CN102338990B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置，能够适当地进行周边曝光处理后的基板的检查，并提高包括该检查的基板处理的处理能力。晶片处理装置(42)包括：保持晶片的保持部(120)；使保持部(120)旋转的并使保持部(120)在交接位置(P1)与周边曝光位置(P2)之间移动的驱动部(121)；在周边曝光位置(P2)将晶片(W)的周边部曝光的曝光部(140)；设置于曝光部(140)的上方对晶片(W)摄像的摄像部(150)；和改变形成于被保持部(120)保持的晶片(W)与摄像部(150)之间的光路的方向的方向转换部(153)。方向转换部(153)具有第一反射镜(154)、第二反射镜(155)和第三反射镜(156)，通过第二反射镜(155)和第三反射镜(156)使形成于晶片W与摄像部(150)之间的光路折回。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置、基板处理方法、程序和计算机存储媒体。 
背景技术
例如在半导体装置的制造中的光刻处理中依次实施：例如在半导体晶片(以下称晶片)上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、对抗蚀剂膜的周边部进行选择性地曝光的周边曝光处理、在周边部已被曝光的抗蚀剂膜使规定的图案曝光的曝光处理、使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理等，由此在晶片上形成规定的抗蚀剂的图案。 
此外，对以上述方式实施光刻处理的晶片，通过检查装置实施所谓的宏观缺陷检查。宏观缺陷检查能在各种定时实施，例如在周边曝光处理后实施。这样的情况下，检查是否在晶片表面形成有规定的抗蚀剂膜或者是否有伤、附着异物等。 
这样的宏观缺陷检查，在检查装置中，例如一边使装置有晶片的载置台移动，一边从照明部通过半透明反射镜对载置台上的晶片进行照射，并且由上述半透明反射镜反射来自晶片的反射光，通过例如CCD(Charge-Coupled Device，电荷耦合器件)线路传感器的摄像装置取入晶片的图像。然后，对该图像进行图像处理判定有无缺陷(专利文献1)。 
此外，上述的光刻处理和缺陷检查由例如涂敷显影处理装置和曝光装置实施。在涂敷显影处理装置设置例如实施上述的抗蚀剂涂敷处理的抗蚀剂涂敷装置和实施显影处理的显影处理装置等的液处理装置，或者除了实施周边曝光处理的周边曝光装置，还设置有实施晶片的检查的检查装置。即，检查装置与周边曝光装置等分开设置。并且在涂敷显影处理装置也设置将晶片输送到各处理装置的输送装置(专利文献1)。 
现有技术文献 
专利文献 
【专利文献1】特开2007-240519号公报 
发明内容
发明要解决的问题 
这里，为了得到没有像的变形特别是没有端部的变形的高精度的图像，要确保载置台上的晶片与摄像装置之间的光路的工作距离尽可能的长。但是，在专利文献1记载的检查装置中，由于有装置空间的限制，在俯视时的摄像装置、照明部和半透明反射镜的配置已经决定，所以很难将摄像装置与照明部(半透明反射镜)之间的工作距离变长。因此，存在由摄像装置摄像的晶片的图像上产生变形的情况，存在不能适当地实施晶片的检查的情况。 
此外，以上述方式采用专利文献1的涂敷显影处理装置时，在周边曝光装置的周边曝光处理结束的晶片由输送装置输送到检查装置。这样的情况下，将晶片从周边曝光装置输送到检查装置的过程中，上述输送装置不能用于其他晶片的输送。即，尽管对其他的晶片的处理结束，能输送到别的处理装置，但是必须使该其他的晶片待机，产生输送等待。因而，对晶片处理的处理能力有改善余地。 
本发明是鉴于上述问题而做出的，目的是在周边曝光处理后的基板的检查中，取得没有像的变形的高精度的图像，适当地进行检查，并提高包含该检查的基板处理的处理能力。 
解决问题的方法 
为了达成上述目的，本发明是基板的处理装置，其特征在于，包括：保持基板的保持部；使被上述保持部保持的基板旋转的旋转驱动部；使上述保持部在交接位置与周边曝光位置之间移动的移动机构，所述交接位置是与外部之间实施基板的交接的位置，所述周边曝光位置是对形成于基板上的涂敷膜的周边部实施周边曝光处理的位置；设置于上述周边曝光位置侧，对被所述保持部保持的基板上的涂敷膜的周边部进行曝光的曝光部；设置于上述周边曝光位置侧的所述曝光部的上方，对被上述保持部保持的基板摄像的摄像部；和设置于上述交接位置与上述周边曝光位置之间，改变在被上述保持部保持的基板与上述摄像部之间形成的光路的方向的方向转换部，上述方向转换部包 括：第一反射镜，其使从上述基板向垂直方向上方反射的光在上述周边曝光位置侧向水平方向反射；第二反射镜，其使从上述第一反射镜来的光在上述交接位置侧以规定的反射角向斜上方反射；第三反射镜，其使从上述第二反射镜来的光在上述周边曝光位置侧向水平方向反射且送入上述摄像部。 
由于本发明的方向转换部具有第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜，因此能不改变俯视时的摄像部的位置，使被保持部保持的基板与摄像部之间的光路的工作距离变长。因而，能在摄像部取得抑制了像的变形的高精度的图像，能适当地实施基板的检查。 
但是，由于在本发明的基板处理装置设置曝光部、摄像部、旋转驱动部和移动机构，所以能在该基板处理装置内输送基板，并同时实施基板的周边曝光处理和该基板的检查。具体而言，首先，例如通过移动机构使被保持部保持的基板移动到周边曝光位置，在该周边曝光位置，通过旋转驱动部使基板旋转，并从曝光部对基板上的涂敷膜的周边部照射光使该周边部曝光。之后，在通过移动机构使被保持部保持的基板从周边曝光位置移动到交接位置的期间，在该基板通过方向转换部的下方时由摄像部对基板摄像，根据该被摄像的基板的摄像图像检查基板的缺陷。因而，根据本发明，在实施基板的周边曝光处理和该基板的检查时，没有必要想现有的那样在周边曝光装置与检查装置之间使用输送装置输送基板，因此能使用该输送装置在其他的处理装置间实施其他的基板的输送。因而，能减少其他基板的输送等待，能提高基板处理的处理能力。并且，没有必要想现有的那样分别设置周边曝光装置和检查装置，因此有助于减少占地面积。 
也可以具有检测被上述保持部保持的基板的周边部的位置的位置检查传感器，和根据上述位置检查传感器的检测结果控制上述旋转驱动部来调整基板的周边部的位置的控制部。 
上述规定的反射角也可以是小于45度的角度。 
上述曝光部配置在处理容器的内部，设置在上述曝光部的光源装置也可以配置在上述处理容器的外部。 
本发明的另一方面是使用了基板处理装置的基板处理方法，上述基板处理装置包括：保持基板的保持部；使被上述保持部保持的基板 旋转的旋转驱动部；使上述保持部在交接位置与周边曝光位置之间移动的移动机构，所述交接位置是与外部之间实施基板的交接的位置，所述周边曝光位置是对形成于基板上的涂敷膜的周边部实施周边曝光处理的位置；设置于上述周边曝光位置侧，对被上述保持部保持的基板上的涂敷膜的周边部进行曝光的曝光部；设置于上述周边曝光位置侧的上述曝光部的上方，对被上述保持部保持的基板摄的像摄像部；和设置于上述交接位置与上述周边曝光位置之间的方向转换部，其具备使从上述基板向垂直方向上方反射的光在上述周边曝光位置侧向水平方向反射的第一反射镜、使从上述第一反射镜来的光在上述交接位置侧以规定的反射角向斜上方反射的第二反射镜和使从上述第二反射镜来的光在上述周边曝光位置侧向水平方向反射且送入上述摄像部的第三反射镜，该方向转换部改变在被上述保持部保持的基板与上述摄像部之间形成的光路的方向。上述基板处理方法的特征在于，包括周边曝光工序和检查工序，所述周边曝光工序是：通过移动机构使被上述保持部保持的基板在上述周边曝光位置移动，在该周边曝光位置，由上述旋转驱动部使基板旋转，并从上述曝光部对基板上的涂敷膜的周边部照射光使该周边部曝光。所述检查工序是：在上述周边曝光工序之后，在通过移动机构使被上述保持部保持的基板从上述周边曝光位置移动到上述交接位置的期间，在该基板通过上述方向转换部的下方时由上述摄像部对基板摄像，根据该被摄像的基板的摄像图像，检查基板的缺陷。 
上述基板处理装置具备检测被上述保持部保持的基板的周边部的位置的位置检测传感器，在上述周边曝光工序中，也可以根据上述位置检测传感器的检测结果，由上述旋转驱动部使基板旋转，调整该基板的周边部的位置。 
上述规定的反射角可以是比45度小的角度。 
根据本发明的再一方面，提供一种在控制部的计算机上运行的程序，该控制部控制该基板处理装置，用于通过基板处理装置实行上述基板处理方法。 
并且根据本发明的又一方面，提供一种存储上述程序的并能进行读取的计算机存储媒体。 
发明的效果 
根据本发明，在周边曝光处理后的基板的检查中，能够获得没有像的变形的高精度的图像并适当地进行检查，提高包含该检查的基板处理的处理能力。 
附图说明
图1是表示具备本实施方式的晶片处理装置的涂敷显影处理系统的内部结构的概要的俯视图。 
图2是表示涂敷显影处理系统的内部结构的概要的侧视图。 
图3是表示涂敷显影处理系统的内部结构的概要的侧视图。 
图4是表示晶片处理装置的结构的概要的横截面图。 
图5是表示晶片处理装置的结构的概要的纵截面图。 
图6是表示输送臂与保持部的关系的示意图。 
图7是表示晶片与摄像部之间的光路的示意图。 
图8是表示将晶片搬入晶片处理装置的状态的示意图。 
图9是表示在晶片的周边部实行周边曝光处理的状态的示意图。 
图10是实行晶片检查的状态的示意图。 
图11是表示从晶片处理装置搬出晶片的状态的示意图。 
图12是表示其他实施方式的晶片处理装置的结构的概要的纵截面图。 
符号说明 
1、涂敷显影处理系统 
42、晶片处理装置 
70、晶片输送装置 
110、处理容器 
120、保持部 
121、驱动部 
122、导轨 
130、位置检测传感器 
140、曝光部 
141、灯箱 
150、摄像部 
152、照明部 
153、方向转换部 
154、第一反射镜 
155、第二反射镜 
156、第三反射镜 
200、控制部 
L、光路 
P1、交接位置 
P2、周边曝光位置 
W、晶片 
具体实施方式
以下说明本发明的实施方式。图1是表示具备作为本实施方式的基板处理装置的晶片处理装置的涂敷显影处理系统1的内部结构的概要的俯视图。图2和图3是表示涂敷显影处理系统1的内部结构的概要的侧视图。 
如图1所示，涂敷显影处理系统1具有将例如存储盒站2、处理站3和接口站5连接为一体的结构，所述存储盒站2在与外部之间搬入搬出收纳多枚晶片W的存储盒C，所述处理站3具备在光刻处理中以单片式实施规定处理的多个各种处理装置，所述接口站5在处理站3与邻接的曝光装置4之间进行晶片W的交接。 
在存储盒站2设置有存储盒载置台10。在存储盒载置台10设置有多个例如4个存储盒载置板11。存储盒载置板11设置为在水平方向的X方向(图1中的上下方向)上排成一列。当对涂敷显影处理系统1的外部搬入搬出存储盒C的时候，能在这些存储盒载置板11上载置存储盒C。 
如图1所示，在存储盒站2设置有能在X方向上延伸的输送路20上自由移动的晶片输送装置21。晶片输送装置21能在上下方向和绕垂直轴(θ方向)自由移动，能在各存储盒载置板11上的存储盒C与后述的处理站3的第三区块G3的交接装置之间输送晶片W。 
在处理站3设置有具备各种装置的多个例如4个区块G1、G2、G3、G4。例如在处理站3的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置第一区块G1，在处理站3的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置第二区块G2。此外，在处理站3的存储盒站2侧(图1的Y方向负方向侧)设置第三区块G3，在处理站3的接口站5侧(图1的Y方向正方向侧)设置第四区块G4。 
如图3所示，例如在第一区块G1多个液处理装置，例如对晶片W进行显影处理的显影装置30、在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(以下称“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、在晶片W涂敷抗蚀剂液形成作为涂敷膜的抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置32、在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(以下称“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33从下按顺序重叠为四层。 
例如第一区块G1的各装置30～33，在水平方向上具有多个处理时收纳晶片W的杯F，能同时处理多个晶片W。 
图2所示，例如在第二区块G2在上下方向和水平方向排列地设置有对晶片W实施热处理的热处理装置40和对晶片W实施疏水化处理的粘着装置41、对晶片W上的抗蚀剂膜的周边部实施周边曝光处理的并且对该周边曝光处理结束后的晶片W的缺陷进行检查的晶片处理装置42。热处理装置40具有载置并加热晶片W的热板和载置并冷却晶片W的冷却板，能实施加热处理和冷却处理。而且，热处理装置40、粘着装置41和晶片处理装置42的数量和配置可以任意选择。此外，后述晶片处理装置42的详细结构。 
例如在第三区块G3从下顺序地设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。此外，在第四区块G4从下顺序地设置有多个交接装置60、61、62。 
如图1所示在被第一区块G1～第四区块G4包围的区域形成晶片输送区域D。在晶片输送区域D配置有例如晶片输送装置70。 
晶片输送装置70具有在例如Y方向、X方向、θ方向和上下方向自由移动的输送臂。晶片输送装置70在晶片输送区域D内移动，能给周围的第一区块G1、第二区块G2、第三区块G3和第四区块G4内的规定的装置输送晶片W。 
图2所示，晶片输送装置70例如在上下配置多台，能在例如各区块G1～G4的同程度高度的规定的装置输送晶片W。 
此外，在晶片输送区域D设置有在第三区块G3与第四区块G4之间直线地输送晶片W的梭输送装置80。 
梭输送装置80能在例如Y方向直线地自由移动。梭输送装置80在支撑晶片W的状态下在Y方向移动，在第三区块G3的交接装置52与第四区块G4的交接装置62之间输送晶片W。 
如图1所示，在第三区块G3的X方向正方向侧的旁边设置有晶片输送装置90。晶片输送装置90具有在例如X方向、θ方向和上下方向自由移动的输送臂。晶片输送装置90在支撑晶片W的状态下上下地移动，能够对第三区块G3内的各交接装置输送晶片W。 
在接口站5设置有晶片输送装置100和交接装置101。晶片输送装置100具有在例如Y方向、θ方向和上下方向自由移动的输送臂。晶片输送装置100例如在输送臂支撑晶片W，能对第四区块G4内的各交接装置和交接装置101输送晶片W。 
下面，说明上述的晶片处理装置42的结构。如图4和图5所示，晶片处理装置42具有处理容器110。在处理容器110的晶片输送区域D侧(图4和图5的X方向负方向侧)的侧面，形成有搬入搬出晶片W的搬入搬出口111。在搬入搬出口111设置有开闭闸门112。 
在处理容器110的内部设置有吸附保持晶片W的保持部120。保持部120具有水平的上表面，在该上表面设置有例如吸引晶片W的吸引口(未图示)。利用来自该吸引口的吸引能将晶片W吸附保持在保持部120上。 
如图5所示，在保持部120安装有驱动部121。驱动部121例如内置有发动机(未图示)。而且，驱动部121能使保持部120旋转，具有作为本发明的旋转驱动部的功能，并且具有调节晶片W位置的校准功能。在处理容器110的底面设置有从处理容器110内的一端侧(图5中的X方向负方向侧)延伸到另一端侧(图5中的X方向正方向侧)的导轨122。驱动部121设置在导轨122上。于是保持部120和驱动部121沿着导轨122能在交接位置P1与周边曝光位置P2之间移动，所述交接位置P1是在与晶片处理装置42的外部之间实施晶片W的交接的 位置，所述周边曝光位置P2是对晶片W的周边部实施周边曝光处理的位置。并且，这些驱动部121和导轨122构成本发明的移动机构。此外，在本实施方式中，在处理容器110的底面上设置了导轨122，但是该导轨也可以埋设在处理容器110的底面。 
此外，在交接位置P1在与晶片处理装置42的外部之间交接晶片W的时候，如图6所示，保持部120不与设置在晶片处理装置42的外部的晶片输送装置70干涉。这里，晶片输送装置70具有例如直径比晶片W稍微大的大致C字型的臂部70a。在臂部70a的内侧，在多处例如三处设置朝向内侧突出、支撑晶片W的外周部的支撑部70b。保持部120具有比晶片W的直径小的直径，吸附保持晶片W的中心部。因而，保持部120不与晶片输送装置70干涉。 
在处理容器110内部的周边曝光位置P2设置有检测被保持部120保持的晶片W的周边部的位置的位置检测传感器130。位置检测传感器130具有例如具有CCD(Charge-Coupled Device，电荷耦合器件)照相机(未图示)，检测被保持部120保持的晶片W的距中心的偏心量和晶片W的凹口部的位置。然后根据晶片W的偏心量，设定曝光部140的光的照射位置。此外，通过位置检测传感器130检测凹口部的位置，并通过驱动部121使保持部120旋转，能够调整晶片W的凹口部的位置。 
在处理容器110的内部设置有对被保持部120保持的晶片W上的抗蚀剂膜的周边部照射光进行曝光的曝光部140。在曝光部140设置有灯箱141作为向该曝光部140供给光的光源装置。在灯箱141的内部设置有超高压水银灯(未图示)或将将来自超高压水银灯的光聚光的聚光镜(未图示)。这些曝光部140和灯箱141配置在周边曝光位置P2的X方向正方向侧，即处理容器110的X方向正方向端部。 
在处理容器110的内部设置有对被保持部120保持的晶片W摄像的摄像部150。摄像部150配置在周边曝光位置P2的X方向正方向侧，即为处理容器110的X方向正方向端部、曝光部140和灯箱141的上方。在摄像部150使用例如CCD照相机。此外，在摄像部150设置有检查部151，输出由该摄像部150摄像的图像，根据该图像检查晶片W的缺陷。 
在处理容器110的内部的交接位置P1与周边曝光位置P2之间设置有实施照明的照明部152和使在被保持部120保持的晶片W与摄像部150之间形成的光路的方向改变的方向转换部153。照明部152和方向转换部153分别设置在与摄像部150相对的位置，且分别设置在被保持部120保持的晶片W的上方。此外，这些照明部152和方向转换部153例如由支撑部件(未图示)固定在处理容器110。 
如图7所示，方向转换部153具有第一反射镜154、第二反射镜155和第三反射镜156。第一反射镜154设置在照明部152的下方。在第一反射镜154使用例如半透明反射镜，从水平方向倾斜45度地进行设置。于是，来自照明部152的照明通过第一反射镜向铅直方向下方照射，在晶片W上反射。此外，从晶片W向铅直方向上方反射的光由第一反射镜154反射在周边曝光位置P2侧(图7的X方向正方向侧)向水平方向前进。 
第二反射镜155配置在与第一反射镜154相对的位置，比第一反射镜154更靠近周边曝光位置P2侧(图7的X方向正方向侧)。此外，第二反射镜155从水平方向倾斜规定的倾斜角θ地进行设置。规定的倾斜角θ例如是比45度大的角度。于是，来自第一反射镜154的光在第二反射镜155反射，在交接位置P1侧(图7的X方向负方向侧)向倾斜规定的反射角的上方前进。这时，由于第二反射镜155的倾斜角θ比45度大，所以在该第二反射镜155的光的反射角小于45度。 
第三反射镜156在第一反射镜154与第二反射镜155之间，配置在这些第一反射镜154与第二反射镜155的上方。此外，第三反射镜156从水平方向倾斜规定的倾斜角θ地进行设置。该规定的倾斜角θ与第二反射镜155的规定的倾斜角θ相同。于是，来自第二反射镜155的光在第三反射镜156反射，在周边曝光位置P2侧(图7的X方向正方向侧)向水平方向前进。 
由于如以上那样方向转换部153具有第一反射镜154、第二反射镜155和第三反射镜156，所以与一个反射镜的情况比较，不改变俯视时的摄像部150的位置，而能使晶片W与摄像部150之间的光路L的工作距离变长。而且，由晶片W反射的光沿着光路L前进被取入摄像部150，在摄像部150对晶片W进行摄像。 
此外，由于第三反射镜156设置在第一反射镜154和第二反射镜155的上方，所以与一个反射镜的情况比较，光路L向铅直方向上方延伸，进而摄像部150也配置在上方。这里，因为摄像部150与曝光部120需要配置在晶片W的中心轴线上，所以在现有的装置结构中摄像部与曝光部干涉，不能配置两者。此外，考虑在每次周边曝光处理或者检查中要使曝光部或者摄像部中的任一方移动，这时需要曝光部或者摄像部的移动机构，装置变得大。这点，在本实施方式中，由于摄像部150配置在上方，所以能在摄像部150的下方空出的空间配置曝光部140。 
在以上的涂敷显影处理系统1中，如图1所示设置有控制部200。控制部200例如是计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储实行在晶片处理装置42的晶片W的周边曝光处理和该晶片W的检查的程序。除此之外，在程序存储部也存储在涂敷显影处理系统1中实行晶片处理的程序。而且，上述程序是在例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光碟(MO)和存储卡等在计算机上能读取的存储媒体H记录的程序，也可以是从该存储媒体H下载到控制部200的程序。 
接着，说明使用如上构成的涂敷显影处理系统1而实施的晶片W的处理方法。 
首先，把收纳了多枚晶片W的存储盒C载置在存储盒站2的规定的存储盒载置板11上。之后，由晶片输送装置21依次取出存储盒C内的各晶片W，输送到处理站3的第三区块G3的例如交接装置53。 
接着晶片W由晶片输送装置70输送到第二区块G2的热处理装置40，进行温度调节。之后晶片W由晶片输送装置70输送到第一区块G1的下部防反射膜形成装置31，在晶片W上形成下部防反射膜。之后晶片W被输送到第二区块G2的热处理装置40，进行加热、温度调节，之后回到第三区块G3的交接装置53。 
接着晶片W由晶片输送装置90输送到相同的第三区块G3的交接装置54。之后晶片W由晶片输送装置70输送到第二区块G2的粘着装置41，进行粘着处理。之后晶片W由晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行温度调节。 
之后晶片W由晶片输送装置70输送到抗蚀剂涂敷装置32，在旋转中的晶片W上涂敷抗蚀剂液，在晶片W上形成抗蚀剂膜。 
之后晶片W由晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行预焙处理。之后晶片W由晶片输送装置70输送到第三区块G3的交接装置55。 
接着晶片W由晶片输送装置70输送到上部防反射膜形成装置33，在晶片W上形成上部防反射膜。之后晶片W由晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行加热、温度调节。之后晶片W由晶片输送装置70输送到晶片处理装置42。然后，在晶片处理装置42对晶片W上的抗蚀剂膜的周边部实施周边曝光处理，且对该周边曝光处理结束后的晶片W进行缺陷的检查。另外，后述在该晶片处理装置42的晶片W的周边曝光处理与检查的详细内容。 
之后晶片W由晶片输送装置70输送到第三区块G3的交接单元56。然后，在晶片处理装置42被判定为有缺陷的晶片W，之后由晶片输送装置21输送到规定的存储盒载置板11的存储盒C。 
另一方面，在晶片处理装置42被判定为没有缺陷正常的晶片W，由晶片输送装置90输送到交接装置52，由梭输送装置80输送到第四区块G4的交接装置62。 
之后晶片W由接口站5的晶片输送装置100输送到曝光装置4，进行曝光处理。 
接着，晶片W由晶片输送装置100从曝光装置4输送到第四区块G4的交接装置60。之后晶片W由晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行曝光后预焙处理。之后晶片W由晶片输送装置70输送到显影装置30，实施显影。显影结束后，晶片W由晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行热预焙处理。 
之后晶片W由晶片输送装置70输送到第三区块G3的交接装置50，之后由存储盒站2的晶片输送装置21输送到规定的存储盒载置板11的存储盒C。这样，一系列的光刻工序结束。 
下面，说明上述的晶片处理装置42的晶片W的周边曝光处理和该晶片W的检查。 
由晶片输送装置70经由搬入搬出口111输送到晶片处理装置42 的晶片W，首先如图8所示在交接位置P1被交接到保持部120，由该保持部120保持。之后通过驱动部121使保持部120从交接位置P1以规定速度移动到周边曝光位置P2侧。 
被保持部120保持的晶片W移动到周边曝光位置P2时，如图9所示通过位置检测传感器130检测晶片W的凹口部的位置，同时由驱动部121使保持部120旋转。然后，调整晶片W的凹口部的位置，将晶片W配置在规定的位置上。此外，通过位置检测传感器130检测被保持部120保持的晶片W的距中心的偏心量，根据该晶片W的偏心量设定曝光部140光的照射位置。之后，一边由驱动部121使晶片W旋转，一边从曝光部140对晶片W的周边部的规定的位置照射光。这样晶片W上的抗蚀剂膜的周边部被曝光处理。 
之后，如图10所示，通过驱动部121使保持部120从周边曝光位置P2以规定速度移动到交接位置P1侧。而且，晶片W通过第一反射镜154下的时候，从照明部152对晶片W进行照明。由该照明引起的在晶片W上的反射光以上述的方式在第一反射镜154、第二反射镜155和第三反射镜156反射，沿着光路L前进，被摄像部150取入。然后，由摄像部150对晶片W摄像。摄像后的晶片W的图像输出到检查部151，在检查部151根据所输出的图像检查晶片W的缺陷。 
之后，如图11所示被保持部120保持的晶片W移动到周边曝光位置P2时，从保持部120将晶片W交接到晶片输送装置70。然后，经由搬入搬出口111从晶片处理装置42搬出晶片W。 
根据以上的实施方式，由于方向转换部153具有第一反射镜154、第二反射镜155和第三反射镜156，所以不改变俯视时的摄像部150的位置，而能使被保持部120保持的晶片W与摄像部150之间的光路L的工作距离变长。而且，这时不需要改变摄像部150的CCD照相机的镜头。因而，能在摄像部150取得抑制了像的变形的高精度的图像，能适当地进行晶片W的检查。 
此外，由于在第二反射镜155和第三反射镜156反射的光的反射角是比45度小的角度，所以能抑制光路L的向铅直上方的延伸，并确保该光路L的工作距离。因而，能抑制晶片处理装置42的大型化。 
此外，由于晶片W与摄像部150之间的光路L向铅直上方延伸， 并且摄像部150也配置在上方，因此能在摄像部150下方空出的空间配置曝光部140。这样由于在晶片处理装置4设置曝光部140和摄像部150，因此在该晶片处理装置42内能输送晶片W，并能同时实施晶片W的周边曝光处理和该晶片W的检查。因而，在实施晶片W的周边曝光处理和该晶片W的检查的时候，因为没有必要享现有的那样用晶片输送装置70在周边曝光装置与检查装置之间输送晶片W，所以能用该晶片输送装置70在其他的处理装置之间输送其他的晶片W。因而，能减少其他晶片W的输送等待，能提高晶片处理的处理能力。并且，由于没有必要项现有的那样分别地设置周边曝光装置和检查装置，因此有助于减少占地面积。 
此外，由于在晶片处理装置42设置有检测晶片W的周边部的位置的位置检测传感器130，所以通过该位置检测传感器130检测凹口部的位置，并且由驱动部121使保持部120旋转，能调整晶片W的凹口部的位置。这里，在如现有的那样分别设置周边曝光装置与检查装置、用晶片输送装置70在周边曝光装置与检查装置之间输送晶片W的情况下，即使在周边曝光装置调整晶片W的凹口部的位置，但是由于晶片输送装置70在水平方向自由移动，所以在输送中晶片W的凹口部的位置偏移，必须在检查装置对晶片W的凹口部的位置进行再调整。这点，根据本实施方式，在实施晶片W的周边曝光处理和该晶片W的检查的时候，只进行一次凹口部的位置调整。因而，能提高晶片处理的处理能力。而且发明者调查时了解到通过进行一次晶片W的凹口部的位置调整，能将晶片处理的处理过程缩短约两秒。 
在以上的实施方式的晶片处理装置42中，灯箱141设置在处理容器110的内部，但是也可以如图12所示将灯箱141配置在处理容器110的外部。另外，由于晶片处理装置42的其他的结构与上述的晶片处理装置42的结构相同所以省略说明。 
这里，处理容器110的内部为了实施上述的晶片W的周边曝光处理和该晶片W的检查而维持在正压。在这样的状况下进行灯箱141的维护时，由于灯箱141设置在处理容器110的外部，因此不必将处理容器110内的氛围向大气开发。因而，能容易地进行灯箱141的维护。此外，处理容器110的内部也不会受到从灯箱141的发热的影响。 
在以上的实施方式中晶片处理装置42配置在处理站3的第二区块G2，但是该晶片处理装置42的位置可以任意选择。例如也可以将晶片处理装置42配置在接口站5，或者也可以配置在处理站3的第三区块G3或第四区块G4。 
以上，参照附图针对本发明的适合的实施方式进行了说明，但是本发明不限定于这样的例子。不言而喻，若是本领域技术人员，则在权利要求的范围所记载的思想的范畴内，能想到各种变更例子或者修正例子，对于这些例子当然也属于本发明的技术范围。本发明是不限于本例子，可采用各种方式。本发明也能适用于基板是晶片以外的FPD(平板显示器平板显示Flat Panel Display)、光掩膜用的中间掩膜等其他基板的情况。 

Claims (8)

1.一种基板处理装置，包括：
保持基板的保持部；
使被所述保持部保持的基板旋转的旋转驱动部；
使所述保持部在交接位置与周边曝光位置之间移动的移动机构，所述交接位置是与外部之间实施基板的交接的位置，所述周边曝光位置是对在基板上形成的涂敷膜的周边部实施周边曝光处理的位置；和
设置于所述周边曝光位置侧，对被所述保持部保持的基板上的涂敷膜的周边部进行曝光的曝光部，
该基板处理装置的特征在于，还包括：
在所述周边曝光位置侧设置于所述曝光部的上方，对被所述保持部保持的基板进行摄像的摄像部；和
设置于所述交接位置与所述周边曝光位置之间，改变在被所述保持部保持的基板与所述摄像部之间形成的光路的方向的方向转换部，其中
所述方向转换部具有：
第一反射镜，其使从所述基板向铅直方向上方反射的光在所述周边曝光位置侧向水平方向反射；
第二反射镜，其使来自所述第一反射镜的光在所述交接位置侧以规定的反射角向斜上方反射；
第三反射镜，其使来自所述第二反射镜的光在所述周边曝光位置侧向水平方向反射，送入所述摄像部。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
检测被所述保持部保持的基板的周边部的位置的位置检测传感器；和
根据所述位置检测传感器的检测结果，以调整基板的周边部的位置的方式控制所述旋转驱动部的控制部。
3.如权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述规定的反射角是小于45度的角度。
4.如权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述曝光部配置在处理容器的内部，
设置于所述曝光部的光源装置配置在所述处理容器的外部。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述曝光部配置在处理容器的内部，
设置于所述曝光部的光源装置配置在所述处理容器的外部。
6.一种基板处理方法，其使用基板处理装置，所述基板处理装置包括：保持基板的保持部；使被所述保持部保持的基板旋转的旋转驱动部；使所述保持部在交接位置与周边曝光位置之间移动的移动机构，所述交接位置是与外部之间实施基板的交接的位置，所述周边曝光位置是对形成于基板上的涂敷膜的周边部实施周边曝光处理的位置；设置于所述周边曝光位置侧，对被所述保持部保持的基板上的涂敷膜的周边部进行曝光的曝光部；在所述周边曝光位置侧设置于所述曝光部的上方，对被所述保持部保持的基板进行摄像的摄像部；和设置于所述交接位置与所述周边曝光位置之间的方向转换部，该方向转换部改变在被所述保持部保持的基板与所述摄像部之间形成的光路的方向，该方向转换部具备：使从所述基板向铅直方向上方反射的光在所述周边曝光位置侧向水平方向反射的第一反射镜、使来自所述第一反射镜的光在所述交接位置侧以规定的反射角向斜上方反射的第二反射镜、和使来自所述第二反射镜的光在所述周边曝光位置侧向水平方向反射而送入所述摄像部的第三反射镜，
所述基板处理方法的特征在于，包括：
周边曝光工序，由移动机构使被所述保持部保持的基板移动到所述周边曝光位置，在该周边曝光位置，由所述旋转驱动部使基板旋转，并从所述曝光部对基板上的涂敷膜的周边部照射光，对该周边部进行曝光；和
检查工序，在所述周边曝光工序之后，在由移动机构使被所述保持部保持的基板从所述周边曝光位置移动到所述交接位置的期间，该基板通过所述方向转换部的下方时，由所述摄像部对基板进行摄像，根据该被摄像的基板的摄像图像检查基板的缺陷。
7.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置具备检测被所述保持部保持的基板的周边部的位置的位置检测传感器，
在所述周边曝光工序中，根据所述位置检测传感器的检测结果，由所述旋转驱动部使基板旋转，调整该基板的周边部的位置。
8.如权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于：
所述规定的反射角是小于45度的角度。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP6308958B2 (ja) * 2015-02-25 2018-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6244329B2 (ja) * 2015-05-12 2017-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板の検査方法、基板処理システム及びコンピュータ記憶媒体
JP6617050B2 (ja) * 2016-02-22 2019-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板撮像装置
JP6444909B2 (ja) * 2016-02-22 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2018036235A (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法
JP6775036B2 (ja) * 2017-02-07 2020-10-28 東京エレクトロン株式会社 成膜システム、成膜方法及びコンピュータ記憶媒体
TWI786116B (zh) * 2017-06-05 2022-12-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統之處理條件設定方法、基板處理系統及記憶媒體
EP3413339B1 (en) * 2017-06-08 2023-05-24 Brooks Automation (Germany) GmbH Inspection system and method of inspection for substrate containers
CN117912995A (zh) * 2018-04-27 2024-04-19 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板处理方法
JP7105135B2 (ja) * 2018-08-17 2022-07-22 東京エレクトロン株式会社 処理条件補正方法及び基板処理システム
KR102162187B1 (ko) 2018-08-31 2020-10-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7090005B2 (ja) * 2018-10-05 2022-06-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び検査方法
JP7153521B2 (ja) * 2018-10-05 2022-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び検査方法
KR102191836B1 (ko) * 2019-04-30 2020-12-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102270936B1 (ko) * 2019-06-17 2021-07-01 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN111723591B (zh) * 2020-05-22 2021-03-30 杭州长川科技股份有限公司 晶圆id读取装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6004047A (en) * 1997-03-05 1999-12-21 Tokyo Electron Limited Method of and apparatus for processing photoresist, method of evaluating photoresist film, and processing apparatus using the evaluation method
CN1596368A (zh) * 2001-11-30 2005-03-16 国际商业机器公司 图形轮廓的检查装置和检查方法、曝光装置
CN101515115A (zh) * 2008-02-18 2009-08-26 株式会社Orc制作所 曝光装置的基板支撑机构
CN101614680A (zh) * 2008-06-26 2009-12-30 株式会社阿迪泰克工程 缺陷检测装置及方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3067331B2 (ja) * 1991-10-30 2000-07-17 株式会社ニコン 顕微鏡
JP3468755B2 (ja) * 2001-03-05 2003-11-17 石川島播磨重工業株式会社 液晶駆動基板の検査装置
JP3853685B2 (ja) * 2002-03-28 2006-12-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW200702656A (en) * 2005-05-25 2007-01-16 Olympus Corp Surface defect inspection apparatus
JP2007240519A (ja) * 2006-02-08 2007-09-20 Tokyo Electron Ltd 欠陥検査方法、欠陥検査装置及びコンピュータプログラム
JP2009117541A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Tokyo Electron Ltd 基板検査方法、基板検査装置及び記憶媒体
JP2009281836A (ja) * 2008-05-21 2009-12-03 Olympus Corp 基板観察装置、基板観察方法、制御装置、およびプログラム
US8798932B2 (en) * 2008-10-31 2014-08-05 The Invention Science Fund I, Llc Frozen compositions and methods for piercing a substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6004047A (en) * 1997-03-05 1999-12-21 Tokyo Electron Limited Method of and apparatus for processing photoresist, method of evaluating photoresist film, and processing apparatus using the evaluation method
CN1596368A (zh) * 2001-11-30 2005-03-16 国际商业机器公司 图形轮廓的检查装置和检查方法、曝光装置
CN101515115A (zh) * 2008-02-18 2009-08-26 株式会社Orc制作所 曝光装置的基板支撑机构
CN101614680A (zh) * 2008-06-26 2009-12-30 株式会社阿迪泰克工程 缺陷检测装置及方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特開2003-289030A 2003.10.10 *
JP特開平5-127088A 1993.05.25 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012023289A (ja) 2012-02-02
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US8730317B2 (en) 2014-05-20
JP5479253B2 (ja) 2014-04-23
TW201229501A (en) 2012-07-16
KR20120008447A (ko) 2012-01-30

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