CN102197340A - 曝光装置和光掩膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种曝光装置，其为在一个方向上搬送TFT用基板(8)，隔着光掩膜(3)对TFT用基板(8)间歇地照射光源光(24)，对应于形成于所述光掩膜(3)的多个掩膜图案在所述TFT用基板(8)上形成曝光图案的曝光装置，所述光掩膜(3)的一表面形成要求分辨率不同的电极布线图案(14)和信号布线图案(17)，在TFT用基板(8)的搬送方向的前后形成有多个电极布线图案(14)构成的电极布线图案群(16)和多个信号布线图案(17)构成的信号布线图案群(18)。在另一表面对应于要求分辨率高的电极布线图案(14)形成将该图案缩小投影于所述TFT用基板(8)的微透镜(19)，配置该光掩膜(3)使得该微透镜侧(19)侧作为TFT用基板(8)侧。这样，要求分辨率不同的两种曝光图案在同一曝光步骤中同时形成，提高曝光处理效率。

Description

曝光装置和光掩膜
技术领域
本发明涉及一种曝光装置，其在一方向搬送被曝光体，并对该被曝光体间歇照射曝光光以形成曝光图案，更加具体地，本发明涉及一种曝光装置和光掩膜，其在同一曝光步骤中同时形成要求分辨率不同的两种曝光图案，提高曝光处理效率。
背景技術
以往的曝光装置，是隔着光掩膜对以一定速度被搬送的被曝光体间歇地进行曝光光的照射，对光掩膜的掩膜图案在规定位置曝光的曝光装置，其通过拍摄单元拍摄由光掩膜确定的曝光位置的被曝光体的搬送方向上游侧的位置，根据该拍摄图像重合被曝光体和光掩膜，从而可控制曝光光的照射时机(例如，参照专利文献1)。
先行技術文献
专利文献
专利文献1：特开2008-76709号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是，在这样的以往的曝光装置中，由于通过垂直透过光掩膜的曝光光将形成于光掩膜的掩膜图案直接转印到被曝光体上，因此由于照射到光掩膜的光源光的视角(平行光半角)的存在，被曝光体上的图案的像失焦而分辨率降低，有可能无法曝光形成微细图案。从而，无法在同一曝光步骤中同时形成要求分辨率不同的两种图案。
对于这样的问题，可以分为两个步骤进行，即，要求分辨率高的微细图案采用分辨率高的例如缩小投影曝光装置曝光形成，要求分辨率低的图案采用所述曝光装置曝光形成，但是这样的曝光处理效率不佳。
又，采用所述缩小投影曝光装置，以高分辨率的状态同时形成分辨率要求不同的两种曝光图案也可以，但是这样情况下，被曝光体在二维平面内步进移动进行多面曝光。因此，对于大面积的被曝光体来说，曝光处理效率非常低。
因此，本发明为了解决上述问题，其目的在于提供一种在同一曝光步骤中同时形成要求分辨率不同的两种曝光图案，提高曝光处理效率。
解决问题的手段
为了达到上述目的，本发明的曝光装置为在一个方向上搬送被曝光体，隔着光掩膜对所述被曝光体间歇地照射光源光，对应于形成于所述光掩膜的多个掩膜图案在所述被曝光体上形成曝光图案的曝光装置，所述光掩膜为，在形成于透明基板的一表面的遮光膜上，在所述被曝光体的搬送方向的前后形成由要求分辨率不同的两种掩膜图案构成的两个掩膜图案群，所述透明基板的另一表面对应于所述要求分辨率不同的两种掩膜图案中要求分辨率高的一方的掩膜图案形成将该一方的掩膜图案缩小投影于所述被曝光体上的微透镜，所述光掩膜被配置为所述微透镜侧作为所述被曝光体侧。
通过这样的结构，被曝光体在一个方向被搬送，光源光隔着光掩膜间歇地照射于被曝光体，该光掩膜在形成于透明基板的一面的遮光膜上、在被曝光体的搬送方向的前后形成有由要求分辨率不同的两种掩膜图案构成的两个掩膜图案群，要求分辨率不同的两种掩膜图案中，一方的掩膜图案由对应于要求分辨率高的一方的掩膜图案形成于透明基板的另一表面的微透镜缩小投影到被曝光体，形成与该一方掩膜图案对应的曝光图案，要求分辨率不同的两种掩膜图案中，与要求分辨率低的另一方的掩膜图案对应的曝光图案形成于被曝光体上。
又，所述要求分辨率高的一方的掩膜图案所构成的掩膜图案群，具有在与所述被曝光体的搬送方向大致正交的方向上由所述多个掩膜图案以规定间隔排列为一直线状而形成的多个掩膜图案列，位于所述被曝光体的搬送方向最下游侧的所述掩膜图案列所形成的多个曝光图案的间隙能够通过后续的掩膜图案列所形成的多个曝光图案补完，所述后续的掩膜图案列在所述多个掩膜图案的所述排列方向上分别错开规定尺寸。这样，通过具有在与被曝光体的搬送方向大致正交的方向、多个掩膜图案以规定间隔排列形成的多个掩膜图案列的掩膜图案群，该掩膜图案群是由相对位于被曝光体的搬送方向最下游侧的掩膜图案列后续的掩膜图案列在多个掩膜图案的排列方向上分别错开规定尺寸形成的要求分辨率高的一方的掩膜图案所构成的，使得位于被曝光体的搬送方向最下游侧的掩膜图案列所形成的多个曝光图案的间隙由后续的掩膜图案列所形成的多个曝光图案补完。
所述被曝光体为液晶显示装置的TFT用基板；所述要求分辨率不同的两种掩膜图案中，所述一方的掩膜图案为薄膜晶体管的电极布线图案，另一方的掩膜图案为向所述薄膜晶体管提供信号的信号布线图案；所述电极布线图案和所述信号布线图案形成为所述电极布线图案的曝光图案和所述信号布线图案的曝光图案相互连接。这样，将薄膜晶体管的电极布线图案缩小投影在液晶显示装置的TFT用基板上，形成对应于电极布线图案的曝光图案，并形成与向薄膜晶体管提供信号的信号布线图案对应的曝光图案，在TFT用基板将两曝光图案相互连接。
本发明的光掩膜，在形成于透明基板的一表面的遮光膜上，横向排列由要求分辨率不同的两种掩膜图案构成的两个掩膜图案群，在所述透明基板的另一表面对应于所述要求分辨率不同的两种掩膜图案中要求分辨率高的一方的掩膜图案形成将该一方的掩膜图案缩小投影于所述被曝光体上的微透镜。
通过这样的构成，分别构成在形成于透明基板的一表面的遮光膜上横向排列形成的两个掩膜图案群的要求分辨率不同的两种掩膜图案中，通过对应于要求分辨率高的一方的掩膜图案形成于透明基板另一表面的微透镜将所述一方的掩膜图案缩小投影到相对配置的被曝光体上，将要求分辨率低的另一方的掩膜图案直接转印。
所述要求分辨率高的一方的掩膜图案构成的掩膜图案群包括由所述多个掩膜图案以规定间隔排列成一直线状形成的多个掩膜图案列，相对于任意一个掩膜图案列其他掩膜图案列在所述多个掩膜图案的所述排列方向分别错开规定尺寸。这样，对于在与掩膜图像列大致正交方向上被搬送的被曝光体，任意一个的掩膜图像列所形成的多个曝光图案的间隙通过其他的掩膜图案列所形成的多个曝光图案来补完。
发明效果
根据第一方面的发明，在形成于同一光掩膜上的要求分辨率不同的两种掩膜图案中，以微透镜对要求分辨率高的一方的掩膜图案进行缩小投影形成分辨率高的微细曝光图案，对要求分辨率低的另一方的掩膜图案直接地转印形成覆盖较大区域的、大的曝光图案。从而，即使在被曝光体上混有要求分辨率不同的两种曝光图案时，可采用同一曝光步骤同时形成，从而提高曝光处理效率。
又，根据第二方面的发明，由于微透镜的存在而导致掩膜图案列的多个掩膜图案的排列间隔无法减小的时候，被位于曝光体的搬送方向最下游侧的掩膜图案列所形成的多个曝光图案的间隙可通过后续的掩膜图案列所形成的多个曝光图案来补完。从而，可高密度地形成要求分辨率高的曝光图案。
根据第三方面的发明，对于液晶显示装置的TFT用基板，可在同一曝光步骤中将要求高分辨率的薄膜晶体管的电极布线图案和分辨率可以较低的信号布线图案的各曝光图案相互连接。从而，可高效的形成TFT用基板的布线图案。
又，第四方面的发明，同一透明基板上形成的要求分辨率不同的两种掩膜图案中，以微透镜对要求分辨率高的一方的掩膜图案进行缩小投影并形成分辨率高的微细曝光图案，对要求分辨率低的另一方的掩膜图案直接转印形成覆盖较大区域的大的曝光图案。从而，即使在被曝光体上混有要求分辨率不同的两种曝光图案的情况下，也可在同一曝光步骤中形成曝光图案，从而提高曝光处理效率。
根据第五方面的发明，即使在由于微透镜的存在无法减小掩膜图案列的多个掩膜图案的排列间隔的情况下，对于在与掩膜图案列大致正交方向搬送的被曝光体，对任意一个掩膜图案列所形成的多个曝光图案的间隙以其他掩膜图案列所形成的多个曝光图案进行补完。从而，可高密度地形成要求分辨率高的曝光图案。
附图说明
图1是显示本发明的曝光装置的实施方式的概略结构图。
图2是显示用于本发明的曝光装置的光掩膜的结构的图，(a)为俯视图；(b)为侧视图；(c)为底视图。
图3是显示所述光掩膜的第一掩膜图案群的放大俯视图。
图4是显示所述光掩膜的第二掩膜图案群的放大俯视图。
图5是显示所述曝光装置的控制单元的结构的框图。
图6是显示使用所述光掩膜在被曝光体上形成的曝光图案的俯视图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细地说明。图1为显示本发明的曝光装置的实施方式的概略结构图。该曝光装置，向某一方向搬送被曝光体，同时对该曝光体间歇性照射光源光以形成曝光图案，该曝光装置包括：搬送单元1、掩膜台2、光掩膜3、曝光光学系统4、拍摄单元5、照明单元6、控制单元7。又，此处使用的被曝光体为液晶显示装置的TFT用基板8，其将要在透明基板的一表面以规定的关系反复形成薄膜晶体管的例如栅、漏、源电极及与其连接的布线构成的电极布线图案，并形成对所述薄膜晶体管提供信号的信号布线图案。
所述搬送单元1在基台9的上表面载置涂布了感光性树脂的TFT用基板8并以规定速度向一方向(箭头A方向)搬送，其通过例如组合电动机和齿轮等所构成的移动机构使得基台9移动。又，搬送单元1设有用于检测基台9的移动速度的速度传感器、用于检测基台9的移动距离的位置传感器(省略图示)。
在所述搬送单元1的上方，设有掩膜台2。该掩膜台2与被搬送单元1载置并搬送的TFT用基板8邻近相对、并保持后述的光掩膜3，其与包含光掩膜3的掩膜图案的形成区域10和观察窗11在内的区域(参考图2)对应地在中央部开口，并能定位并保持光掩膜3的周边部。而且，形成为可在与基台9的面平行的面内、在与TFT用基板8的箭头A所示的搬送方向大致正交的方向、与后述的拍摄单元5一体地移动。又，可根据需要将掩膜台2形成为以掩膜台2的中心为轴在规定角度范围内可旋转。
光掩膜3以能够拆装的方式保持在所述掩膜台2上。光掩膜3保持于掩膜台2，其在形成于透明基板的一表面的遮光膜上，在TFT基板8的搬送方向前后形成有由要求分辨率不同的两种掩膜图案构成的两个掩膜图案群，另一表面形成有微透镜，其对应于上述两种掩膜图案中的要求分辨率高的一方的掩膜图案，将该一方的掩膜图案缩小投影于TFT用基板8，该微透镜侧为TFT用基板8侧。
具体来说，如图2(b)所示，光掩膜3在例如石英玻璃构成的透明基板12的一方的面12a形成作为遮光膜的不透明的铬(Cr)膜13，在该铬(Cr)膜13上，并在该图2(a)的虚线所示的图案形成区域10内，形成有由规定形状的开口图案构成的、要求分辨率高的薄膜晶体管的多个电极布线图案14(参照图3)，该电极布线图案14在与TFT用基板8的搬送方向(箭头A方向)大致正交方向以规定间隔呈一直线状排列，作为电极布线图案列15，并且具有多列形成电极布线图案群16。又，在图案形成区域10内、电极布线图案群16的侧方形成有信号布线图案群18，其由与对应于电极布线图案14形成于TFT用基板8上的曝光图案连接、并用于向薄膜晶体管提供信号的要求分辨率低的多个信号布线图案17(参照图4)构成。又，图2(a)中，为了避免图面的复杂化，电极布线图案14和信号布线图案17简化为矩形。进一步的，在所述透明基板12的另一方的面12b，如图2(c)所示，形成有对应于多个电极布线图案14的多个微透镜19。后续的电极布线图案列15b～15d在多个电极布线图案14的排列方向各错开规定尺寸形成，以使由TFT用基板8的搬送方向的最下游侧的电极布线图案列15a形成的多个曝光图案的间隙可由后续的电极布线图案列15b，15c，15d所形成的多个曝光图案来补完。
又，在本实施方式中，如图3所示，光掩膜3以各电极布线图案列15a～15d的多个电极布线图案14以W间隔形成时，搬送方向(箭头A方向)最下游侧的第一电极布线图案列15a的后续的第2、第3、第4电极布线图案列15b，15c，15d，相对各个相邻的电极布线图案列15在电极布线图案列15在电极布线图案14的排列方向(与箭头A的大致正交方向)仅错开W/n(n为整数)而形成，且第一～第四电极布线图案列15a～15d以排列间隔L平行形成。又，在图3中，作为具体例，第二、第三、第四电极布线图案列15b，15c，15d相对第一电极布线图案列15a，分别错开W/4，W/2，3W/4而形成。又，所述排列间隔L与TFT用基板8的薄膜晶体管形成部的箭头A方向的排列间隔相等。
又，如图2(a)所示，在TFT用基板8的搬送方向(箭头A方向)的前后，电极布线图案群16的侧方，仅间隔距离mL(m为整数)、形成如图4所示的由多个信号布线图案17构成的信号布线图案群18。又，在图4中，符号20为对应于TFT用基板8的薄膜晶体管形成部的部分，通过在箭头A方向移动TFT用基板8，使得所述部分20与图3所示的电极部线图案14重叠曝光地形成信号布线图案17。
进一步的，如图2(a)所示，光掩膜3的铬(Cr)膜13，在图案形成区域10的侧方与第一电极布线图案列15a相距距离D形成与电极布线图案列15大致平行的细长状的开口部。该开口部为，可由后述的拍摄单元5进行TFT用基板8表面的观察的观察窗11。
如图1所示，以微透镜19侧作为TFT用基板8侧，并将观察窗11作为TFT用基板8的搬送方向(箭头A方向)的上游侧，将光掩膜3在掩膜台2上定位并固定。
在所述掩膜台2的上方，形成曝光光学系统4。该曝光光学系统4对光掩膜3照射均匀的光源光24，包括光源21、柱透镜22、聚光透镜23。
所述光源21放射例如355nm的紫外线，为通过后述的控制单元7进行发光控制的例如闪光灯、紫外线发光激光光源等。又，所述柱透镜22设置在从光源21放射出的光源光24的放射方向的前方，使得与光源光24的光轴正交的截面内的亮度分布均匀。又，作为使得光源光24的亮度均匀的单元，不限于柱透镜22，也可采用导光管或蝇眼透镜等公知的单元。所述聚光透镜23设置为其前焦点与柱透镜22的输出端面22a一致，使得从柱透镜22出射的光源光24成为平行光照射到光掩膜3。
所述曝光光学系统4的TFT用基板8的箭头A所述的搬送方向上游侧设有拍摄单元5。该拍摄单元5，在光掩膜3的曝光位置的搬送方向上游侧的位置，同时拍摄作为形成于TFT用基板8的定位基准、例如薄膜晶体管形成部的基准位置和形成于光源膜3的观察窗11内的基准标记，其为将受光元件在与基台9的上表面平行的面内、在与TFT用基板8的搬送方向(箭头A方向)大致正交方向，呈一直线拍列的线性拍摄装置，其长度方向中心轴与光掩膜3的观察窗11的长度方向中心轴一致。又，在图1中，符号25表示对拍摄单元5的光路进行弯折的全反射镜。
所述搬送单元1的基台9的下侧设有对应于拍摄单元5的拍摄区域的照明单元6。该照明单元6从下表面侧对TFT用基板8照射由滤除了紫外线的可视光构成的照明光，从而能够通过拍摄单元5观察形成于TFT用基板8表面的薄膜晶体管形成部，该照明单元6例如为卤素灯等。又，照明单元6也可设置于基台9的上方作为落射照明。
与所述搬送单元1、拍摄单元5、光源21、掩膜台2、和照明单元6连接设有控制单元7。该控制单元，在一方向搬送TFT用基板8，并隔着光掩膜3对TFT用基板8间歇性照射曝光光34，与形成于TFT用基板8上的多个薄膜晶体管形成部重合地、分别对光掩膜3的多个电极布线图案14进行缩小投影，并对曝光时机进行控制使得多个信号布线图案17的曝光图案与各电极布线图案14的曝光图案分别连接，如图5所示，控制单元7具有：图像处理部26、运算部27、存储器28、搬送单元驱动控制器29、光源驱动控制器30、掩膜台驱动控制器31、照明单元驱动控制器32和控制部33。
图像处理部26对拍摄单元5所取得的TFT用基板8表面和光掩膜3的基准标记的拍摄图像进行图像处理，检测预先设定于TFT用基板8上的薄膜晶体管形成部的基准位置和光掩膜3的基准标记的位置。
又，运算部27，计算图像处理部26所检测到的TFT用基板8上的基准位置和光掩膜3的基准标记的位置之间的距离，将其结果与存储在后述的存储器28中的目标值进行比较，并将该差值作为补正指输出到掩膜台驱动控制器31，并且输入搬送单元1的位置传感器的输出以计算基台9的移动距离，并将其结果与存储在存储器28中的TFT用基板8的薄膜晶体管形成部的箭头A方向(搬送方向)的排列间隔L进行比较，用以在基台9每次仅移动距离L时对光源驱动控制器30输出使得光源21点亮的点亮指令。
进一步的，存储器28暂时存储运算部27的运算结果，并存储基台9的移动速度V、TFT用基板8上的基准位置与光掩膜3的基准标记位置之间的距离的目标值，和其他初始设定值。
又，搬送单元驱动控制器29使得搬送单元1的基台9在箭头A所示的方向以一定速度移动，输入搬送单元1的速度传感器的输出，并与保存于存储器28中的基台9的移动速度V比较，控制搬送单元1的驱动以使得两者一致。
光源驱动控制器30使得光源21间歇地发光，其根据运算部27所输入的点亮指令将驱动信号发送给光源21。
又，掩膜台驱动控制器31使得掩膜台2与拍摄单元5一体地在与基台9的面平行的面内、在与箭头A所示的搬送方向大致垂直的方向移动，基于运算部27所输入的补正值控制掩膜台2的移动。
进一步的，照明单元驱动控制器32使照明单元6点亮和灭灯，当曝光开始开关被打开照明单元6为点亮，当对TFT用基板8所有的曝光结束则使其灭灯。控制部33居间调整各构成要素以适当地驱动所述各构成要素。
接着，对这样构成的曝光装置的动作进行说明。
首先，操作例如键盘等构成的图未示的操作单元，输入基台9的移动速度V、从曝光开始到曝光结束的基台9的移动距离、光源21的功率和发光时间、光掩膜3的第一电极布线图案列15与观察窗11之间的距离D、TFT用基板8上形成的薄膜晶体管形成部的箭头A方向(搬送方向)的排列间隔L、预先设定于TFT用基板8的所述薄膜晶体管形成部的基准位置与形成于光掩膜3的基准标记之间的距离目标值等，并保存于存储器28，以进行初始设定。
接着，将表面涂布有感光性树脂(例如，正型光刻胶)的TFT用基板8以该涂布面为上定位并载置于基台9的规定位置。一旦图未示的曝光开始开关导通，则控制单元7启动搬送单元驱动控制器29，使得基台9以速度V在箭头方向A移动。此时，搬送单元驱动控制器29输入搬送单元1的速度传感器的输出，与保存于存储器28的速度V比较并控制搬送单元1的驱动以使基台9的移动速度为V。又，曝光开始开关被打开后，控制单元7启动照明单元驱动控制器32使得照明单元6点亮。同时，启动拍摄单元5开始拍摄。
随着基台9的移动，TFT用基板8被搬送，形成于TFT用基板8的薄膜晶体管形成部中位于搬送方向(箭头A方向)最下游侧的薄膜晶体管形成部到达拍摄单元5的拍摄区域，拍摄单元5，通过光掩膜3的观察窗11拍摄所述薄膜晶体管形成部，同时拍摄光掩膜3的基准标记。并将该拍摄图像的电信号输出到控制单元7的图像处理部26。
在图像处理部26中，对从拍摄单元5输入的拍摄图像的电信号进行图像处理，检测TFT用基板8的薄膜晶体管形成部上预先设定的基准位置和光掩膜3的基准标记的位置，并将这些位置数据输出到运算部27。
在运算部27中，基于从图像处理部26输入的所述基准位置的位置数据和光掩膜3的基准标记的位置数据计算两者间的距离，并与从存储器28中读出的两者间的距离的目标值进行比较，将其差值作为补正值输出到掩膜台驱动控制器31。
掩膜台驱动控制器31，仅以从运算部27输入的补正值，在与基台9的面平行的面内与箭头A方向(搬送方向)大致正交的方向移动掩膜台2，进行TFT用基板8和光掩膜3的定位。又，该动作在对TFT用基板8整面的曝光动作中时常施行，从而可抑制由TFT用基板8向与箭头A的正交方向偏转而引起的位置偏离。
又，以图像处理部2对从拍摄单元5输入的拍摄图像的电信号进行图像处理，检测到TFT用基板8的搬送方向(箭头A方向)最下游侧的薄膜晶体管形成部时，运算部27基于搬送单元1的位置传感器的输出对从检测到所述薄膜晶体管形成部的时刻开始基台9移动的距离进行计算，并将其与保存于存储器28的光掩膜3的第一电极布线图案列15a与观察窗11之间的距离d进行比较。如果基台9的移动距离与所述距离D一致，则运算部27将使光源21点亮的点亮指令输出到光源驱动控制器30。光源驱动控制器30根据所述点亮指令向光源21输出驱动信号。这样，光源21根据所述初始设定值以规定的功率仅点亮规定的时间。
从光源21放射出的紫外线光源光24通过柱透镜22被亮度分布均匀化之后，通过聚光透镜23转换为平行光照射到光掩膜3。经过光掩膜3的曝光光34通过微透镜19集光于TFT用基板8上，将图3所示的光掩膜3的电极布线图案14缩小投影，形成对应于该电极布线图案14的曝光图案35(参照图6)，同时，形成对应于图4所示的信号布线图案17的曝光图案36(参照图6)。
进一步的，运算部27将基于搬送单元1的位置传感器的输出取得的基台9的移动距离与保存于存储器28的初始设定值中的、形成于TFT用基板8的薄膜晶体管形成部的箭头A方向(搬送方向)的排列间距L进行比较，如果两者一致，则向光源驱动控制器30输出光源21的点亮指令。这样，可以根据所述初始设定值以规定的功率仅点亮光源21规定时间。
从光源21放射的紫外线光源光24，如上述那样照射到光掩膜3。经过光掩膜3的曝光光34，与上述一样在TFT用基板8上形成光掩膜3的电极布线图案14和信号布线图案17的曝光图案35、36。之后，每当基台9仅移动距离L，光源21发光规定的时间形成曝光图案35、36。这样，如图6所示，在对应于位于TFT基板8的搬送方向(箭头A方向)最下游侧的第一电极布线图案列15a的多个电极布线图案14的多个曝光图案35a之间，由对应于后续的第二～第四电极布线图案列15b～15d的电极布线图案14的多个曝光图案35b，35c，35d补完形成曝光图案35，并且对应于信号布线图案17的曝光图案36可在TFT用基板8的整体面形成。这种情况下，以信号布线图案17的曝光图案36在薄膜晶体管形成部37，重叠曝光电极布线图案14的曝光图案35。但是，对应于信号布线图案17的薄膜晶体管形成部37的部分20被铬(Cr)膜13遮光，因此，薄膜晶体管形成部37通过电极布线图案14仅形成曝光图案35。从而，如图6所示，电极布线图案14的各曝光图案35以连接于信号布线图案17的各曝光图案36的状态形成。
又，所述第一～第四电极布线图案列15a～15d的排列顺序不限于上述的，可进行适当的替换。
又，在所述实施方式中，光掩膜3将多个电极布线图案14形成于透明基板12的一方的面12a，将多个微透镜19形成于透明基板12的另一方的面，但是本发明不限于此，光掩膜3也可以是将一表面形成有多个电极布线图案14和信号布线图案17的掩膜用基板和一表面形成多个微透镜19的透镜用基板重叠而形成，以使多个电极布线图案14和多个微透镜19相互对应。
接着，在以上的説明中，对被曝光体为TFT用基板8的情况进行了描述，但本发明不限于此，其可以适用于以要求分辨率不同的两种掩膜图案混合来形成的任何基板。
符号说明
1…搬送单元
3…光掩膜
8…TFT用基板
12…透明基板
12a…一方的面
12b…另一方的面
13…铬(Cr)膜(遮光膜)
14…电极布线图案(一方的掩膜图案)
15…电极布线图案列(掩膜图案列)
15a…第一电极布线图案列
15b…第二电极布线图案列
15c…第三电极布线图案列
15d…第四电极布线图案列
16…电极布线图案群(掩膜图案群)
17…信号布线图案(另一方的掩膜图案)
18…信号布线图案群(掩膜图案群)
19…微透镜
21…光源
24…光源光
34…曝光光
35，35a～35d…电极布线图案的曝光图案
36…信号布线图案的曝光图案

Claims (5)

1.一种曝光装置，其为在一个方向上搬送被曝光体，并隔着光掩膜对所述被曝光体间歇地照射光源光，对应于形成于所述光掩膜的多个掩膜图案在所述被曝光体上形成曝光图案的曝光装置，其特征在于，
所述光掩膜，在形成于透明基板的一表面的遮光膜上，并在所述被曝光体的搬送方向的前后形成由要求分辨率不同的两种掩膜图案构成的两个掩膜图案群，在所述透明基板的另一表面形成微透镜，该微透镜对应于所述要求分辨率不同的两种掩膜图案中要求分辨率高的一方的掩膜图案，将该一方的掩膜图案缩小投影于所述被曝光体上，所述光掩膜配置为所述微透镜侧为所述被曝光体侧。
2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，
所述要求分辨率高的一方的掩膜图案所构成的掩膜图案群，具有在与所述被曝光体的搬送方向大致正交的方向上、由所述多个掩膜图案以规定间隔排列为一直线状而形成的多个掩膜图案列，所述多个掩膜图案列之中的后续的掩膜图案列形成为在所述多个掩膜图案的所述排列方向上分别错开规定尺寸，以使得位于所述被曝光体的搬送方向最下游侧的所述掩膜图案列所形成的多个曝光图案的间隙能够通过后续的掩膜图案列所形成的多个曝光图案补完。
3.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，
所述被曝光体为液晶显示装置的TFT用基板；
所述要求分辨率不同的两种掩膜图案中，所述一方的掩膜图案为薄膜晶体管的电极布线图案，另一方的掩膜图案为向所述薄膜晶体管提供信号的信号布线图案；
形成所述电极布线图案和所述信号布线图案使得所述电极布线图案的曝光图案和所述信号布线图案的曝光图案相互连接。
4.一种光掩膜，其特征在于，
在形成于透明基板的一表面的遮光膜上，横向排列形成有由要求分辨率不同的两种掩膜图案构成的两个掩膜图案群，在所述透明基板的另一表面形成微透镜，该微透镜对应于所述要求分辨率不同的两种掩膜图案中要求分辨率高的一方的掩膜图案，将该一方的掩膜图案缩小投影于被相对配置的被曝光体上。
5.如权利要求4所述的光掩膜，其特征在于，
所述要求分辨率高的一方的掩膜图案构成的掩膜图案群，包括由所述多个掩膜图案以规定间隔排列成一直线状而形成的多个掩膜图案列，相对于任意一个掩膜图案列其他掩膜图案列在所述多个掩膜图案的所述排列方向分别错开规定尺寸。
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