CN102308464B - 提高dc-dc转换电路的效率的方法和dc-dc转换电路控制装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种提高DC-DC转换电路的效率的方法和DC-DC转换电路控制装置，涉及DC-DC转换电路领域，提升了轻载状态下DC-DC转换电路的效率。一种提高DC-DC转换电路的效率的方法，包括：在按照预定周期导通以及截止DC-DC转换电路中的多个MOSFET场效应晶体管的同时，检测流经所述DC-DC转换电路中的用于能量存储与释放的电感线圈的电流；所述流经电感线圈的电流低于预设的电流下限阈值时，向所述多个MOSFET场效应晶体管中的部分MOSFET场效应晶体管的栅极输送控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管持续处于截止状态，而不再按照预定周期导通。本发明实施例主要用于DC-DC转换电路中。

Description

提高DC-DC转换电路的效率的方法和DC-DC转换电路控制装置
技术领域
本发明涉及DC-DC转换电路领域，尤其涉及一种提高DC-DC转换电路的效率的方法和DC-DC转换电路控制装置。
背景技术
DC(Direct Current,直流电)-DC转换电路可以将输入直流电压转换为一个电压值更高或更低的输出直流电压，以供负载设备使用。图1是一种常见的BUCK型DC-DC转换电路，能够实现将输入直流电压转换为电压值更低的输出直流电压。在图1中，Vin为输入直流电压，Vo为经过DC-DC转换后生成的输出直流电压，加在负载设备上。RO为负载设备的等效电阻。在电路上的a点和b点之间并联了N（N≥2）个P沟道型MOSFET（场效应晶体管）,c点和b点之间并联了M（M≥2）个N沟道型MOSFET。所述N个P沟道型MOSFET和M个N沟道型MOSFET为DC-DC转换电路的功率MOSFET。电感线圈L与各个功率MOSFET串联。当所述N个P沟道型MOSFET导通、M个N沟道型MOSFET截止时，电感线圈L存储能量；当所述N个P沟道型MOSFET截止、M个N沟道型MOSFET导通时，电感线圈L将存储的能量释放出去。晶体管控制器11分别与全部的功率MOSFET电连接，对功率MOSFET的导通、截止进行控制，使作为功率MOSFET的P沟道型MOSFET和N沟道型MOSFET按照预定周期依次处于导通状态，并使电路输出稳定的Vo给负载设备12。
在实现上述方案的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：当DC-DC转换电路的输出功率较低时,功率MOSFET频繁进行开启、关闭动作，会造成栅极电容的充放电损耗增大，流经负载设备的电流IO低于预设定的轻载电流值，使得负载设备处于轻载状态，此时由于功率MOSFET的栅极电容的充放电损耗没有下降，导致DC-DC转换电路的效率（负载设备上的功率与DC-DC转换电路的总功率的比值）降低，功率浪费较多。
发明内容
本发明的实施例提供一种提高DC-DC转换电路的效率的方法和DC-DC转换电路控制装置，提升了轻载状态下DC-DC转换电路的效率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种提高DC-DC转换电路的效率的方法，包括：
在按照预定周期导通以及截止DC-DC转换电路中的多个MOSFET场效应晶体管的同时，检测流经所述DC-DC转换电路中的用于能量存储与释放的电感线圈的电流；
所述流经电感线圈的电流低于预设的电流下限阈值时，向所述多个MOSFET场效应晶体管中的部分MOSFET场效应晶体管的栅极输送控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管持续处于截止状态，而不再按照预定周期导通;
当流经所述电感线圈的电流高于预设的电流上限阈值时，停止输送所述控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管继续按照预定周期导通和截止。
一种DC-DC转换电路控制装置，包括：
电平控制单元，用于按照预定周期对DC-DC转换电路中的多个MOSFET场效应晶体管进行导通及截止的控制；
电流检测单元，用于在按照预定周期导通以及截止DC-DC转换电路中的多个MOSFET场效应晶体管的同时，检测流经所述DC-DC转换电路中的用于能量存储与释放的电感线圈的电流；
所述电平控制单元还用于在所述流经电感线圈的电流低于预设的电流下限阈值时，向所述多个MOSFET场效应晶体管中的部分MOSFET场效应晶体管的栅极输送控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管持续处于截止状态，而不再按照预定周期导通;
所述电平控制单元还用于当流经所述电感线圈的电流高于预设的电流上限阈值时，停止输送所述控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管继续按照预定周期导通和截止。
本发明实施例提供的提高DC-DC转换电路的效率的方法和DC-DC转换电路控制装置，通过检测电感线圈中的电流，并在电感线圈的电流低于预设的电流下限阈值时对部分MOSFET输送控制点电平，使得所述部分MOSFET处于截止状态，避免了所述部分MOSFET在周期性的开启、关闭动作中造成的栅极电容充放电损耗，从而提升了轻载状态下DC-DC转换电路的效率。
附图说明
图1为现有技术中的一种BUCK型DC-DC转换电路的示意图；
图2为本发明实施例中提高DC-DC转换电路的效率的方法的流程图；
图3为使用本发明实施例提供的提高DC-DC转换电路的效率的方法的同步整流BUCK型DC-DC转换电路的示意图；
图4为使用本发明实施例提供的提高DC-DC转换电路的效率的方法的非同步整流BUCK型DC-DC转换电路的示意图；
图5为使用本发明实施例提供的提高DC-DC转换电路的效率的方法的同步整流BOOST型DC-DC转换电路的示意图；
图6为使用本发明实施例提供的提高DC-DC转换电路的效率的方法的非同步整流BOOST型DC-DC转换电路的示意图；
图7为本发明实施例中DC-DC转换电路控制装置的框图；
图8为本发明实施例中DC-DC转换电路控制装置所在的非同步整流BUCK型DC-DC转换电路的示意图。
具体实施方式
DC-DC转换电路中的有晶体管控制器，控制功率MOSFET以预定周期处于导通及截止。以图1为例，晶体管控制器11分别与作为功率MSOFET的各个N沟道型、P沟道型MOSFET的栅极电连接。晶体管控制器11通过向功率MOSFET输送电平信号，控制N沟道型、P沟道型MOSFET交替的处于导通状态。具体的，在一个预定周期T内，晶体管控制器11通过将电平输出给MOSFET的栅极，使得电路中的N个P沟道型MOSFET栅极和源极间的电压差变为零，从而使P沟道型MOSFET处于截止状态，同时向M个N沟道型MOSFET的栅极输出电平以控制N沟道型MOSFET处于导通状态,持续的时间为T1(T1<T)；经过T1后，晶体管控制器11通过电平输出使N沟道型MOSFET处于截止状态，同时使P沟道型MOSFET处于导通状态，持续时间为T-T1。由此，实现了N沟道型MOSFET和P沟道型MOSFET的交替导通。
下面结合本发明实施例的附图对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
本发明实施例提供了一种提高DC-DC转换电路的效率的方法，如图2所示，所述方法包括以下步骤：
101、在按照预定周期导通以及截止DC-DC转换电路中的多个MOSFET场效应晶体管的同时，检测流经所述DC-DC转换电路中的用于能量存储与释放的电感线圈的电流。
在DC-DC转换电路中，用作功率MOSFET的多个MOSFET分为两组，两组MOSFET以预定周期交替处于导通状态，流经用于能量存储与释放的电感线圈的电流也以所述预定周期进行变化。实际应用中，为了使电路的结构和控制更为简单，可以用N沟道型MOSFET构成一组MOSFET，用P沟道型MOSFET构成另一组MOSFET,两组MOSFET交替导通。
对所述流经电感线圈的电流进行检测，判断所述流经电感线圈的电流的数值是否低于预设定的电流下限阈值。若所述流经电感线圈的电流的数值不低于所述电流下限阈值，则继续进行电流的检测；若所述流经电感线圈的电流的数值低于所述电流下限阈值，转向步骤102。
实际应用中，为测得流经电感线圈的电流，可以设置一个与电感线圈串联的检测电阻，通过测量所述检测电阻两端的电压，根据公式：电流=电压/电阻，得到流经所述电感线圈的电流的数值。
102、所述流经电感线圈的电流低于预设的电流下限阈值时，向所述多个MOSFET场效应晶体管中的部分MOSFET场效应晶体管的栅极输送控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管持续处于截止状态，而不再按照预定周期导通。
当DC-DC转换电路的输出功率持续降低时，流经所述负载设备的电流持续降低，以致低于所述预设定的轻载电流值，此时所述负载设备进入轻载状态。在轻载状态下，所述流经电感线圈的电流在周期性变化时会低于所述电流下限阈值。在检测到所述流经电感线圈的电流低于所述电流下限阈值的情况下，通过向用作功率MOSFET的所述部分MOSFET的栅极输送所述控制电平，将所述部分MOSFET关闭。具体的，所述控制电平输入所述部分MOSFET的栅极后，使得所述部分MOSFET中的每一个MOSFET的栅极和源极间电压差变为零，从而使得所述部分MOSFET都处于截止状态。此后，DC-DC转换电路中的晶体管控制器维持所述控制电平，使得所述部分MOSFET由于输入所述控制电平而持续处于截止状态，不再按照所述预定周期进行导通。
从电路结构来看，长时间处于截止状态的所述部分MOSFET相当于已经从DC-DC转换电路中脱离。由于在电路中减少了MOSFET的数量，相应的也减少了MOSFET周期性进行的开启、关闭动作的次数，从而降低了MOSFET频繁开启、关闭时栅极电容的充放电损耗。
在完成步骤102后，所述方法还可以包括步骤103。
103、当所述流经电感线圈的电流高于预定的电流上限阈值时，停止输送所述控制电平。
当DC-DC转换电路的输出功率持续升高时，所述流经电感线圈的电流会高于所述电流上限阈值（所述电流上限阈值大于所述电流下限阈值）。在检测到所述流经电感线圈的电流高于所述电流上限阈值时，停止输送所述控制电平，在停止输送所述控制电平后，所述部分MOSFET的栅极不受所述控制电平的控制，DC-DC转换电路中的晶体管控制器可以继续对所述部分MOSFET按照所述预定周期进行导通和截止控制。
举例来说，如图3所示，在BUCK型DC-DC转换电路上并联有4个P沟道型MSOFET,分别为MP1、MP2、MP3、MP4，还并联有3个N沟道型MOSFET，分别为MN1、MN2、MN3，这七个MOSFET作为电路中的功率MOSFET。晶体管控制器31与所述七个MOSFET的栅极相连，控制MOSFET的开启和关闭。输出电压V0加载在负载设备32上。假设晶体管控制器31中设置有OSC（oscillator,振荡器），OSC的震荡周期为T0。在一个震荡周期中，晶体管控制器31通过输送电平信号到MOSFET的栅极，控制MP1、MP2、MP3、MP4处于导通状态时，MN1、MN2、MN3处于截止状态；在同一个振荡周期的剩余时间里，晶体管控制器31使MP1、MP2、MP3、MP4处于截止状态，并使MN1、MN2、MN3处于导通状态，如此进行循环切换。所述预定周期的时长即为T0。在电路运行时，可以对图3中流经电感线圈LO的电流进行检测。当然，也可以使用OSC之外的其他方式来设定所述预定周期，本发明实施例对此不做限定。如果流经电感线圈L0的电流低于所述电流下限阈值，将关闭部分MOSFET，以减少MOSFET的栅极电容的充放电损耗。图3中，晶体管控制器31通过对流经电感线圈L0的电流iL0的检测，对部分MOSFET发出控制电平，以使其处于截止状态。对于接收控制电平的MOSFET，可以预先进行设定，比如，设定晶体管控制器31同时向MN1、MN2、MP1发出控制电平，使这三个MOSFET处于截止状态。
在关闭部分MOSFET后，图3所示的BUCK型DC-DC转换电路的效率η将得到提高。下面以公式进行说明。
η=PO/PO+P1+P2  （1）
其中，PO=VOIO,IO为流经负载设备32的电流，PO为负载设备32的输出功率。
P1=IO 2[R1+(1-D)RN+DRP],P1是整个电路上的直流损耗，其中RN、RP分别为N沟道型MOSFET和P沟道型MOSFET导通时的电阻值，D为P沟道型MOSFET的开启时间在一个T0内所占的百分比，(1-D)为N沟道型MOSFET的开启时间在一个T0内所占的百分比，R1为除了MOSFET和负载设备32之外的电路其他部分的等效电阻。
P2=[VIN 2(CN+CP)+KIO]/T0,P2中，VIN 2(CN+CP)/T0是MOSFET的栅极电容充放电造成的耗损功率，KIO/T0是MOSFET开启、关闭动作造成的损耗。其中VIN为输入电压，K是一个与MOSFET开启、关闭的速度相关的参数，CN和CP的数值分别与N沟道型MOSFET、P沟道型MOSFET在电路中的数量成正比。对公式（1）等号右侧的分子、分母分别除以IO，可以得到：
PO/IO=VO
P1/IO=IO[R1+(1-D)RN+DRP]  (2)
P2/IO=[VIN 2(CN+CP)/IO+K]/T0  (3)
可以看出，由于VO是固定的，η的大小取决于公式（2）和公式（3）。其中，通过减少电路中的功率MOSFET数量，使CN和CP的数值降低，能够降低P2；另外，RN、RP的数值分别与用作功率MOSFET的N沟道型MOSFET、P沟道型MOSFET在电路中的数量成反比，若CN和CP的数值降低，则P1会有一定程度的升高。IO变化时，会造成的公式（2）、（3）等号右侧整体取值的变化。当电路上的负载设备32处于轻载状态时，IO的值较小，由于公式（3）的等号右侧部分中的IO处于分母的位置，公式（3）等号右侧整体取值的变化会比公式（2）等号右侧整体取值的变化更明显，即当减少电路中的功率MOSFET数量时，[VIN 2(CN+CP)/IO+K]/T0减少的数值大于IO[R1+(1-D)RN+DRP]增加的数值。因此，如图3所示的电路能够提升η。
随着DC-DC转换电路的IO增大，输出功率逐渐回升，负载设备32由脱离轻载状态，当检测到电流iL0高于所述电流上限阈值时，晶体管控制器31停止向MN1、MN2、MP1发送所述控制电平。之后，晶体管控制器31继续以T0为周期，控制4个P沟道型MOSFET和3个N沟道型MOSFET交替的进行开启、关闭动作。
在不同的应用场景下，根据对效率η的不同要求，可预先设置需要接收所述控制电平的MOSFET的数量。比如，在一种应用场景下，需要至少关闭3个MOSFET才能符合对效率η的要求，则图3中的晶体管控制器31通过向7个MOSFET中的3个输送所述控制电平，以保证效率η。实际操作中，可以人为的从7个MOSFET中随机选取3个MOSFET,本发明实施例对此不做限定。
另外需要说明的是，为在图3中测得流经电感线圈的电流iL0，可以设置一个与电感线圈串联的检测电阻，通过测量所述检测电阻两端的电压，根据公式：电流=电压/电阻，得到流经所述电感线圈的电流的数值；也可以分别测量并联的N沟道型MOSFET、P沟道型MOSFET的电压，并根据并联的MOSFET的等效电阻，算出导通状态下流经MOSFET的电流，即电流iL0。
在图3中描述的DC-DC转换电路是一种实际应用中常见的同步整流BUCK型电路结构。本发明实施例提供的方法也可以应用在非同步整流BUCK型电路结构中，如图4所示。
在图4所示的DC-DC转换电路中，并联有J（J≥2）个P沟道型MOSFET作为功率MOSFET，电路中还设置有二极管D。晶体管控制器41控制P沟道型MOSFET周期性的进行开启、关闭动作，从而周期性的处于导通状态和截止状态。当P沟道型MOSFET受到晶体管控制器41的控制处于导通状态时，二级管D处于截止状态，当P沟道型MOSFET受到晶体管控制器41的控制处于截止状态时，二极管D处于导通状态。此种电路中没有部署N沟道型MOSFET。为了实现对DC-DC转换电路的效率的提高，晶体管控制器41通过对流经电感线圈L1的电流iL1的检测，对部分P沟道型MOSFET发出控制电平，以使其处于截止状态。可以假设有J0（J0<J）个MOSFET接收到所述控制电平而处于长时间的截止状态，不再进行周期性开启、关闭动作，从而减少MOSFET的栅极电容的充放电损耗，提高了DC-DC转换电路的效率。
随着流过负载设备42的电流增大，负载设备42的输出功率逐渐回升，晶体管控制器41停止向J0个MOSFET发送所述控制电平,全部MOSFET都可以进行周期性的交替导通。
需要说明的是，为在图4中测得流经电感线圈的电流iL1，可以设置一个与电感线圈串联的检测电阻，通过测量所述检测电阻两端的电压，根据公式：电流=电压/电阻，得到流经所述电感线圈的电流的数值；也可以测量并联的P沟道型MOSFET的电压，并算出导通状态下流经P沟道型MOSFET的电流，即电流iL1。
所述DC-DC转换电路可以是将输入直流电压转换为电压值更低的输出直流电压的BUCK型电路，也可以是将输入直流电压转换为电压值更高的输出直流电压的BOOST型电路。BOOST型电路可以分为同步整流BOOST型电路和非同步整流BOOST型电路。下面分别以图5和图6为例进行说明。
图5是一种同步整流BOOST型的DC-DC转换电路。其中并联有R个P沟道型MOSFET，还并联有S（R≥2，S≥2）个N沟道型MOSFET。晶体管控制器51通过控制MOSFET周期性的进行开启、关闭，实现N沟道型MOSFET和P沟道型MOSFET的交替导通。在图5中，为了实现对DC-DC转换电路的效率的提高，晶体管控制器51通过对流经电感线圈L2的电流iL2的检测，对部分MOSFET发出控制电平，以使其处于截止状态。可以假设有S0（S0<R+S）个MOSFET接收到所述控制电平而处于长时间的截止状态，不再进行周期性开启、关闭动作。对于选择哪些MOSFET作为接收控制电平的MOSFET，可以预先进行设定，相关描述可参考前文对于图3的同步整流BUCK型DC-DC转换电路的描述。
随着流过负载设备52的电流增大，负载设备52的输出功率逐渐回升，晶体管控制器51停止向所述部分MOSFET发送所述控制电平,全部MOSFET都可以进行周期性的交替导通。
需要说明的是，为在图5中测得流经电感线圈的电流iL2，可以设置一个与电感线圈串联的检测电阻，通过测量所述检测电阻两端的电压，根据公式：电流=电压/电阻，得到流经所述电感线圈的电流的数值；也可以分别测量并联的N沟道型MOSFET、P沟道型MOSFET的电压，并根据并联的MOSFET的等效电阻，算出导通状态下流经MOSFET的电流，即电流iL2。
图6是一种非同步整流BOOST型的DC-DC转换电路。其中并联有X（X≥2）个N沟道型MOSFET，电路中设置有二极管D1。晶体管控制器61控制N沟道型MOSFET周期性的进行开启、关闭动作，从而周期性的处于导通状态和截止状态。当N沟道型MOSFET受到晶体管控制器61的控制处于导通状态时，二级管D1处于截止状态，当N沟道型MOSFET受到晶体管控制器61的控制处于截止状态时，二极管D1处于导通状态。此种电路中没有部署P沟道型MOSFET。为了实现对DC-DC转换电路的效率的提高，晶体管控制器61通过对流经电感线圈L3的电流iL3的检测，对部分N沟道型MOSFET发出控制电平，以使其处于截止状态。可以假设有X0（X0<X）个MOSFET接收到所述控制电平而处于长时间的截止状态，不再进行周期性开启、关闭动作，从而减少MOSFET的栅极电容的充放电损耗，提高了DC-DC转换电路的效率。
随着流过负载设备62的电流增大，负载设备62的输出功率逐渐回升，晶体管控制器61停止向X0个MOSFET发送所述控制电平,全部MOSFET都可以进行周期性的交替导通。
需要说明的是，为在图6中测得流经电感线圈的电流iL3，可以设置一个与电感线圈串联的检测电阻，通过测量所述检测电阻两端的电压，根据公式：电流=电压/电阻，得到流经所述电感线圈的电流的数值；也可以测量并联的N沟道型MOSFET的电压，并算出导通状态下流经P沟道型MOSFET的电流，即电流iL3。
同步整流BUCK型、非同步整流BUCK型、同步整流BOOST型、非同步整流BOOST型等四种DC-DC转换电路，都可以根据不同的应用场景下对效率的不同要求，预先设置需要接收所述控制电平的MOSFET的数量，相关描述可参考前文对图3的同步整流BUCK型DC-DC转换电路的描述，此处不再赘述。
此外，本发明实施例还提供了一种DC-DC转换电路控制装置，如图7所示，所述装置包括：电平控制单元71、电流检测单元72。
电平控制单元71用于按照预定周期对DC-DC转换电路中的多个MOSFET场效应晶体管进行导通及截止的控制；
电流检测单元72用于在按照预定周期导通以及截止DC-DC转换电路中的多个MOSFET场效应晶体管的同时，检测流经所述DC-DC转换电路中的用于能量存储与释放的电感线圈的电流；
所述电平控制单元还用于在所述流经电感线圈的电流低于预设的电流下限阈值时，向所述多个MOSFET场效应晶体管中的部分MOSFET场效应晶体管的栅极输送控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管持续处于截止状态，而不再按照预定周期导通。
从电路结构来看，长时间处于截止状态的所述部分MOSFET相当于已经从DC-DC转换电路中脱离。由于在电路中减少了MOSFET的数量，相应的也减少了MOSFET以所述预定周期进行开启、关闭动作的次数，从而降低了MOSFET频繁开启、关闭时栅极电容的充放电损耗。
进一步的，电平控制单元71还用于当流经所述电感线圈的电流高于电流上限阈值时，停止输送所述控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管继续按照预定周期导通和截止。
在停止输送所述控制电平后，所述部分MOSFET的栅极和源极间出现电压差，从而可以重新处于导通状态。此后，DC-DC转换电路中的晶体管控制器可以继续以所述预定周期对所述部分MOSFET进行开启、关闭控制。
本发明实施例所述的装置可以应用于同步整流BUCK型、非同步整流BUCK型、同步整流BOOST型、非同步整流BOOST型等四种DC-DC转换电路，具体描述可参见上文对图3至图6的相关说明，此处不再赘述。
实际应用中，可以如图8所示，所述装置的和电平控制单元71、电流检测单元72都集成到DC-DC转换电路的晶体管控制器81中。当然，电流检测单元71和电平控制单元72也可以独立设置在晶体管控制器81之外，分别与需要各个MOSFET的栅极连接。所述装置集成到DC-DC转换电路的晶体管控制器81中是一种优选的方案，但本发明实施例对此不做限定。图8是以非同步整流BUCK型DC-DC转换电路为例进行说明，当然，也可以是同步整流BUCK型、同步整流BOOST型、非同步整流BOOST型DC-DC转换电路的任意一种，本发明实施例不再赘述。
本发明实施例提供的提高DC-DC转换电路的效率的方法和DC-DC转换电路控制装置，通过检测电感线圈中的电流，并在电感线圈的电流低于预设的电流下限阈值时对部分MOSFET输送控制点电平，使得所述部分MOSFET处于截止状态，避免了所述部分MOSFET在周期性的开启、关闭动作中造成的栅极电容充放电损耗，从而提升了轻载状态下DC-DC转换电路的效率。
通过以上的实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到本发明可借助软件加必需的通用硬件的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在可读取的存储介质中，如计算机的软盘，硬盘或光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本发明各个实施例所述的方法。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种提高DC-DC转换电路的效率的方法，其特征在于，包括：
在按照预定周期导通以及截止DC-DC转换电路中的多个MOSFET场效应晶体管的同时，检测流经所述DC-DC转换电路中的用于能量存储与释放的电感线圈的电流；
所述流经电感线圈的电流低于预设的电流下限阈值时，向所述多个MOSFET场效应晶体管中的部分MOSFET场效应晶体管的栅极输送控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管持续处于截止状态，而不再按照预定周期导通；
当流经所述电感线圈的电流高于预设的电流上限阈值时，停止输送所述控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管继续按照预定周期导通和截止。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法用于BUCK型和BOOST型DC-DC转换电路。
3.一种DC-DC转换电路控制装置，其特征在于，所述装置包括：
电平控制单元，用于按照预定周期对DC-DC转换电路中的多个MOSFET场效应晶体管进行导通及截止的控制；
电流检测单元，用于在按照预定周期导通以及截止DC-DC转换电路中的多个MOSFET场效应晶体管的同时，检测流经所述DC-DC转换电路中的用于能量存储与释放的电感线圈的电流；
所述电平控制单元还用于在所述流经电感线圈的电流低于预设的电流下限阈值时，向所述多个MOSFET场效应晶体管中的部分MOSFET场效应晶体管的栅极输送控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管持续处于截止状态，而不再按照预定周期导通；
所述电平控制单元还用于当流经所述电感线圈的电流高于预设的电流上限阈值时，停止输送所述控制电平，以使得所述部分MOSFET场效应晶体管继续按照预定周期导通和截止。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述装置用于BUCK型和BOOST型DC-DC转换电路。
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