CN109617148A - 一种飞跨电容的充电方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种飞跨电容的充电方法及装置,应用于多电平拓扑电路中,以提供一种占板面积小、适用性强的飞跨电容充电方案。该电路通过第一开关与输入电源连接、通过第二开关与输出电源连接;电路中的飞跨电容中的第一电容的第一端与第一半导体开关管的第一电极连接、第二端与第二半导体开关管的第二电极连接,第一半导体开关管的第二电极通过第二电容与第二半导体开关管的第一电极连接;其中,第二电容为输入电容、输出电容或另一飞跨电容;方法包括:闭合第一半导体开关管和第二半导体开关管,使第一电容与第二电容并联;将第一电容与第二电容充电至第一设定电压值;断开第一半导体开关管和第二半导体开关管;将第二电容充电至第二设定电压值。

Description

一种飞跨电容的充电方法及装置
技术领域
本申请涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种飞跨电容的充电方法及装置。
背景技术
直流-直流变换电路(简称DCDC电路)是一种将直流进行升压或降压的电路。其输入和输出均为直流。DCDC电路在储能、电动汽车、新能源、电力系统、电子计算机等领域都有广泛的应用。DCDC电路的拓扑形式按照输出电平的状态可以分为两电平拓扑和多电平拓扑两种。
多电平拓扑是相对传统的两电平拓扑来说的,两电平拓扑是指输出电平只有0和1两种状态,多电平拓扑是指输出电平至少有三种状态,例如输出电平有1、1/2和0三种状态则称为三电平拓扑,输出电平有1、3/4、1/2、1/4和0五种状态则称为五电平拓扑。此外,多电平拓扑电路又分为二极管钳位型多电平拓扑电路、飞跨电容钳位型多电平拓扑电路等形式。
示例性地,图1示出的为一种飞跨电容钳位型三电平拓扑降压电路。在图1所示的电路正常工作时,飞跨电容Cfly的电压控制为1/2*Vin,T1和T4交替导通,T2和T3交替导通。在该电路中,在输入电容Cin上电前(即该电路正常工作前),需要将飞跨电容Cfly充电到输入电压Vin的一半。否则,由于Cout上的电压Vout=0,那么T3和T4的电压就为0,同时上电瞬间飞跨Cfly电压Vfly=0,即T2和T3的电压也都为0,那么只要输入端上电,Cin上的全部电压就加在了T1上,导致T1过压损坏。而如果在输入端上电之前飞跨电容Cfly被充电至输入电压Vin的一半,那么Cin上的电压则被T1和T2均分,此时T1和T2均不会因过压而损坏。具体地,在没有对飞跨电容Cfly进行预充电以及对飞跨电容Cfly进行预充电的情况下给输入端上电,图1中各个半导体开关管上的电压可以如图3所示。
因此如何在上电之前对飞跨电容进行预充电是一个亟需解决的问题。
实际应用中,无论飞跨电容钳位型多电平拓扑电路的具体拓扑形式是怎样的,在电路正常工作前均需对飞跨电容进行预充电。
现有技术中,可以采用图2所示的充电电路为多电平拓扑电路中的飞跨电容进行预充电。该充电电路可以视为独立于多电平拓扑电路的另一个电路,仅用于为飞跨电容进行预充电。如图2所示,用R1、R2、R3和R4四个电阻以及相应的控制开关组成RC网络给飞跨电容C充电。即,闭合四个开关S1.1、S1.2、S2.1和S2.2,当电路达到稳态后,R1与R4分压,得到飞跨电容C的上端电压Vp,R2和R3分压,得到飞跨电容C的下端电压Vn。Vp-Vn即为飞跨电容的电压。
采用图2所示的充电方案,需要额外的充电电路为飞跨电容充电,造成成本的增加。此外,由于电阻功率与电压的平方成正比,对于低压系统,由于电压低,需要的电阻功率比较小,也不需要大量的电阻并联,所以该方案的成本较低、可靠性较高。而对于高压系统来说,如果需要较快地充电,则需要大功率的电阻或者大量电阻并联,这将会导致电阻的占板面积过大。另外,对于多路拓扑并联的高压系统,系统功率较大,飞跨电容数量较多,需要的电阻数量就更多。因而图2所示方案的适用性不强。
综上,现有技术中提供的飞跨电容充电方案中,存在电路成本高且方案适用性不强的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种飞跨电容的充电方法及装置,用以提供一种占板面积小、实现简单、适用性较强的飞跨电容充电方案。
第一方面,本申请实施例提供一种飞跨电容充电方法,该方法应用于飞跨电容钳位的多电平拓扑电路,多电平拓扑电路通过第一开关与输入电源连接,多电平拓扑电路通过第二开关与输出电源连接,多电平拓扑电路中包含一个或多个飞跨电容;一个或多个飞跨电容中的第一电容的第一端与第一半导体开关管的第一电极连接,第一电容的第二端与第二半导体开关管的第二电极连接,第一半导体开关管的第二电极通过第二电容与第二半导体开关管的第一电极连接;其中,第一电容为一个或多个飞跨电容中的任一飞跨电容,第二电容为输入电容、输出电容或者一个或多个飞跨电容中除第一电容之外的另一个飞跨电容。
具体地,该方法包括如下步骤:闭合第一半导体开关管和第二半导体开关管,使第一电容与第二电容并联;将第一电容与第二电容充电至第一设定电压值;断开第一半导体开关管和第二半导体开关管;将第二电容充电至第二设定电压值。
采用第一方面提供的飞跨电容充电方法,可利用多电平拓扑电路中的现有结构为飞跨电容进行充电,与现有技术相比,采用上述方案无需额外的充电电路为飞跨电容充电,降低了成本,且方案的适用性较强。此外,在第一方面提供的方法中,第一电容为任一飞跨电容,第二电容为输入电容、输出电容或者另一个飞跨电容,将多电平拓扑电路与输入电源和输出电源断开连接后,分别将第一电容和第二电容充电至理想电压值。对多电平电路中的所有飞跨电容上述方法进行预充电后,电路中的所有飞跨电容均可充电至理想电压值,从而避免出现多电平拓扑电路上电时,半导体开关管由于过压而损坏的问题。
在本申请实施例中,多电平拓扑电路可以是仅用于降压或者仅用于升压的电路,也可以是升降压式变换电路。
若多电平拓扑电路为仅用于降压或者仅用于升压的电路,在具体实现时,既可以从输入侧启动充电(即外接直流电源并联在输入电容的两端,或者通过缓起电阻与输入电源连接为飞跨电容充电),也可以从输出侧启动充电(即外接直流电源并联在输出电容的两端,或者通过缓起电阻与输出电源连接为飞跨电容充电)。
无论从输入侧启动充电还是从输出侧启动充电,对于降压电路来说,通过执行第一方面提供的方法,电路中的飞跨电容和输入电容会先完成充电。那么,在一个或多个飞跨电容以及输入电容均充电完成后,可闭合第一开关;然后,将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输出电容充电至第三设定电压值,第三设定电压值为输出电源的电压值;最后,闭合第二开关。
采用上述方案,在降压电路中的飞跨电容和输入电容均完成充电后,可以继续对输出电容进行充电。待电路中的所有飞跨电容、输入电容以及输出电容均完成充电后,多电平拓扑电路即可正常工作。
无论从输入侧启动充电还是从输出侧启动充电,对于升压电路来说,通过执行第一方面提供的方法,电路中的飞跨电容和输出电容会先完成充电。那么,在一个或多个飞跨电容以及输出电容均充电完成后,可闭合第二开关;然后,将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输入电容充电至第四设定电压值,第四设定电压值为输入电源的电压值;最后,闭合第一开关。
采用上述方案,在升压电路中的飞跨电容和输出电容均完成充电后,可以继续对输入电容进行充电。待电路中的所有飞跨电容、输入电容以及输出电容均完成充电后,多电平拓扑电路即可正常工作。
若多电平拓扑电路为升降压式变换电路,在具体实现时,既可以从输入侧启动充电,也可以从输出侧启动充电。
若在输入侧启动充电,对于升降压式变换电路来说,通过执行第一方面提供的方法,电路中的部分飞跨电容和输入电容会先完成充电。那么,在一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及输入电容均充电完成后,可闭合第一开关;其中,多电平拓扑电路为升降压式变换电路,第一部分飞跨电容为第一电容所在的降压电路或升压电路中的所有飞跨电容;然后,可将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输出电容充电至第五设定电压值,第五设定电压值为输出电源的电压值;并,控制一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;最后,闭合第二开关。
采用上述方案,若在输入侧启动充电,在升降压式变换电路中的第一部分飞跨电容和输入电容均完成充电后,可以继续对输出电容和第二部分飞跨电容进行充电。待电路中的所有飞跨电容、输入电容以及输出电容均完成充电后,多电平拓扑电路即可正常工作。
若在输出侧启动充电,对于升降压式变换电路来说,通过执行第一方面提供的方法,电路中的部分飞跨电容和输出电容会先完成充电。那么,在一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及输出电容均充电完成后,可闭合第二开关;其中,多电平拓扑电路为升降压式变换电路,第一部分飞跨电容为第一电容所在的降压电路或升压电路中的所有飞跨电容;然后,可将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输入电容充电至第六设定电压值,第六设定电压值为输入电源的电压值;并,控制一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;最后,闭合第一开关。
采用上述方案,若在输出侧启动充电,在升降压式变换电路中的第一部分飞跨电容和输出电容均完成充电后,可以继续对输入电容和第二部分飞跨电容进行充电。待电路中的所有飞跨电容、输入电容以及输出电容均完成充电后,多电平拓扑电路即可正常工作。
在一种可能的设计中,第一设定电压值为U*1/2N,第二设定电压值为U*1/2N-1,其中,U为输入电源的电压值或输出电压的电压值,N为正整数。
在一种可能的设计中,将第一电容充电至第一设定电压值,具体可通过如下两种方式中的任一种实现:通过外接直流电源将第一电容充电至第一设定电压值;或者,通过缓启电阻与输入电源或输出电源连接,将第一电容充电至第一设定电压值。
采用上述方案,可采用外接直流电源对第一电容和第二电容充电,也可以通过与缓启电阻连接的输入电源或输出电源为对第一电容和第二电容充电。通过外接直流电源充电时,对于多路并联的多电平拓扑结构,可以仅采用一个外接直流电源为多路拓扑电路中的电容进行充电,从而达到节约成本的目的。通过缓启电阻充电,由于缓启电阻为多电平拓扑电路中的固有器件,因而可以在不增加硬件成本的前提下对飞跨电容进行充电。
第二方面,本申请实施例提供一种飞跨电容充电装置,该装置包括多电平拓扑电路及控制器。其中,多电平拓扑电路通过第一开关与输入电源连接,多电平拓扑电路通过第二开关与输出电源连接,多电平拓扑电路中包含一个或多个飞跨电容;一个或多个飞跨电容中的第一电容的第一端与第一半导体开关管的第一电极连接,第一电容的第二端与第二半导体开关管的第二电极连接,第一半导体开关管的第二电极通过第二电容与第二半导体开关管的第一电极连接;其中,第一电容为一个或多个飞跨电容中的任一飞跨电容,第二电容为输入电容、输出电容或者一个或多个飞跨电容中除第一电容之外的另一个飞跨电容。
其中,控制器用于:闭合第一半导体开关管和第二半导体开关管,使第一电容与第二电容并联;将第一电容和第二电容充电至第一设定电压值;断开第一半导体开关管和第二半导体开关管;将第二电容充电至第二设定电压值。
在一种可能的设计中,该控制器还用于:在一个或多个飞跨电容以及输入电容均充电完成后,闭合第一开关;将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输出电容充电至第三设定电压值,第三设定电压值为输出电源的电压值;闭合第二开关。
在一种可能的设计中,该控制器还用于:在一个或多个飞跨电容以及输出电容均充电完成后,闭合第二开关;将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输入电容充电至第四设定电压值,第四设定电压值为输入电源的电压值;闭合第一开关。
在一种可能的设计中,该控制器还用于:在一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及输入电容均充电完成后,闭合第一开关;其中,多电平拓扑电路为升降压式变换电路,第一部分飞跨电容为第一电容所在的降压电路或升压电路中的所有飞跨电容;将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输出电容充电至第五设定电压值,第五设定电压值为输出电源的电压值;并,控制一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;闭合第二开关。
在一种可能的设计中,该控制器还用于:在一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及输出电容均充电完成后,闭合第二开关;其中,多电平拓扑电路为升降压式变换电路,第一部分飞跨电容为第一电容所在的降压电路或升压电路中的所有飞跨电容;将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输入电容充电至第六设定电压值,第六设定电压值为输入电源的电压值;并,控制一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;闭合第一开关。
在一种可能的设计中,第一设定电压值可以为U*1/2N,第二设定电压值可以为U*1/2N-1,其中,U为输入电源的电压值或输出电压的电压值,N为正整数。
在一种可能的设计中,该控制器在将第一电容充电至第一设定电压值时,具体用于:通过外接直流电源将第一电容充电至第一设定电压值;或者,通过缓启电阻与输入电源或输出电源连接,将第一电容充电至第一设定电压值。
第三方面,本申请实施例提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有指令,当其在计算机上运行时,使得计算机执行上述第一方面及其各种可能的设计中所述的方法。
第四方面,本申请实施例还提供一种包含指令的计算机程序产品,当其在计算机上运行时,使得计算机执行上述第一方面及其各种可能的设计中所述的方法。
第五方面,本申请实施例还提供一种计算机芯片,所述芯片与存储器相连,所述芯片用于读取并执行所述存储器中存储的软件程序,执行上述第一方面及其各种可能的设计中所述的方法。
另外,第二方面至第五方面中任一种可能设计方式所带来的技术效果可参见第一方面中不同设计方式所带来的技术效果,此处不再赘述。
附图说明
图1为现有技术提供的一种飞跨电容钳位型三电平拓扑降压电路的结构示意图;
图2为现有技术提供的一种充电电路的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种多电平拓扑电路中各个半导体开关管的电压的示意图;
图4为本申请实施例提供的第一种多电平拓扑电路的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的一种飞跨电容的充电方法的流程示意图;
图6为本申请实施例提供的第二种多电平拓扑电路的结构示意图;
图7为本申请实施例提供的第三种多电平拓扑电路的结构示意图;
图8为本申请实施例提供的第四种多电平拓扑电路的结构示意图;
图9为本申请实施例提供的第五种多电平拓扑电路的结构示意图;
图10为本申请实施例提供的第六种多电平拓扑电路的结构示意图;
图11为本申请实施例提供的一种飞跨电容的充电装置的结构示意图。
具体实施方式
基于上述问题,本申请实施例提供一种飞跨电容的充电方法及装置,用以提供一种占板面积小、实现简单、适用性较强的飞跨电容充电方案。其中,方法和装置是基于同一发明构思的,由于方法及装置解决问题的原理相似,因此装置与方法的实施可以相互参见,重复之处不再赘述。
需要说明的是,本申请中所涉及的多个,是指两个或两个以上。另外,需要理解的是,在本申请的描述中,“第一”、“第二”等词汇,仅用于区分描述的目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性,也不能理解为指示或暗示顺序。
下面,以图4为例对本申请实施例的应用场景进行简单介绍。
本申请实施例提供的飞跨电容充电方法可适用于图4所示的三电平拓扑降压电路。该电路包含输入电源DC source1、输出电源DC source2、输入电容Cin、输出电容Cout、电感L、飞跨电容Cfly第一开关K1、第二开关K2以及四个半导体开关管T1、T2、T3、T4。
其中,半导体开关管可以有多类型。例如,半导体开关管可以是绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT),也可以是金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)。下面以半导体开关管为IGBT为例介绍图4所示多电平拓扑电路中各个器件的连接关系。
在图4所示的电路中,由Cin、Cout、Cfly、L、T1、T2、T3和T4组成降压电路,降压电路通过K1与DC source1连接,通过K2与输出电源连接。该多电平拓扑电路中包含一个飞跨电容Cfly;Cfly的第一端与T1的发射极连接,Cfly的第二端与T4的集电极连接,T1的集电极通过Cin与T4的发射极连接。
此外,T2的发射极与T3的集电极以及L的第一端连接,T2的集电极与T1的发射极连接,T3的发射极与T4的集电极连接,Cout的第一端与L连接,Cout的第二端与T4的发射极连接。
在图4所示的电路中,在Cin上电前(即该电路正常工作前),需要将Cfly充电至Vin的一半。否则,由于Cout上的电压Vout=0,那么T3和T4的电压就为0,同时上电瞬间飞跨Cfly电压Vfly=0,即T2和T3的电压也都为0,那么只要Cin上电,Cin上的全部电压就加在了T1上,导致T1过压损坏。而如果在输入端上电之前飞跨电容Cfly被充电至输入电压Vin的一半,那么Cin上的电压则被T1和T2均分,此时T1和T2均不会因过压而损坏。
本申请实施例提供的方案中,在该电路正常工作前,可以使K1和K2保持断开状态。然后,闭合T1和T4使Cfly和Cin并联,同时为Cfly和Cin充电:在Cfly充电完成后断开T1和T4,继续为Cin充电。在Cfly和Cin均充电完成后,可以闭合K1为Cout充电。待电路中的所有电容均充电完成后,即可闭合K2使电路正常工作。
需要说明的是,图4仅为本申请实施例所适用的拓扑结构的一个具体示例。实际实现时,本申请实施例提供的飞跨电容充电方案可适用于各种多电平拓扑电路。在本申请实施例适用的多电平拓扑电路中,均包含符合图4中Cfly、Cin、T1和T4类似连接关系的电路结构。因而,在各种多电平拓扑电路中,均可采用本申请实施例提供的方案来控制Cfly、Cin等电容的充电以及控制T1和T4等半导体开关管的状态,从而实现对电路中的飞跨电容进行充电。
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。
参见图5,为本申请实施例提供的一种飞跨电容的充电方法的流程示意图。该方法应用于飞跨电容钳位的多电平拓扑电路。其中,多电平拓扑电路通过第一开关与输入电源连接,多电平拓扑电路通过第二开关与输出电源连接,多电平拓扑电路中包含一个或多个飞跨电容;一个或多个飞跨电容中的第一电容的第一端与第一半导体开关管的第一电极连接,第一电容的第二端与第二半导体开关管的第二电极连接,第一半导体开关管的第二电极通过第二电容与第二半导体开关管的第一电极连接;其中,第一电容为一个或多个飞跨电容中的任一飞跨电容,第二电容为输入电容、输出电容或者一个或多个飞跨电容中除第一电容之外的另一个飞跨电容。
该方法包括如下步骤:
S501:闭合第一半导体开关管和第二半导体开关管,使第一电容与第二电容并联。
本申请实施例中,半导体开关管可以有多类型。例如,半导体开关管可以是IGBT,也可以是MOSFET。若本申请实施例中的半导体开关管为IGBT,则第一电极可以为发射极,第二电极可以为集电极;若本申请实施例中的半导体开关管为MOSFET,则第一电极可以为漏极,第二电极可以为源极。
需要说明的是,本申请实施例提供的方案用于在多电平拓扑电路正常工作之前对飞跨电容进行预充电,该多电平拓扑电路中的第一开关和第二开关可以为常开开关,即默认状态为断开状态的开关。因此,在执行S501时,多电平拓扑电路还未上电,即第一开关和第二开关处于断开状态。
当第一电容和第二电容并联时,若对第一电容进行充电,则相当于也对第二电容进行充电。第一电容为一个或多个飞跨电容中的任一飞跨电容,第二电容为输入电容、输出电容或者一个或多个飞跨电容中除第一电容之外的另一个飞跨电容,因而,当第一电容和第二电容并联时,可以同时对两个飞跨电容进行充电,或者同时对输入电容和飞跨电容进行充电,或者同时对输出电容和飞跨电容进行充电。
S502:将第一电容和第二电容充电至第一设定电压值。
其中,第一设定电压值为第一电容在正常工作状态下的电压值。例如,对于图1中的飞跨电容Cfly来说,第一设定电压值为1/2*Vin。
具体地,将所述第一电容充电至第一设定电压值,具体可通过如下两种方式实现:第一种方式,通过外接直流电源将第一电容充电至第一设定电压值;第二种方式,通过缓启电阻与输入电源或输出电源连接,将所述第一电容充电至第一设定电压值。
也就是说,在本申请实施例中,在为电容充电时,可以通过外接直流电源为电容充电,也可以通过与缓启电阻连接的输入电源或输出电源为电容充电。其中,在现有技术中,缓启电阻主要起到限流的作用,避免电路中的元器件在上电时因电流过大而被烧毁。实际应用中,缓启电阻也可称为限流电阻。
除了第一电容以外,在对电路中的其他电容(例如第二电容)进行充电时,也可采用上述两种方式中的任一种,后面将不再对充电方式做详细阐述。
如前所述,由于第一电容和第二电容并联,因而在对第一电容进行充电时,第二电容也被充电。假如第二电容为输入电容,则相当于对飞跨电容和输入电容一起充电;假如第二电容为输出电容,则相当于对飞跨电容和输出电容一起充电;假如第二电容为飞跨电容,则相当于对两个飞跨电容一起充电,此时,多电平拓扑电路中包含至少两个飞跨电容,示例性地,多电平拓扑电路可以是五电平拓扑电路、九电平拓扑电路等。
S503:断开第一半导体开关管和第二半导体开关管。
将第一半导体开关管和第二半导体开关管断开后,第一电容和第二电容不再是并联关系;后续再对第二电容充电,则不会影响第一电容的电压值。
S504:将第二电容充电至第二设定电压值。
其中,第二设定电压值为第二电容在正常工作状态下的电压值。例如,在图1所示的电路中,飞跨电容Cfly相当于第一电容,若输入电容Cin相当于第二电容,则第二设定电压值为Vin;若输出电容Cout相当于第二电容,则第二设定电压值为Vout。
在一个具体示例中,第一设定电压值可以为U*1/2N,第二设定电压值可以为U*1/2N-1,其中,U为输入电源的电压值或输出电压的电压值,N为正整数。例如,在图1的示例中,飞跨电容Cfly相当于第一电容,输入电容Cin相当于第二电容,此时可以取N=1,则第一设定电压值可以为1/2*Vin,第二设定电压值为Vin。
在本申请实施例中,只要第一电容与第二电容通过第一半导体开关管和第二半导体开关管并联连接,即可对第一电容和第二电容执行图5所示的飞跨电容充电方法。也就是说,本申请实施例适用于多种多电平拓扑电路,包括但不限于N路并联的双向BUCK-BOOST电路、三电平双向BUCK电路、五电平拓扑电路、九电平拓扑电路等。
示例性地,本申请实施例可适用于图6所示的N路并联的双向BUCK-BOOST电路。在图6所示的电路中,可以将飞跨电容Ca视为第一电容,将输入电容Cin视为第二电容,将T1a视为第一半导体开关管,将T4a视为第二半导体开关管;也可以将飞跨电容Cb视为第一电容,将输出电容Cout视为第二电容,将T1b视为第一半导体开关管,将T4b视为第二半导体开关管。
若Ca为第一电容、Cin为第二电容,则执行图5所示方法时可通过外接直流电源为Ca和Cin充电,也可以通过与缓启电阻连接的输入电源DC source1为Ca和Cin充电;在执行图5所示方法为Ca和Cin充电后,可闭合第一开关并将每个BUCK-BOOST电路调整至正常工作状态,继续将Cb和Cout充电至理想电压值。然后闭合第二开关,图6所示电路即可正常工作。
若Cb为第一电容、Cout为第二电容,则执行图5所示方法时可通过外接直流电源为Cb和Cout充电,也可以通过与缓启电阻连接的输出电源DC source2为Cb和Cout充电;在执行图5所示方法为Cb和Cout充电后,可闭合第二开关并将每个BUCK-BOOST电路调整至正常工作状态,继续将Ca和Cin充电至理想电压值。然后闭合第一开关,图6所示电路即可正常工作。
示例性地,本申请实施例可适用于图4所示的三电平双向BUCK电路。在图4所示的电路中,可以将飞跨电容Cfly视为第一电容,将输入电容Cin视为第二电容,将T1视为第一半导体开关管,将T4视为第二半导体开关管。
若Cfly为第一电容、Cin为第二电容,则执行图5所示方法时可通过外接直流电源为Cfly和Cin充电,也可以通过与缓启电阻连接的输入电源DC source1为Cfly和Cin充电;或者,也可以通过与缓启电阻连接的输出电源DC source2为Cfly和Cin充电,此时,输出电容Cout也被充电。在执行图5所示方法为Cfly和Cin充电后,可闭合第一开关K1并将图4所示电路调整至正常工作状态,继续将Cout充电至理想电压值。然后闭合第二开关,图4所示电路即可正常工作。
示例性地,本申请实施例可适用于图7所示的三电平双向BOOST电路。在图7所示的电路中,可以将飞跨电容Cfly视为第一电容,将输出电容Cout视为第二电容,将T1视为第一半导体开关管,将T4视为第二半导体开关管。
若Cfly为第一电容、Cout为第二电容,则执行图5所示方法时可通过外接直流电源为Cfly和Cout充电,也可以通过与缓启电阻连接的输出电源DC source2为Cfly和Cout充电;或者,也可以通过与缓启电阻连接的输入电源DC source1为Cfly和Cout充电,此时,输出电容Cin也被充电。在执行图5所示方法为Cfly和Cout充电后,可闭合第二开关K2并将图7所示电路调整至正常工作状态,继续将Cin充电至理想电压值。然后第一开关K1,图7所示电路即可正常工作。
示例性地,本申请实施例可适用于图8所示的五电平拓扑电路。在图8所示的电路中,可以将飞跨电容Cfly1视为第一电容,将飞跨电容Cfly2视为第二电容,此时T2为第一半导体开关管、T5为第二半导体开关管;在图8所示的电路中,也可以将飞跨电容Cfly2视为第一电容,将输入电容Cin视为第二电容,此时T1为第一半导体开关管、T6为第二半导体开关管。
具体实现时,可以将T1、T2、T5、T6同时闭合,此时可同时对Cfly1、Cfly2和Cin进行充电。将Cfly1充电至1/4*Vin后,可断开T2和T5,然后继续对Cfly2和Cin进行充电。将Cfly2充电至1/2*Vin后,可断开T1和T6。然后,继续为Cin进行充电。在执行图5所示方法为Cfly1、Cfly2和Cin充电后,可闭合第一开关K1并将图8所示电路调整至正常工作状态,继续将Cout充电至理想电压值。然后闭合第二开关K2,图8所示电路即可正常工作。
本申请实施例中,若多电平拓扑电路为图4、图7或图8所示的仅用于降压或仅用于升压的电路,在具体实现时,既可以从输入侧启动充电(即外接直流电源并联在输入电容的两端,或者通过缓起电阻与输入电源连接为飞跨电容充电),也可以从输出侧启动充电(即外接直流电源并联在输出电容的两端,或者通过缓起电阻与输出电源连接为飞跨电容充电)。例如,在图4所示的电路中,可以通过在Cin两侧加直流电源为第一电容和第二电容充电,也可以通过在Cout两侧加直流电源为第一电容和第二电容充电。
无论从输入侧启动充电还是从输出侧启动充电,对于降压电路(例如图4或图8所示的电路)来说,通过执行图5所示的方法,电路中的飞跨电容和输入电容会先完成充电。在一个或多个飞跨电容(即电路中的所有飞跨电容)以及输入电容均充电完成后,可闭合第一开关;然后,将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输出电容充电至第三设定电压值,第三设定电压值为输出电源的电压值;最后,闭合第二开关。此时该多电平拓扑电路即可正常工作。
其中,将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,即将多电平拓扑电路中各个半导体开关管的导通和关断状态调整至正常工作时的状态。
无论从输入侧启动充电还是从输出侧启动充电,对于升压电路(例如图7所示的电路)来说,通过执行图5所示的方法,电路中的飞跨电容和输出电容会先完成充电。在一个或多个飞跨电容(即电路中的所有飞跨电容)以及输出电容均充电完成后,闭合第二开关;然后,将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输入电容充电至第四设定电压值,第四设定电压值为输入电源的电压值;最后,闭合第一开关。此时该多电平拓扑电路即可正常工作。
本申请实施例中,若多电平拓扑电路为图6所示的BUCK-BOOST电路(即升降压式变换电路),在具体实现时,既可以从输入侧启动充电,也可以从输出侧启动充电。例如,在图6所示的电路中,可以通过在Cin两侧加直流电源为Ca和Cin充电,也可以通过在Cout两侧加直流电源为Cb和Cout充电。
若在输入侧启动充电,对于BUCK-BOOST电路来说,通过执行图5所示的方法,电路中的部分飞跨电容和输入电容会先完成充电。在电路中的一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及输入电容均充电完成后,可以闭合第一开关;然后,将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输出电容充电至第五设定电压值,第五设定电压值为输出电源的电压值;并,控制一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;最后,闭合第二开关。此时该多电平拓扑电路即可正常工作。
其中,第一部分飞跨电容为第一电容所在的BUCK电路或BOOST电路中的所有飞跨电容。若在输入侧启动充电,则在图6的示例中,第一部分飞跨电容仅包含Ca。
若在输出侧启动充电,对于BUCK-BOOST电路(即升降压式变换电路)来说,通过执行图5所示的方法,电路中的部分飞跨电容和输出电容会先完成充电。在一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及输出电容均充电完成后,闭合第二开关;然后,将多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制输入电容充电至第六设定电压值,第六设定电压值为输入电源的电压值;并,控制一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;然后,闭合第一开关。此时该多电平拓扑电路即可正常工作。
其中,第一部分飞跨电容为第一电容所在的BUCK电路或BOOST电路中的所有飞跨电容。若在输出侧启动充电,则在图6的示例中,第一部分飞跨电容仅包含Cb。
采用本申请实施例提供的方案,可利用多电平拓扑电路中的现有结构为飞跨电容进行充电,与现有技术相比,采用本申请实施例提供的方案无需额外的充电电路为飞跨电容充电,降低了成本,且方案的适用性较强。此外,本申请实施例中,第一电容为任一飞跨电容,第二电容为输入电容、输出电容或者另一个飞跨电容,将多电平拓扑电路与输入电源和输出电源断开连接后,分别将第一电容和第二电容充电至理想电压值。对多电平电路中的所有飞跨电容执行图5所示方法进行预充电后,电路中的所有飞跨电容均可充电至理想电压值,从而避免出现多电平拓扑电路上电时,半导体开关管由于过压而损坏的问题。
此外,本申请实施例中,可采用外接直流电源对第一电容和第二电容充电,也可以通过与缓启电阻连接的输入电源或输出电源为对第一电容和第二电容充电。通过外接直流电源充电时,对于多路并联的多电平拓扑结构(例如图6所示的拓扑结构),可以仅采用一个外接直流电源为多路拓扑电路中的电容进行充电,从而达到节约成本的目的。通过缓启电阻充电,由于缓启电阻为多电平拓扑电路中的固有器件,因而可以在不增加硬件成本的前提下对飞跨电容进行充电。
如前所述,本申请实施例适用于各种飞跨电容钳位的多电平拓扑电路。下面,将通过几个具体示例对几个具体的电路拓扑的飞跨电容充电方法进行介绍。
示例一
对于图6所示的多电平拓扑电路,可采用如下方式对飞跨电容(即Ca和Cb)进行充电。
通常,电力电子功率电路的工作需要由控制器来控制,本申请实施例提供的飞跨电容预充电方法也可以视为由独立于多电平拓扑电路的控制器控制执行。为控制器供电的电源可以称为辅助电源。通常,辅助电源可采用输入为高压、输出为12V或24V等低电压的开关电源电路。
S1:辅源接通后,控制闭合每一路拓扑中的开关器件T1b和T4b。将输出电容Cout与飞跨电容Cb并联起来。
S2:用一个直流电源(例如反激电源),将该电源的输出接在输出电容Cout两端,对并联在一起的输出电容Cout和飞跨电容Cb充电,充电的目标值为飞跨电容Cb正常工作时的电压,即DC source2电压的一半。
S3:当飞跨电容达到目标值后,断开T1b和T4b,将飞跨电容Cb与输出电容Cout断开。
S4:继续对输出电容Cout充电,目标值为DC source2电压。
S5:达到目标值后,停止充电,输出电容Cout的电压与DC source2电压相等,K2两端没有电压差,直接将K2闭合。
S6:Buck-boost正常发波,通过调节各个半导体开关管的状态来控制输入电容Cin的电压,目标值从0到DC soruce1的电压缓慢增加;同时控制Ca的电压,目标值为DCsoruce1电压的一半。
S7:当输入电容Cin的电压值达到DC soruce1的电压,飞跨电容Ca的电压值达到DCsoruce1电压的一半时,K1两端没有电压差,直接将K1闭合。
此外,在示例一中,在对输出电容Cout和飞跨电容Cb进行充电时,还可通过与缓启电阻连接的输出电源DC source2进行,如图9所示。
示例二
对于图4所示的多电平拓扑电路,可采用如下方式对飞跨电容(即Cfly)进行充电。
S1:辅源接通后,控制闭合拓扑电路中的开关器件T1和T4。将输入电容Cin与飞跨电容Cfly并联起来。
S2:用一个直流电源(例如反激电源),将该电源的输出接在输入电容Cin两端,对并联在一起的输入电容Cin和飞跨电容Cfly充电,充电的目标值为飞跨电容Cfly正常工作时的电压,即DC source1电压的一半。
S3:当飞跨电容Cfly达到目标值后,断开T1和T4,将飞跨电容Cfly与输入电容Cin断开。
S4:继续对输入电容Cin充电,目标值为DC source1得电压。
S5:达到目标值后,停止充电,输入电容Cin的电压与DC source1电压相等,K1两端没有电压差,直接将K1闭合。
S6:Buck电路正常发波,通过调节各个半导体开关管的状态控制输出电容Cout的电压,目标值从0到DC soruce2的电压缓慢增加。
S7:当Cout电容电压达到DC soruce2的电压时,K2两端没有电压差,直接将K2闭合。
此外,在示例二中,在对输入电容Cin和飞跨电容Cfly进行充电时,还可通过与缓启电阻连接的输入电源DC source1进行,如图10所示。
示例三
对于图4所示的多电平拓扑电路,可采用如下方式对飞跨电容(即Cfly)进行充电。
S1:辅源接通后,控制闭合拓扑中的开关器件T1和T4。将输入电容Cin与飞跨电容Cfly并联起来。
S2:用一个直流电源(例如反激电源),将该电源的输出接在输出电容Cout两端,对并联在一起的三个电容(即Cin、Cfly和Cout)充电,充电的目标值为飞跨电容正常工作时的电压,即DC source1电压的一半。
S3:当飞跨电容Cfly达到目标值后,将T1和T4断开。
S4:继续对输出电容Cout和输入电容Cin充电,目标值为DC source1电压。
S5:达到目标值后,停止充电,输入电容Cin的电压与DC source1电压相等,K1两端没有电压差,直接将K1闭合。
S6:Buck电路正常发波,通过调节各个半导体开关管的状态控制输出电容Cout的电压,目标值从DC source1到DC soruce2。
S7:当输出电容Cout的电压达到DC soruce2的电压时,K2两端没有电压差,直接将K2闭合。
此外,在示例三中,在对输入电容Cin、输出电容Cout和飞跨电容Cfly进行充电时,还可通过与缓启电阻连接的输入电源DC source2进行,此处不再赘述。
示例四
对于图8所示的多电平拓扑电路,可采用如下方式对飞跨电容(即Cfly)进行充电。
S1:辅源接通后,控制闭合拓扑中的开关器件T1、T2、T5、T6。将输入电容Cin与飞跨电容Cfly1、飞跨电容Cfly2并联起来。
S2:用一个直流电源(例如反激电源),将该电源的输出接在输入电容Cin两端,对并联在一起的输入电容Cin、飞跨电容Cfly1和飞跨电容Cfly2充电,充电的目标值为飞跨电容Cfly1正常工作时的电压,即DC source1电压的1/4。
S3:当飞跨电容Cfly1达到目标值后,断开T2和T5,将飞跨电容Cfly1与输入电容Cin断开。此时飞跨电容Cfly2与输入电容Cin仍并联。
S4:继续对飞跨电容Cfly2和输入电容Cin充电,充电的目标值为飞跨电容Cfly2正常工作时的电压,即DC source1电压的一半。
S5:当飞跨电容Cfly2达到目标值后,断开T1和T6,将飞跨电容Cfly2与输入电容Cin断开。
S6:继续对输入电容Cin充电,目标值为DC source1的电压。
S7:达到目标值后,停止充电,输入电容Cin的电压与DC source1电压相等,K1两端没有电压差,直接将K1闭合。
S8:Buck电路正常发波,通过调节各个半导体开关管的状态控制输出电容Cout的电压,目标值从0到DC soruce2的电压缓慢增加。
S9:当Cout电容电压达到DC soruce2的电压时,K2两端没有电压差,直接将K2闭合。
基于同一发明构思,本申请实施例还提供一种飞跨电容充电装置,该装置可用于执行图5所示的飞跨电容的充电方法。
参见图11,该飞跨电容充电装置1100包括多电平拓扑电路1101及控制器1102;其中,多电平拓扑电路通过第一开关与输入电源连接,多电平拓扑电路通过第二开关与输出电源连接,多电平拓扑电路1101中包含一个或多个飞跨电容;一个或多个飞跨电容中的第一电容的第一端与第一半导体开关管的第一电极连接,第一电容的第二端与第二半导体开关管的第二电极连接,第一半导体开关管的第二电极通过第二电容与第二半导体开关管的第一电极连接;其中,第一电容为一个或多个飞跨电容中的任一飞跨电容,第二电容为输入电容、输出电容或者一个或多个飞跨电容中除第一电容之外的另一个飞跨电容。
其中,控制器1102用于:闭合第一半导体开关管和第二半导体开关管,使第一电容与第二电容并联;将第一电容和第二电容充电至第一设定电压值;断开第一半导体开关管和第二半导体开关管;将第二电容充电至第二设定电压值。
需要说明的是,本申请实施例中对多电平拓扑电路1101的具体结构不做限制。只要该多电平拓扑电路1101中包含第一电容、第二电容、第一半导体开关管和第二半导体开关管,且它们的连接关系满足上述描述即可。示例性地,多电平拓扑电路1101可以为图1、图4、图6~图10所示的任一多电平拓扑电路。
可选地,控制器1102在将第一电容充电至第一设定电压值时,具体用于:通过外接直流电源将第一电容充电至第一设定电压值;或者,通过缓启电阻与输入电源或输出电源连接,将第一电容充电至第一设定电压值。
当多电平拓扑电路1101为仅用于降压或者仅用于升压的电路时,控制器1102还用于:在一个或多个飞跨电容以及输入电容均充电完成后,闭合第一开关;将多电平拓扑电路1101调整至正常工作状态,控制输出电容充电至第三设定电压值,第三设定电压值为输出电源的电压值;闭合第二开关。
当多电平拓扑电路1101为仅用于降压或者仅用于升压的电路时,控制器1102还用于:在一个或多个飞跨电容以及输出电容均充电完成后,闭合第二开关;将多电平拓扑电路1101调整至正常工作状态,控制输入电容充电至第四设定电压值,第四设定电压值为输入电源的电压值;闭合第一开关。
当多电平拓扑电路1101为升降压式变换电路时,控制器1102还用于:在一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及输入电容均充电完成后,闭合第一开关;其中,多电平拓扑电路1101为升降压式变换电路,第一部分飞跨电容为第一电容所在的降压电路或升压电路中的所有飞跨电容;将多电平拓扑电路1101调整至正常工作状态,控制输出电容充电至第五设定电压值,第五设定电压值为输出电源的电压值;并,控制一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;闭合第二开关。
当多电平拓扑电路1101为升降压式变换电路时,控制器1102还用于:在一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及输出电容均充电完成后,闭合第二开关;其中,多电平拓扑电路1101为升降压式变换电路,第一部分飞跨电容为第一电容所在的降压电路或升压电路中的所有飞跨电容;将多电平拓扑电路1101调整至正常工作状态,控制输入电容充电至第六设定电压值,第六设定电压值为输入电源的电压值;并,控制一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;闭合第一开关。
可选地,第一设定电压值为U*1/2N,第二设定电压值为U*1/2N-1,其中,U为输入电源的电压值或输出电压的电压值,N为正整数。
本申请是参照根据本申请的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品,该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上,使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
在上述实施例中,可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时,可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时,全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中,或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输,例如,所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质,(例如,软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如,DVD)、或者半导体介质(例如固态硬盘solid state disk(SSD))等。

Claims (14)

1.一种飞跨电容充电方法,其特征在于,所述方法应用于飞跨电容钳位的多电平拓扑电路,所述多电平拓扑电路通过第一开关与输入电源连接,所述多电平拓扑电路通过第二开关与输出电源连接,所述多电平拓扑电路中包含一个或多个飞跨电容;所述一个或多个飞跨电容中的第一电容的第一端与第一半导体开关管的第一电极连接,所述第一电容的第二端与第二半导体开关管的第二电极连接,所述第一半导体开关管的第二电极通过第二电容与所述第二半导体开关管的第一电极连接;其中,所述第一电容为所述一个或多个飞跨电容中的任一飞跨电容,所述第二电容为输入电容、输出电容或者所述一个或多个飞跨电容中除所述第一电容之外的另一个飞跨电容;
所述方法包括:
闭合所述第一半导体开关管和所述第二半导体开关管,使所述第一电容与所述第二电容并联;
将所述第一电容与第二电容充电至第一设定电压值;
断开所述第一半导体开关管和所述第二半导体开关管;
将所述第二电容充电至第二设定电压值。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述一个或多个飞跨电容以及所述输入电容均充电完成后,闭合所述第一开关;
将所述多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制所述输出电容充电至第三设定电压值,所述第三设定电压值为所述输出电源的电压值;
闭合所述第二开关。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述一个或多个飞跨电容以及所述输出电容均充电完成后,闭合所述第二开关;
将所述多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制所述输入电容充电至第四设定电压值,所述第四设定电压值为所述输入电源的电压值;
闭合所述第一开关。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及所述输入电容均充电完成后,闭合所述第一开关;其中,所述多电平拓扑电路为升降压式变换电路,所述第一部分飞跨电容为所述第一电容所在的降压电路或升压电路中的所有飞跨电容;
将所述多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制所述输出电容充电至第五设定电压值,所述第五设定电压值为所述输出电源的电压值;并,控制所述一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;
闭合所述第二开关。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及所述输出电容均充电完成后,闭合所述第二开关;其中,所述多电平拓扑电路为升降压式变换电路,所述第一部分飞跨电容为所述第一电容所在的降压电路或升压电路中的所有飞跨电容;
将所述多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制所述输入电容充电至第六设定电压值,所述第六设定电压值为所述输入电源的电压值;并,控制所述一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;
闭合所述第一开关。
6.如权利要求1~5任一项所述的方法,其特征在于,所述第一设定电压值为U*1/2N,所述第二设定电压值为U*1/2N-1,其中,U为所述输入电源的电压值或所述输出电压的电压值,N为正整数。
7.如权利要求1~6任一项所述的方法,其特征在于,将所述第一电容充电至第一设定电压值,包括:
通过外接直流电源将所述第一电容充电至第一设定电压值;或者,
通过缓启电阻与所述输入电源或所述输出电源连接,将所述第一电容充电至第一设定电压值。
8.一种飞跨电容充电装置,其特征在于,包括多电平拓扑电路及控制器;其中,所述多电平拓扑电路通过第一开关与输入电源连接,所述多电平拓扑电路通过第二开关与输出电源连接,所述多电平拓扑电路中包含一个或多个飞跨电容;所述一个或多个飞跨电容中的第一电容的第一端与第一半导体开关管的第一电极连接,所述第一电容的第二端与第二半导体开关管的第二电极连接,所述第一半导体开关管的第二电极通过第二电容与所述第二半导体开关管的第一电极连接;其中,所述第一电容为所述一个或多个飞跨电容中的任一飞跨电容,所述第二电容为输入电容、输出电容或者所述一个或多个飞跨电容中除所述第一电容之外的另一个飞跨电容;
所述控制器用于:
闭合所述第一半导体开关管和所述第二半导体开关管,使所述第一电容与所述第二电容并联;
将所述第一电容和第二电容充电至第一设定电压值;
断开所述第一半导体开关管和所述第二半导体开关管;
将所述第二电容充电至第二设定电压值。
9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述控制器还用于:
在所述一个或多个飞跨电容以及所述输入电容均充电完成后,闭合所述第一开关;
将所述多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制所述输出电容充电至第三设定电压值,所述第三设定电压值为所述输出电源的电压值;
闭合所述第二开关。
10.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述控制器还用于:
在所述一个或多个飞跨电容以及所述输出电容均充电完成后,闭合所述第二开关;
将所述多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制所述输入电容充电至第四设定电压值,所述第四设定电压值为所述输入电源的电压值;
闭合所述第一开关。
11.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述控制器还用于:
在所述一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及所述输入电容均充电完成后,闭合所述第一开关;其中,所述多电平拓扑电路为升降压式变换电路,所述第一部分飞跨电容为所述第一电容所在的降压电路或升压电路中的所有飞跨电容;
将所述多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制所述输出电容充电至第五设定电压值,所述第五设定电压值为所述输出电源的电压值;并,控制所述一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;
闭合所述第二开关。
12.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述控制器还用于:
在所述一个或多个飞跨电容中的第一部分飞跨电容以及所述输出电容均充电完成后,闭合所述第二开关;其中,所述多电平拓扑电路为升降压式变换电路,所述第一部分飞跨电容为所述第一电容所在的降压电路或升压电路中的所有飞跨电容;
将所述多电平拓扑电路调整至正常工作状态,控制所述输入电容充电至第六设定电压值,所述第六设定电压值为所述输入电源的电压值;并,控制所述一个或多个飞跨电容中的第二部分飞跨电容分别充电至各自的理想电压值;
闭合所述第一开关。
13.如权利要求8~12任一项所述的装置,其特征在于,所述第一设定电压值为U*1/2N,所述第二设定电压值为U*1/2N-1,其中,U为所述输入电源的电压值或所述输出电压的电压值,N为正整数。
14.如权利要求8~13任一项所述的装置,其特征在于,所述控制器在将所述第一电容充电至第一设定电压值时,具体用于:
通过外接直流电源将所述第一电容充电至第一设定电压值;或者,
通过缓启电阻与所述输入电源或所述输出电源连接,将所述第一电容充电至第一设定电压值。
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