在于：

对应于所述多级倍增极的多个所述支撑台沿着所述第1基板的所述相对面以所述一个端部和所述另一个端部互相错开地排列的方式配置。

Images