CN102248719A - 陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法 - Google Patents

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Abstract

一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和边界反应层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层不同的材料的层，所述边界反应层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种的层。

Description

陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法
相关申请的互见参照
本申请基于以下专利申请并要求以下专利申请的优先权权益：2010年3月9日提交的日本专利申请2010-051573；和2010年11月30日提交的日本专利申请2010-267646，在此将其全部内容引入以作参考。
技术领域
本发明涉及陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法。
背景技术
近年来，随着在例如包括手机的移动通信器件、AV器件和电脑器件的领域中产品的小型化和高性能化的发展，也要求用于这些器件的各种电子部件的小型化和高性能化。为了处理此类各种电子部件的小型化和高性能化，作为电子器件，目前在基板中具有导体(下文中，称为“内部导体”)如电极和配线的表面安装器件(SMD)成为主流。
SMD具有印制电路板，在所述印制电路板上安装各部件如IC芯片和其它芯片部件。作为在SMD上安装的电子器件，使用通过将多种具有不同材料特性的陶瓷组合物同时煅烧获得的层压陶瓷电子部件。层压陶瓷电子部件包括例如由磁性材料和介电材料的组合而组成的LC滤波器以及包含由高介电常数材料和低介电常数材料的组合而组成的电容器的电路基板(元件)。
在LC滤波器的情况下，由具有低介电常数和高Q因子的陶瓷材料制成以提供高自谐振频率的感应器部和由具有优异的温度特性和高介电常数的材料制成的电容器部的组合导致具有高Q因子和优异的温度特性的LC元件。在包含于电路基板的电容器的情况下，高介电常数材料和低介电常数材料的组合导致与仅由高介电常数材料制成的电容器相比降低的分布电容，以及与仅由低介电常数材料制成的电容器相比增加的电容。
例如，作为通过将在微波带具有高相对介电常数和此外高Q因子的绝缘层与具有低相对介电常数的绝缘层同时煅烧和一体化而制作的电路基板，提供已知的层压陶瓷电子部件(例如，参见日本特开专利公布2001-284807)。作为通过将具有不同介电常数的层材料配置和一体化煅烧而制作的介质谐振器，提供另一已知的层压陶瓷电子部件(例如，参见日本特开专利公布61-212101和日本特开专利公布02-086188)。作为其中将组成比为第一生坯片和第二生坯片的组成比之间的中间值的第三玻璃陶瓷的玻璃陶瓷层设置于第一生坯片和第二生坯片之间的生坯片层压体，提供另一已知的层压陶瓷电子部件(例如，参见日本专利2739767)。
然而，在通过同时煅烧不同材料以层压多种电介质层而形成的电子器件中，存在电介质层之间的粘合性可能不充分的问题，由此使得电介质层更容易剥离。因而，在包括通过层压多种电介质层而制作的陶瓷电子部件的电子器件中，期望开发对于待组合的电介质层材料不进行限制的陶瓷电子部件。
发明内容
根据本发明一方面的陶瓷电子部件包括第一电介质层，所述第一电介质层包含BaO、Nd2O3和TiO2；第二电介质层，所述第二电介质层包含与第一电介质层不同的材料；和边界反应层，所述边界反应层形成于第一电介质层和第二电介质层之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种。
根据本发明另一方面的制造陶瓷电子部件的方法包括以下步骤：将包含Ba、Nd和Ti的第一母料和至少包含ZnO的第一添加剂混合以生产第一混合物；在800℃以上至950℃以下的温度下在氧气氛中煅烧第一混合物以生产第一成品材料；将包含与第一母料不同的材料的第二母料和至少包含ZnO的第二添加剂混合以生产第二混合物；在800℃以上至950℃以下的温度下在氧气氛中煅烧第二混合物以生产第二成品材料；交替层压第一片体和第二片体以形成片层压体，所述第一片体通过将包含第一成品材料的第一浆料成形为片形获得，所述第二片体通过将包含第二成品材料的第二浆料成形为片形获得；和烧结片层压体以生产层压烧结体。
当结合附图考虑时，通过阅读本发明的目前优选实施方案的以下详细描述，将更好地理解本发明的上述和其它目的、特征、优点以及技术和工业意义。
附图说明
图1为示出根据本发明示例性实施方案的陶瓷电子部件构造的简化截面图；
图2为示出根据本发明示例性实施方案的制造陶瓷电子部件方法的流程图；
图3为示意性示出当将本发明中的陶瓷电子部件用作LC滤波器时的实施方案的概念图；
图4为示出实施例7中芯片边界附近的COMPO图像的图；
图5为示出实施例7中芯片的Zn组分的EDS图像的图；
图6为示出实施例7中芯片的Ti组分的EDS图像的图；
图7为示出实施例7中芯片的Mg组分的EDS图像的图；
图8为示出实施例7中芯片的Cu组分的EDS图像的图。
具体实施方式
以下将参考附图详细描述本发明。然而，本发明不限于以下实施方式(下文中，称为实施方案)来进行本发明。以下实施方案中的要素包括本领域熟练技术人员容易想到的那些要素和实质上相同的要素，所谓的等价物(equivalent)。此外，适当时可组合以下实施方案公开的要素。
实施方案
以下将参考附图描述本发明的陶瓷电子部件的实施方案。图1为示出根据本发明示例性实施方案的陶瓷电子部件构造的简化截面图。如图1所示，本实施方案中的陶瓷电子部件10包括第一电介质层11、第二电介质层12和边界反应层13。第一电介质层11为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，第二电介质层12为包含与第一电介质层11材料不同的材料的层，边界反应层13为形成于第一电介质层11和第二电介质层12之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种的层。
第一电介质层
第一电介质层11由主组分包含BaO、Nd2O3和TiO2的层构成。
主组分
第一电介质层11的主组分至少包含BaO、Nd2O3和TiO2。所述主组分为例如BaO-Nd2O3-TiO2系或Bi2O3-BaO-Nd2O3-TiO2系电介质陶瓷。BaO、Nd2O3和TiO2的含量不具体限定，可在需要时调整。
对于BaO-Nd2O3-TiO2系化合物，由下式(1)中的组成式表示且满足由以下关系式(2)至关系式(5)表示的关系的化合物是优选的，其中在下式(1)和关系式(2)至(5)中的x、y和z以摩尔百分比计。
xBaO·yNd2O3·zTiO2        (1)
6.0≤x≤23.0               (2)
13.0≤y≤30.0              (3)
64.0≤z≤68.0              (4)
x+y+z＝100                 (5)
第一电介质层11可进一步包含除BaO、Nd2O3和TiO2之外的其它材料作为主组分。其它主组分为例如镁橄榄石(其化学式通常由2MgO·SiO2或Mg2SiO4表示，在本说明书中使用前者)、顽辉石(MgO·SiO2)和透辉石(CaO·MgO·2SiO2)。在这些主组分中，特别优选2MgO·SiO2。考虑到使介电损耗更小，2MgO·SiO2优选以镁橄榄石晶体形式包含于第一电介质层11中。在第一电介质层11中是否包含镁橄榄石晶体可通过X射线衍射光谱法(XRD)来检测。
BaO-Nd2O3-TiO2系化合物具有高的相对介电常数εr并且该相对介电常数εr值的范围为55至105。2MgO·SiO2作为单一物质具有低的相对介电常数εr，该相对介电常数εr的值为约6.8。第一电介质层11通过包含作为主组分的具有高相对介电常数εr的BaO-Nd2O3-TiO2系化合物和具有低相对介电常数εr的2MgO·SiO2而降低其相对介电常数εr。
BaO-Nd2O3-TiO2系化合物的Q·f因子为2000GHz以上至8000GHz以下。另一方面，2MgO·SiO2的Q·f因子为约200000GHz，2MgO·SiO2的介电损耗与BaO-Nd2O3-TiO2系化合物的介电损耗相比更小。在本实施方案中，具有小介电损耗的电介质层可通过包括作为第一电介质层11的主组分的BaO-Nd2O3-TiO2系化合物和2MgO·SiO2来形成。
表示介电损耗大小的Q·f因子为Q因子与共振频率f的乘积，所述Q因子为损耗角δ的正切tanδ的倒数，所述损耗角δ为实际电流和电压之间的相位差与理想电流和电压的相位差(90度)的差(Q＝1/tanδ)。
当将交流电流施加至理想电介质陶瓷时，电流和电压通常具有90度的相位差。然而，如果将AC电流的频率增加至达到高频，则电介质陶瓷的电极化或极性分子的取向不能追随高频电场的变化或者由于电子或离子的传导导致电通量密度相对于电场具有相位延迟(相位差)，因此实际电流和电压具有90度以外的相位差。将其中由于此相位差导致高频能量的一部分转化为热并散发的现象称为诱电损耗(inductive dielectri closs)。介电损耗的大小由Q·f因子表示。Q·f因子随着介电损耗减小而增大，随着介电损耗增大而减小。
副组分
第一电介质层11可进一步包含其副组分。包含于第一电介质层11的副组分包括例如锌氧化物(ZnO)、硼氧化物(B2O3)、铋氧化物(Bi2O3)、钴氧化物(CoO)、锰氧化物(MnO)、铜氧化物(CuO)、碱土金属氧化物、玻璃和钛氧化物(TiO2)，但不限于这些。如果将碱土金属氧化物用作副组分，则碱土金属氧化物优选钙氧化物(CaCO3)。玻璃优选包含锂氧化物(Li2O)的玻璃。
在各上述副组分包含于第一电介质层11的情况下，可降低第一电介质层11的烧结温度。将由Ag系金属等组成的导电性材料用作陶瓷电子部件10的内部导体。通过借助于在第一电介质层11中包括各副组分而降低第一电介质层11的烧结温度至低于导电性材料的熔点，可在较低温度下煅烧第一电介质层11。
虽然副组分的含量不具体限定，但优选所有副组分的总和相对于所有主组分的总和的量为1.0质量％以上至20.0质量％以下。
如果包含锌氧化物作为副组分，以当将锌氧化物的质量换算为ZnO时ZnO的质量比计，相对于100质量％的主组分，锌氧化物的含量优选0.1质量％以上至7.0质量％以下，特别优选1.5质量％以上至7.0质量％以下。
如果包含硼氧化物作为副组分，以当将硼氧化物的质量换算为B2O3时B2O3的质量比计，相对于100质量％的主组分，硼氧化物的含量优选0.1质量％以上至3.0质量％以下，特别优选1.0质量％以上至2.5质量％以下。
如果包含铋氧化物作为副组分，以当将铋氧化物的质量换算为Bi2O3时Bi2O3的质量比计，相对于100质量％的主组分，铋氧化物的含量优选1.0质量％以上至4.0质量％以下，特别优选1.5质量％以上至3.5质量％以下。
如果包含钴氧化物作为副组分，以当将钴氧化物的质量换算为CoO时CoO的质量比计，相对于100质量％的主组分，钴氧化物的含量优选0.5质量％以上至2.0质量％以下，特别优选1.0质量％以上至1.5质量％以下。
如果包含锰氧化物作为副组分，以当将锰氧化物的质量换算为MnO时MnO的质量比计，相对于100质量％的主组分，锰氧化物的含量优选0.3质量％以上至1.5质量％以下，特别优选0.5质量％以上至1.0质量％以下。
如果包含铜氧化物作为副组分，以当将铜氧化物的质量换算为CuO时CuO的质量比计，相对于100质量％的主组分，铜氧化物的含量优选0.1质量％以上至2.0质量％以下，特别优选0.7质量％以上至1.3质量％以下。
如果包含作为碱土金属氧化物的钙氧化物作为副组分，以当将钙氧化物的质量换算为CaCO3时CaCO3的质量比计，相对于100质量％的主组分，钙氧化物的含量优选0.1质量％以上至1.5质量％以下，特别优选0.5质量％以上至1.5质量％以下。
如果包含玻璃作为副组分，相对于100质量％的主组分，玻璃的含量优选2.0质量％以上至7.0质量％以下，特别优选4.0质量％以上至5.5质量％以下。
第二电介质层
第二电介质层12为包含与第一电介质层11的材料不同的材料的电介质层。像第一电介质层11一样，第二电介质层12包括主组分和副组分，但可由主组分专有地构成。在本实施方案中，第二电介质层12包括主组分和副组分。如果第二电介质层12的组分不完全等同于第一电介质层11的那些，则可设置包含与第一电介质层11的材料不同的材料的电介质层。例如，在第二电介质层12中可包含一部分第一电介质层11的组分。
主组分
第二电介质层12的主组分仅需要为与第一电介质层11的材料不同的材料，其类型不具体限定。可将公知的材料用作第二电介质层12的主组分。包含于第二电介质层12的主组分包括例如镁橄榄石(2MgO·SiO2)、顽辉石(MgO·SiO2)和透辉石(CaO·MgO·2SiO2)。在这些组分中，考虑到低相对介电常数εr和大的Q·f因子，优选具有镁橄榄石作为主组分的电介质层。
副组分
可将与包含于第一电介质层11中的副组分相同的副组分用作包含于第二电介质层12的副组分。如果包含于第二电介质层12的主组分仅为镁橄榄石，则当在低温下仅烧结镁橄榄石时副组分的含量增加。因而，作为所有副组分的总和相对于所有主组分的总和的量，包含于第二电介质层12的副组分的含量优选16.1质量％以上至48.0质量％以下。
如果包含锌氧化物作为副组分，以当将锌氧化物的质量换算为ZnO时ZnO的质量比计，相对于100质量％的主组分，锌氧化物的含量优选9.0质量％以上至18.0质量％以下，特别优选10.0质量％以上至16.0质量％以下。
如果包含硼氧化物作为副组分，以当将硼氧化物的质量换算为B2O3时B2O3的质量比计，相对于100质量％的主组分，硼氧化物的含量优选4.0质量％以上至10.0质量％以下，特别优选4.0质量％以上至10.0质量％以下。
如果包含铜氧化物作为副组分，以当将铜氧化物的质量换算为CuO时CuO的质量比计，相对于100质量％的主组分，铜氧化物的含量优选1.0质量％以上至8.0质量％以下，特别优选2.0质量％以上至6.0质量％以下。
如果包含作为碱土金属氧化物的钙氧化物作为副组分，以当将钙氧化物的质量换算为CaCO3时CaCO3的质量比计，相对于100质量％的主组分，钙氧化物的含量优选0.1质量％以上至6.0质量％以下，特别优选0.1质量％以上至4.0质量％以下。
如果包含玻璃作为副组分，相对于100质量％的主组分，玻璃的含量优选2.0质量％以上至6.0质量％以下，特别优选4.0质量％以上至6.0质量％以下。
如果包含钛氧化物作为副组分，以当将钛氧化物的质量换算为TiO2时TiO2的质量比计，相对于100质量％的主组分，钛氧化物的含量优选0.5质量％以上至5.0质量％以下，特别优选1.0质量％以上至2.0质量％以下。
副组分不限于上述锌氧化物、硼氧化物、铜氧化物、碱土金属氧化物、玻璃和钛氧化物，可包含Bi2O3、CoO和MoO等的至少一种。
边界反应层
边界反应层13为形成于第一电介质层11和第二电介质层12之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种的层。在第一电介质层11和第二电介质层12之间存在边界反应层13的情况下，可将第一电介质层11和第二电介质层12进行层压同时经由边界反应层13保持强的粘合强度。因而，在第一电介质层11和第二电介质层12之间形成边界反应层13的情况下，能够抑制层压的第一电介质层11和第二电介质层12的剥离。
当将第一电介质层11和第二电介质层12层压同时煅烧时，认为包含于第一电介质层11或第二电介质层12的各组分移动至第一电介质层11和第二电介质层12之间的界面附近，从而形成边界反应层13。边界反应层13通过煅烧包含于第一电介质层11或第二电介质层12中的各组分形成，因而，边界反应层13以固定厚度形成于第一电介质层11和第二电介质层12之间。此外，边界反应层13通过包括和烧结与第一电介质层11或第二电介质层12的组分等效的组分形成，因而认为作为形成边界反应层13的至少一种组分的包含于边界反应层13中的Zn、Ti、Cu和Mg形成Zn、Ti、Cu和Mg的各自的氧化物。由于ZnO和TiO2是高反应性的，因此认为在相对低温度下形成ZnTiO3结晶相。在边界反应层13内部存在ZnTiO3结晶相的情况下，认为其有助于第一电介质层11和第二电介质层12之间的粘合性。因此，可将第一电介质层11和第二电介质层12稳定地层压同时经由边界反应层13保持强的粘合强度。
如上所述，认为包含于边界反应层13中的Zn、Ti、Cu和Mg形成Zn、Ti、Cu和Mg的各自的氧化物。当将包含ZnO和TiO2的层浸渍于镀覆液中以镀覆包含ZnO和TiO2的层的表面时，能够抑制镀覆液渗透入ZnO和TiO2的层。边界反应层13为包含ZnO和TiO2作为其组分的层，因而，当镀覆陶瓷电子部件10的表面时，镀覆液将不会渗透入边界反应层13中。在第一电介质层11和第二电介质层12之间形成边界反应层13的情况下，能够防止镀覆液渗透入边界反应层13中。因而，能够防止层压的第一电介质层11和第二电介质层12剥离，同时防止镀覆液渗透入边界反应层13中。
边界反应层13为包含Cu和/或Mg的层。边界反应层13通过层压和烧结第一电介质层11和第二电介质层12形成，因而，认为作为构成边界反应层13的组分包含的Cu和/或Mg被氧化，并分别作为CuO和/或MgO被包含。此外，认为Cu和Mg容易与Ti形成化合物。在CuO和/或MgO作为构成边界反应层13的组分与TiO一起包含于边界反应层13的情况下，认为CuO和/或MgO以其中CuO和/或MgO结合至TiO2的状态存在于边界反应层13内部。因而，边界反应层13除了Zn和Ti之外还包含Cu和/或Mg的情况下，边界反应层13可使得第一电介质层11和第二电介质层12通过经由边界反应层13保持强的粘合强度同时通过维持边界反应层13的固定厚度而稳定地层压。
因而，即使第一电介质层11和第二电介质层12为不同材料的层并且将第一电介质层11和第二电介质层12层压和形成，在第一电介质层11和第二电介质层12之间存在包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种的边界反应层13的情况下，可将第一电介质层11和第二电介质层12稳定地层压同时经由边界反应层13保持强的粘合强度。因此，在第一电介质层11和第二电介质层12之间形成边界反应层13的情况下，能够抑制层压的第一电介质层11和第二电介质层12的剥离。
包含于边界反应层13的Zn的形式不具体限定，包含如单质、氧化物和锌化合物。锌化合物包括硫酸锌和氯化锌。考虑到当用于陶瓷电子部件10时的导电性和寿命，期望包含于边界反应层13的Zn的形式为ZnO。
包含于边界反应层13的Ti的形式不具体限定，包含如单质、钛氧化物和钛化合物。钛化合物包括如氯化钛。考虑到当用于陶瓷电子部件10时的导电性和寿命，期望包含于边界反应层13的Ti的形式为TiO2。
包含于边界反应层13的Cu的形式不具体限定，包含如单质、铜氧化物和铜化合物。铜化合物包括如硫酸铜和氯化铜。考虑到当用于陶瓷电子部件10时的导电性和寿命，期望包含于边界反应层13的Cu的形式为CuO。
包含于边界反应层13的Mg的形式不具体限定，包含如单质、镁氧化物和化合物。该化合物包括如硫酸镁和氯化镁。考虑到当用于陶瓷电子部件10时的导电性和寿命，期望包含于边界反应层13的Mg的形式为MgO。
在本实施方案中，Ti、Zn、Cu和Mg的配混比不具体限定，可在需要时调整。
在本实施方案中，假定边界反应层13为包含Zn、Ti、Cu或Mg的层，但在本实施方案中的陶瓷电子部件10不限于此，边界反应层13仅需要为包含Zn、Ti、Cu或Mg的至少一种的层。考虑到更有效地抑制像第一电介质层11和第二电介质层12一样的包含不同材料的电介质层剥离的发生，优选边界反应层13为包含Zn和Ti及选自Cu和Mg之一或两者的层。此外，除了组分Zn、Ti、Cu和Mg之外，边界反应层13还可包含CoO、Fe2O3和NiO等作为包含于边界反应层13的组分。
边界反应层13的厚度可视情况基于第一电介质层11和第二电介质层12的材料为合适的厚度，并且不具体限定。考虑到使第一电介质层11和第二电介质层12稳定地层压，同时维持边界反应层13与第一电介质层11和第二电介质层12的边界面附近的介电特性，边界反应层13的厚度优选1μm以上至10μm以下。这是因为，如果边界反应层13的厚度低于1μm，则不能维持与第一电介质层11和第二电介质层12的边界面附近的介电特性。如果边界反应层13的厚度超过10μm，则不能具有稳定性地将第一电介质层11和第二电介质层12进行层压。
在本实施方案中，边界反应层13与第一电介质层11和第二电介质层12的边界面不必须明确，边界反应层13与第一电介质层11和第二电介质层12的边界面可从边界反应层13与第一电介质层11和第二电介质层12的边界面附近包含的材料组分量的比或在使用扫描电子显微镜(SEM)观察组成(COMPO)图像期间观察到的对比度等来确定。
作为边界反应层13的形成方法，已知同时煅烧第一电介质层11和第二电介质层12以形成边界反应层13的方法。第一电介质层11由用于构成第一电介质层11的第一母料和第一添加剂构成，第二电介质层12由用于构成第二电介质层12的第二母料和第二添加剂构成。将这些第一母料、第一添加剂、第二母料和第二添加剂同时煅烧以引起反应，从而形成第一电介质层11和第二电介质层12，可构成边界反应层13的材料移动至第一电介质层11和第二电介质层12之间，因而，边界反应层13形成于第一电介质层11和第二电介质层之间，同时能够将第一电介质层11、第二电介质层12和边界反应层13一体化。
形成边界反应层13的方法不具体限于此，在将构成第一电介质层11和边界反应层13的材料层压和煅烧后，可将第二电介质层12堆叠于形成的边界反应层13上。或者，在将构成第二电介质层12和边界反应层13的材料层压和煅烧后，可将第一电介质层11堆叠于形成的边界反应层13上。
在本实施方案中，优选在第一电介质层11和第二电介质层12两者中均包含ZnO。当将包含ZnO和TiO2的层浸渍于镀覆液中时，该层具有抑制镀覆液渗透入包含ZnO和TiO2的层中的效果。如果在第一电介质层11和第二电介质层12两者中均包含ZnO，认为通过ZnO和TiO2的反应产生的化合物的量在第一电介质层11和第二电介质层12之间的边界反应层13中增加。因此，更加可靠地防止镀覆液渗透入边界反应层13中。此外，认为通过ZnO和TiO2的反应产生的ZnTiO3结晶相有助于第一电介质层11和第二电介质层12之间的粘合。因此，通过在第一电介质层11和第二电介质层12中均包括ZnO，能够更可靠地防止层压的第一电介质层11和第二电介质层12剥离。
当通过在第一电介质层11和第二电介质层12中均包括ZnO制造陶瓷电子部件10时，通过包括ZnO分别作为第一添加剂和第二添加剂同时煅烧包含Ba、Nd和Ti的第一母料和第二母料。第二母料包含Ti，第一添加剂和第二添加剂包含Zn。通过同时煅烧包含于第一电介质层11中的Ti和包含于第一添加剂和第二添加剂中的Zn以引起反应，形成第一电介质层11和第二电介质层12，在第一电介质层11和第二电介质层12之间形成包含ZnO和TiO2的边界反应层13，此外在第一电介质层11和第二电介质层12中均包含ZnO。
当煅烧第一母料和第一添加剂以生产煅烧粉末时，煅烧温度优选800℃以上至950℃以下，更优选800℃以上至900℃以下，最优选830℃以上至870℃以下。煅烧时间不具体限定，但优选两小时以上至五小时以下。
当煅烧第二母料和第二添加剂以生产煅烧粉末时，与上述情况一样，煅烧温度优选800℃以上至950℃以下，更优选800℃以上至900℃以下，最优选830℃以上至870℃以下。煅烧时间不具体限定，但优选两小时以上至五小时以下。
当煅烧中间材料以生产煅烧粉末时，与上述情况一样，煅烧温度优选800℃以上至950℃以下，更优选800℃以上至900℃以下，最优选830℃以上至870℃以下。煅烧时间不具体限定，但优选两小时以上至五小时以下。
在煅烧第一母料和第一添加剂之后，进行粉碎处理以粉碎至期望的晶粒尺寸，从而获得第一成品材料。在煅烧第二母料和第二添加剂之后，进行粉碎处理以粉碎至期望的晶粒尺寸，从而获得第二成品材料。如稍后所述，通过添加各第一成品材料和第二成品材料至浆料而制作涂料，然后，制作片体并将各片体交替层压，从而同时煅烧为片层压体。最佳煅烧温度为对于形成边界反应层13优选的温度，优选例如850℃以上至950℃以下，更优选880℃以上至920℃以下，最优选900℃以上至920℃以下。煅烧时间不具体限定，但优选半小时以上至两个半小时以下，特别优选约两小时。
因而，根据本实施方案中的陶瓷电子部件10，在边界反应层13包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种以及在第一电介质层11和第二电介质层12之间存在边界反应层13的情况下，可将第一电介质层11和第二电介质层12稳定地层压，同时经由边界反应层13保持强的粘合强度。因此，即使层压和形成像第一电介质层11和第二电介质层12一样的不同材料的电介质层，根据本实施方案的陶瓷电子部件10也能够防止在层压的第一电介质层11和第二电介质层12之间剥离。
制造陶瓷电子部件的方法
接下来，将使用附图描述制造具有上述构造的陶瓷电子部件的适合方法。图2为示出制造根据本发明示例性实施方案的陶瓷电子部件的方法的流程图。如图2所示，制造根据本实施方案的陶瓷电子部件10的方法包括以下示出的工艺(a)至(c)。
(a)成品材料生产工艺(步骤S11)：
将包含Ba、Nd和Ti的第一母料和至少包含ZnO的第一添加剂混合；
在800℃以上至950℃以下的温度下在氧气氛中煅烧所述混合物以生产第一成品材料；
将包含与第一母料的材料不同的材料的第二母料和至少包含ZnO的第二添加剂混合；和
在800℃以上至950℃以下的温度下在氧气氛中煅烧所述混合物以生产第二成品材料。
(b)片层压体形成工艺(步骤S12)：
交替层压通过将包含第一成品材料的第一浆料成形为片形获得的第一片体(第一生坯片)和通过将包含第二成品材料的第二浆料成形为片形获得的第二片体(第二生坯片)，从而形成片层压体。
(c)层压烧结体生产工艺(步骤S13)：
烧结片层压体以生产层压烧结体。
成品材料生产工艺：步骤S11
成品材料生产工艺(步骤S11)为其中将第一母料和第一添加剂混合并煅烧以生产第一成品材料以及将第二母料和第二添加剂混合并煅烧以生产第二成品材料的工艺。
第一母料包含Ba、Nd和Ti。除了Ba、Nd和Ti之外，第一母料可进一步包含Mg。第一添加剂包含ZnO、B2O3、Bi2O3、CoO、MnO、CuO、碱土金属氧化物和玻璃等的至少一种。考虑到改进第一电介质层11和边界反应层13之间的粘合强度，第一添加剂优选至少包含ZnO。
在成品材料生产工艺(步骤S11)中，将第一母料和第一添加剂混合以生产第一混合物。将第一混合物在氧气氛中煅烧以获得第一成品材料。用于煅烧的煅烧温度优选800℃以上至950℃以下，更优选800℃以上至900℃以下，最优选830℃以上至870℃以下。煅烧时间不具体限定，但优选两小时以上至五小时以下。第一成品材料为粉末形式，并通过湿式球磨机等粉碎。为了与第一添加剂有效混合，在将第一母料与第一添加剂混合之前，可将第一母料粉碎为粉末并煅烧。在此情况下，用于煅烧的煅烧温度优选1200℃以上至1300℃以下，更优选1250℃以上至1270℃以下，最优选约1270℃。煅烧时间不具体限定，但优选两小时以上至五小时以下。
如上所述，第二母料包含与第一母料的材料不同的材料。像第一添加剂一样，第二添加剂包含ZnO、B2O3、Bi2O3、CoO、MnO、CuO、碱土金属氧化物和玻璃等的至少一种。考虑到改进第二电介质层12和边界反应层13之间的粘合强度，像第一添加剂一样，第二添加剂优选至少包含ZnO。
在成品材料生产工艺(步骤S11)中，将第二母料和第二添加剂混合以生产第二混合物。与当生产第一混合物时一样，将第二混合物在氧气氛中煅烧以获得第二成品材料。用于煅烧的煅烧温度优选800℃以上至950℃以下，更优选800℃以上至900℃以下，最优选830℃以上至870℃以下。煅烧时间不具体限定，但优选两小时以上至五小时以下。像第一成品材料一样，第二成品材料也为粉末形式并通过湿式球磨机等粉碎。像第一母料一样，为了与第二添加剂有效混合，在将第二母料与第二添加剂混合之前，可将第二母料粉碎为粉末并煅烧。
在生产第一成品材料和第二成品材料之后，制造方法继续进行至片层压体形成工艺(步骤S12)。
片层压体形成工艺：步骤S12
片层压体形成工艺(步骤S12)为其中交替层压通过将包含第一成品材料的第一浆料成形为片形获得的第一生坯片(第一片体)和通过将包含第二成品材料的第二浆料成形为片形获得的第二生坯片(第二片体)以形成片层压体的工艺。
在片层压体形成工艺(步骤S12)中，将预定量的聚乙烯醇、丙烯酸类或乙基纤维素类有机粘合剂配混入第一成品材料中并混合以生产包含第一成品材料的第一浆料。将第一浆料用于片成形并通过刮刀法等以片形在多个位置处施涂至基板上。将施涂至基板的第一浆料干燥，从而获得多个第一生坯片。第一生坯片的形成方法不具体限定，只要能够以片形施涂第一浆料并且可为湿式形成方法如成片法(sheet method)或印刷法(printingmethod)或干式形成方法如加压成型即可。
像第一成品材料一样，对于第二成品材料，生产包含第二成品材料的第二浆料。像第一浆料一样，也将第二浆料用于片成形。将第二浆料以片形施涂至于基板上形成的第一片体上。将第二浆料通过刮刀法等施涂至第一生坯片上并将施涂至第一生坯片上的第二浆料干燥，从而形成多个第二生坯片。
通过交替层压多个第一生坯片和多个第二生坯片在基板上形成片层压体。在生产片层压体之后，在进行层压烧结体生产工艺(步骤S13)之前从基板除去片层压体。
层压烧结体生产工艺：步骤S13
层压烧结体生产工艺(步骤S13)为其中将片层压体烧结和固化以生产层压烧结体的工艺。在层压烧结体生产工艺(步骤S13)中，将获得的片层压体切割为预定形式，从而生产芯片型片层压体，并且在除去包含于第一生坯片和第二生坯片的粘合剂之后，烧结片层压体，从而生产层压烧结体。优选在氧气氛如空气中进行烧结。最佳烧结温度为对于形成边界反应层13优选的温度，优选例如850℃以上至950℃以下，更优选880℃以上至920℃以下，最优选900℃以上至920℃以下。
第一生坯片通过煅烧成为第一电介质层11，第二生坯片通过煅烧成为第二电介质层12。第一生坯片为通过使用第一母料成形为片形的片，因而，包含于第一母料的Ba、Nd和Ti也包含于第一生坯片中。通过烧结片层压体，包含于第一生坯片的Ba、Nd和Ti分别变为BaO、Nd2O3和TiO2，第一电介质层11包含BaO、Nd2O3和TiO2作为主组分。此外，通过烧结片层压体，边界反应层13形成于第一电介质层11和第二电介质层12之间。边界反应层13包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种，在第一电介质层11和第二电介质层12之间存在边界反应层13的情况下，可将第一电介质层11和第二电介质层12稳定地层压，同时经由边界反应层13保持强的粘合强度。
在获得的层压烧结体中形成外部电极和内部电极后，可通过镀覆层压烧结体至预定厚度来获得陶瓷电子部件10。因而，通过根据本实施方案的制造陶瓷电子部件的方法获得的陶瓷电子部件能够防止第一生坯片和第二生坯片之间剥离的发生，因此能够制造高度可靠的陶瓷电子部件。
可将玻璃粉末与第一生坯片和第二生坯片之一或两者混合。优选使用其玻璃软化点为450℃以上至650℃以下的玻璃粉末。作为形成边界反应层13的组分包含的Zn、Ti、Cu和Mg促进通过玻璃软化点低的玻璃的液相烧结，从而促进边界反应层13的烧结，因而形成具有固定厚度的边界反应层13。此外，可将第一电介质层11和第二电介质层12进行层压同时经由边界反应层13保持强的粘合强度。如果将第一电介质层和第二电介质层同时烧结，则通过包含于第一电介质层11和第二电介质层12之一或两者中的玻璃能够改进陶瓷电子部件的Q因子。
为了印刷内部电极，将第一生坯片和第二生坯片多次交替堆叠同时在其间配置要作为内部电极的导电性材料的Ag系金属，并将层压产物切割为预定尺寸，从而形成芯片型片层压体。在此情况下，最佳烧结温度为对于形成边界反应层13优选的温度，优选例如850℃以上至950℃以下，更优选880℃以上至920℃以下，最优选900℃以上至920℃以下。通过在获得的层压烧结体中形成外部电极，能够生产包含由Ag系金属组成的内部电极的陶瓷电子部件。对于外部电极，在电极中通常包含辅助材料如玻璃粉和氧化物。因而，将低于烧结芯片的温度的印刷温度用于印刷/煅烧。例如，将650℃以上至700℃以下的温度用于印刷。
陶瓷电子部件
本实施方案中的陶瓷电子部件可适合使用例如作为一种高频器件的多层器件的陶瓷电子部件。多层器件具有通过使用在其中一体化嵌入的多层陶瓷层组成的多层陶瓷基板在其中一体化生产或制造的电介质器件如电容器和感应器。此类多层陶瓷基板通过使用如上所述根据本实施方案的制造陶瓷电子部件的方法制造。除了多层器件之外，根据本实施方案的陶瓷电子部件也可适合用于LC滤波器。图3为示意性示出当将本实施方案中的陶瓷电子部件用作LC滤波器时的实施方案的概念图。如图3所示，LC滤波器20包括电容器21-1至21-3和线圈22。电容器21-1至21-3通过通路(via)(通路导体)23连接至线圈22。LC滤波器20的电容器部分具有三层结构，但在本实施方案中的陶瓷电子部件不限于三层结构，可采取任何多层结构。因而，本实施方案中的陶瓷电子部件可适合用作用于LC滤波器的多层SMD。
本实施方案中的陶瓷电子部件也适合用作用于以下的陶瓷电子部件：电容器、低通滤波器(LPF)、带通滤波器(BPF)、双工器(DPX)、耦合器(定向耦合器)和不平衡变压器(平衡-不平衡阻抗变换器)。
以下将使用实施例和比较例更具体地描述本发明，但本发明不限于以下实施例。
将描述生产母料的方法，该母料包含构成各第一电介质层和第二电介质层以及形成用于第一电介质层和第二电介质层成形的片体的组分。使用的母料包括BaNdTiO系氧化物、2MgO·SiO2以及BaNdTiO系氧化物和2MgO·SiO2的混合物。片体包括BaNdTiO系氧化物片体、2MgO·SiO2片体以及BaNdTiO系氧化物和2MgO·SiO2混合物的片体。
1-1.BaNdTiO系氧化物(BaO-Nd 2 O 3 -TiO 2 )的生产
称量24.36质量％的碳酸钡(BaCO3)、40.29质量％的氢氧化钕(Nd(OH)3)和35.35质量％的氧化钛(TiO2)。将BaCO3、Nd(OH)3和TiO2的总和调整为100质量％，将称量的粉末放入尼龙球磨机中，并添加离子交换水和商购分散剂，从而生产浆料浓度为25％的浆料并将该浆料混合16小时。
将混合的浆料回收并在120℃下干燥24小时，然后，将干燥的物质通过维利氏磨粉机(Wiley mill)(商品名：WT-50，由MikiSeisakusho制造)研磨以借助于使用#30筛孔在摇动下筛分使粉末通过。将回收的粉末包入由氧化镁制成的小盒子中并在1270℃下在空气气氛中在电炉中煅烧两小时，从而获得母料的煅烧粉末(称为“一次煅烧粉末”)。
相对于100质量％的一次煅烧粉末，称量1.5质量％的氧化硼(B2O3)、2.0质量％的氧化锌(ZnO)和1.0质量％的氧化铜(CuO)。将称量的粉末放入尼龙球磨机中并添加离子交换水，从而生产浆料浓度为33％的浆料并将该浆料混合16小时。
将混合的浆料回收并在120℃下干燥24小时，然后，将干燥的物质通过维利氏磨粉机研磨以借助于使用#300筛孔在摇动下筛分使粉末通过。将回收的粉末包入由氧化镁制成的小盒子中并在850℃下在空气气氛中在电炉中煅烧两小时，从而获得母料和添加剂的混合物的煅烧粉末(称为“二次煅烧粉末”)。
称量99质量％的获得的二次煅烧粉末并称量1质量％的Ag粉末，将这些粉末放入尼龙球磨机中并添加乙醇以生产浆料浓度为33％的浆料并将该浆料混合16小时，从而获得粉碎的成品材料。
将混合的乙醇浆料回收并在80℃至120℃下干燥24小时，然后，将干燥的物质通过维利氏磨粉机研磨以借助于使用#300筛孔在摇动下筛分使粉末通过，从而获得成品材料。
1-2.BaNdTiO系氧化物(BaO-Nd 2 O 3 -TiO 2 )片体的生产
将预定量的商购甲苯(一级)、乙醇(特级)、分散剂、丙烯酸类树脂漆和作为增塑剂的商购正丁基邻苯二甲酰羟乙酸正丁酯添加至根据上述方法获得的成品材料中，将成品材料和添加剂放入聚乙烯球磨机中并混合16小时，从而获得片体形成用浆料。将该浆料通过刮刀法施涂至基板上，从而生产多个片体。
2-1.2MgO·SiO 2 的生产
相对于100质量％的镁橄榄石(2MgO·SiO2)，称量8.0质量％的氧化硼(B2O3)、12.0质量％的氧化锌(ZnO)、4.0质量％的氧化铜(CuO)和1.0质量％的碳酸钙(CaCO3)。将称量的粉末放入尼龙球磨机中并添加离子交换水，从而生产浆料浓度为33％的浆料并将该浆料混合16小时。
将混合的浆料回收并在120℃下干燥24小时，然后，将干燥的物质通过维利氏磨粉机研磨以借助于使用#300筛孔在摇动下筛分使粉末通过。将回收的粉末包入由氧化镁制成的小盒子中并在850℃下在空气气氛中在电炉中煅烧两小时，从而获得母料和添加剂的混合物的煅烧粉末。
称量100质量％的获得的煅烧粉末并称量3质量％的锂系玻璃(LS-5，由Asahi Glass制造)，将煅烧粉末放入尼龙球磨机中并添加乙醇以生产浆料浓度为33％的浆料并将该浆料混合16小时，从而获得粉碎的成品材料。
将包含成品材料的浆料回收并在80℃至120℃下干燥24小时，然后，将干燥的物质通过维利氏磨粉机研磨以借助于使用#300筛孔在摇动下筛分使粉末通过，从而获得成品材料。
2-2.2MgO·SiO 2 片体的生产
将预定量的商购甲苯(一级)、乙醇(特级)、分散剂、丙烯酸类树脂漆和作为增塑剂的商购正丁基邻苯二甲酰羟乙酸正丁酯添加至根据上述方法获得的成品材料中，将成品材料和添加剂放入聚乙烯球磨机中并混合16小时，从而获得片体形成用浆料。将该浆料通过刮刀法施涂至基板上，从而生产多个片体。
3-1.BaNdTiO系氧化物和2MgO·SiO 2 的复合材料的生产
称量24.36质量％的碳酸钡(BaCO3)、40.29质量％的氢氧化钕(Nd(OH)3)和35.35质量％的氧化钛(TiO2)，将BaCO3、Nd(OH)3和TiO2的总和调整为100质量％。将称量的粉末放入尼龙球磨机中，并添加离子交换水和商购分散剂，从而生产浆料浓度为25％的浆料并将该浆料混合16小时。
将混合的浆料回收并在120℃下干燥24小时，然后，将干燥的物质通过维利氏磨粉机研磨以借助于使用#30筛孔在摇动下筛分使粉末通过。将回收的粉末包入由氧化镁制成的小盒子中并在1270℃下在空气气氛中在电炉中煅烧两小时，从而获得母料的煅烧粉末(称为“一次煅烧粉末”)。
相对于68.5质量％的一次煅烧粉末，称量31.5质量％的镁橄榄石(2MgO·SiO2)，以将一次煅烧粉末和镁橄榄石的总和调整为100质量％。称量2.48质量％的B2O3、6.67质量％的ZnO、3.14质量％的Bi2O3、1.12质量％的CoO、0.66质量％的MnCO3和1.07质量％的CaCO3，将称量的粉末放入尼龙球磨机中并添加离子交换水以生产浆料浓度为33％的浆料并将该浆料混合16小时。
将混合的浆料回收并在120℃下干燥24小时，然后，将干燥的物质通过维利氏磨粉机研磨以借助于使用#300筛孔在摇动下筛分使粉末通过。将回收的粉末包入由氧化镁制成的小盒子中并在850℃下在空气气氛中在电炉中煅烧两小时，从而获得母料和添加剂的混合物的煅烧粉末(称为“二次煅烧粉末”)。
称量100质量％的获得的二次煅烧粉末并称量0.75质量％的Ag粉末，将这些粉末放入尼龙球磨机中并添加乙醇以生产浆料浓度为33％的浆料并将该浆料混合16小时，从而获得粉碎的成品材料。
将混合的乙醇浆料回收并在80℃至120℃下干燥24小时，然后，将干燥的物质通过维利氏磨粉机研磨以借助于使用#300筛孔在摇动下筛分使粉末通过，从而获得成品材料。
3-2.BaNdTiO系氧化物和2MgO·SiO 2 的复合材料的片体的 生产
将预定量的商购甲苯(一级)、乙醇(特级)、分散剂、丙烯酸类树脂漆和作为增塑剂的商购正丁基邻苯二甲酰羟乙酸正丁酯添加至根据上述方法获得的成品材料中，将成品材料和添加剂放入聚乙烯球磨机中并混合16小时，从而获得片体形成用浆料。将该浆料通过刮刀法施涂至基板上，从而生产多个片体。
实施例1至11和比较例1至10
将如上所述获得的BaNdTiO系氧化物、2MgO·SiO2以及BaNdTiO系氧化物和2MgO·SiO2的复合材料用作母料从而形成第一电介质层和第二电介质层。将ZnO、B2O3、CoO、MnO、Bi2O3、CaCO3、Ag、CuO、Li系玻璃、Na系玻璃、Bi系玻璃、Ba系玻璃和Mg系玻璃的一种或多种用作添加剂。通过使用这些母料和添加剂，在示于表1-1、1-2、2-1和2-2的条件下生产成形为芯片形的层压烧结体(芯片)。检验边界反应层的这些主组分、镀覆液是否已渗透入边界反应层中、边界反应层的孔比率、边界反应层的厚度、玻璃的软化点以及第一电介质层和第二电介质层的剥离条件。这些测量结果示于表1-1、1-2、2-1和2-2中。除了改变示于表1-1、1-2、2-1和2-2中的条件之外，生产芯片的方法及其评价方法与以下实施例7中所示的那些相同。
Figure BSA00000447037900261
Figure BSA00000447037900271
Figure BSA00000447037900281
Figure BSA00000447037900291
实施例7
使用BaNdTiO系氧化物和2MgO·SiO2的复合材料的芯片制造。
烧结前
将Ag浆(由TDK制造)以预定的电容器图案形状(其中烧结后的芯片形状沿纵向为4.5mm，沿宽度方向为3.2mm的图案)印刷在BaO-NdO3-TiO2陶瓷片上并将该陶瓷片在120℃下干燥15分钟。
接下来，将作为外层的2MgO·SiO2陶瓷片和作为内层的印刷的BaO-NdO3-TiO2陶瓷片层压(内层具有四层结构)并在70℃、700kg/cm2和7分钟的条件下加压。然后，将层压体通过湿法切割工艺切割为预定的电容器形式，使用分批处理炉在350℃下去粘结剂(unbound)一小时，然后，在氧气氛中在950℃下烧结2.5小时，从而获得芯片。
烧结后
为了在烧结芯片的边缘处形成外部端子，将商购的外部端子Ag浆手动施涂至端子两侧并通过连续窑(由LINDBERG制造)在670℃下烧结前在120℃下干燥15分钟。将其边缘被烧结的芯片使用电镀系统通过分别镀覆来镀覆Cu-Ni-Sn至预定膜厚度。
芯片的边界反应层厚度的检验方法
将镀覆过的芯片通过钢丝钳弄破，通过扫描电子显微镜(商品名：JSM-T300，由JEOL制造)观察破裂的边界面，并拍摄烧结后边界面的2000X COMPO图像以检验边界反应层的厚度。图4为示出实施例7中芯片边界附近的COMPO图像的图。如图4所示，证实第二电介质层(2MgO·SiO2)作为上层形成并且第一电介质层(BaNdTiO系氧化物)作为下层形成。确认上层和下层之间形成边界反应层(厚度：10μm)。即，证实在同时烧结后边界反应层通过反应在上层和下层之间形成。
在芯片边界面上的扩散元素的检验方法
将烧结后的芯片嵌入使用商购环氧树脂的容器中并通过使用抛光剂抛光，并且在镜面抛光完成后，通过扫描电子显微镜(商品名：JSM-6700，由JEOL制造)进行抛光表面的SEM-EDS观察，并拍摄烧结后边界面的EDS图像(2000X)以检验边界面上扩散元素分布的状态。图5为示出实施例7中芯片的Zn组分的EDS图像的图。图6为示出实施例7中芯片的Ti组分的EDS图像的图。图7为示出实施例7中芯片的Mg组分的EDS图像的图。图8为示出实施例7中芯片的Cu组分的EDS图像的图。
在芯片边界面上的镀覆液是否渗透入边界反应层的检验方 法
将镀覆过的芯片通过钢丝钳破裂，通过扫描电子显微镜(商品名：JSM-T300，由JEOL制造)观察破裂的边界面，并拍摄烧结后边界面的COMPO图像(2000X)以检验镀覆液是否渗透入边界面中。
在芯片边界面上剥离条件的检验方法
镀覆过的芯片的三个表面(平面、侧面和端面)通过金相显微镜检验，以检查各样品的十个位置的任何不良如剥离。
从表1-1、1-2、2-1和2-2，证实实施例1至10中边界反应层的主组分均为ZnO、TiO2、CuO和MgO。确认当与第一电介质层和第二电介质层一体化时没有剥离，镀覆液也没有渗透入镀覆后的边界反应层与第一电介质层和第二电介质层的界面中。另一方面，在比较例1-9任一之中，确认没有形成边界反应层。此外，确认当与第一电介质层和第二电介质层一起烧结时剥离，还确认镀覆液渗透入镀覆后的边界反应层与第一电介质层和第二电介质层的界面中。因此，证实在本实施方案的陶瓷电子部件中，将第一电介质层和第二电介质层经由边界反应层稳定地层压而层压的电介质层不剥离。
虽然已参考完整且清楚公开的具体实施方案描述本发明，但所附权利要求并不因此受限，而是解释为包含对于本领域熟练技术人员可能想到的所有改进和替代构成，其适当地落入此处阐述的基本教导中。

Claims (6)

1.一种陶瓷电子部件，其包括：
第一电介质层，所述第一电介质层包含BaO、Nd2O3和TiO2；
第二电介质层，所述第二电介质层包含与所述第一电介质层不同的材料；和
边界反应层，所述边界反应层形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中在所述第一电介质层和所述第二电介质层两者中均包含ZnO。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其中至少Si包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层的至少之一中。
4.一种陶瓷电子部件，其包括烧结的片层压体，其中所述烧结的片层压体通过将片层压体烧结来获得，在所述片层压体中将第一片体和第二片体交替层压，所述第一片体通过将包含第一成品材料的第一浆料成形为片形获得，所述第二片体通过将包含第二成品材料的第二浆料成形为片形获得，所述第一成品材料通过将包含Ba、Nd和Ti的第一母料和至少包含ZnO的第一添加剂混合以生产第一混合物并通过在800℃以上至950℃以下的温度下在氧气氛中煅烧所述第一混合物来获得，所述第二成品材料通过将包含与所述第一母料不同的材料的第二母料和至少包含ZnO的第二添加剂混合以生产第二混合物并通过在800℃以上至950℃以下的温度下在氧气氛中煅烧所述第二混合物来获得，玻璃软化点为450℃以上至650℃以下的玻璃粉末包含于所述第一片体和所述第二片体的至少之一中，和
在作为所述第一片体的包含BaO、Nd2O3和TiO2的第一电介质层和作为所述第二片体的包含与所述第一电介质层不同的材料的第二电介质层之间形成包含Zn、Ti、Cu和Mg至少一种的边界反应层。
5.一种制造陶瓷电子部件的方法，其包括：
将包含Ba、Nd和Ti的第一母料和至少包含ZnO的第一添加剂混合以生产第一混合物；
在800℃以上至950℃以下的温度下在氧气氛中煅烧所述第一混合物以生产第一成品材料；
将包含与所述第一母料不同的材料的第二母料和至少包含ZnO的第二添加剂混合以生产第二混合物；
在800℃以上至950℃以下的温度下在氧气氛中煅烧所述第二混合物以生产第二成品材料；
交替层压第一片体和第二片体以形成片层压体，所述第一片体通过将包含所述第一成品材料的第一浆料成形为片形获得，所述第二片体通过将包含所述第二成品材料的第二浆料成形为片形获得；和
烧结所述片层压体以生产层压烧结体。
6.根据权利要求5所述的制造陶瓷电子部件的方法，其中将玻璃软化点为450℃以上至650℃以下的玻璃粉末混合于所述第一片体和所述第二片体的至少之一中。
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