CN102318069B - 有机电子电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机电子电路(1,2,3),其具有主衬底(80,80a,80b)和多层膜体形式的有机电子部件(10,11,12),多层膜体具有导电功能层和半导电功能层(101,103,105)。在电路(1,2,3)的第一区域(90)中,电子组件(10,11,12)的导电功能层(101,105)中的一个导电功能层被形成为电极层的形式。在第一电容器电极板(201)形式的该导电功能层中,形成用于有机场效应晶体管或二极管的电极。在电路(1,2,3)的第二区域(91)中,有机电子组件(10,11,12)的导电功能层(101,105)中的一个导电功能层被形成为电极层的形式。在被形成为第二电容器电极板(211)的形式的该导电功能层中,形成用于有机场效应晶体管或二极管的电极。主衬底(80,80a,80b)具有被形成为第三电容器极板(50)的形式的导电层。第三电容器极板(50)、电子组件(10,11,12)和主衬底(80,80a,80b)被层叠在一起,以便第三电容器极板(50)至少部分地分别覆盖第一电容器极板(201)和第二电容器极板(211),从而形成电容器。
Description
技术领域
本发明涉及有机电子电路。
背景技术
如例如在DE 103 49 027 B4中所述,有机电子电路被用于例如有机RFID应答器(RFID=射频识别)。具体地,RFID应答器用于识别目的,例如作为价格标签,并用于保护商品和文件。因此有机电子电路应具有高的挠度水平,并具有小的结构尺寸,但在这方面仍可被机械载荷。有机电子电路是以批量生产制成的产品。有机电子电路通常具有多个相互叠置的电子功能层,这些电子功能层被连续地且一个在另一个之上地设置。
发明内容
现在,本发明的目的是提供一种改善的有机电子电路。
通过这样的有机电子电路而实现本发明的目的,该有机电子电路具有主衬底和多层膜体形式的有机电子组件,所述多层膜体具有一个或多个导电功能层和一个或多个半导电功能层,其中在所述有机电子电路的第一区域中,所述有机电子组件的所述一个或多个导电功能层中的具有所述电子组件的形成有用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极的电极层的一个导电功能层被进一步形成为第一电容器极板的形式,并由此形成所述有机电子组件的整体部件,并且在所述有机电子电路的第二区域中,所述有机电子组件的所述一个或多个导电功能层中的具有所述电子组件的形成有用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极的电极层的一个导电功能层被进一步形成为第二电容器极板的形式,并由此形成所述有机电子组件的集成部件,所述电子电路和所述主衬底被层叠在一起,所述主衬底具有导电层,该导电层被形成为第三电容器极板的形式,并且所述第三电容器极板被形成且所述电子组件和所述主衬底被层叠在一起,以便所述第三电容器极板至少部分地分别覆盖所述第一电容器极板和所述第二电容器极板,并且所述第一电容器极板、所述第二电容器极板和所述第三电容器极板形成所述有机电子电路的电容器。
已经发现,有机电子电路所具有的电容器的质量通过有机电子电路的这种配置而得到改善。换言之,减少了由缺陷生产工艺引起的损耗,并使制造工艺具有成本优势。作为主衬底的部件的第三电容器极板已经在制造期间改善了有机电子电路的机械载荷承受能力。具有第三电容器极板的主衬底代表高度适合构造有机电子组件的衬底。可以使用诸如印刷、用刮刀涂敷或溅射的技术来实施有机电子组件的制造,这些技术需要广泛的专用设备但却为批量生产提供成本优势。已经发现,用于通过这样的制造技术生产的电子组件的常规接触的导电粘合剂导致易受机械性影响的流电连接。其原因在于,这些导电粘合剂在硬化条件下不再为挠性的。本发明可以减少导电粘合剂在有机电子电路的制造中的使用,因为在根据本发明的包括三个电容器极板的电容器的制造中可以免除成本高的导电粘合剂的使用,其中第一和第二电容器极板中的每一个都是半导体部件(例如有机场效应晶体管或有机二极管)的各自的电极的形式。利用根据本发明的有机电子电路可以实现具有电容器的改善的电路。根据本发明的有机电子电路不仅由于改善的生产工艺而是有利的,并且具有改善的失效率,即,降低了导致电容器的漏电流且使其不可用的缺陷漆(lacquer)层出现的概率。
根据优选实施例的有机电子电路具有这样的有机电子组件,该电子组件在所使用的材料和制造工艺方面从根本上不同于通常用于集成电路的硅芯片。该有机电子组件的导电、半导电和/或绝缘功能层是通过多层膜体的层而形成的,通过印刷、用刮刀涂敷、气相沉积或溅射而施加所述多层膜体。在该情况下有机电子组件的导电、半导电和/或绝缘功能层被构建在包括厚度为10μm与100μm之间的塑性膜和/或纸的挠性载体衬底上,这与硅芯片形成对比。该膜由此形成集成电子电路(即有机电子组件)的载体衬底,来替代由硅芯片形成的集成电子电路中的二氧化硅晶片。该电路的半导电功能层优选在溶液中施加,由此例如通过印刷、喷涂、用刮刀涂敷或浇铸而施加。在该方面,可以优选考虑诸如聚噻吩、聚三联噻吩、聚芴、并五苯、并四苯、寡聚噻吩、嵌入在聚合物基质中的无机硅、纳米硅或聚芳基胺的半导电功能聚合物作为半导电功能层的材料,但也可以考虑以溶液或通过溅射或气相沉积例如ZnO、a-Si而施加的无机材料。第一和第二电容器极板形成该有机电子组件的整体部件,并被形成在电子组件的一个或多个不同的电极层中,此外在该电极层中形成用于一个或多个有机场效应晶体管的一个或多个电极。第一和第二电容器极板由此形成由多层膜体的导电、半导电和/或绝缘功能层形成的集成电子电路的整体部件。有机电子电路的电极层的互连导电区域的子区域由此形成有机场效应晶体管或有机二极管的电极。作为有机电子电路的载体的主衬底的区域具有导电区域。该区域具有第三电容器极板,该第三电容器极板部分地覆盖至少第一和第二电容器极板,从而形成电容器。有机电子组件的导电层的这样的区域一方面形成有源有机电部件的电极,由此例如与有机电子组件的半导电层接触,并在另一方面形成用于通过有机电子组件的另一电容器极板和主衬底的第三电容器极板而制造电容器的电容器极板,即,以便有机电子电路通过三个电容器极板而形成电容器。
这里,术语有机电子部件用于表示主要由有机材料构成的电子部件,具体地,其包括至少90重量%的有机材料。在该情况下,单独的有机部件由具有电功能的不同层以及载体衬底的至少与这些层关联的区域构成,这些不同层具体地为非自支撑的薄层的形式并被设置在载体衬底上。在该情况下,单独的层可以由有机或无机材料形成,其中仅仅有机的层、仅仅无机的层、或者有机和无机的层可以组合使用以形成有机部件。由此,包括有机载体衬底和具有电功能的专有无机层的电部件通过与功能层的质量相比通常大质量的载体衬底而被总体视为有机部件。
在本发明的优选实施例中,所述第三电容器极板完全覆盖所述第一和第二区域。由此提高电容器的容量。
在本发明的优选实施例中,所述第三电容器极板为带状。具体地,第三电容器极板可以为这样的长度的窄带形式的带状,该长度为该带的宽度的至少两倍。这提供了对多层膜体的功能层的面积的最优利用。
在本发明的优选实施例中,所述第一电容器极板和所述第二电容器极板被形成在所述电子组件的所述一个或多个导电功能层中的相同导电功能层中。
在优选实施例中,还可以设置:所述第一和第二电容器极板被形成在所述电子组件的所述一个或多个导电功能层中的不同导电功能层中。
在本发明的优选实施例中,所述有机电子电路的所述第一区域和所述有机电子电路的所述第二区域彼此关联,以便所述第一电容器极板与所述第二电容器极板彼此间隔小于100μm。优选所述第一电容器极板与所述第二电容器极板以5μm与10μm之间的间距而彼此间隔。
所述第一、第二和第三电容器极板的设置提供了:在电容器中由相邻的部件诱导较少的不希望的电流,并且改善了有机电子电路的信号质量。
在本发明的优选实施例中,所述第一电容器极板、所述第二电容器极板和/或所述第三电容器极板具有大的面积。所述第一电容器极板、所述第二电容器极板和/或所述第三电容器极板各自可以具有4mm2与100mm2之间的面积。
在本发明的优选实施例中,在所述第一电容器极板与所述第三电容器极板之间、以及在所述第二电容器极板与所述第三电容器极板之间设置绝缘层。所述绝缘层优选完全覆盖所述第三电容器极板和/或所述第一和第二电容器极板。
在本发明的优选实施例中,所述绝缘层包括层厚度在5nm与100nm之间的无机介电层。所述无机介电层优选被施加到所述主衬底的所述导电层的表面。
另外,优选在所述绝缘层与所述电子组件之间设置粘合剂层。所述粘合剂层的层厚度优选小于1μm,进一步优选小于500nm。
优选通过涂敷方法,例如通过气相沉积或溅射,将所述无机介电层施加到所述主衬底的所述导电层的表面。在该情况下,所述无机介电层优选包括二氧化硅。
另外,还可以通过由对所述主衬底的所述导电层的表面氧化而制造的金属氧化物层形成所述无机介电层,在该情况下,所述主衬底的所述导电层包括金属。在该情况下,所述金属氧化物层的厚度在5nm与10nm之间。
此外,在本发明的优选实施例中,所述绝缘层包括不导电的韧性塑料。所述塑料可以为不导电的韧性塑性(plastic)膜或不导电的韧性塑性漆。
一方面,机械韧性的绝缘膜提高了电容器的容量,而另一方面,有机电子电路具有更好的机械载荷承受能力。所述多层膜体仍具有高的挠度水平。在有机电子电路的制造中以及使用中,通过韧性绝缘膜而降低了第三电容器极板与第一或第二电容器极板之间出现漏电流的概率。漏电流的出现危害有机电子电路的适宜可操作性。
在本发明的优选实施例中,所述第三电容器极板为金属膜的形式。所述金属膜可以包括选自Al(Al=铝)、Cu(Cu=铜)的一种或多种金属,具体地,所述金属膜可以具有金属合金。
在本发明的优选实施例中,所述第一电容器极板、所述第二电容器极板和/或所述第三电容器极板包括选自Al(Al=铝)、Cu(Cu=铜)、Ag(Ag=银)、Au(Au=金)、Fe(Fe=铁)或导电聚合物或导电银或碳黑的材料。
在本发明的优选实施例中,所述第一电容器极板、所述第二电容器极板和/或所述第三电容器极板的厚度在10nm与100nm之间,优选在1μm与50μm之间。
在本发明的优选实施例中,所述有机电子电路具有位于所述第三电容器极板与所述绝缘层之间的第一粘合剂层。还可以设置:所述有机电子电路具有位于所述第一电容器极板与所述绝缘层之间以及位于所述第二电容器极板与所述绝缘层之间的第二粘合剂层。
所述第一粘合剂层和/或所述第二粘合剂层可以具有多个粘合剂点。
在本发明的优选实施例中,所述第一粘合剂层和/或所述第二粘合剂层为电介质。所述第一粘合剂层和/或所述第二粘合剂层具有在2与4之间的相对介电常数。所述第一粘合剂层和/或所述第二粘合剂层由此可以提高电容器的电容而不增加其结构高度。
在本发明的优选实施例中,所述第一粘合剂层和/或所述第二粘合剂层的厚度在0.5μm与20μm之间,优选为1μm。
在本发明的优选实施例中,所述绝缘层是电介质并具有在2与7之间的相对介电常数,其中所述绝缘层优选包括PET(PET=聚对苯二甲酸二乙酯)、PP(PP=聚丙烯)和/或聚酰胺。优选地,所述绝缘层的相对介电常数在2.3(PP)与3.2(PET)之间。
在本发明的优选实施例中,所述绝缘层的厚度在0.9μm与10μm之间,优选为1.8μm。
在本发明的优选实施例中,所述绝缘层为塑性膜的形式。优选地,所述塑性膜包括聚对苯二甲酸二乙酯膜,即,PET膜,和/或聚丙烯膜,即PP膜。所述绝缘层可以具有一个或多个塑性膜。
在本发明的优选实施例中,所述主衬底具有衬底层。所述衬底层优选包括纸和/或塑性膜,具体地,PET或PP。
在本发明的优选实施例中,所述有机电子组件在所述有机电子电路的一个或多个第三区域中具有所述一个或多个导电功能层的各自的一个导电功能层。所述一个或多个导电功能层的该各自的一个导电功能层为所述电子组件的电极层的形式。用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极被形成在该电极层中。所述一个或多个导电功能层的该各自的一个导电功能层被进一步形成为另外的第一电容器极板的形式。所述一个或多个第一电容器极板由此形成有机电子电路的整体部件。在所述有机电子电路的一个或多个第四区域中,所述有机电子组件具有所述一个或多个导电功能层的各自的一个导电功能层。所述一个或多个导电功能层的该各自的一个导电功能层为电极组件的电极层的形式。用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极被形成在该电极层中。所述一个或多个导电功能层的该各自的一个导电功能层被进一步形成为另外的第二电容器极板的形式。所述一个或多个另外的第二电容器极板由此形成有机电子电路的集成部件。所述主衬底具有导电层。该导电层被形成为一个或多个另外的第三电容器极板的形式。所述一个或多个另外的第三电容器极板中的每一个也被形成,并且所述有机电子组件和所述主衬底被彼此层叠为使得所述各自的另外的第三电容器极板至少部分地覆盖所述各自的另外的第一电容器极板和所述各自的另外的第二电容器极板。所述各自的另外的第一电容器极板、所述各自的另外的第二电容器极板以及所述各自的另外的第三电容器极板分别形成所述有机电子电路的另一电容器。
以该方式可以制造这样的有机电子电路,所述有机电子电路实现具有三个电容器极板的一个或多个电容器。在根据本发明的配置中,所述另外的第一电容器极板和所述另外的第二电容器极板被形成在所述有机电子组件的相同或不同功能层中。
在本发明的优选实施例中,所述有机电子电路具有线圈。所述线圈被设置在所述主衬底中。所述线圈可以为RFID应答器的天线振荡器电路的天线线圈的形式。
在优选实施例中,可以设置:所述有机电子电路具有线圈。所述线圈具有两个接触。所述线圈的所述两个接触为第一极板(即始极板)和第二极板(即末极板)的形式。在所述一个或多个导电功能层的一个或两个中,所述电子组件具有另一第一极板(即另一第一电容器极板)和另一第二极板(即另一第二电容器极板)。所述第一极板被设置为处于与所述另一第一极板至少部分重叠的关系。所述第二极板被设置为处于与所述另一第二极板至少部分重叠的关系。在每种情况下,具有所述另一第一极板的所述第一极板和具有所述另一第二极板的所述第二极板形成各自的电容器。可以通过这两个电容器将所述线圈容性耦合到所述电子电路。
在本发明的优选实施例中,所述有机电子组件具有多个有机部件。所述多个有机部件选自有机电阻器、有机电容器、有机二极管和/或有机场效应晶体管。
在本发明的优选实施例中,设置:所述有机电子电路具有整流组件。
在本发明的优选配置中,所述有机电子电路为RFID应答器。
附图说明
以下参考附图通过几个实施例来以实例的方式描述本发明。
图1a示出了根据本发明的有机电子电路的第一实施例的截面的示意图;
图1b示出了根据本发明的有机电子电路的第二实施例的截面的示意图;
图1c示出了根据本发明的有机电子电路的第一和第二实施例的示意性等效电路图;
图2a示出了根据本发明的有机电子电路的第三实施例的截面的示意图;
图2b是作为从根据本发明的有机电子电路的第三实施例的下方观察的示意图的示出了主衬底和导电功能层的从上方观察的示意图;
图3a示出了根据本发明的有机电子电路的第四实施例的截面的示意图;以及
图3b是作为从根据本发明的有机电子电路的第四实施例的下方观察的示意图的示出了主衬底和导电功能层的从上方观察的示意图。
具体实施方式
图1a示出了根据本发明的有机电子电路1的第一实施例的截面的示意图。有机电子电路1具有主衬底80和多层膜体形式的有机电子组件10。为了简化,附图示出了6个功能层的实例,即,功能层100、101、102、103、104和105。多层膜体可以具有多个功能层。该多层膜体具有一个或多个导电功能层101、105以及一个或多个半导电功能层103。功能层100、102和104为塑性膜形式的绝缘层的形式。然而,功能层100、102和104也可以为导电或半导电功能层的形式。在有机电子电路1的第一区域90中,有机电子组件10的所述一个或多个导电功能层中的一个导电功能层,即,功能层105,被形成为电子组件10的电极层。在该导电功能层105中形成电极201。该电极201可以被形成为有机场效应晶体管或有机二极管的电极。该导电功能层105被进一步形成为第一电容器极板201的形式。该导电功能层105由此形成有机电子组件10的整体部件。在有机电子电路1的第二区域91中,有机电子组件10的所述一个或多个导电功能层中的另一个导电功能层,即,功能层101,被形成为电子组件10的另一电极层。电极211被设置在导电功能层101中。与功能层105相似地,该电极211可以被形成为有机场效应晶体管或有机二极管的电极。该导电功能层211被进一步形成为第二电容器极板211的形式。该导电功能层211由此形成有机电子组件10的集成部件。第一电容器极板201和第二电容器极板211包括Ag、Au或Cu,并具有40nm的厚度。第一电容器极板201优选包括铜。第二电容器极板211优选包括银。另外,有机电子电路10和主衬底80被层叠在一起。主衬底80具有导电层50。导电层50为第三电容器极板50的形式。导电层50为Al或Cu的薄金属膜的形式并具有约18μm的厚度。第三电容器极板50被形成且电子组件10和主衬底80被层叠在一起,以便第三电容器极板50完全覆盖第一电容器极板201和第二电容器极板211。第三电容器极板50在其整个表面区域内覆盖第一区域90和第二区域91。第一电容器极板201、第二电容器极板211和第三电容器极板50形成有机电子电路1的电容器。图1c示出了由第一电容器极板201、第二电容器极板211和第三电容器极板50形成的电容器的示意性等效电路图。因此,该电容器是通过由第一电容器极板201和第三电容器极板50形成的极板电容器与由第三电容器极板50和第二电容器极板211形成的另一极板电容器的串联连接而形成的。在有机电子电路1中,一电容器极板201和第二电容器极板211被分别形成在电子组件1的所述一个或多个导电功能层的不同导电功能层101和105中。
有机电子电路1的第一区域90和有机电子电路1的第二区域91,具体地,第一电容器极板201和第二电容器极板211,被以小于200μm的间距彼此间隔地设置。第一区域90相对于第二区域91的小间隔减少了在电容器中的不希望的电流的诱导。从而,与其第一和第二电容器极板以较大间距间隔的结构相比,该有机电子电路的质量得到改善。
通过插入绝缘层40而将主衬底80层叠到有机电子组件10。绝缘层40被设置在第一电容器极板201与第三电容器极板50之间以及第二电容器极板211与第三电容器极板50之间。绝缘层40完全覆盖第一电容器极板201、第二电容器极板211和第三电容器极板50。为了制造有机电子电路,使有机电子电路10具有小的体积和/或小的表面积是便利的。在有机电子电路1为RFID应答器或RFID应答器的子电路的形式时,这是有利的。因此,绝缘层40由相对介电常数在2.3(PP)与3.2(PET)之间的不导电的韧性介电塑性膜制成。包含韧性塑性膜的绝缘层40可以使有机电子电路1适合可被机械载荷的挠性RFID应答器的制造。可机械载荷意味着有机电子电路可变形而不在有机电子电路处出现缺陷,即,有机电子电路1即使在机械载荷下也保持可操作。使用在机械载荷下这一表达来具体地表示机械变形载荷和应力载荷。从而,由第一电容器极板201、第二电容器极板211和第三电容器极板50形成的电容器具有小的体积,但仍具有大的电容,绝缘层40具有约1μm的厚度。绝缘层40的塑性膜为特定地包括PET膜和PP膜的多层膜体。
另外,有机电子电路1具有位于第三电容器极板50与绝缘层40之间的第一粘合剂层32。此外,有机电子电路1还具有第二粘合剂层31。第二粘合剂层31在第一电容器极板201与绝缘层40之间以及第二电容器极板211与绝缘层40之间。第一粘合剂层32和第二粘合剂层31在整个表面区域内被连接到绝缘层40。第一粘合剂层32和第二粘合剂层31可以通过将包含粘合剂的多个粘合剂点分别施加到第三电容器极板50和功能层105而制成。粘合剂可以为不导电、非腐蚀性的,并在硬化之后产生韧性的粘合剂层。另外,第一粘合剂层32和第二粘合剂层31具有优选在2与3之间的相对介电常数。第一粘合剂层32和第二粘合剂层31具有约1μm的厚度。第一粘合剂层32和第二粘合剂层31的这些特性使其可以形成具有高电容的小的且机械牢固的电容器。
具体地,第一粘合剂层32、第二粘合剂层31和/或绝缘层40可以被电绝缘的漆层代替。
为了进一步的机械稳定性,主衬底80具有衬底层60。在该方面,衬底层60包括纸和塑性膜。
如已经一般性地描述的,有机电子电路1具有有机电子组件10,该有机电子组件10在所使用的材料和制造工艺方面从根本上不同于通常用于集成电路的硅芯片。通过多层膜体的层而形成电子组件10的导电、半导电和/或绝缘功能层101、102、103、104和105。这些层是通过印刷、用刮刀涂敷、气相沉积或溅射而施加的。在该情况下有机电子组件10的导电、半导电和/或绝缘功能层101、102、103、104和105被构建在包括厚度为10μm与100μm之间的塑性膜和/或纸的挠性载体衬底上,这与硅芯片形成对比。该膜形成集成电子电路(即电子组件10)的载体衬底,来替代在常规硅芯片技术的情况下的二氧化硅晶片。该有机电子电路的半导电功能层优选在溶液中施加,由此例如通过印刷、喷涂、用刮刀涂敷或浇铸而施加。在该方面,优选使用诸如聚噻吩、聚三联噻吩、聚芴、并五苯、并四苯、寡聚噻吩、嵌入在聚合物基质中的无机硅、纳米硅或聚芳基胺的半导电功能聚合物作为半导电功能层的材料。可以等效地使用无机材料。所述无机材料可以溶液或通过溅射或气相沉积而施加。优选的无机材料为例如ZnO或a-Si。
图1b示出了根据本发明的有机电子电路1的第二实施例的截面的示意图。根据本发明的有机电子电路1的第二实施例是相对于第一实施例而修改的实施例。与根据本发明的第一实施例相比,有机电子电路1具有位于相同导电功能层105中的第一电容器极板201和第二电容器极板211。第一电容器极板201和第二电容器极板211因此被形成在相同导电功能层105中。另外,第一电容器极板201和第二电容器极板211具有不同的尺寸。这与其中第一电容器极板201和第二电容器极板211具有相同的尺寸的根据本发明的第一实施例形成对比。此外,第一区域90和第二区域91,具体地,第一电容器极板201和第二电容器极板211,还以相对于彼此较小的间距而间隔,而不是像根据本发明的第一实施例的情况那样。
图2a示出了根据本发明的有机电子电路2的第三实施例的示意性截面图。第三实施例具有以与第一和第二实施例相似的方式实现的第二电容器。图2a示出了包括有机电子组件11的有机电子电路2。在有机电子电路2的第三区域中,有机电子组件11具有有机电子组件11的导电功能层。该导电功能层为电子组件11的电极层的形式。用于有机场效应晶体管或有机二极管的电极被形成在该电极层中。该导电功能层被进一步形成为另一第一电容器极板221的形式。该第一电容器极板221由此形成有机电子电路2的整体部件。在有机电子电路2的第四区域93中,有机电子组件11具有有机电子组件11的导电功能层。该导电功能层同样为电子组件11的电极层的形式。用于有机场效应晶体管或有机二极管的电极被形成在该电极层中。该导电功能层被进一步形成为另一第二电容器极板231的形式。该另一第二电容器极板231由此形成有机电子电路2的集成部件。主衬底80a具有导电层。该导电层被形成为另一第三电容器极板51的形式。第三电容器极板51被形成并且有机电子组件11和主衬底80a被彼此层叠在一起,以便所述另一第三电容器极板51完全覆盖所述另一第一电容器极板221和所述另一第二电容器极板231。然而,在未示出的修改实施例中,还可以提供部分覆盖。所述另一第一电容器极板221、所述另一第二电容器极板231以及所述另一第三电容器极板51形成有机电子电路2的另一电容器。
以该方式可以制造这样的有机电子电路,该有机电子电路具有通过这三个电容器极板实现的一个或多个电容器。与根据本发明的第一和第二实施例相似地,所述另一第一电容器极板和所述另一第二电容器极板可以被设置在有机电子组件的相同或不同功能层中。
图2b是示出作为从根据本发明的有机电子电路2的第三实施例的下方观察的示意图的主衬底80a和导电功能层105的从上方观察的示意图。第三电容器极板50和另一第三电容器极板51具有在主衬底80a中的不同长度和宽度的带状。第三电容器极板50和另一第三电容器极板51都被设置在相同导电功能层中且都具有相同的厚度。第三电容器极板50具有大的面积,其面积在25mm2与150mm2之间,优选为100mm2。然而,另一第三电容器极板51显著较小,具有小于50mm2的面积。另外,图2b示出了第一电容器极板201和第二电容器极板211都具有大的面积,其面积在12mm2与75mm2之间,优选为50mm2。然而,在未示出的根据本发明的实施例中,可以设置:第一电容器极板201和第二电容器极板211可以不同,具体地可以具有不同的尺寸。与图2a结合的图2b清楚地示出了如何在具有全面积的绝缘层40的电路中制造两个电容器,即,第一电容器极板201、第二电容器极板211和第三电容器极板50形成第一电容器,而另一第一电容器极板221、另一第二电容器极板231和另一第三电容器极板51形成另一电容器。
图3a示出了根据本发明的有机电子电路3的第四实施例的示意性截面图。有机电子电路3为RFID应答器的形式。以对应于前述实施例的方式,有机电子电路3具有由第一电容器极板201、第二电容器极板211和第三电容器极板50形成的电容器,其中绝缘层40在其整个表面区域中被插入。线圈70被容性耦合到有机电子组件12以实现RFID应答器。现在通过参考图3b示例该容性耦合。
图3b是示出作为从根据本发明的有机电子电路3的第四实施例的下方观察的示意图的主衬底80b和导电功能层105的从上方观察的示意图。有机电子电路3具有平坦的螺旋线圈70。线圈70被设置在主衬底80b中。在其开始和终止处,线圈70还分别具有始极板220和末极板230。线圈70的材料为金属或金属合金。优选地,线圈70包括与第三电容器极板50相同的材料。线圈70和第三电容器极板50设置在主衬底80b的相同平面中并具有相同的厚度。该线圈70代表RFID应答器3的天线线圈。天线振荡器电路包括线圈70,该线圈70具有其始极板220和末极板230以及另一第一电容器极板221和另一第二电容器极板231。通过在主衬底80b上夹着绝缘层40而层叠有机电子组件12,来制成RFID应答器3的天线振荡器电路。在该设置中,始极板220与另一第一电容器极板221形成第一振荡器电路电容器22,而末极板230与另一第二电容器极板231形成第二振荡器电路电容器23。天线振荡器电路具有线圈70以及两个振荡器电路电容器22和23。通过使具有其始极板220和其末极板230的线圈70容性耦合到有机电子组件12而产生天线振荡器电路。通过在整个表面区域内夹着绝缘层40而层叠主衬底80b与有机电子电路3来产生RFID应答器的天线振荡器电路。
根据参考图1a到3b描述的有机电子电路的本发明的优选实施例的共同特征是包括韧性塑性膜的绝缘膜40的插入。该绝缘膜通过有机电子电路的机械载荷承受能力的增加而降低了由有机电子电路的制造考虑因素引起的返工比率。
另外,上述实施例的有机电子组件10、11和/或12具有有机电子电路1、2和/或3,所述有机电子组件优选具有多个有机部件,所述多个有机部件选自有机电阻器、有机电容器、有机二极管和/或有机场效应晶体管。
Claims (37)
1.一种有机电子电路(1,2,3),
其中所述有机电子电路(1,2,3)具有主衬底(80,80a,80b)和多层膜体形式的有机电子组件(10,11,12),所述多层膜体具有一个或多个导电功能层(101,105)和一个或多个半导电功能层(103),其中在所述有机电子电路(1,2,3)的第一区域(90)中,所述有机电子组件(10,11,12)的所述一个或多个导电功能层(101,105)中的具有所述电子组件(10,11,12)的形成有用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极的电极层的一个导电功能层被进一步形成为第一电容器极板(201)的形式,所述第一电容器极板(201)由此形成所述有机电子组件(10,11,12)的整体部件,并且在所述有机电子电路(1,2,3)的第二区域(91)中,所述有机电子组件(10,11,12)的所述一个或多个导电功能层(101,105)中的具有所述电子组件(10,11,12)的形成有用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极的电极层的一个导电功能层被进一步形成为第二电容器极板(211)的形式,所述第二电容器极板(211)由此形成所述有机电子组件(10,11,12)的整体部件,
其中所述有机电子组件(10,11,12)和所述主衬底(80,80a,80b)被层叠在一起,
其中所述主衬底(80,80a,80b)具有导电层,该导电层被形成为第三电容器极板(50)的形式,并且
所述第三电容器极板(50)被形成且所述电子组件(10,11,12)和所述主衬底(80,80a,80b)被层叠在一起,以便所述第三电容器极板(50)至少部分地分别覆盖所述第一电容器极板(201)和所述第二电容器极板(211),并且
其中所述第一电容器极板(201)、所述第二电容器极板(211)和所述第三电容器极板(50)具有大面积配置,所述大面积配置具有至少4mm2的表面积,并且所述第一电容器极板(201)、所述第二电容器极板(211)和所述第三电容器极板(50)形成所述有机电子电路(1,2,3)的电容器。
2.根据权利要求1所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第三电容器极板(50)在其整个表面区域内覆盖所述第一区域(90)和所述第二区域(91)。
3.根据权利要求1和2中的一项所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第三电容器极板(50)为带状。
4.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第一电容器极板(201)和所述第二电容器极板(211)被形成在所述电子组件(10,11,12)的所述一个或多个导电功能层(101,105)中的相同导电功能层(105)中。
5.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第一电容器极板(201)和所述第二电容器极板(211)被形成在所述电子组件(10,11,12)的所述一个或多个导电功能层(101,105)中的不同导电功能层(101,105)中。
6.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述有机电子电路(1,2,3)的所述第一区域(90)和所述有机电子电路(1,2,3)的所述第二区域(91)被相对于彼此设置为使所述第一电容器极板(201)与所述第二电容器极板(211)彼此间隔小于100μm。
7.根据权利要求6所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述有机电子电路(1,2,3)的所述第一区域(90)和所述有机电子电路(1,2,3)的所述第二区域(91)被相对于彼此设置为使所述第一电容器极板(201)与所述第二电容器极板(211)具有5μm与10μm之间的间距。
8.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第一电容器极板(201)、所述第二电容器极板(211)和/或所述第三电容器极板(50)各自具有4mm2与100mm2之间的表面积。
9.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,
在所述第一电容器极板(201)与所述第三电容器极板(50)之间、以及在所述第二电容器极板(211)与所述第三电容器极板(50)之间设置绝缘层(40),并且
所述绝缘层(40)完全覆盖所述第一电容器极板(201)和所述第二电容器极板(211),和/或
所述绝缘层(40)完全覆盖所述第三电容器极板(50)。
10.根据权利要求9所述的有机电子电路,其特征在于,所述绝缘层包括层厚度在5nm与100nm之间的无机介电层。
11.根据权利要求10所述的有机电子电路,其特征在于,所述绝缘层被设置在所述主衬底的所述导电层的表面上,并且在所述绝缘层与所述电子组件之间设置粘合剂层。
12.根据权利要求11所述的有机电子电路,其特征在于,通过涂敷方法,将所述绝缘层施加到所述主衬底的所述导电层的表面。
13.根据权利要求12所述的有机电子电路,其特征在于,通过气相沉积或溅射,将所述绝缘层施加到所述主衬底的所述导电层的表面。
14.根据权利要求11所述的有机电子电路,其特征在于,所述绝缘层包括层厚度在5nm与10nm之间的金属氧化物,并通过对所述主衬底的所述导电层的表面氧化而制成,所述主衬底的所述导电层包括金属材料。
15.根据权利要求9所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述绝缘层(40)包括不导电的韧性塑料。
16.根据权利要求15所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述绝缘层(40)包括不导电的韧性塑性膜或不导电的韧性塑性漆。
17.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第三电容器极板(50)为金属膜的形式。
18.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第一电容器极板(201)、所述第二电容器极板(211)和/或所述第三电容器极板(50)包括选自Al、Cu、Ag、Au和Fe的材料。
19.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第一电容器极板(201)、所述第二电容器极板(211)和/或所述第三电容器极板(50)的厚度在10nm与100nm之间、在1μm与50μm之间。
20.根据权利要求9所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,
所述有机电子电路(1,2,3)具有位于所述第三电容器极板(50)与所述绝缘层(40)之间的第一粘合剂层(32),和/或
所述有机电子电路(1,2,3)具有位于所述第一电容器极板(201)与所述绝缘层(40)之间以及位于所述第二电容器极板(211)与所述绝缘层(40)之间的第二粘合剂层(31)。
21.根据权利要求20所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第一粘合剂层(31)和/或所述第二粘合剂层(32)为电介质且具有在2与3之间的相对介电常数。
22.根据权利要求20或21所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第一粘合剂层(31)和/或所述第二粘合剂层(32)的厚度在0.5μm与20μm之间。
23.根据权利要求22所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述第一粘合剂层(31)和/或所述第二粘合剂层(32)的厚度为1μm。
24.根据权利要求9所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述绝缘层(40)是电介质,并且其相对介电常数在2μm与7μm之间。
25.根据权利要求24所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述绝缘层(40)的相对介电常数在2.3μm与3μm之间。
26.根据权利要求9所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述绝缘层(40)的厚度在0.9μm与10μm之间。
27.根据权利要求26所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述绝缘层(40)的厚度为1.8μm。
28.根据权利要求9所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述绝缘层(40)为塑性膜的形式。
29.根据权利要求28所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述绝缘层(40)包括聚对苯二甲酸二乙酯膜和/或聚丙烯膜。
30.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述主衬底具有衬底层(60)。
31.根据权利要求30所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述衬底层(60)包括纸和/或塑性膜。
32.根据权利要求31所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述衬底层(60)包括PET。
33.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,
所述有机电子组件(10,11,12)在所述有机电子电路(1,2,3)的一个或多个第三区域(92)中具有所述有机电子组件(10,11,12)的所述一个或多个导电功能层(101,105)的各自的一个导电功能层,所述一个或多个导电功能层(101,105)的各自的一个导电功能层为其中形成有用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极的所述电子组件(10,11,12)的电极层并被进一步形成为另外的第一电容器极板(221)的形式,所述另外的第一电容器极板(221)由此形成所述有机电子电路(1,2,3)的整体部件,并且在所述有机电子电路(1,2,3)的一个或多个第四区域(93)中,所述有机电子组件(10,11,12)的所述一个或多个导电功能层(101,105)的各自的一个导电功能层为其中形成有用于一个或多个有机场效应晶体管或有机二极管的一个或多个电极的所述电子组件(10,11,12)的电极层并被进一步形成为另外的第二电容器极板(231)的形式,所述另外的第二电容器极板(231)由此形成所述有机电子电路(1,2,3)的整体部件,
所述主衬底(80,80a,80b)具有导电层,该导电层被形成为一个或多个另外的第三电容器极板(51)的形式,所述一个或多个另外的第三电容器极板中的每一个被如此形成且所述有机电子组件(10,11,12)和所述主衬底(80,80a,80b)被彼此层叠为使得所述各自的另外的第三电容器极板(51)至少部分地覆盖所述各自的另外的第一电容器极板(221)和所述各自的另外的第二电容器极板(231),
以及所述各自的另外的第一电容器极板(221)、所述各自的另外的第二电容器极板(231)以及所述各自的另外的第三电容器极板(51)分别形成所述有机电子电路(1,2,3)的另一电容器。
34.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述有机电子电路(1,2,3)具有线圈(70),所述线圈(70)被设置在所述主衬底(80b)中。
35.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述有机电子组件(10,11,12)具有多个有机部件,所述多个有机部件选自有机电阻器、有机电容器、有机二极管和/或有机场效应晶体管。
36.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述有机电子电路(1,2,3)具有整流组件。
37.根据权利要求1或2所述的有机电子电路(1,2,3),其特征在于,所述有机电子电路(1,2,3)为RFID应答器。
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