CN201475693U - 一种高发光效率的led的封装结构 - Google Patents

一种高发光效率的led的封装结构 Download PDF

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Abstract

本实用新型提供了一种高发光效率的LED的封装结构,属于照明设备的加工领域,其包括一具有反光杯的底座,底座的反光杯底部中央设有一LED芯片,该LED芯片的表面涂敷有一荧光粉层,其中,所述LED芯片的外形为中心为空的回字形,该LED芯片通过绝缘胶粘在所述底座的反光杯的底部中央。本实用新型结构可使LED发光效率得到明显提高。

Description

一种高发光效率的LED的封装结构
【技术领域】
本实用新型涉及一种照明设备,尤其涉及一种高发光效率的LED的封装结构。
【背景技术】
目前用来提高LED光效的LED封装结构有如下几种:1、改变芯片表面结构,通过使芯片表面粗糙化,利用光的折射效益来增加出光效率;2、利用荧光粉与芯片配波段来达到最佳匹配,从而提高光效;3、通过芯片倒置安装来提高光效。但上述几种结构对光效虽有一定的提高,但都不很明显,因此需对现有工艺进行改进,以进一步提高LED发光效率。
【实用新型内容】
本实用新型要解决的技术问题,在于提供一种高发光效率的LED的封装结构,使LED发光效率得到明显提高。
本实用新型是这样实现的:一种高发光效率的LED的封装结构,包括一具有反光杯的底座,底座的反光杯底部中央设有一LED芯片,该LED芯片的表面涂敷有一荧光粉层,其中,所述LED芯片的外形为中心为空的回字形,该LED芯片通过绝缘胶粘在所述底座的反光杯的底部中央。
其中:
所述LED芯片的底部分布有规则化图案。
所述LED芯片的内、外两侧填充满由高折射玻璃珠与硅树脂混合形成的第一胶体层,所述荧光粉层延展至该第一胶体层的表面。
所述荧光粉层的表面还具有一由高折射玻璃珠与硅树脂混合形成的第二胶体层,该第二胶体层外形为圆弧体状。
第一胶体层和第二胶体层是由折射率为1.9~2.1,细度为400~450目的高折射玻璃珠与硅树脂按1∶2的质量比混合制成。
所述绝缘胶的厚度为10~100um。
所述底座包括一绝缘反光杯板、第一金属散热板以及第二金属散热板,所述反光杯即设在该绝缘反光杯板上,且该绝缘反光杯板的底部设有两上窄下宽的梯形凸棱,所述第一金属散热板与所述第二金属散热板的预面相对于所述梯形凸棱分别设有一上窄下宽的梯形凹槽,所述梯形凸棱和梯形凹槽扣接固定连接所述绝缘反光杯板、第一金属散热板与所述第二金属散热板。
本实用新型具有如下优点:采用回字形芯片,且其底部采用图案衬底的方法制作出规则化图案,能将芯片内部发出的光很好的利用出来,以提高光的取出效率,且LED芯片内、外侧均置入高折射玻璃珠,使LED芯片内部所产生的光通过高折射玻璃珠的折射取出,可使芯片的光提取率增加15%以上。
【附图说明】
下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。
图1是本实用新型高发光效率的LED的封装结构示意图。
图2是图1的A-A剖视图。
图3是本实用新型回字形芯片的底部结构示意图。
图4是本实用新型底座的结构示意图。
【具体实施方式】
请参阅图1至图4所示,本实用新型的高发光效率的LED的封装结构,包括底座1、LED芯片2、第一胶体层3、荧光粉层4以及第二胶体层5。
所述底座1包括一绝缘反光杯板11、第一金属散热板12以及第二金属散热板13,所述反光杯112即设在该绝缘反光杯板11上,且该绝缘反光杯板11的底部设有两上窄下宽的梯形凸棱110,所述第一金属散热板12与所述第二金属散热板13的顶面相对于所述梯形凸棱110分别设有一上窄下宽的梯形凹槽120(130),所述梯形凸棱110和梯形凹槽120(130)扣接固定连接所述绝缘反光杯板11、第一金属散热板12与所述第二金属散热板13。这种采用扣接方式连接固定的底座1不用焊接、不用背板,成本低,且反光效果好,取光性能优越。
所述LED芯片2通过绝缘胶粘在所述底座1的反光杯112的底部中央,所述绝缘胶的厚度为10~100um。该LED芯片2的外形为中心21为空的“回”字形,所述LED芯片2的底部分布有采用图案衬底的方法制作出的规则化图案22。该回字形LED芯片2,能将芯片内部发出的光很好的利用出来,以提高光的取出效率。
所述第一胶体层3是由高折射玻璃珠与硅树脂混合形成的,该第一胶体层3填充在所述LED芯片2的内、外两侧,且其表面与所述LED芯片2的表面平齐。
所述荧光粉层4直接涂敷在所述LED芯片2的表面上并延展覆盖所述第一胶体层3的表面,让其与所述LED芯片2所发蓝光耦合,以形成白光。
所述第二胶体层5也是由高折射玻璃珠与硅树脂混合形成的,该第二胶体层5设在荧光粉层4的表面上且外形成为圆弧体状,使回字形LED芯片2所发出的点光源变成面光源。
所述第一胶体层3和第二胶体层5是由折射率为1.9~2.1,细度为400~450目的高折射玻璃珠与硅树脂按1∶2的质量比混合制成,该高折射玻璃珠可使LED芯片内部所产生的光通过高折射玻璃珠的折射取出,可使芯片的光提取率增加15%以上。

Claims (7)

1.一种高发光效率的LED的封装结构,包括一具有反光杯的底座,底座的反光杯底部中央设有一LED芯片,该LED芯片的表面涂敷有一荧光粉层,其特征在于:所述LED芯片的外形为中心为空的回字形,该LED芯片通过绝缘胶粘在所述底座的反光杯的底部中央。
2.根据权利要求1所述的一种高发光效率的LED的封装结构,其特征在于:所述LED芯片的底部分布有规则化图案。
3.根据权利要求2所述的一种高发光效率的LED的封装结构,其特征在于:所述LED芯片的内、外两侧填充满由高折射玻璃珠与硅树脂混合形成的第一胶体层,且第一胶体层的表面与所述LED芯片的表面平齐,所述荧光粉层延展覆盖所述第一胶体层的表面。
4.根据权利要求3所述的一种高发光效率的LED的封装结构,其特征在于:所述荧光粉层的表面还具有一由高折射玻璃珠与硅树脂混合形成的第二胶体层,该第二胶体层外形为圆弧体状。
5.根据权利要求4所述的一种高发光效率的LED的封装结构,其特征在于:第一胶体层和第二胶体层是由折射率为1.9~2.1,细度为400~450目的高折射玻璃珠与硅树脂按1∶2的质量比混合制成。
6.根据权利要求1所述的一种高发光效率的LED的封装结构,其特征在于:所述绝缘胶的厚度为10~100um。
7.根据权利要求1所述的一种高发光效率的LED的封装结构,其特征在于:所述底座包括一绝缘反光杯板、第一金属散热板以及第二金属散热板,所述反光杯即设在该绝缘反光杯板上,且该绝缘反光杯板的底部设有两上窄下宽的梯形凸棱,所述第一金属散热板与所述第二金属散热板的顶面相对于所述梯形凸棱分别设有一上窄下宽的梯形凹槽,所述梯形凸棱和梯形凹槽扣接固定连接所述绝缘反光杯板、第一金属散热板与所述第二金属散热板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102384405A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 罗姆股份有限公司 液晶显示装置背光源用led光源装置和液晶显示装置
CN104976547A (zh) * 2014-04-01 2015-10-14 广镓光电股份有限公司 发光二极管组件及用此发光二极管组件的发光二极管灯泡

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102384405A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 罗姆股份有限公司 液晶显示装置背光源用led光源装置和液晶显示装置
CN102384405B (zh) * 2010-08-27 2015-01-14 罗姆股份有限公司 液晶显示装置背光源用led光源装置和液晶显示装置
CN104976547A (zh) * 2014-04-01 2015-10-14 广镓光电股份有限公司 发光二极管组件及用此发光二极管组件的发光二极管灯泡
CN104976547B (zh) * 2014-04-01 2019-05-28 晶元光电股份有限公司 发光二极管组件及用此发光二极管组件的发光二极管灯泡

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