CN102376671A - 引线框架以及应用其的倒装芯片式半导体封装结构 - Google Patents

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Abstract

依据本发明的实施例提供的一种新型的引线框架以及应用其的倒装芯片式半导体封装结构，所述引线框架包括一组平行排列的指状引脚，所述指状引脚的一表面具有依次间隔的一组开口，所述开口的深度小于所述指状引脚的厚度。所述倒装芯片式半导体封装结构包括芯片，一组凸块和所述引线框架；其中，所述凸块的第一表面与所述芯片的正面连接；所述凸块的第二表面与所述引线框架中的上表面连接，并且，所述一组凸块位于与所述指状引脚的上表面中除去所述开口剩余的区域内。

Description

引线框架以及应用其的倒装芯片式半导体封装结构
技术领域
本发明涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种引线框架以及一种倒装芯片式半导体封装结构。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体，不仅起到支撑芯片的作用，而且还是实现芯片内部电路与外围电路之间的电气连接的关键结构件。引线框架根据选择的封装类型的不同(如倒装芯片封装)，可以具有不同的结构。现有的引线框架大多均是具有相同厚度的规则的几何形状，便于制造。
与传统的采用键合线将面朝上的半导体芯片电气连接至引线框架的封装结构不同，倒装芯片式半导体封装结构是一种利用倒装芯片进行电性连接的封装结构，其通过多个凸块将芯片的一作用表面电性连接至基板或者引线框架的表面上，这种封装结构不仅大幅缩减封装件体积，使得半导体芯片与基板的比例更趋接近；同时，也去除了现有的通过键合线连接半导体芯片和基板而造成的传导电阻的增加，降低了阻抗提高了传导效率。
参考图1A和1B，所示为采用现有技术的一种引线框架以及应用其的一种倒装芯片式半导体封装结构的剖面图。其中，半导体芯片1通过多个导电凸块2连接至基板31或者引线框架32上，填充至半导体芯片1和基板31或者引线框架32之间的填胶材料包覆凸块2，同时也增加了凸块的强度，以支撑所述半导体芯片1。
由于，半导体芯片1、基板31或者引线框架32以及凸块2之间的材料热膨胀系数(CTE)的差异，在芯片封装的热循环过程中产生的热应力以及热变形量与芯片中央位置距离成正比例关系，
δ＝α×L×Δt    (1)
其中，δ为热变形量；α为材料热膨胀系数；Δt为温度变化量；L为与材料变形量为0的距离。
可见，在半导体芯片1的边缘角端，由于其与芯片中心处的距离最远，因此所受的热应力和热变形量最大，极易造成半导体芯片受热应力作用而发生脱层问题，造成芯片的失效；
另外，半导体芯片运行过程中的温度变化，和半导体芯片及其基板之间的热膨胀系数的差异会导致产生热感应机械应力。例如当半导体芯片和基板置于高温时，两者会以不同的速率产生不同尺寸的膨胀，而导致产生芯片互联的机械应力。
因此，如何有效避免半导体芯片、基板之间的脱层问题，以及芯片和基板件的热机械应力确已成为相关领域所迫切解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种新型的引线框架以及应用其的倒装芯片式半导体封装结构，减小了由于热膨胀系数的不匹配而产生的热机械应力。
依据本发明的一种引线框架，包括一组平行排列的指状引脚，所述指状引脚的一表面具有依次间隔的一组开口，所属开口的深度小于所述指状引脚的厚度。
优选的，所述开口位于所述指状引脚的上表面。
优选的，所述开口位于所述指状引脚的下表面。
优选的，所述开口位于所述指状引脚的上表面和下表面。
优选的，所述一组开口的截面呈弧形或者半圆形或者长方形或者三角形。
优选的，所述一组开口的长度等于或者小于所述指状引脚的宽度。
优选的，所述一组开口沿所述指状引脚的长度方向依次间隔平行排列。
依据本发明的一种倒装芯片式半导体封装结构，包括芯片，一组凸块和以上所述的任一引线框架；其中，
所述凸块的第一表面与所述芯片的正面连接；
所述凸块的第二表面与所述引线框架中的上表面连接，并且，所述一组凸块位于与所述指状引脚的上表面中除去所述开口剩余的区域内。
进一步的，所述倒装芯片式半导体封装结构还包括填充胶材料，用以填充所述芯片和所述引线框架之间的区域。
采用依据本发明的倒装芯片式半导体封装结构，通过指状引脚上表面或者/和下表面的一组开口，将指状引脚分割为多个具有较短尺寸的分部分，使其不再是一个完整的整体，从而分散了于热膨胀系数的差异而带来的热机械应力；由前述公式(1)可知，采用这种倒装芯片式半导体封装结构减小了由于半导体芯片和引线框架由于热膨胀系数的差异而带来的热机械应力，相应的减小了半导体芯片的脱层概率，提高了半导体封装结构的可靠性。
附图说明
图1A所示为采用现有技术的一种引线框架的示意图；
图1B所示为采用现有技术的一种倒装芯片式半导体封装结构的剖面图；
图2A所示为依据本发明的一种引线框架的示意图；
图2B所示为依据本发明的一种引线框架的剖面图；
图3A所示为依据本发明的第一实施例的一倒装芯片式半导体封装结构的剖面示意图；
图3B所示为依据本发明的第二实施例的一倒装芯片式半导体封装结构的剖面示意图；
图3C所示为依据本发明的第三实施例的一倒装芯片式半导体封装结构的剖面示意图；
在下文中，相同的标号表示相同的组件。
301：引线框架中的一指状引脚；
302：一组凸块；
303：半导体芯片；
304：一组开口。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的几个优选实施例进行详细描述，但本发明并不仅仅限于这些实施例。本发明涵盖任何在本发明的精髓和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。为了使公众对本发明有彻底的了解，在以下本发明优选实施例中详细说明了具体的细节，而对本领域技术人员来说没有这些细节的描述也可以完全理解本发明。
参考图2A和图2B，所示分别为依据本发明的一实施例的引线框架的一指状引脚21的结构示意图和截面图。
在该实施例中，指状引脚21的上表面包括一组截面呈半圆形的开口22，所述一组开口22呈平行排列；所述开口22的深度小于所述指状引脚21的厚度。
开口22同样可以设置于指状引脚21的下表面或者同时设置于上表面和下表面，如图2B中所示的实施例。
开口22的形状可以为任何合适的形状，如开口22的截面还可以为弧形、三角形或者长方形等。
所述开口22可以沿指状引脚的长度方向平行排列；同样，也可以呈其他的排列方式；开口22的长度可以与所述指状引脚21的宽度相同，也可以小于所述指状引脚21的宽度。
参考图3A，所示为依据本发明的第一实施例的一倒装芯片式半导体封装结构的剖面示意图。所述倒装芯片式半导体封装结构包括以芯片303，一组凸块302和由一组指状引脚301组成的引线框架。其中指状引脚301可以为单一的金属组件，也可以为由2个或者多个金属组件共同组成。
在该实施例中，所述指状引脚301的下表面包括依次间隔、平行排列的一组开口304；所述开口304的深度小于所述指状引脚的厚度；所述凸块302的下表面与所述指状引脚303的上表面连接；所述凸块302的上表面连接至所述芯片303的正面，所述上表面即所述凸块的第一表面，以下所述的上表面相同；填充胶材料填充至芯片303和引线框架之间的空白区域，以包覆所述芯片303和由指状引脚301组成的引线框架。在图3A中，填充胶材料未示出。
可见，采用图3A所示的倒装芯片式半导体封装结构，通过指状引脚下表面的一组开口，将指状引脚分割为多个具有较短尺寸的分部分，使其不再是一个完整的整体，从而分散了于热膨胀系数的差异而带来的热机械应力；由前述公式(1)可知，采用这种倒装芯片式半导体封装结构减小了由于半导体芯片和引线框架由于热膨胀系数的差异而带来的热机械应力，相应的减小了半导体芯片的脱层概率，提高了半导体封装结构的可靠性。
参考图3B，所示为依据本发明的第二实施例的一倒装芯片式半导体封装结构的剖面示意图。所述倒装芯片式半导体封装结构包括以芯片303，一组凸块302和由一组指状引脚301组成的引线框架。
在该实施例中，所述指状引脚301的上表面包括依次间隔、平行排列的一组开口304；所述开口304的深度小于所述指状引脚的厚度；所述凸块302的下表面与所述指状引脚303的上表面中除去所述开口304的剩余区域连接，所述下表面即所述凸块的第二表面，以下所述的下表面相同；所述凸块302的上表面连接至所述芯片303的正面；填充胶材料填充至芯片303和引线框架之间的空白区域，以包覆所述芯片303和由指状引脚301组成的引线框架。在图3B中，填充胶材料未示出。
同样的，采用图3B所示的倒装芯片式半导体封装结构，通过指状引脚下表面的一组开口，将指状引脚分割为多个具有较短尺寸的分部分，使其不再是一个完整的整体，从而分散了于热膨胀系数的差异而带来的热机械应力；由前述公式(1)可知，采用这种倒装芯片式半导体封装结构减小了由于半导体芯片和引线框架由于热膨胀系数的差异而带来的热机械应力，相应的减小了半导体芯片的脱层概率，提高了半导体封装结构的可靠性。
参考图3C，所示为依据本发明的第三实施例的一倒装芯片式半导体封装结构的剖面示意图。所述倒装芯片式半导体封装结构包括以芯片303，一组凸块302和由一组指状引脚301组成的引线框架。
在该实施例中，所述指状引脚301的上表面和下表面都包括依次间隔，平行排列的一组开口304；所述开口304的深度小于所述指状引脚的厚度；所述凸块302的下表面与所述指状引脚303的上表面中除去所述开口304的剩余区域连接；所述凸块302的上表面连接至所述芯片303的正面；填充胶材料填充至芯片303和引线框架之间的空白区域，以包覆所述芯片303和由指状引脚301组成的引线框架。在图3C中，填充胶材料未示出。
同样的，采用图3C所示的倒装芯片式半导体封装结构，通过指状引脚下表面的一组开口，将指状引脚分割为多个具有较短尺寸的分部分，使其不再是一个完整的整体，从而分散了于热膨胀系数的差异而带来的热机械应力；由前述公式(1)可知，采用这种倒装芯片式半导体封装结构减小了由于半导体芯片和引线框架由于热膨胀系数的差异而带来的热机械应力，相应的减小了半导体芯片的脱层概率，提高了半导体封装结构的可靠性。
根据本发明的上述教导，本领域技术人员可以轻易得知，所述一组开口的截面可以为呈弧形或者半圆形或者长方形或者三角形者其他任何合适的形状。另外，本发明同样适用于整块的大面积的基板的半导体封装结构。在基板上设置一组开口，来分散由于热膨胀系数的差异而引起的热机械应力。
综上所述，依照本发明所公开的引线框架以及倒装芯片式半导体封装结构，所述引线框架或者基板，不再为传统的规则的几何形状，如长方体等，而是在其表面上设置一组开口，对所述基板或者引线框架进行了分割，从而分散了由于热膨胀系数的差异而引起的总的热机械应力。在不改变原有封装流程、以及原材料的基础上，通过对引线框架的结构的改进，减小了由于热膨胀系数的不匹配而产生的热机械应力，提高了芯片的可靠性。
以上对依据本发明的优选实施例的引线框架以及倒装芯片式半导体封装结构进行了详尽描述，本领域普通技术人员据此可以推知其他技术或者结构以及电路布局、元件等均可应用于所述实施例。
依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (9)

1.一种引线框架，其特征在于，包括一组平行排列的指状引脚，所述指状引脚的一表面具有依次间隔的一组开口，所属开口的深度小于所述指状引脚的厚度。
2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述开口位于所述指状引脚的上表面。
3.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述开口位于所述指状引脚的下表面。
4.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述开口位于所述指状引脚的上表面和下表面。
5.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述一组开口的截面呈弧形或者半圆形或者长方形或者三角形。
6.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述一组开口的长度等于或者小于所述指状引脚的宽度。
7.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述一组开口沿所述指状引脚的长度方向依次间隔平行排列。
8.一种倒装芯片式半导体封装结构，其特征在于，包括芯片，一组凸块和权利要求1-7所述的任一引线框架；其中，
所述凸块的第一表面与所述芯片的正面连接；
所述凸块的第二表面与所述引线框架中的上表面连接，并且，所述一组凸块位于与所述指状引脚的上表面中除去所述开口剩余的区域内。
9.根据权利要求8所述的倒装芯片式半导体封装结构，其特征在于，还包括填充胶材料，用以填充所述芯片和所述引线框架之间的区域。
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