CN102420178A - 一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺 - Google Patents

一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN102420178A
CN102420178A CN2011101834577A CN201110183457A CN102420178A CN 102420178 A CN102420178 A CN 102420178A CN 2011101834577 A CN2011101834577 A CN 2011101834577A CN 201110183457 A CN201110183457 A CN 201110183457A CN 102420178 A CN102420178 A CN 102420178A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric layer
metal barrier
silicon carbide
carbide film
photoresistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011101834577A
Other languages
English (en)
Inventor
张文广
徐强
郑春生
陈玉文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN2011101834577A priority Critical patent/CN102420178A/zh
Publication of CN102420178A publication Critical patent/CN102420178A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本发明公开了一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其中，在金属阻挡介质层沉积过程中，采用碳氢化合物作为反应物，最终生成不含氮元素的金属阻挡介质层。其中，在金属阻挡介质层沉积过程中，采用三甲基硅烷或者四甲基硅烷和碳氢化合物为反应物。采用物理气相沉积法沉积所述金属阻挡介质层。所述金属阻挡介质层为碳化硅薄膜。本发明采用CxHy等碳氢化合物气体来代替NH3气体作为碳化硅薄膜沉积的反应物之一，从而降低了光阻中毒的风险，操作安全，工艺简单。

Description

一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺。
背景技术
随着CMOS晶体管尺寸不断缩小到次微米级，正如摩尔定律的预测，在高效率、高密度集成电路中的晶体管数量上升到几千万个。这些数量庞大的有源元件的信号集成需要多达八层以上的高密度金属连线，然而这些金属互连线带来的电阻和寄生电容已经成为限制这种高效集成电路速度的主要因素。基于这个因素的推动，半导体工业从原来的金属铝互连线工艺发展成金属铜互连线，同时用低介电介质（Low-K）材料，比如用碳化硅替代了二氧化硅成为金属层间的绝缘介质。金属铜减少了金属连线层间的电阻，同时增强了电路稳定性；低介电介质材料则减少了金属连线层之间的寄生电容。传统的碳化硅在淀积时，用的是NH3等含氮的反应气体，而在后续的曝光蚀刻工艺中，如果光阻接触到了NH3中的N元素，会引发中毒的风险而降低光阻的效率，最终导致互连关键尺寸不一致。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，避免了光阻中毒的风险，从而提高半导体互连关键尺寸的一致性。
本发明的目的是通过下述技术方案实现的：
一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其中，在金属阻挡介质层沉积过程中，采用碳氢化合物作为反应物，最终生成不含氮元素的金属阻挡介质层。
上述避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其中，在金属阻挡介质层沉积过程中，采用三甲基硅烷和碳氢化合物为反应物。
上述避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其中，在金属阻挡介质层沉积过程中，采用四甲基硅烷和碳氢化合物为反应物。
上述避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其中，采用化学气相沉积法沉积所述金属阻挡介质层。
上述避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其中，所述金属阻挡介质层为碳化硅薄膜。
本领域的技术人员阅读以下较佳实施例的详细说明，并参照附图之后，本发明的这些和其他方面的优势无疑将显而易见。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例，然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1A~图1B是本发明避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺的最佳实施例的流程中结构示意图。
具体实施方式
下面结合原理图和具体操作实施例对本发明作进一步说明。
本发明避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺的最佳实施例是在金属阻挡介质层沉积过程中，采用碳氢化合物作为反应物，最终生成不含氮元素的金属阻挡介质层，金属阻挡介质层就是碳化硅薄膜。
图1A是采用化学气相沉积的方法进行碳化硅薄膜沉积过程中碳化硅薄膜形成之前的结构示意图，在形成有后道互连金属铜1的低介电常数薄膜0表面，采用三甲基硅烷（3MS）或者四甲基硅烷（4MS）和碳氢化合物为反应物，具体通过化学气相沉积的方法进行碳化硅薄膜2沉积，完成之后如图1B所示，由于碳化硅薄膜2中不含N元素，在后续的与光阻接触过程中，避免了光阻中毒的风险。
本发明采用CxHy等碳氢化合物气体来代替NH3气体作为碳化硅薄膜沉积的反应物之一，从而降低了光阻中毒的风险，操作安全，工艺简单。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，因此，尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正，在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (5)

1.一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其特征在于，在金属阻挡介质层沉积过程中，采用碳氢化合物作为反应物，最终生成不含氮元素的金属阻挡介质层。
2.根据权利要求1所述的避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其特征在于，在金属阻挡介质层沉积过程中，采用三甲基硅烷和碳氢化合物为反应物。
3.根据权利要求1所述的避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其特征在于，在金属阻挡介质层沉积过程中，采用四甲基硅烷和碳氢化合物为反应物。
4.根据权利要求1所述的避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其特征在于，采用化学气相沉积法沉积所述金属阻挡介质层。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺，其特征在于，所述金属阻挡介质层为碳化硅薄膜。
CN2011101834577A 2011-07-01 2011-07-01 一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺 Pending CN102420178A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011101834577A CN102420178A (zh) 2011-07-01 2011-07-01 一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011101834577A CN102420178A (zh) 2011-07-01 2011-07-01 一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102420178A true CN102420178A (zh) 2012-04-18

Family

ID=45944516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011101834577A Pending CN102420178A (zh) 2011-07-01 2011-07-01 一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102420178A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102915973A (zh) * 2012-11-12 2013-02-06 上海华力微电子有限公司 双应力薄膜的制造方法以及半导体器件
CN102931142A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 上海华力微电子有限公司 双应力薄膜的制造方法以及半导体器件
CN102931141A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 上海华力微电子有限公司 双应力薄膜的制造方法以及半导体器件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS553631A (en) * 1978-06-20 1980-01-11 Sharp Corp Manufacturing silicon carbide substrate
CN1420530A (zh) * 2001-11-21 2003-05-28 联华电子股份有限公司 一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层
CN101419915A (zh) * 2007-10-09 2009-04-29 应用材料股份有限公司 得到具有优良抗蚀刻性的低k电介质阻挡层的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS553631A (en) * 1978-06-20 1980-01-11 Sharp Corp Manufacturing silicon carbide substrate
CN1420530A (zh) * 2001-11-21 2003-05-28 联华电子股份有限公司 一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层
CN101419915A (zh) * 2007-10-09 2009-04-29 应用材料股份有限公司 得到具有优良抗蚀刻性的低k电介质阻挡层的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102915973A (zh) * 2012-11-12 2013-02-06 上海华力微电子有限公司 双应力薄膜的制造方法以及半导体器件
CN102931142A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 上海华力微电子有限公司 双应力薄膜的制造方法以及半导体器件
CN102931141A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 上海华力微电子有限公司 双应力薄膜的制造方法以及半导体器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1174117C (zh) 从钽卤化物前体得到的热化学气相沉积钽氮化物膜的等离子体处理方法
US11817320B2 (en) CVD based oxide-metal multi structure for 3D NAND memory devices
US9911644B2 (en) Semiconductor devices and methods of fabricating the same
KR101176900B1 (ko) 반도체 소자의 제조 방법
CN102420178A (zh) 一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜新工艺
CN102683199A (zh) 碳化硅薄膜制作方法以及金属阻挡层制作方法
US8716125B2 (en) Methods of in-situ vapor phase deposition of self-assembled monolayers as copper adhesion promoters and diffusion barriers
CN101393865B (zh) 超低介电常数介电层及其形成方法
KR101998788B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN102332399A (zh) 超低介电材料的化学机械抛光方法
KR102578078B1 (ko) 3d 낸드 적용을 위한 낮은 유전율의 산화물 및 낮은 저항의 op 스택
CN110387535A (zh) 可编程电荷存储晶体管、存储器单元和形成绝缘体材料的方法
CN111244101A (zh) 一种三维存储器以及三维存储器的制备方法
CN102364672A (zh) 一种改善铜阻挡层与铜金属层的粘结性能的方法
CN102751188A (zh) 超低介电材料的化学机械抛光方法
CN103258779A (zh) 铜互连结构及其制造方法
CN104766792A (zh) 具有改善粘附性能和填充性能的钨层沉积方法
US20230378028A1 (en) Semiconductor arrangement and method of making
CN102412190A (zh) 一种无光阻中毒碳化硅的前处理方法
CN102427059A (zh) 一种提高阻挡层与金属层的粘结性的方法
Ji et al. Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Silicon Nitride for Two Different Aminosilane Precursors Using Very High Frequency (162 MHz) Plasma Source
CN101928934B (zh) 提高晶圆的高温氧化物层均匀性的方法
CN1630036A (zh) 半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法
CN1448998A (zh) 阻挡氢离子渗透的金属层间介电层的制造方法
US20050269709A1 (en) Interconnect structure including tungsten nitride and a method of manufacture therefor

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20120418