JP2008294209A - 太陽電池基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、発電効率を維持したまま、シリコン基板に対するアルミニウムの浸食を緩和することができ、欠陥発生率を低減させることができる太陽電池基板の製造方法を得ることを目的とするものである。
【解決手段】スクリーン印刷によって、酸化シリコン膜４の開口４ａの周縁部を覆うように、アルミニウムペーストが開口４ａ内に充填され、アルミニウム含有層７が形成される。アルミニウム含有層７が乾燥されると、アルミニウムペーストと同一の印刷パターンのスクリーン印刷によって、アルミニウム含有層７の反シリコン基板１側の面に、シリコンペーストが印刷され、シリコン含有層８が形成される。アルミニウム含有層７とシリコン含有層８とによって、第２面側電極５を形成するための電極形成用積層体９が構成されている。
【選択図】図６

Description

この発明は、光入射面に対する裏面にパッシベーション膜と複数の電極とが設けられた太陽電池基板の製造方法に関するものである。

一般的な太陽電池セルにおいて、シリコン基板は、光入射面となる基板第１面と、その基板第１面に対する裏面である基板第２面とを有している。シリコン基板の基板第１面側は、Ｎ＋層を構成しており、シリコン基板の基板第２面側は、Ｐ層を構成している。この基板第２面の表面のほぼ全面には、アルミニウムペーストが焼き付けられており、このアルミニウムペーストによって第２面側電極（裏面電極）が形成されている。また、アルミニウムペーストの焼き付け時にシリコン基板内へのアルミニウム拡散が生じることによって、基板第２面の表層箇所に、ＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ；裏面電界）層が形成されている。このＢＳＦ層は、Ｐ＋層を構成しており、このＢＳＦ層とＰ層との間には、電位勾配（電位障壁）が生じる。この電位勾配によって、光電変換時に生じた少数キャリアがＮ＋層へ追い返されて、少数キャリアの再結合が抑制され、発電効率の向上が図られている。

また、上記のような太陽電池セルに対して、従来の光電変換装置では、基板第２面の表面全体がパッシベーション膜によって覆われており、そのパッシベーション膜を貫通する複数の点状（ドット状、ポイント状）の電極が基板第２面に接合されている。基板第２面の電極との接合部（コンタクト部）の表層箇所には、ＢＳＦ層が形成されており、このような構成によって、再結合の抑制作用がより高められ、さらなる発電効率の向上が図られている（例えば、特許文献１参照）。

次に、上記のような従来の光電変換装置の製造工程について説明する。まず、シリコン基板の基板第２面がパッシベーション膜によって覆われ、そのパッシベーション膜の一部が除去されて、パッシベーション膜に点状の複数の開口が空けられる。そして、パッシベーション膜の開口を覆うようにアルミニウムペーストが印刷される。このアルミニウムペーストは、開口を通して基板第２面に接しており、そのアルミニウムペーストが焼成されることにより、アルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）合金の粒状焼結体からなる第２面側電極が形成されるとともに、基板第２面の第２面側電極との接合部（コンタクト部）の表層箇所にＢＳＦ層が形成される。なお、第１面側電極に関する製造工程は、一般的な太陽電池セルの製造工程と同様であり、反射防止膜と電極用金属ペーストとが基板第１面に塗布されることによって形成される。

特開平５−１１０１２２号公報

ここで、上記のような従来の光電変換装置では、理論上、焼成時の工程で、溶解したアルミニウムペーストによって基板第２面のシリコンが溶解され、アルミニウムとシリコンとが合金化されるとともに、シリコン基板中にアルミニウムが拡散し、ＢＳＦ層が形成される。しかしながら、実際には、焼成時の工程で、基板第２面におけるパッシベーション膜の開口領域で、シリコンの溶解が集中的に生じ、シリコン基板に対するアルミニウムの浸食量が多くなり、ボイド発生等の欠陥が生じてしまう。なお、この欠陥の程度は、アルミニウムペーストの印刷範囲の大きさ、厚さによっても変化する。

このような浸食現象についてより具体的に説明する。アルミニウム−シリコン合金では、Ａｌ−１２重量％Ｓｉ組成で、単独の物質の融点よりも合金の融点が低下する共晶組成となる。アルミニウム−シリコン合金の原料として純アルミニウムのペーストを用いた場合、焼成時にアルミニウムがシリコン基板内に拡散することにより、シリコン基板のアルミニウムとの接触部で融点の低下が生じ、相互の溶解が生じる。そして、最終的に、アルミニウムペーストの印刷範囲の全域でアルミニウム−シリコン合金が組成される。このアルミニウム−シリコン合金組成は、当初のアルミニウム１００％から共晶組成に向けて組成変化が生じるが、このときの共晶用のシリコンは全てシリコン基板側から供給される。

ここで、アルミニウムペーストとシリコン基板とが全面で接触していれば、シリコン供給部の面積が大きく、シリコン基板の基板単位面積当たりの溶解量は少ない。つまり、基板第２面の開口箇所でのシリコンの集中的な溶解は生じにくくなる。しかしながら、上記のような従来の光電変換装置では、基板第２面の表面がパッシベーション膜によって覆われているため、基板第２面のパッシベーション膜によって覆われた箇所では、シリコンの溶解が生じず、シリコンの溶解がパッシベーション膜の開口領域のみで生じることとなる。これに加えて、点状電極の印刷時に、印刷精度の問題から、開口領域よりも大きく、アルミニウムペーストのパターンがパッシベーション膜上に印刷される。そして、このアルミニウムペーストの焼成時に、アルミニウム−シリコン合金が形成されるが、シリコンの供給領域がパッシベーション膜の開口領域のみでるため、シリコンの供給領域よりも大きな面積・体積を持つアルミニウムペーストに向けて、シリコンが溶け出すこととなり、シリコンが局所的に溶解してしまい、欠陥が発生しやすくなる。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、シリコン基板に対するアルミニウムの浸食を緩和することができ、欠陥発生率を低減させることができる太陽電池基板の製造方法を得ることを目的とする。

この発明に係る太陽電池用電極の製造方法は、光入射面でありかつＮ＋層の表層面である基板第１面と、基板第１面に対する裏面でありかつＰ層の表層面である基板第２面とを有するシリコン基板、基板第２面を覆うように設けられ、複数の開口が互いに間隔をおいて空けられたパッシベーション膜、及び開口を通して基板第２面に接合された第２面側電極を備えた太陽電池基板の製造方法であって、基板第２面にパッシベーション膜を覆うように設けてパッシベーション膜に開口を空けるステップ、アルミニウムを含有するアルミニウム含有層とシリコンを含有するシリコン含有層とをパッシベーション膜の厚さ方向に積層してなる電極形成用積層体を、開口を通して基板第２面に接合させて形成するステップ、及び電極形成用積層体を焼成することにより、第２面側電極を形成するとともに、基板第２面の第２面側電極との接合部の表層箇所に、Ｐ層との間で電位障壁を成すＰ＋層を形成するステップを含むものである。

この発明の太陽電池用電極の製造方法は、アルミニウム含有層とシリコン含有層とをパッシベーション膜の厚さ方向に積層してなる電極形成用積層体を、開口を通して基板第２面に接合させて形成するので、電極形成用積層体の焼成時に、第２面側電極用のシリコンがシリコン含有層から供給されることにより、シリコン基板に対するアルミニウムの浸食を緩和することができ、欠陥発生率を低減させることができる。

以下、この発明を実施するための最良の形態について、図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による太陽電池基板を示す断面図である。
図において、多結晶シリコンからなるシリコン基板１は、光入射面となる基板第１面１ａと、その裏面である基板第２面１ｂとを有している。シリコン基板１の基板第１面１ａ側は、Ｎ＋層となっており、基板第１面１ａは、Ｎ＋層の表層面を構成している。シリコン基板１の基板第２面１ｂ側は、Ｐ層となっており、基板第２面１ｂは、Ｐ層の表層面を構成している。基板第１面１ａは、反射防止膜２によって覆われている。また、基板第１面１ａには、例えば銀からなる複数の第１電極３が設けられている。

基板第２面１ｂの全面は、パッシベーション膜としての酸化シリコン膜４によって覆われている。酸化シリコン膜４には、複数の開口４ａが互いに間隔をおいて設けられている。また、酸化シリコン膜４の反シリコン基板１側の面は、各開口４ａを囲む複数の膜側開口周縁部４ｂを有している。基板第２面１ｂにおける酸化シリコン膜４の開口４ａによって露出された箇所は、基板側接合部（コンタクト部）１ｃとなっている。第２面側接合部１ｃには、各開口４ａを通して複数の第２面側電極５が接合されている。第２面側電極５は、アルミニウム−シリコン合金を含有している。第２面側接合部１ｃの表層箇所には、アルミニウム−シリコン合金を含有する基板側合金層１ｃが形成されている。また、シリコン基板１内の基板側合金層１ｃの周囲には、Ｐ＋層となるＢＳＦ層１ｅが形成されている。

次に、上記のような太陽電池基板の製造工程について説明する。図２〜７は、太陽電池基板の製造工程の一部を説明するための断面図である。なお、図２〜７では、図１のシリコン基板１を上下反転させた状態で示す。図２に示すように、基板第２面１ｂの表面に、プラズマＣＶＤにより３００℃で、厚さ約１００ｎｍの酸化シリコン膜４が形成されて、図３に示すように、ホトリソグラフィにより、直径５０μｍ、ピッチ５００μｍの抜きパターンのレジスト６が酸化シリコン膜４の反基板第１面１ａ側に形成される。そして、このシリコン基板１が１０％フッ酸水溶液で室温にて３０秒〜３分間エッチングされて、レジスト６の抜きパターン（抜きマスク）とともに酸化シリコン膜４の一部が除去される。これによって、図４に示すように、酸化シリコン膜４に複数の開口４ａが形成される。

酸化シリコン膜４に開口４ａが形成されると、図５に示すように、レジスト６が除去されて、図６に示すように、スクリーン印刷によって、直径１５０μｍの点状パターンで、膜側開口周縁部４ｂを覆うように、アルミニウムペーストが開口４ａ内に充填され、アルミニウム含有層（アルミニウム主成分層）７が形成される。このアルミニウム含有層７の乾燥印刷厚（図６における開口４ａの周縁部側に接する下面から上面までの間の厚さ）は、約２５μｍとなるように印刷される。そして、アルミニウム含有層７が形成されると、アルミニウム含有層７が８０℃にて３０分間乾燥される。ここで、印刷用のスクリーンには、２００メッシュのものが用いられる。また、アルミニウムペーストには、直径３〜５μｍ程度の平均的な粒子サイズを有するアルミニウム粉末を主成分とするペースト（市販のペースト）が用いられ、ペースト全重量に対するアルミニウム粒子の重量比が約７０重量％となっている。

アルミニウム含有層７が乾燥されると、アルミニウムペーストと同一の印刷パターンのスクリーン印刷によって、アルミニウム含有層７の反シリコン基板１側の面（図６における上面）に、シリコンペーストが印刷され、乾燥印刷厚が例えば１２μｍ程度となるように、シリコン含有層８が形成される。そして、シリコン含有層８が８０℃にて３０分間乾燥され、アルミニウム含有層７とシリコン含有層８とによって、第２面側電極５を形成するための電極形成用積層体９が構成されている。ここで、シリコンペーストには、直径１〜２μｍ程度の平均的な粒子サイズを平均的に有するシリコン粉末を含有するペーストが用いられ、ペースト全重量に対するシリコン粒子の重量比が７０〜７２重量％となっている。また、シリコンペースト中のその他の含有物は、無機バインダー、溶剤、分散剤及び潤滑剤となっており、シリコンペーストは、これらのものとシリコン粉末とが自動乳鉢によって混練されて作製されたものである。

シリコン含有層８が乾燥されると、８５０℃のランプ加熱炉によって、太陽電池基板の全体が２０秒間加熱され、アルミニウム含有層７とシリコン含有層８とが焼成される。この焼成によって、アルミニウム含有層７とシリコン含有層８とが相互に溶融し、合金化反応が生じて、第２面側電極５が形成される。また、焼成によって、アルミニウム含有層７の一部が基板第２面１ｂ側に溶け出すとともに、基板第２面１ｂの開口４ａとの隣接箇所のシリコンが溶解することによって、基板第２面１ｂの開口４ａとの隣接箇所の表層部に、基板側合金層１ｃが形成され、シリコン基板１内の基板側合金層１ｃの周囲に、アルミニウムが拡散することによって、ＢＳＦ層１ｄが形成される。そして、基板第１面１ａに反射防止膜２と第１電極３とが形成されて、図１に示すような太陽電池基板が製造される。

ここで、スクリーン印刷時の位置合わせ精度及び位置ずれについて説明する。スクリーンパターンの開口４ａに対する位置合わせ精度は、印刷装置によっても異なるが、一般的には数十μｍ程度の位置ズレが生じてしまう。このため、開口４ａを覆うためには、実用上、開口４ａの直径サイズよりも数十μｍ大きな直径を用いた印刷パターンが必要となり、印刷パターンが直径１５０μｍの点状パターンとなっている。また、アルミニウム含有層７及びシリコン含有層８の印刷時に、同一パターンでの印刷であるが、２回に分けて印刷することにより、位置合わせ誤差による位置ずれが生じる可能性があるが、通常のプロセス範囲の位置ずれであれば問題はない。

上記のような太陽電池基板の製造方法では、アルミニウム含有層７とシリコン含有層８とを酸化シリコン膜４の厚さ方向に積層してなる電極形成用積層体９を、酸化シリコン膜４の反シリコン基板１側から開口４ａを通して、第２面側接合部１ｃに接合させて形成するので、電極形成用積層体９の焼成時に、第２面側電極５の形成用のシリコンがシリコン含有層８から供給され、シリコン基板１に対するアルミニウムの浸食を緩和することができ、欠陥発生率を低減させることができる。

また、アルミニウム含有層７が開口４ａ内の空間を埋めるように第２面側接合部１ｃに直接接して形成されているので、シリコン含有層８の印刷時に位置ずれが生じた場合であっても、第２面側接合部１ｃにシリコンペーストがはみ出ることがなく、電極形成用積層体９の焼成時に、第２面側接合部１ｃの表層箇所にアルミニウムを安定して拡散させて、ＢＳＦ層１ｅを形成することができ、安定した焼成効果を得ることができる。

ここで、製造した太陽電池基板の第２面側接合部（裏面電極コンタクト部）１ｃでの断面観察により、シリコン基板１へのアルミニウムの最大浸食量、ボイド欠陥の有無、及び点状電極間の抵抗値を測定した。図８は、実施の形態１による太陽電池基板の各種測定結果を説明するための説明図である。なお、図８では、印刷条件と一部スクリーン仕様とを変えて、シリコン含有層８の印刷厚さをそれぞれ１２，８，５，１５μｍに設定したものをサンプル１〜４として示す。さらに、図８では、従来の光電変換装置の製造方法により製造された太陽電池基板をサンプル５として示す。

図８において、サンプル５の太陽電池基板では、シリコン基板への浸食量が大きく、ボイド欠陥が発生しているが、実施例の各太陽電池基板では、いずれも浸食量が低下し、基板浸食が抑えられ、ボイド発生も見られない。また、欠陥の減少によって、実施例の電極間の抵抗値（この抵抗値自体には特性的に具体的な意味は無い）が比較例の抵抗値に比べて小さくなっている。これにより、良好な電気的接続が得られていると判断できる。

なお、実施の形態１では、シリコン含有層８の乾燥印刷厚が５〜１５μｍとなるように設定されていたが、これらの例や印刷プロセスに制限されるものではなく、シリコン含有層の乾燥印刷厚（印刷ペースト厚）は、適宜決定することができる。このシリコン含有層の乾燥印刷厚を調整することにより、最終的な第２面側電極の組成を調整することが可能であり、基板への浸食量を制御することが可能である。

また、実施の形態１では、アルミニウム含有層７の乾燥印刷厚が２５μｍとなるように設定されていたが、アルミニウム含有層の乾燥印刷厚は、２５〜３０μｍ程度が良好な値となっており、この範囲内であればよい。

実施の形態２．
次に、この発明の実施の形態２について説明する。図９，１０は、実施の形態２による太陽電池基板の製造工程の一部を説明するための断面図である。実施の形態１では、アルミニウム含有層７の反シリコン基板１側の端面にシリコン含有層８が積層されて形成されたが、実施の形態２では、シリコン含有層８が膜側開口周縁部４ｂに接合しかつ第２面側接合部１ｃに接合するように形成され、乾燥印刷厚約１０μｍとなるように、直径１５０μｍの点状パターンで印刷される。また、実施の形態２のアルミニウム含有層７は、シリコン含有層８の反シリコン基板１側の端面に接合するように積層されて形成され、乾燥印刷厚約２５〜３０μｍとなるように、シリコン含有層８と同一の印刷パターンで印刷される。さらに、実施の形態２では、基板側合金層１ｃが実施の形態１のものよりも薄くなっている。他の製造工程及び製造条件は、実施の形態１と同様である。

上記のような太陽電池基板の製造方法では、シリコン含有層８が第２面側接合部１ｃに接合するように形成される場合であっても、電極形成用積層体９の焼成時に、第２面側電極５の形成用のシリコンがシリコン含有層８から供給され、シリコン基板１に対するアルミニウムの浸食を緩和することができ、欠陥発生率を低減させることができる。

ここで、上記のような製造工程により製造された太陽電池基板について、実施の形態１と同様に測定した結果、基板浸食深さが０〜５μｍとなっており、場所によるばらつきが生じていた。また、ボイド欠陥の発生は無く、電極間の抵抗値は４５０Ωであった。つまり、ボイド欠陥は発生していないが、実施の形態１の製造方法により製造されたものに比べて、電極間の抵抗値が高めになっていた。

実施の形態３．
次に、この発明の実施の形態３について説明する。図１１，１２は、実施の形態３による太陽電池基板の製造工程の一部を説明するための断面図である。実施の形態１では、アルミニウム含有層７の反シリコン基板１側の端面にシリコン含有層８が積層されて形成されたが、実施の形態３では、シリコン含有層８が酸化シリコン膜４の膜側開口周縁部４ｂに開口４ａを囲むように形成され、乾燥印刷厚約１０μｍで印刷される。また、実施の形態３のアルミニウム含有層７は、シリコン含有層８の反シリコン基板１側の端面と第２面側接合部１ｃとに接合するように形成され、印刷乾燥厚約３０μｍで印刷される。

ここで、アルミニウム含有層７とシリコン含有層８とからなる電極形成用積層体９の焼成時に、理想的に、酸化シリコン膜４の反シリコン基板１側の面（図中上面）の上方で、アルミニウムとシリコンとの合金化、及び電極強度確保がなされ、酸化シリコン膜４の開口４ａ内では、合金化及び電極強度確保に加えて、シリコン基板１との適度な反応、及びアルミニウムの溶解とシリコン基板１内へのアルミニウムの拡散とが生じる。

ここで、実施の形態３では、シリコン含有層８が形成されてから、アルミニウム含有層７が形成されることにより、パッシベーション膜４の反シリコン基板１側の端面（下地）と、第２面側接合部１ｃとの間の段差が実施の形態１，２のものよりも大きくなる。このため、アルミニウム含有層７の形成時には、段差を埋めて、印刷欠陥が生じないように厚く形成する必要があり、場合によっては、メタルマスクや多重印刷によって、アルミニウム含有層７を形成してもよい。他の製造工程及び製造条件は、実施の形態１と同様である。

上記のような太陽電池基板の製造方法では、開口４ａでアルミニウム含有層７とシリコン基板１とが直接接しているので、電極形成用積層体９の焼成時のアルミニウム拡散と電極形成を効率よく行うことができる。これとともに、電極形成用積層体９の焼成時に、シリコン含有層８と、そのシリコン含有層８の上方のアルミニウム含有層７とに合金化反応が生じることにより、シリコン基板１からのシリコンの供給量を抑制することができる。

ここで、上記のような製造工程により製造された太陽電池基板について、実施の形態１と同様に測定した結果、基板浸食深さが８〜１２μｍとなっており、ボイド欠陥の発生は無く、電極間の抵抗値は２３０Ωであった。つまり、各測定内容が実施の形態１の製造方法により製造されたものとほぼ同等の内容となっている。

なお、実施の形態３では、シリコン含有層８の印刷乾燥厚が３μｍ以下であれば、第２面側接合部１ｃにはみ出してもよい。この場合、シリコン含有層８が第２面側接合部１ｃにはみ出していないものと比べて、性能上の劣化が少なくなっている。

実施の形態１〜３では、製造工程における低コスト化の観点から、アルミニウム含有層７及びシリコン含有層８の形成方法としてスクリーン印刷法を用いたが、アルミニウム含有層７及びシリコン含有層８の形成方法は、スクリーン印刷法に限るものではなく、スパッタ法等の物理蒸着法や化学蒸着法（気相蒸着法）を用いてもよい。物理蒸着法や化学蒸着法を用いた場合、スクリーン印刷法に比べて、アルミニウム含有層７及びシリコン含有層８の形成精度を大幅に向上させることができる。また、物理蒸着法や化学蒸着法を用いた場合、シリコン含有層８の単位体積あたりのシリコン粒子の含有量を、スクリーン印刷法を用いたものよりも多くすることができる。

また、実施の形態１〜３では、シリコン基板１が多結晶シリコンにより形成されていたが、シリコン基板が単結晶シリコンにより形成されてもよい。

さらに、実施の形態１〜３では、基板第２面側電極５の形状が点状（ドット状）となっていたが、基板第２面側電極５の形状は、点状に限るものではなく、基板第２面側の反シリコン基板側の端面（電極自由表面）が電極のシリコン基板との接合面よりも大きい形状であれば、本発明を適用することができる。

この発明の実施の形態１による太陽電池基板を示す断面図である。 図１の太陽電池基板の製造工程の一部を説明するための断面図である。 図１の太陽電池基板の製造工程の一部を説明するための断面図である。 図１の太陽電池基板の製造工程の一部を説明するための断面図である。 図１の太陽電池基板の製造工程の一部を説明するための断面図である。 図１の太陽電池基板の製造工程の一部を説明するための断面図である。 図１の太陽電池基板の製造工程の一部を説明するための断面図である。 この発明の実施の形態１による太陽電池基板の製造方法の効果を説明するための説明図である。 この発明の実施の形態２による太陽電池基板の製造工程の一部を示す断面図である。 この発明の実施の形態２による太陽電池基板の製造工程の一部を示す断面図である。 この発明の実施の形態３による太陽電池基板の製造工程の一部を示す断面図である。 この発明の実施の形態３による太陽電池基板の製造工程の一部を示す断面図である。

符号の説明

１ シリコン基板、１ａ 基板第１面、１ｂ 基板第２面、１ｃ 第２面側接合部、１ｅ ＢＳＦ層（Ｐ＋層）、４ 酸化シリコン膜（パッシベーション膜）、４ａ 開口、４ｂ 膜側開口周縁部、５ 第２面側電極、７ アルミニウム含有層、８ シリコン含有層、９ 電極形成用積層体。

Claims (4)

1. 光入射面でありかつＮ＋層の表層面である基板第１面と、上記基板第１面に対する裏面でありかつＰ層の表層面である基板第２面とを有するシリコン基板、上記基板第２面を覆うように設けられ、複数の開口が互いに間隔をおいて空けられたパッシベーション膜、及び上記開口を通して上記基板第２面に接合された第２面側電極を備えた太陽電池基板の製造方法であって、
   上記基板第２面に上記パッシベーション膜を覆うように設けて上記パッシベーション膜に上記開口を空けるステップ、
   アルミニウムを含有するアルミニウム含有層とシリコンを含有するシリコン含有層とを上記パッシベーション膜の厚さ方向に積層してなる電極形成用積層体を、上記開口を通して上記基板第２面に接合させて形成するステップ、及び
   上記電極形成用積層体を焼成することにより、上記第２面側電極を形成するとともに、上記基板第２面の上記第２面側電極との接合部の表層箇所に、上記Ｐ層との間で電位障壁を成すＰ＋層を形成するステップ
   を含んでいることを特徴とする太陽電池基板の製造方法。
2. 上記パッシベーション膜に上記開口を空けるステップの後に、上記アルミニウム含有層を、上記パッシベーション膜の反シリコン基板側の面の開口周縁部に接合させるとともに、上記開口を通して上記基板第２面に接合させて形成するステップと、
   上記アルミニウム含有層の反シリコン基板側の端面に接合させて上記シリコン含有層を形成し、上記電極形成用積層体を形成するステップと
   をさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の太陽電池基板の製造方法。
3. 上記パッシベーション膜に上記開口を空けるステップの後に、上記シリコン層を、上記パッシベーション膜の反シリコン基板側の面の開口周縁部に接合させるとともに、上記開口を通して上記基板第２面に接合させて形成するステップと、
   上記シリコン含有層の反シリコン基板側の端面に接合するように上記アルミニウム含有層を形成し、上記電極形成用積層体を形成するステップと
   をさらに含んでいる特徴とする請求項１記載の太陽電池基板の製造方法。
4. 上記パッシベーション膜に上記開口を空けるステップの後に、上記パッシベーション膜の反シリコン基板側の面の開口周縁部に接合させて上記シリコン層を形成するステップ、
   上記アルミニウム層を、上記シリコン含有層の反シリコン基板側の端面に接合させるとともに、上記開口を通して上記基板第２面に接合させて形成し、上記電極形成用積層体を形成するステップ
   をさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の太陽電池基板の製造方法。

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