CN102240962A - 化学机械研磨设备的调节器及调节方法 - Google Patents

化学机械研磨设备的调节器及调节方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102240962A
CN102240962A CN2011101261062A CN201110126106A CN102240962A CN 102240962 A CN102240962 A CN 102240962A CN 2011101261062 A CN2011101261062 A CN 2011101261062A CN 201110126106 A CN201110126106 A CN 201110126106A CN 102240962 A CN102240962 A CN 102240962A
Authority
CN
China
Prior art keywords
axial force
piston rod
load cell
adjuster
disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011101261062A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102240962B (zh
Inventor
徐建植
夫在弼
金东秀
具滋铁
全灿云
潘俊昊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Case Polytron Technologies Inc
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
KC Tech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd, KC Tech Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN102240962A publication Critical patent/CN102240962A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102240962B publication Critical patent/CN102240962B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明提供一种化学机械研磨设备的调节器及调节方法,该化学机械研磨设备用于在旋转的压板垫上研磨基板。该调节器包括圆盘固定器、活塞杆、外壳及负载传感器。该圆盘固定器紧固精细地切割该压板垫的表面的调节圆盘。该活塞杆将轴向力递送至该圆盘固定器。该外壳覆盖该活塞杆的至少一部分。该负载传感器经安装以接收该活塞杆递送至该活塞杆的该轴向力且测量该轴向力。

Description

化学机械研磨设备的调节器及调节方法
此美国非临时专利申请案根据35U.S.C.§119规定主张2010年5月10日申请的韩国专利申请案第10-2010-0043466号的优先权,该案的全部内容系以引用的方式并入本申请中。
技术领域
本申请中的本发明关于一种化学机械研磨设备的调节器,具体地讲,关于一种化学机械研磨设备的调节器,该调节器通过经由将预定轴向力确切地引入至研磨压板的压板垫中遍及压板垫均匀地分散研磨浆而将研磨浆均匀地供应至装配于载体头上的基板。
背景技术
通常,将化学机械研磨(CMP)程序称为用于通过反向旋转基板(诸如,用于制造半导体的晶圆,包括研磨层)与研磨压板来研磨基板的表面的标准程序。
图1为说明典型化学机械研磨设备的视图。如图1所示,该化学机械研磨设备包括:研磨压板10,其上附着有压板垫11;研磨头20,其经装配有待研磨且在接触压板垫11的上部表面的同时旋转的晶圆w;调节器30,其将预定轴向力施加于压板垫11的表面上以精细地切割该压板垫的表面,使得形成于压板垫11的表面中的精细孔隙曝露。
研磨压板10附着有用于研磨晶圆w的由polytex材料形成的压板垫11,且由于轴件12的旋转而旋转。
研磨头20安置于研磨压板10的压板垫11上方,且包括夹紧晶圆w的载体头21以及在旋转载体头21的同时在预定距离内执行往复运动的研磨臂22。
调节器30精细地切割压板垫11的表面,使得用来容纳与研磨剂及化学材料混合的研磨浆的众多精细发泡孔隙不会被堵塞,且因此将填充于压板垫11的精细发泡孔隙中的研磨浆平稳地供应至通过载体头21夹紧的晶圆w。
为此,调节器30在其中包括马达及齿轮箱,使得在固定器于调节程序期间夹紧接触压板垫11的调节圆盘31的状态下,使连接至固定器的轴件33旋转。将汽缸安装于外壳34中以通过气动压力将向下力31p施加至调节圆盘31。自外壳34延伸的臂35执行扫掠运动(sweep motion)以遍及压板垫11的宽区域精细地切割发泡孔隙。为了精细地切割压板垫11,调节圆盘31可包括接触压板垫11的附着于调节圆盘31的表面上的钻石颗粒。又,可通过安装于外壳34外部的驱动马达(图中未显示)旋转轴件33。
因此,在典型化学机械研磨设备中,待研磨的晶圆w在通过真空压力附着至载体头21且压在压板垫11上的同时旋转,且同时,压板垫11旋转。在此状况下,在自研磨浆供应单元40所供应的研磨浆被容纳于形成于压板垫11中的众多发泡孔隙中的状态下,可将研磨浆供应至在固定于研磨头20上的同时旋转的晶圆w。由于将压力连续地施加至压板垫11,所以将发泡孔隙的开口逐渐地阻塞以阻碍研磨浆平稳地供应至晶圆w中。
为了克服此限制,调节器30包括朝向压板垫11施加压力的汽缸,其在将压力施加至附着有颗粒(诸如,高硬度的钻石颗粒)的调节圆盘31的同时旋转调节圆盘31。同时,调节器30执行扫掠运动以对遍及压板垫11的整个区域予以分布的发泡孔隙的开口连续地执行精细切割。因此,可将容纳于遍及压板垫11的发泡孔隙中的研磨浆平稳地供应至晶圆w。
在此状况下,若未用适当力加压于调节器30的调节圆盘31,则可能不会打开压板垫11的发泡孔隙的开口而且阻碍研磨浆平稳地供应至晶圆w。若用过度力加压于调节圆盘31,则可能会打开压板垫11的开口,但可能会缩短压板垫11的使用寿命并降低经济效率。
尽管通过汽缸控制调节圆盘31的垂直力,使得施加预定力,但实质上施加于压板垫11的表面上的轴向力可能会在中间路径(例如,传输轴向力的调节器30的接头)处损失,或可能会产生由于可能汽缸长时间被使用所引起的轴向力的误差而不传输所要轴向力。因此,所存在的限制在于:容纳于压板垫11的众多发泡孔隙中的研磨浆未被平稳地递送至晶圆。
发明内容
本发明提供一种化学机械研磨设备的调节器,该调节器通过经由将预定轴向力确切地引入至研磨压板的压板垫中将研磨浆均匀地分散于该压板垫上而将研磨浆均匀地供应至装配于载体头上的基板。
本发明亦提供一种化学机械研磨设备的调节器,通过检测相对较大轴向力在调节圆盘的旋转期间施加至该调节圆盘的特定侧,且允许该轴向力均一地施加至整个该调节圆盘,该调节器经由使用调节器遍及压板垫进行均一精细切割而保证该压板垫的足够使用寿命且将研磨浆平稳地供应至诸如一晶圆的基板。
本发明概念的实施例提供化学机械研磨设备的调节器,该等化学机械研磨设备用于在旋转的压板垫上研磨基板,该调节器包括:圆盘固定器,其紧固精细地切割该压板垫的表面的调节圆盘;活塞杆,其将轴向力递送至该圆盘固定器;外壳,其覆盖该活塞杆的至少一部分;及负载传感器,其经安装以接收该活塞杆递送至该活塞杆的该轴向力且测量该轴向力。
在一些实施例中,该活塞杆可位于与该调节圆盘的旋转中心相同的轴在线。
在其它实施例中,该负载传感器可插入于该活塞杆与该圆盘固定器之间。
在另外其它实施例中,该调节器可进一步包括:轴件,其系与该活塞杆向上隔开;汽缸,其环绕该轴件及该活塞杆,使得气动压力腔室形成于该轴件与该活塞杆之间,该汽缸与该轴件及该活塞杆一起旋转,且在其外部圆周表面处具有台阶(step),该台阶在上部方向上将力递送至该负载传感器。此处,该负载传感器可经安装以通过该外壳支撑,且经由该汽缸的该台阶递送至该汽缸的该轴向力的反作用力可递送至该负载传感器。
在另外其它实施例中,该负载传感器可安置于该汽缸的外部圆周的侧处,且轴承可安装于该负载传感器与该汽缸之间以允许相对旋转位移。
在另外其它实施例中,通过该台阶将该轴向力递送至该负载传感器可包括经由该轴承递送剪切力。
在另外实施例中,该负载传感器可自通过接收该轴向力引起的应变测量该轴向力。
在其它另外实施例中,该负载传感器可包括荷重计(load cell)。
在其它另外实施例中,该负载传感器可包括具有根据该应变而变化的电阻的应变计,以使用该应变计来测量该轴向力。
在其它另外实施例中,该调节器可进一步包括控制器,该控制器用于在通过该负载传感器测量的该轴向力的值与预定值之间存在差时控制施加至该活塞杆的该轴向力以达到该预定值。
在许多另外实施例中,该负载传感器可划分成两个或两个以上区段,使得该等区段分别测量在该活塞杆周围的轴向力。
在其它许多另外实施例中,该活塞杆可经形成为多个形式,且若在通过该负载传感器的该等区段测量的该等轴向力之间存在偏差,则该调节器可进一步包括用于控制该等轴向力的该偏差以变得小于预定值的控制器。
在本发明概念的其它实施例中,提供一种化学机械研磨程序的调节方法,该化学机械研磨程序用于使用容纳研磨浆的多个孔隙来精细地切割压板垫的上部表面,该等调节方法包括:在接触待研磨的基板的同时旋转压板垫;在经由活塞杆将向下压力施加至具有硬度足以精细地切割该压板垫的颗粒的调节圆盘的同时旋转该调节圆盘;及测量经由该活塞杆施加至该调节圆盘的轴向力。
在一些实施例中,该轴向力的该测量可包括:当位于与该调节圆盘的旋转中心相同的轴在线的该活塞杆的加压部分将压力施加至固定于覆盖该活塞杆的至少一部分的外壳处的负载传感器时,使用通过该负载传感器感测的负载值来测量该轴向力。
在其它实施例中,该轴向力的该测量可包括:当位于与该调节圆盘的旋转中心相同的轴在线的该活塞杆将压力施加至圆盘固定器以允许朝上且通过使该调节圆盘与该压板垫接触的轴向力产生的递送至该负载传感器的反作用力递送至环绕该活塞杆的汽缸,且接着通过形成于该汽缸的外部圆周表面上的台阶递送至位于该汽缸的外部圆周周围的该负载传感器时,通过测量该反作用力来测量该轴向力。
在另外其它实施例中,该方法可进一步包括:当在该轴向力的该测量中所测量的该轴向力的值与预定值之间存在差时,调整经由该活塞杆所递送的该轴向力的量值。
附图说明
图1为说明典型化学机械研磨设备的状态的视图;
图2为说明根据本发明概念的一实施例的化学机械研磨设备的调节器的状态的透视图;
图3a及图3b为说明图2的调节器的轴向力的引入的示意图;
图4a及图4b为说明用于测量引入至调节圆盘中的轴向力的状态的分解透视图;
图5为说明根据本发明概念的另一实施例的用于测量化学机械研磨设备的轴向力的状态的分解透视图;
图6a及图6b为说明根据本发明概念的又一实施例的化学机械研磨设备的调节器的状态的横截面图;
图7为图6a的圆圈A的放大图;
图8为图6a的圆圈B的放大图;及
图9为说明根据本发明概念的实施例的操作化学机械研磨设备的调节器的方法的流程图。
【主要组件符号说明】
10研磨压板/研磨板
11压板垫
12轴件
20研磨头
21载体头
22研磨臂
30调节器
31调节圆盘
31p向下力
33轴件
34外壳
35臂
40研磨浆供应单元
100调节器
100′调节器
111调节圆盘
112圆盘固定器
112a轴件
112p突起部
112p′突起部
113活塞杆
113a孔
113h凹槽
120外壳
121外壳部件
122外壳部件
123外壳部件
130致动器
130′致动器
130y轴向力
130y′轴向力
140负载传感器
140a区段
140b区段
140c区段
140d区段
140x凹槽
145x应变计
150马达
200调节器
211调节圆盘
212圆盘固定器
212a媒介部件
213活塞杆
220外壳
221外壳
230致动器
230c腔室
231气动压力供应管/旋转式配件
232轴件
238汽缸
238a密封环
238s台阶
240负载传感器
248隔片
249轴承
250马达
251小齿轮
252齿轮
260控制器
w晶圆/基板
具体实施方式
包括附图以提供对本发明概念的进一步理解,且该附图并入本说明书中且构成本说明书的一部分。该附图说明本发明概念的例示性实施例,且与实施方式一起用来解释本发明概念的原理。
下文将参看附图更详细地描述本发明概念的例示性实施例。然而,本发明概念可以不同形式体现且不应被解释为限于本申请中所陈述的实施例。相反地,提供这些实施例以使得本发明将彻底且完整,且将向本领域技术人员充分地传达本发明概念的范畴。
在下文中,将参看附图详细地描述根据本发明概念的实施例的化学机械研磨设备。然而,为了解释本发明概念,将省略已知功能或状态的详细描述以阐明本发明概念的要点。
如图3a所示,根据本发明概念的实施例的化学机械研磨设备的调节器100可包括圆盘固定器112、致动器130、活塞杆113、外壳120、负载传感器140、马达150及控制器(图中未显示)。圆盘固定器112可夹紧调节圆盘111,该调节圆盘通过在研磨板10上接触压板垫11的表面的同时旋转来精细地切割压板垫11的表面。致动器130可通过气动力产生向下轴向力130y。活塞杆113可将自致动器130所产生的轴向力130y递送至圆盘固定器112。外壳120可覆盖活塞杆113的至少一部分。负载传感器140可经安装以接收通过活塞杆113引入至圆盘固定器112的轴向力130y,且测量轴向力130y。马达150可旋转活塞杆113及圆盘固定器112。控制器可基于通过负载传感器140测量的轴向力130y来校正在致动器130中所产生的轴向力。
在如上所述状态的调节器100中,在致动器130中所产生的轴向力130y可经由圆盘固定器112直接递送至调节圆盘111,且可通过负载传感器140直接测量。因此,尽管在致动器130中所产生的轴向力130y不同于预定值,且微小间隙存在于外壳部件122与123之间的接头处,但因为调节器100被形成为具有臂形状,所以可通过用于将在致动器130中所产生的轴向力130y控制为预定值的控制器均一地维持通过调节圆盘111施加至压板垫11的轴向力。
另一方面,如图3b所示,根据本发明概念的另一实施例的调节器100′可具有与上文所描述的调节器100的差异的处在于:致动器130′未定位于调节圆盘111上方,而是位于调节器100′的枢轴上。在此状况下,在位于枢轴上的致动器130′中所产生的轴向力130y′可通过各种连杆机构递送至位于与调节圆盘111相同的轴线的活塞杆113。
在如上所述状态的调节器100′中,通过致动器130′产生的轴向力130y′可递送至在与调节圆盘111相同的轴线的活塞杆113。在致动器130′中所产生的轴向力130y′具有与引入至调节圆盘111的轴向力130y的方向相同的方向。然而,轴向力130y′的不可计算部分可能会在将施加于枢轴上的轴向力130y′递送至调节圆盘111期间在外壳120的接头处损失。
然而,在本发明概念的调节器100′中,负载传感器140可位于递送轴向力130y′的活塞杆113中。负载传感器140可直接测量引入至圆盘固定器112中的轴向力130y′。控制器(图中未显示)可基于以上测量值来控制在位于枢轴上的致动器130′中所产生的轴向力130y′。因此,可将具有预定量值的轴向力130y′恒定地递送至圆盘固定器112。
因此,在根据该等实施例的调节器100及100′中,可直接测量引入至调节圆盘111的轴向力130y和130y′。如图9所示,可基于轴向力Fc将具有预定量值的轴向力施加至压板垫11。因此,可将调节圆盘111施加至压板垫11的轴向力恒定地维持在特定值。可经由具有适当大小的开口均匀地分散压板垫11的发泡孔隙中的研磨浆。由于可将研磨浆均一地供应至装配于载体头20上的基板w,所以可平稳地执行化学研磨程序。
图4a及图4b说明安置于活塞杆113与圆盘固定器112之间的负载传感器140,其直接测量轴向力130y。负载传感器140可包括荷重计。然而,应变计145x可根据应变计145x的压缩位移及弯曲位移(尽管已在附图中说明压缩位移,但负载传感器可经状态以具有使得引起弯曲位移的形状或位置)来检测应变,且可自该应变测量引入至圆盘固定器112的轴向力130y。在此状况下,应变计145x可包括具有如图4a所示的四分之一桥形式的惠斯登电桥(Wheatstone bridge)以测量轴向力130y,或可包括半桥或全桥以增加测量敏感度且根据方向来补偿偏差。
由于图4a及图4b所示的活塞杆113与圆盘固定器112一起旋转,所以可在轴件112a上形成接收扭矩的突起部112p,且可形成孔113a以及凹槽140x及113h,轴件112a及突起部1120穿透通过该孔及该凹槽。亦即,由于负载传感器140与圆盘固定器112及活塞杆113一起旋转,所以可经由滑环将来自负载传感器140的信号线(尽管图中未显示)连接至外部信号处理装置。
如图5所示,可根据轴件的旋转角将负载传感器140划分成复数个区段140a、140b、140c及140d以在每一旋转角下测量轴向力。为此,可安装负载传感器140以使其不与负载传感器140及活塞杆113一起旋转。
亦即,形成于圆盘固定器112的轴件112a上的突起部112p′可仅在与底部隔开的位置处突起,以便在安装负载传感器140时相对于负载传感器140反向旋转。尽管图中未显示,但可将止推轴承安装于负载传感器140的上部表面及下表面上,以允许在接收轴向力的同时进行相对旋转位移。又,尽管图中未显示,但可将负载传感器140的每一外部圆周表面固定于外壳120上以抑制绝对旋转位移。
因此,负载传感器140的区段140a、140b、140c及140d中的每一者可根据旋转角来测量在区段140a、140b、140c及140d未旋转的状态下施加至圆盘固定器112的轴向力130y的分量。因此,负载传感器140可检测在调节圆盘111的旋转期间显著地强加于一侧上的偏心负载。当检测到强加于一侧上的偏心负载时,若将活塞杆113划分成若干区段,则可控制施加至活塞杆113的每一区段的轴向力的偏差,以允许通过调节圆盘111施加的轴向力130y遍及整个区域予以均一地分布。
图6a至图8说明根据本发明概念的又一实施例的调节器200的状态。如图6a所示,调节器200可包括圆盘固定器212、致动器230、活塞杆213、外壳220、负载传感器240、马达250及控制器260。圆盘固定器212可夹紧精细地切割压板垫11的表面的调节圆盘211。致动器230可通过气动力产生向下轴向力130y。活塞杆213可将由致动器230所产生的轴向力130y递送至圆盘固定器212。外壳220可覆盖活塞杆213的至少一部分。负载传感器240可通过允许活塞杆213将圆盘固定器212施加至压板垫11来测量具有与轴向力130y的量值相同的量值的反作用力。马达250可旋转活塞杆213及圆盘固定器212。控制器260可基于通过负载传感器240测量的轴向力130y来校正在致动器230中所产生的轴向力。
通过驱动马达250旋转的小齿轮(pinion)251可与固定于轴件232的外部圆周上的齿轮252啮合。因此,可通过驱动马达250旋转轴件232。
如图7所示,致动器230可包括通过汽缸238环绕的轴件232以及形成于活塞杆213中的腔室230c。在此状况下,致动器230可允许高压空气经由气动压力供应管231流动至腔室230c中并因此维持腔室230c的内部压力。因此,可用具有预定量值的轴向力向下移动活塞杆213。为此,可用旋转式配件将动压力供应管231连接至轴件的中心部分。可经由动压力供应管231将高压空气供应至腔室230c中。
可经由媒介部件212a将在向下方向上施加压力的活塞杆213的轴向力递送至圆盘固定器212。通过圆盘固定器212夹紧的调节圆盘211可用来将压力施加于压板垫11上。
可通过驱动马达250的小齿轮251旋转调节器200的轴件232。使用密封环238a以气密方式耦接至轴件232的汽缸238可与轴件232一起旋转。
若在通过驱动马达250旋转的同时经施加有压力的圆盘固定器212向下移动以使调节圆盘211与压板垫11接触,则施加至圆盘固定器212的轴向力可充当朝上的反作用力。在此状况下,若压板垫11近似刚体,则反作用力可以是与施加至圆盘固定器212的轴向力的量值相同的量值。
由于由向下推动调节圆盘211的轴向力引起的反作用力,可在旋转的汽缸238、活塞杆213及轴件232处产生向上位移。在此状况下,可在汽缸238的外壁上形成台阶238s,如图8所示。在向上提升汽缸238的同时,可通过台阶238s一起向上提升轴承249的内圈。
此处,经安置以环绕汽缸238的负载传感器240可在通过外壳221支撑的同时被固定。亦即,由于负载传感器240在无旋转的情况下静止不动,所以来自负载传感器240的信号线可在无滑环的情况下连接至外部信号处理装置。因为汽缸238由于马达250的驱动而旋转,且负载传感器240在无旋转的情况下静止不动,所以包括通过隔片248彼此垂直地隔开的一对滚珠轴承或滚筒轴承的轴承249可安置于负载传感器240与汽缸238之间。
轴承248的内圈可定位于汽缸238的台阶238s上方,以根据汽缸238的向上提升而一起向上移动。又,轴承249的外圈可通过压入配合而固定于负载传感器240的内部圆周表面上,从而通过轴承249的滚珠或滚筒将汽缸238的向上位移递送至轴承249的内圈。
亦即,通过活塞杆213施加至圆盘固定器212的轴向力所产生的向上反作用力可引起汽缸238的向上移动。一对轴承249可根据汽缸238的向上移动而向上移动,且该轴承的位移可通过轴承249的滚珠或滚筒递送至轴承249的外圈。随后,经由活塞杆213施加至调节圆盘111的轴向力可充当负载传感器240的内部圆周表面上的剪切力。因此,可通过应变计或荷重计由作用于负载传感器240的内部圆周表面的剪切应变测量反作用力。
如图9所示,基于轴向力(反作用力)Fc,可控制供应至腔室230c的高压空气的量,使得将具有预定量值的轴向力Fs施加至压板垫11。因此,可将调节圆盘111施加至压板垫111的轴向力维持于恒定值。因此,由于经由具有适当大小的开口均匀地分散引入至压板垫11的发泡孔隙中的研磨浆,且因此将研磨桨均一地供应至装配于载体头20上的基板w,所以可确保平稳化学研磨程序。
通过由反作用力测量施加至调节圆盘111的轴向力,在将致动器230的汽缸238移动接近于圆盘固定器212的同时,可在无滑环的情况下稳定地接收来自负载传感器240的信号。
如上文所描述,本发明概念提供一种化学机械研磨设备的调节器及其方法,该化学机械研磨设备用于在旋转的压板垫上研磨基板,该调节器包括:圆盘固定器,其紧固精细地切割该压板垫的表面的调节圆盘;活塞杆,其将轴向力递送至该圆盘固定器;外壳,其覆盖该活塞杆的至少一部分;负载传感器,其经安装以接收该活塞杆递送至该活塞杆的该轴向力并测量该轴向力。根据本发明概念的实施例,可通过该调节器均匀地遍及该压板垫的该整个表面精细地切割该压板垫,以通过将引入至该调节圆盘的该轴向力维持在预定恒定值来保证该压板垫的足够使用寿命,并将研磨浆平稳地供应至诸如一晶圆的该基板。
因此,本发明概念具有通过遍及该压板垫确切地引入预定轴向力且均匀地分散研磨浆以涂布于研磨压板的该压板垫上而将研磨浆均匀地供应至装配于载体头上的基板的有利效果。
又,通过检测相对较大轴向力在调节圆盘的旋转期间施加至该调节圆盘的特定侧,且允许该轴向力均一地施加至整个该调节圆盘,本发明概念可经由使用调节器遍及该压板垫进行均一精细切割而保证该压板垫的足够使用寿命,且将研磨浆平稳地供应至诸如晶圆的该基板。
上文所揭示的内容应被视为说明性而非限制性的,且附加申请专利范围意欲涵盖属于本发明概念的精神及范畴的所有修改、增强及其它实施例。因此,为了最大化法律所允许的范围,本发明概念的范畴应通过以下权利要求的范围及其等同物的最广容许解译予以判定,且不应受到前述实施方式约束或限制。

Claims (16)

1.一种化学机械研磨设备的调节器,该化学机械研磨设备用于在旋转的压板垫上研磨基板,该调节器包含:
圆盘固定器,其紧固精细地切割该压板垫的表面的调节圆盘;
活塞杆,其将轴向力递送至该圆盘固定器;
外壳,其覆盖该活塞杆的至少一部分;
负载传感器,其经安装以接收该活塞杆递送至该活塞杆的该轴向力且测量该轴向力。
2.如权利要求1所述的调节器,其中,该活塞杆位于与该调节圆盘的旋转中心相同的轴线上。
3.如权利要求2所述的调节器,其中,该负载传感器插入到该活塞杆与该圆盘固定器之间。
4.如权利要求1所述的调节器,进一步包含:
轴件,其与该活塞杆向上隔开;
汽缸,其环绕该轴件及该活塞杆,使得气动压力腔室形成于该轴件与该活塞杆之间,该汽缸与该轴件及该活塞杆一起旋转,且在其外部圆周表面处具有台阶,该台阶在上部方向上将力递送至该负载传感器,
其中,该负载传感器经安装以通过该外壳被支撑,且经由该汽缸的该台阶递送至该汽缸的该轴向力的反作用力递送至该负载传感器。
5.如权利要求4所述的调节器,其中,该负载传感器安置于该汽缸的外部圆周的侧处,且轴承安装于该负载传感器与该汽缸之间以允许相对旋转位移。
6.如权利要求5所述的调节器,其中,通过该台阶将该轴向力递送至该负载传感器包含经由该轴承递送剪切力。
7.如权利要求1所述的调节器,其中,该负载传感器自通过接收该轴向力引起的应变测量该轴向力。
8.如权利要求7所述的调节器,其中,该负载传感器包含荷重计。
9.如权利要求7所述的调节器,其中,该负载传感器包含具有根据该应变而变化的电阻的应变计,以使用该应变计来测量该轴向力。
10.如权利要求7所述的调节器,进一步包含控制器,该控制器用于在通过该负载传感器测量的该轴向力的值与预定值之间存在差时控制施加至该活塞杆的该轴向力以达到该预定值。
11.如权利要求1所述的调节器,其中,该负载传感器划分成两个或两个以上区段,使得所述区段分别测量在该活塞杆周围的轴向力。
12.如权利要求11所述的调节器,其中,该活塞杆被形成为多个形式,且若在通过该负载传感器的所述区段测量的所述轴向力之间存在偏差,则该调节器进一步包含用于控制该等轴向力的该偏差以变得小于预定值的控制器。
13.一种化学机械研磨程序的调节方法,该化学机械研磨程序用于使用容纳研磨浆的多个孔隙来精细地切割压板垫的上部表面,该方法包含:
在接触待研磨的基板的同时旋转压板垫;
在经由活塞杆将向下压力施加至具有硬度足以精细地切割该压板垫的颗粒的调节圆盘的同时旋转该调节圆盘;及
测量经由该活塞杆施加至该调节圆盘的轴向力。
14.如权利要求13所述的调节方法,其中,该轴向力的测量包含:当位于与该调节圆盘的旋转中心相同的轴线上的该活塞杆的加压部分将压力施加至固定于覆盖该活塞杆的至少一部分的外壳处的负载传感器时,使用通过该负载传感器感测的负载值来测量该轴向力。
15.如权利要求13所述的调节方法,其中,该轴向力的该测量包含:当位于与该调节圆盘的旋转中心相同的轴线上的该活塞杆将压力施加至圆盘固定器以允许朝上且通过使该调节圆盘与该压板垫接触的轴向力产生的递送至该负载传感器的反作用力递送至环绕该活塞杆的汽缸,且接着通过形成于该汽缸的外部圆周表面上的台阶递送至位于该汽缸的外部圆周周围的该负载传感器时,通过测量该反作用力来测量该轴向力。
16.如权利要求13所述的调节方法,进一步包含:当在该轴向力的该测量中所测量的该轴向力的值与预定值之间存在差时,调整经由该活塞杆所递送的该轴向力的量值。
CN201110126106.2A 2010-05-10 2011-05-10 化学机械研磨设备的调节器及调节方法 Active CN102240962B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100043466A KR101126382B1 (ko) 2010-05-10 2010-05-10 화학 기계식 연마시스템의 컨디셔너
KR10-2010-0043466 2010-05-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102240962A true CN102240962A (zh) 2011-11-16
CN102240962B CN102240962B (zh) 2014-08-13

Family

ID=44902245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110126106.2A Active CN102240962B (zh) 2010-05-10 2011-05-10 化学机械研磨设备的调节器及调节方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8662956B2 (zh)
KR (1) KR101126382B1 (zh)
CN (1) CN102240962B (zh)
TW (1) TWI451938B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103586772A (zh) * 2012-08-16 2014-02-19 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 压力检测装置
CN104625947A (zh) * 2015-01-30 2015-05-20 武汉新芯集成电路制造有限公司 芯片固定装置及制备失效分析样品的方法
CN111230733A (zh) * 2018-11-12 2020-06-05 三星电子株式会社 包括抛光垫监测方法的制造方法以及抛光设备
CN115215944A (zh) * 2022-05-13 2022-10-21 浙江致为新材料有限公司 一种羟丙基甲基纤维素醚生产工艺

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101972988B (zh) * 2010-06-28 2012-05-16 清华大学 一种抛光垫修整头
US20130196572A1 (en) * 2012-01-27 2013-08-01 Sen-Hou Ko Conditioning a pad in a cleaning module
KR101415982B1 (ko) * 2013-03-29 2014-07-08 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 시스템의 컨디셔너 및 컨디셔닝 방법
JP6113552B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-12 株式会社荏原製作所 研磨装置及び摩耗検知方法
KR101527769B1 (ko) * 2013-10-24 2015-06-11 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 시스템의 저압 컨디셔너
KR101406710B1 (ko) * 2013-12-10 2014-06-13 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치 및 이의 컨디셔닝 방법
KR101539335B1 (ko) * 2015-03-18 2015-07-28 주식회사 티에스시 씨엠피장치용 패드컨디셔너
JP6491592B2 (ja) * 2015-11-27 2019-03-27 株式会社荏原製作所 キャリブレーション装置及びキャリブレーション方法
JP6715153B2 (ja) 2016-09-30 2020-07-01 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
KR102581481B1 (ko) 2016-10-18 2023-09-21 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 방법, 반도체 소자의 제조 방법, 및 반도체 제조 장치
US11292101B2 (en) * 2017-11-22 2022-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus and method
KR102561647B1 (ko) * 2018-05-28 2023-07-31 삼성전자주식회사 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마 장치
KR102652046B1 (ko) * 2018-10-01 2024-03-29 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 컨디셔너
US11648644B2 (en) * 2019-01-02 2023-05-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Polishing pad conditioning apparatus
KR20200127328A (ko) 2019-05-02 2020-11-11 삼성전자주식회사 컨디셔너, 이를 포함하는 화학 기계적 연마 장치 및 이 장치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5833519A (en) * 1996-08-06 1998-11-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical polishing
US5860847A (en) * 1995-09-06 1999-01-19 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5916009A (en) * 1996-08-27 1999-06-29 Speedfam Co., Ltd. Apparatus for applying an urging force to a wafer
US20020055325A1 (en) * 2000-11-09 2002-05-09 Hiroo Suzuki Polishing apparatus
JP2003200342A (ja) * 2001-12-28 2003-07-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工装置用コンディショナー装置

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2677292B1 (fr) * 1991-06-04 1995-12-08 Seva Machine de polissage a regulation pneumatique de l'effort de l'outil de la piece a polir.
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
US5569062A (en) * 1995-07-03 1996-10-29 Speedfam Corporation Polishing pad conditioning
US6123607A (en) * 1998-01-07 2000-09-26 Ravkin; Michael A. Method and apparatus for improved conditioning of polishing pads
JP2000033566A (ja) 1998-07-21 2000-02-02 Systemseiko Co Ltd 研磨盤の制御方法および装置
US6086460A (en) * 1998-11-09 2000-07-11 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad used in chemical mechanical planarization
JP4030247B2 (ja) * 1999-05-17 2008-01-09 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及びポリッシング装置
US6306008B1 (en) * 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
US6517414B1 (en) * 2000-03-10 2003-02-11 Appied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus
US6645046B1 (en) * 2000-06-30 2003-11-11 Lam Research Corporation Conditioning mechanism in a chemical mechanical polishing apparatus for semiconductor wafers
US6443815B1 (en) * 2000-09-22 2002-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing
JP2002126998A (ja) * 2000-10-26 2002-05-08 Hitachi Ltd 研磨方法および研磨装置
US6896583B2 (en) * 2001-02-06 2005-05-24 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for conditioning a polishing pad
DE60121292T2 (de) * 2001-04-02 2007-07-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Konditionierung der Oberfläche eines Polierkissens
US6910947B2 (en) 2001-06-19 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Control of chemical mechanical polishing pad conditioner directional velocity to improve pad life
KR100462868B1 (ko) * 2001-06-29 2004-12-17 삼성전자주식회사 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너
JP2004142083A (ja) * 2002-10-28 2004-05-20 Elpida Memory Inc ウエハ研磨装置およびウエハ研磨方法
KR100494128B1 (ko) * 2003-03-04 2005-06-10 주식회사 하이닉스반도체 화학적기계연마 장치의 연마패드 컨디셔너
KR20040081577A (ko) * 2003-03-14 2004-09-22 삼성전자주식회사 웨이퍼 폴리싱 장치
US6905399B2 (en) * 2003-04-10 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Conditioning mechanism for chemical mechanical polishing
US7067432B2 (en) 2003-06-26 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Methodology for in-situ and real-time chamber condition monitoring and process recovery during plasma processing
KR20050012586A (ko) 2003-07-25 2005-02-02 매그나칩 반도체 유한회사 씨엠피 장치
US7288165B2 (en) * 2003-10-24 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Pad conditioning head for CMP process
US7182680B2 (en) 2004-06-22 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for conditioning processing pads
US6945857B1 (en) 2004-07-08 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner and methods of manufacture and recycling
US7066795B2 (en) 2004-10-12 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner with shaped abrasive patterns and channels
US20060285120A1 (en) * 2005-02-25 2006-12-21 Verity Instruments, Inc. Method for monitoring film thickness using heterodyne reflectometry and grating interferometry
US7210981B2 (en) * 2005-05-26 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Smart conditioner rinse station
US8337279B2 (en) * 2008-06-23 2012-12-25 Applied Materials, Inc. Closed-loop control for effective pad conditioning

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5860847A (en) * 1995-09-06 1999-01-19 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5833519A (en) * 1996-08-06 1998-11-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical polishing
US5916009A (en) * 1996-08-27 1999-06-29 Speedfam Co., Ltd. Apparatus for applying an urging force to a wafer
US20020055325A1 (en) * 2000-11-09 2002-05-09 Hiroo Suzuki Polishing apparatus
JP2003200342A (ja) * 2001-12-28 2003-07-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工装置用コンディショナー装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103586772A (zh) * 2012-08-16 2014-02-19 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 压力检测装置
CN103586772B (zh) * 2012-08-16 2016-01-06 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 压力检测装置
CN104625947A (zh) * 2015-01-30 2015-05-20 武汉新芯集成电路制造有限公司 芯片固定装置及制备失效分析样品的方法
CN111230733A (zh) * 2018-11-12 2020-06-05 三星电子株式会社 包括抛光垫监测方法的制造方法以及抛光设备
US11735427B2 (en) 2018-11-12 2023-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Polishing apparatus including polishing pad conditioner, non-contact displacement sensor, and data processor
CN111230733B (zh) * 2018-11-12 2024-02-06 三星电子株式会社 包括抛光垫监测方法的制造方法以及抛光设备
CN115215944A (zh) * 2022-05-13 2022-10-21 浙江致为新材料有限公司 一种羟丙基甲基纤维素醚生产工艺
CN115215944B (zh) * 2022-05-13 2023-03-10 浙江致为新材料有限公司 一种羟丙基甲基纤维素醚生产工艺

Also Published As

Publication number Publication date
TWI451938B (zh) 2014-09-11
US20110275289A1 (en) 2011-11-10
TW201143976A (en) 2011-12-16
KR101126382B1 (ko) 2012-03-28
US8662956B2 (en) 2014-03-04
CN102240962B (zh) 2014-08-13
KR20110123960A (ko) 2011-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102240962B (zh) 化学机械研磨设备的调节器及调节方法
US8486220B2 (en) Method of assembly of retaining ring for CMP
JP6914191B2 (ja) 追従性のある研磨パッド及び研磨モジュール
US7014535B2 (en) Carrier head having low-friction coating and planarizing machine using same
CA1258772A (en) Glass scratch removal apparatus and method
US8998677B2 (en) Bellows driven floatation-type abrading workholder
KR20040094681A (ko) 웨이퍼의 양면연마장치 및 양면연마방법
US20140120804A1 (en) Bellows driven air floatation abrading workholder
US8480456B1 (en) Ultra-flat, high throughput wafer lapping process
US20030171076A1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface for slurry distribution
CN1512929A (zh) 抛光装置与抛光方法
US20170203405A1 (en) Carrier for small pad for chemical mechanical polishing
JP2003285262A (ja) ウエーハの両面研磨装置及び両面研磨方法
WO2007024507A2 (en) Environmental control system for a centrifugal processor
CN102725828A (zh) 边缘基座的侧垫设计
CN110900436A (zh) 抛光头和具有抛光头的抛光载体装置
JP6232654B2 (ja) ウェーハ研磨装置
CN108161744A (zh) 一种抛光工具修整系统及其修整方法
US6949016B1 (en) Gimballed conditioning apparatus
CN211465964U (zh) 一种抛光头装置及抛光机
CN1460042A (zh) 基板的化学机械抛光装置和方法
KR20150047180A (ko) 화학 기계적 연마 시스템의 저압 컨디셔너
CN112692719A (zh) 硅片边缘抛光装置、抛光鼓及抛光方法
KR101415982B1 (ko) 화학 기계적 연마 시스템의 컨디셔너 및 컨디셔닝 방법
KR101559278B1 (ko) 화학 기계적 연마 장치의 저압 컨디셔너

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180427

Address after: Gyeonggi Do Korea Suwon

Co-patentee after: Case Polytron Technologies Inc

Patentee after: Samsung Electronics Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon

Co-patentee before: K. C. Tech Co., Ltd.

Patentee before: Samsung Electronics Co., Ltd.