CN102384405A - 液晶显示装置背光源用led光源装置和液晶显示装置 - Google Patents

液晶显示装置背光源用led光源装置和液晶显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102384405A
CN102384405A CN2011102536378A CN201110253637A CN102384405A CN 102384405 A CN102384405 A CN 102384405A CN 2011102536378 A CN2011102536378 A CN 2011102536378A CN 201110253637 A CN201110253637 A CN 201110253637A CN 102384405 A CN102384405 A CN 102384405A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light source
liquid crystal
led light
source device
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011102536378A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102384405B (zh
Inventor
田沼裕辉
堀尾友春
三轮忠稔
田尻浩之
山出琢巳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of CN102384405A publication Critical patent/CN102384405A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102384405B publication Critical patent/CN102384405B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G02B6/0031—Reflecting element, sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0068—Arrangements of plural sources, e.g. multi-colour light sources
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0081—Mechanical or electrical aspects of the light guide and light source in the lighting device peculiar to the adaptation to planar light guides, e.g. concerning packaging
    • G02B6/0083—Details of electrical connections of light sources to drivers, circuit boards, or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/017—Glass ceramic coating, e.g. formed on inorganic substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种液晶显示装置背光源用的LED光源装置(A1)，包括：多个LED芯片(2)；基板(1)；和覆盖基板(1)的主面(11)的金属膜(3)，多个LED芯片(2)安装于金属膜(3)。由此，能够实现LED光源装置(A1)的亮度提高。

Description

液晶显示装置背光源用LED光源装置和液晶显示装置
技术领域
本发明涉及具备LED芯片的液晶显示装置背光源用LED光源装置和液晶显示装置。
背景技术
图84表示现有的LED光源装置的一例(例如，参照日本特开2007-123130号公报)。该图所示的LED光源装置900内置有LED芯片(省略图示)，发出例如白色光。LED光源装置900作为液晶显示装置的背光源的光源使用。上述背光源包括LED光源装置900和导光板90。导光板90由例如透明的聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂形成，具有入射面91。LED光源装置900配置于与入射面91正对的位置。来自LED光源装置900的光在从入射面91入射以后，通过未图示的槽等反射单元，向导光板90的厚度方向反射。利用液晶面板(省略图示)使该光选择性地透过，由此形成液晶显示装置的图像。
但是，为了提高上述液晶显示装置的画质，要求提高来自LED光源装置900的光的亮度。为了提高LED光源装置900的亮度，需要提高使来自上述LED芯片的光从LED光源装置900出射的效率。因此，缩小在LED光源装置900内被吸收掉的光的比例是很重要的，在LED光源装置900中，尚有改善的余地。
发明内容
本发明是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于提供一种能够实现亮度提高的液晶显示装置背光源用LED光源装置和使用该装置的液晶显示装置。
本发明第一方面提供的液晶显示装置背光源用LED光源装置，包括：多个LED芯片；基板；和覆盖上述基板的主面的金属膜，上述多个LED芯片安装在上述金属膜上。
在本发明优选的实施方式中，上述基板由陶瓷构成。
在本发明优选的实施方式中，上述金属膜至少最外层包括Al层。
在本发明优选的实施方式中，上述金属膜还包括位于上述Al层的至少一部分和上述基板之间的AgPt层。
在本发明优选的实施方式中，上述金属膜仅包括AgPt层。
在本发明优选的实施方式中，上述AgPt层是在印刷了含有Ag和Pt的糊剂以后通过将该糊剂烧成而形成的。
在本发明优选的实施方式中，上述Al层通过溅射而形成。
在本发明优选的实施方式中，还具备位于上述金属膜和上述基板之间的玻璃层。
在本发明优选的实施方式中，在上述玻璃层设置有在从上述基板的厚度方向观看时内包上述LED芯片的窗部。
在本发明优选的实施方式中，上述玻璃层具有倾斜面，上述倾斜面与上述窗部的边缘连接，并且以距上述LED芯片越远，距上述基板的主面在其法线方向上越远的方式倾斜。
在本发明优选的实施方式中，上述倾斜面呈包围上述LED芯片的框状。
在本发明优选的实施方式中，上述玻璃层是在印刷了含有玻璃的糊剂以后通过将该糊剂烧成而形成的。
在本发明优选的实施方式中，还具备包围上述LED芯片的框状的反射器。
在本发明优选的实施方式中，上述反射器由白色树脂构成。
在本发明优选的实施方式中，在上述反射器包围的空间内填充有覆盖上述LED芯片的透光树脂。
在本发明优选的实施方式中，在上述透光树脂中混入有荧光材料。
在本发明优选的实施方式中，上述基板为长条形(长矩形)，上述多个LED芯片沿上述基板的长度方向排列。
在本发明优选的实施方式中，上述金属膜包括：在靠近上述基板的宽度方向一端的位置，沿上述基板的长度方向延伸的公共带状部；和一个以上的岛状组，各上述岛状组由多个岛状部构成，与上述公共带状部平行地排列，并且在上述长度方向上位于最端部的岛状部与上述公共带状部导通，上述多个LED芯片分别安装于上述多个岛状部。
在本发明优选的实施方式中，上述金属膜包括：设置在靠近上述基板的长度方向一端的位置的连接端子部；沿上述公共带状部排列在上述长度方向上的两个上述岛状组；和联络带状部，上述联络带状部在上述基板的宽度方向上隔着上述岛状组配置在上述公共带状部的相反侧，沿上述长度方向从上述连接端子部延伸，并且与上述两个岛状组中距上述连接端子部远的岛状组所包含的上述多个岛状部中的最接近上述连接端子部的岛状部导通。
本发明的第二方面提供的液晶显示装置，包括：本发明的第一方面提供的液晶显示装置背光源用LED光源装置；导光部件，整体大致呈板状，具有：沿厚度方向扩展，并且与上述液晶显示装置背光源用LED光源装置正对的入射面；沿与上述厚度方向垂直的方向扩展，并且将从上述入射面行进来的光向上述厚度方向反射的反射面；和与上述反射面在上述厚度方向上分离，并且将从上述反射面行进来的光射出的出射面；以及通过使从上述出射面出射的光选择性地透过来形成图像的液晶面板。
本发明的第三方面提供的液晶显示装置背光源用LED光源装置，包括：多个LED芯片；具备安装有上述多个LED芯片的主面的基板；和反射器，安装在上述基板上，形成有具有分别包围上述多个LED芯片的内表面的多个开口。
在本发明优选的实施方式中，上述内表面以在上述主面的法线方向上距上述主面越远，在与上述主面垂直的方向上距上述LED芯片越远的方式倾斜。
在本发明优选的实施方式中，上述开口在俯视时为矩形。
在本发明优选的实施方式中，上述基板为长条形，上述多个LED芯片沿上述基板的长度方向配置成列状。
在本发明优选的实施方式中，上述反射器具有位于相邻的上述开口之间并且截面积部分地缩小的小截面部。
在本发明优选的实施方式中，上述小截面部通过形成从上述反射器中的位于上述基板的相反侧的面凹陷的凹部而构成。
在本发明优选的实施方式中，上述小截面部通过形成从上述反射器中的位于上述基板侧的面凹陷的凹部而构成。
在本发明优选的实施方式中，上述小截面部通过形成从上述反射器中的朝向宽度方向的侧面凹陷的凹部而构成。
在本发明优选的实施方式中，上述反射器由白色树脂构成。
在本发明优选的实施方式中，上述白色树脂为液晶聚合物或聚对苯二甲酸丁二醇酯。
在本发明优选的实施方式中，上述LED芯片具有由Si构成的子安装基板和搭载于该子安装基板的半导体层，并且以使上述子安装基板位于上述基板侧的方式安装，上述液晶显示装置背光源用LED光源装置具备不透明树脂，上述不透明树脂将朝向与上述主面的法线方向垂直的方向的上述子安装基板的侧面的至少一部分覆盖，并且由反射率比上述子安装基板高的材质构成。
在本发明优选的实施方式中，上述不透明树脂覆盖上述子安装基板的整个上述侧面。
在本发明优选的实施方式中，上述不透明树脂使上述半导体层全部露出。
在本发明优选的实施方式中，在俯视时，上述不透明树脂将上述反射器的由上述开口包围的区域中的除了上述子安装基板以外的部分覆盖。
在本发明优选的实施方式中，上述不透明树脂为白色。
在本发明优选的实施方式中，还具备透光树脂，上述透光树脂叠层在上述不透明树脂上，并覆盖上述半导体层，并且具有包含荧光体材料的荧光部，上述荧光体材料通过由来自上述半导体层的光激励而发出与来自上述半导体层的光不同的光。
在本发明优选的实施方式中，上述透光树脂具有透明部，所述透明部存在于上述荧光部和上述不透明树脂之间，并且不含有上述荧光体材料。
在本发明优选的实施方式中，在上述子安装基板上，安装有用于避免对上述半导体层施加过大的反向电压的齐纳二极管。
在本发明优选的实施方式中，还具备安装在与上述LED芯片相邻的位置，用于避免对上述半导体层施加过大的反向电压的齐纳二极管，上述齐纳二极管由上述不透明树脂覆盖。
在本发明优选的实施方式中，具备覆盖上述基板的上述主面的金属膜，上述多个LED芯片安装在上述金属膜上。
在本发明优选的实施方式中，上述基板由陶瓷构成。
在本发明优选的实施方式中，上述金属膜至少最外层包括Al层。
在本发明优选的实施方式中，上述金属膜还包括位于上述Al层的至少一部分和上述基板之间的AgPt层。
在本发明优选的实施方式中，上述金属膜仅包括AgPt层。
在本发明优选的实施方式中，上述AgPt层是在印刷了含有Ag和Pt的糊剂以后通过将该糊剂烧成而形成的。
在本发明优选的实施方式中，上述Al层通过溅射而形成。
在本发明优选的实施方式中，还具备位于上述金属膜和上述基板之间的玻璃层。
在本发明优选的实施方式中，在上述玻璃层设置有从上述基板的厚度方向观看时内包上述LED芯片的窗部。
在本发明优选的实施方式中，上述玻璃层具有倾斜面，上述倾斜面与上述窗部的边缘连接，并且以距上述LED芯片越远，距上述基板的主面在其法线方向上越远的方式倾斜。
在本发明优选的实施方式中，上述倾斜面呈包围上述LED芯片的框状。
在本发明优选的实施方式中，上述玻璃层是在印刷了含有玻璃的糊剂以后通过将该糊剂烧成而形成的。
在本发明优选的实施方式中，上述基板为长条形，上述多个LED芯片沿上述基板的长度方向排列，上述金属膜具有：在靠近上述基板的宽度方向一端的位置，沿上述基板的长度方向延伸的公共带状部；和一个以上的岛状组，各所述岛状组由多个岛状部构成，与上述公共带状部平行地排列，并且在上述长度方向上位于最端部的岛状部与上述公共带状部导通，上述多个LED芯片分别安装于上述多个岛状部。
在本发明优选的实施方式中，上述金属膜包括：设置在靠近上述基板的长度方向一端的位置的连接端子部；沿上述公共带状部排列在上述长度方向上的两个上述岛状组；和联络带状部，上述联络带状部在上述基板的宽度方向上隔着上述岛状组配置在上述公共带状部的相反侧，沿上述长度方向从上述连接端子部延伸，并且与上述两个岛状组中距上述连接端子部远的岛状组所包含的上述多个岛状部中的最接近上述连接端子部的岛状部导通。
本发明的第四方面提供的液晶显示装置，包括：本发明的第一方面提供的液晶显示装置背光源用LED光源装置；导光部件，整体呈大致板状，具有：沿厚度方向扩展，并且与上述液晶显示装置背光源用LED光源装置正对的入射面；沿与上述厚度方向垂直的方向扩展，并且将从上述入射面行进来的光向上述厚度方向反射的反射面；和与上述反射面在上述厚度方向上分离，并且将从上述反射面行进来的光射出的出射面；以及通过使从上述出射面出射的光选择性地透过来形成图像的液晶面板。
根据本发明的第五方面，提供一种液晶显示装置背光源用LED光源装置，包括：多个LED芯片；具备安装有上述多个LED芯片的主面的基板；和不透明树脂，上述多个LED芯片中的任意一个包括由Si构成的子安装基板和搭载于上述子安装基板的半导体层，上述不透明树脂由反射率比上述子安装基板高的材质构成，上述子安装基板具有朝向与上述主面的法线方向垂直的方向的侧面，上述侧面的至少一部分被上述不透明树脂覆盖。
优选上述不透明树脂覆盖上述子安装基板的整个上述侧面。
优选上述不透明树脂使上述半导体层全部露出。
优选上述不透明树脂为白色。
优选还具备叠层在上述不透明树脂上并且覆盖上述半导体层的透光树脂，上述透光树脂具有荧光部，上述荧光部包含通过由来自上述半导体层的光激励而发出与来自上述半导体层的光不同的光的荧光体材料。
优选上述透光树脂包括透明部，上述透明部位于上述荧光部和上述不透明树脂之间，并且不含上述荧光体材料。
优选在上述子安装基板安装有用于避免对上述半导体层施加过大的反向电压的齐纳二极管。
优选还具备安装在与上述LED芯片相邻的位置，用于避免对上述半导体层施加过大的反向电压的齐纳二极管，上述齐纳二极管由上述不透明树脂覆盖。
优选还具备：形成有开口的反射器，上述开口具有包围上述多个LED芯片中的任一个的内表面；和位于上述反射器和上述基板之间的粘接层。
优选上述反射器具有与上述粘接层接触的底面，上述反射器包括从上述底面向上述基板突出的突出部，上述突出部在从上述法线方向观看时，位于上述粘接层和上述不透明树脂之间。
优选上述突出部与上述不透明树脂接触。
优选上述突出部在从上述法线方向观看时，为包围上述不透明树脂的形状。
优选上述反射器在从上述法线方向观看时，包括：包围上述多个LED芯片中的任一个的第一表面；以及与上述第一表面连接并且相对于上述第一表面倾斜的第二表面，上述第二表面在从上述法线方向观看时，朝向由上述第一表面包围的区域的相反侧。
优选上述反射器具有朝向上述法线方向的第三表面，上述第二表面从上述第三表面向上述第一表面立起。
优选上述透光树脂为向上述法线方向凸起的形状。
优选还具备安装于上述基板并且相互分离的多个反射器，在上述多个反射器的每一个形成有开口，上述开口具有包围上述多个LED芯片中的任一个的内表面。
优选还具备安装于上述基板并且形成有多个开口的反射器，上述多个开口分别具有包围上述多个LED芯片中的任一个的内表面。
优选上述内表面以在上述主面的法线方向上距上述主面越远，在与上述法线方向垂直的方向上距上述LED芯片越远的方式倾斜。
优选上述开口在俯视时为矩形。
优选上述基板为长条形，上述多个LED芯片沿上述基板的长度方向配置成列状。
优选上述反射器具有位于上述多个开口中的相邻的两个开口之间并且截面积部分地缩小的小截面部。
优选上述小截面部通过形成从上述反射器中的位于上述基板的相反侧的面凹陷的凹部而构成。
优选上述小截面部通过形成从上述反射器中的位于上述基板侧的面凹陷的凹部而构成。
优选上述小截面部通过形成从上述反射器中的朝向宽度方向的侧面凹陷的凹部而构成。
优选上述反射器由白色树脂构成。
优选上述白色树脂为液晶聚合物或聚对苯二甲酸丁二醇酯。
优选在俯视时，上述不透明树脂将由上述多个开口中的任一个包围的区域中的除上述子安装基板以外的区域覆盖。
优选还具备覆盖上述基板的金属膜，上述多个LED芯片安装在上述金属膜上。
优选上述基板由陶瓷构成。
优选上述金属膜包括构成最外层的Al层。
优选上述金属膜包括位于上述Al层的至少一部分和上述基板之间的AgPt层。
优选上述金属膜仅包括AgPt层。
优选上述AgPt层是在印刷了含有Ag和Pt的糊剂以后通过将该糊剂烧成而形成的。
优选上述Al层通过溅射而形成。
优选还具备与上述金属膜导通的导线，上述多个LED芯片中的任意一个包括叠层于上述半导体层的电极，在上述电极上接合有上述导线。
优选上述基板为长条形，上述多个LED芯片沿上述基板的长度方向排列，上述金属膜包括公共带状部和一个以上的岛状组，其中，上述公共带状部在靠近上述基板的宽度方向的一端的位置，沿上述基板的长度方向延伸，上述一个以上的岛状组各自具有沿上述长度方向排列的多个岛状部，上述多个岛状部中的在上述长度方向上位于最端部的岛状部与上述公共带状部导通，上述多个LED芯片分别安装于上述多个岛状部中的任一个。
优选上述金属膜包括连接端子部和联络带状部，其中，上述连接端子部设置在靠近上述基板的长度方向的一端的位置，上述一个以上的岛状组的个数为两个以上，上述一个以上的岛状组中的任意两个岛状组沿上述公共带状部排列，上述联络带状部在上述基板的宽度方向上隔着上述多个岛状组中的任一个配置在上述公共带状部的相反侧，并且沿上述长度方向从上述连接端子部延伸，上述联络带状部与上述两个岛状组中距上述连接端子部远的岛状组所包含的多个岛状部中的最接近上述连接端子部的岛状部导通。
根据本发明的第六方面，提供一种液晶显示装置，包括：本发明的第一方面提供的液晶显示装置背光源用LED光源装置；具有入射面、反射面和出射面的导光板；通过使从上述出射面出射的光选择性地透过来形成图像的液晶面板，上述入射面沿上述导光板的与厚度方向平行的平面扩展，并且与上述液晶显示装置背光源用LED光源装置正对，上述反射面沿与上述厚度方向垂直的平面扩展，并且将从上述入射面行进而来的光向上述厚度方向反射，上述出射面在上述厚度方向上与上述反射面分离，并且射出从上述反射面行进而来的光。
关于本发明的其他特征和优点，根据以下对发明实施方式进行的说明会进一步明确。
附图说明
图1是表示基于本发明第一实施方式的LED光源装置的主要部分平面图。
图2是表示图1的LED光源装置的主要部分放大平面图。
图3是沿着图2的III-III线的主要部分截面图。
图4是沿着图2的IV-IV线的主要部分截面图。
图5是表示在图1的LED光源装置的制造工序中形成了玻璃层的状态的主要部分平面图。
图6是表示在图1的LED光源装置的制造工序中形成了AgPt层的状态的主要部分平面图。
图7是表示在图1的LED光源装置的制造工序中形成了Al层的状态的主要部分平面图。
图8是表示使用图1的LED光源装置的液晶显示装置的一例的立体图。
图9是沿着图8的IX-IX线的截面图。
图10是表示基于本发明第二实施方式的LED光源装置的主要部分截面图。
图11是表示基于本发明第二实施方式的LED光源装置的截面图。
图12是表示基于本发明第三实施方式的LED光源装置的主要部分截面图。
图13是表示基于本发明第三实施方式的LED光源装置的截面图。
图14是表示基于本发明第四实施方式的LED光源装置的主要部分截面图。
图15是表示基于本发明第四实施方式的LED光源装置的截面图。
图16是表示基于本发明第五实施方式的LED光源装置的主要部分截面图。
图17是表示基于本发明第五实施方式的LED光源装置的截面图。
图18是表示基于本发明第一实施方式的LED光源装置的使用例的主要部分平面图。
图19是表示基于本发明第一实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图20是表示基于本发明第一实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图21是表示基于本发明第六实施方式的LED光源装置的主要部分立体图。
图22是表示图21的LED光源装置的主要部分平面图。
图23是表示图21的LED光源装置的主要部分放大平面图。
图24是沿着图23的XXIV-XXIV线的主要部分截面图。
图25是沿着图23的XXV-XXV线的截面图。
图26是表示在图21的LED光源装置的制造工序中形成了玻璃层的状态的主要部分平面图。
图27是表示在图21的LED光源装置的制造工序中形成了AgPt层的状态的主要部分平面图。
图28是表示在图21的LED光源装置的制造工序中形成了Al层的状态的主要部分平面图。
图29是表示在图21的LED光源装置的制造工序中将反射器(reflector)粘贴于基板的工序的主要部分立体图。
图30是表示使用图21的LED光源装置的液晶显示装置的一例的立体图。
图31是沿着图30的XXXI-XXXI线的截面图。
图32是表示基于本发明第六实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分放大平面图。
图33是表示基于本发明第六实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图34是表示基于本发明第六实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图35是图34的变形例的yz平面的截面图。
图36是表示基于本发明第六实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图37是图36的变形例的yz平面的截面图。
图38是表示基于本发明第六实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图39是表示基于本发明第六实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图40是表示基于本发明第六实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分放大平面图。
图41是表示基于本发明第六实施方式的LED光源装置的使用例的主要部分平面图。
图42是表示基于本发明第七实施方式的LED光源装置的主要部分放大平面图。
图43是沿着图42的XLIII-XLIII线的主要部分截面图。
图44是沿着图42的XLIV-XLIV线的截面图。
图45是表示在图42的LED光源装置的制造工序中形成了玻璃层的状态的主要部分平面图。
图46是表示在图42的LED光源装置的制造工序中形成了AgPt层的状态的主要部分平面图。
图47是表示在图42的LED光源装置的制造工序中形成了Al层的状态的主要部分平面图。
图48是表示基于本发明第七实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图49是表示基于本发明第八实施方式的LED光源装置的主要部分立体图。
图50是表示基于本发明第九实施方式的LED光源装置的主要部分立体图。
图51是表示图50的LED光源装置的主要部分平面图。
图52是表示图50的LED光源装置的主要部分放大平面图。
图53是沿着图52的IV-IV线的主要部分截面图。
图54是沿着图52的V-V线的截面图。
图55是表示在图50的LED光源装置的制造工序中形成了玻璃层的状态的主要部分平面图。
图56是表示在图50的LED光源装置的制造工序中形成了AgPt层的状态的主要部分平面图。
图57是表示在图50的LED光源装置的制造工序中形成了Al层的状态的主要部分平面图。
图58是表示在图50的LED光源装置的制造工序中将反射器粘贴于基板的工序的主要部分立体图。
图59是表示使用图50的LED光源装置的液晶显示装置的一例的立体图。
图60是沿着图59的XI-XI线的截面图。
图61是表示基于本发明第九实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分放大平面图。
图62是表示基于本发明第九实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图63是表示基于本发明第九实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图64是图63的变形例的yz平面的截面图。
图65是表示基于本发明第九实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图66是图65的变形例的yz平面的截面图。
图67是表示基于本发明第九实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图68是表示基于本发明第九实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分截面图。
图69是表示基于本发明第九实施方式的LED光源装置的使用例的主要部分平面图。
图70是表示基于本发明第十实施方式的LED光源装置的主要部分平面图。
图71是表示图70的LED光源装置的主要部分放大平面图。
图72是沿着图71的XXIII-XXIII线的主要部分截面图。
图73是沿着图71的XXIV-XXIV线的截面图。
图74是表示基于本发明第十一实施方式的LED光源装置的主要部分立体图。
图75是表示基于本发明实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分放大截面图。
图76是表示基于本发明实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分放大截面图。
图77是表示基于本发明实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分放大截面图。
图78是表示基于本发明实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分放大截面图。
图79是沿着图77、图78的XXX-XXX线的仅表示反射器的底面图。
图80是表示基于本发明实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分放大截面图。
图81是表示基于本发明实施方式的LED光源装置的变形例的主要部分放大截面图。
图82是仅表示图80、图81的反射器的平面图。
图83是表示使用图80、图81的LED光源装置的液晶显示装置的一例的截面图。
图84是表示现有LED光源装置的一例的平面图。
具体实施方式
图1～图4表示基于本发明第一实施方式的液晶显示装置背光源用的LED光源装置。本实施方式的LED光源装置A1包括：基板1、玻璃层2、金属膜3、多个LED芯片4、反射器51和透光树脂55。如图8和图9所示，LED光源装置A1作为构成例如液晶显示装置B1的背光源的光源来使用。另外，为了方便理解，图1中省略了玻璃层2和透光树脂55，图2中省略了透光树脂55。
基板1例如由氧化铝等陶瓷构成，是以x方向为长度方向，以y方向为宽度方向的长条形状。本实施方式的基板1的长度为222mm左右，宽度为6.0mm左右，厚度为1.0mm左右。
玻璃层2用于提供适于形成金属膜3的平滑的面，形成于基板1的主面11。玻璃层2的厚度例如是100μm左右。图5表示在LED光源装置A1的制造工序中在基板1形成了玻璃层2的状态。玻璃层2的形成在印刷了例如玻璃糊剂之后通过将该玻璃糊剂烧成(烧固)来进行。
如该图所示，在玻璃层2形成有多个窗部21。多个窗部21分别呈矩形形状，在x方向上大致等间距地排列。窗部21的x方向尺寸为1.8mm左右，y方向尺寸为1.2mm左右。另外，如图3和图4所示，在玻璃层2形成有倾斜面22。倾斜面22与窗部21的外缘连接，随着在x方向或y方向上远离窗部21，向位于z方向图中上方的位置倾斜。在本实施方式中，倾斜面22在z向视(z方向视图)时呈矩形的框状。
金属膜3实现向LED芯片4的供电功能，除与窗部21重叠的部分以外，形成在玻璃层2上。在本实施方式中，金属膜3由Al层31和AgPt层32构成。图6表示在LED光源装置A1的制造工序中形成了AgPt层32的状态。AgPt层32的形成，是在印刷了例如含有Ag和Pt的糊剂之后通过将该糊剂烧成来进行的。AgPt层的厚度例如是10μm左右。
Al层31构成金属膜3的最外层。图7表示在LED光源装置A1的制造工序中形成了Al层31的状态。Al层31的形成例如用溅射法来进行。Al层31的厚度例如为1.2μm左右。在Al层31和玻璃层2之间部分地存在有AgPt层。
如图1～图4所示，金属膜3具有公共带状部33、多个岛状组35、联络带状部36和多个连接端子部37。如图1所示，公共带状部33是沿x方向延伸的带状，遍及基板1的大致全长而形成。公共带状部33的宽度例如为1mm左右。公共带状部33在y方向上位于靠近基板1的一端的位置。如图4、图6和图7可知，在本实施方式中，公共带状部33为Al层31和AgPt层32叠层而成的构造。
如图1所示，多个岛状组35沿x方向并列配置，在本实施方式中，设置有两个岛状组35。各岛状组35由多个岛状部34构成。多个岛状部34与公共带状部33平行地排列在x方向上。在本实施方式中，各岛状组35包含12个岛状部34。如图3、图4、图6和图7可知，在本实施方式中，岛状部34为只有Al层31的单层构造。
如图2所示，岛状部34具有主体部341和延伸部342。主体部341以x方向为长度方向，为局部欠缺的矩形。在本实施方式中，主体部341的x方向尺寸为9.0mm左右，y方向尺寸为2.5mm左右。如图2～图4所示，主体部341以覆盖玻璃层2的窗部21和倾斜面22的方式形成。在主体部341中覆盖窗部21的部分安装有LED芯片4，在主体部341中将与窗部21相邻的玻璃层2的部分覆盖的部分，安装有齐纳二极管41。延伸部342是从主体部341起沿x方向延伸的部分，在本实施方式中，宽度为0.5mm左右、长度为3.0mm左右。如图2所示，某岛状部34的延伸部342以在x方向左方嵌入相邻的岛状部34的主体部341的欠缺部分的方式配置。
联络带状部36是沿x方向延伸的带状，遍及基板1的大致全长而形成。联络带状部36的宽度例如是1mm左右。联络带状部36在y方向上隔着岛状组35位于与公共带状部33相反一侧的靠近基板1的一端的位置。从图4、图6和图7可知，在本实施方式中，公共带状部33为Al层31和AgPt层32叠层而成的构造。
如图1所示，多个连接端子部37形成于靠近基板1的x方向一端的位置，用于与例如液晶显示装置B1的电源或控制部(均省略图示)连接。从图6和图7可知，连接端子部37包括AgPt层32。
在图1中，位于x方向右方的连接端子部37与公共带状部33连接，位于x方向左方的连接端子部37与联络带状部36连接。位于x方向中央的连接端子部37与多个岛状部34中的在x方向上位于最左边的岛状部(最接近连接端子部37的岛状部)连接。另外，各岛状组35所包含的多个岛状部34中的位于x方向右端的岛状部(距连接端子部37最远的岛状部)与公共带状部33连接。另外，位于x方向右方(相对于连接端子部37远的一方)位置的岛状组35所包含的多个岛状部34中的位于x方向左端的岛状部(距连接端子部37最近的岛状部)与联络带状部36连接。
LED芯片4为具有例如由Si构成的子安装基板44和叠层有由GaN构成的n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层43的构造，发出例如蓝色光。在半导体层43形成有在子安装基板44一侧形成的电极焊盘(省略图示)。这些电极焊盘与形成于子安装基板44的配线图案(省略图示)接合。如图2所示，LED芯片4安装于岛状部34的主体部341中覆盖窗部21的部分。由此，在z向视时，LED芯片4内包于窗部21，被框状的倾斜面22包围。在LED芯片4形成有两个电极，一个电极通过导线(wire)42与已安装的岛状部34的主体部341连接。另一个电极通过导线42与相邻的岛状部34的延伸部342连接。本实施方式的LED芯片4的x方向尺寸为1.9mm左右，y方向尺寸为1.3mm左右。通过将子安装基板44与岛状部34接合，能够期待提高从LED芯片4向金属膜3的散热的效果。LED芯片4和岛状部34的接合，如果使用例如Ag糊剂、环氧树脂或混入了由具有高传导率的材料构成的填充物的环氧树脂，则对散热效果的促进有好处。另外，本实施方式的LED芯片4为所谓的双导线型，但也可以与之不同，使用通过一根导线42就可安装的所谓的单导线型的LED芯片4或可实现不使用导线42的安装的所谓的倒装芯片型的LED芯片4。
根据上述的金属膜3的结构和LED芯片4的安装方式，在本实施方式中，在LED光源装置A1中包括两个LED芯片4的组，LED芯片4的组由相互串联连接的12个LED芯片4构成，这两个LED芯片4的组彼此构成相互并联连接的电路。
齐纳二极管41用于防止对LED芯片4施加过大的反向电压，安装在岛状部34的主体部341中的与覆盖窗部21的部分相邻的部分。齐纳二极管41通过导线42与相邻的岛状部34的延伸部342连接。另外，也可以在LED芯片4的子安装基板44做成可实现与齐纳二极管41同等的功能的元件。
反射器51用于使来自LED芯片4的光更多地向z方向行进，为例如由白色树脂构成的矩形框状。在形成反射器51时，LED芯片4的安装完成。因此，反射器51例如在软熔炉(reflow oven)中不会暴露于高温之下。由此，作为该白色树脂，可使用聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)树脂。PBT树脂适合提高反射器51的表面的反射率。反射器51以包围LED芯片4和齐纳二极管41的方式形成在金属膜3上(一部分在玻璃层2上)。在本实施方式中，反射器51的x方向尺寸为6.8mm左右，y方向尺寸为3.0mm左右，z方向高度为1mm左右。另外，反射器51中收纳LED芯片4的开口部分的尺寸中，x方向尺寸为3.9mm左右，y方向尺寸为1.9mm左右。
如图3和图4所示，透光树脂55填充于由反射器51围成的空间，覆盖LED芯片4和齐纳二极管41。透光树脂55例如由在透明的环氧树脂中混入荧光材料的材质构成。该荧光材料通过由例如来自LED芯片4的蓝色光激励而发出黄色光。通过来自LED芯片4的蓝色光和来自上述荧光材料的黄色光发生混色，从LED光源装置A1发出白色光。另外，也可以将通过由蓝色光激励而发出红色光的荧光材料和发出绿色光的荧光材料组合在一起来使用，以代替上述荧光材料。
图8和图9表示使用LED光源装置A1的液晶显示装置的一例。该图所示的液晶显示装置B1具备LED光源装置A1、导光板6和液晶面板7。
导光板6与LED光源装置A1一同构成背光源，例如由透明的聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂构成。导光板6为在zx平面上扩展的板状。导光板6具有入射面61、反射面62和出射面63。入射面61为相对于z方向垂直的平滑的面，与LED光源装置A1正对向。反射面62为相对于y方向垂直的面，形成有多个槽621。出射面63为相对于y方向垂直的平滑的面，位于与反射面相反的一侧。
如图9所示，从LED光源装置A1出射的光在从入射面61入射以后，在导光板6内行进。行进来的光通过由反射面62的槽621反射或扩散，向y方向行进。从反射面62行进来的光从出射面63出射。由此，当LED光源装置A1发光时，从导光板6的出射面63整个面发出白色光。
液晶面板7用于通过使从导光板6出射的光选择性地透过，来形成液晶显示装置B1要显示的图像。液晶面板7例如由相对的两个透明基板和夹在这两个透明基板之间的液晶层构成，例如通过有源矩阵方式，能够按像素改变透过状态地构成。
接着，对LED光源装置A1和液晶显示装置B1的作用进行说明。
根据本实施方式，来自LED芯片4的光中向着金属膜3发出的光由金属膜3反射。因此，能够使更多的光从LED光源装置A1出射，能够实现亮度提高。特别是，金属膜3的最外层由Al层31构成，因此吸收的比例小。这有利于LED光源装置A1的亮度提高。在本实施方式中，金属膜3除形成有用于区划公共带状部33、多个岛状部34和联络带状部36的狭缝(slit，划线槽)以外，覆盖基板1的主面11的大部分。由此，能够抑制来自LED芯片4的光被不当地吸收掉。
金属膜3形成在玻璃层2上。因此，金属膜3的表面成为接近镜面的平滑的面。由此，能够使来自LED芯片4的光以更高的比例进行反射。通过溅射而形成的Al层31是高密度的，适于实现镜面状态。
金属膜3(主体部341)中的覆盖倾斜面22的部分，形成包围LED芯片4的框状的反射区域。因此，能够使来自LED芯片4的光以更高的比例出射。根据使用印刷和烧成的方法，能够适当地形成玻璃层2的倾斜面22。另外，通过反射器51，也能够抑制来自LED芯片4的光被吸收掉。
LED芯片4在z向视时内包于窗部21。由此，在LED芯片4和基板1之间仅存在有金属膜3，不存在玻璃层2。这适于LED芯片4的散热促进。
金属膜3具有公共带状部33、多个岛状部34和联络带状部36，由此能够适当地连接多个LED芯片4。
通过将公共带状部33和联络带状部36设为Al层31和AgPt层32的叠层构造，能够降低电阻值。公共带状部33和联络带状部36由于宽度较窄且长度长，因此易产生电压下降。根据上述的叠层构造，能够抑制公共带状部33和联络带状部36的电压下降。
通过实现LED光源装置A1的亮度提高，液晶显示装置B1能够显示更亮且更鲜明的图像。
图10～图20表示本发明的另一实施方式。另外，在这些图中，对与上述实施方式相同或类似的要素附加与上述实施方式相同的附图标记。
图10和图11表示基于本发明第二实施方式的LED光源装置。本实施方式的LED光源装置A2的金属膜3的结构与上述的实施方式不同。在本实施方式中，金属膜3仅由AgPt层32构成。AgPt层32呈现明亮的白色，反射率较高。因此，通过这种结构，也能够实现LED光源装置A2的亮度提高。另外，在制造LED光源装置A2时，可省略形成Al层31的工序。由此，能够实现LED光源装置A2的成本降低。
图12和图13表示基于本发明第三实施方式的LED光源装置。本实施方式的LED光源装置A3与上述的实施方式不同之处在于，在玻璃层2未形成有窗部21和倾斜面22。在这种实施方式中，主体部341的整个面为镜面状态。由此，能够期待提高来自LED芯片4的光向z方向反射的比例这种效果。
图14和图15表示基于本发明第四实施方式的LED光源装置。本实施方式的LED光源装置A4不具备玻璃层2这点与上述的实施方式不同。在不具备玻璃层2的情况下，金属膜3的表面成为无光泽(matte，遮光)状态的白色面。即使是这种状态的金属膜3，也由于最外层由Al层31构成，因此反射率相对高。因此，能够实现LED光源装置A4的亮度提高。另外，由于可省略形成玻璃层2的工序，因此有利于LED光源装置A4的成本降低。另外，能够实现来自LED芯片4的散热促进。
图16和图17表示基于本发明第五实施方式的LED光源装置。本实施方式的LED光源装置A5不具备反射器51这点与上述的实施方式不同。在本实施方式中，透光树脂55通过在将例如液体树脂材料通过浇注法以覆盖LED芯片4的方式滴下以后使该液体树脂材料固化来形成。通过这种实施方式，基板1的主面11的大部分也被金属膜3覆盖，因此能够抑制来自LED芯片4的光被不当地吸收掉，能够实现LED光源装置A5的亮度提高。
图18表示将基于本发明第一实施方式的LED光源装置和该装置的变形例组合在一起的构成。该图所示的LED光源装置A1’与上述的LED光源装置A1相比，省略了连接端子部37这点不同。LED光源装置A1和LED光源装置A1’的公共带状部33彼此和联络带状部36彼此分别通过配线38来连接。通过这种结构，能够实现更大画面尺寸的液晶显示装置的背光源用LED光源装置。
图19和图20表示在LED光源装置A1中应用不同种类的LED芯片4的结构。以下说明的LED芯片4不仅用于LED光源装置A1，而且还能够用于LED光源装置A2～A5和LED光源装置A1’是理所当然的。
图19所示的LED光源装置A1所使用的LED芯片4具有所谓的被称为双导线型的构造。具体而言，由从下层起叠层有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层43构成，与n型半导体层和p型半导体层导通的两个电极焊盘(省略图示)配置于图中上表面。在这两个电极焊盘上接合(焊接)有导线42。
图20所示的LED芯片4为不使用导线42就可安装的类型。具体而言，在子安装基板44形成有两个通孔电极441。该通孔电极441经由形成于子安装基板44的配线图案，与半导体层43的n型半导体层和p型半导体层分别导通。在通孔电极441的下表面形成有安装用的凸台(bump)442。LED芯片4通过该凸台442安装于金属膜3。
本发明的液晶显示装置背光源用LED光源装置和液晶显示装置不局限于上述的实施方式。本发明的液晶显示装置背光源用LED光源装置和液晶显示装置的各部的具体结构可变更自如地进行各种设计。
图21～图25表示基于本发明第六实施方式的液晶显示装置背光源用的LED光源装置。本实施方式的LED光源装置A6具备基板1、玻璃层2、金属膜3、多个LED芯片4、反射器51、透光树脂55和白色树脂58。如图30和图31所示，LED光源装置A6作为例如构成液晶显示装置B2的背光源的光源来使用。另外，为了方便理解，在图21和图22中，省略了玻璃层2和透光树脂55，在图23中，省略了透光树脂55。
基板1例如由氧化铝等陶瓷构成，为以x方向为长度方向，以y方向为宽度方向的长条形状。本实施方式的基板1的长度为222mm左右，宽度为6.0mm左右，厚度为1.0mm左右。
玻璃层2用于提供适于形成金属膜3的平滑的面，形成于基板1的主面11。玻璃层2的厚度例如是100μm左右。图26表示在LED光源装置A6的制造工序中在基板1形成了玻璃层2的状态。玻璃层2的形成是在印刷了例如玻璃糊剂以后通过将该玻璃糊剂烧成来进行的。
金属膜3用于实现向LED芯片4的供电功能，形成在玻璃层2上。在本实施方式中，金属膜3包括Al层31和AgPt层32。图27表示在LED光源装置A6的制造工序中形成了AgPt层32的状态。AgPt层32的形成是在印刷了例如含有Ag和Pt的糊剂以后通过将该糊剂烧成来进行的。AgPt层32的厚度例如是10μm左右。
Al层31构成金属膜3的最外层。图28表示在LED光源装置A6的制造工序中形成了Al层31的状态。Al层31的形成例如用溅射法来进行。Al层31的厚度例如是1.2μm左右。在Al层31和玻璃层2之间，部分地存在有AgPt层32。
如图22～图25所示，金属膜3具有公共带状部33、多个岛状组35、联络带状部36和多个连接端子部37。如图22所示，公共带状部33为沿x方向延伸的带状，遍及基板1的大致全长而形成。公共带状部33的宽度例如是1mm左右。公共带状部33在y方向上位于靠近基板1的一端的位置。如图25、图27和图28可知，在本实施方式中，公共带状部33为叠层有Al层31和AgPt层32的构造。
如图22所示，多个岛状组35沿x方向并列配置，在本实施方式中，设置有两个岛状组35。各岛状组35由多个岛状部34构成。多个岛状部34与公共带状部33平行地排列在x方向上。在本实施方式中，各岛状组35包含12个岛状部34。如图24、图25、图27和图28可知，在本实施方式中，岛状部34为只有Al层31的单层构造。
如图23和图24所示，岛状部34具有主体部341和延伸部342。主体部341为以x方向为长度方向、局部欠缺的矩形形状。在本实施方式中，主体部341的x方向尺寸为9.0mm左右，y方向尺寸为2.5mm左右。在主体部341安装有LED芯片4。延伸部342是从主体部341起沿x方向延伸的部分，在本实施方式中，宽度为0.5mm左右，长度为3.0mm左右。如图23所示，某岛状部34的延伸部342配置为嵌入在x方向右方相邻的岛状部34的主体部341的欠缺部分。
联络带状部36是沿x方向延伸的带状，遍及基板1的大致全长而形成。联络带状部36的宽度例如是1mm左右。联络带状部36在y方向上隔着岛状组35位于与公共带状部33相反的一侧的靠近基板1的一端的位置。从图25、图27和图28可知，在本实施方式中，公共带状部33为叠层有Al层31和AgPt层32的构造。
如图22所示，多个连接端子部37形成于靠近基板1的x方向一端的位置，用于与例如液晶显示装置B2的电源或控制部(都省略图示)连接。从图27和图28可知，连接端子部37包括AgPt层32。
在图22中，位于x方向右方的连接端子部37与公共带状部33连接，位于x方向左方的连接端子部37与联络带状部36连接。位于x方向中央的连接端子部37与多个岛状部34中的在x方向上位于最左边的岛状部(最接近连接端子部37的岛状部)连接。另外，各岛状组35所包含的多个岛状部34中位于x方向右端的岛状部(距连接端子部37最远的岛状部)与公共带状部33连接。另外，位于x方向右方(相对于连接端子部37远的一方)的岛状组35所包含的多个岛状部34中位于x方向左端的岛状部(距连接端子部37最近的岛状部)与联络带状部36连接。
LED芯片4为具有由Si构成的子安装基板44和叠层有例如由GaN构成的n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层43的构造，发出例如蓝色光。在半导体层43形成有在子安装基板44一侧形成的电极焊盘(省略图示)。这些电极焊盘与形成于子安装基板44的配线图案(省略图示)接合。在子安装基板44做出齐纳二极管。该齐纳二极管用于避免对半导体层43施加过大的反向电压。
如图23所示，LED芯片4安装于岛状部34。在LED芯片4形成有两个电极，一个电极通过导线42与已安装的岛状部34的主体部341连接。另一个电极通过导线42与相邻的岛状部34的延伸部342连接。本实施方式的LED芯片4的x方向尺寸为1.9mm左右，y方向尺寸为1.3mm左右。通过将子安装基板44与岛状部34接合，能够期待提高从LED芯片4向金属膜3的散热的效果。LED芯片4和岛状部34的接合，如果使用例如Ag糊剂、环氧树脂或混入了由具有高热传导率的材料构成的填充物的环氧树脂，则对散热效果的促进有好处。
根据上述的金属膜3的结构和LED芯片4的安装方式，在本实施方式中，在LED光源装置A6中包括两个由相互串联连接的12个LED芯片4构成的LED芯片4的组，这两个LED芯片4的组彼此构成相互并联连接的电路。
反射器51用于使来自LED芯片4的光更多地向z方向行进，例如由液晶聚合物或聚对苯二甲酸丁二醇酯等白色树脂构成。反射器51为沿x方向延伸的形状，形成有多个开口52和多个凹部53。各开口52在z向视时为矩形形状。如图24和图25所示，开口52的内表面包围各LED芯片4，以在主面11的法线方向上距基板1越远则距LED芯片4越远的方式倾斜。如图22～图24所示，各凹部53位于相邻的开口52之间。各凹部53是从反射器51的上表面凹陷的截面为矩形形状的槽。反射器51中的形成有凹部53的部位的yz平面上的截面积部分地缩小，相当于本发明所说的小截面部。在本实施方式中，反射器51的y方向尺寸为2.0～4.0mm左右。
在LED光源装置A6的制造工序中，如图29所示，反射器51粘贴于安装了LED芯片4的基板1。在本实施方式中，反射器51的y方向尺寸为3.0mm左右，z方向高度为1mm左右。另外，开口52的尺寸中，x方向尺寸为3.9mm左右，y方向尺寸为1.9mm左右。凹部53的x方向尺寸为0.5～4.0mm左右，z方向深度为0.2～0.8mm左右。
白色树脂58相当于本发明所述的不透明树脂的一例，由例如白色的环氧树脂等相对于来自LED芯片4的光不透明，并且反射率比子安装基板44高的材质构成。如图23～图25所示，白色树脂58覆盖被反射器51的开口52包围的区域中除LED芯片4以外的部分。另外，白色树脂58覆盖子安装基板44的整个侧面。另外，也可以与本实施方式不同，为子安装基板44的侧面的一部分被白色树脂58覆盖的结构。
如图24和图25所示，透光树脂55填充于开口52内，覆盖LED芯片4。透光树脂55包括透明部57和荧光部56。透明部57叠层在白色树脂58上，在本实施方式中，覆盖半导体层43。透明部57由例如透明的环氧树脂或硅树脂构成。荧光部56叠层在透明部57上，例如由在透明的环氧树脂中混入有荧光材料的材质构成。该荧光材料通过由例如来自LED芯片4的蓝色光激励而发出黄色光。通过将来自LED芯片4的蓝色光和来自上述荧光材料的黄色光混合，从LED光源装置A6发出白色光。另外，也可以将通过由蓝色光激励而发出红色光的荧光材料和发出绿色光的荧光材料组合起来使用，以代替上述荧光材料。
图30和图31表示使用LED光源装置A6的液晶显示装置的一例。该图所示的液晶显示装置B2具备LED光源装置A6、导光板6和液晶面板7。
导光板6与LED光源装置A6一同构成背光源，例如由透明的聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂构成。导光板6为在zx平面上扩展的板状。导光板6具有入射面61、反射面62和出射面63。入射面61是相对于z方向垂直的平滑的面，与LED光源装置A6正对。反射面62是与y方向垂直的面，形成有多个槽621。出射面63是与y方向垂直的平滑的面，位于反射面62的相反侧。
如图31所示，从LED光源装置A6出射的光从入射面61入射以后，在导光板6内行进。行进来的光通过由反射面62的槽621反射或扩散，向y方向行进。从反射面62行进来的光从出射面63出射。由此，当LED光源装置A6发光时，从导光板6的出射面63整个面发出白色光。
液晶面板7用于通过使从导光板6出射的光选择性地透过，来形成液晶显示装置B2要显示的图像。液晶面板7例如由相对的两个透明基板和夹在这两个透明基板之间的液晶层构成，例如通过有源矩阵方式，能够按像素改变透过状态地构成。
接着，对LED光源装置A6和液晶显示装置B2的作用进行说明。
通过各LED芯片4被反射器51的开口52包围，从LED芯片4向侧方行进的光由开口52反射。如图24和图25所示，开口52的内表面以向着上方敞开的方式倾斜。因此，反射后的光容易向LED光源装置A6外出射。因此，能够实现LED光源装置A6的高亮度化。
另外，如图29所示，在形成反射器51时，LED芯片4的安装已完成。因此，反射器51例如在安装LED芯片4的工序中所使用的软熔炉中不会暴露于高温之下。由此，作为该白色树脂，可使用液晶聚合物或聚对苯二甲酸丁二醇酯。液晶聚合物或聚对苯二甲酸丁二醇酯适于提高反射器51的表面的反射率。这样有利于LED光源装置A6的高亮度化。
如图29所示，反射器51在安装于基板1之前，大多单独地使用。根据反射器51的保持方法，过大的力矩会作用于反射器51。形成有多个凹部53的多个小截面部与它们以外的部位相比，更容易弹性变形。因此，在力矩作用于反射器51时，通过上述多个小截面部积极地变形，能够防止在反射器51的任一部分出现裂纹等。
凹部53以从反射器51中与基板1相反一侧的面凹陷的方式形成。由此，反射器51中的与基板1接合的面积不会因设置上述小截面部而缩小。因此，能够实现反射器51的保护，能够避免反射器51和基板1的接合力下降。
根据本实施方式，白色树脂58覆盖LED芯片4的子安装基板44的侧面。子安装基板44的材质即Si比较容易吸收光。白色树脂58实现防止由子安装基板44的侧面来吸收来自半导体层43的光的作用。由此，能够进一步促进LED光源装置A6的高亮度化。
另外，白色树脂58将由开口52围成的区域中的除LED芯片4以外的部分全部覆盖。因此，能够避免来自半导体层43的光被基板1等吸收掉。这样有利于LED光源装置A6的高亮度化。
LED芯片4具有做成在子安装基板44的齐纳二极管。通过该齐纳二极管，能够防止对半导体层43施加过大的反向电压。另外，通过设置该齐纳二极管，不会阻碍LED光源装置A6的高亮度化。
通过在透光树脂55设置透明部57，能够消减透光树脂55所包含的荧光材料的量。这样有利于LED光源装置A6的低成本化。
通过实现LED光源装置A6的亮度提高，液晶显示装置B2能够显示更明亮且更鲜明的图像。
图32～图49表示本发明的另一实施方式。另外，在这些图中，对与上述实施方式相同或类似的要素附加与上述实施方式相同的附图标记。
图32表示关于LED光源装置A6的凹部53的变形例。本变形例的LED光源装置A6的凹部53的结构与上述的LED光源装置A6不同。在本变形例中，以从朝向反射器51的y方向的侧面凹陷的方式形成有多个凹部53。更具体而言，在相邻的开口52之间配置有一对凹部53。一对凹部53形成于反射器51的y方向两侧。通过这种变形例，也能够实现LED光源装置A6的高亮度化，并且能够防止在反射器51产生裂纹等。
图33表示关于LED光源装置A6的凹部53的另一变形例。本变形例的LED光源装置A6的凹部53的结构与上述的LED光源装置A6不同。在本变形例中，以从反射器51的与基板1接合的面凹陷的方式形成有多个凹部53。各凹部53配置于相邻的开口52之间。通过这种变形例，也能够实现LED光源装置A6的高亮度化，并且能够防止在反射器51产生裂纹等。
图34和图35表示关于LED光源装置A6的金属膜3的变形例。在本变形例中，金属膜3仅包括AgPt层32。根据这种变形例，在制造LED光源装置A6时，可省略形成Al层31的工序。由此，能够实现LED光源装置A6的成本降低。
图36和图37表示LED光源装置A6的另一变形例。在本变形例中，不具备玻璃层2这点与上述的LED光源装置A6不同。根据这种变形例，可省略形成玻璃层2的工序，因此有利于LED光源装置A6的成本降低。另外，能够实现来自LED芯片4的散热促进。
图38表示关于LED光源装置A6的LED芯片4的变形例。本变形例的LED芯片4是不使用导线42就可安装的类型。具体而言，在子安装基板44形成有两个通孔电极441。这两个通孔电极441经由形成于子安装基板44的配线图案，与半导体层43的n型半导体层和p型半导体层分别导通。在通孔电极441的下面形成有安装用的凸台(bump)442。LED芯片4通过该凸台442安装于金属膜3。
图39表示关于LED光源装置A6的透光树脂55的变形例。在本变形例中，透光树脂55仅由荧光部56构成。通过这种变形例，也能够实现LED光源装置A6的高亮度化。
图40表示LED光源装置A6的变形例。本变形例具备与LED芯片4分体的齐纳二极管41。齐纳二极管41与LED芯片4一同安装于岛状部34的主体部341。齐纳二极管41防止对LED芯片4的半导体层43施加过大的反向电压。另外，齐纳二极管41由白色树脂58覆盖。由此，能够防止来自LED芯片4的光被齐纳二极管41吸收。
图41表示将基于本发明第六实施方式的LED光源装置及其变形例组合在一起的结构。该图所示的LED光源装置A6’与上述的LED光源装置A6相比，省略了连接端子部37这点不同。LED光源装置A6和LED光源装置A6’的公共带状部33彼此和联络带状部36彼此分别通过配线38来连接。通过这种结构，能够实现更大画面尺寸的液晶显示装置的背光源用LED光源装置。
图42～图44表示基于本发明第七实施方式的LED光源装置A7。本实施方式的LED光源装置A7与上述LED光源装置A6的不同之处在于，不具备白色树脂58，以及玻璃层2和金属膜3的结构。
在玻璃层2形成有多个窗部21。多个窗部21分别呈矩形，沿x方向大致等间距地排列。窗部21的x方向尺寸为1.8mm左右，y方向尺寸为1.2mm左右。另外，如图43和图44所示，在玻璃层2形成有倾斜面22。倾斜面22与窗部21的外缘连接，以在x方向或y方向上距窗部21越远则越位于z方向图中上方的方式倾斜。在本实施方式中，倾斜面22在z向视时为矩形的框状。
主体部341以覆盖玻璃层2的窗部21和倾斜面22的方式形成。在主体部341中的覆盖窗部21的部分安装有LED芯片4，在主体部341中覆盖与窗部21相邻的玻璃层2的部分，安装有齐纳二极管41。岛状部34为只有Al层31的单层构造。
LED芯片4安装于岛状部34的主体部341中覆盖窗部21的部分。由此，在z向视时，LED芯片4内包于窗部21，被框状的倾斜面22包围。
在LED光源装置A7的制造方法中，首先，如图45所示，在基板1形成具有多个窗部21的玻璃层2。接着，如图46所示，形成AgPt层32。然后，如图47所示，以覆盖窗部21的方式形成Al层31。
根据本实施方式，来自LED芯片4的光中向金属膜3发出的光由金属膜3反射。因此，能够使更多的光从LED光源装置A7出射，能够实现亮度提高。特别是，金属膜3的最外层由Al层31构成，因此被吸收的比例小。这样有利于LED光源装置A7的亮度提高。在本实施方式中，金属膜3除形成有用于区划公共带状部33、多个岛状部34和联络带状部36的狭缝以外，覆盖基板1的主面11的大部分。由此，能够抑制来自LED芯片4的光被不当地吸收掉。
金属膜3形成在玻璃层2上。因此，金属膜3的表面成为近似镜面的平滑的面。由此，能够使来自LED芯片4的光以更高的比例反射。通过溅射而形成的Al层31为高密度，适于实现镜面状态。
金属膜3(主体部341)中的覆盖倾斜面22的部分，形成包围LED芯片4的框状的反射区域。因此，能够使来自LED芯片4的光以更高的比例出射。根据使用印刷和烧成的方法，能够适当地形成玻璃层2的倾斜面22。另外，通过反射器51，也能够抑制来自LED芯片4的光被吸收掉。
LED芯片4在z向视时内包于窗部21。由此，在LED芯片4和基板1之间仅存在金属膜3，而不存在玻璃层2。这样适于LED芯片4的散热促进。
通过在金属膜3装设公共带状部33、多个岛状部34和联络带状部36，能够适当地将多个LED芯片4连接。
通过使公共带状部33和联络带状部36为Al层31和AgPt层32的叠层构造，能够降低电阻值。公共带状部33和联络带状部36由于宽度较窄且长度较长，因此易产生电压下降。根据上述的叠层构造，能够抑制公共带状部33和联络带状部36的电压下降。
另外，金属膜3的结构不局限于本实施方式的结构，可采用例如图34～图37所示的结构是理所当然的。
图48表示关于LED光源装置A7的LED芯片4的变形例。本变形例的LED芯片4具有所谓的被称为双导线型的构造。具体而言，由从下层起叠层有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层43构成，与n型半导体层和p型半导体层导通的两个电极焊盘(省略图示)配置在图中上面。在这些电极焊盘上接合有导线42。
图49表示基于本发明第八实施方式的LED光源装置。本实施方式的LED光源装置A8与上述LED光源装置A6的不同之处在于，在一个基板1安装有两个反射器51。在本实施方式中，反射器51的x方向长度为基板1的不到一半的程度。两个反射器51沿x方向串联配置，与LED光源装置A6同样，分别形成的开口52特别包围LED芯片4。
通过这种实施方式，也能够实现LED光源装置A6的高亮度化。另外，通过准备相对于基板1而言x方向短的反射器51，能够根据基板1的长度来调整安装于一个基板1的反射器51的个数。由此，能够相对于不同长度的多种基板1将反射器51通用部件化，能够高效地制造各种长度的LED光源装置A7。
本发明的液晶显示装置背光源用LED光源装置和液晶显示装置不局限于上述的实施方式。本发明的液晶显示装置背光源用LED光源装置和液晶显示装置的各部的具体结构可变更自如地进行各种设计。
图50～图54表示基于本发明第九实施方式的液晶显示装置背光源用的LED光源装置。本实施方式的LED光源装置A9具备基板1、玻璃层2、金属膜3、多个LED芯片4、反射器51、透光树脂55和白色树脂58。如图59和图60所示，LED光源装置A9例如作为构成液晶显示装置B3的背光源的光源来使用。另外，为了方便理解，在图50和图51中，省略了玻璃层2和透光树脂55，在图52中，省略了透光树脂55。
基板1例如由氧化铝等陶瓷构成，为以x方向为长度方向，以y方向为宽度方向的长条形。本实施方式的基板1的长度为222mm左右，宽度为6.0mm左右，厚度为1.0mm左右。基板1具有主面11。主面11的法线方向与方向z一致。以下，适当地称为法线方向z。
玻璃层2用于提供适于形成金属膜3的平滑的面，形成于基板1的主面11。玻璃层2的厚度例如是100μm左右。图55表示在LED光源装置A9的制造工序中，在基板1形成了玻璃层2的状态。玻璃层2的形成是在印刷了例如玻璃糊剂以后通过将该玻璃糊剂烧成来进行的。
金属膜3实现向LED芯片4的供电功能，形成在玻璃层2上。在本实施方式中，金属膜3包括Al层31和AgPt层32。图56表示在LED光源装置A9的制造工序中形成了AgPt层32的状态。AgPt层32的形成是在印刷了例如含有Ag和Pt的糊剂以后通过将该糊剂烧成来进行的。AgPt层32的厚度例如是10μm左右。
Al层31构成金属膜3的最外层。图57表示在LED光源装置A9的制造工序中形成了Al层31的状态。Al层31的形成例如用溅射法来进行。Al层31的厚度例如是1.2μm左右。在Al层31和玻璃层2之间部分地存在有AgPt层32。
如图51～图54所示，金属膜3具有公共带状部33、多个岛状组35、联络带状部36和多个连接端子部37。如图51所示，公共带状部33是沿x方向延伸的带状，遍及基板1的大致全长而形成。公共带状部33的宽度例如是1mm左右。公共带状部33在y方向上位于靠近基板1的一端的位置。如图54、图56和图57所示，在本实施方式中，公共带状部33为叠层有Al层31和AgPt层32的构造。
如图51所示，多个岛状组35沿x方向并列配置，在本实施方式中，设置有两个岛状组35。各岛状组35由多个岛状部34构成。多个岛状部34与公共带状部33平行地排列在x方向上。在本实施方式中，各岛状组35包含12个岛状部34。从图53、图54、图56和图57可知，在本实施方式中，岛状部34为只有Al层31的单层构造。
如图52和图53所示，岛状部34具有主体部341和延伸部342。主体部341为以x方向为长度方向，局部欠缺的矩形。在本实施方式中，主体部341的x方向尺寸为9.0mm左右，y方向尺寸为2.5mm左右。在主体部341安装有LED芯片4。延伸部342是从主体部341起沿x方向延伸的部分，在本实施方式中，宽度为0.5mm左右，长度为3.0mm左右。如图52所示，某岛状部34的延伸部342配置为嵌入在x方向右方相邻的岛状部34的主体部341的欠缺部分。
联络带状部36是沿x方向延伸的带状，遍及基板1的大致全长而形成。联络带状部36的宽度例如是1mm左右。联络带状部36在y方向上隔着岛状组35位于公共带状部33相反侧的靠近基板1的一端的位置。从图54、图56和图57可知，在本实施方式中，公共带状部33为叠层有Al层31和AgPt层32的构造。
如图51所示，多个连接端子部37形成于靠近基板1的x方向一端的位置，为与例如液晶显示装置B3的电源或控制部(都省略图示)连接而使用。从图56和图57可知，连接端子部37由AgPt层32构成。
在图51中，位于x方向右方的连接端子部37与公共带状部33连接，位于x方向左方的连接端子部37与联络带状部36连接。位于x方向中央的连接端子部37与多个岛状部34中的在x方向上位于最左边的岛状部(最接近连接端子部37的岛状部)连接。另外，各岛状组35所包含的多个岛状部34中的位于x方向右端的岛状部(距连接端子部37最远的岛状部)与公共带状部33连接。另外，位于x方向右方(相对于连接端子部37远的一方)的岛状组35所包含的多个岛状部34中位于x方向左端的岛状部(距连接端子部37最近的岛状部)与联络带状部36连接。
LED芯片4为具有由Si构成的子安装基板44和叠层有例如由GaN构成的n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层43的构造，例如发出蓝色光。在半导体层43形成有在子安装基板44侧形成的电极焊盘(省略图示)。这些电极焊盘与形成于子安装基板44的配线图案(省略图示)接合。在子安装基板44做成齐纳二极管。该齐纳二极管用于避免对半导体层43施加过大的反向电压。
如图52所示，LED芯片4安装于岛状部34。在LED芯片4形成有两个电极，一个电极通过导线42与已安装的岛状部34的主体部341连接。另一个电极通过导线42与相邻的岛状部34的延伸部342连接。本实施方式的LED芯片4的x方向尺寸为1.9mm左右，y方向尺寸为1.3mm左右。通过将子安装基板44与岛状部34接合，能够期待提高从LED芯片4向金属膜3的散热效果。LED芯片4和岛状部34的接合，如果使用例如Ag糊剂、环氧树脂或混入有由具有高热传导率的材料构成的填充物的环氧树脂，则对散热效果的促进有好处。
通过上述的金属膜3的结构和LED芯片4的安装方式，在本实施方式中，在LED光源装置A9中包含两个由相互串联连接的12个LED芯片4构成的LED芯片4的组，这两个LED芯片4的组彼此构成相互并联连接的电路。
反射器51用于使来自LED芯片4的光更多地向z方向行进，例如由液晶聚合物或聚对苯二甲酸丁二醇酯等白色树脂构成。反射器51为沿x方向延伸的形状，形成有多个开口52和多个凹部53。各开口52在z向视时为矩形。如图53和图54所示，开口52的内表面包围各LED芯片4，在主面11的法线方向z上，以距基板1越远距LED芯片4越远的方式倾斜。如图51～图53所示，各凹部53位于相邻的开口52之间。各凹部53是从反射器51的上表面凹陷的截面矩形的槽。反射器51中的形成有凹部53的部位的yz平面上的截面积部分地缩小，相当于本发明所说的小截面部。在本实施方式中，反射器51的y方向尺寸为2.0～4.0mm左右。
在LED光源装置A9的制造工序中，如图58所示，将反射器51粘贴在LED芯片4的安装已完成了的基板1。在本实施方式中，反射器51的y方向尺寸为3.0mm左右，z方向高度为1mm左右。另外，开口52的尺寸中，x方向尺寸为3.9mm左右，y方向尺寸为1.9mm左右。凹部53的x方向尺寸为0.5～4.0mm左右，z方向深度为0.2～0.8mm左右。
白色树脂58相当于本发明所说的不透明树脂的一例，例如由白色的环氧树脂等相对于来自LED芯片4的光不透光，并且反射率比子安装基板44高的材质构成。如图52～图54所示，白色树脂58覆盖由反射器51的开口52包围的区域中的除LED芯片4以外的部分。另外，白色树脂58对子安装基板44的侧面全部覆盖。另外，也可以与本实施方式不同，为子安装基板44的侧面的一部分被白色树脂58覆盖的结构。白色树脂58与半导体层43分离。即，白色树脂58使半导体层43全部露出。
如图53和图54所示，透光树脂55填充于开口52内，覆盖LED芯片4。透光树脂55包括透明部57和荧光部56。透明部57叠层于白色树脂58上，在本实施方式中，覆盖半导体层43。透明部57例如由透明的环氧树脂或硅树脂构成。荧光部56叠层于透明部57上，由例如在透明的环氧树脂中混入有荧光材料的材质构成。另外，透明部57中未混有这种荧光材料。混入到荧光部56中的荧光材料通过由例如来自LED芯片4的蓝色光激励而发出黄色光。通过将来自LED芯片4的蓝色光和来自上述荧光材料的黄色光混合，从LED光源装置A9发出白色光。另外，也可以将通过由蓝色光激励而发出红色光的荧光材料和发出绿色光的荧光材料组合起来使用，以代替上述荧光材料。
图59和图60表示使用LED光源装置A9的液晶显示装置的一例。该图所示的液晶显示装置B3具备LED光源装置A9、导光板6和液晶面板7。
导光板6与LED光源装置A9一同构成背光源，例如由透明的聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂构成。导光板6为在zx平面上扩展的板状。导光板6具有入射面61、反射面62和出射面63。入射面61是与z方向垂直的平滑的面，与LED光源装置A9正对。反射面62是与y方向垂直的面，形成有多个槽621。出射面63是与y方向垂直的平滑的面，位于反射面62的相反侧。
如图60所示，从LED光源装置A9出射的光从入射面61入射以后，在导光板6内行进。行进来的光通过由反射面62的槽621反射或扩散，向y方向行进。从反射面62行进来的光从出射面63出射。由此，当LED光源装置A9发光时，从导光板6的出射面63整个面发出白色光。
液晶面板7用于通过使从导光板6出射的光选择性地透过，来形成液晶显示装置B1要显示的图像。液晶面板7例如由相对的两个透明基板和夹在这两个透明基板之间的液晶层构成，例如通过有源矩阵方式，能够按像素改变透过状态地构成。
接着，对LED光源装置A9和液晶显示装置B3的作用进行说明。
根据本实施方式，白色树脂58覆盖LED芯片4的子安装基板44的侧面。子安装基板44的材质即Si比较容易吸收光。白色树脂58实现防止由子安装基板44的侧面吸收来自半导体层43的光的作用。由此，能够实现LED光源装置A9的高亮度化。
另外，白色树脂58将由开口52围成的区域中的除LED芯片4以外的部分全部覆盖。因此，能够避免由基板1等将来自半导体层43的光吸收掉。这样有利于LED光源装置A9的高亮度化。
LED芯片4具有在子安装基板44做成的齐纳二极管。通过该齐纳二极管，能够防止对半导体层43施加过大的反向电压。另外，通过设置该齐纳二极管，不会阻碍LED光源装置A9的高亮度化。
通过在透光树脂55设置透明部57，能够消减透光树脂55所包含的荧光材料的量。这样有利于LED光源装置A9的低成本化。
各LED芯片4被反射器51的开口52包围，由此从LED芯片4行进到侧方的光由开口52反射。如图53和图54所示，开口52的内表面以向上方敞开(开口)的方式倾斜。因此，被反射的光容易向LED光源装置A9外出射。因此，能够进一步促进LED光源装置A9的高亮度化。
另外，如图58所示，在形成反射器51时，LED芯片4的安装已完成。因此，反射器51例如在安装LED芯片4的工序中所使用的软熔炉中不会暴露于高温之下。由此，作为该白色树脂，可使用液晶聚合物或聚对苯二甲酸丁二醇酯。液晶聚合物或聚对苯二甲酸丁二醇酯适于提高反射器51的表面的反射率。这样有利于LED光源装置A9的高亮度化。
如图58所示，反射器51在安装于基板1之前，大多单独地使用。根据反射器51的保持方法，过大的力矩会作用于反射器51。形成有多个凹部53的多个小截面部与它们以外的部位相比，更容易弹性变形。因此，在力矩作用于反射器51时，通过上述多个小截面部积极地变形，能够防止在反射器51的任意部分出现裂纹等。
凹部53以从反射器51中的基板1的相反侧的面凹陷的方式形成。由此，反射器51中的与基板1接合的面积不会因设置上述小截面部而缩小。因此，能够实现反射器51的保护，并且能够避免反射器51和基板1的接合力下降。
通过实现LED光源装置A9的亮度提高，液晶显示装置B3能够显示更明亮且更鲜明的图像。
图61～图83表示本发明的另一实施方式。另外，在这些图中，对与上述实施方式相同或类似的要素附加与上述实施方式相同的附图标记。
图61表示关于LED光源装置A9的凹部53的变形例。本变形例的LED光源装置A9的凹部53的结构与上述LED光源装置A9不同。在本变形例中，以从反射器51的朝向y方向的侧面凹陷的方式形成有多个凹部53。更具体而言，在相邻的开口52之间配置有一对凹部53。一对凹部53形成于反射器51的y方向两侧。通过这种变形例，也能够实现LED光源装置A9的高亮度化，并且能够防止在反射器51产生裂纹等。
图62表示关于LED光源装置A9的凹部53的另一变形例。本变形例的LED光源装置A9的凹部53的结构与上述LED光源装置A9不同。在本变形例中，以从反射器51的与基板1接合的面凹陷的方式形成有多个凹部53。各凹部53配置于相邻的开口52之间。通过这种变形例，也能够实现LED光源装置A9的高亮度化，并且能够防止在反射器51产生裂纹等。
图63和图64表示关于LED光源装置A9的金属膜3的变形例。在本变形例中，金属膜3仅包括AgPt层32。根据这种变形例，在制造LED光源装置A9时，可省略形成Al层31的工序。由此，能够实现LED光源装置A9的成本降低。
图65和图66表示LED光源装置A9的另一变形例。在本变形例中，不具备玻璃层2这点与上述LED光源装置A9不同。根据这种变形例，可省略形成玻璃层2的工序，因此有利于LED光源装置A9的成本降低。另外，能够实现来自LED芯片4的散热促进。
图67表示关于LED光源装置A9的LED芯片4的变形例。本变形例的LED芯片4为不使用导线42就可安装的类型。具体而言，在子安装基板44形成有两个通孔电极441。这两个通孔电极441经由形成于子安装基板44的配线图案，与半导体层43的n型半导体层和p型半导体层分别导通。在通孔电极441的下面形成有安装用的凸台442。LED芯片4通过该凸台442，安装于金属膜3。
图68表示关于LED光源装置A9的透光树脂55的变形例。在本变形例中，透光树脂55仅由荧光部56构成。通过这种变形例，也能够实现LED光源装置A9的高亮度化。
图69表示将基于本发明第九实施方式的LED光源装置和该装置的变形例组合在一起的结构。该图所示的LED光源装置A9’与上述的LED光源装置A9相比，省略了连接端子部37这点不同。LED光源装置A9和LED光源装置A9’的公共带状部33彼此和联络带状部36彼此分别通过配线38来连接。通过这种结构，能够实现更大画面尺寸的液晶显示装置的背光源用LED光源装置。
图70～图73表示基于本发明第十实施方式的LED光源装置A10。本实施方式的LED光源装置A10与上述实施方式的不同之处在于，具备多个反射器51和具备与LED芯片4分体的齐纳二极管41。多个反射器51相互分离。
在本实施方式中，在基板1安装有多个反射器51。在各反射器51形成有收纳LED芯片4的开口52。齐纳二极管41与LED芯片4一同安装于岛状部34的主体部341。齐纳二极管41防止对LED芯片4的半导体层43施加过大的反向电压。另外，齐纳二极管41由白色树脂58覆盖。由此，能够防止来自LED芯片4的光由齐纳二极管41吸收。
另外，也可以采用齐纳二极管41不是与LED芯片4分体而是形成于子安装基板44，并且具备彼此分离的多个反射器51的结构。
图74表示基于本发明第十一实施方式的LED光源装置。本实施方式的LED光源装置A11与上述LED光源装置A9的不同之处在于，在一个基板1安装有两个反射器51。在本实施方式中，反射器51的x方向长度为不到基板1的一半的程度。两个反射器51沿x方向串联配置，与LED光源装置A9同样，分别形成的开口52特别包围LED芯片4。
通过这种实施方式，也能够实现LED光源装置A11的高亮度化。另外，通过准备相对于基板1而言x方向短的反射器51，能够根据基板1的长度，来调整安装于一个基板1的反射器51的个数。由此，能够相对于不同长度的多种基板1将反射器51通用部件化，能够高效地制造各种长度的LED光源装置A11。
图75表示关于LED芯片4的变形例。本变形例的LED光源装置A12的LED芯片4与图53等所示的LED芯片4不同之处在于，不是在子安装基板44上接合有导线42而是在叠层于半导体层43的电极481上接合有导线42。
具体而言，LED芯片4具有子安装基板44、半导体层43、两个电极481。子安装基板44和半导体层43由于与上述的结构相同，因此省略说明。各电极481叠层于半导体层43。各电极481朝向主面11的法线方向z。
透明部57直接覆盖导线42的一部分和电极481。荧光部56直接覆盖导线42的一部分。如图76所示，荧光部56也可以不直接覆盖导线42。
通过图75、图76所示的结构，也能够得到与关于LED光源装置A9、A10所描述的优点同样的优点。另外，在上述的LED光源装置A9、A10中的任一装置中，也能够采用本变形例的LED芯片4的结构。
图77、图78表示关于反射器51的变形例。本变形例的LED光源装置A13的反射器51在包括突出部512这点与图53等所示的反射器51不同。另外，在本变形例中，如关于LED光源装置A10所述，LED光源装置A13具备多个反射器51来说明。另外，LED光源装置A13具备粘接层8。LED光源装置A9、A10等也可以具备粘接层，但为了方便理解，省略了记载。粘接层8位于反射器51和基板1之间。
粘接层8将反射器51与基板1接合。粘接层8例如是环氧系的粘接剂。具体而言，在本实施方式中，粘接层8与玻璃层2和金属膜3接触。
各反射器51还具有底面511和突出部512。在本变形例中，各反射器51的结构都相同，因此对一个反射器51进行说明。底面511朝向基板1的所在侧(即，图77、图78的下方)。突出部512从底面511向基板1突出。突出部512在沿主面11的法线方向z观看时，位于粘接层8和白色树脂58之间。图79是沿着图77、图78的XXX-XXX线的反射器51的底面图。在图79中，用虚线表示要配置LED芯片4的位置。另外，用阴影线表示要配置白色树脂58的区域。如图79所示，在本实施方式中，突出部512在从法线方向z观看(xy平面视时，以下同样)时，是包围白色树脂58的形状。也可以在突出部512和基板1之间存在有粘接层8。
在制造本变形例的LED光源装置A13时，在将要变成粘接层8的液状粘接剂涂布于底面511的状态下，使反射器51与基板1贴合。此时，涂布于底面511的粘接剂由于由突出部512来拦截，因此难以侵入突出部512的配置白色树脂58的一侧。因而，能够防止粘接层8从反射器51向配置白色树脂58的一侧溢出。因此，能够将要变成粘接层8的液状粘接剂更多地涂布于底面511。由此，通过粘接层8，能够将反射器51与基板1更牢固地接合。
另外，在本变形例中，突出部512在从法线方向z观看时，是包围白色树脂58的形状。这种结构更适于防止粘接层8从反射器51向配置白色树脂58的一侧溢出。
图80、图81表示关于反射器51的另一变形例。图82是仅表示反射器51的平面图。在图82中，用虚线表示要配置LED芯片4的位置。本变形例的LED光源装置A14的反射器51主要在具有表面591、592、593、594这点，与LED光源装置A13不同。另外，在本变形例中，透光树脂55是向法线方向z凸起的形状。
表面591朝向主面11的法线方向z。如图82所示，表面591在从法线方向z观看时，包围多个LED芯片4中的任一个。表面591是平坦的。表面591被透光树脂55覆盖。表面592与表面591连接并且相对于表面591倾斜。在本变形例中，表面592和表面591的边界尖锐(尖)。表面592朝向在沿方向z观看时被表面591包围的区域的相反侧。即，在图80中，表面592朝向右侧或左侧。表面592不被透光树脂55覆盖，而是从透光树脂55露出。表面593与表面591连接且相对于表面591倾斜。在本变形例中，表面593和表面591的边界尖锐。表面593朝向在沿方向z观看时被表面591包围的区域的相反侧。即，在图81中，表面593朝向右侧或左侧。如图82所示，表面593与表面592连接。表面593不被透光树脂55覆盖，而是从透光树脂55露出。表面594朝向主面11的法线方向z。表面592从表面594向表面591立起。表面594不被透光树脂55覆盖，而是从透光树脂55露出。另外，也可以与本实施方式不同，反射器51不具有相当于表面594的面。即，反射器51也可以为筒状。另外，反射器51也可以不具有突出部512。
如图83所示，本变形例的LED光源装置A14通过与液晶面板7一同使用，构成液晶显示装置B4。但是，LED光源装置A14与上述的LED光源A9、A10、A12、A13不同，不与导光板6一同使用。多个LED光源装置A14配置于与液晶面板7相对的位置，作为面状光源发挥功能。
根据本变形例，在将要变成透光树脂55的液状树脂材料填充于开口52的情况下，该树脂材料有时也覆盖表面591。在将上述树脂材料填充于开口52时，表面592在重力方向上位于表面591的下侧。因此，即使上述树脂材料覆盖表面591，也因树脂材料的表面张力的影响，树脂材料难以流到表面592。由此，能够使树脂材料留在表面591上。因而，在从法线方向z观看时，能够在表面591和被表面591包围的区域内形成由树脂材料固化而成的透光树脂55。因此，能够防止透光树脂55的形状较大地变形，能够形成所期望的形状的透光树脂55。
另外，LED光源装置A14优选不与导光板6一同使用，但也可以与LED光源装置A9同样，与导光板6一同使用。
本发明的液晶显示装置背光源用LED光源装置和液晶显示装置不局限于上述的实施方式。本发明的液晶显示装置背光源用LED光源装置和液晶显示装置的各部的具体结构能够变更自如地进行各种设计。

Claims (92)

1.一种液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于，包括：
多个LED芯片；
基板；和
覆盖所述基板的主面的金属膜，
所述多个LED芯片安装在所述金属膜上。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述基板由陶瓷构成。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜至少最外层包括Al层。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜还包括位于所述Al层的至少一部分和所述基板之间的AgPt层。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜仅包括AgPt层。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述AgPt层是在印刷了含有Ag和Pt的糊剂以后通过将该糊剂烧成而形成的。
7.如权利要求3所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述Al层通过溅射而形成。
8.如权利要求1所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备位于所述金属膜和所述基板之间的玻璃层。
9.如权利要求8所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
在所述玻璃层设置有在从所述基板的厚度方向观看时内包所述LED芯片的窗部。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述玻璃层具有倾斜面，所述倾斜面与所述窗部的边缘连接，并且以距所述LED芯片越远，距所述基板的主面在其法线方向上越远的方式倾斜。
11.如权利要求10所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述倾斜面呈包围所述LED芯片的框状。
12.如权利要求8所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述玻璃层是在印刷了含有玻璃的糊剂以后通过将该糊剂烧成而形成的。
13.如权利要求1所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备包围所述LED芯片的框状的反射器。
14.如权利要求13所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述反射器由白色树脂构成。
15.如权利要求13所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
在所述反射器所包围的空间内填充有覆盖所述LED芯片的透光树脂。
16.如权利要求15所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
在所述透光树脂中混入有荧光材料。
17.如权利要求1所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述基板为长条形，
所述多个LED芯片沿所述基板的长度方向排列。
18.如权利要求17所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜包括：在靠近所述基板的宽度方向一端的位置，沿所述基板的长度方向延伸的公共带状部；和一个以上的岛状组，各所述岛状组由多个岛状部构成，与所述公共带状部平行地排列，并且在所述长度方向上位于最端部的岛状部与所述公共带状部导通，
所述多个LED芯片分别安装于所述多个岛状部。
19.如权利要求18所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜包括：设置在靠近所述基板的长度方向一端的位置的连接端子部；沿所述公共带状部排列在所述长度方向上的两个所述岛状组；和联络带状部，所述联络带状部在所述基板的宽度方向上隔着所述岛状组配置在所述公共带状部的相反侧，沿所述长度方向从所述连接端子部延伸，并且与所述两个岛状组中距所述连接端子部远的岛状组所包含的所述多个岛状部中的最接近所述连接端子部的岛状部导通。
20.一种液晶显示装置，包括：
权利要求1所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置；
导光部件，整体大致呈板状，具有：沿厚度方向扩展，并且与所述液晶显示装置背光源用LED光源装置正对的入射面；沿与所述厚度方向垂直的方向扩展，并且将从所述入射面行进来的光向所述厚度方向反射的反射面；和与所述反射面在所述厚度方向上分离，并且将从所述反射面行进来的光射出的出射面；以及
通过使从所述出射面出射的光选择性地透过来形成图像的液晶面板。
21.一种液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于，包括：
多个LED芯片；
具备安装有所述多个LED芯片的主面的基板；和
反射器，安装在所述基板上，形成有具有分别包围所述多个LED芯片的内表面的多个开口。
22.如权利要求21所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述内表面以在所述主面的法线方向上距所述主面越远，在与所述主面垂直的方向上距所述LED芯片越远的方式倾斜。
23.如权利要求21所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述开口在俯视时呈矩形。
24.如权利要求21所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述基板为长条形，
所述多个LED芯片沿所述基板的长度方向配置成列状。
25.如权利要求24所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述反射器具有位于相邻的所述开口之间并且截面积部分地缩小的小截面部。
26.如权利要求25所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述小截面部通过形成从所述反射器中的位于所述基板的相反侧的面凹陷的凹部而构成。
27.如权利要求25所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述小截面部通过形成从所述反射器中的位于所述基板侧的面凹陷的凹部而构成。
28.如权利要求25所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述小截面部通过形成从所述反射器中的朝向宽度方向的侧面凹陷的凹部而构成。
29.如权利要求21所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述反射器由白色树脂构成。
30.如权利要求29所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述白色树脂为液晶聚合物或聚对苯二甲酸丁二醇酯。
31.如权利要求21所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述LED芯片具有由Si构成的子安装基板和搭载于该子安装基板的半导体层，并且以使所述子安装基板位于所述基板侧的方式安装，
所述液晶显示装置背光源用LED光源装置具备不透明树脂，所述不透明树脂将朝向与所述主面的法线方向垂直的方向的所述子安装基板的侧面的至少一部分覆盖，并且由反射率比所述子安装基板高的材质构成。
32.如权利要求31所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述不透明树脂覆盖所述子安装基板的整个所述侧面。
33.如权利要求31所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述不透明树脂使所述半导体层全部露出。
34.如权利要求31所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
在俯视时，所述不透明树脂将所述反射器的由所述开口包围的区域中的除了所述子安装基板以外的部分覆盖。
35.如权利要求31所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述不透明树脂为白色。
36.如权利要求31所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备透光树脂，所述透光树脂叠层在所述不透明树脂上，并覆盖所述半导体层，并且具有包含荧光体材料的荧光部，所述荧光体材料通过由来自所述半导体层的光激励而发出与来自所述半导体层的光不同的光。
37.如权利要求36所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述透光树脂具有透明部，所述透明部存在于所述荧光部和所述不透明树脂之间，并且不含所述荧光体材料。
38.如权利要求31所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
在所述子安装基板上，安装有用于避免对所述半导体层施加过大的反向电压的齐纳二极管。
39.如权利要求31所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备安装在与所述LED芯片相邻的位置，用于避免对所述半导体层施加过大的反向电压的齐纳二极管，
所述齐纳二极管由所述不透明树脂覆盖。
40.如权利要求21所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
具备覆盖所述基板的所述主面的金属膜，
所述多个LED芯片安装在所述金属膜上。
41.如权利要求40所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述基板由陶瓷构成。
42.如权利要求40所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜至少最外层包括Al层。
43.如权利要求42所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜还包括位于所述Al层的至少一部分和所述基板之间的AgPt层。
44.如权利要求40所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜仅包括AgPt层。
45.如权利要求43所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述AgPt层是在印刷了含有Ag和Pt的糊剂以后通过将该糊剂烧成而形成的。
46.如权利要求42所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述Al层通过溅射而形成。
47.如权利要求40所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备位于所述金属膜和所述基板之间的玻璃层。
48.如权利要求47所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
在所述玻璃层设置有从所述基板的厚度方向观看时内包所述LED芯片的窗部。
49.如权利要求48所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述玻璃层具有倾斜面，所述倾斜面与所述窗部的边缘连接，并且以距所述LED芯片越远，距所述基板的主面在其法线方向上越远的方式倾斜。
50.如权利要求49所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述倾斜面呈包围所述LED芯片的框状。
51.如权利要求47所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述玻璃层是在印刷了含有玻璃的糊剂以后通过将该糊剂烧成而形成的。
52.如权利要求40所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述基板为长条形，
所述多个LED芯片沿所述基板的长度方向排列，
所述金属膜具有：在靠近所述基板的宽度方向一端的位置，沿所述基板的长度方向延伸的公共带状部；和一个以上的岛状组，各所述岛状组由多个岛状部构成，与所述公共带状部平行地排列，并且在所述长度方向上位于最端部的岛状部与所述公共带状部导通，
所述多个LED芯片分别安装于所述多个岛状部。
53.如权利要求52所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜包括：设置在靠近所述基板的长度方向一端的位置的连接端子部；沿所述公共带状部排列在所述长度方向上的两个所述岛状组；和联络带状部，所述联络带状部在所述基板的宽度方向上隔着所述岛状组配置在所述公共带状部的相反侧，沿所述长度方向从所述连接端子部延伸，并且与所述两个岛状组中距所述连接端子部远的岛状组所包含的所述多个岛状部中的最接近所述连接端子部的岛状部导通。
54.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：
权利要求21所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置；
导光部件，整体大致呈板状，具有：沿厚度方向扩展，并且与所述液晶显示装置背光源用LED光源装置正对的入射面；沿与所述厚度方向垂直的方向扩展，并且将从所述入射面行进来的光向所述厚度方向反射的反射面；和与所述反射面在所述厚度方向上分离，并且将从所述反射面行进来的光射出的出射面；以及
通过使从所述出射面出射的光选择性地透过来形成图像的液晶面板。
55.一种液晶显示装置背光源用LED光源装置，包括：
多个LED芯片；
具备安装有所述多个LED芯片的主面的基板；和
不透明树脂，
所述多个LED芯片中的任意一个包括由Si构成的子安装基板和搭载于所述子安装基板的半导体层，所述不透明树脂由反射率比所述子安装基板高的材质构成，所述子安装基板具有朝向与所述主面的法线方向垂直的方向的侧面，所述侧面的至少一部分被所述不透明树脂覆盖。
56.如权利要求55所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述不透明树脂覆盖所述子安装基板的整个所述侧面。
57.如权利要求55所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述不透明树脂使所述半导体层全部露出。
58.如权利要求55所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述不透明树脂为白色。
59.如权利要求55所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备叠层在所述不透明树脂上并且覆盖所述半导体层的透光树脂，
所述透光树脂具有荧光部，所述荧光部包含通过由来自所述半导体层的光激励而发出与来自所述半导体层的光不同的光的荧光体材料。
60.如权利要求59所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述透光树脂包括透明部，所述透明部位于所述荧光部和所述不透明树脂之间，并且不含所述荧光体材料。
61.如权利要求55所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
在所述子安装基板上，安装有用于避免对所述半导体层施加过大的反向电压的齐纳二极管。
62.如权利要求55所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备安装在与所述LED芯片相邻的位置，用于避免对所述半导体层施加过大的反向电压的齐纳二极管，
所述齐纳二极管由所述不透明树脂覆盖。
63.如权利要求59所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于，还具备：
形成有开口的反射器，所述开口具有包围所述多个LED芯片中的任一个的内表面；和
位于所述反射器和所述基板之间的粘接层。
64.如权利要求63所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述反射器具有与所述粘接层接触的底面，所述反射器包括从所述底面向所述基板突出的突出部，
所述突出部在从所述法线方向观看时，位于所述粘接层和所述不透明树脂之间。
65.如权利要求64所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述突出部与所述不透明树脂接触。
66.如权利要求65所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述突出部在从所述法线方向观看时，呈包围所述不透明树脂的形状。
67.如权利要求65所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述反射器在从所述法线方向观看时，包括：包围所述多个LED芯片中的任一个的第一表面；以及与所述第一表面连接并且相对于所述第一表面倾斜的第二表面，
所述第二表面在从所述法线方向观看时，朝向由所述第一表面包围的区域的相反侧。
68.如权利要求67所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述反射器具有朝向所述法线方向的第三表面，
所述第二表面从所述第三表面向所述第一表面立起。
69.如权利要求68所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述透光树脂为向所述法线方向凸起的形状。
70.如权利要求55所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备安装于所述基板并且相互分离的多个反射器，
在所述多个反射器的每一个形成有开口，所述开口具有包围所述多个LED芯片中的任一个的内表面。
71.如权利要求55所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备安装于所述基板并且形成有多个开口的反射器，
所述多个开口分别具有包围所述多个LED芯片中的任一个的内表面。
72.如权利要求71所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述内表面以在所述主面的法线方向上距所述主面越远，在与所述法线方向垂直的方向上距所述LED芯片越远的方式倾斜。
73.如权利要求71所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述开口在俯视时呈矩形。
74.如权利要求71所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述基板为长条形，
所述多个LED芯片沿所述基板的长度方向配置成列状。
75.如权利要求73所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述反射器具有位于所述多个开口中的相邻的两个开口之间并且截面积部分地缩小的小截面部。
76.如权利要求75所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述小截面部通过形成从所述反射器中的位于所述基板的相反侧的面凹陷的凹部而构成。
77.如权利要求75所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述小截面部通过形成从所述反射器中的位于所述基板侧的面凹陷的凹部而构成。
78.如权利要求75所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述小截面部通过形成从所述反射器中的朝向宽度方向的侧面凹陷的凹部而构成。
79.如权利要求71所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述反射器由白色树脂构成。
80.如权利要求79所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述白色树脂为液晶聚合物或聚对苯二甲酸丁二醇酯。
81.如权利要求71所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
在俯视时，所述不透明树脂将由所述多个开口中的任一个包围的区域中的除了所述子安装基板以外的区域覆盖。
82.如权利要求55所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备覆盖所述基板的金属膜，
所述多个LED芯片安装在所述金属膜上。
83.如权利要求82所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述基板由陶瓷构成。
84.如权利要求82所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜包括构成最外层的Al层。
85.如权利要求84所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜包括位于所述Al层的至少一部分和所述基板之间的AgPt层。
86.如权利要求82所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜仅包括AgPt层。
87.如权利要求85所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述AgPt层是在印刷了含有Ag和Pt的糊剂以后通过将该糊剂烧成而形成的。
88.如权利要求84所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述Al层通过溅射而形成。
89.如权利要求82所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
还具备与所述金属膜导通的导线，
所述多个LED芯片中的任意一个包括叠层于所述半导体层的电极，在所述电极上接合有所述导线。
90.如权利要求82所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述基板为长条形，
所述多个LED芯片沿所述基板的长度方向排列，
所述金属膜包括公共带状部和一个以上的岛状组，其中，所述公共带状部在靠近所述基板的宽度方向的一端的位置，沿所述基板的长度方向延伸，所述一个以上的岛状组各自具有沿所述长度方向排列的多个岛状部，所述多个岛状部中的在所述长度方向上位于最端部的岛状部与所述公共带状部导通，所述多个LED芯片分别安装于所述多个岛状部中的任一个。
91.如权利要求90所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置，其特征在于：
所述金属膜包括连接端子部和联络带状部，其中，所述连接端子部设置在靠近所述基板的长度方向的一端的位置，所述一个以上的岛状组的个数为两个以上，所述一个以上的岛状组中的任意两个岛状组沿所述公共带状部排列，所述联络带状部在所述基板的宽度方向上隔着所述多个岛状组中的任一个配置在所述公共带状部的相反侧，并且沿所述长度方向从所述连接端子部延伸，所述联络带状部与所述两个岛状组中距所述连接端子部远的岛状组所包含的多个岛状部中的最接近所述连接端子部的岛状部导通。
92.一种液晶显示装置，包括：
权利要求55所述的液晶显示装置背光源用LED光源装置；
具有入射面、反射面和出射面的导光板；
通过使从所述出射面出射的光选择性地透过来形成图像的液晶面板，
所述入射面沿所述导光板的与厚度方向平行的平面扩展，并且与所述液晶显示装置背光源用LED光源装置正对，所述反射面沿与所述厚度方向垂直的平面扩展，并且将从所述入射面行进而来的光向所述厚度方向反射，所述出射面在所述厚度方向上与所述反射面分离，并且射出从所述反射面行进而来的光。
CN201110253637.8A 2010-08-27 2011-08-26 液晶显示装置背光源用led光源装置和液晶显示装置 Expired - Fee Related CN102384405B (zh)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-190469 2010-08-27
JP2010190469 2010-08-27
JP2010-259270 2010-11-19
JP2010259269 2010-11-19
JP2010259270 2010-11-19
JP2010-259269 2010-11-19
JP2011144716 2011-06-29
JP2011-144716 2011-06-29
JP2011166236A JP5940775B2 (ja) 2010-08-27 2011-07-29 液晶表示装置バックライト用ｌｅｄ光源装置および液晶表示装置
JP2011-166236 2011-07-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102384405A true CN102384405A (zh) 2012-03-21
CN102384405B CN102384405B (zh) 2015-01-14

Family

ID=45770488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110253637.8A Expired - Fee Related CN102384405B (zh) 2010-08-27 2011-08-26 液晶显示装置背光源用led光源装置和液晶显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9510442B2 (zh)
JP (1) JP5940775B2 (zh)
CN (1) CN102384405B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102707349A (zh) * 2012-03-31 2012-10-03 深圳市华星光电技术有限公司 反射型液晶显示器的反射层的制造方法
CN106051474A (zh) * 2015-04-15 2016-10-26 美蓓亚株式会社 面状照明装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE48474E1 (en) * 2011-11-17 2021-03-16 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight unit comprising the same
US9117991B1 (en) * 2012-02-10 2015-08-25 Flextronics Ap, Llc Use of flexible circuits incorporating a heat spreading layer and the rigidizing specific areas within such a construction by creating stiffening structures within said circuits by either folding, bending, forming or combinations thereof
JP6233560B2 (ja) * 2013-04-04 2017-11-22 東芝ライテック株式会社 車両用照明装置、および車両用灯具
US9605837B2 (en) 2013-04-04 2017-03-28 Toshiba Lighting & Technology Corporation Lighting device
JP6221403B2 (ja) * 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20150015905A (ko) * 2013-08-02 2015-02-11 삼성디스플레이 주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
US9389354B2 (en) * 2013-12-16 2016-07-12 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Backlight module
JP2016029686A (ja) * 2014-07-25 2016-03-03 サンケン電気株式会社 発光装置
JP6414485B2 (ja) 2015-02-27 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20160313491A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination structure for use with frontlight
WO2017038667A1 (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 シャープ株式会社 光源ユニット、照明装置及び表示装置
CN106784203B (zh) * 2017-03-31 2019-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种像素结构及制造方法
US10699932B2 (en) * 2018-04-10 2020-06-30 Asm Technology Singapore Pte Ltd Apparatus and method for inspecting substantially transparent electronic devices
TWI684293B (zh) * 2018-06-29 2020-02-01 同泰電子科技股份有限公司 高反射背光電路板結構及其製作方法
JP6733716B2 (ja) * 2018-10-03 2020-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7137079B2 (ja) * 2018-11-22 2022-09-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1497309A (zh) * 2002-10-22 2004-05-19 西铁城电子股份有限公司 面状光源
WO2004071141A2 (en) * 2003-02-07 2004-08-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Metal base wiring board for retaining light emitting elements, light emitting source, lighting apparatus, and display apparatus
CN2720645Y (zh) * 2004-07-29 2005-08-24 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管防静电封装结构
CN1753200A (zh) * 2004-09-24 2006-03-29 斯坦雷电气株式会社 Led器件
GB2432967A (en) * 2005-11-30 2007-06-06 Unity Opto Technology Co Ltd White light LED with fluorescent powder containing wavelength converting plate
CN101174663A (zh) * 2006-10-31 2008-05-07 东芝照明技术株式会社 发光装置
CN201062757Y (zh) * 2007-06-05 2008-05-21 诸建平 白光面光源发光装置
CN101185174A (zh) * 2005-05-31 2008-05-21 昭和电工株式会社 Led用基板以及led封装
CN101188224A (zh) * 2007-10-12 2008-05-28 上海大学 高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法
CN201475693U (zh) * 2009-06-08 2010-05-19 吴丹凤 一种高发光效率的led的封装结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05304318A (ja) * 1992-02-06 1993-11-16 Rohm Co Ltd 発光素子アレイ基板
EP1461645A4 (en) * 2001-12-14 2006-09-06 Digital Optics Internat Corp UNIFORM LIGHTING SYSTEM
CN100587560C (zh) * 2003-04-01 2010-02-03 夏普株式会社 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置
JP4363268B2 (ja) * 2004-07-08 2009-11-11 三菱電機株式会社 面状光源装置
JP2006060070A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Kyoritsu Elex Co Ltd 発光ダイオード用パッケージ及び発光ダイオード並びに発光ダイオード用パッケージの製造方法
KR100593935B1 (ko) * 2005-03-24 2006-06-30 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR20060131327A (ko) * 2005-06-16 2006-12-20 엘지전자 주식회사 발광 다이오드의 제조 방법
JP2007123130A (ja) 2005-10-28 2007-05-17 Citizen Electronics Co Ltd バックライトユニット及びそれを備えた表示機器
US8395725B2 (en) * 2006-01-19 2013-03-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting module, backlight using the same, and liquid crystal display device
JP2009231440A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Nippon Carbide Ind Co Inc 発光素子搭載用配線基板及び発光装置
JP2010027937A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Panasonic Corp 配線基板および線状光源装置
JP5493312B2 (ja) * 2008-08-22 2014-05-14 ソニー株式会社 面発光装置及び画像表示装置
JP2010250962A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール及び照明器具
KR101352276B1 (ko) * 2009-07-24 2014-01-16 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드의 방열장치와 이를 이용한 액정표시장치

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1497309A (zh) * 2002-10-22 2004-05-19 西铁城电子股份有限公司 面状光源
WO2004071141A2 (en) * 2003-02-07 2004-08-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Metal base wiring board for retaining light emitting elements, light emitting source, lighting apparatus, and display apparatus
CN2720645Y (zh) * 2004-07-29 2005-08-24 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管防静电封装结构
CN1753200A (zh) * 2004-09-24 2006-03-29 斯坦雷电气株式会社 Led器件
CN101185174A (zh) * 2005-05-31 2008-05-21 昭和电工株式会社 Led用基板以及led封装
GB2432967A (en) * 2005-11-30 2007-06-06 Unity Opto Technology Co Ltd White light LED with fluorescent powder containing wavelength converting plate
CN101174663A (zh) * 2006-10-31 2008-05-07 东芝照明技术株式会社 发光装置
CN201062757Y (zh) * 2007-06-05 2008-05-21 诸建平 白光面光源发光装置
CN101188224A (zh) * 2007-10-12 2008-05-28 上海大学 高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法
CN201475693U (zh) * 2009-06-08 2010-05-19 吴丹凤 一种高发光效率的led的封装结构

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102707349A (zh) * 2012-03-31 2012-10-03 深圳市华星光电技术有限公司 反射型液晶显示器的反射层的制造方法
CN102707349B (zh) * 2012-03-31 2015-07-29 深圳市华星光电技术有限公司 反射型液晶显示器的反射层的制造方法
CN106051474A (zh) * 2015-04-15 2016-10-26 美蓓亚株式会社 面状照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120057099A1 (en) 2012-03-08
US9510442B2 (en) 2016-11-29
JP2013033777A (ja) 2013-02-14
CN102384405B (zh) 2015-01-14
JP5940775B2 (ja) 2016-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102384405A (zh) 液晶显示装置背光源用led光源装置和液晶显示装置
US7478925B2 (en) Lighting source unit, illuminating apparatus using the same and display apparatus using the same
JP7054025B2 (ja) 発光装置
JP6852336B2 (ja) 発光装置
JP4909450B2 (ja) 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
EP2354819B1 (en) Backlight unit and display device using the same
KR102067420B1 (ko) 발광다이오드어셈블리 및 그를 포함한 액정표시장치
CN102483542A (zh) 背光单元和显示装置
JPH11161197A (ja) 画像表示装置
EP2443677B1 (en) Backlight unit with a light emitting diode package
KR20130066171A (ko) 조명 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
JP5952569B2 (ja) 発光素子搭載用基板、及び、それを用いた発光装置、及び、発光素子搭載用基板の製造方法
CN114220902A (zh) Led光源组件及其制作方法
KR20150077569A (ko) 플립칩 엘이디 패키지 기판 및 플립칩 엘이디 패키지 구조
US11437429B2 (en) Light emitting device
JP6729648B2 (ja) 発光装置
KR20150038822A (ko) 엘이디 바를 가지는 백라이트 유닛
CN109326585B (zh) 一种背光模组及其制作方法、显示装置
CN100565950C (zh) 发光装置安装基片、发光装置安装组件和平面光源装置
JP6959557B2 (ja) 発光装置
CN220753470U (zh) Mini LED灯板和显示设备
CN103901665B (zh) 背光单元及包括该背光单元的液晶显示设备
JP7144683B2 (ja) 発光装置
KR20120073931A (ko) 발광소자 어레이
KR20230109204A (ko) 디스플레이 장치용 백라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150114

Termination date: 20190826

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee