CN102194722A - 一种有机电致发光显示器及其检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机电致发光显示器及其检测方法，其中方法包括以下步骤：基板包括显示区域和非显示区域，在非显示区域制备检测片，所述检测片具有导电材料；在显示区域和检测片上涂绝缘材料，对所述显示区域和检测片进行曝光、显影；检测所述检测片的电阻值；如果所测电阻值为检测片导电材料的电阻值，则检测结果为显影完全，如果所测电阻值为无穷大，则检测结果为显影不完全。通过上述方法能够在制备有机层前检测出绝缘层/隔离柱是否显影完全，提高绝缘层/隔离柱制造的效率。

Description

一种有机电致发光显示器及其检测方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示器及其检测方法，具体是指有机电致发光显示器在绝缘层和隔离柱制备中的检测方法。
背景技术
有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)具有固态发光、宽视角、超薄、适用温度范围宽等优点。OLED显示器是现在和将来显示器发展的必然趋势。
OLED的制备方法包括基板清洗、辅助电极和阳极的制备、绝缘层和隔离柱制备、有机薄膜的制备、阴极制备等步骤。其中，制备的阳极为ITO(氧化铟锡)、或IZO(氧化铟锌)等金属氧化物。制备的绝缘层和隔离柱组成许多“田字格”，将每个像素与其四周相邻的像素隔开，其制备是在阳极(以ITO为例)上通过曝光/显影过程得到绝缘层和隔离柱，曝光/显影过程主要包括涂胶、曝光、显影等步骤。在曝光过程中，控制好曝光时间和曝光强度是该步骤的关键，在显影过程中，控制好显影时间和显影强度是该步骤的关键。接着制备有机薄膜层和阴极层。现有技术中，制备OLED绝缘层和隔离柱的过程对曝光和显影步骤控制不佳，如在曝光阶段容易出现绝缘材料曝光不足或显影阶段显影不足，使得曝光/显影部位仍有部分光刻胶没有充分曝光或溶蚀掉，继续附着在ITO上，阻碍有机薄膜层的光线从ITO发出，导致制备的OLED显示器面板通电后出现暗线、显示偏暗等现象。而现有技术中，由于在对绝缘层和隔离柱过程曝光和显影阶段光刻胶曝光显影不良产生的绝缘材料较薄，用肉眼和显微镜检测较为困难，不容易发现，而这些不良在通电后会出现暗线或显示偏暗的现象，导致显示面板无法正常显示，从而降低产品合格率，增加了制造成本。
技术方案
本发明的目的在于克服上述缺陷，提供一种OLED检测方法。
本发明的上述目的是通过如下技术方案予以实现的：
本发明提供一种OLED检测方法，包括以下步骤：
基板包括显示区域和非显示区域，在非显示区域制备检测片，所述检测片具有导电材料；
在显示区域和检测片的导电材料上涂绝缘材料，对所述显示区域和检测片进行曝光、显影；
检测所述检测片上是否具有绝缘材料。
其中，检测所述检测片上是否具有绝缘材料，具体为：
检测所述检测片的电阻值。
其中，所述显示区域上具有导电材料，所述检测片上的导电材料与显示区域的导电材料相同。
其中，所述导电材料为ITO或IZO。
其中，所述绝缘材料为光敏型绝缘材料，用于制备绝缘层或隔离柱。
还提供一种OLED，包括邦定区和OLED面板，所述OLED面板包括显示区域和非显示区域，其特征在于，所述非显示区域具有检测片，所述检测片上具有导电材料。
其中，所述显示区域包括阳极层、阴极层和有机层，所述检测片上的导电材料与阳极的材料相同。
其中，所述导电材料为ITO或IZO。
本发明提供的检测方法，对OLED绝缘层和隔离柱的曝光、显影过程进行检测，避免不良曝光、显影的基板无法检测而流到后续环节，导致最终制备的OLED无法使用。提高绝缘层和隔离柱制备过程中的合格率，节约成本。
附图说明
图1为本发明所述的具有一个检测片图形的掩膜板的结构示意图；
图2为本发明所述的具有多个检测片图形的掩膜板的结构示意图；
图3为本发明所述的具有阳极图形的掩膜板的结构示意图；
图4为本发明所述的制备好阳极和检测片的侧面结构示意图；
图5为本发明所述的制备好隔离柱和绝缘层51的侧面结构示意图；
图6为本发明所述的测试组3的结构的侧面结构示意图；
图7为本发明所述的具有阳极和一个检测片图形的掩膜板的结构示意图；
图8为本发明所述的具有阳极和多个检测片图形的掩膜板的结构示意图；
图9为本发明所述的具有检测片的OLED结构示意图。
具体实施方式
本发明是在ITO制备过程中，在基板的非显示区域设置检测片，用于对绝缘层和隔离柱的绝缘材料的显影检测。检测过程包括制备检测片，对曝光区域和检测片进行曝光/显影，检测检测片的阻值，如果阻值为无限大，则说明检测片上仍有绝缘材料，说明曝光/显影不完全，需要继续进行曝光/显影，如果阻值为定值，则说明检测片上的绝缘材料显影完全，测得的阻值为检测片的阻值。通常情况下，检测片的阻值为定值。
下面通过具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例一：本实施例在于揭露一种OLED显影的检测方法。在OLED阳极ITO制备过程中，在基板上增设具有ITO的检测片，进行绝缘层和隔离柱显影后，对检测片的阻值进行检测，根据检测结果判断绝缘层和隔离柱过程曝光阶段绝缘材料显影是否显影充分。具体可以包括以下步骤：
步骤一、制备检测片。制备检测片包括涂光刻胶、曝光、显影、光刻。具体是在具有ITO的基板上均匀涂上光刻胶，在光刻胶上放置光刻掩膜板，如图1或图2，掩膜板上具有检测片的图形，进行图形对位后，对图形部位进行曝光、显影、将掩膜板图形以外的区域上的ITO刻蚀掉，形成检测片图形，图形内为。检测片位于非显示区域的外部，不影响显示区域显示。
制备检测片前，需要制备阳极层ITO，制备过程包括涂光刻胶、曝光、显影、光刻。其制备过程与制备检测片的过程大致相同，在曝光过程中，需要使用具有阳极图形的掩膜板如图3，阳极和检测片的侧面视图如图4，基板41上为阳极ITO层42和检测片43。
步骤二、制备绝缘层和隔离柱。制备过程分为绝缘层制备和隔离柱制备，绝缘层制备是在基板上均匀涂布光敏型绝缘材料PI，在绝缘材料上放置绝缘层光刻掩膜板，掩膜板上具有与绝缘层相应的图形，对绝缘材料进行曝光、显影后，得到绝缘层。然后再均匀涂布上光敏型绝缘材料rib，在绝缘材料上放置隔离柱光刻掩膜板，对绝缘材料进行曝光、显影后，得到隔离柱。制备好隔离柱和绝缘层51的结构如图5所示。
步骤三、对检测片进行检测。利用万用表检测检测片的阻值，若检测阻值为检测片ITO的阻值，则绝缘材料显影完全。则可以继续制备有机薄膜层和阴极层。若检测阻值为无穷大，则说明在绝缘层和隔离柱显影过程中，仍有部分制备绝缘层和隔离柱的绝缘材料附着在检测片的ITO上，导致测量结果阻值为无穷大。以检测片的阻值为1mΩ为例，以下几组数据，测试组3的侧面结构视图如图6所示，绝缘材料511、512分别覆盖了阳极ITO层42和检测片43，故检测结果检测片的阻值为无穷大，而被遮住的阳极ITO也会无法导电，在某些情况下，也可能会出现测得阻值虽不是无穷大，但与检测片阻值相差较大，或有数量级的差距，这种情况也可能是显影不完全现象。
  测试组   阻值   判断结果
  1   1mΩ   显影完全
  2   1.1mΩ   显影完全
  3   ∞   显影不完全
  4   0.98mΩ   显影完全
通过本方法对OLED绝缘层和隔离柱的曝光、显影过程进行检测，出现显影不完全则调整曝光、显影过程，避免不良曝光、显影的基板无法检测而流到后续环节，达到提高OLED器件制备效率，提高绝缘层和隔离柱制备过程中的合格率，节约成本。
实施例二：步骤一、制备检测片和阳极层，将检测片和阳极层一起制备，制备过程包括涂光刻胶、曝光、显影、光刻，在曝光过程中，需要使用具有检测片图形和阳极图形的掩膜板，如图7或图8。
步骤二和步骤三与实施例一大致相同。
步骤二、制备绝缘层和隔离柱。
步骤三、对检测片进行检测。
通过本方法对OLED绝缘层和隔离柱的曝光、显影过程进行检测，出现显影不完全则调整曝光、显影过程，避免不良曝光、显影的基板无法检测而流到后续环节，达到提高OLED器件制备效率，提高绝缘层和隔离柱制备过程中的合格率，节约成本。将阳极层与检测片同时制备，节省掩膜板使用数量，减少工艺流程，提高制备效率。
对比例一：步骤一、制备阳极层，制备过程包括涂光刻胶、曝光、显影、光刻，在曝光过程中，使用具有阳极图形的掩膜板。
步骤二、制备绝缘层和隔离柱。
步骤三、制备有机薄膜层和阴极层。
从对比例和本发明实施例可以看出，对比例为采用本检测方法，若在步骤二中出现显影不正常现象，则会带到步骤三中，导致最终成型的OLED器件无法使用。
实施例三：本实施例揭露一种具有检测片的OLED，如图9所示，该OLED包括面板1，邦定区2，其中屏体1包括显示区域11和非显示区域，非显示区域为屏体上显示区域以外的区域。显示区域通电后，进行图像显示，非显示区域设有引线部分13和检测片14，引线部分13分别从显示区域11的左右两侧和底部延伸出，显示区域11与邦定区2通过引线部分13相连接，检测片14用于对绝缘层和隔离柱显影效果进行检测，检测片14为一块阻值恒定的导电图形，形状不限于图示。检测片位于屏体上，不与显示区域重叠。
虽然本发明已以比较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此，本发明的保护范围当以申请的专利范围所界定为准。

Claims (8)

1.一种OLED检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
基板包括显示区域和非显示区域，在非显示区域制备检测片，所述检测片具有导电材料；
在显示区域和检测片的导电材料上涂绝缘材料，对所述显示区域和检测片进行曝光、显影；
检测所述检测片上是否具有绝缘材料。
2.如权利要求1所述的OLED检测方法，其特征在于，检测所述检测片上是否具有绝缘材料，具体为：
检测所述检测片的电阻值。
3.如权利要求1所述的OLED检测方法，其特征在于，所述显示区域上具有导电材料，所述检测片上的导电材料与显示区域的导电材料相同。
4.如权利要求3所述的OLED检测方法，其特征在于，所述导电材料为ITO或IZO。
5.如权利要求1所述的OLED检测方法，其特征在于，所述绝缘材料为光敏型绝缘材料，用于制备绝缘层或隔离柱。
6.一种OLED，其特征在于，包括邦定区和OLED面板，所述OLED面板包括显示区域和非显示区域，其特征在于，所述非显示区域具有检测片，所述检测片上具有导电材料。
7.如权利要求6所述的OLED，其特征在于，所述显示区域包括阳极层、阴极层和有机层，所述检测片上的导电材料与阳极的材料相同。
8.如权利要求6或7所述的OLED，其特征在于，所述导电材料为ITO或IZO。
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