CN102338848B - 用于半导体芯片的晶片级测试的方法和系统 - Google Patents
用于半导体芯片的晶片级测试的方法和系统 Download PDFInfo
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Abstract
提供了一种用于半导体芯片的晶片级测试的系统和方法。在一个实施例中,该系统包括:设置在晶片中的多个半导体芯片,每个半导体芯片具有用于接收测试数据的至少一个端口;以及至少一个连接,在晶片的切缝区域中设置在所述多个半导体芯片中的第一半导体芯片的至少一个端口与至少一个第二半导体芯片的至少一个端口之间;其中第一半导体芯片被配置成经由所述至少一个连接将测试数据发送到所述至少一个第二半导体芯片。此外,所述多个半导体芯片可以包括至少一个核心逻辑,所述核心逻辑被配置成经由所述至少一个连接将测试数据传送到所述至少一个第二半导体芯片。
Description
技术领域
本发明通常涉及多个半导体芯片的测试。特别地,本公开内容涉及多个半导体芯片在晶片级上的并行测试。
背景技术
半导体芯片的测试由于其对生产成本的影响而对于许多制造商而言是富有挑战性的。包括增加测试系统吞吐量的许多措施被实施以削减测试成本。例如,在诸如自动测试设备(ATE)之类的自动测试系统中引入了多个管芯的并行测试,以便削减测试成本。然而,在其中晶片具有数百个芯片的晶片级上,由于对于每个半导体芯片需要多个输入/输出(IO)通道的原因,并行测试变得困难。因此,存在对于对多个半导体芯片执行并行晶片级测试的方法和系统的需要,其向自动测试系统要求更少的资源。
发明内容
在一个实施例中,提供了一种用于测试半导体芯片的系统。该系统包括:设置在晶片中的多个半导体芯片,所述多个半导体芯片中的每一个具有用于接收测试数据的至少一个端口;至少一个连接,在晶片的切缝(kerf)区域中设置在所述多个半导体芯片的第一半导体芯片的至少一个端口与至少一个第二半导体芯片的至少一个端口之间;其中第一半导体芯片被配置成经由所述至少一个连接将测试数据发送到所述至少一个第二半导体芯片。
所述至少一个连接包括:第一连接,在切缝区域中设置在第一半导体芯片的第一端口与所述至少一个第二半导体芯片的第一端口之间;以及第二连接,在切缝区域中设置在第一半导体芯片的第二端口与所述至少一个第二半导体芯片的第二端口之间。
第一半导体芯片被配置成同时经由第一连接和第二连接将测试数据发送到所述至少一个第二半导体芯片。
所述系统进一步包括自动测试设备,该自动测试设备包括耦合到第一半导体芯片的所述至少一个测试输入端口的至少一个通道以及耦合到所述多个半导体芯片的至少一个测试输出端口的至少一个通道,其中第一半导体芯片被配置成在该第一半导体芯片的所述至少一个测试输入端口处从自动测试设备的所述至少一个通道接收测试数据。
第一半导体被配置成经由所述至少一个连接将所述至少一个测试输入端口处接收的测试数据发送到所述至少一个第二半导体芯片的所述至少一个测试输入端口。
在本公开内容的另一个实施例中也提供了一种用于测试半导体芯片的方法,其中在晶片中提供了多个半导体芯片,所述多个半导体芯片的至少一个端口经由晶片的切缝区域中的至少一个连接而连接,测试数据从测试器发送到所述多个半导体芯片中的第一半导体芯片的所述至少一个端口,并且测试数据经由所述至少一个连接从第一半导体芯片的所述至少一个端口传送到至少一个第二半导体芯片的至少一个端口。
测试数据在第一半导体芯片的第一端口和第二端口处从测试器的至少一个通道接收,并且同时经由第一连接和第二连接发送到所述至少一个第二半导体芯片的第一端口和第二端口。
在一个可替换实施例中,用于测试半导体芯片的系统包括:设置在晶片中的多个半导体芯片,所述多个半导体芯片中的每一个具有用于接收测试数据的至少一个端口以及至少一个核心逻辑;至少一个连接,在晶片的切缝区域中设置在所述多个半导体芯片中的第一半导体芯片的至少一个端口与至少一个第二半导体芯片的至少一个端口之间;其中第一半导体芯片的核心逻辑被配置成经由所述至少一个连接将测试数据传送到所述至少一个第二半导体芯片。
第一半导体芯片的所述至少一个端口包括耦合到测试器的第一组端口以及经由所述至少一个连接而耦合到所述至少一个第二半导体芯片的所述至少一个端口的第二组端口。
第一半导体芯片的核心逻辑被配置成经由至少一个内部路径将第一组端口与第二组端口连接并且经由所述至少一个连接将测试数据从第二组端口传送到所述至少一个第二半导体芯片的所述至少一个端口。
此外,第二组端口耦合到第二半导体芯片的至少一个端口以及第三半导体芯片的至少一个端口,并且第一半导体芯片的核心逻辑被配置成经由所述至少一个连接的第一子集将测试数据从第二组端口传送到第二半导体芯片的至少一个端口且经由所述至少一个连接的第二子集将测试数据从第二组端口传送到第三半导体芯片的至少一个端口。
第一半导体芯片进一步包括经由所述至少一个连接的第二子集耦合到第三半导体芯片的所述至少一个端口的第三组端口,其中第一半导体芯片的核心逻辑被配置成经由所述至少一个连接的第一子集将测试数据从第二组端口传送到第二半导体芯片的至少一个端口并且经由所述至少一个连接的第二子集将测试数据从第三组端口传送到第三半导体芯片的至少一个端口。
在又一个可替换实施例中,提供了一种用于测试半导体芯片的方法。在晶片中提供多个半导体芯片,至少一个核心逻辑被配置成控制所述多个半导体芯片,所述多个半导体芯片的至少一个端口经由晶片的切缝区域中的至少一个连接而连接,并且测试数据从测试器发送到所述多个半导体芯片中的第一半导体芯片的所述至少一个端口且经由所述至少一个连接从第一半导体芯片的所述至少一个端口传送到至少一个第二半导体芯片的至少一个端口。
核心逻辑被配置成在第一半导体芯片进入测试模式时将第一半导体芯片的第一组端口连接到第一半导体芯片的第二组端口。测试数据在第一半导体芯片的第一组端口处从测试器的至少一个通道接收,并且经由至少一个内部路径从第一半导体芯片的第一组端口发送到第二组端口。
第一半导体芯片的第二组端口经由所述至少一个连接的第一子集连接到所述至少一个第二半导体芯片的第二半导体芯片的至少一个端口并且经由所述至少一个连接的第二子集连接到所述至少一个第二半导体芯片的第三半导体芯片的至少一个端口。
测试数据经由所述至少一个连接的第一子集从第一半导体芯片的第二组端口发送到所述至少一个第二半导体芯片的第二半导体芯片的至少一个端口,并且同时经由所述至少一个连接的第二子集从第一半导体芯片的第二组端口发送到所述至少一个第二半导体芯片的第三半导体芯片的至少一个端口。
核心逻辑被配置成在第一半导体芯片进入测试模式时连接第一半导体芯片的第三组端口。第一半导体芯片的第二组端口经由所述至少一个连接的第一子集连接到所述至少一个第二半导体芯片的第二半导体芯片的至少一个端口。第一半导体芯片的第三组端口经由所述至少一个连接的第二子集连接到所述至少一个第二半导体芯片的第三半导体芯片的至少一个端口。
然后,测试数据经由所述至少一个连接的第一子集从第一半导体芯片的第二组端口发送到所述至少一个第二半导体芯片的第二半导体芯片的至少一个端口,并且同时经由所述至少一个连接的第二子集从第一半导体芯片的第三组端口发送到所述至少一个第二半导体芯片的第三半导体芯片的至少一个端口。
附图说明
图1为依照现有技术的用于测试多个半导体芯片的系统的示图。
图2为依照现有技术的用于测试多个半导体芯片的系统的示图。
图3为依照本公开内容一个实施例的用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的示图。
图4为依照本公开内容一个实施例的用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的一个示例性实现方式的示图。
图5为依照本公开内容一个实施例的用于多个半导体芯片的并行测试的示例性过程的流程图。
图6为示出依照本公开内容一个可替换实施例的用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的示图。
图7为依照本公开内容一个实施例的用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的一个可替换示例性实现方式的示图。
图8为依照本公开内容一个可替换实施例的用于多个半导体芯片的并行测试的示例性过程的流程图。
图9为依照本公开内容又一个可替换实施例的用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的一个示例性实现方式的示图。
图10为依照本公开内容又一个可替换实施例的用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的一个示例性实现方式的示图。
具体实施方式
所公开的各个不同实施例中的许多实施例涉及在晶片中包括多个半导体芯片并且进一步在晶片切缝区域中包括在所述多个芯片之间的至少一个连接的系统。此外,本公开内容提供了一种使用在切缝区域上的多个半导体芯片之间的至少一个连接来并行测试所述多个芯片的方法。在下面的描述和附图中阐述了本发明特定实施例的具体细节以提供对这样的实施例的透彻理解。然而,本领域的技术人员将理解:其他的实施例是可能的,并且可以实施没有这里描述的若干细节的许多实施例。
参照图1,绘出了依照现有技术的用于测试多个半导体芯片的系统的示图。如图1中所示,系统100包括自动测试设备(ATE)102。传统上,自动测试设备102通过探针卡104连接到多个半导体芯片106。探针卡104提供自动测试设备102到具有多个半导体芯片106的晶片之间的接口。探针卡104包括多个接触元件,所述多个接触元件提供晶片上的所述多个半导体芯片106与自动测试设备102之间的电接触。在该实例中,自动测试设备包括1024个输入/输出(I/O)通道并且所述多个半导体芯片106中的每一个包括用于测试的20个管脚。因此,可以并行地测试高达51个半导体芯片。每个半导体芯片106包括由探针卡104用于测试的多个触点或焊盘108。在该实例中,ATE102的每个I/O通道连接到半导体芯片106的触点或焊盘108。
参照图2,绘出了依照现有技术的用于测试多个半导体芯片的系统的示图。在图2中,代替自动测试设备102的I/O通道与每个半导体芯片106的触点或焊盘108之间的一对一连接,自动测试设备102与触点或焊盘108之间的一些连接由两个或更多半导体芯片106共享。在该实例中,自动测试设备与芯片110的触点或焊盘之间的连接经由连接114由芯片112共享。连接114经由管脚的共享实现利用更少的所需I/O通道来并行测试两个或更多半导体芯片106(在这种情况下为芯片110和112)。然而,在如图1和图2中所示的两种现有技术方法中,连接存在于探针卡104中,并且没有连接存在于两个或更多半导体芯片106之间的切缝区域116中。
本公开内容提供了一种利用每个芯片所需的更少的输入/输出通道来执行多个半导体芯片的晶片级并行测试的方法。此外,也提供了一种用于促进这种晶片级并行测试的系统。本公开内容利用两个或更多半导体芯片106之间的切缝区域116来连接两个或更多半导体芯片106的对应触点或焊盘108以便提供这些芯片106之间的数据路径。在一个实施例中,提供了特殊并行测试芯片,其连接芯片106的高达n2数量的对应触点或焊盘108。通过该特殊芯片,可以利用来自典型地仅仅容纳一个半导体芯片的自动测试设备102的单组I/O通道来同时测试多个半导体芯片。
参照图3,依照本公开内容一个实施例绘出了示出用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的示图。在该实施例中,多个相同的半导体芯片(例如芯片302、304、306和308)置于单个管芯300中。每个芯片包括四个测试端口(在该实例中为端口A、B、C和D)。芯片302是连接芯片304、306和308的对应端口以提供这些芯片之间的数据路径的特殊并行测试芯片。
在该情况下,芯片304、306和308的测试端口A经由切缝区域310中的金属线连接到芯片302的测试端口A。类似地,芯片304、306和308的测试端口C经由切缝区域310中的金属线连接到芯片302的测试端口C。以这种方式,从自动测试设备102发送到芯片302的端口A和C的测试信号也同时发送到芯片304、306和308。因此,自动测试设备102的I/O通道与每个半导体芯片的触点或焊盘之间的典型的一对一连接现在可以是一对多芯片连接。利用该配置,向ATE102要求更少的I/O通道以测试多个半导体芯片。这意味着可以在晶片级上利用相同数量的ATEI/O通道来同时测试更多的芯片。结果,可以降低用于多个半导体芯片的测试成本。
参照图4,绘出了依照本公开内容一个实施例的用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的一个示例性实现方式的示图。在该示例性实现方式中,可以经由四个JTAG信号执行芯片302、304、306和308的并行测试:TCK402、TMS404、TDI406和TRST408。自动测试设备102可以经由这些四个信号配置芯片302、304、306和308以调用(invoke)特定测试,例如ATPG测试、存储器测试等等。测试的结果可以经由TDO410信号返回。
对于测试输入信号,芯片302、304、306和308的四个JTAG信号经由切缝区域310中的金属线进行连接并且芯片302的四个JTAG信号经由探针卡104连接到ATE102。对于测试输出信号,芯片302、304、306和308的TDO410连接到ATE102的相应I/O通道。在操作中,ATE102驱动JTAG测试信号至芯片302的TCK402、TMS404、TDI406和TRST408。这些测试信号分别经由切缝区域310中的金属线同时发送到芯片304、306和308的TCK402、TMS404、TDI406和TRST408。因此,可以同时执行芯片302、304、306和308的并行测试。
一旦测试完成,芯片302、304、306和308的测试结果分别经由探针卡104从芯片302、304、306和308的TDO410返回到ATE102。利用该配置,只需来自ATE的单组I/O通道以执行芯片302、304、306和308的并行测试。在该实例中,只要求4个而不是16个ATEI/O通道以并行测试芯片302、304、306和308,因为典型地要求来自ATE102的四个I/O通道以测试每个芯片。
参照图5,绘出了依照本公开内容一个实施例的用于多个半导体芯片的并行测试的一个示例性过程的流程图。过程500开始于步骤502以在单个管芯中提供多个半导体芯片。在一个实施例中,所述多个半导体芯片彼此相同。例如,在图3中,在单个管芯300中提供芯片302、304、306和308。
过程500继续到步骤504以经由至少一个连接(诸如切缝区域中的金属线)连接所述多个半导体芯片的一个或多个测试端口。例如,如图3中所示,经由切缝区域310中的金属线,芯片302的端口A与芯片304、306和308的端口A连接,并且芯片302的端口C连接到芯片304、306和308的端口C。
过程500然后继续到步骤506以将测试数据从ATE的I/O通道发送到第一芯片的一个或多个测试输入端口。例如,如图4中所示,测试信号TCK从ATE102的TCK通道发送到第一半导体芯片302的TCK端口402。过程500然后继续到步骤508以经由诸如切缝区域中的金属线之类的所述至少一个连接将在第一半导体芯片的一个或多个测试输入端口处接收的测试数据传送到其他芯片的一个或多个测试输入端口。以这种方式,其他芯片的一个或多个测试输入端口接收到来自ATE的输入通道的相同测试数据。例如,在图4中,由第一半导体芯片302接收的测试数据TCK402经由切缝区域310中的金属线传送到芯片304、306和308的TCK端口402。
一旦测试完成,过程500在步骤510处完成以将测试结果从芯片302、304、306和308的一个或多个测试输出端口返回到ATE的相应I/O通道。例如,在图4中,测试结果从芯片302、304、306和308的TDO端口410传送到ATE102的相应TDO通道。
除了经由切缝区域中的金属线将第一芯片的测试输入/输出端口连接到单个管芯中的其他芯片的测试输入/输出端口之外,可以在所述多个半导体芯片内内部地实现核心逻辑以经由诸如切缝区域中的金属线之类的所述至少一个连接来共享ATEI/O通道。在该实施例中,半导体芯片的内部核心逻辑打开内部传输路径以将测试数据从一个芯片的触点或焊盘传递到管芯中的其他芯片的对应触点或焊盘。可以使用切缝区域中的金属线来实现所述多个半导体芯片的触点或焊盘之间的连接。通过该内部核心逻辑,可以利用来自典型地仅仅容纳一个半导体芯片的自动测试设备102的单组I/O通道来同时测试多个半导体芯片。
参照图6,依照本公开内容一个可替换实施例绘出了示出用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的示图。在该可替换实施例中,在单个管芯602中提供多个半导体芯片604和606。在一个实施例中,芯片604和606彼此相同。每个芯片包括内部核心逻辑,该内部核心逻辑打开内部传输路径以将测试数据或信号从一个芯片的触点或焊盘传送到另一个芯片的对应触点或焊盘。例如,核心逻辑608控制芯片604。当例如通过多路复用器610进入测试模式时,分别连接芯片604的端口A、B、C、D和E与端口1、2、3、4和5之间的内部路径。因此,核心逻辑608被配置成连接芯片604中的第一组端口和第二组端口。
芯片604的第二组端口即端口1、2、3、4和5通过诸如切缝区域612中的金属线之类的至少一个连接分别连接到芯片606的端口A、B、C、D和E。当测试信号或数据从ATE发送到芯片604的端口A、B、C、D和E时,芯片604的端口1、2、3、4和5与端口A、B、C、D和E之间的内部路径分别通过核心逻辑608连接。测试信号或数据然后经由诸如切缝区域612中的金属线之类的所述至少一个连接分别从芯片604的端口1、2、3、4和5传送到芯片606的端口A、B、C、D和E。
尽管在图6中未示出,芯片606的端口1、2、3、4和5可以通过诸如切缝区域612中的金属线之类的所述至少一个连接而连接到管芯602中的其他芯片的端口A、B、C、D和E。在这种情况下,核心逻辑612控制芯片606。当例如通过多路复用器614进入测试模式时,从芯片606的端口A、B、C、D和E到端口1、2、3、4和5的内部路径分别通过核心逻辑612连接,并且测试信号或数据可以分别传送到其他芯片的端口A、B、C、D和E。利用该配置,向ATE102要求更少的I/O通道以测试多个半导体芯片。这意味着可以利用相同数量的ATEI/O通道在晶片级上同时测试更多芯片。结果,可以降低用于多个半导体芯片的测试成本。
参照图7,依照本公开内容一个可替换实施例绘出了示出用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的一个示例性实现方式的示图。在该示例性实现方式中,在单个管芯700中提供两个半导体芯片704和706。在一个实施例中,芯片704和706彼此相同。
芯片704和706的并行测试可以经由四个JTAG信号执行:TMS708、TDI710、TCK712和TRST714。自动测试设备(ATE)102可以经由这些四个信号配置芯片704和706以调用特定测试,例如ATPG测试、存储器测试等等。测试的结果可以经由TDO716信号返回到ATE102的相应通道。
对于测试输入信号,芯片704和706的四个JTAG信号经由诸如切缝区域718中的金属线之类的至少一个连接而连接,并且芯片704的四个JTAG信号经由探针卡104连接到ATE102。在该实例中,芯片704的端口A、B、C和D经由诸如切缝区域718中的金属线之类的所述至少一个连接而连接到芯片706的端口TMS708、TDI710、TCK712和TRST714。对于测试输出信号,芯片704和706的TDO716经由探针卡104连接到ATE102的相应I/O通道。
在操作中,ATE102驱动JTAG测试信号至芯片704的TMS708、TDI710、TCK712和TRST714。核心逻辑720被提供以控制芯片704。当测试信号经由探针卡104从ATE102发送到芯片704的端口TMS708、TDI710、TCK712和TRST714时,芯片704的端口A、B、C和D与端口TMS708、TDI710、TCK712和TRST714之间的内部传输路径通过核心逻辑720连接。因此,核心逻辑720被配置成连接芯片704中的第一组端口和第二组端口。
此后,测试信号经由诸如切缝区域718中的金属线之类的所述至少一个连接从芯片704的端口A、B、C和D传送到芯片706的端口TMS708、TDI710、TCK712和TRST714。因此,可以同时执行芯片704和706的并行测试。尽管在图7中未示出,芯片706的端口A、B、C和D可以通过诸如切缝区域718中的金属线之类的至少一个连接而连接到管芯700中的其他芯片的端口TMS708、TDI710、TCK712和TRST714。
在一种情况下,例如,核心逻辑724控制芯片706。当例如通过多路复用器726进入测试模式时,芯片706的端口TMS708、TDI710、TCK712和TRST714与端口A、B、C和D之间的内部传输路径分别通过核心逻辑724连接。因此,核心逻辑724被配置成连接芯片706中的第一组端口和第二组端口。测试信号或数据可以经由诸如切缝区域718中的金属线之类的所述至少一个连接从芯片706的端口A、B、C和D传送到其他芯片的端口TMS708、TDI710、TCK712和TRST714。
一旦测试完成,芯片704和706的测试结果经由探针卡104从芯片704和706的TDO716返回到ATE102的相应I/O通道。利用该配置,只需来自ATE102的单组I/O通道以执行芯片704和706的并行测试。在该实例中,只要求4个而不是8个ATEI/O通道以并行测试芯片704和706,因为典型地要求来自ATE102的四个I/O通道以测试每个芯片。
参照图8,绘出了依照本公开内容一个可替换实施例的用于多个半导体芯片的并行测试的一个示例性过程的流程图。过程800开始于步骤802以在单个晶片中提供多个半导体芯片。在一个实施例中,所述多个半导体芯片彼此相同。例如,在图6中,在单个管芯602中提供芯片604和606。
过程继续到步骤804以提供一个或多个核心逻辑来控制一个或多个芯片。例如,如图6中所示,提供核心逻辑608和612以分别控制芯片604和606。过程800然后继续到步骤806以经由诸如切缝区域中的金属线之类的至少一个连接将第一半导体芯片的一个或多个端口连接到另一个芯片的一个或多个测试输入端口。例如,如图6中所示,经由切缝区域612中的金属线,芯片604的端口1与芯片606的端口A连接,并且芯片604的端口2连接到芯片606的端口B。
过程800然后继续到步骤808以将测试数据从ATE的I/O通道发送到第一半导体芯片的一个或多个测试输入端口。例如,如图7中所示,测试信号TMS从ATE102的TMS通道发送到第一半导体芯片704的TMS端口708。过程800然后继续到步骤810,其中第一半导体芯片的核心逻辑使得内部路径能够经由诸如切缝区域中的金属线之类的至少一个连接将测试信号或数据从第一半导体芯片的一个或多个测试输入端口传送到另一个半导体芯片的一个或多个测试输入端口。以这种方式,另一个芯片的一个或多个测试输入端口接收来自ATE的输入通道的相同测试数据。例如,在图7中,芯片704的端口TMS708与端口A之间的内部路径通过核心逻辑720连接,并且由第一半导体芯片704接收的测试数据TMS708经由诸如切缝区域718中的金属线之类的所述至少一个连接从芯片704的端口A传送到芯片706的端口TMS702。
一旦测试完成,过程800在步骤812处完成以将测试结果从芯片的一个或多个测试输出端口返回到ATE的相应I/O通道。例如,在图7中,测试结果从芯片704和706的TDO端口716传送到ATE102的TDO通道。
如上面所讨论的,除了经由切缝区域中的金属线将第一半导体芯片的所述一个或多个测试输入端口连接到另一个芯片的一个或多个测试输入端口之外,第一半导体芯片的核心逻辑可以被配置成使得管芯中的其他芯片的一个或多个测试输入端口可以连接到第一半导体芯片以便同时并行测试其他芯片。
参照图9,依照本公开内容又一个可替换实施例绘出了示出用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的一个示例性实现方式的示图。在该示例性实现方式中,在单个管芯900中提供三个半导体芯片904、906和930。在一个实施例中,芯片904、906和930可以彼此相同。
芯片904、906和930的并行测试可以经由四个JTAG信号执行:TMS908、TDI910、TCK912和TRST914。自动测试设备(ATE)102可以经由这些四个信号配置芯片904、906和930以调用特定测试,例如ATPG测试、存储器测试等等。测试的结果可以经由TDO916信号返回到ATE102的相应I/O通道。
对于测试输入信号,芯片904、906和930的四个JTAG信号经由诸如切缝区域918中的金属线之类的至少一个连接而连接,并且芯片904的四个JTAG信号经由探针卡104连接到ATE102的相应I/O通道。在该实例中,芯片904的端口A、B、C和D经由诸如切缝区域918中的金属线之类的第一连接子集而连接到芯片906的端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914。此外,芯片904的端口E、F、G和H经由诸如切缝区域920中的金属线之类的第二连接子集而连接到芯片930的端口TMS708、TDI910、TCK912和TRST914。对于测试输出信号,芯片904、906和930的TDO916经由探针卡104连接到ATE102的相应I/O通道。
在操作中,ATE102驱动JTAG测试信号至芯片904的TMS908、TDI910、TCK912和TRST914。核心逻辑920被提供以控制芯片904。当测试信号经由探针卡104从ATE102发送到芯片904的TMS908、TDI910、TCK912和TRST914时,芯片904例如经由多路复用器922进入测试模式,并且核心逻辑920实现芯片904的端口A、B、C和D与端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914之间的内部传输路径。因此,核心逻辑920被配置成连接芯片904的第一组端口(即端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914)以及第二组端口(即端口A、B、C和D)。
此后,测试信号经由诸如切缝区域918中的金属线之类的第一连接子集从芯片904的端口A、B、C和D传送到芯片906的端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914。因此,可以同时执行芯片904和906的并行测试。
此外,核心逻辑920可以控制芯片904以同时将测试信号传送到芯片904的第三组端口,即端口E、F、G和H。由于芯片904的端口E、F、G和H经由诸如切缝区域920中的金属线之类的第二连接子集而连接到芯片930的端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914,所以可以同时执行芯片904、906和930的并行测试。
在这种情况下,当例如经由多路复用器922进入测试模式时,芯片904中的核心逻辑920实现芯片904的端口A、B、C和D与端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914之间的内部传输路径。核心逻辑920也被配置成将芯片904中的第一组端口即端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914与第三组端口即端口E、F、G和H连接。
此后,测试信号经由诸如切缝区域920中的金属线之类的第二连接子集从芯片904的第三组端口即端口E、F、G和H传送到芯片930的端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914。因此,可以同时执行芯片904、906和930的并行测试。
在端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914处接收到来自芯片904的测试信号时,芯片930例如通过多路复用器934进入测试模式,核心逻辑932进而分别实现芯片930的端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914与端口A、B、C和D之间的内部传输路径。因此,核心逻辑932被配置成连接芯片930中的第一组端口和第二组端口。测试信号或数据可以从芯片930的端口TMS908、TDI910、TCK912和TRST914发送到端口A、B、C和D。尽管在图9中未示出,测试信号可以在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下以类似的方式从芯片930的端口A、B、C和D传送到管芯900中的其他芯片的TMS908、TDI910、TCK912和TRST914。
一旦测试完成,芯片904、906和930的测试结果经由探针卡104从芯片904、906和930的TDO916返回到ATE102的相应I/O通道。利用该配置,只需来自ATE102的单组I/O通道以执行芯片904、906和930的并行测试。在该实例中,只要求4个而不是12个ATEI/O通道以并行测试芯片904、906和930,因为典型地要求来自ATE102的四个I/O通道以测试每个芯片。
参照图10,依照本公开内容又一个可替换实施例绘出了示出用于多个半导体芯片的晶片级并行测试的系统的一个示例性实现方式的示图。在该示例性实现方式中,在单个管芯1000中提供三个半导体芯片1004、1006和1030。在一个实施例中,芯片1004、1006和1030彼此相同。
芯片1004、1006和1030的并行测试可以经由四个JTAG信号执行:TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014。自动测试设备(ATE)102可以经由这些四个信号配置芯片1004、1006和1030以调用特定测试,例如ATPG测试、存储器测试等等。测试的结果可以经由TDO1016信号返回到ATE102。
对于测试输入信号,芯片1004、1006和1030的四个JTAG信号经由诸如切缝区域1018中的金属线之类的至少一个连接而连接,并且芯片1004的四个JTAG信号经由探针卡104连接到ATE102的相应I/O通道。在该实例中,芯片1004的端口A、B、C和D经由诸如切缝区域1018中的金属线之类的第一连接子集而连接到芯片1006的端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014。此外,芯片1004的端口A、B、C和D经由诸如切缝区域1018中的金属线之类的第二连接子集而连接到芯片1030的端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014。对于测试输出信号,芯片1004、1006和1030的TDO1016经由探针卡104连接到ATE102的相应I/O通道。
在操作中,ATE102驱动JTAG测试信号至芯片1004的TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014。核心逻辑1020被提供以控制芯片1004。当测试信号经由探针卡104从ATE102发送到芯片1004的TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014时,芯片1004例如经由多路复用器1022进入测试模式,并且核心逻辑1020实现芯片1004的端口A、B、C和D与端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014之间的内部传输路径。因此,核心逻辑1020被配置成连接芯片1004中的第一组端口即端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014与第二组端口即端口A、B、C和D。
此后,测试信号经由诸如切缝区域1018中的金属线之类的第一连接子集从芯片1004的端口A、B、C和D传送到芯片1006的端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014。因此,可以同时执行芯片1004和1006的并行测试。
此外,核心逻辑1020可以控制芯片1004以同时将测试信号传送到芯片1030的第三组端口,即端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014。由于芯片1004的端口A、B、C和D经由诸如切缝区域1018中的金属线之类的第二连接子集而连接到芯片1030的端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014,所以可以同时执行芯片1004、1006和1030的并行测试。
在这种情况下,当例如经由多路复用器1022进入测试模式时,芯片1004中的核心逻辑1020实现芯片1004的端口A、B、C和D与端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014之间的内部传输路径。此后,测试信号经由诸如切缝区域1018中的金属线之类的第二连接子集从芯片1004的第二组端口即端口A、B、C和D传送到芯片1030的端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014。因此,可以同时执行芯片1004、1006和1030的并行测试。
在端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014处接收到来自芯片1004的测试信号时,芯片1030例如通过多路复用器1034进入测试模式,核心逻辑1032进而分别实现芯片1030的端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014与端口A、B、C和D之间的内部传输路径。因此,核心逻辑1032被配置成连接芯片1030中的第一组端口和第二组端口。测试信号或数据可以从芯片1030的端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014发送到端口A、B、C和D。尽管在图10中未示出,测试信号可以在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下以类似的方式从芯片1030的端口A、B、C和D传送到管芯900中的其他芯片的端口TMS1008、TDI1010、TCK1012和TRST1014。
一旦测试完成,芯片1004、1006和1030的测试结果经由探针卡104从芯片1004、1006、1030的TDO1016返回到ATE102的相应I/O通道。利用该配置,只需来自ATE102的单组I/O通道以执行芯片1004、1006、1030的并行测试。在该实例中,只要求4个而不是12个ATEI/O通道以并行测试芯片1004、1006和1030,因为典型地要求来自ATE102的四个I/O通道以测试每个芯片。
要指出的是,上面附图中示出的配置仅仅用于说明。在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下可以在上面的配置中包含附加的半导体芯片、核心逻辑和/或多路复用器。利用这些附加的配置,在晶片级上待由ATE同时测试的半导体芯片的数量可以呈指数地增加,因为要求更少的ATEI/O通道。因此,可以降低测试多个半导体芯片的成本。
应当指出的是,本文描述的方法不必以描述的顺序执行。而且,可以以重复、同时、串行或并行的方式执行关于该方法所描述的各个活动。
Claims (23)
1.一种用于测试半导体芯片的系统,包括:
设置在晶片中的多个半导体芯片,所述多个半导体芯片中的每一个具有第一组端口、第二组端口、至少一个测试输出端口、至少一个内部核心逻辑,其中第一组端口中的至少一个端口是用于接收测试数据的;
至少一个连接,在晶片的切缝区域中设置在所述多个半导体芯片中的第一半导体芯片的所述第二组端口中的至少一个端口与至少一个第二半导体芯片的所述第一组端口中的至少一个端口之间,
其中经由所述至少一个连接将从所述测试器专有地发送到第一半导体芯片的所述第一组端口中的至少一个端口的测试数据通过第一半导体芯片的内部路径传送且传送到所述至少一个第二半导体芯片的所述第一组端口中的至少一个端口,
其中所述内部核心逻辑使得所述第一半导体芯片的内部路径能够将用于接收测试数据的第一组端口中的至少一个端口连接到所述第一半导体芯片的第二组端口中的至少一个端口;
其中所述多个半导体芯片中的每一个的至少一个测试输出端口个别地连接到测试器,
其中所述测试器在所述晶片之外。
2.权利要求1的系统,其中所述多个半导体芯片彼此相同。
3.权利要求1的系统,其中所述至少一个连接包括:
第一连接,在切缝区域中设置在第一半导体芯片的所述第二组端口中的一个端口与所述至少一个第二半导体芯片的所述第一组端口中的一个端口之间;以及
第二连接,在切缝区域中设置在第一半导体芯片的所述第二组端口中的第二端口与所述至少一个第二半导体芯片的所述第一组端口中的第二端口之间。
4.权利要求3的系统,其中第一半导体芯片被配置成同时经由第一连接和第二连接将测试数据发送到所述至少一个第二半导体芯片。
5.权利要求1的系统,其中所述多个半导体芯片中的每一个的所述第一组端口中的至少一个端口包括至少一个测试输入端口。
6.权利要求5的系统,其中所述测试器是自动测试设备,该自动测试设备包括:
耦合到第一半导体芯片的所述至少一个测试输入端口的至少一个通道;以及
耦合到所述多个半导体芯片的所述至少一个测试输出端口的至少一个通道。
7.权利要求6的系统,其中第一半导体芯片被配置成在该第一半导体芯片的所述至少一个测试输入端口处从自动测试设备的所述至少一个通道接收测试数据。
8.权利要求7的系统,其中第一半导体被配置成经由所述至少一个连接将所述至少一个测试输入端口处接收的测试数据发送到所述至少一个第二半导体芯片的所述至少一个测试输入端口。
9.一种用于测试半导体芯片的方法,包括:
在晶片中提供多个半导体芯片,所述多个半导体芯片中的每一个包括一个或多个第一端口、一个或多个第二端口、至少一个输出端口、和内部核心逻辑;
将所述多个半导体芯片中的一个或多个的所述一个或多个第二端口连接到晶片的切缝区域中的至少一个连接;
将测试数据从测试器专有地发送到所述多个半导体芯片中的第一半导体芯片的所述一个或多个第一端口;
从所述测试器的至少一个通道接收测试数据到所述第一半导体芯片的一个或多个第一端口;
经由所述至少一个连接将测试数据从第一半导体芯片的所述一个或多个第一端口通过第一半导体芯片的内部路径传送到至少一个第二半导体芯片的一个或多个第一端口;该传送包括通过所述第一半导体芯片的内部核心逻辑将第一半导体芯片的所述一个或多个第一端口连接到第一半导体芯片的所述一个或多个第二端口,
其中所述测试器在所述多个半导体芯片之外。
10.权利要求9的方法,其中将所述多个半导体芯片的所述一个或多个第二端口连接到晶片的切缝区域中的至少一个连接包括:
经由切缝区域中的第一连接而将第一半导体芯片的第二端口中的一个或多个连接到所述至少一个第二半导体芯片的一个或多个第一端口中的一个或多个;以及
经由切缝区域中的第二连接而将第一半导体芯片的第二端口中的另一个或多个连接到所述至少一个第二半导体芯片的所述一个或多个第一端口中的一个或多个。
11.权利要求10的方法,其中所述一个或多个第一端口是用于接收测试数据的至少一个测试输入端口。
12.权利要求10的方法,其中
同时经由第一连接和第二连接将测试数据发送到所述至少一个第二半导体芯片的所述一个或多个第一端口。
13.一种用于测试半导体芯片的系统,包括:
设置在晶片中的多个相同半导体芯片,所述多个半导体芯片中的每一个包括:第一组端口,所述第一组端口中的至少一个端口用于接收测试数据,第二组端口,至少一个输出端口和至少一个内部核心逻辑;
至少一个连接,在晶片的切缝区域中设置在所述多个半导体芯片中的第一半导体芯片的第二组端口中的至少一个端口与至少一个第二半导体芯片的第一组端口中的至少一个端口之间,
其中测试数据从测试器专有地发送到第一半导体芯片的用于接收数据的第一组端口中的所述至少一个端口,经由所述至少一个连接通过第一半导体芯片内部地传送到所述至少一个第二半导体芯片的第二组端口中的至少一个端口,
其中所述第一半导体芯片的所述内部核心逻辑选择性地使得所述第一半导体芯片的内部路径能够将用于接收第一半导体芯片的测试数据的第一组端口中的至少一个端口连接到所述第一半导体芯片的第二组端口中的至少一个端口;
其中所述多个半导体芯片中的每一个的至少一个输出端口个别地连接到测试器,以及
其中所述测试器在所述晶片之外。
14.权利要求13的系统,其中第一半导体芯片的第二组端口中的一个或多个经由至少一个连接中的第一连接耦合到第二半导体芯片的第一组端口中的一个或多个,以及第一半导体芯片的第二组端口中的一个或多个经由至少一个连接中的第二连接耦合到第三半导体芯片的第一组端口中的一个或多个。
15.权利要求13的系统,其中第一半导体芯片包括:
经由设置在切缝区域中的第二连接耦合到所述至少一个第二半导体芯片中的第三半导体芯片的第一组端口的第三组端口。
16.权利要求15的系统,其中内部核心逻辑选择性地使得所述第一半导体芯片的内部路径能够将用于接收测试数据的第一组端口中的至少一个端口连接到所述第三组端口中的至少一个,以便经由第二连接将测试数据传送到第三半导体芯片的第一组端口。
17.一种用于测试半导体芯片的方法,包括:
在晶片中提供多个半导体芯片,所述多个半导体芯片中的每一个包括第一组端口、第二组端口、和内部核心逻辑;
将所述多个半导体芯片中的第一半导体芯片的第二组端口中的至少一个端口连接到晶片的切缝区域中的至少一个连接;
将内部核心逻辑配置成在第一半导体芯片进入测试模式时将第一半导体芯片的第一组端口的至少一个连接到连接至至少一个连接的第一半导体芯片的第二组端口中的至少一个;
将测试数据从测试器专有地发送到所述多个半导体芯片中的所述第一半导体芯片的第一组端口中的至少一个;以及
经由所述至少一个连接将测试数据从第一半导体芯片的第一组端口中的所述至少一个端口通过第一半导体芯片内部地传送到第一半导体芯片的第二端口中的至少一个且传送到至少一个第二半导体芯片;
其中所述测试器在所述多个半导体芯片之外。
18.权利要求17的方法,其中将测试数据从测试器发送到所述多个半导体芯片中的所述第一半导体芯片的第一组端口的所述至少一个端口包括:
在第一半导体芯片的第一组端口中的至少一个处从测试器的至少一个通道接收测试数据;以及
经由至少一个内部路径将测试数据从第一半导体芯片的第一组端口中的至少一个发送到第二组端口中的至少一个。
19.权利要求17的方法,其中将所述第一半导体芯片的第二组端口中的至少一个端口连接到晶片的切缝区域中的至少一个连接包括:
经由所述至少一个连接的第一子集将第一半导体芯片的第二组端口中的至少一个连接到所述至少一个第二半导体芯片的第二半导体芯片的第一端口中的至少一个;以及
经由所述至少一个连接的第二子集将第一半导体芯片的第二组端口中的至少另一个连接到所述至少一个第二半导体芯片的第三半导体芯片的第一端口中的至少一个。
20.权利要求19的方法,其中经由所述至少一个连接将测试数据从第一半导体芯片的第一组端口中的所述至少一个端口传送到第一半导体芯片的第二组端口中的至少一个且传送到至少一个第二半导体芯片包括:
经由所述至少一个连接的第一子集将测试数据从第一半导体芯片的第二组端口中的至少一个发送到所述至少一个第二半导体芯片的第二半导体芯片的第一端口中的至少一个;以及
同时经由所述至少一个连接的第二子集将测试数据从第一半导体芯片的第二组端口中的至少另一个发送到所述至少一个第二半导体芯片的第三半导体芯片的第一端口中的至少一个。
21.权利要求17的方法,所述方法还包括:
配置内部核心逻辑以在第一半导体芯片进入测试模式时将第一半导体芯片的第一组端口中的至少一个连接到第一半导体芯片的第三组端口中的至少一个。
22.权利要求21的方法,还包括:
经由所述至少一个连接的第二子集将第一半导体芯片的第三组端口中的至少一个连接到所述至少一个第二半导体芯片的第三半导体芯片的第一端口中的至少一个。
23.权利要求22的方法,还包括:
经由所述至少一个连接的第二子集将测试数据从第一半导体芯片的第一组端口中的至少一个端口通过第一半导体芯片内部地传送到第一半导体芯片的第三端口中的至少一个且传送到至少一个第二半导体芯片的第三半导体芯片;
经由所述至少一个连接的第一子集将测试数据从第一半导体芯片的第二组端口中的至少一个发送到所述至少一个第二半导体芯片的第二半导体芯片的第一组端口中的至少一个;以及
同时经由所述至少一个连接的第二子集将测试数据从第一半导体芯片的第三组端口中的至少一个发送到所述至少一个第二半导体芯片的第三半导体芯片的第一组端口中的至少一个。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/837,596 US9304166B2 (en) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | Method and system for wafer level testing of semiconductor chips |
US12/837596 | 2010-07-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102338848A CN102338848A (zh) | 2012-02-01 |
CN102338848B true CN102338848B (zh) | 2015-12-16 |
Family
ID=45466463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110198373.0A Active CN102338848B (zh) | 2010-07-16 | 2011-07-15 | 用于半导体芯片的晶片级测试的方法和系统 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9304166B2 (zh) |
CN (1) | CN102338848B (zh) |
DE (1) | DE102011051880B4 (zh) |
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- 2011-07-15 CN CN201110198373.0A patent/CN102338848B/zh active Active
- 2011-07-15 DE DE102011051880.0A patent/DE102011051880B4/de not_active Expired - Fee Related
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---|---|
DE102011051880B4 (de) | 2018-02-15 |
CN102338848A (zh) | 2012-02-01 |
US20120013359A1 (en) | 2012-01-19 |
DE102011051880A1 (de) | 2012-03-08 |
US9304166B2 (en) | 2016-04-05 |
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |