JP2003059873A - 半導体研磨装置のパッドコンディショナ及びそのパッドコンディショナをモニタリングする方法 - Google Patents
半導体研磨装置のパッドコンディショナ及びそのパッドコンディショナをモニタリングする方法Info
- Publication number
- JP2003059873A JP2003059873A JP2002190866A JP2002190866A JP2003059873A JP 2003059873 A JP2003059873 A JP 2003059873A JP 2002190866 A JP2002190866 A JP 2002190866A JP 2002190866 A JP2002190866 A JP 2002190866A JP 2003059873 A JP2003059873 A JP 2003059873A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conditioning head
- pad
- conditioning
- pressure
- pulley
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims abstract description 68
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 13
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012066 reaction slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
動力伝達部分と空気圧伝達部分での異常有無を予め感知
することができるようにする。 【解決手段】 コンディショナは外観を形成するハウジ
ングと;ハウジングの一側に設けられた回転モータによ
って回転する第1プーリと;ハウジングの他側に設けら
れて研磨パッドに対するコンディショニングを遂行する
ダイアモンドディスクを有したコンディショニングヘッ
ドと;コンディショニングヘッドに回転動力を伝達する
ようにコンディショニングヘッドと軸結合されて第1プ
ーリに巻かれたベルトが巻かれた第2プーリと;ハウジ
ングの内部に設けられてコンディショニングヘッドの回
転状態を感知する回転感知センサを備えている。
Description
パッドコンディショナに係り、さらに詳細にはコンディ
ショナヘッドに伝えられる空気圧及び回転速度を感知し
てパッドコンディショニングが非正常的に遂行されるこ
とを防止するようにした半導体研磨装置のパッドコンデ
ィショナ及びそのパッドコンディショナをモニタリング
する方法に関するものである。
抵抗層、半導体層、絶縁層などが蒸着されて直接回路を
形成したものであって、半導体製造工程中このような層
が形成された後ウェーハ基板を平坦化させる平坦化工程
が周期的に適用される。
一つで化学的機械的研磨工程(Chemical mec
hanical polishing:以下“CMP”と
称する)がある。このCMP工程は、キャリアによって
移送されたウェーハが研磨パッド上で回転することによ
ってウェーハ表面が機械的に平坦化されると共に研磨パ
ッド上に化学的反応を行うスラリーを供給して化学的に
平坦化がなされる。
の達成のためには、研磨パッドの表面粗さが常に一定に
維持されなければならない。すなわちCMPの持続的な
駆動で研磨パッドはその表面粗さが低くなって研磨機能
が漸進的に喪失されるが、これを防止するためにパッド
コンディショナという装置が用いられる。
でウェーハの研磨が正常的に遂行されるように、パッド
の状態を最適化するための装置であって、研磨パッドの
状態を平坦化するのみならずスラリー溶液や研磨によっ
て発生したパーティクルなどがパッドに積層してパッド
を鈍くさせることを防止して、パッドの表面粗さを一定
に維持させ、スラリー溶液を均等に分散させる役割を果
たしている。
ショナは、ダイアモンドディスクを有したコンディショ
ニングヘッドとこのコンディショニングヘッドを回転さ
せる回転駆動部、そしてコンディショニングヘッドを上
下駆動させる上下駆動部を備えてコンディショニングヘ
ッドを研磨パッド上側に位置させて回転及び上下昇降す
るようにすることによって、研磨ヘッドに対するコンデ
ィショニングがなされるようにしている。
ショニングヘッドの回転駆動のためにモータから提供さ
れた動力が別途のタイミングベルトを通してコンディシ
ョニングヘッドに伝えられるようになっていて、上下昇
降は外部から供給された空気圧でコンディショニングヘ
ッドが上下昇降するようになっている。
ングベルトは、その持続的な動作によって、巻かれた部
分が摩耗したり、巻かれた状態が外れたりまたはベルト
自体が切断する問題を誘発させて回転動力がコンディシ
ョニングヘッドに十分に伝達できないという問題を発生
させる。
で空気供給管自体の老化による真空圧力漏れ、連結部の
接触不良及び設置不良による外部抵抗等でコンディショ
ニングヘッドに適切な昇降圧力を十分に伝達できない場
合を発生させる。
り、空気供給管が損傷してコンディショニングヘッドに
回転動力や昇降動力が十分に伝達できなくなれば、当然
コンディショニングと研磨が十分になされないようにな
り、研磨が十分になされないと、相対的に研磨時間が長
くなると同時に微細粒子が十分に除去されなくてウェー
ハの研磨面にスクラッチを発生させる問題点を誘発させ
る。
ようなタイミングベルト及び空気供給管の損傷を予め感
知できないためにCMP工程中研磨効率が低下されたり
ウェーハにスクラッチが発生する問題を十分に解消でき
なかった。
な問題点を解決するためのものであり、本発明の目的は
コンディショニングヘッドに伝えられる回転動力伝達部
分と空気圧伝達部分での異常有無を予め感知することが
できるようにしてコンディショニング効率を持続的に安
定するように維持することができるようにした半導体研
磨装置の研磨パッドコンディショナを提供するためのも
のである。
ためのものであって、本発明による半導体研磨装置のパ
ッドコンディショナは、外観を形成するハウジングと;
前記ハウジングの一側に設けられた回転モータによって
回転する第1プーリと;前記ハウジングの他側に設けら
れて研磨パッドに対するコンディショニングを遂行する
ダイアモンドディスクを有したコンディショニングヘッ
ドと;前記コンディショニングヘッドに回転動力を伝達
するように前記コンディショニングヘッドと軸結合され
て前記第1プーリに巻かれたベルトが巻かれた第2プー
リと;前記ハウジングの内部に設けられて前記コンディ
ショニングヘッドの回転状態を感知する回転感知センサ
を備える。
記第2プーリの一側に設けられて前記第2プーリの回転
感知で前記コンディショニングヘッドの回転状態を感知
するようにする。また、望ましく前記回転感知センサは
フラグセンサで用意される。
圧が提供されて前記コンディショニングヘッドを上下昇
降させるようにする空気供給管が設けられて、前記空気
供給管には前記空気供給管に提供される空気圧を感知す
る圧力センサが設けられたことを特徴とする。
添付された図面を参照して詳細に説明する。本発明によ
るパッドコンディショナが設けられたCMP装置は、図
1に示したようにベース本体100とこのベース本体1
00の上面に陥没されて設けられた研磨パッド110を
備える。そしてベース本体100の上側に左右スイング
動作自在に設けられたウェーハキャリア120とコンデ
ィショナ200が各々設けられ、研磨パッド110にス
ラリーを供給するスラリー供給器130が設けられる。
作は、図2に示したようにウェーハがホールディングさ
れたウェーハキャリア120が研磨パッド110の上側
に移動して研磨パッド110に接触すればウェーハキャ
リア120は所定速度で回転及び昇降動作してウェーハ
に対する研磨が遂行されるようにして、これと一緒にパ
ッドコンディショナ200も研磨パッド110の上側に
スイング動作で移動して研磨パッド110に対するコン
ディショニングがなされるようにする。
の構成は、図3に示したように一側端がCMPベース本
体100に軸結合されていて、他側端が一側端から所定
長さ延びるようになったハウジング210とこのハウジ
ング210の上側に多数の締結ねじ212によって覆蓋
結合されるカバー211を備える。
0に結合された端部の下部には、回転動力を発生する回
転モータ213と、ハウジング210のスイング動作の
ためのスイングモータ214と、ハウジング210に外
部空気圧の供給のための外部空気管215とが設けられ
る。
モータ214の上側には、これらから供給される動力を
回転動作またはスイング動作に転換してハウジング21
0に伝達するためのギア(図示せず)が設けられたギアボ
ックス部216が設けられている。
転モータ213によって回転する第1プーリ220と一
緒に外部空気管215と連結されている空気圧制御装置
230が設けられている。空気圧制御装置230は、空
気供給管232と空気回収管231が結合されてハウジ
ング210の他側端に延びている。
上面に前述した第1プーリ220に巻かれて延びたタイ
ミングベルト240に巻かれた第2プーリ250が設け
られている。第2プーリ250の中心部分には、空気供
給管232が貫通して結合されており、第2プーリ25
0の直前には、空気回収管231が貫通して結合されて
いる。
は、前述した第2プーリ250によって回転動作するよ
うに軸結合されるが、下端に研磨パッド110に対する
コンディショニングを行うダイアモンドディスク(図示
せず)が設けられたコンディショニングヘッド260が
装着されている。
間には二個の支持ロッド217が設けられているが、こ
の支持ロッド217中のハウジング210の他側端に位
置する所には第2プーリ250の回転状態を感知する回
転感知センサ280が設けられて、空気供給管232に
は圧力センサ290が設けられている。
したように、第2プーリ250の回転状態を感知してコ
ンディショナ200のコンディショニング遂行時に、設
定された回転数でコンディショニングヘッド260が回
転するかどうかを感知するためのものであって、本発明
ではフラグ(flag)センサを採用しているが、これと違
って光センサーを適用して実施する場合もある。
32から空気圧力が適切に供給されるのか否かを判断す
るためのものである。言い換えればコンディショニング
ヘッド260が動作するための位置と圧力で正確に昇下
降動作するのかを感知するためのものである。
知センサ280は、第1プーリ220またはタイミング
ベルト240の動作状態を感知するようにすることがで
きる。しかし、最終回転力が伝えられる第2プーリ25
0に設置する場合が最も正確な回転動力の伝達の有無の
感知が可能であるために、本発明の最も望ましい実施例
は、回転感知センサ280が第2プーリ250の回転状
態を感知するようにすることである。
体製造装置のパッドコンディショナ200は、ウェーハ
に対する研磨が遂行される時、ウェーハキャリア120
の動作と相互連動して動作することによって研磨パッド
110に対するコンディショニングを遂行する。
の位置移動は、ハウジング210をスイングモータ21
4がスイング動作させることによってなされて、同時に
コンディショニング動作は回転モータ213から回転動
力が伝えられると一緒に外部管215から空気圧が提供
されて研磨パッド110とコンディショニングヘッド2
60が密着した状態でなされるようにする。
3によって伝えられた回転力がギアボックス部216を
経て第1プーリ220に伝達されると、第1プーリ22
0に巻かれたタイミングベルト240が回転して第2プ
ーリ250に動力が伝えられて、第2プーリ250に伝
えられた回転動力でコンディショニングヘッド260が
回転するようになる。
圧が供給されると、空気圧制御装置230を経て空気供
給管232に空気圧が供給されて、空気供給管232を
通して供給された空気圧でコンディショニングヘッド2
60が下向駆動して研磨パッド110に密着されること
によってコンディショニング動作がなされる。
は、コンディショニングヘッド260に加わった空気圧
が空気回収管232を通して回収されることによって図
示されていないスプリングのような復元部材によってコ
ンディショニングヘッド260が上方向に復元するよう
になって、回転は回転モータ213が停止することによ
ってその回転動作が停止するようになる。
上下昇降動作の正確な動作の有無は、回転感知センサ2
80と圧力センサ290によってなされるが、この際の
動作感知によって、図5に示したように、パッドコンデ
ィショナの動作が始まれば、外部管215から空気圧制
御装置230を経て空気供給管232に空気圧が供給さ
れる。(S10)
コンディショニングヘッド260のダイアモンドディス
クが研磨パッド110に接触して所定の接触圧力を維持
することができるように下方向に駆動する。(S20)
プーリ220の動力がタイミングベルト240を通して
第2プーリ250に伝達されると、コンディショニング
ヘッド260の回転動作が始まってコンディショニング
動作が始まる。(S30)
されると、回転感知センサ280は、コンディショニン
グヘッド260に設けられたダイアモンドディスクに直
接的に回転動力を伝達する第2プーリ250の回転速度
を感知して(S40)、この感知された値と予め設定され
た回転値を相互比較するようになる。(S50)
て、圧力センサ290は、空気供給管232の空気圧を
感知し(S60)、この感知された値を予め設定された圧
力値と比較する。(S70)
め設定された値と比較判断して、もしもその比較値が設
定された値と異なれば(S80)、回転動作及び昇降動作
に異常があるということを意味するので、設備をインタ
ロックさせて工程を中断するようにする。(S90)
転状態の異常と圧力状態の異常で発生するようになる
が、回転状態の異常は回転モータ213の損傷、ギアボ
ックス部216の異常、第1プーリ220の損傷及びタ
イミングベルト240の摩耗、損傷または切断そして第
2プーリ250の損傷等で発生する。
0の場合は、他の回転駆動部品の損傷で最終動力伝達を
遂行するために、この第2プーリ250の回転感知で最
も正確な異常の有無の発生を感知できるようになる。
ると、ユーザーはこのような異常有無部分を検索して適
切に代えることによって動作異常状態を解消させること
ができるようになる。
2に供給される外部管215での空気圧漏れが発生する
場合が大部分であるので、この漏れ部分を探してこれに
適切に対処することによって解消できる。
れた回転と圧力に対する比較判断を同時にしなくて、各
々別途に比較判断できるようにすることができ、または
複数個の回転感知センサと圧力センサを数個所に設置し
てさらに迅速で正確に異常発生部分を検索することがで
きるようにする場合もある。しかしこのような変形され
た実施例が基本的に回転センサと圧力センサを用いてコ
ンディショナの動作の異常の有無を感知することができ
るようにすればすべて本発明の技術的範疇に含まれると
見なければならない。
導体研磨装置のパッドコンディショナはコンディショナ
ヘッドに伝えられる空気圧及び回転速度を感知して異常
が発生すれば、装備をインタロックさせることによっ
て、半導体研磨工程のパッドコンディショニングが非正
常的に遂行されてウェーハの研磨不良が発生することを
防止できて、またさらに迅速な研磨工程が遂行されるよ
うにする効果がある。
る。
図面である。
斜視図である。
ィショナの動作流れを示す流れ図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 外観を形成するハウジングと;前記ハウ
ジングの一側に設けられて研磨パッドに対するコンディ
ショニングを遂行する研磨ディスクを有したコンディシ
ョニングヘッドと;前記ハウジングの一側に設けられた
第1プーリと、前記コンディショニングヘッドに回転動
力を伝達するように前記コンディショニングヘッドと軸
結合され前記ハウジングの前記他側に設けられた第2プ
ーリと、前記第1プーリと前記第2プーリとの両方に巻
かれたベルトとを具備して構成され、前記コンディショ
ニングヘッドを駆動させる駆動力を前記コンディショニ
ングヘッドに伝える伝達機構と;前記ハウジングに設け
られ前記伝達機構の構成要素の中で少なくとも一つの構
成要素が駆動される速度を感知するように動作するセン
サと;を備えた半導体研磨装置のパッドコンディショ
ナ。 - 【請求項2】 前記センサは、前記第2プーリに隣接し
て設けられて前記第2プーリの回転感知で前記コンディ
ショニングヘッドの回転状態を感知する回転センサであ
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体研磨装置の
パッドコンディショナ。 - 【請求項3】 前記回転感知センサは、フラグセンサで
あることを 特徴とする請求項2に記載の半導体研磨装
置のパッドコンディショナ。 - 【請求項4】 前記回転感知センサは、光学センサであ
ることを特徴とする請求項2に記載の半導体研磨装置の
パッドコンディショナ。 - 【請求項5】 前記ハウジングの内部には、外部空気圧
が供給されて前記コンディショニングヘッドを上下昇降
させるようにする空気供給管が設けられ、前記空気供給
管には、前記空気供給管に供給される空気の圧力を感知
する圧力センサが設けられたことを特徴とする請求項1
ないし3中のいずれ一つに記載の半導体研磨装置のパッ
ドコンディショナ。 - 【請求項6】 外観を形成するハウジングと;前記ハウ
ジングの他側に設けられて研磨パッドに対するコンディ
ショニングを遂行する研磨ディスクを有するコンディシ
ョニングヘッドと;前記コンディショニングヘッドに空
気圧を供給することができるように前記ハウジングの内
部に設けられた空気供給チューブを具備する複数の構成
要素を備えて構成され、前記コンディショニングヘッド
が上下昇降するように前記コンディショニングヘッドに
空気圧を与えるように前記コンディショニングヘッドに
連結された空気圧供給システムと;前記空気圧供給シス
テムの内部で前記空気圧を感知するように動作する圧力
センサとを備えたことを特徴とする半導体研磨装置のパ
ッドコンディショナ。 - 【請求項7】 前記圧力センサは、前記空気供給チュー
ブの内部の空気の圧力を感知するように前記空気供給チ
ューブに連結されて動作することを特徴とする半導体研
磨装置のパッドコンディショナ。 - 【請求項8】 半導体研磨装置の研磨パッドと接触する
ようにコンディショニングヘッドを移動させる段階と;
前記研磨パッドに対して前記コンディショニングヘッド
を押さえる段階と;前記研磨パッドに対して前記コンデ
ィショニングヘッドを押さえながら前記コンディショニ
ングヘッドに連結された動力伝達機構を駆動させること
によって前記コンディショニングヘッドを回転させる段
階と;前記研磨パッドに対する前記コンディショニング
ヘッドの圧力と前記駆動力伝達機構の駆動する速度との
中で少なくとも一つを感知する段階と;研磨装置のコン
ディショナの正常的な動作を対表する値と、前記感知す
る段階で感知された速度及び圧力の値のうちの少なくと
も一つとを比較する段階を具備してなることを特徴とす
る半導体研磨装置のパッドコンディショナをモニタリン
グする方法。 - 【請求項9】 前記動力伝達機構は、前記コンディショ
ニングヘッドに連結された駆動プーリであり、前記感知
する段階は前記駆動プーリの回転速度を感知する段階で
あることを特徴とする半導体研磨装置のパッドコンディ
ショナをモニタリングする方法。 - 【請求項10】 前記圧力は、前記コンディショニング
ヘッドに連結された空気チューブによって伝達され、前
記感知する段階は前記空気供給チューブの圧力を感知す
ることを特徴とする半導体研磨装置のパッドコンディシ
ョナをモニタリングする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0038481A KR100462868B1 (ko) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너 |
KR2001-038481 | 2001-06-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003059873A true JP2003059873A (ja) | 2003-02-28 |
JP4283499B2 JP4283499B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=19711576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002190866A Expired - Fee Related JP4283499B2 (ja) | 2001-06-29 | 2002-06-28 | 半導体研磨装置のパッドコンディショナ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6695680B2 (ja) |
JP (1) | JP4283499B2 (ja) |
KR (1) | KR100462868B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003048147A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-18 | Applied Materials Inc | 研磨パッドのコンディショニング装置及びこれを用いた研磨装置 |
JP2015193055A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置の構成部品用のカバー、研磨装置の構成部品、および、研磨装置 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7094695B2 (en) * | 2002-08-21 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for conditioning a polishing pad used for mechanical and/or chemical-mechanical planarization |
US6722948B1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-04-20 | Lsi Logic Corporation | Pad conditioning monitor |
WO2004106000A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | A method and system for controlling the chemical mechanical polishing by using a sensor signal of a pad conditioner |
DE10324429B4 (de) * | 2003-05-28 | 2010-08-19 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Betreiben eines chemisch-mechanischen Polier Systems mittels eines Sensorsignals eines Polierkissenkonditionierers |
KR100536347B1 (ko) * | 2003-06-12 | 2005-12-12 | 동부아남반도체 주식회사 | 폴리싱 패드 컨디셔너 디스크의 오작동 감지장치 및감지방법 |
US7094134B2 (en) * | 2004-06-22 | 2006-08-22 | Samsung Austin Semiconductor, L.P. | Off-line tool for breaking in multiple pad conditioning disks used in a chemical mechanical polishing system |
US7404757B2 (en) * | 2004-06-22 | 2008-07-29 | Samsung Austin Semiconductor, L.P. | Apparatus and method for breaking in multiple pad conditioning disks for use in a chemical mechanical polishing system |
US7077722B2 (en) * | 2004-08-02 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for actuating end effectors to condition polishing pads used for polishing microfeature workpieces |
US7033253B2 (en) * | 2004-08-12 | 2006-04-25 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad conditioners having abrasives and brush elements, and associated systems and methods |
US7059939B2 (en) * | 2004-09-02 | 2006-06-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Polishing pad conditioner and monitoring method therefor |
KR100541821B1 (ko) * | 2004-09-09 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 폴리싱장치의 패드컨디셔너 오동작 감지장치 및 그 방법 |
KR100642640B1 (ko) * | 2004-10-28 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 패드 컨디셔너 테스트 장치 및 테스트 방법 |
CN100576432C (zh) * | 2005-05-26 | 2009-12-30 | 应用材料股份有限公司 | 智能调整器润湿站 |
US7210981B2 (en) * | 2005-05-26 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Smart conditioner rinse station |
US7473745B2 (en) * | 2005-09-02 | 2009-01-06 | Equistar Chemicals, Lp | Preparation of multimodal polyethylene |
US7540799B1 (en) * | 2007-02-26 | 2009-06-02 | Trojan Daniel R | System for adjusting an end effector relative to a workpiece |
KR101004432B1 (ko) * | 2008-06-10 | 2010-12-28 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 처리 장치 |
US8096852B2 (en) * | 2008-08-07 | 2012-01-17 | Applied Materials, Inc. | In-situ performance prediction of pad conditioning disk by closed loop torque monitoring |
KR101126382B1 (ko) * | 2010-05-10 | 2012-03-28 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계식 연마시스템의 컨디셔너 |
KR200471467Y1 (ko) * | 2013-01-21 | 2014-02-24 | 전용준 | 패드 컨디셔너의 회전 감지장치 |
CN104097145A (zh) * | 2013-04-02 | 2014-10-15 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 研磨垫修整器 |
US10814457B2 (en) | 2018-03-19 | 2020-10-27 | Globalfoundries Inc. | Gimbal for CMP tool conditioning disk having flexible metal diaphragm |
KR102665604B1 (ko) | 2019-01-02 | 2024-05-14 | 삼성전자주식회사 | 연마패드 컨디셔닝 장치 |
CN110640581B (zh) * | 2019-10-29 | 2021-11-12 | 孙维涛 | 一种压电陶瓷聚合物复合材料的加工设备 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0369736U (ja) * | 1989-11-06 | 1991-07-11 | ||
JPH08141518A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板洗浄装置 |
JPH10217102A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-18 | Toshiba Mach Co Ltd | 研磨布のドレッシング方法およびその装置 |
WO1999002305A1 (en) * | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing |
WO1999027585A1 (fr) * | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur |
JPH11190405A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-13 | Mori Seiki Co Ltd | 動力伝達機構の異常検出装置 |
JP2000052230A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-22 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置 |
WO2000018542A1 (en) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
WO2000027585A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for conditioning a polishing pad used in chemical mechanical planarization |
JP2000317835A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Hitachi Ltd | 半導体の平坦化加工方法および装置 |
JP2000326210A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-28 | Hitachi Ltd | 回転加工装置 |
JP2001030169A (ja) * | 1999-05-17 | 2001-02-06 | Ebara Corp | ドレッシング装置及びポリッシング装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5456627A (en) * | 1993-12-20 | 1995-10-10 | Westech Systems, Inc. | Conditioner for a polishing pad and method therefor |
JP3036348B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2000-04-24 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置 |
US5743784A (en) * | 1995-12-19 | 1998-04-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method to determine the coefficient of friction of a chemical mechanical polishing pad during a pad conditioning process and to use it to control the process |
KR100524510B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2006-01-12 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마포를드레싱하는방법과장치 |
JP3722591B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2005-11-30 | 株式会社日立製作所 | 研磨装置 |
US5975994A (en) * | 1997-06-11 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for selectively conditioning a polished pad used in planarizng substrates |
US6191038B1 (en) * | 1997-09-02 | 2001-02-20 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method for chemical/mechanical polishing |
US5827112A (en) * | 1997-12-15 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for grinding wafers |
US6083085A (en) * | 1997-12-22 | 2000-07-04 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for planarizing microelectronic substrates and conditioning planarizing media |
US6220936B1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-04-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | In-site roller dresser |
JP3760064B2 (ja) * | 1999-08-09 | 2006-03-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の平坦化加工装置 |
US6306008B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-10-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization |
JP2001150337A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-05 | Hitachi Ltd | 研磨方法および研磨装置並びにこれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-06-29 KR KR10-2001-0038481A patent/KR100462868B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-06-28 US US10/183,655 patent/US6695680B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-28 JP JP2002190866A patent/JP4283499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0369736U (ja) * | 1989-11-06 | 1991-07-11 | ||
JPH08141518A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板洗浄装置 |
JPH10217102A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-18 | Toshiba Mach Co Ltd | 研磨布のドレッシング方法およびその装置 |
WO1999002305A1 (en) * | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing |
WO1999027585A1 (fr) * | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur |
JPH11190405A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-13 | Mori Seiki Co Ltd | 動力伝達機構の異常検出装置 |
JP2000052230A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-22 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置 |
WO2000018542A1 (en) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
WO2000027585A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for conditioning a polishing pad used in chemical mechanical planarization |
JP2000317835A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Hitachi Ltd | 半導体の平坦化加工方法および装置 |
JP2001030169A (ja) * | 1999-05-17 | 2001-02-06 | Ebara Corp | ドレッシング装置及びポリッシング装置 |
JP2000326210A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-28 | Hitachi Ltd | 回転加工装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003048147A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-18 | Applied Materials Inc | 研磨パッドのコンディショニング装置及びこれを用いた研磨装置 |
JP2015193055A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置の構成部品用のカバー、研磨装置の構成部品、および、研磨装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100462868B1 (ko) | 2004-12-17 |
KR20030002777A (ko) | 2003-01-09 |
JP4283499B2 (ja) | 2009-06-24 |
US20030013394A1 (en) | 2003-01-16 |
US6695680B2 (en) | 2004-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003059873A (ja) | 半導体研磨装置のパッドコンディショナ及びそのパッドコンディショナをモニタリングする方法 | |
US11224956B2 (en) | Polishing apparatus | |
US8388409B2 (en) | Substrate polishing apparatus | |
US6976902B2 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus | |
JP6130677B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
US6194231B1 (en) | Method for monitoring polishing pad used in chemical-mechanical planarization process | |
US6074517A (en) | Method and apparatus for detecting an endpoint polishing layer by transmitting infrared light signals through a semiconductor wafer | |
WO2004105112A1 (en) | Substrate holding apparatus and polishing apparatus | |
US6272902B1 (en) | Method and apparatus for off-line testing a polishing head | |
US7128637B2 (en) | System and method detecting malfunction of pad conditioner in polishing apparatus | |
US6285035B1 (en) | Apparatus for detecting an endpoint polishing layer of a semiconductor wafer having a wafer carrier with independent concentric sub-carriers and associated method | |
KR100646656B1 (ko) | 패드 컨디셔너용 에러검출장치 | |
US7059939B2 (en) | Polishing pad conditioner and monitoring method therefor | |
KR20070028191A (ko) | 폴리싱 패드 수명감지장치를 구비한 폴리싱 패드 컨디셔너및 폴리싱 패드 수명감지방법 | |
JP2002313765A (ja) | ブラシ洗浄装置及びその制御方法 | |
KR20060121565A (ko) | 화학기계적연마 시스템에서의 패드 컨디셔너 회전 구동장치 | |
KR20060039372A (ko) | 화학적 기계적 연마설비의 패드 컨디셔너 및 이를 이용한컨디셔너 헤드 불량 판별방법 | |
KR100536347B1 (ko) | 폴리싱 패드 컨디셔너 디스크의 오작동 감지장치 및감지방법 | |
JP4165118B2 (ja) | 研磨装置、研磨部材厚さ検出方法および研磨部材厚さ検出装置 | |
US6368186B1 (en) | Apparatus for mounting a rotational disk | |
US7137870B1 (en) | Apparatus adapted to sense broken platen belt | |
US6358116B1 (en) | Thrown wafer failsafe system for chemical/mechanical planarization | |
KR100642640B1 (ko) | 패드 컨디셔너 테스트 장치 및 테스트 방법 | |
KR100576443B1 (ko) | Cmp 장비의 컨디셔너 | |
KR20060097840A (ko) | Cmp 설비용 롱 로봇 유닛 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080108 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080408 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080903 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090319 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140327 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |