CN102354534B - 检测存储器中连接缺陷的方法与可检测连接缺陷的存储器 - Google Patents
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 51
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
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- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C2029/1202—Word line control
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
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Abstract
通过输入电压至存储器内包括的广域字线，并检测广域字线上对应产生的电流，可产生电流与电压的关系函数，并且可根据关系函数的偏离幅度或斜率判断广域字线是否具有连接缺陷。
Description
技术领域
本发明公开一种用来检测存储器中连接缺陷的方法与可检测连接缺陷的存储器，尤指一种根据广域字线上输入电压与对应电流间的关系来检测是否存在有连接缺陷的方法与存储器。
背景技术
请参阅图1，其用来说明一般存储器在字线上所产生的连接缺陷。图1图示有同一存储器所包括的二相邻子字线驱动电路(Sub word line driver)M1与M2，其中子字线驱动电路M1包括一P型金属氧化物半导体晶体管P1与一N型金属氧化物半导体晶体管N1，子字线驱动电路M2包括一P型金属氧化物半导体晶体管P2与一N型金属氧化物半导体晶体管N2，子字线驱动电路M1与M2各自偏压于一电压源Vpp与一接地端GND。子字线驱动电路M1连接于一第一子字线(Sub word line)W1，且子字线驱动电路M2连接于一第二子字线W2。
如图1所示，当P型金属氧化物半导体晶体管P1与N型金属氧化物半导体晶体管N1的栅极连接于由解码器所提供的一低准位输入信号(以L表示低电位)，且P型金属氧化物半导体晶体管P2与N型金属氧化物半导体晶体管N2的栅极连接于由解码器所提供的一高准位输入信号(以H表示高电位)时，第一子字线W1上会出现高电位，而第二子字线W2上会出现低电位。然而，当第一子字线W1与第二子字线W2的间出现连接缺陷(亦即短路)而产生直流漏电路径时，如图1所示，第二子字线W2上的低电位会被第一子字线W1上的高电位覆盖，而影响到存储器运作的正确性。当引起字线间短路的直流漏电路径数量增加时，存储器运作的正确性也会变的更糟。
发明内容
本发明公开一种检测存储器中连接缺陷的方法，其中该存储器包括多条第一广域字线及多条第二广域字线。该方法包括于一第一时间点，对每一该多条第一广域字线提供多个相异的第一电压；于该第一时间点，对该多条第二广域字线提供一第二电压；当该多条第一广域字线被提供该多个第一电压时，测量每一该多条第一广域字线的多个第一电流；及根据该多个第一电流与该多个第一电压的关系，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷。每一该第一电压是同时提供给该多条第一广域字线。
根据该多个第一电流与该多个第一电压的关系，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷的方法，包括下列的任一者：根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的斜率是否大于一预定值，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷；根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的偏离幅度是否超过一预定范围，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷；以及根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的初始值是否偏离超过一预定值，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷。
该多个第一电压是高于该第二电压。
进一步包括停止供应电源给每一该多条第一广域字线对应的多个第一子字线与每一该多条第二广域字线对应的多个第二子字线。
进一步包括：于一第二时间点，对该多条第一广域字线提供一第三电压；于该第二时间点，对每一该多条第二广域字线提供多个相异的第四电压，其中每一该第四电压是同时提供给该多条第二广域字线；当该多条第二广域字线被提供该多个第四电压时，测量每一该多条第二广域字线的多个第二电流；及根据该多个第二电流与该多个第四电压的关系，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷。
根据该多个第二电流与该多个第四电压的关系，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷的方法，包括下列的任一者：根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的斜率是否大于一预定值，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷；根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的偏离幅度是否超过一预定范围，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷；以及根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的初始值是否偏离超过一预定值，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷。
该第四电压是高于该第三电压。
该多条第一广域字线是为多条奇数广域字线且该多条第二广域字线是为多条偶数广域字线，或该多条第一广域字线是为多条偶数广域字线且该多条第二广域字线是为多条奇数广域字线。
本发明公开一种可检测连接缺陷的存储器。该存储器包括多条第一广域字线、多条第二广域字线、一控制单元、一电流检测单元、及一处理单元。该控制单元耦接于一外接电源、该多条第一广域字线、及该多条第二广域字线。该控制单元用来于一第一时间点，对每一该多条第一广域字线提供多个相异的第一电压，并于该第一时间点，对该多条第二广域字线提供一第二电压。每一该第一电压是同时提供给该多条第一广域字线。该电流检测单元耦接于该多条第一广域字线。该电流检测单元用来在当该多条第一广域字线被提供该多个第一电压时，测量每一该多条第一广域字线的多个第一电流。该处理单元用来根据该多个第一电流与该多个第一电压的关系，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷。
该处理单元根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的斜率是否大于一预定值，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷、根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的偏离幅度是否超过一预定范围，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷、或根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的初始值是否偏离超过一预定值，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷。
该多个第一电压是高于该第二电压。
该控制单元停止供应电源给每一该多条第一广域字线对应的多个第一子字线与每一该多条第二广域字线对应的多个第二子字线。
该控制单元于一第二时间点，对该多条第一广域字线提供一第三电压，并于该第二时间点，对每一该多条第二广域字线提供多个相异的第四电压，其中每一该第四电压是同时提供给该多条第二广域字线；其中当该多条第二广域字线被提供该多个第四电压时，该电流检测单元测量每一该多条第二广域字线的多个第二电流，且该处理单元根据该多个第二电流与该多个第四电压的关系，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷。
该处理单元根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的斜率是否大于一预定值，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷、根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的偏离幅度是否超过一预定范围，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷、或根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的初始值是否偏离超过一预定值，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷。
该多个第四电压是高于该第三电压。
该多条第一广域字线是为多条奇数广域字线且该多条第二广域字线是为多条偶数广域字线，或该多条第一广域字线是为多条偶数广域字线且该多条第二广域字线是为多条奇数广域字线。
通过本发明所公开的存储器与方法，可有效掌握存储器内部所具有的连接缺陷的位置，从而进行对应的调整以维护其自身运作的正确性。
附图说明
图1用来说明一般存储器在字线上所产生的连接缺陷。
图2为根据本发明的一实施例所公开的一种可检测广域字线连接缺陷的存储器的功能方块示意图。
图3为图2中在存储器内的直行二相邻记忆单元的简略示意图。
图4为图2所示的广域字线上被提供的多个相异电压与对应产生的电流的关系函数曲线示意图。
图5为本发明根据图4所示的关系函数曲线斜率是否出现明显差异来判定广域字线是否出现连接缺陷的示意图。
图6为本发明根据图4所示的关系函数曲线斜率的偏离幅度判定广域字线是否出现连接缺陷的示意图。
图7为本发明根据图4所示的关系函数线的初始值偏离程度判定广域字线是否出现连接缺陷的示意图。
图8为根据本发明的一实施例所公开检测存储器中连接缺陷的方法的流程图。
附图标记说明
M1、M2、M 子字线驱动电路
UN 存储模块
P1、P2 P型金属氧化物半导体晶体管
N1、N2 N型金属氧化物半导体晶体管
Vpp 电压源
GND 接地端
W1、W2、WLO、WLE 子字线
GELO、GWLE 广域字线
EF 关系函数曲线
DE 偏离点
DF 预定电流偏移量
SW 电压摇摆变化区域
TM 预定偏离范围
220 电流检测单元
230 处理单元
240 外接电源
302-316 步骤
具体实施方式
为了有效检测存储器内的字线间引起直流漏电路径的连接缺陷，以维护存储器运作的正确性，本发明公开一种用来检测存储器中广域字线(Global wordline)连接缺陷的方法及可检测广域字线连接缺陷的存储器。在存储器中，单一广域字线用来同时管理多条子字线，因此相较于找出子字线中的连接缺陷，从广域字线来着手处理存储器中连接缺陷的问题可较快的找出连接缺陷的所在位置。
请参阅图2，其为根据本发明的一实施例所公开的一种可检测广域字线连接缺陷的存储器200的功能方块示意图。如图2所示，存储器200至少包括多条奇数的广域字线(Odd global word line)GWLO、多条偶数的广域字线(Evenglobal word line)GWLE、多个存储模块UN、一控制单元210、一电流检测单元220、一处理单元230、及一外接电源240。每一广域字线GWLO或GWLE耦接多个存储模块UN中的一列存储器模组UN。
请另参阅图3，其为图2中在存储器200内的直行二相邻存储模块UN的简略示意图，其中二存储模块UN各自耦接一奇数的广域字线GWLO与一偶数的广域字线GWLE。广域字线GWLO管理多条子字线WLO，广域字线GWLE管理多条子字线WLE。每条子字线WLO与WLE各自管理一子字线驱动电路M，其中子字线驱动电路M的组成元件与结构可相同于图1所示的子字线驱动电路M1或M2，此处不再赘述。
控制单元210耦接于外接电源240、及多条广域字线GWLO与GWLE，并用来对多条广域字线GWLO与GWLE提供电压。电流检测单元220耦接于多条广域字线GWLO与GWLE，并用来检测多条广域字线GWLO或GWLE上对应于控制单元210提供的电压所产生的电流。处理单元230用来根据控制单元210提供给多条广域字线GWLO或GWLE的电压与对应产生的电流的间的关系来判断多条广域字线GWLO或GWLE是否具有连接缺陷。外接电源240用来提供控制单元210所需的电压。
存储器200检测广域字线GWLO或GWLE上连接缺陷的方式描述如下。
首先，控制单元210在一第一时间点先行同时对多条奇数的广域字线GWLO提供多个相异的第一电压，使提供给每一条奇数的广域字线GWLO的第一电压摆动(Swing)，并在该第一时间点同时对多条偶数的广域字线GWLE提供一第二电压，其中每一第一电压皆高于该第二电压。接着，电流检测单元220会对应于该些第一电压检测多条奇数的广域字线GWLO上产生的电流。处理单元230会由控制单元210取得其所提供的相异第一电压的资料，并由电流检测单元220取得对应于该些第一电压所产生的电流的资料；如此一来，处理单元230便可根据该些取得的资料判定出每一条广域字线上电压与电流的间的关系函数。
请参阅图4，其为奇数的广域字线GWLO上被提供的多个相异第一电压与对应产生的电流的关系函数曲线示意图，其中图4所示的一组关系函数曲线EF是由处理单元230所决定，且该组关系函数曲线EF上并未出现有连接缺陷。每一条关系函数曲线EF对应于单一奇数的广域字线GWLO，且图4所示的电压摆动区域SW即为上述多个相异的第一电压对应于单一广域字线GWLO以对应测量电流的例子。此外，由于供应给每一条奇数的广域字线GWLO的多个第一电压可能会有些许差异，因此每一条关系函数曲线的出发点(亦即上述摆动的第一电压中最低者)不尽相同，然而，在每一条奇数的广域字线GWLO皆不具有连接缺陷的情况下，每一条关系函数曲线的斜率会非常接近或甚至相等，如图4所示。于本发明的其他实施例中，控制单元210可以选择检测整个存储器晶片中所有广域字线的连接缺陷，或只检测部份广域字线的连接缺陷，若只检测部分广域字线，则仅需提供多个第一电压给待测的广域字线。因此，在不同的侦侧情况下，图4中的每一条关系函数曲线EF亦可对应于一个记忆区段(Section)的奇数的广域字线GWLO、一个记忆库(Bank)的奇数的广域字线GWLO、或一个晶片(Chip)的奇数的广域字线GWLO。
然而，当多条奇数的广域字线GWLO中出现了具有连接缺陷的广域字线时，其对应的关系函数曲线的斜率将会与其他不具连接缺陷的广域字线出现明显的差异。请参阅图5，其为本发明根据图4所示的关系函数曲线斜率是否出现明显差异来判定广域字线是否出现连接缺陷的示意图。在图5所示的该组关系函数曲线EF中，出现了一条斜率与其他关系函数曲线相异程度明显较高的关系函数曲线；处理单元230可设定一预定差异值，且当该关系函数曲线的斜率与其他关系函数曲线的斜率差异大于该预定差异值时，处理单元230可判定该斜率差异较大的关系函数曲线所对应的广域字线GWLO具有连接缺陷。
除了以斜率差异判断具有连接缺陷的广域字线以外，关系函数的偏离幅度亦可作为判定广域字线是否具有连接缺陷的依据。请参阅图6，其为本发明根据图4所示的关系函数曲线的偏离幅度判定广域字线是否出现连接缺陷的示意图。在图6所示的该组关系函数曲线EF中，出现有一条虽然平均斜率与其他关系函数曲线差异不明显但偏离幅度明显较大的关系函数曲线；处理单元230可预先设定一预定偏离范围TM，且当该关系函数曲线的偏离幅度大于预定偏离范围TM时，处理单元230便可直接判定该关系函数曲线对应的广域字线GWLO具有连接缺陷。
在本发明的另一实施例中，关系函数线的初始值偏离程度也可以作为判定广域字线是否出现连接缺陷的条件的一。请参阅图7，其为本发明根据图4所示的关系函数线的初始值偏离程度判定广域字线是否出现连接缺陷的示意图。如图7所示，除了该组起始点虽然有差异但相距皆不远的关系函数曲线EF以外，另外出现了一组虽然电压初始值与该组关系函数曲线EF的初始值差不多但电流值却明显大上许多的偏离点DE。这些明显较高的电流值即为连接缺陷引起的直流路径所造成，且该些偏离点一一对应于至少一条出现有连接缺陷的广域字线。在实施本发明的方法时，可事先设定一预定值(例如图7所示的一预定电流偏移量DF)，且当输入电压于一广域字线后，该广域字线的关系函数的电流初始值相对于大部分的广域字线的电流初始值出现超过该预定电流偏移量的一电流偏移量时，即可判定该广域字线出现连接缺陷，而不需另行使该广域字线上的电压摆动以确定其是否出现连接缺陷。
在本发明的一实施例中，只要上述关系函数曲线的斜率差异过大、偏离幅度过大或初始值偏离过大三者其中至少一个条件被满足，处理单元230便可直接判定该关系函数曲线对应的广域字线具有连接缺陷。
在图4-7所述的实施例中，虽然是以检测奇数的广域字线GWLO来叙述，然而上述的检测方法亦同样的可以检测偶数的广域字线GWLE来进行，只要另外提供一组相异的第四电压给偶数的广域字线GWLE并同时提供一第三电压给奇数的广域字线GWLO来进行即可，其中该组相异的第四电压是高于该第三电压。
请注意，控制单元210、电流检测单元220与处理单元230对多条奇数的广域字线GWLO检测连接缺陷的程序是一次完成的，而非个别对多条奇数的广域字线GWLO来检测连接缺陷。同理，控制单元210、电流检测单元220与处理单元230对多条偶数的广域字线GWLE检测连接缺陷的程序也是一次完成的。当以存储器200来实施上述检测广域字线上连接缺陷的过程时，可先对多条奇数的广域字线GWLO一次将连接缺陷检测完毕，再对多条偶数的广域字线GWLE一次将连接缺陷检测完毕；在本发明的另一实施例中，亦可先行对多条偶数的广域字线GWLE一次将连接缺陷检测完毕，再对多条奇数的广域字线GWLO一次将连接缺陷检测完毕。如此一来，可在短短的两次处理中就将存储器200中各广域字线上所具有的连接缺陷悉数检测完毕，并可根据所检测到的连接缺陷对存储器200进行对应的调整以因应所检测到的连接缺陷。因应连接缺陷所进行的调整可提高存储器200在运作与资料存取的正确性，并可解决先前技术中存储器错误运作的问题。
在本发明的一实施例中，当实施上述检测广域字线的连接缺陷的方法时，每一广域字线所管理的子字线可被关闭或开路(Open-circuited)，以使得电流检测单元220在检测各广域字线上对应产生的电流时，可防止出现来自于子字线的干扰，并使得每一广域字线上的电流强度变的更容易判别。
请参阅图8，其为根据本发明的一实施例所公开检测存储器中连接缺陷的方法的流程图。如图8所示，该方法包括步骤如下：
步骤302：于一第一时间点，对每一多条第一广域字线提供多个相异的第一电压，其中每一该第一电压是同时提供给该多条第一广域字线；
步骤304：于该第一时间点，对多条第二广域字线提供一第二电压；
步骤306：当该多条第一广域字线被提供该多个第一电压时，测量每一该多条第一广域字线的多个第一电流；
步骤308：根据该多个第一电流与该多个第一电压的关系，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷；
步骤310：于一第二时间点，对该多条第一广域字线提供一第三电压；
步骤312：于该第二时间点，对每一该多条第二广域字线提供多个相异的第四电压，其中每一第四电压是同时提供给该多条第二广域字线；
步骤314：当该多条第二广域字线被提供该多个第四电压时，测量每一该多条第二广域字线的多个第二电流；及
步骤316：根据该多个第二电流与该多个第四电压的关系，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷。
步骤302-308为以上所述对奇数的广域字线GWLO所进行的连接缺陷检测过程，而步骤310-316为以上所述对偶数的广域字线GWLE的连接缺陷检测过程。然而，在本发明的其他实施例中，步骤302-308可为对偶数的广域字线GWLE所进行的连接缺陷检测过程，而步骤310-316可为对奇数的广域字线GWLO的连接缺陷检测过程。根据图8所示的流程图进行合理的排列组合或附加本说明书曾提及的其他限制条件所衍生的实施例，仍应视为本发明的实施例。
本发明公开一种可检测连接缺陷的存储器与检测连接缺陷的方法，用来使存储器可以有效掌握内部所具有的连接缺陷的位置，进而进行对应的调整以维护其自身运作的正确性。
Claims (14)
1.一种检测存储器中连接缺陷的方法，该存储器包括多条第一广域字线及多条第二广域字线，该方法包括：
于一第一时间点，对每一该多条第一广域字线提供多个相异的第一电压，其中每一该第一电压是同时提供给该多条第一广域字线；
于该第一时间点，对该多条第二广域字线提供一第二电压；
当该多条第一广域字线被提供该多个第一电压时，测量每一该多条第一广域字线的多个第一电流；及
根据该多个第一电流与该多个第一电压的关系，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷；
其中根据该多个第一电流与该多个第一电压的关系，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷的方法，包括下列的任一者：
根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的斜率是否大于一预定值，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷；
根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的偏离幅度是否超过一预定范围，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷；以及
根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的初始值是否偏离超过一预定值，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷。
2.如权利要求1所述的检测存储器中连接缺陷的方法，其特征在于，该多个第一电压是高于该第二电压。
3.如权利要求1所述的检测存储器中连接缺陷的方法，其特征在于，进一步包括停止供应电源给每一该多条第一广域字线对应的多个第一子字线与每一该多条第二广域字线对应的多个第二子字线。
4.如权利要求1所述的检测存储器中连接缺陷的方法，其特征在于，进一步包括：
于一第二时间点，对该多条第一广域字线提供一第三电压；
于该第二时间点，对每一该多条第二广域字线提供多个相异的第四电压，其中每一该第四电压是同时提供给该多条第二广域字线；
当该多条第二广域字线被提供该多个第四电压时，测量每一该多条第二广 域字线的多个第二电流；及
根据该多个第二电流与该多个第四电压的关系，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷。
5.如权利要求4所述的检测存储器中连接缺陷的方法，其特征在于，根据该多个第二电流与该多个第四电压的关系，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷的方法，包括下列的任一者：
根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的斜率是否大于一预定值，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷；
根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的偏离幅度是否超过一预定范围，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷；以及
根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的初始值是否偏离超过一预定值，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷。
6.如权利要求4所述的检测存储器中连接缺陷的方法，其特征在于，该第四电压是高于该第三电压。
7.如权利要求1所述的检测存储器中连接缺陷的方法，其特征在于，该多条第一广域字线是为多条奇数广域字线且该多条第二广域字线是为多条偶数广域字线，或该多条第一广域字线是为多条偶数广域字线且该多条第二广域字线是为多条奇数广域字线。
8.一种可检测连接缺陷的存储器，包括：
多条第一广域字线；
多条第二广域字线；
一控制单元，耦接于一外接电源、该多条第一广域字线、及该多条第二广域字线，该控制单元用来于一第一时间点，对每一该多条第一广域字线提供多个相异的第一电压，并于该第一时间点，对该多条第二广域字线提供一第二电压，其中每一该第一电压是同时提供给该多条第一广域字线；
一电流检测单元，耦接于该多条第一广域字线，该电流检测单元用来在当该多条第一广域字线被提供该多个第一电压时，测量每一该多条第一广域字线的多个第一电流；及
一处理单元，用来根据该多个第一电流与该多个第一电压的关系，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷；
其中该处理单元根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的斜率是否大于一预定值，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷、根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的偏离幅度是否超过一预定范围，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷、或根据该多个第一电流与该多个第一电压所形成的关系函数线的初始值是否偏离超过一预定值，判断该多条第一广域字线是否具有连接缺陷。
9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，该多个第一电压是高于该第二电压。
10.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，该控制单元停止供应电源给每一该多条第一广域字线对应的多个第一子字线与每一该多条第二广域字线对应的多个第二子字线。
11.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，该控制单元于一第二时间点，对该多条第一广域字线提供一第三电压，并于该第二时间点，对每一该多条第二广域字线提供多个相异的第四电压，其中每一该第四电压是同时提供给该多条第二广域字线；
其中当该多条第二广域字线被提供该多个第四电压时，该电流检测单元测量每一该多条第二广域字线的多个第二电流，且该处理单元根据该多个第二电流与该多个第四电压的关系，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷。
12.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，该处理单元根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的斜率是否大于一预定值，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷、根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的偏离幅度是否超过一预定范围，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷、或根据该多个第二电流与该多个第四电压所形成的关系函数线的初始值是否偏离超过一预定值，判断该多条第二广域字线是否具有连接缺陷。
13.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，该多个第四电压是高于该第三电压。
14.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，该多条第一广域字线是为多条奇数广域字线且该多条第二广域字线是为多条偶数广域字线，或该多条第一广域字线是为多条偶数广域字线且该多条第二广域字线是为多条奇数广域 字线。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100123823A TWI422844B (zh) | 2011-07-06 | 2011-07-06 | 偵測記憶體中連接缺陷的方法與可偵測連接缺陷之記憶體 |
| TW100123823 | 2011-07-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102354534A CN102354534A (zh) | 2012-02-15 |
| CN102354534B true CN102354534B (zh) | 2014-02-26 |
Family
ID=45578075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110259755.XA Expired - Fee Related CN102354534B (zh) | 2011-07-06 | 2011-08-31 | 检测存储器中连接缺陷的方法与可检测连接缺陷的存储器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8773931B2 (zh) |
| CN (1) | CN102354534B (zh) |
| TW (1) | TWI422844B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101944793B1 (ko) * | 2012-09-04 | 2019-02-08 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리를 포함하는 플래시 메모리 시스템 및 그것의 비정상 워드 라인 검출 방법 |
| US10600802B2 (en) | 2018-03-07 | 2020-03-24 | Sandisk Technologies Llc | Multi-tier memory device with rounded top part of joint structure and methods of making the same |
| KR102679560B1 (ko) * | 2018-10-25 | 2024-07-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저장 장치 및 그 동작 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2011
- 2011-07-06 TW TW100123823A patent/TWI422844B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-08-31 CN CN201110259755.XA patent/CN102354534B/zh not_active Expired - Fee Related
-
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- 2012-06-18 US US13/525,372 patent/US8773931B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8773931B2 (en) | 2014-07-08 |
| TWI422844B (zh) | 2014-01-11 |
| CN102354534A (zh) | 2012-02-15 |
| US20130010558A1 (en) | 2013-01-10 |
| TW201303327A (zh) | 2013-01-16 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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