CN102331396B - 微粒分析装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了微粒分析装置和方法，该微粒分析装置包括：光源；第一聚光透镜，用于将来自光源的光会聚至多模光纤的第一端；第二聚光透镜，用于将从多模光纤的第二端出射的光会聚至微粒；以及检测器，用于检测通过施加来自光源的光而从微粒产生的光。

Description

微粒分析装置和方法
技术领域
本发明涉及微粒分析装置和方法，更具体地，涉及用于光学分析诸如细胞和微珠的微粒的特性的微粒分析装置。
背景技术
一个微粒分析装置将光施加至在通道(形成于流动池中或微芯片上)中流动的微粒，并检测来自每个微粒的散射光或者从每个微粒自身或标识在每个微粒上的荧光物质产生的荧光，由此测量每个微粒的光学特性。该微粒分析装置进一步从微粒进行群体(population)的分选，其中，该群体根据光学特性的测量结果而被确定为满足预定条件。具体地，用于测量细胞(作为微粒)的光学特性或对满足预定条件的细胞的群体进行分选的这样的装置被称作流式细胞仪(flow cytometer)或细胞分选器。
例如，日本专利公开第2007-46947号(下文中，为专利文献1)公开了一种流式细胞仪，该流式细胞仪包括：多个光源，用于以预定的周期和不同的相位来发射具有不同波长的多个激励光束；以及光引导部件，用于将多个激励光束引导至共用的入射光路，并将由此产生的沿着共用的入射光路的光束会聚至染色的颗粒。即，该流式细胞仪包括：多个光源，用于发射具有不同波长的多个激励光束；光引导部件，用于将多个激励光束引导至共用的入射光路，并将由此产生的沿着共用的入射光路的光束会聚至染色的颗粒；以及多个荧光检测器，检测通过激励光束的照射而从颗粒产生的荧光，并输出荧光信号(参见专利文献1中的权利要求1和3以及图1和图3)。
如专利文献1所公开的这种现有微粒分析装置采用了具有高光学放大倍率的光施加路径以放大从每一光源发射的光束的非常小的光斑大小，从而使得施加至微粒的样本流(sample flow)的光束的光斑尺寸变得充分大于样本流的宽度。
图9是示出了现有微粒分析装置中的光施加路径和光检测路径的示意图。参考图9，分别通过多个准直透镜112使得从多个光源111发射的光束(激励光)变平行，并且由此产生的来自准直透镜112的平行光束分别在多个反射镜113上反射，以沿着共用的光轴进行传播。由此产生的沿着共用的光轴传播的光束通过聚光透镜114而被会聚，以照射样本流S中的每个微粒P，该样本流S在形成于流动池中或微芯片上的通道中流动。在图9中，箭头F表示流动池中的样本流S和鞘流(sheath flow)的流动方向。
通过激励光的照射，从每个微粒P或从标识在每个微粒P上的荧光物质中产生荧光，由此产生的荧光通过物镜121而变平行，并接下来顺序地通过多个滤波器(wavelength filter)122。此时，荧光的预定波长区域通过每个滤波器122而分开，并随后被为每个滤波器122设置的检测器123检测。在每个检测器123中，将检测到的荧光转换为电信号。
在样本流S上所要求的光束的光斑尺寸约为10μm～100μm，例如，通常约为20μm。相反，从每个光源111发射的光束的光斑尺寸约为0.5μm～2.0μm，例如，通常约为1μm。在这种情况下，由光施加路径中的聚光透镜114和每个准直透镜112之间的焦距的比值所确定的光学放大倍率被设定为约20。
在具有这种高光学放大倍率的光施加路径中，例如，每个光源111和相应的准直透镜112之间的相对位置的1μm偏离引起光束在样本流S上的光斑位置偏离20μm。该光斑位置偏离的值与光束在样本流S上的光斑尺寸的值相同。即，来自每个光源111的光束不能被施加至样本流S中的每个微粒P，从而不能获得检测信号。
图10B是示意性地示出了在现有微粒分析装置中的样本流S上的光斑的光强的分布的曲线图。如图10A所示，由聚光透镜114所会聚的光束L(参见图9)被施加至样本流S中的每个微粒P，该样本流在形成于流动池中或微芯片上的通道中流动。在该情况下，样本流S上的光斑的光强的分布变为高斯分布。即，样本流S上的光斑的光强在光斑的中央处较强，而在光斑的边界处较弱。结果，光斑在样本流S上的位置偏离引起施加至每个微粒P的光束的有效强度的明显降低，从而导致检测信号的衰减。
日本专利公开第2004-184217号(下文中，为专利文献2)公开了一种流式细胞仪，其光施加路径包括用于将从激光振荡器发射的激光施加至鞘流的光纤(参见专利文献2的图1和第0013段)。该光纤位于激光振荡器和光束扩展器之间，并仅用于将从激光振荡器发射的激光引导至光束扩展器。在专利文献2中，没有进行关于通过使用光纤来改变从光源发射的光束的光斑尺寸的描述。
在图9中所示的现有微粒分析装置中，光施加路径具有高光学放大倍率，使得当例如在光施加路径中的光源与透镜之间的相对位置中发生微小偏离时，施加至样本流的光束的光斑位置明显偏离。此外，样本流S上的光斑的光强的分布为高斯分布，使得样本流上的光斑的位置偏离引起施加至每个微粒的光束的有效强度明显降低。
光施加路径中的光源和透镜之间的相对位置中的这种微小偏离很容易由施加至装置的振动或温度变化所产生，或者可以随着时间的流逝而自然地产生。因此，现有微粒分析装置存在这样的问题，即，由于样本流上的光斑的位置偏离而导致检测信号明显改变，从而降低了装置性能的稳定性和测量精度。
因此，需要提供微粒分析装置和方法，它们可以抑制由于例如光施加路径中的光源和透镜之间的相对位置的微小偏离而导致的样本流上的光斑的位置偏离，从而可以以高精度将光施加至每个微粒，由此获得稳定的测量性能。
发明内容
根据实施方式，提供了一种微粒分析装置，包括：光源；第一聚光透镜，用于将来自光源的光会聚至多模光纤的第一端；第二聚光透镜，用于将从多模光纤的第二端出射的光会聚至微粒；以及检测器，用于检测通过施加来自光源的光而从微粒产生的光。
优选地，该微粒分析装置还包括：光偏转装置，用于随时间改变来自光源的光在多模光纤的前端的入射位置。
更优选地，光偏转装置包括用于衍射来自光源的光的声光偏转器；并且该微粒分析装置还包括用于改变施加至声光偏转器的声波的频率的控制装置。可选地，光偏转装置包括用于衍射来自光源的光的电光偏转器；以及该微粒分析装置还包括用于改变施加至电光偏转器的电压的控制装置。
优选地，在第一端处多模光纤的芯的截面形状为圆形或矩形。
根据另一实施方式，提供了一种微粒分析方法，其包括以下步骤：将来自光源的光会聚至多模光纤的第一端；将从多模光纤的第二端出射的光会聚至微粒；以及检测通过施加来自光源的光而从微粒产生的光。
优选地，该微粒分析方法还包括随时间改变在多模光纤的第一端处的来自光源的光的入射位置的步骤。
更优选地，随时间改变入射位置的步骤包括以下步骤：使用用于衍射来自光源的光的声光偏转器；以及改变将要施加至声光偏转器的声波的频率。可选地，随时间改变入射位置的步骤包括使用用于衍射来自光源的光的电光偏转器以及改变施加至电光偏转器的电压的步骤。
在本发明实施方式中使用的术语“多模光纤”意指使光在芯中以多个模式(光学路径)进行传播的一种光纤。相反，使光在芯中以一种模式传播的光纤被称作“单模光纤”。
在多模光纤中，光在芯中以多个模式进行传播。即，某一模式在芯中以最短距离直线传播，某一模式在芯中反复反射以Z形传播。因此，入射在多模光纤的一端上的光在芯中发散地传播。
在本发明实施方式中作为测量目标的微粒包括诸如细胞、微生物和脂质体的生物微粒以及诸如乳胶颗粒、凝胶颗粒和工业颗粒的合成颗粒。
生物微粒包括染色体、脂质体、线粒体和组成各种细胞的细胞器。这些细胞包括动物细胞(例如，血液细胞)和植物细胞。微生物包括诸如E.coli的细菌、诸如烟草花叶病毒(tabacco mosaic virus)的病毒以及诸如酵母的真菌。生物微粒还包括核酸、蛋白质及它们的复合物。
工业颗粒包括有机聚合物材料、无机聚合物材料和金属。有机聚合物材料包括聚苯乙烯、苯乙烯二乙烯苯(styrene-divinyl benzene)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)。无机聚合物材料包括玻璃、硅石和磁性材料。金属包括金胶体和铝。通常，每个微粒的形状均为球形。然而，每个微粒的形状也可以为非球形，并且每个微粒的大小和质量没有特别限制。
根据实施方式，能够抑制由于例如在光施加路径中的光源和透镜之间的相对位置的微小偏离所导致的在样本流上光斑的位置偏离，使得可以以高精度将光施加至每个微粒，从而获得稳定的测量性能。
在本文中描述了另外的特征和优点，并且根据下面的详细描述和附图它们将是显而易见的。
附图说明
图1是示出了根据第一实施方式的微粒分析装置中的光施加路径和光检测路径的示意图；
图2是示出了入射在多模光纤的第一端上的激光的光斑的示意图；
图3是示出了从多模光纤的第二端出射的激光的光斑的示意图；
图4A是示出了在图1所示的微粒分析装置中的样本流上的光斑的示意图；并且图4B是示意性地示出了图4A中所示的光斑的光强的分布的曲线图；
图5是示出了根据第二实施方式的微粒分析装置中的光施加路径的一部分的示意图；
图6是用于示出从根据第二实施方式的微粒分析装置中的样本流上的光斑中去除斑纹图样的示意图；
图7是示出了根据第二实施方式的变形实例的微粒分析装置中的光施加路径的一部分的示意图；
图8是示出了根据第三实施方式的微粒分析装置中的光施加路径的一部分的示意图；
图9是示出了现有微粒分析装置中的光施加路径和光检测路径的示意图；
图10A是示出图9所示的微粒分析装置中的样本流上的光斑的示意图，图10B是示意性地示出了图10A所示的光斑的光强的分布的曲线图；以及
图11是用于示出出现在具有斑纹的出射光(emergent light)的光斑中的斑纹图案的示意图。
具体实施方式
现在将参考附图来描述实施方式。
1.根据第一实施方式的微粒分析装置
图1是示出了根据第一实施方式的微粒分析装置中的光施加路径和光检测路径的示意图。
参考图1，通过多个准直透镜12使从多个光源11发射的光束(激光)分别变平行，由此产生的来自准直透镜12的平行光束分别在多个反射镜13上反射，以沿着共用的光轴进行传播。由此产生的沿着共用的光轴进行传播的光束通过聚光透镜141被会聚，以进入多模光纤15的第一端15a。
入射在多模光纤15的第一端15a上的激光在多模光纤15中进行传播，以从多模光纤15的第二端15b射出。从第二端15b出射的激光通过聚光透镜142被会聚，以照射样本流S中的每个微粒P，该样本流S在形成于流动池中或微芯片上的通道中流动。在图1中，箭头F表示流动池中的样本流S和鞘流的流动方向。
通过激光的照射，从每个微粒P或从标识在每个微粒P上的荧光物质中产生荧光。由此产生的荧光通过物镜21而变平行，并且然后顺序通过多个滤波器22。此时，荧光的预定波长区域通过每个滤波器22而被分开，并接下来被为每个滤波器22设置的检测器23检测。在每个检测器23中，将检测到的荧光转换为电信号。尽管没有示出，但光检测路径还包括用于检测从每个微粒P产生的散射光的检测器以及与这些检测器相关的反射镜、滤光器等。
检测器23和用于检测散射光的每个检测器可以通过PMT(光电倍增管)或者诸如CCD(电荷耦合器件)或CMOS(互补金属氧化物半导体)器件的面型图像传感器(area image sensor)来设置。用于检测从每个微粒P产生的荧光的光检测路径的构造可以形成为与现有微粒分析装置中的光检测路径相似，并且不限于图1中所示的构造。
通过每个检测器23和用于检测散射光的每个检测器而获得的电信号被用于测量每个微粒P的光学特性。如在现有微粒分析装置中那样，在确定每个微粒P的大小的情况下使用前向散射光，在确定每个微粒P的结构的情况下使用侧向散射光，并且在确定是否存在标识在每个微粒P上的荧光物质的情况下使用荧光。
图2是示出了入射在多模光纤15的第一端15a上的激光的光斑的示意图。在图2中，参考标号La表示入射在第一端15a上的激光的光斑，参考标号151表示光纤15的包层(cladding)，参考标号152表示光纤15的芯。芯152的折射率高于包层151的折射率，从而由于全反射而使得光在受限的条件下在芯152中传播。如图2所示，尽管芯152在该优选实施方式中具有矩形截面形状，但芯152的截面形状例如也可以为圆形或椭圆形。
芯152的尺寸(截面面积)充分大于光斑La的尺寸，使得激光进入部分芯152。例如，芯152的尺寸为10μm2～500μm2(在下面的描述中为20μm2)，而光斑La的尺寸在直径上为几微米。
因此，光斑La的尺寸足够小，从而，即使在多模光纤15的上游侧上的光学路径中发生偏离时，光斑La也不可能落在芯152的外部。例如，即使当每个光源11和相应的准直透镜12之间的相对位置移动1μm时，光斑La在第一端15a处的位移为几微米。
图3是示出了从多模光纤15的第二端15b出射的激光的光斑的示意图。在图3中，参考标号Lb表示从第二端15b出射的激光的光斑。
入射在多模光纤15的第一端15a上的激光在芯152中以多个模式进行传播。即，某个模式在芯152中以最短的距离直线传播，某个模式在芯152中反复反射以Z字形传播。因此，在第一端15a处入射在芯152的一部分上的激光在芯152中发散地传播，并且在第二端15b处，激光在芯152的整个区域上均匀地发散，以作为矩形光斑Lb出射。
因此，第二端15b处的光斑Lb的尺寸大于第一端15a处的光斑La的尺寸，从而可以将聚光透镜142(用于朝每个微粒P会聚从第二端15b出射的激光)的光学放大倍率设定为较小。例如，在芯152的尺寸为20μm2的情况下，第二端15b处的光斑Lb的尺寸也为20μm2。因此，在样本流S上的光斑尺寸类似于现有装置中的那样被设定为约20μm2的情况下，从第二端15b出射的激光可以通过光学放大倍率被设定为约为1的聚光透镜142被施加至样本流S(图1)。
通过将聚光透镜142的光学放大倍率设小，可以在样本流S的上游侧的光路中(即，在光施加路径中)发生偏离的情况下，防止样本流S上的光斑可能落在样本流S的外部。例如，即使当多模光纤15的第二端15b与聚光透镜142之间的相对位置移动1μm时，样本流S上的光斑的位移也变为1μm那样小。尽管在该情况下将用于把激光朝样本流S会聚的聚光透镜142的光学放大倍率设定为1时，聚光透镜142的光学放大倍率可以在适当的范围内增大或减小。
图4B是示意性地示出了样本流S上的光斑的光强的分布的曲线图。如图4A所示，从多模光纤15的第二端15b出射并穿过聚光透镜142的激光L被施加至样本流S中的每个微粒P，该样本流S在形成于流动池中或微芯片上的通道中流动。
如上所述，入射在多模光纤15的第一端15a上的激光以多个模式在芯152中传播而在芯152中发散。因此，入射在第一端15a处的芯152的一部分上的激光在第二端15b处的芯152的整个区域上均匀地发散，然后作为光斑Lb而出射。结果，如图4B所示，样本流S上的光斑的光强根据第二端15b处的芯152的截面形状(在该情况下为矩形形状)而均匀地分布。该光强分布总是均匀的，而与光斑La在第一端15a处的位置无关。
通过均匀地分布样本流S上的光斑的光强，可以在样本流S上的光斑的光斑位置中或在样本流S的流动位置中发生偏离的情况下，防止施加至每个微粒P的光的有效强度可能明显降低，从而可以抑制来自每个检测器的检测信号的衰减。
如上所述，在根据实施方式的微粒分析装置的光施加路径中，入射在第一端15a上的激光的光斑尺寸在作为出射端的第二端15b处被均匀放大。因此，可以将聚光透镜142的光学放大倍率设定为较小，从而可以抑制由于光学路径中的偏离而导致的激光点在样本流S上的位移。
在根据实施方式的微粒分析装置中，能够抑制(例如，在光施加路径中)由于光源与透镜之间的相对位置的微小偏离而导致的光斑在样本流上的位移，从而可以以高精度将光施加至每个微粒，以获得稳定的测量性能。
此外，可以将第一端15a处的光斑La的尺寸设定为充分小于芯152的尺寸。因此，能够防止激光从第一端15a处的芯152漏出，并且可以以光强总是均匀分布的方式将激光施加至样本流S。
因此，可以在光斑在样本流S上的光斑位置中或在样本流S的流动位置中发生偏离的情况下，防止施加至每个微粒P的光的有效强度可能明显降低，从而可以抑制来自每个检测器的检测信号的衰减。
2.根据第二实施方式的微粒分析装置
图5是示出了根据第二实施方式的微粒分析装置中的光施加路径的一部分的示意图。根据第二优选实施方式的微粒分析装置中的光施加路径的其他部分和光检测路径在构造上可以形成为与根据第一实施方式的微粒分析装置相似，并且在这里省略了对它们的描述。
众所周知，当单纵模光或基于其的相干光进入多模光纤时，在光纤的出射端处的光斑的光强分布中出现被称作“斑纹”的强度变化。该斑纹出现的原因在于，当激光进入多模光纤的进入位置被固定时，在芯中传播的每个模式的传播路径也被固定。当将来自多模光纤的具有这种斑纹的出射光施加至每个微粒时，如图11所示，在出射光的光斑中出现被称作“斑纹图样”的随机强度变化(参见图11中的由虚线所包围的椭圆形区域)。
根据第二实施方式的微粒分析装置包括用于随着时间改变在多模光纤15的第一端15a处的激光的光斑位置的光偏转装置，从而去除斑纹图样。
现在将参考图5详细地描述第二实施方式。来自光源(未示出)的激光在反射镜16上反射并随后由聚光透镜14会聚，以进入多模光纤15的第一端15a。反射镜16的角度可以通过作为光偏转装置的致动器(未示出)而在由图5中的箭头R所示的方向上改变，从而改变激光从反射镜16的反射方向。通过使在反射角被改变的反射镜16上反射的激光穿过聚光透镜141而将激光会聚在第一端15a处的焦平面上，在芯152中可以改变在第一端15a处焦平面上的光斑La的位置(参见图5中的箭头W)。
反射镜16的角度可以通过致动器周期性地或随机性地改变，从而使在第一端15a处的芯152中的光斑La周期性地或随机地进行位移。致动器可以通过例如螺线管线圈(solenoid coil，电磁铁线圈)或压电元件而设置。
因此，第一端15a处的光斑La的位置随着时间而改变，从而可以在任何时候改变在芯中传播的每个模式的传播路径。因此，如图6所示，可以相对于时间将第二端点15b处的光斑Lb的光强分布进行平均，以去除施加至样本流S的光斑L的斑纹图样(参见由图6中的虚线所包围的椭圆形区域)。
图7是示出了根据第二实施方式的变形实例的微粒分析装置中的光施加路径的一部分的示意图。根据该变形实例的微粒分析装置中的光施加路径的其他部分和光检测路径在构造上可以形成为与根据第一实施方式的微粒分析装置的构造相似，并且在这里省略了对它们的描述。
来自光源(未示出)的激光进入作为光偏转装置的声光偏转器17。入射在声光偏转器17上的激光通过声光偏转器17中的布拉格衍射光栅而被衍射。来自声光偏转器17的第一级衍射光穿过狭缝18，并然后由聚光透镜141会聚而进入多模光纤15的第一端15a。在图7中，参考标号θ表示第一级衍射光的衍射角。
可以通过改变施加至声光偏转器17的声波的频率来改变衍射角θ。通过使被声光偏转器17(具有被改变的衍射方向(衍射角θ))衍射的激光穿过聚光透镜141以将激光会聚在第一端15a处的焦平面上，在芯152中可以改变第一端15a处焦平面上的光斑La的位置(参见图7中的箭头W)。
可以通过频率控制器171周期性地或随机地改变施加至声光偏转器17的声波的频率，从而使在第一端15a处的芯152中的光斑La周期性地或随机地进行位移。可以用电光偏转器来代替声光偏转器17。在这种情况下，用电压控制器代替频率控制器171来周期性地或随机地改变施加至电光偏转器的电压，从而改变第一级衍射角θ。
因此，在第一端15a处光斑La的位置随着时间而改变，从而可以在任何时候改变在芯中传播的每个模式的传播路径。因此，如图6所示，可以相对于时间将第二端15b处的光斑Lb的光强分布进行平均，以去除施加至样本流S的光斑L的斑纹图样(参见由图6中虚线所包围的椭圆形区域)。
如上所述，在根据第二实施方式及其变形实例的微粒分析装置的光施加路径中，在光纤15第一端15a处的光斑La的位置随着时间而改变，从而形成了具有均匀的光强分布的光斑L，而在样本流S上没有斑纹图样。
因此，在根据该实施方式的微粒分析装置中，可以将具有恒定强度的激光施加至每个微粒P，而不考虑光斑L中每个微粒P的位置，从而抑制了检测信号的强度的变化。
3.根据第三实施方式的微粒分析装置
图8是示出了根据第三实施方式的微粒分析装置中的光施加路径的一部分的示意图。根据第三实施方式的微粒分析装置中的光施加路径的其他部分和光检测路径在构造上可以形成为与第一实施方式的微粒分析装置的构造相似，并且在这里省略了对它们的描述。
根据该实施方式的微粒分析装置包括作为光偏转装置的声光偏转器17和用于分别发射具有不同波长区域的多个激光束的多个光源(未示出)。
从多个光源分别发射的多个激光束被多个反射镜13反射，从而以不同的入射角(分别提供最大的衍射效率)进入声光偏转器17，入射在声光偏转器17上的激光束通过声光偏转器17中的布拉格衍射光栅而被衍射，并且第一级衍射光的分离的光束根据入射激光的不同波长区域而以不同的衍射角从声光偏转器17出射。一对透镜143位于狭缝18的上游侧和下游侧，并且棱镜19位于下游透镜143的下游侧。这些透镜143和棱镜19用于使得从声光偏转器17出射的第一级衍射光的分离的光束成一直线。
狭缝18位于其间的一对透镜143形成了与声光偏转器17相配合的共轭面。棱镜19位于该共轭面上，以使得以不同衍射角从声光偏转器17出射的第一级衍射光的分离的光束成一直线。由此产生的来自棱镜19的激光束穿过聚光透镜141而进入多模光纤15的第一端15a。因此，从多个光源发射的具有不同波长区域的分离的激光束可以聚焦在光纤15的第一端15a处的焦平面上。
可以通过频率控制器171周期性地或随机地改变施加至声光偏转器17的声波的频率，从而使得在第一端15a处的芯中的光斑La周期性地或随机地进行位移。
根据第三实施方式，设置一对透镜143和棱镜19以形成与声光偏转器17相配合的共轭面。因此，如在该实施方式中那样，使用用于发射具有不同波长区域的激光束的多个光源的情况下，也可以随时间改变光纤15第一端15a处的光斑La位置，从而相对于时间将第二端15b处的光斑Lb的光强的分布进行平均。
根据这些实施方式，通过使用多模光纤构造微粒分析装置的光施加路径。因此，能够抑制由于(例如)光源和透镜之间的相对位置的微小偏离而导致的样本流上光斑的位置偏离，从而可以以高精度将光施加至每个微粒，由此获得稳定的测量性能。因此，根据这些实施方式的微粒分析装置尤其适用于微芯片型微粒分析装置，在该微芯片型微粒分析装置中，每次在更换微芯片时很容易发生光施加路径的偏离。此外，通过使用作为通用装置的多模光纤，可以降低微粒分析装置的制造成本。
应当理解的是，对这里所描述的目前的优选实施方式的各种修改和变形对本领域技术人员来说是显而易见的，在不脱离本发明主题的精神和范围且没有缩小其预期的优点的情况下，可以进行这样的修改和变形。因此，这些修改和变形旨在涵盖在所附权利要求中。

Claims (7)

1.一种微粒分析装置，包括：
光源；
第一聚光透镜，用于将来自所述光源的光会聚至多模光纤的第一端；
第二聚光透镜，用于将从所述多模光纤的第二端出射的所述光会聚至微粒；
检测器，用于检测通过施加来自所述光源的所述光而从所述微粒产生的光；以及
光偏转装置，用于随时间改变来自所述光源的所述光在所述多模光纤的所述第一端处的入射位置。
2.根据权利要求1所述的微粒分析装置，其中，所述光偏转装置包括用于衍射来自所述光源的所述光的声光偏转器；并且
所述微粒分析装置还包括，
控制装置，用于改变将被施加至所述声光偏转器的声波的频率。
3.根据权利要求1所述的微粒分析装置，其中，所述光偏转装置包括用于衍射来自所述光源的所述光的电光偏转器；并且
所述微粒分析装置还包括，
控制装置，用于改变将被施加至所述电光偏转器的电压。
4.根据权利要求1所述的微粒分析装置，其中，在所述第一端处的所述多模光纤的芯的截面为圆形或矩形。
5.一种微粒分析方法，包括：
将来自光源的光会聚至多模光纤的第一端；
将从所述多模光纤的第二端出射的所述光会聚至微粒；
检测通过施加来自所述光源的所述光而从所述微粒产生的光；以及
随时间改变来自所述光源的所述光在所述多模光纤的所述第一端处的入射位置。
6.根据权利要求5所述的微粒分析方法，其中，所述随时间改变所述入射位置的步骤包括：
使用用于衍射来自所述光源的所述光的声光偏转器；以及
改变将被施加至所述声光偏转器的声波的频率。
7.根据权利要求5所述的微粒分析方法，其中，所述随时间改变所述入射位置的步骤包括：
使用用于衍射来自所述光源的所述光的电光偏转器；以及
改变将被施加至所述电光偏转器的电压。
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