KR100462868B1 - 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너 - Google Patents

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KR100462868B1
KR100462868B1 KR10-2001-0038481A KR20010038481A KR100462868B1 KR 100462868 B1 KR100462868 B1 KR 100462868B1 KR 20010038481 A KR20010038481 A KR 20010038481A KR 100462868 B1 KR100462868 B1 KR 100462868B1
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    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces

Abstract

본 발명은 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너에 관한 것으로, 본 발명의 컨디셔너는 외관을 형성하는 하우징; 하우징의 일측에 설치된 회전모터에 의하여 회전하는 제 1풀리; 하우징의 타측에 설치되며 폴리싱 패드에 대한 컨디셔닝을 수행하는 다이아몬드 디스크를 가진 컨디셔닝 헤드; 컨디셔닝 헤드로 회전 동력을 전달하도록 컨디셔닝 헤드와 축결합되며 제 1풀리에 권취된 벨트가 권취된 제 2풀리; 하우징의 내부에 설치되어 컨디셔닝 헤드의 회전 상태를 감지하는 회전감지센서를 구비한 것으로, 이러한 본 발명에 따르면 반도체 폴리싱 장비의 패드 컨디셔너는 컨디셔너 헤드에 전달되는 공기압 및 회전 속도를 감지하고 이상이 발생하면 장비를 인터록시킴으로써, 반도체 폴리싱 공정의 패드 컨디셔닝이 비정상적으로 수행되어 웨이퍼의 폴리싱 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 또한 보다 신속한 폴리싱 공정이 수행되도록 하는 효과가 있다.

Description

반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너{Pad Conditioner of Semiconductor Polishing apparatus}
본 발명은 반도체 폴리싱 장비의 패드 컨디셔너에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 컨디셔너 헤드에 전달되는 공기압 및 회전 속도를 감지하여 패드 컨디셔닝이 비정상적으로 수행되는 것을 방지하도록 한 반도체 폴리싱 장비의 패드 컨디셔너에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 저항층, 반도체층, 절연층 등이 증착되어 직접회로를 형성한 것으로, 반도체 제조공정 중 이와 같은 층들이 형성된 후 웨이퍼 기판을 평탄화 시키는 평탄화 공정이 주기적으로 적용된다.
이러한 평탄화 공정에 적용되는 방법중의 하나로 화학적 기계적 연마공정(Chemical mechanical polishing: 이하 "CMP"라고 함)이 있다.
이 CMP 공정은 캐리어에 의하여 이송된 웨이퍼가 폴리싱 패드 위에서 회전함으로써 웨이퍼 표면이 기계적으로 평탄화 되도록 하고, 동시에 폴리싱 패드 위로 화학적 반응을 수행하는 슬러리를 공급하여 화학적으로 평탄화가 이루어지도록 한다.
한편, CMP 공정의 보다 효과적인 연마율의 달성을 위해서는 폴리싱 패드의 표면 거칠기가 항상 일정하게 유지되어야 한다. 즉 CMP의 지속적인 구동으로 폴리싱 패드는 그 표면 거칠기가 낮아지게 되어 폴리싱 기능이 점진적으로 상실되게 되는데, 이를 방지하기 위하여 패드 컨디셔너라는 장치가 사용된다.
이 패드 컨디셔너는 폴리싱 패드에서 웨이퍼의 폴리싱이 정상적으로 수행되도록 패드의 상태를 최적화하기 위한 장치로써, 폴리싱 패드의 상태를 평탄화 할 뿐만 아니라 슬러리 용액이나 폴리싱에 의하여 발생한 파티클 등이 패드에 적층되어 패드를 무디게 만드는 것을 방지하고, 패드의 표면 거칠기를 일정하게 유지시키며, 슬러리 용액을 고르게 분산시키는 역할을 수행한다.
이와 같은 기능을 수행하는 패드 컨디셔너는 다이아몬드 디스크를 가진 컨디셔닝 헤드와 이 컨디셔닝 헤드를 회전시키는 회전구동부, 그리고 컨디셔닝 헤드를 상하 구동시키는 상하 구동부를 구비하여 컨디셔닝 헤드를 폴리싱 패드 상측으로 위치시켜 회전 및 상하 승강하도록 함으로써 폴리싱 헤드에 대한 컨디셔닝이 이루어지도록 하고 있다.
여기서 종래의 컨디셔너는 컨디셔닝 헤드의 회전 구동을 위하여 모터에서 제공된 동력이 별도의 타이밍벨트를 통하여 컨디셔닝 헤드로 전달되도록 되어 있고, 상하 승강은 외부에서 공급된 공기압으로 컨디셔닝 헤드가 상하 승강하도록 되어 있다.
그런데, 이 회전동력을 전달하는 타이밍벨트는 그 지속적인 작동으로 권취부분이 마모되거나, 귄취 상태의 어긋남 또는 자체가 절단되는 문제를 유발시켜 회전동력이 컨디셔닝 헤드에 제대로 전달되지 못하게 하는 문제를 발생시킨다.
그리고 공기 공급관의 경우는 장기간의 사용으로 공기 공급관 자체의 노화에 의한 진공압력 누설, 연결부의 접촉불량 및 설치불량에 의한 외부 저항 등으로 컨디셔닝 헤드에 적절한 승강압력을 제대로 전달하지 못하는 경우를 발생시킨다.
이와 같이 타이밍 벨트가 손상되거나, 공기 공급관이 손상되어 컨디셔닝 헤드에 회전동력이나 승강동력이 제대로 전달되지 못하게 되면, 당연히 컨디셔닝과 폴리싱이 제대로 이루어지지 않게 되며, 폴리싱이 제대로 이루어지지 않으면 상대적으로 폴리싱 시간이 길어짐과 동시에 미세 입자가 제대로 제거되지 않아 웨이퍼의 폴리싱 면에 스크래치를 발생시키는 문제점을 유발시킨다.
하지만, 종래의 컨디셔너는 전술한 바와 같은 타이밍 벨트 및 공기 공급관의 손상을 미리 감지하지 못하기 때문에 CMP 공정중 폴리싱 효율이 떨어지거나 웨이퍼에 스크래치가 발생하는 문제를 제대로 해소하지 못하였다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 컨디셔닝 헤드에 전달되는 회전동력 전달부분과 공기압 전달부분에서의 이상유무를 미리 감지할 수 있도록 하여 컨디셔닝 효율을 지속적으로 안정되게 유지할 수 있도록 한 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너를 제공하기 위한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 CMP 장치를 도시한 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 CMP 장치의 작동상태를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 패드 컨디셔너를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3의 A부분을 확대 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패드 컨디셔너의 동작 흐름을 나타내는 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
200...컨디셔너
213...회전모터
215...진공관
220...제 1풀리
232...공기공급관
250...제 2풀리
280...회전감지센서
290...압력센서
전술한 목적을 달성하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너는 외관을 형성하는 하우징과, 상기 하우징의 타측에 설치되며 폴리싱 패드에 대한 컨디셔닝을 수행하는 다이아몬드 디스크를 가진 컨디셔닝 헤드와, 상기 하우징의 일측에 설치되어 상기 컨디셔닝 헤드 회전동력을 발생시키는 회전모터와, 상기 회전모터에 연결되어 회전하는 제 1풀리와 상기 컨디셔닝 헤드로 회전 동력을 전달하도록 상기 컨디셔닝 헤드와 축결합되며 상기 제 1풀리에 권취된 벨트가 권취된 제 2풀리를 갖는 동력전달부 및 상기 하우징의 내부에 설치되어 상기 동력전달부의 구동상태를 감지하여 상기 컨디셔닝 헤드의 회전상태를 파악하는 회전감지센서를 구비한다.그리고 바람직하게 상기 회전감지센서는 상기 제 2풀리의 일측에 설치되어 상기 제 2풀리의 회전수 감지로 상기 컨디셔닝 헤드의 회전 상태를 감지하도록 한다. 또한, 바람직하게 상기 회전감지센서는 플래그 센서로 마련된다.
그리고 상기 하우징의 내부에는 외부 공기압이 제공되어 상기 컨디셔닝 헤드를 상하 승강시키도록 하는 공기공급관이 설치되고, 상기 공기공급관에는 상기 공기공급관으로 제공되는 공기압을 감지하는 압력센서가 설치된 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 패드 컨디셔너가 설치된 CMP 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 베이스 몸체(100)와 이 베이스 몸체(100)의 상면에 함몰되어 설치된 폴리싱 패드(110)를 구비한다. 그리고 베이스 몸체(100)의 상측에 좌우 스윙 동작 가능하도록 설치된 웨이퍼 캐리어(120)와 컨디셔너(200)가 각각 설치되며, 폴리싱 패드(110)에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급기(130)가 설치된다.
이러한 구성으로 된 CMP 장치의 작동은 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼가 홀딩된 웨이퍼 캐리어(120)가 폴리싱 패드(110)의 상측으로 이동하여 폴리싱 패드(110)에 접촉하면 웨이퍼 캐리어(120)는 소정 속도로 회전 및 승강 동작하여 웨이퍼에 대한 폴리싱이 수행되도록 하고, 이와 함께 패드 컨디셔너(200) 또한 폴리싱 패드(110)의 상측으로 스윙 동작으로 이동하여 폴리싱 패드(110)에 대한 컨디셔닝이 이루어지도록 한다.
이와 같이 작동하는 컨디셔너(200)의 구성은 도 3에 도시된 바와 같이 일측단이 CMP 베이스 몸체(100)에 축 결합되어 있고, 타측단이 일측단으로부터 소정길이 연장되도록 된 하우징(210)과 이 하우징(210)의 상측으로 다수의 체결나사(212)에 의하여 복개 결합되는 덮개(211)를 구비한다.
그리고 하우징(210)의 베이스 몸체(100)에 결합된 단부의 하부에는 회전동력을 발휘하는 회전모터(213)와 하우징(210)의 스윙동작을 위한 스윙모터(214)가 설치되고, 하우징(210)으로 외부 공기압의 공급을 위한 외부 공기관(215)이 설치된다.
그리고 각각의 회전모터(213)와 스윙모터(214)의 상측으로는 이들로부터 공급되는 동력을 회전동작 또는 스윙동작으로 전환하여 하우징(210)에 전달하기 위한 기어(미도시)들이 설치된 기어박스부(216)가 마련된다.
또한 하우징(210)의 일측단 상측으로는 회전모터(213)에 의하여 회전하는 제 1풀리(220)와 함께 외부 공기관(215)과 연결되어 있는 공기압 제어장치(230)가 설치되어 있으며, 공기압 제어장치(230)에는 공기공급관(232)과 공기회수관(231)이 결합되어 하우징(210)의 타측단으로 연장되어 있다.
그리고 하우징(210)의 타측단에는 그 상면으로 전술한 제 1풀리(220)에 귄취되어 연장된 타이밍벨트(240)에 권취된 제 2풀리(250)가 설치되고, 제 2풀리(250)의 중심부분으로는 공기공급관(232)이 관통하여 결합되어 있으며, 제 2풀리(250)의 직전에는 공기회수관(231)이 관통하여 결합되어 있다.
그리고 하우징(210)의 타측단의 하측으로는 전술한 제 2풀리(250)에 의하여회전 동작하도록 축 결합되되, 하단에 폴리싱 패드(110)에 대한 컨디셔닝을 수행하는 다이아몬드 디스크(미도시)가 설치된 컨디셔닝 헤드(260)가 장착되어 있다.
한편, 하우징(210)의 일측단과 타측단 사이에는 두 개의 지지로드(217)가 설치되어 있는데, 이 지지로드(217) 중의 하우징(210)의 타측단에 위치하는 곳에는 제 2풀리(250)의 회전상태를 감지하는 회전감지센서(280)가 설치되고, 공기공급관(232)에는 압력센서(290)가 설치되어 있다.
여기서 회전감지센서(280)는 도 4에 도시된 바와 같이 제 2풀리(250)의 회전상태를 감지하여 컨디셔너(200)의 컨디셔닝 수행시 설정된 회전수로 컨디셔닝 헤드(260)가 회전하는가를 감지하기 위한 것으로, 본 발명에서는 플래그 센서를 채용하고 있는데, 이와 달리 광센서를 적용하여 실시할 수 도 있다.
그리고 압력센서(290)는 공기공급관(232)으로부터 공기압력이 적절히 공급되는가의 여부를 판단하기 위한 것이다. 다시 말해서 컨디셔닝 헤드(260)가 작동을 위한 위치와 압력으로 정확하게 승하강 동작하는가를 감지하기 위한 것이다.
한편, 이 회전상태의 감지를 위한 회전감지센서(280)는 제 1풀리(220) 또는 타이밍벨트(240)의 작동상태를 감지하도록 할 수 있다. 그러나, 최종 회전력이 전달되는 제 2풀리(250)에 설치하는 경우가 가장 정확한 회전 동력 전달 여부의 감지가 가능하기 때문에 본 발명의 가장 바람직한 실시예는 회전감지센서(280)를 제 2풀리(250)의 회전상태를 감지하도록 하는 것이다.
이상과 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 패드 컨디셔너(200)는 웨이퍼에 대한 폴리싱이 수행될 때 웨이퍼 캐리어(120)의 동작과 상호 연동하여작동함으로써 폴리싱 패드(110)에 대한 컨디셔닝을 수행한다.
이러한 컨디셔닝 작동을 위한 위치 이동은 하우징(210)을 스윙모터(214)가 스윙동작 시킴으로써 이루어지고, 동시에 컨디셔닝 동작은 회전모터(213)로부터 회전동력이 전달됨과 함께 외부관(215)으로부터 공기압이 제공되어 폴리싱 패드(110)와 컨디셔닝 헤드(260)가 밀착한 상태에서 이루어지도록 한다.
이때 회전동력의 전달은 회전모터(213)에 의하여 전달된 회전력이 기어박스부(216)를 거쳐 제 1풀리(220)로 전달되면, 제 1풀리(220)에 권취된 타이밍벨트(240)가 회전하여 제 2풀리(250)로 동력을 전달되고, 제 2풀리(250)로 전달된 회전 동력으로 컨디셔닝 헤드(260)가 회전하게 된다.
그리고 승하강 동작은 외부관(215)으로부터 공기압이 제공되면, 공기압 제어장치(230)를 거쳐 공기공급관(232)으로 공기압이 공급되고, 공기공급관(232)을 통하여 제공된 공기압으로 컨디셔닝 헤드(260)가 하향 구동하여 폴리싱 패드(110)에 밀착됨으로써 컨디셔닝 동작이 이루어진다.
그리고 컨디셔닝 작업의 종료시에는 컨디셔닝 헤드(260)에 가해진 공기압이 공기회수관(232)을 통하여 회수됨으로써 도시되지 않은 스프링과 같은 복원부재에 의하여 컨디셔닝 헤드(260)가 상향 복원하게 되고, 회전은 회전모터(213)가 정지함으로써 그 회전동작이 정지하게 된다.
한편, 전술한 바와 같은 작동 중 회전동작과 상하 승강동작의 정확한 작동여부는 회전감지센서(280)와 압력센서(290)에 의하여 이루어지는데, 이때의 작동감지 동작은 도 5에 도시된 바와 같이 패드 컨디셔너의 동작이 시작되면, 외부관(215)으로부터 공기압 제어장치(230)를 거쳐 공기공급관(232)으로 공기압이 공급된다.(S10)
그리고 소정압력의 공기압이 제공되면, 컨디셔닝 헤드(260)의 다이아몬드 디스크가 폴리싱 패드(110)에 접촉하여 소정의 접촉압력을 유지할 수 있도록 하향 구동한다.(S20)
이후 회전모터(213)가 동작하여 제 1풀리(220)의 동력이 타이밍벨트(240)를 통하여 제 2풀리(250)로 전달되면 컨디셔닝 헤드(260)의 회전동작이 시작되어 컨디셔닝 동작이 시작된다.(S30)
이후 패드 컨디셔닝이 수행되면, 회전감지센서(280)는 컨디셔닝 헤드(260)에 설치된 다이아몬드 디스크에 직접적으로 회전동력을 전달하는 제 2풀리(250)의 회전속도를 감지하고,(S40) 이 감지된 값과 미리 설정된 회전값을 서로 비교하게 된다.(S50)
그리고 동시에 또는 소정의 시간 간격을 두고, 압력센서(290)는 공기공급관(232)의 공기압을 감지하며(S60), 이 감지된 값을 미리 설정된 압력값과 비교하게 된다.(S70)
이후 감지된 회전값과 압력값은 미리 설정된 값과 비교 판단하여, 만약 그 비교값이 설정된 값과 다르면(S80) 이때에는 회전동작 및 승강동작에 이상이 있다는 것을 의미하므로 설비를 인터록 시켜 공정을 중단하도록 한다.(S90)
이러한 이상 발생의 경우로는 회전상태의 이상과 압력상태의 이상으로 발생하게 되는데, 회전상태의 이상은 회전모터(213)의 손상, 기어박스부(216)의 이상,제 1풀리(220)의 손상 및 타이밍벨트(240)의 마모, 손상 또는 절단 그리고 제 2풀리(250)의 손상 등으로 발생한다.
특히 최종 동력이 전달되는 제 2풀리(250)의 경우는 다른 회전 구동부품들의 손상으로 최종 동력 전달을 수행하기 때문에 이 제 2풀리(250)의 회전감지로 가장 정확한 이상 유무 발생을 감지할 수 있게 된다.
전술한 바와 같은 동작으로 이상유무가 판별되면 사용자는 이러한 이상유무 부분을 검색하여 적절히 대체함으로써 작동이상상태를 해소시킬 수 있게 된다.
그리고 압력상태의 이상은 공기공급관(232)으로 공급되는 외부관(215)에서의 공기압 누설이 발생하는 경우가 대부분이므로 이 누설 부분을 찾아서 이에 적절히 대처함으로써 해소할 수 있다.
한편, 이상과 같은 실시예와 달리 감지된 회전과 압력에 대한 비교 판단을 동시에 하지 않고, 각각 별도로 비교 판단할 수 있도록 할 수 있고, 또는 복수개의 회전감지센서와 압력센서를 여러 곳에 설치하여 보다 신속하고 정확하게 이상 발생부분을 검색할 수 있도록 할 수도 있다. 그러나 이와 같은 변형된 실시예들이 기본적으로 회전센서와 압력센서를 사용하여 컨디셔너의 작동 이상유무를 감지할 수 있도록 한 것이라면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
이상 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 반도체 폴리싱 장비의 패드 컨디셔너는 컨디셔너 헤드에 전달되는 공기압 및 회전 속도를 감지하고 이상이 발생하면 장비를 인터록시킴으로써, 반도체 폴리싱 공정의 패드 컨디셔닝이 비정상적으로수행되어 웨이퍼의 폴리싱 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 또한 보다 신속한 폴리싱 공정이 수행되도록 하는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 외관을 형성하는 하우징;
    상기 하우징의 타측에 설치되며 폴리싱 패드에 대한 컨디셔닝을 수행하는 다이아몬드 디스크를 가진 컨디셔닝 헤드;
    상기 하우징의 일측에 설치되어 상기 컨디셔닝 헤드의 회전동력을 발생시키는 회전모터;
    상기 회전모터에 연결되어 회전하는 제 1풀리와, 상기 컨디셔닝 헤드로 회전 동력을 전달하도록 상기 컨디셔닝 헤드와 축결합되며 상기 제 1풀리에 권취된 벨트가 권취된 제 2풀리를 갖는 동력전달부; 및
    상기 하우징의 내부에 설치되어 상기 동력전달부의 구동상태를 감지하여 상기 컨디셔닝 헤드의 회전상태를 파악하는 회전감지센서를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 폴리싱 장치의 컨디셔너.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 회전감지센서는 상기 제 2풀리의 일측에 설치되어 상기 제 2풀리의 회전수 감지로 상기 컨디셔닝 헤드의 회전 상태를 감지하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 폴리싱 장치의 컨디셔너.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 회전감지센서는 플래그 센서로 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 폴리싱 장치의 컨디셔너.
  4. 제 1항 내지는 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 하우징의 내부에는 외부 공기압이 제공되어 상기 컨디셔닝 헤드를 상하 승강시키도록 하는 공기공급관이 설치되고, 상기 공기공급관에는 상기 공기공급관으로 제공되는 공기압을 감지하는 압력센서가 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 폴리싱 장치의 컨디셔너.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003048147A (ja) * 2001-07-31 2003-02-18 Applied Materials Inc 研磨パッドのコンディショニング装置及びこれを用いた研磨装置
US7094695B2 (en) * 2002-08-21 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a polishing pad used for mechanical and/or chemical-mechanical planarization
US6722948B1 (en) * 2003-04-25 2004-04-20 Lsi Logic Corporation Pad conditioning monitor
EP1626839A1 (en) * 2003-05-28 2006-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. A method and system for controlling the chemical mechanical polishing by using a sensor signal of a pad conditioner
DE10324429B4 (de) * 2003-05-28 2010-08-19 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Betreiben eines chemisch-mechanischen Polier Systems mittels eines Sensorsignals eines Polierkissenkonditionierers
KR100536347B1 (ko) * 2003-06-12 2005-12-12 동부아남반도체 주식회사 폴리싱 패드 컨디셔너 디스크의 오작동 감지장치 및감지방법
US7094134B2 (en) * 2004-06-22 2006-08-22 Samsung Austin Semiconductor, L.P. Off-line tool for breaking in multiple pad conditioning disks used in a chemical mechanical polishing system
US7404757B2 (en) * 2004-06-22 2008-07-29 Samsung Austin Semiconductor, L.P. Apparatus and method for breaking in multiple pad conditioning disks for use in a chemical mechanical polishing system
US7077722B2 (en) * 2004-08-02 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Systems and methods for actuating end effectors to condition polishing pads used for polishing microfeature workpieces
US7033253B2 (en) * 2004-08-12 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Polishing pad conditioners having abrasives and brush elements, and associated systems and methods
US7059939B2 (en) * 2004-09-02 2006-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polishing pad conditioner and monitoring method therefor
KR100541821B1 (ko) * 2004-09-09 2006-01-11 삼성전자주식회사 폴리싱장치의 패드컨디셔너 오동작 감지장치 및 그 방법
KR100642640B1 (ko) * 2004-10-28 2006-11-10 삼성전자주식회사 패드 컨디셔너 테스트 장치 및 테스트 방법
CN100576432C (zh) * 2005-05-26 2009-12-30 应用材料股份有限公司 智能调整器润湿站
US7210981B2 (en) * 2005-05-26 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Smart conditioner rinse station
US7473745B2 (en) * 2005-09-02 2009-01-06 Equistar Chemicals, Lp Preparation of multimodal polyethylene
US7540799B1 (en) * 2007-02-26 2009-06-02 Trojan Daniel R System for adjusting an end effector relative to a workpiece
KR101004432B1 (ko) * 2008-06-10 2010-12-28 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치
US8096852B2 (en) * 2008-08-07 2012-01-17 Applied Materials, Inc. In-situ performance prediction of pad conditioning disk by closed loop torque monitoring
KR101126382B1 (ko) * 2010-05-10 2012-03-28 주식회사 케이씨텍 화학 기계식 연마시스템의 컨디셔너
KR200471467Y1 (ko) * 2013-01-21 2014-02-24 전용준 패드 컨디셔너의 회전 감지장치
CN104097145A (zh) * 2013-04-02 2014-10-15 盛美半导体设备（上海）有限公司 研磨垫修整器
JP6342198B2 (ja) * 2014-03-31 2018-06-13 株式会社荏原製作所 研磨装置の構成部品用のカバー、研磨装置の構成部品、および、研磨装置
US10814457B2 (en) 2018-03-19 2020-10-27 Globalfoundries Inc. Gimbal for CMP tool conditioning disk having flexible metal diaphragm
US11648644B2 (en) 2019-01-02 2023-05-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Polishing pad conditioning apparatus
CN110640581B (zh) * 2019-10-29 2021-11-12 孙维涛 一种压电陶瓷聚合物复合材料的加工设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5743784A (en) * 1995-12-19 1998-04-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method to determine the coefficient of friction of a chemical mechanical polishing pad during a pad conditioning process and to use it to control the process
JPH10329009A (ja) * 1997-05-30 1998-12-15 Hitachi Ltd 研磨方法および装置
JP2001030169A (ja) * 1999-05-17 2001-02-06 Ebara Corp ドレッシング装置及びポリッシング装置
US6191038B1 (en) * 1997-09-02 2001-02-20 Matsushita Electronics Corporation Apparatus and method for chemical/mechanical polishing
WO2001015865A1 (en) * 1999-08-31 2001-03-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
JP2001150337A (ja) * 1999-11-29 2001-06-05 Hitachi Ltd 研磨方法および研磨装置並びにこれを用いた半導体装置の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0731007Y2 (ja) * 1989-11-06 1995-07-19 セイコー精機株式会社 動力伝達監視装置
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
JP3036348B2 (ja) * 1994-03-23 2000-04-24 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置
JP2887197B2 (ja) * 1994-09-20 1999-04-26 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板洗浄装置
KR100524510B1 (ko) * 1996-06-25 2006-01-12 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마포를드레싱하는방법과장치
JPH10217102A (ja) * 1997-01-30 1998-08-18 Toshiba Mach Co Ltd 研磨布のドレッシング方法およびその装置
US5975994A (en) * 1997-06-11 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for selectively conditioning a polished pad used in planarizng substrates
US6036583A (en) * 1997-07-11 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Conditioner head in a substrate polisher and method
US6392277B1 (en) * 1997-11-21 2002-05-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US5827112A (en) * 1997-12-15 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for grinding wafers
US6083085A (en) * 1997-12-22 2000-07-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing microelectronic substrates and conditioning planarizing media
JPH11190405A (ja) * 1997-12-24 1999-07-13 Mori Seiki Co Ltd 動力伝達機構の異常検出装置
JP2000052230A (ja) * 1998-07-31 2000-02-22 Mitsubishi Materials Corp ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置
US6033290A (en) * 1998-09-29 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner
US6086460A (en) * 1998-11-09 2000-07-11 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad used in chemical mechanical planarization
US6220936B1 (en) * 1998-12-07 2001-04-24 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. In-site roller dresser
JP3808236B2 (ja) * 1999-05-07 2006-08-09 株式会社日立製作所 平坦化加工装置
JP3632500B2 (ja) * 1999-05-21 2005-03-23 株式会社日立製作所 回転加工装置
JP3760064B2 (ja) * 1999-08-09 2006-03-29 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法及び半導体装置の平坦化加工装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5743784A (en) * 1995-12-19 1998-04-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method to determine the coefficient of friction of a chemical mechanical polishing pad during a pad conditioning process and to use it to control the process
JPH10329009A (ja) * 1997-05-30 1998-12-15 Hitachi Ltd 研磨方法および装置
US6191038B1 (en) * 1997-09-02 2001-02-20 Matsushita Electronics Corporation Apparatus and method for chemical/mechanical polishing
JP2001030169A (ja) * 1999-05-17 2001-02-06 Ebara Corp ドレッシング装置及びポリッシング装置
WO2001015865A1 (en) * 1999-08-31 2001-03-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
JP2001150337A (ja) * 1999-11-29 2001-06-05 Hitachi Ltd 研磨方法および研磨装置並びにこれを用いた半導体装置の製造方法

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Publication number Publication date
JP4283499B2 (ja) 2009-06-24
KR20030002777A (ko) 2003-01-09
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US6695680B2 (en) 2004-02-24
US20030013394A1 (en) 2003-01-16

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