CN102280484B - 一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其中；还包括一P+区域和一N+区域，所述P+区域和所述N+区域分别设置在所述源电极的源区上。本发明各电极保护效果好，具有过压保护，栅区不容易损坏，结构和制造工艺均较简单，使用寿命长。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术，尤其涉及的是一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件及其制造方法。
背景技术
现有技术中，现有的功率器件，例如，VDMOS（垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管），一种栅极电压控制，二种载流子参入导电的器件，他具有驱动电路简单，电流能力大，易于集成等优点。栅电极的面积占据其总面积的一半以上，栅区很容易损坏。同时栅漏之间在工作电压冲击下也容易损坏，为了保护栅源之间的电极及栅漏之间的电极，传统的方法是利用多晶硅形成串联二极管保护栅源之间电极及栅漏之间的电极，但是多晶硅的击穿电压及掺杂控制较难，对于工艺制程要求很高。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种各电极保护效果好，具有过压保护，栅区不容易损坏，结构和制造工艺均较简单，使用寿命长的栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件。
本发明的技术方案如下：一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其中；还包括一P+区域和一N+区域，所述P+区域和所述N+区域分别设置在所述源电极的源区上。
应用于上述技术方案，所述的晶体管功率器件中，对应所述P+区域和所述N+区域，还分别设置一栅漏电极二极管保护区域和一栅源二极管保护区域，所述栅漏电极二极管保护区域和所述栅源二极管保护区域分别设置在所述晶体管功率器件的两边缘部。
应用于上述各个技术方案，所述的晶体管功率器件中，所述晶体管功率器件为VDMOS功率器件或IGBT功率器件。
应用于上述各个技术方案，一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件的制造方法中，包括如下步骤：A、热场氧化所述硅片，并且，沉积多晶硅，形成所述栅氧化层和所述多晶硅层；B、光刻多晶硅区，形成所述栅电极，并且，形成所述源电极和所述漏电极；C、场氧化开出P+窗口，通过硼注入，形成所述P+区域；D、场氧化开出N+窗口，通过磷注入，形成所述 N+区域；E、形成所述晶体管功率器件。
应用于上述各个技术方案，所述的制造方法中，步骤E具体执行：形成一VDMOS功率器件或一IGBT功率器件。
应用于上述各个技术方案，所述的制造方法中，步骤D之后，还执行步骤D1：在所述晶体管功率器件两边缘部分别串联PN二极管，与所述P+区域和所述N+区域相对应，分别形成所述栅漏电极二极管保护区域和所述栅源二极管保护区域。
应用于上述各个技术方案，所述的制造方法中，在步骤D1之后，还执行步骤D2：设置所述PN二极管的串联间距，使PN二极管的击穿电压，低于所述栅电极和源电极之间的击穿电压、以及低于所述栅电极和所述漏电极之间的击穿电压，并且，高于10倍阈值电压。
应用于上述各个技术方案，所述的制造方法中，步骤D之后，还执行步骤D1：在所述晶体管功率器件一边缘部串联PNP三极管，与所述P+区域相对应，并且，在另其一边缘部串联PN二极管，与所述N+区域相对应，分别形成所述栅漏电极二极管保护区域和所述栅源二极管保护区域。
应用于上述各个技术方案，所述的制造方法中，在步骤D1之后，还执行步骤D2：设置所述PNP三极管和所述PN二极管的串联间距，使PNP三极管和PN二极管的击穿电压，低于所述栅电极和源电极之间的击穿电压和低于所述栅电极和所述漏电极之间的击穿电压，并且，高于10倍阈值电压。
应用于上述各个技术方案，所述的制造方法中，采用封装时打线的方式，串联各所述PN二极管或所述PN三极管。
采用上述方案，本发明通过设置一P+区域和一N+区域，并且，将所述P+区域和所述N+区域分别设置在所述源电极的源区上，再通过所述P+区域和所述N+区域分别与外部或内部的二极管或三极管串联，形成栅漏电极和栅源电极的保护电极，从而使所述晶体管功率器件具有过压保护，使其栅区不容易损坏，使用寿命长，并且，所述晶体管功率器件结构和制造工艺均较简单。
附图说明
图1为本发明中晶体管功率器件的一种结构示意图；
图2为本发明中晶体管功率器件制造方法的一种流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本发明进行详细说明。
实施例1
如图1所示，本实施例提供了一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件，其中，所述晶体管功率器件可以为VDMOS（垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，或者，也可以为IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件。
所述晶体管功率器件包括硅片105、栅氧化层106、多晶硅层107，并且，所述晶体管功率器件还设置有栅电极102、源电极103和漏电极，其中，可以采用热氧化二氧化硅作为栅氧化层，淀积多晶硅作为所述栅电极，再淀积二氧化硅隔离绝缘栅电极和源电极。
并且，所述晶体管功率器件还包括一P+区域109和一N+区域108，所述P+区域109和所述N+区域108分别设置在所述源电极的源区上，所述P+区域109可以通过所述晶体管功率器件在场氧化时开出P+窗口，并通过硼注入形成，所述P+区域109可以作为PN二极管的P区，与外部的二极管串联形成PN二极管，或者，与外部的三极管串联，形成PNP三极管；并且，所述N+区域108可以通过所述晶体管功率器件在场氧化时开出N+窗口，通过磷注入形成，所述 N+区域108可以作为PN二极管的N区，与外部的二极管串联，形成PN二极管。
可以通过形成P+区域109和N+区域108，P+区域109作为PN二极管的P区或PNP三极管的P区，N+区域108作为PN二极管的N区，并且，分别与外部的二极管或三极管串联形成PN二极管和/或PNP三级管，从而使形成的PN二极管和/或PNP三极管的击穿电压，低于栅电极和源电极之间的击穿电压，以及低于栅电极和漏电极之间的击穿电压，并且，同时高于10倍阈值电压；从而对所述栅电极的栅区起到保护的作用，使所述栅区不容易损坏，结构简单，使用寿命长。
或者，对应所述P+区域109和所述N+区域108，还分别设置一栅漏电极二极管保护区域和一栅源二极管保护区域，即所述晶体管功率器件还包括串联的所述二极管，和/或串联的所述三极管。
例如，P+区域109与外部的三极管串联形成所述PNP三极管，并且，所述N+区域108与外部的二极管串联形成所述PN二极管，所述PNP三极管形成IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件的所述栅漏电极二极管保护区域，所述PN二极管形成IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件的所述栅源二极管保护区域；又如，P+区域109与外部的二极管串联形成所述PN二极管，并且，所述N+区域108与外部的二极管串联形成所述PN二极管，各PN二极管分别形成VDMOS（垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管）功率器件的所述栅漏电极二极管保护区域和所述栅源二极管保护区域；并且，所述栅漏电极二极管保护区域和所述栅源二极管保护区域分别设置在所述晶体管功率器件的两边缘部；方便所述晶体管功率器件的使用；并且，还使形成的PN二极管和/或PNP三极管的击穿电压，低于栅电极和源电极之间的击穿电压，以及低于栅电极和漏电极之间的击穿电压，并且，同时高于10倍阈值电压；从而对所述栅电极的栅区起到保护的作用，使所述栅区不容易损坏，结构简单，使用寿命长。
实施例2
如图2所示，在上述各例的基础上，本实施例提供了一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件的制造方法，所述制造方法用于制造上述各例所述栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件，所述晶体管功率器件可以为VDMOS（垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，或者，也可以为IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件。
所述制造方法包括如下步骤：首先，第一步A，热场氧化所述硅片，形成所述栅氧化层，并且，通过沉积多晶硅所述多晶硅层，其中，可以通过现有的各种制造工艺来形成所述栅氧化层和所述多晶硅层，采用二氧化硅作为所述栅氧化层。
然后，进行第二步B，通过光刻多晶硅区，来形成所述栅电极，并且，现有的工艺方法来形成所述源电极和所述漏电极，如此，使所述晶体管功率器件可以接通电源使用。
再执行第三步C，将所述晶体管功率器件外面的场氧化开出P+窗口，例如，在所述晶体管功率器件形成过程中硼注入，通过注入P+形成所述P+区域，所述P+区域可以作为VDMOS功率器件的PN二极管的P区，或者，也可以作为IGBT功率器件的PNP三极管的P区。
然后，执行第四步D：将所述晶体管功率器件外面的场氧化开出N+窗口，例如，在所述晶体管功率器件形成过程中磷注入，通过注入N+形成所述 N+区域，所述N+区域可以作为VDMOS功率器件的PN二极管的N区，或者，也可以作为IGBT功率器件的PN二极管的N区。
如此，即可以通过串联外部的PN二极管或PNP三极管，或者，串联设置在所述晶体管功率器件内部的PN二极管或PNP三极管形成所述VDMOS功率器件，或者，形成所述IGBT功率器件。
或者，在执行第四步D之后，还执行步骤D1：即在所述晶体管功率器件两边缘部分别串联PN二极管，与所述P+区域和所述N+区域相对应，分别形成所述栅漏电极二极管保护区域和所述栅源二极管保护区域。例如，可以在所述VDMOS功率器件的两边缘部分别串联PN二极管，分别形成所述栅漏电极二极管保护区域和所述栅源二极管保护区域。
或者，在上述步骤D1之后，还执行步骤D2：设置所述PN二极管的串联间距，使PN二极管的击穿电压，低于所述栅电极和源电极之间的击穿电压、以及使PN二极管的击穿电压，低于所述栅电极和所述漏电极之间的击穿电压，并且，同时使所述PN二极管的击穿电压高于10倍阈值电压；从而达到保护栅电极和漏电极之间电极，以及保护栅电极和源电极之间的电极的作用，即在过压输入时，串联的各PN二级管首先被击穿，使各晶体管功率器件具有过压保护功能。
又如，执行的步骤D1为：在所述晶体管功率器件一边缘部串联PNP三极管，与所述P+区域相对应，并且，在其另一边缘部串联PN二极管，与所述N+区域相对应，分别形成所述栅漏电极二极管保护区域和所述栅源二极管保护区域。例如，可以在IGBT功率器件的一边缘部串联PNP三极管，与所述P+区域相对应，形成所述栅漏电极二极管保护区域，并且，在IGBT功率器件的另一边缘部串联PN二极管，与所述N+区域相对应，形成所述栅源二极管保护区域。
又或者，在上述各例的基础上，执行的步骤D2为：设置所述PNP三极管和所述PN二极管的串联间距，如，设计PNP三极管的环区，使PN三极管的击穿电压低于所述栅电极和所述漏电极之间的击穿电压，并且，设置所述PN二极管的串联间距，使PN二极管的击穿电压低于所述栅电极和源电极之间的击穿电压，并且，所述设置所述PNP三极管的击穿电压和所述PN二极管的击穿电压高于10倍阈值电压；从而达到保护栅电极和漏电极之间电极，以及保护栅电极和源电极之间的电极的作用，即在过压输入时，串联的各PN二级管和PNP三极管首先被击穿，使各晶体管功率器件具有过压保护功能。。
又或者，在上述各例的基础上，在封装各晶体管功率器件时，是采用封装时打线的方式，串联各所述PN二极管或所述PNP三极管，从而形成VDMOS的功率器件的栅电极和漏电极之间电极保护的PN二极管、及栅电极和源电极之间电极保护的PN二极管，或者，形成IGBT的功率器件的栅电极和漏电极之间电极保护PNP三极管、及栅电极和源电极之间电极保护PN二极管。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (6)
1.一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；
还包括一P+区域和一N+区域，所述P+区域和所述N+区域分别设置在所述源电极的源区上；
对应所述N+区域，还包括一二极管，所述 N+区域与所述二极管串联，形成栅源二极管保护区域；
对应所述P+区域，还包括一二极管，所述P+区域与所述二极管串联，形成栅漏二极管保护区域。
2.根据权利要求1所述的晶体管功率器件，其特征在于，所述晶体管功率器件为VDMOS功率器件或IGBT功率器件。
3.一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、热场氧化硅片，并且，沉积多晶硅，形成栅氧化层和多晶硅层；
B、光刻多晶硅区，形成栅电极，并且，形成源电极和漏电极;
C、场氧化开出P+窗口，通过硼注入，形成P+区域；
D、场氧化开出N+窗口，通过磷注入，形成 N+区域；
D1、在晶体管功率器件两边缘部分别串联PN二极管，与所述P+区域和所述N+区域相对应分别形成栅漏电极二极管保护区域和栅源二极管保护区域;
E、形成所述晶体管功率器件。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，步骤E具体执行：形成一VDMOS功率器件或一IGBT功率器件。
5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在步骤D1之后，还执行步骤D2：设置所述PN二极管的串联间距，使PN二极管的击穿电压，低于所述栅电极和源电极之间的击穿电压、以及低于所述栅电极和所述漏电极之间的击穿电压，并且，高于10倍阈值电压。
6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：采用封装时打线的方式，串联各所述PN二极管。
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