CN102449995B - 摄像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 167
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 13
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
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Abstract
本发明提供一种能够实现薄型化及小型化且能够输出高图像质量的图像信号的摄像装置。该摄像装置具备:电路基板(1),其在上表面形成有布线(2);电子部件(3),其安装在该电路基板(1)上;框体(4),其包围电子部件(3)而安装在电路基板(1)上,在上表面形成有多个连接电极(5),且在与连接电极(5)电连接的侧面或下表面的至少一方形成有多个外部端子(6);摄像元件(8),其在上表面的中央部配置有受光部(8a),且以堵塞框体(4)的开口的方式安装在框体(4)的上表面;镜筒(10),其与框体(4)的上表面的外周部接合,覆盖摄像元件(8),且具备透镜(9)。由于电子部件(3)安装在电路基板(1)的布线上,且收纳在框体(4)内,因此与以往的摄像装置相比,能够减薄凹部的底部的量的厚度,从而能够实现小型化及薄型化。
Description
技术领域
本发明涉及使用了CCD(Charge Coupled Device)型或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型等的摄像元件的摄像装置。
背景技术
以往,已知有一种摄像装置,其适用于在布线基板上搭载有CCD型或CMOS型等摄像元件的数码摄像机或光学传感器等。这样的摄像装置中,例如在布线基板上安装摄像元件,并且通过透镜固定构件将透镜配置在摄像元件上,从而通过透镜及透镜固定构件将摄像元件密封,且在摄像元件的周围搭载有电容器或电阻等电子部件。并且,这样的摄像装置中,通过摄像元件将输入到搭载在布线基板上摄像元件的受光部的光(图像)转换为电信号,并经由接合线等连接构件、布线基板的布线导体及外部端子向数码摄像机内的外部电路等输出。
作为这样的摄像装置,公知有如下结构的摄像装置,即,为了减小摄像装置的面积而使其小型化,在布线基板的上表面设置凹部,并在布线基板的上表面以堵塞凹部的方式配置摄像元件,并且在凹部的底面搭载有多个用于对来自摄像元件的电信号进行处理的IC、电容器、线圈及电阻等电子部件(例如,参照专利文献1)。另外,还公知有如下结构的摄像装置,即,在布线基板的下表面设置凹部,在凹部内搭载有多个用于对来自摄像元件的电信号进行处理的IC、电容器、线圈及电阻等电子部件(例如,参照专利文献2)。
摄像装置中的这样的布线基板利用陶瓷或树脂等绝缘体进行制作,例如,当由陶瓷形成时,通过将形成为规定形状的多张陶瓷生料薄板进行层叠,而形成层叠体,并对其进行烧成来制作。伴随近些年的摄像装置的薄型化,在布线基板上设置的凹部的底面的厚度为0.3mm~0.4mm左右,且凹部的深度为0.3mm~0.4mm左右,作为陶瓷生料薄板变得非常薄。
已有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-258793号公报
专利文献2:日本特开2004-335533号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而,近些年,对用于便携式电话或数码摄像机等电子设备的摄像装置要求进一步的薄型化。对于这样的要求,在设置在布线基板上的凹部中搭载有多个用于对来自摄像元件的电信号进行处理的IC、电容器、线圈及电阻等电子部件的摄像装置中,通过使凹部的底部的厚度变薄来实现摄像装置的薄型化。现在,凹部的底部的厚度为0.3mm~0.4mm左右,变得非常薄,若要进一步使该底部的厚度变薄,则布线基板的机械强度进一步降低,从而在搭载摄像元件时或搭载电子部件时等,存在将力施加于凹部的底部时容易破损这样的问题。另外,在布线基板由陶瓷形成,且通过层叠陶瓷生料薄板来制作时,为了使凹部的底部的厚度变薄,而制作成为凹部的底部的陶瓷生料薄板变得困难。另外,因烧成时的收缩的影响,而凹部的底部变得不平坦,产生0.05mm~0.1mm左右的凹凸。因此,在布线基板的下表面设置用于安装电子部件的凹部,且在上表面安装摄像元件时,摄像元件被倾斜搭载,从而存在无法形成输出高图像质量的图像信号的摄像装置这样的问题。另外,在设置于布线基板的上表面的凹部的底面安装电子部件时,电子部件无法良好地搭载,且电子部件的电极与布线基板上的布线的接合面积变小,从而存在接合部的电阻值增加或引起无法将电子部件的电极与布线基板上的布线接合这样的安装不良的情况。并且,为了防止这样的情况,需要将凹部的底部形成为不产生凹凸的程度的厚度,因此存在无法实现进一步的薄型化这样的问题。
并且,在摄像装置中,由于摄像元件的受光部与透镜的距离由透镜的焦点距离决定,因此很难通过例如降低镜筒的高度来缩短透镜与摄像元件的受光部的距离而实现摄像装置的薄型化。
本发明鉴于上述现有技术的问题点而提出,其目的在于提供一种摄像装置,其具备摄像元件和电子部件,能够实现薄型化及小型化,并且能够输出高图像质量的图像信号。
发明解决问题的手段
本发明的摄像装置的特征在于,具备:电路基板,其在上表面形成有布线;电子部件,其安装在该电路基板上;框体,其包围所述电子部件而安装在所述电路基板上,在上表面形成有多个连接电极,且在与所述连接电极电连接的侧面或下表面的至少一方形成有多个外部端子;摄像元件,其在上表面的中央部配置有受光部,且以堵塞所述框体的开口的方式安装在所述框体的上表面;镜筒,其与所述框体的上表面的外周部接合,覆盖所述摄像元件,且具备透镜,所述摄像元件的整体位于比安装该摄像元件的所述框体的上表面靠上方的位置。
发明效果
本发明的摄像装置具备:电路基板,其在上表面形成有布线;电子部件,其安装在该电路基板上;框体,其包围电子部件而安装在电路基板上,在上表面形成有多个连接电极,且在与连接电极电连接的侧面或下表面的至少一方形成有多个外部端子;摄像元件,其在上表面的中央部配置有受光部,且以堵塞框体的开口的方式安装在框体的上表面;镜筒,其与框体的上表面的外周部接合,覆盖摄像元件,且具备透镜,因此,与以往的摄像装置相比,没有与布线基板的凹部的底部相当的部分,因此不会像以往那样凹部的底部发生破损,并能够使摄像装置整体变薄凹部的底部的厚度量。另外,由于摄像元件安装在框体的上表面,且电子部件被框体包围而安装在电路基板上,因此不需要为了在框体的上表面确保用于安装电子部件的空间而扩大框体的面积或电路基板的面积,从而能够防止摄像装置在俯视下变大。因此,能够实现摄像装置的薄型化及小型化。
另外,由于电子部件安装在电路基板上,并且摄像元件安装在框体的上表面,因此在安装电子部件及摄像元件时,不会像以往的摄像装置那样产生摄像元件受到凹部的底面的变形的影响而被倾斜安装或引起电子部件安装不良的情况,能够形成为可输出高图像质量的图像信号的摄像装置。
附图说明
图1(a)是表示本发明的摄像装置的实施方式的一例的去掉具备透镜的镜筒后的俯视图,(b)是(a)的A-A线处的剖面图。
图2是表示本发明的摄像装置的实施方式的一例的剖面图。
图3是表示本发明的摄像装置的实施方式的另一例的剖面图。
图4是表示本发明的摄像装置的实施方式的另一例的剖面图。
图5(a)是表示本发明的摄像装置的实施方式的一例的去掉具备透镜的镜筒后的俯视图,(b)是(a)的A-A线处的剖面图。
图6是表示本发明的摄像装置的实施方式的另一例的去掉具备透镜的镜筒后的剖面图。
图7是表示本发明的摄像装置的实施方式的另一例的去掉具备透镜的镜筒后的俯视图。
图8是表示本发明的摄像装置的实施方式的另一例的去掉具备透镜的镜筒后的俯视图。
图9是表示本发明的摄像装置的实施方式的另一例的去掉具备透镜的镜筒后的俯视图。
图10(a)是表示本发明的摄像装置的实施方式的另一例的去掉具备透镜的镜筒后的俯视图,(b)是(a)的A-A线处的剖面图。
图11(a)是表示本发明的摄像装置的实施方式的另一例的去掉具备透镜的镜筒后的俯视图,(b)是(a)的A-A线处的剖面图。
具体实施方式
参照附图,对本发明的摄像装置进行说明。在图1~图10中,1为电路基板,2为布线,3为电子部件,4为框体,4a为壁部,5为连接电极,6为外部端子,7为布线导体,8为摄像元件,8a为受光部,8b为信号处理电路,8c为电极,9为透镜,10为镜筒,11为连接构件,12为接合构件,13为透光性板材。
如图2中剖面图所示的例子那样,本发明的摄像装置具备:电路基板1,其在上表面形成有布线2;电子部件3,其安装在电路基板1上;框体4,其包围电子部件3而安装在电路基板1上,且在上表面形成有多个连接电极5,并且在与连接电极5电连接的侧面或下表面的至少一方形成有多个外部端子6;摄像元件8,其在上表面的中央部配置有受光部8a,并以堵塞框体4的开口的方式安装在框体4的上表面;镜筒10,其与框体4的上表面的外周部接合,覆盖摄像元件8且具备透镜9。
在此,摄像元件8以堵塞框体4的开口的方式通过接合构件12安装在框体4的上表面,该接合构件12由在框体4的开口的周围的整周设置的树脂等形成。并且,摄像元件8的连接端子与在框体4的上表面形成的多个连接电极5经由接合线构成的连接构件11连接。
根据这样的本发明的摄像装置,与以往的摄像装置相比,由于没有与布线基板的凹部的底部相当的部分,因此能使摄像装置整体以布线基板的凹部的厚度量变薄。另外,由于摄像元件8安装在框体4的上表面,且电子部件3被框体4包围而安装在电路基板1上,因此不需要为了在框体4的上表面确保用于安装电子部件3的空间而扩大框体4的面积或电路基板1的面积,从而能够防止摄像装置在俯视下变大。因此,能够实现摄像装置的薄型化及小型化。
另外,由于电子部件3安装在电路基板1上,并且摄像元件8安装在框体4的上表面,因此在安装电子部件3及摄像元件8时,不会像以往的摄像装置那样产生摄像元件8受到凹部的底面的变形的影响而被倾斜安装或引起电子部件3安装不良的情况,从而能够形成为可输出高图像质量的图像信号的摄像装置。
在图1(a)中的俯视图及图1(b)中的剖面图所示的例子中,框体4的开口形成为四方形状,且形成为四方形状的摄像元件8以堵塞框体4的开口的方式配置,通过接合构件12将框体4和摄像元件8接合。并且,通过由接合线构成的连接构件11将摄像元件8与在框体4的上表面形成的连接电极5电连接,从而将摄像元件8安装在框体4上。另外,将电子部件3以位于框体4的开口内的方式配置在电路基板1上,并使其与电路基板上的布线2电连接,从而将电子部件3安装在电路基板1上。
在图2所示的例子中,示出在上述的图1(a)及(b)所示的例子中的框体4的上表面具备镜筒10的摄像装置,其中,该镜筒10具有透镜9。
另外,如图3中与图2同样的剖面图所示的例子那样,还可以构成为,框体4的上表面例如设置成高度为0.2mm~0.3mm左右的朝向开口侧降低的阶梯状,摄像元件8配置在框体4的阶梯状的上表面的开口侧,并经由接合材料14与框体4的上表面接合。在该情况下,通过由接合线构成的连接构件11将摄像元件8和多个连接电极5电连接,从而将摄像元件8安装在框体4上,其中,多个连接电极5设置在框体4的上表面的位于比与摄像元件8接合的面高的位置的面上,并且通过将具备透镜9的镜筒10配置并接合在框体4的上表面的外周侧而形成摄像装置。在这样的摄像装置中,与摄像元件8接合的面和设有连接电极5的面的高度不同,设有连接电极5的面位于高的位置,因此能够防止固化前的接合构件12流动并到达连接电极5上而妨碍摄像元件8与连接电极5的电连接的情况。因此,容易将接合构件12和连接电极5接近配置,从而对使摄像装置小型化有效。另外,作为接合构件12,例如即使在使用焊料等导电性的材料的情况下,也能够防止接合构件12引起的连接电极5彼此的短路。
另外,如图4中与图2及图3同样的剖面图所示的例子那样,也可以构成为,框体4的上表面以高度0.2mm~0.3mm左右设置成朝向开口侧降低的阶梯状,摄像元件8配置在框体4的阶梯状的上表面的开口侧,经由接合材料14与框体4的上表面接合,并且在框体4的上表面的位于比与摄像元件8接合的面高的位置的面上配置透光性板材13。在该情况下,通过由接合线构成的连接构件11将摄像元件8和多个连接电极5电连接,从而将摄像元件8安装在框体4上,其中所述多个连接电极5设置在框体4的上表面的与摄像元件8接合的面的外周侧。并且,通过透光性板材13将摄像元件8的受光部8a密封,且以透镜9位于受光部8a的上方的方式配置具备透镜9的镜筒10,从而形成为在透光性板材13的周围与镜筒10接合的摄像装置。在这样的情况下,能够在透光性板材13上形成后述的低通滤光片或红外截止滤光片。另外,由于摄像元件8的受光部8a由透光性板材13和接合构件12密封,因此能够保护摄像元件8的受光部8a,并且即使因外部环境的温度变化等而气压发生变化,由于由透光性板材13密封的摄像元件8侧的密封空间的容积比仅由具备透镜9的镜筒10密封时的密封空间的容积小,因此在密封空间与外部的空间气压产生差值时,即使压力施加于摄像元件8,与仅由具备透镜9的镜筒10密封摄像元件8的情况相比,也能够抑制摄像元件8产生变形。
另外,在图1~图10所示的例子中,使用接合线作为用于将摄像元件8和连接电极5电连接的连接构件11,但也可以通过基于焊料的接合、使用Au凸点的超声波接合或者基于各向异性导电性树脂的接合来将摄像元件8和连接电极5电连接。在该情况下,将摄像元件8和连接电极5设置在俯视下重叠的位置,因此摄像装置的俯视下的面积减小,从而对实现小型化更加有效。
另外,如图5~图9所示的例子那样,在本发明的摄像装置具有俯视下通过框体4的开口的中央部而分割开口的壁部4a时,即使在框体4上施加有热应力或机械应力,也能够抑制框体4发生变形,进而能够抑制安装在框体4的上表面的摄像元件8发生变形。另外,这里所谓的开口的中央部为俯视下从开口的中心朝向开口边缘的开口长度的四分之一左右的长度范围。
另外,如图7(a)所示的例子那样,本发明的摄像装置中,在壁部4a的上表面与摄像元件8的下表面相接时,能够抑制安装在框体4的上表面的摄像元件8以向开口侧凸出的方式发生变形,并且摄像元件8所产生的热量容易向框体4传递,从而能够抑制摄像元件8的受光部8a因热而发生变形。此时,壁部4a的上表面与摄像元件8的下表面也可以经由接合构件12相接,在这样的情况下,能够抑制摄像元件8以向开口的相反侧凸出的方式发生变形。当这样的接合构件12使用含有热传导率高的金属等的树脂或金属糊剂时,摄像元件8所产生的热量更容易向框体4传递,从而能够抑制摄像元件8的受光部8a因热而发生变形的情况,因此优选。
另外,如图7(b)所示的例子那样,本发明的摄像装置中,在壁部4a以与连接构件11不相接的方式配置在俯视下与电子部件3不重叠的位置时,壁部4a配置在连接构件11的上方,其中所述连接构件11将电子部件3的侧面和电路基板1的上表面的布线2连接,从而在俯视下,能够缩短将相邻配置的电子部件3接合的布线2彼此的距离,因此在俯视下能够减小摄像装置的尺寸。另外,在壁部4a位于连接构件11之间时,既可以使位于连接构件11之间的部分的宽度变窄,也可以在与连接构件11对应的位置设置切口,以免与连接构件11相接。通过形成为这样的结构,不用减小壁部4a的上表面的面积,就能够在俯视下减小摄像装置的尺寸。
另外,如图8及图9所示的例子所示,本发明的摄像装置中,在由壁部4a分割成多个的开口在俯视下分别为圆形状、楕圆形状或者角部为圆弧状的多边形形状时,由于没有力容易集中的角部,因此能够抑制以角部为起点的裂纹产生而使壁部4a或框体4破损的情况。
另外,如图10所示的例子那样,本发明的摄像装置中,在摄像元件8具备信号处理电路8b,且信号处理电路8b配置在框体4上时,信号处理电路8b所产生的热量容易向框体4传递,从而热量难以向受光部8a侧传递,因此能够抑制摄像元件8的受光部8a因热而发生变形的情况。
另外,如图11所示的例子所示,当俯视下信号处理电路8b的整体配置在框体4上时,信号处理电路8b所产生的热量更容易向框体4传递,因此能够更有效地抑制受光部8a因热而发生变形的情况,因而优选。
作为信号处理电路8b,例如设置有DSP(Digital Signal Processor)等,其用于对来自摄像元件8的信号进行过滤而除去噪声,或者对光学系统的变形进行补偿。
另外,如图1~图11所示的例子那样,本发明的摄像装置中,在摄像元件8的电极8c在摄像元件8的上表面的俯视下,配置在与框体4重叠的位置,且摄像元件8的电极8c与在框体4上形成的连接电极5由接合线电连接时,在将接合线与摄像元件8的电极8c接合之际,由于在摄像元件8的电极8c的下方存在框体4,因此容易对接合部分施加力。
另外,如图11所示的例子那样,本发明的摄像装置中,在摄像元件8的受光部8a配置在俯视下与框体4的开口部重叠的位置时,受光部8a在俯视下与接合构件12不重叠,因此在接合构件12固化时,能够抑制应力施加于摄像元件8而使受光部8a发生变形的情况。
本发明的摄像装置以下这样制作。首先,准备上述那样的电路基板1。
电路基板1为在由陶瓷或树脂等绝缘体形成的绝缘基板上形成有布线2的基板。作为绝缘基板的材料,在由陶瓷形成的情况下,例如列举有氧化铝烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝烧结体、富铝红柱石烧结体及玻璃陶瓷烧结体等,在由树脂构成的情况下,例如列举有环氧树脂、聚亚胺树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酯树脂及以四氟乙烯树脂为代表的氟系树脂等。另外,列举有如玻璃环氧树脂那样在由玻璃纤维形成的基材中浸渍树脂而得到的材料。
在电路基板1例如由氧化铝烧结形成的情况下,通过如下方法制作,即,在氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化钙(CaO)及氧化镁(MgO)等的原料粉末中添加混合适当的有机溶剂及溶媒而形成泥浆状,并且采用以往公知的刮板法(ドクタ一ブレ一ド)或压延法等将其形成为片状,由此得到陶瓷生料薄板,接着对陶瓷生料薄板实施适当的冲裁加工,并根据需要而层叠多张,且在高温(约1500℃~1800℃)下进行烧成。
另外,在电路基板1例如由树脂形成时,可以利用能够成形为规定的形状的模具,通过压铸模制法或注射模塑法等进行成形而形成。另外,也可以例如像玻璃环氧树脂那样在由玻璃纤维构成的基材中浸渍树脂而得到。在该情况下,可以通过在由玻璃纤维构成的基材中浸渍环氧树脂的前体(前駆体),并使该环氧树脂前体在规定的温度下热固化而形成。
在电路基板1的绝缘基板由陶瓷形成的情况下,布线2由钨(W),钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)、铜(Cu)等金属粉末喷涂金属形成,在电路基板1的绝缘基板用的陶瓷生料薄板上通过网板印刷法等将布线2用的导体糊剂以规定形状印刷,并将其与陶瓷生料薄板一起进行烧成,从而使其形成在电路基板1的规定位置。内部导体中,沿厚度方向贯通陶瓷生料薄板的贯通导体可以预先通过印刷导体糊剂来填充在陶瓷生料薄板上形成的贯通孔。这样的导体糊剂通过在钨(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)、铜(Cu)等金属粉末中添加适当的溶剂及粘合剂并进行混炼,从而调整成适当的粘度而制作。另外,为了提高电路基板1与绝缘基板的接合强度,也可以含有玻璃或陶瓷。
另外,在电路基板1由树脂形成的情况下,布线2由铜、金、铝、镍、铬、钼、钛及它们的合金等金属材料形成。例如,通过在由玻璃环氧树脂形成的树脂薄片上转印加工成布线2的形状的铜箔,且将转印有铜箔的树脂薄片层叠并通过粘接剂粘接而形成。内部导体中,可以通过导体糊剂的印刷或镀敷法在树脂薄片上形成的贯通孔的内表面上覆盖形成沿厚度方向贯通树脂薄片的贯通导体,或者填充贯通孔而形成。还可以使金属箔或金属柱与由树脂形成的绝缘基板一体化,或者利用溅射法、蒸镀法等镀敷法等在电路基板1的绝缘基板上覆盖而形成。
接着,例如通过焊料等导电性的连接构件11将由对电信号进行处理的IC、电容器、线圈及电阻等构成的电子部件3连接而安装于电路基板1的布线2。电子部件3向电路基板1的安装既可以在将后述的框体4安装于电路基板1之后进行,也可以在安装之前进行。
接着,准备框体4。框体4与上述的电路基板1的绝缘基板同样,由陶瓷或树脂等绝缘体形成。作为框体4的材料,在由陶瓷形成的情况下,例如,列举有氧化铝烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝烧结体、富铝红柱石烧结体及玻璃陶瓷烧结体等,在由树脂形成的情况下,例如,列举有环氧树脂、聚亚胺树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酯树脂及以四氟乙烯树脂为代表的氟系树脂等。另外,列举有玻璃环氧树脂那样在由玻璃纤维形成的基材中浸渍树脂的得到的材料。
框体4在例如由氧化铝烧结体形成的情况下,可以通过与上述的电路基板1同样的材料及方法制作。另外,框体4的开口可以通过利用基于模具或冲压(パンチング)的冲裁法或激光加工法等加工方法在框体4用的陶瓷生料薄板形成作为开口的贯通孔,并对其进行烧成而形成。另外,如图3及图4所示的例子那样,在框体4的上表面设有朝向开口侧降低的阶梯状的台阶的情况下,可以预先在多个陶瓷生料薄板上分别形成尺寸不同的贯通孔,并将上述的陶瓷生料薄板以能够形成所期望的阶梯状的台阶的方式配置并层叠,从而形成陶瓷生料薄板层叠体。
另外,在框体4例如由树脂形成的情况下,可以通过与上述的电路基板1同样的方法制作。
另外,在图5所示的例子中,在框体4由陶瓷形成的情况下,壁部4a可以通过适当的模具对陶瓷生料薄板进行冲裁加工,或者利用激光等对陶瓷生料薄板进行切割而形成。在通过层叠陶瓷生料薄板而制作框体4的情况下,冲裁加工既可以在层叠前进行,也可以在层叠后进行。在层叠后进行的情况下,由于不会受到层叠时的位置错动的影响,因此能够减少在壁部4a的截面上产生层叠时的位置错动引起的凹凸的情况。另外,当框体4的厚度厚时,在冲裁加工时壁部4a容易变形,因此优选在层叠前进行冲裁加工。在壁部4a由树脂形成的情况下,可以使用能够得到所希望的形状的模具而形成。
另外,在图7(a)所示的例子中,在壁部4a由陶瓷形成的情况下,可以预先在上表面涂覆由与壁部4a同样的材料形成的陶瓷糊剂,或者在上表面层叠俯视下与壁部4a相同形状的陶瓷生料薄板,从而使壁部4a的厚度变厚而与摄像元件8的下表面相接。另外,也可以取代上述陶瓷糊剂,而使用由钨、钼、铜这样的金属等热传导率高的材料形成的金属糊剂。在这样的情况下,摄像元件8所产生的热量容易经由壁部4a向框体4传递,因此能够抑制摄像元件8的受光部8a因热而发生变形的情况。另外,在多次涂敷糊剂的情况下,可以使用上述金属糊剂和上述陶瓷糊剂这两方。
另外,在图7(b)所示的例子中,壁部4a以与连接构件11不相接的方式配置在俯视下与电子部件3不重叠的位置,其中,所述连接构件11将电子部件3的侧面和电路基板1上的布线2连接。为了形成这样的结构,在框体4通过层叠陶瓷生料薄板而制作的情况下,可以预先将陶瓷生料薄板层叠体的最下层的陶瓷生料薄板冲裁成仅与框体4对应的区域。另外,壁部4a在与连接构件11对应的位置存在切口的情况下,可以在陶瓷生料薄板上通过激光等除去陶瓷生料薄板而形成。
另外,在图8及图9所示的例子中,由壁部4a分割成多个的开口在俯视下,角部为圆弧状。这样的开口可以通过利用适当的模具进行冲裁加工或者利用激光等进行切割而形成。
在框体4由陶瓷形成的情况下,可以通过与电路基板1由陶瓷形成时所使用的布线2同样的材料及方法,形成布线导体7、连接电极5及外部端子6。另外,布线导体7也可以根据需要而通过组合贯通导体和印刷在陶瓷生料薄板上的导体糊剂而在框体4内立体地形成,从而能够使连接电极5与外部端子6成为所期望的位置关系。
另外,在框体4由树脂形成的情况下,可以通过与电路基板1由树脂形成时所使用的布线2同样的材料及方法,形成布线导体7、连接电极5及外部端子6。在该情况下,也可以使用与框体4由陶瓷形成时同样的方法,使连接电极5和外部端子6成为所期望的位置关系。
通过电镀法或非电镀法等镀敷法在布线2、连接电极5、外部端子6及布线导体7露出的表面覆盖镀敷层。镀敷层由镍及金等耐蚀性或对连接构件11的连接性优良的金属形成,例如,顺次覆盖厚度为1μm~10μm左右的镀镍层和厚度为0.1μm~3μm左右的镀金层。由此,能够有效地抑制布线2、连接电极5、外部端子6及布线导体7发生腐蚀的情况,并且能够使电路基板1的布线2与框体4的外部端子6的连接、电路基板1的布线2与电子部件3的接合、以及摄像元件8的连接端子与连接电极5的接合牢固。
接着,将CCD型或CMOS型的摄像元件8以堵塞框体4的开口部的方式配置在框体4的上表面上,并利用接合构件12固定在框体4上,并且利用连接构件11将摄像元件8的连接端子和框体4的连接电极5电连接。为了防止接合构件12流动而使连接电极7彼此短路,优选接合构件12为非导电性的树脂,但如图3所示的例子那样,在以设有连接电极7的面比安装有摄像元件8的面高的方式设置阶梯状的台阶时,也可以使用焊料或导电性的树脂作为接合构件12。另外,在摄像元件8的连接电极设置在下表面的情况下,可以进行基于焊料的接合、利用Au凸点的超声波接合、或者使用各向异性导电性树脂的倒装式接合。另外,在进行基于焊料或Au凸点的倒装式接合情况下,为了对摄像元件8的连接端子与连接电极5的接合进行加强,并保护受光部8a,优选通过填充底部填充材料(未图示)来密封受光部8a。
然后,准备具备透镜9的镜筒10,将镜筒10以覆盖摄像元件8的方式接合于框体4的上表面的外周部。通过形成为这样的结构,从而成为能够以小型·薄型输出高图像质量的图像信号的摄像装置。透镜9由玻璃或环氧树脂等树脂等形成,且安装在透镜固定构件12上,从而能够使经由透镜固定构件12的开口部而透过透镜9的光向摄像元件8的受光部8a入射。透镜固定构件12由树脂或金属等形成,如图2~图4所示的例子那样,通过环氧树脂或焊料等粘接剂固定在框体4的上表面。或者通过预先设置在透镜固定构件12上的钩扣(鉤)部等(未图示)固定在框体4上。
透光性板材13由水晶、玻璃或环氧树脂等树脂等形成,通过热固化型、紫外线固化型等环氧树脂或玻璃等的粘接剂与框体4接合。例如通过分配(デイスペンス)法将紫外线固化型的环氧树脂涂敷在框体4的上表面或透光性板材13的外周缘,在框体4的上表面载置透光性板材13并照射紫外线,从而使粘接剂固化而进行密封。也可以在透光性板材13上形成滤光片。
作为在透光性板材13上形成的滤光片,为使结晶方位角不同的两张~三张水晶板重叠,利用水晶板的双折射的特性来防止摄像元件8所拍摄的影像中产生的干扰条纹现象的低通滤光片。在使用水晶板作为透光性板材13的情况下,可以将透光性板材13兼用作该低通滤光片的水晶板中的一张。
另外,作为在透光性板材13上形成的滤光片,通常存在用于使红色至红外区域的波长的光截止的红外截止滤光片,以使具有在红色至红外区域的灵敏度比人的视觉高的灵敏度倾向的摄像元件8与人的眼睛的色调灵敏度一致。红外截止滤光片可以通过在透光性板材13的表面交替形成几十层电介质多层膜来制作。电介质多层膜通常通过利用蒸镀法或溅射法等交替层叠几十层由折射率为1.7以上的电介质材料形成的高折射率电介质层和由折射率为1.6以下的电介质材料形成的低折射率电介质层而形成。作为折射率为1.7以上的电介质材料,例如使用五氧化钽、氧化钛、五氧化铌、氧化镧、氧化锆等,作为折射率为1.6以下的电介质材料,例如使用氧化硅、氧化铝、氟化镧、氟化镁等。
如以上那样,例如,将摄像装置安装在电路基板1上,该摄像装置具备10mm见方左右的框体4、在框体4内部收纳的电子部件3、8mm见方左右的摄像元件8、在摄像元件8的上部设置的高度为5mm~10mm左右的具备透镜9的镜筒10。
另外,本发明不局限于上述的实施方式的例子,只要在不脱离本发明的主旨的范围内就能够进行各种变更。例如,可以将图5、图8及图9所示的例子那样的被壁部分割的开口分别形成为蜂窝结构。通过形成为蜂窝结构,在俯视观察时每单位面积的开口区域所占有的比例提高,且壁部4a的强度同时也提高,因此对使摄像装置小型化且提高强度有效。
符号说明:
1 电路基板1
2 布线
3 电子部件
4 框体
4a 壁部
5 连接电极
6 外部端子
7 布线导体
8 摄像元件
8a 受光部
8b 信号处理电路
8c 电极
9 透镜
10 镜筒
11 连接构件
12 接合构件
13 透光性板材
Claims (8)
1.一种摄像装置,其特征在于,
具备:
电路基板(1),其在上表面形成有布线;
电子部件,其安装在该电路基板(1)上;
框体,其包围所述电子部件而安装在所述电路基板(1)上,在上表面形成有多个连接电极,且在与所述连接电极电连接的侧面或下表面的至少一方形成有多个外部端子;
摄像元件,其在上表面的中央部配置有受光部,且以堵塞所述框体的开口的方式安装在所述框体的上表面;
镜筒,其与所述框体的上表面的外周部接合,覆盖所述摄像元件,且具备透镜,
所述摄像元件的整体位于比安装该摄像元件的所述框体的上表面靠上方的位置。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
具有俯视下通过所述框体的开口的中央部而分割所述开口的壁部。
3.根据权利要求2所述的摄像装置,其特征在于,
所述壁部的上表面与所述摄像元件的下表面相接。
4.根据权利要求2所述的摄像装置,其特征在于,
所述壁部以与连接构件不相接的方式配置在俯视下与所述电子部件不重叠的位置,其中,该连接构件将所述电子部件的侧面和所述电路基板(1)的上表面的所述布线连接。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的摄像装置,其特征在于,
由所述壁部分割成多个的所述开口在俯视下分别为圆形状、或角部为圆弧状的多边形形状。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像装置,其特征在于,
所述摄像元件具备信号处理电路,该信号处理电路配置在所述框体上。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像装置,其特征在于,
所述摄像元件的电极在所述摄像元件的上表面的俯视下配置在与所述框体重叠的位置,所述摄像元件的电极和在所述框体上形成的所述连接电极通过接合线电连接。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像装置,其特征在于,
所述摄像元件的受光部配置在俯视下与所述框体的开口部重叠的位置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009292206 | 2009-12-24 | ||
JP2009-292206 | 2009-12-24 | ||
PCT/JP2010/073404 WO2011078350A1 (ja) | 2009-12-24 | 2010-12-24 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102449995A CN102449995A (zh) | 2012-05-09 |
CN102449995B true CN102449995B (zh) | 2015-03-11 |
Family
ID=44195875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201080023957.8A Active CN102449995B (zh) | 2009-12-24 | 2010-12-24 | 摄像装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8866067B2 (zh) |
EP (1) | EP2518999B1 (zh) |
JP (1) | JP5324667B2 (zh) |
CN (1) | CN102449995B (zh) |
WO (1) | WO2011078350A1 (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9094592B2 (en) | 2011-11-15 | 2015-07-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Camera module with foreign objects inhibiting structure |
US10319759B2 (en) * | 2014-06-25 | 2019-06-11 | Kyocera Corporation | Image pickup element mounting substrate and image pickup device |
US10631371B2 (en) * | 2015-01-30 | 2020-04-21 | Rohm Co., Ltd. | Heater |
JP2016161743A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | ソニー株式会社 | 表示装置および撮像装置 |
CN107646124B (zh) * | 2015-05-21 | 2021-04-02 | 康宁股份有限公司 | 用于检查多孔制品的方法 |
WO2017090223A1 (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | ソニー株式会社 | 撮像素子パッケージ、撮像装置及び撮像素子パッケージの製造方法 |
JP2017152546A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ニコン | 撮像装置及び半導体装置 |
CN108243298B (zh) * | 2016-12-23 | 2022-10-14 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其模塑电路板组件和制造方法以及带有摄像模组的电子设备 |
JP7062688B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-05-06 | 京セラ株式会社 | 配線基板、電子装置及び電子モジュール |
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CN117672872A (zh) * | 2022-09-08 | 2024-03-08 | 三赢科技(深圳)有限公司 | 相机模组的制造方法及相机模组 |
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JP2008258793A (ja) | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Alps Electric Co Ltd | カメラモジュール |
JP2009008758A (ja) | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Fujinon Corp | 撮像デバイス、およびカメラモジュールならびに携帯端末機器 |
JP5175620B2 (ja) | 2008-05-29 | 2013-04-03 | シャープ株式会社 | 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器 |
-
2010
- 2010-12-24 EP EP10839579.9A patent/EP2518999B1/en not_active Not-in-force
- 2010-12-24 JP JP2011547661A patent/JP5324667B2/ja active Active
- 2010-12-24 US US13/375,458 patent/US8866067B2/en active Active
- 2010-12-24 CN CN201080023957.8A patent/CN102449995B/zh active Active
- 2010-12-24 WO PCT/JP2010/073404 patent/WO2011078350A1/ja active Application Filing
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Publication number | Publication date |
---|---|
US8866067B2 (en) | 2014-10-21 |
EP2518999A4 (en) | 2014-01-01 |
EP2518999B1 (en) | 2016-08-31 |
JP5324667B2 (ja) | 2013-10-23 |
WO2011078350A1 (ja) | 2011-06-30 |
EP2518999A1 (en) | 2012-10-31 |
JPWO2011078350A1 (ja) | 2013-05-09 |
US20120248294A1 (en) | 2012-10-04 |
CN102449995A (zh) | 2012-05-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |