CN102403401A - 导电电极结构的形成方法、太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 97
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 97
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 75
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 64
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 40
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 24
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000006210 lotion Substances 0.000 claims description 5
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了导电电极结构的形成方法、太阳能电池及其制造方法，导电电极结构的形成方法包括：在基板上涂覆导电膏；通过对导电膏进行热处理形成具有向外凸起形状的导电图案；以及形成焊接层以共形地覆盖导电图案。
Description
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.第119款要求2010年9月10日提交的题为“Method Of Forming Conductive Electrode Structure And Method OfManufacturing Solar Cell With The Same，And Solar Cell Manufactured ByThe Method Of Manufacturing Solar Cell(形成导电电极结构的方法和用该方法制造太阳能电池的方法，以及通过制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池)”的韩国专利申请序列号10-2010-0088949的权益，该专利申请的全部内容据此通过引用的方式并入本申请。
技术领域
本发明涉及导电电极结构的形成方法和用该方法制造太阳能电池的方法，以及通过制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池，更具体地涉及能够简化制造工艺并降低制造成本的导电电极结构的形成方法，和用该方法制造太阳能电池的方法，以及通过制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池。
背景技术
一般而言，太阳能电池的电极包括具有光接收表面的硅基板和设置在硅基板的光接收表面上的导电电极结构。导电电极结构包括选择性地接合至硅基板的PN杂质层的正电极和负电极。在导电电极结构设置在光接收表面上的正面接触式(front contact type)太阳能电池的情况下，随着导电电极结构的线宽减小，入射在光接收表面上的光的实际量相对增加。然而，随着导电电极结构的线宽减小，导电电极结构的电阻增加，因此作为电极的特性劣化。因此，最近开发了导电电极结构设置在硅基板的非光接收表面的背面接触式(back contact type)太阳能电池。
一般而言，在硅基板上形成金属层后，通过使用金属层作为籽层进行镀层处理，背面接触式太阳能电池的导电电极结构在硅基板的非光接收表面上形成镀层。而且，通过选择性地蚀刻镀层来形成太阳能电池的正电极和负电极的导电图案。
然而，在通过镀层处理形成导电电极结构的情况下，除了镀层处理外，分别增加了用于形成镀层的籽层形成处理、在镀层过程中用于限定镀层图案的非成形区的抗蚀剂图案形成处理、抗蚀剂图案去除处理等。此外，由于形成籽层的沉积处理使用诸如化学气相沉积装置或物理气相沉积装置的昂贵的沉积装置，所以这会变得复杂，而且成本也大大增加。因此，制造普通背面接触式太阳能电池的方法存在诸如制造工艺复杂和制造成本高的问题。
发明内容
已经发明了本发明以克服上述问题，因此，本发明的目的是为了提供一种能够简化制造工艺并降低制造成本的形成导电电极结构的方法。
本发明的另一个目的是为了提供一种能够简化制造工艺并降低制造成本的制造太阳能电池的方法，以及用该方法制造的太阳能电池。
根据本发明的一方面，为了实现本发明的目的，提供了导电电极结构的形成方法，包括以下步骤：在基板上涂覆导电膏；通过对导电膏进行热处理来形成具有向外凸起形状的导电图案；以及形成焊接层以共形地覆盖导电图案。
根据本发明的实施方式，可通过使用喷墨印刷方法执行导电膏的涂覆的步骤。
根据本发明的实施方式，可以将包括铜(Cu)和银(Ag)中的至少一种的膏体用作导电膏。
根据本发明的实施方式，焊接层的形成步骤可包括在导电图案上涂覆焊膏的步骤和对焊膏进行热处理的步骤。
根据本发明的实施方式，执行对焊膏的热处理的步骤以熔化焊膏，从而使焊膏被形成为与导电图案的上表面自对准。
根据本发明的实施方式，可通过使用喷墨印刷方法执行焊膏的涂覆步骤，且对焊膏的热处理的步骤可以包括使焊膏回流(reflow)的步骤。
根据本发明的实施方式，导电电极结构的形成方法可包括在基板和导电图案之间形成金属层叠图案，其中金属层叠图案的形成步骤可包括在基板上形成第一金属层的步骤和在第一金属层上形成第二金属层的步骤。
根据本发明的另一方面，为了实现本发明的目的，提供了太阳能电池，包括：基板，具有光接收表面、与光接收表面相对的非光接收表面以及形成在非光接收表面上的PN杂质层；绝缘图案，覆盖非光接收表面且具有用于暴露PN杂质层的接触孔；以及设置在非光接收表面的导电电极结构；其中，导电电极结构包括通过接触孔接合至PN杂质层的金属层叠图案、覆盖金属层叠图案且具有向外凸起形状的导电图案以及共形地覆盖导电图案的焊接层。
根据本发明的实施方式，可通过在基板上涂覆导电膏来形成导电图案。
根据本发明的实施方式，焊接层可被形成为与导电图案的上表面自对准。
根据本发明的实施方式，金属层叠图案可包括接合至通过接触孔暴露的PN杂质层的第一金属层和插入在第一金属层和导电图案之间的第二金属层。
根据本发明的实施方式，第一金属层可为使导电图案与PN杂质层进行欧姆接触的层，而第二金属层可为防止导电图案的金属离子扩散到基板中的扩散阻挡层。
根据本发明的实施方式，PN杂质层可包括N型杂质扩散区和设置在除了N型杂质扩散区之外的区域中的P型杂质扩散区，且导电电极结构可包括通过接触孔电接合至N型杂质扩散区的第一电极和通过接触孔电接合至P型杂质扩散区的第二电极。
根据本发明的另一方面，为了实现本发明的目的，提供了太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：制备具有光接收表面和与光接收表面相对的非光接收表面的基板；在基板的非光接收表面上形成PN杂质层；形成绝缘图案以覆盖基板的非光接收表面；以及在非光接收表面上形成导电电极结构，其中，导电电极结构的形成步骤包括：形成通过接触孔接合至PN杂质层的金属层叠图案的步骤；形成覆盖金属层叠图案且具有向外凸起形状的导电图案的步骤；以及形成焊接层以共形地覆盖导电图案的步骤。
根据本发明的实施方式，导电图案的形成步骤可包括：在金属层叠图案上涂覆导电膏的步骤，以及对导电膏进行热处理的步骤。
根据本发明的实施方式，可通过使用喷墨印刷方法执行导电膏的涂覆步骤。
根据本发明的实施方式，可以将铜膏和银膏中的至少一种用作导电膏。
根据本发明的实施方式，焊膏的步形成骤可包括：在导电图案上涂覆焊膏的步骤和对焊膏进行热处理的步骤。
根据本发明的一个实施方式，可执行对焊膏进行热处理的步骤以熔化焊膏，从而使焊膏被形成为与导电图案的上表面自对准。
根据本发明的实施方式，可通过使用丝网印刷方法执行焊膏的涂覆步骤，且对焊膏进行热处理的步骤可包括使焊膏回流的步骤。
根据本发明的实施方式，可以将包括锡(Sn)、银(Ag)和镍(Ni)中的至少一种的膏体用作焊膏。
根据本发明的实施方式，金属层叠图案的形成步骤可包括：形成覆盖非光接收表面同时填充接触孔的第一金属层的步骤；和在第一金属层上形成第二金属层的步骤。
根据本发明的实施方式，第一金属层的形成步骤可包括在非光接收表面上沉积铝(Al)层，而第二金属层的形成步骤可包括在非光接收表面上沉积钨化钛(TiW)层。
根据本发明的实施方式，基板的制备步骤可包括制备N型半导体基板的步骤，且形成PN杂质层的步骤可包括将P型半导体杂质离子注入N型半导体基板的步骤。
根据本发明的实施方式，基板的制备步骤可包括制备具有高透光性的透明板。
附图说明
通过以下实施方式的描述并结合以下附图说明，本发明的总发明构思的这些和/或其他方面和优点将变得显而易见并更容易理解。
图1为示出根据本发明实施方式的太阳能电池的一些组件的示图；
图2为示出根据本发明的制造太阳能电池的方法的流程图；以及
图3至图7为说明根据本发明的制造太阳能电池的工艺的示图。
具体实施方式
通过参照以下详细描述的实施方式并结合附图，本发明的优点和特征以及实现其的方法将变得显而易见。然而，本发明并不限于以下实施方式，而可以由各种其他形式来实现。提供实施方式以完成本发明的公开，并充分告知本领域普通技术人员本发明的范围。整个说明书中相同参照标号表示相同的元件。
提供这里所用的术语以说明实施方式，而并不限制本发明。在整个说明书中，单数形式包括复数形式，除非上下文中明确指出并非如此。术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”不排除一个或多个不同的组件、步骤、操作和/或元件的存在或添加。
图1为示出根据本发明实施方式的太阳能电池的一些组件的示图。参照图1，根据本发明实施方式的太阳能电池100可以包括基板110和接合至基板110的导电电极结构160。
基板110可以为用于制造太阳能电池的板。因此，可优选具有高透光性的透明板用作基板110。作为一个实例，基板110可为硅晶片。作为另一个实例，基板110可为玻璃基板。作为另一个实例，基板110可为透明的塑料基板。
基板110可具有光接收表面112和非光接收表面114。光接收表面112可为外部光线入射在其上的表面，而非光接收表面114可为与光接收表面112相对的表面。
光接收表面112可具有不平坦结构。可通过在光接收表面112上进行预定的纹理处理来形成该不平坦结构。通过增加光接收表面112的表面面积，不平坦结构可提高外部光线的入射效率。可在光接收表面112上设置绝缘层113以覆盖不平坦结构的表面。绝缘层113可包括以均一的厚度覆盖不平坦结构的氧化硅层113a以及覆盖氧化硅层113a的氮化硅层113b。此外，可进一步将光反射层(未示出)设置在光接收表面112上以覆盖不平坦结构。
基板110可进一步包括PN杂质层116。PN杂质层116可形成在非光接收表面114上。PN杂质层116可包括N型杂质扩散区116a和形成在除了N型杂质扩散区116a之外的区域中的P型杂质扩散区116b。
可在基板110的非光接收表面114上形成绝缘图案122。绝缘图案122可为覆盖非光接收表面114的氧化物层和氮化物层中的一种。作为一个实例，绝缘图案122可为氧化硅层。绝缘图案122可包括暴露PN杂质层116的接触孔124。例如，接触孔124可包括暴露N型杂质扩散区116a的第一接触孔124a和暴露P型杂质扩散区116b的第二接触孔124b。
可将导电电极结构160设置在基板110的非光接收表面114上。在这种情况下，导电电极结构160可为背面接触式太阳能电池的电极，其中，正电极和负电极设置在非光接收表面114上。
更具体地，导电电极结构160可包括接合至非光接收表面114的第一电极162和第二电极164。第一电极162可接合至N型杂质扩散区116a以用作太阳能电池100的负电极，而第二电极164可接合至P型杂质扩散区116b以用作太阳能电池100的正电极。为此，第一电极162可通过第一接触孔124a接合至N型杂质扩散区116a，而第二电极164可通过第二接触孔124b接合至P型杂质扩散区116b。
第一电极162和第二电极164可具有基本上相似的结构，但可形成在不同的区域中。例如，第一电极162可设置在N型杂质扩散区116a上，而第二电极164可设置在P型杂质扩散区116b上。此外，第一电极162和第二电极164可交替地设置在非光接收表面114上。第一电极162和第二电极164的每一个都可包括金属层叠图案130a、导电图案140和焊接层154。
金属层叠图案130a可包括第一金属图案132a和层叠在第一金属图案132a上的第二金属图案132b。第一金属图案132a可以为用于使第一电极162和第二电极164与PN杂质层116进行欧姆接触的层。为此，第一电极162的第一金属图案132a可以被配置为覆盖绝缘图案122而同时填充第一接触孔124a，而第二电极164的第一金属图案132a可以被配置为覆盖绝缘图案122而同时填充第二接触孔124b。因此，第一电极162的第一金属图案132a可电接合至N型杂质扩散区116a，而第二电极164的第一金属图案132a可电接合至P型杂质扩散区116b。
第二金属图案134a可以为用来防止第一电极162和第二电极164的金属材料扩散到基板110中的扩散阻挡层。为此，第二金属图134a可以插入在第一金属图案132a和导电图案140之间以防止导电图案140的金属离子扩散到基板110中。
导电图案140可以设置在第二金属图案134a和焊接层154之间。导电图案140可以为用作导电电极结构160中的电流移动路径的主要部件。
焊接层154可以为用于导电图案140和外部接合物体(未示出)之间的电连接的层。焊接层154可以均一的厚度覆盖导电图案140的上表面142。
金属层叠图案130a、导电图案140和焊接层154可由各种材料制成。例如，第一金属图案132a可由铝(Al)制成，第二金属图案134a可由钨化钛(TiW)制成。导电图案140可由铜(Cu)或银(Ag)制成。而且，焊接层154可由锡(Sn)、银(Ag)和镍(Ni)中的至少一种制成。
同时，可通过使用喷墨印刷(inkjet printing)方法在基板110上形成导电图案140。例如，可使用喷墨印刷机通过选择性地将包括铜(Cu)和银(Ag)中的至少一种的导电膏涂覆在基板110的金属层叠图案130a上来形成导电图案140。而且，可通过对导电膏进行热处理来形成导电图案140。在这种情况下，由于喷墨印刷机的涂覆特点，导电图案140可具有向外凸起形状。因此，以均一的厚度覆盖导电图案140的上表面142的焊接层154也可具有凸起形状。
此外，焊接层154可以被形成为自对准导电图案140的上表面142。例如，可以通过在导电图案140的上表面142涂覆焊膏之后，对焊膏进行热处理来形成焊接层154。在这种情况下，焊膏可以共形地仅形成在导电图案140的上表面142上。因此，焊接层154可具有包围导电图案140的结构。
如上所述，根据本发明实施方式的太阳能电池100可包括设置在基板110的非光接收表面114上的导电电极结构160，且可通过喷墨印刷方法形成导电电极结构160的导电图案140。因此，因为根据本发明实施方式的太阳能电池100包括通过喷墨印刷方法形成的导电电极结构160，所以与通过镀层处理形成导电电极结构的情况相比，其可具有向外凸起形状的导电电极结构160。此外，导电电极结构160可包括被形成为自对准导电图案140的上表面142的焊接层154。在这种情况下，太阳能电池100可包括凸起形状的导电图案140和共形地形成于导电图案140的上表面142上并具有凸起形状的焊接层154。
因此，由于根据本发明实施方式的太阳能电池100包括通过喷墨印刷方法形成的导电图案140和通过与导电图案140自对准形成的焊接层154，所以与通过镀层处理形成的导电图案的情况相比，它可以提供能够简化制造工艺并降低制造成本的结构。
下文中，将详细描述根据本发明实施方式的制造太阳能电池的方法。在这里，将省略或简化根据本发明实施方式的太阳能电池100的重复说明。此外，由于太阳能电池的制造方法包括形成导电电极结构的方法，所以将不再单独描述形成导电电极结构的方法。
图2为示出根据本发明的制造太阳能电池的方法的流程图；而图3至图7为说明根据本发明的制造太阳能电池的过程的示图。
参照图2和图3，可以制备用于制造太阳能电池的基板110(S110)。基板110可为制造太阳能电池的各种板中的一种。作为一个实例，可将硅晶片制备为基板110。作为另一个实例，可将玻璃基板制备为基板110。作为又一个实例，可将塑料基板用作基板110。
基板110可具有光接收表面112和非光接收表面114。光接收表面112可为外部光线入射在其上的表面，而非光接收表面114可为与光接收表面112相对的表面。
可以对基板110的光接收表面112进行纹理处理。因此，可以在基板110的光接收表面112形成不平坦结构。该不平坦结构可以增加光接收表面112的表面面积。因此，由于该不平坦结构，可提高基板110的光接收表面112上的光入射(light incidence)。
而且，可形成绝缘层113以覆盖不平坦结构的表面。形成绝缘层113的步骤可包括形成氧化硅层113a以共形地覆盖不平坦结构的步骤和形成氮化硅层113b以覆盖氧化硅层113a的步骤。
同时，可在基板110的非光接收表面114上形成PN杂质层116。形成PN杂质层116的步骤可包括在硅晶片中注入杂质的步骤。作为一个实例，在基板110为N型半导体基板的情况下，可通过选择性地将P型杂质离子注入N型半导体基板的一些区域中来执行形成PN杂质层116的步骤。此时，形成PN杂质层116的步骤可进一步包括将浓度比N型半导体基板的浓度高的N型杂质离子注入除了注入P型杂质离子注入的区域外的区域中的步骤。因此，PN杂质层116(其由N型杂质扩散区116a和在除了N型杂质扩散区116a之外的区域中形成的P型杂质扩散区116b组成)可形成在基板110的非光接收表面114上。
参照图2和图4，可在基板110的非光接收表面114上形成绝缘图案122以选择性地暴露PN杂质层116(S120)。首先，可在基板110的非光接收表面114上形成绝缘层。形成绝缘层的步骤可包括形成以均一厚度覆盖非光接收表面114的氧化物层或氮化物层的步骤。作为一个实例，绝缘层可为氧化硅层。
而且，可在绝缘层中形成接触孔124。形成接触孔124的步骤可包括形成暴露N型杂质扩散区116a的第一接触孔124a的步骤和形成暴露P型杂质扩散区116b的第二接触孔124b的步骤。这里，形成接触孔124的步骤可使用各种蚀刻工艺。作为一个实例，可通过使用光刻工艺和湿法刻蚀工艺执行形成接触孔124的步骤。
可在绝缘图案122上形成金属层叠层130。例如，第一金属层132可被形成为覆盖绝缘图案122而同时填充接触孔124。第一金属层132可为用于使在以下过程中形成的图7中的导电电极结构160与基板110进行欧姆接触的层。作为一个实例，第一金属层132可为由铝(Al)制成的层。而且，第二金属层134可形成为覆盖第一金属层132。第二金属层134可为用于防止导电电极结构160的金属离子扩散到基板110中的层。作为一个实例，第二金属层134可为由钨化钛(TiW)制成的层。
同时，可通过各种沉积工艺执行形成金属层叠层130的步骤。例如，可通过化学气相(CVD)沉积工艺和物理气相(PVD)沉积工艺中的一种执行形成第一金属层132和第二金属层134的步骤。作为一个实例，可通过执行溅射工艺和蒸发工艺中的至少一种形成第一金属层132和第二金属层134。
可在金属层叠层130上形成导电图案140(S140)。作为一个实例，形成导电图案140的步骤可包括在基板110的非光接收表面114上涂覆导电膏的步骤。可通过在基板110上执行喷墨印刷工艺来执行涂覆导电膏的步骤。作为一个实例，涂覆导电膏的步骤可包括使用喷墨印刷机选择性地印刷铜(Cu)和银(Ag)中的至少一种膏体的步骤。
同时，导电图案140可用作太阳能电池的电极。因此，可以优选的是，导电图案140由具有高导电性的金属材料制成。作为一个实例，导电图案140可为包含铜(Cu)的导电线。作为另一个实例，导电图案140可为包含银(Ag)的导电线。然而，导电图案140的材料并不限于上述材料，任何具有足够的用作太阳能电池电极的导电性的材料都可用作导电图案140的材料。
参照图2和图5，可在导电图案140上形成焊膏152(S150)。可通过在导电图案140的上表面142上选择性地涂覆导电膏来执行形成焊膏152的步骤。作为一个实例，可使用丝网印刷方法执行形成焊膏152的步骤。这里，可通过在导电图案140上涂覆包含锡(Sn)、银(Ag)和镍(Ni)中的至少一种的金属膏来执行涂覆导电膏的步骤。
参照图2和图6，可通过对焊膏152进行热处理在导电图案140上形成焊接层154(S160)。例如，可将焊膏152回流。因此，焊膏152可以熔化并扩散以选择性地覆盖导电图案140的上表面142。这里，焊膏152可以仅形成在上表面142上而同时与导电图案140的上表面142自对准。因此，焊接层154可形成为选择性共形地覆盖导电图案140的上表面142。
参照图2和图7，可通过使用焊接层154作为蚀刻停止层进行蚀刻处理以蚀刻图6中的金属层叠层130(S160)。蚀刻处理可为通过使用预定的蚀刻剂顺序蚀刻图6中的第二金属层134和图6中的第一金属层132的湿法蚀刻处理。此外，为了形成导电图案140，在金属层叠层130上形成金属籽层(未示出)的情况下，可增加蚀刻金属籽层的工艺。
同时，各种化学制品可用作蚀刻剂。例如，在第二金属层134为由钨化钛制成的层的情况下，可以将含有过氧化氢(H2O2)的蚀刻剂用作蚀刻第二金属层134的蚀刻剂。在第一金属层132为由铝制成的层的情况下，可以将含有氢氧化钾(KOH)的蚀刻剂用作蚀刻第一金属层132的蚀刻剂。此外，在形成金属籽层的情况下，可以将包括硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)和过氧化氢(H2O2)的蚀刻剂用作蚀刻金属籽层的蚀刻剂。
通过上述蚀刻工艺，可形成包括与基板110的N型杂质扩散区116a电接触的图案和与P型杂质扩散区116b电接触的图案的金属层叠图案130a。每个金属层叠图案130a可具有这样一个结构，在该结构中，顺序层叠通过蚀刻第一金属层132形成的第一金属图案132a和通过蚀刻第二金属层134形成的第二金属图案134a。
通过上述工艺，可在基板110的非光接收表面114上形成导电电极结构160(其由与N型杂质扩散区116a电接触的第一电极162和与P型杂质扩散区116b电接触的第二电极164组成)。这里，导电电极结构160可由顺序层叠在基板110的非光接收表面114上的金属层叠图案130a、导电图案140和焊接层154组成。
如上所述，根据本发明实施方式的制造太阳能电池的方法可形成接合至基板110的非光接收表面114的导电电极结构160，且可通过喷墨印刷方法形成导电电极结构160的导电图案140。因此，由于制造太阳能电池的方法通过喷墨印刷方法形成了导电电极结构160，所以与通过镀层处理形成导电电极结构的情况相比，可以简化制造工艺并降低制造成本。
此外，根据本发明实施方式的制造太阳能电池的方法可以通过喷墨印刷方法在基板110的非光接收表面114上形成导电图案140、在导电图案140的上表面142上形成焊膏152以及对焊膏152进行热处理以使得焊膏152选择性地覆盖上表面142而同时与上表面142自对准。因此，由于根据本发明实施方式的制造太阳能电池的方法通过将焊接层154与导电图案140的上表面142自对准而形成焊接层154，所以可以在具有凸起结构的导电图案140的上表面142上有效地形成焊接层154。
根据本发明的形成导电电极结构的方法可以通过喷墨印刷方法在基板上涂覆导电膏并对导电膏进行热处理而形成导电图案。因此，由于根据本发明的形成导电电极结构的方法可以通过喷墨印刷方法形成导电电极结构，所以与通过镀层处理形成导电图案的情况相比，可以简化制造工艺并降低制造成本。
根据本发明的太阳能电池可包括在基板的非光接收表面上形成的导电电极结构，且导电电极结构可包括通过喷墨印刷方法形成的导电图案和通过与导电图案的上表面自对准而形成的焊接层。因此，由于根据本发明的太阳能电池包括通过喷墨印刷方法形成的导电图案和通过与导电图案的上表面自对准而形成的焊接层，所以与通过镀层处理形成导电图案的情况相比，可以提供能够简化制造工艺并降低制造成本的结构。
根据本发明的制造太阳能电池的方法可形成接合至基板的非光接收表面的导电电极结构，而可通过喷墨印刷方法形成导电电极结构的导电图案。因此，由于根据本发明的制造太阳能电池的方法可通过喷墨印刷方法形成导电电极结构，所以与进行镀层处理的情况相比，可以简化制造工艺并降低制造成本。
前述的描述示出了本发明。此外，前述描述仅示出并说明了本发明的优选实施方式，但应理解的是，与上述教导和/或相关领域的技术或知识相匹配，本发明能够用于各种其他组合、修改和环境，且能够在本文中所表达的发明构思的范围内进行变化和修改。上文描述的实施方式意图进一步说明实践本发明的已知的最好方式，且能够使本领域的其他技术人员以这种或其他实施方式和本发明的特定应用或使用中所要求的各种修改来运用本发明。因此，描述并不是为了将本发明限制在这里所公开的形式。此外，本发明意在将所附权利要求解释为涵盖可选的实施方式。
Claims (25)
1.一种导电电极结构的形成方法，包括：
在基板上涂覆导电膏；
通过对所述导电膏进行热处理来形成具有向外凸起形状的导电图案；以及
形成焊接层以共形地覆盖所述导电图案。
2.根据权利要求1所述的导电电极结构的形成方法，其中，通过使用喷墨印刷方法来执行所述导电膏的涂覆。
3.根据权利要求1所述的导电电极结构的形成方法，其中，将包括铜(Cu)和银(Ag)中的至少一种的膏体用作所述导电膏。
4.根据权利要求1所述的导电电极结构的形成方法，其中，所述焊接层的形成包括：
在所述导电图案上涂覆焊膏；以及
对所述焊膏进行热处理。
5.根据权利要求4所述的导电电极结构的形成方法，其中，执行对所述焊膏的热处理以熔化所述焊膏，从而所述焊膏被形成为与所述导电图案的上表面自对准。
6.根据权利要求4所述的导电电极结构的形成方法，其中，通过使用喷墨印刷方法执行所述焊膏的涂覆，且对所述焊膏的热处理包括使所述焊膏回流。
7.根据权利要求1所述的导电电极结构的形成方法，还包括在所述基板和所述导电图案之间形成金属层叠图案，其中，所述金属层叠图案的形成包括：
在所述基板上形成第一金属层；以及
在所述第一金属层上形成第二金属层。
8.一种太阳能电池，包括：
基板，具有光接收表面、与所述光接收表面相对的非光接收表面和形成在所述非光接收表面上的PN杂质层；
绝缘图案，覆盖所述非光接收表面，并具有用于暴露所述PN杂质层的接触孔；以及
导电电极结构，设置在所述非光接收表面上，其中，所述导电电极结构包括：
金属层叠图案，通过所述接触孔接合至所述PN杂质层；
导电图案，覆盖所述金属层叠图案，且具有向外凸起形状；以及
焊接层，共形地覆盖所述导电图案。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，通过在所述基板上涂覆导电膏来形成所述导电图案。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述焊接层被形成为与所述导电图案的上表面自对准。
11.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述金属层叠图案包括：
第一金属层，接合至通过所述接触孔暴露的所述PN杂质层；以及
第二金属层，插入在所述第一金属层和所述导电图案之间。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述第一金属层为使所述导电图案与所述PN杂质层进行欧姆接触的层，且所述第二金属层为防止所述导电图案的金属离子扩散到所述基板中的扩散阻挡层。
13.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述PN杂质层包括：
N型杂质扩散区；以及
P型杂质扩散区，设置在除了所述N型杂质扩散区之外的区域中，且所述导电电极结构包括：
第一电极，通过所述接触孔电接合至所述N型杂质扩散区；以及
第二电极，通过所述接触孔电接合至所述P型杂质扩散区。
14.一种太阳能电池的制造方法，包括：
制备具有光接收表面和与所述光接收表面相对的非光接收表面的基板；
在所述基板的所述非光接收表面上形成PN杂质层；
形成绝缘图案以覆盖所述基板的所述非光接收表面；以及
在所述非光接收表面上形成导电电极结构，其中，所述导电电极结构的形成包括：
形成通过接触孔接合至所述PN杂质层的金属层叠图案；
形成覆盖所述金属层叠图案且具有向外凸起形状的导电图案；以及
形成焊接层以共形地覆盖所述导电图案。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述导电图案的形成包括：
在所述金属层叠图案上涂覆导电膏；以及
对所述导电膏进行热处理。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池的制造方法，其中，通过使用喷墨印刷方法来执行所述导电膏的涂覆。
17.根据权利要求15所述的太阳能电池的制造方法，其中，将铜膏和银膏中的至少一种用作所述导电膏。
18.根据权利要求14所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述焊接层的形成包括：
在所述导电图案上涂覆焊膏；以及
对所述焊膏进行热处理。
19.根据权利要求18所述的太阳能电池的制造方法，其中，执行对所述焊膏的热处理以熔化所述焊膏，从而所述焊膏被形成为与所述导电图案的上表面自对准。
20.根据权利要求18所述的太阳能电池的制造方法，其中，通过使用丝网印刷方法来执行所述焊膏的涂覆，且对所述焊膏的热处理包括使所述焊膏回流。
21.根据权利要求20所述的太阳能电池的制造方法，其中将包括锡(Sn)、银(Ag)和镍(Ni)中的至少一种的膏体用作所述焊膏。
22.根据权利要求14所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述金属层叠图案的形成包括：
形成覆盖所述非光接收表面而同时填充所述接触孔的第一金属层；以及
在所述第一金属层上形成第二金属层。
23.根据权利要求22所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述第一金属层的形成包括在所述非光接收表面上沉积铝层，且所述第二金属层的形成包括在所述非光接收表面上沉积钨化钛层。
24.根据权利要求14所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述基板的制备包括制备N型半导体基板，且所述PN杂质层的形成包括将P型半导体杂质离子注入所述N型半导体基板。
25.根据权利要求14所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述基板的制备包括制备具有透光性的透明板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100088949A KR20120026813A (ko) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | 도전성 전극 구조물의 형성 방법 및 이를 포함하는 태양 전지의 제조 방법, 그리고 상기 태양 전지의 제조 방법에 의해 제조된 태양 전지 |
| KR10-2010-0088949 | 2010-09-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102403401A true CN102403401A (zh) | 2012-04-04 |
Family
ID=45756344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011102682919A Pending CN102403401A (zh) | 2010-09-10 | 2011-09-09 | 导电电极结构的形成方法、太阳能电池及其制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120060912A1 (zh) |
| JP (1) | JP2012060123A (zh) |
| KR (1) | KR20120026813A (zh) |
| CN (1) | CN102403401A (zh) |
| DE (1) | DE102011112046A1 (zh) |
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- 2011-09-01 DE DE102011112046A patent/DE102011112046A1/de not_active Ceased
- 2011-09-06 JP JP2011193612A patent/JP2012060123A/ja active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012060123A (ja) | 2012-03-22 |
| US20120060912A1 (en) | 2012-03-15 |
| KR20120026813A (ko) | 2012-03-20 |
| DE102011112046A1 (de) | 2012-03-15 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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