CN102191474B - 压力检测系统和温度传感器的组合体以及立式热处理装置 - Google Patents
压力检测系统和温度传感器的组合体以及立式热处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102191474B CN102191474B CN201110059985.1A CN201110059985A CN102191474B CN 102191474 B CN102191474 B CN 102191474B CN 201110059985 A CN201110059985 A CN 201110059985A CN 102191474 B CN102191474 B CN 102191474B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- protective tube
- temperature sensor
- main body
- pressure
- furnace main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 156
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 50
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 49
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 40
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 15
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 5
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 240000002791 Brassica napus Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000463219 Epitheca Species 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXRZVMYMQHNYJB-UNXOBOICSA-N [(1R,2S,4R)-4-[[5-[4-[(1R)-7-chloro-1,2,3,4-tetrahydroisoquinolin-1-yl]-5-methylthiophene-2-carbonyl]pyrimidin-4-yl]amino]-2-hydroxycyclopentyl]methyl sulfamate Chemical compound CC1=C(C=C(S1)C(=O)C1=C(N[C@H]2C[C@H](O)[C@@H](COS(N)(=O)=O)C2)N=CN=C1)[C@@H]1NCCC2=C1C=C(Cl)C=C2 LXRZVMYMQHNYJB-UNXOBOICSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- PZZYQPZGQPZBDN-UHFFFAOYSA-N aluminium silicate Chemical compound O=[Al]O[Si](=O)O[Al]=O PZZYQPZGQPZBDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- BGOFCVIGEYGEOF-UJPOAAIJSA-N helicin Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC=CC=C1C=O BGOFCVIGEYGEOF-UJPOAAIJSA-N 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Abstract
本发明提供压力检测系统和温度传感器的组合体以及立式热处理装置。该立式热处理装置以简单的构造设有用于检测炉主体和处理容器之间的空间内的压力的压力检测传感器。立式热处理装置包括具有加热元件的炉主体和用于收容被处理体而对其实施热处理的、配置在炉主体内的处理容器。在炉主体上连接有空气供给管路和空气排气管路,在空气供给管路上配置有空气供给鼓风机和空气供给管路侧阀机构,在空气排气管路上配置有空气排气鼓风机和空气排气管路侧阀机构。贯穿炉主体地设有收纳有温度传感器信号线的保护管,在保护管上形成有压力检测孔。在该压力检测孔上连接有压力检测传感器。
Description
技术领域
本发明涉及压力检测系统和温度传感器的组合体以及立式热处理装置,特别是涉及能够高精度地对炉主体和处理容器之间的空间进行冷却的立式热处理装置以及压力检测系统和温度传感器的组合体。
背景技术
在半导体装置的制造中,为了对作为被处理体的半导体晶圆实施氧化、扩散、CVD(Chemical Vapor Deposition)等处理,使用各种立式热处理装置。而且,该通常的立式热处理装置具有热处理炉,该热处理炉具有处理容器和炉主体,该处理容器用于收容半导体晶圆而对半导体晶圆实施热处理,该炉主体以覆盖该处理容器的周围的方式设置,该炉主体用于加热处理容器内的晶圆。上述炉主体具有圆筒状的绝热件和借助支承体设置在该绝热件的内周面上的发热电阻体。
作为上述发热电阻体,在例如能够进行批处理的热处理装置的情况下,使用沿着圆筒状的绝热件的内壁面配置的螺旋状的加热元件(也称为加热丝、发热电阻体),能够将炉内加热到例如500~1000℃左右的高温。而且,作为上述绝热件,使用例如由陶瓷纤维等构成的绝热材料烧制成圆筒状而成的构件,能够减少作为辐射热以及导热而被夺取的热量,从而有助于高效率的加热。作为上述支承体,使用例如陶瓷制的构件,以能够使上述加热元件热膨胀以及热收缩的方式以规定的间距支承上述加热元件。
可是,在上述立式热处理装置中,开发有下述方法,即,在以高温加热晶圆之后,将炉主体和处理容器之间的空间急速地冷却,一边维持对晶圆进行的热处理的精度一边谋求热处理作业的效率化。
在这样地对立式热处理装置实行急速冷却方法的情况下,通常还认为,当炉主体和处理容器之间的空间内的压力成为正压时,自炉主体向外部喷出热风,损坏炉主体自身以及炉主体的周缘设备。另一方面,通常还认为,当该空间内的压力成为强负压时,炉主体的绝热件产生破损,外部气体卷入到炉主体内而使处理容器内的温度分布变得不均匀,局部性地破坏发热电阻体。
因而,在对立式热处理装置实行急速冷却方法的情况下,需要将炉主体和处理容器之间的空间内的压力保持为微负压。但是,实际情况是,目前为止仍未开发有能够将该炉主体和处理容器之间的空间内的压力高精度且可靠地保持为微负压的方法。
专利文献1:日本特开2008-205426号公报
专利文献2:日本特开2009-081415号公报
发明内容
本发明是考虑到上述那样的点而做成的,其目的在于提供能够将炉主体和处理容器之间的空间内的压力高精度地调整为微负压而进行急速冷却的立式热处理装置以及压力检测系统和温度传感器的组合体。
本发明是一种立式热处理装置,其特征在于,该立式热处理装置包括:炉主体,在该炉主体的内周面上设有加热部;处理容器,其配置在炉主体内,在该处理容器和炉主体之间形成有空间,在该处理容器内部收纳多个被处理体;温度传感器,其配置在炉主体和处理容器之间的空间;空气供给管路,其与炉主体相连接,该空气供给管路用于向空间内供给冷却用空气;空气排气管路,其与炉主体相连接,该空气排气管路用于自空间内排出冷却用空气;鼓风机,其配置在空气供给管路和空气排气管路中的至少一方上;空气供给管路侧阀机构以及空气排气管路侧阀机构,该空气供给管路侧阀机构设在空气供给管路上,该空气排气管路侧阀机构设在空气排气管路上,在该立式热处理装置上设有自炉主体外方贯穿炉主体而延伸至炉主体和处理容器之间的空间的保护管,在该保护管内收纳有与温度传感器相连接的温度传感器信号线,并且,在该保护管上形成有朝向空间开口的压力检测孔,且在炉主体外方上设有与保护管的压力检测孔相连接的压力检测传感器。
本发明是立式热处理装置,其特征在于,该立式热处理装置还具有控制部,该控制部基于来自温度传感器的检测信号控制加热部,并且该控制部基于来自压力检测传感器的检测信号控制鼓风机、空气供给管路侧阀机构以及空气排气管路侧阀机构中的至少一方而调整空间内的压力。
本发明是一种立式热处理装置,其特征在于,保护管由具有压力检测孔的细长状的陶瓷制管构成,在陶瓷制管内形成有与压力检测孔平行地延伸的温度传感器信号用的开孔。
本发明是一种压力检测系统和温度传感器的组合体,其特征在于,该压力检测系统和温度传感器的组合体包括:保护管,其具有压力检测孔和开孔;温度传感器,其设在保护管的一端部;温度传感器信号线,其与温度传感器相连接,该温度传感器信号线收容在保护管的开孔内而自保护管的另一端部向外方延伸。
本发明是一种压力检测系统和温度传感器的组合体,其特征在于,在保护管的另一端部设有与压力检测孔连通的压力检测管,在该压力检测管上连接有压力检测传感器。
如上所述地采用本发明,以贯穿炉主体的方式设有收纳有温度传感器信号线的保护管,该温度传感器信号线与温度传感器相连接,在该保护管内设有压力检测孔,压力检测孔与压力检测传感器连接。因此,能够利用压力检测传感器经由压力检测孔直接检测炉主体和处理容器之间的空间内的压力,从而一边将空间内的压力保持为微负压一边对空间内进行强制冷却。在该情况下,由于压力检测传感器与收纳有温度传感器信号线的保护管的压力检测孔相连接,因此,不需要为了设置压力检测传感器而与相对于保护管单独地设置贯穿炉主体的压力孔,能够提高炉主体的绝热特性以及热处理特性。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的实施方式的立式热处理装置的纵剖视图。
图2是表示立式热处理装置的空气供给管路以及空气排气管路的图。
图3是表示立式热处理装置的空气供给管路以及空气排气管路的变形例的图。
图4是表示立式热处理装置的冷却方法的图。
图5是表示温度传感器、压力检测传感器以及保护管的放大图。
图6的(a)、(b)是表示保护管的图。
图7是表示保护管的前端部的侧剖视图。
图8是表示保护管的基端部的侧剖视图。
具体实施方式
第一实施方式
以下参照附图说明本发明的第一实施方式。在此,图1是示意性地表示本发明的立式热处理装置的纵剖视图,图2是表示立式热处理装置的空气供给管路以及空气排气管路的图,图3是表示立式热处理装置的空气供给管路以及空气排气管路的变形例的图,图4是表示立式热处理装置的冷却方法的放大图,图5是表示温度传感器、压力检测传感器以及保护管的图,图6是表示保护管的主视见图,图7是表示保护管的前端部的侧剖视图,图8是表示保护管的基端部的侧剖视图。
在图1中,立式的热处理装置1具有立式的热处理炉2,该热处理炉2能够一次收容多张被处理体、例如半导体晶圆w而对晶圆w实施氧化、扩散、减压CVD等热处理。该热处理炉2具有炉主体5和处理容器3,在该炉主体5的内周面上设有发热电阻体(加热部),该处理容器3配置在炉主体5内,在该处理容器3和炉主体5之间形成有空间33,该处理容器3用于收容晶圆w而对晶圆w实施热处理。
而且,炉主体5被底板6支承,在该底板6上形成有供处理容器3自下方插入到上方的开口部7。而且,在底板6的开口部7上,以覆盖底板6和处理容器3之间的间隙的方式设有未图示的绝热件。
处理容器3由石英制成,该处理容器3为上端封闭、下端开口为炉口3a的纵长的圆筒状形状。在处理容器3的下端形成有朝向外侧的凸缘3b,凸缘3b借助未图示的凸缘压板支承在上述底板6上。而且,在处理容器3的下侧部设有导入件(导入口)8以及未图示的排气件(排气口),该导入件8用于将处理气体、非活性性气体等导入到处理容器3内,该排气件用于将处理容器3内的气体排出。在导入件8上连接有气体供给源(未图示),在排气件上连接有排气系统(未图示),该排气系统具有能够减压控制到例如133×10Pa~133×10-8Pa左右的真空泵。
在处理容器3的下方设有用于闭塞处理容器3的炉口3a的盖体10,该盖体10以能够利用未图示的升降机构升降的方式设置。在该盖体10的上部载置有作为炉口的保温部件的保温筒11,在该保温筒11的上部载置有作为保持工具的石英制的舟皿(boat)12,该舟皿12用于以在上下方向上隔开规定间隔地装载多张例如100~150张左右的直径为300nm的晶圆w。在盖体10上设有用于使舟皿12绕其轴心旋转的旋转机构13。利用盖体10的下降移动将舟皿12自处理容器3内搬出(卸载)到下方的装载区域(loading area)15内,在更换晶圆w之后,利用盖体10的上升移动将舟皿12搬入(装载)到处理容器3内。
上述炉主体5具有绝热件16、支承部17和加热元件(加热丝、发热电阻体)18,该绝热件16为圆筒状,该支承部17为槽状,其在该绝热件16的内周面上沿轴向(图示例中为上下方向)形成为多层,该加热元件18沿着各支承部17配置。绝热件16例如由包含二氧化硅(silica)、氧化铝或者硅酸铝的无机质纤维构成。绝热件16在纵向上被分开为两部分,因此,能够容易地进行加热元件的组装及加热器的组装。
加热元件18是通过将带状的发热电阻体成形(弯折加工)为波形(corrugate)而构成的。该波形(corrugate)的加热元件18由例如铁(Fe)、铬(Cr)以及铝(Al)的合金(所谓坎塔尔铁铬铝系高电阻合金(Kanthal)材料)构成的。该加热元件18做成例如厚度为1~2mm左右、宽度为14~18mm左右、波形部分的振幅为11~15mm左右、波形部分的间距p(pitch)为28~32mm左右。而且,为了能够容许绝热件16的支承部17上的加热元件18在周向上进行某种程度的移动,并且谋求提高弯曲部的强度,优选使加热元件18的波形部分的顶角θ为90度左右,在各顶点部(也称为凸部或者山部)上实施弯曲加工(即加工成带有一定曲率的弯曲)。
在上述绝热件16上配设有销构件20,该销构件20用于以使上述加热元件18能够以适当间隔在径向上移动且不会自支承部17脱落乃至脱出的方式保持该加热元件18。在上述圆筒状的绝热件16的内周面上沿轴向以规定的间距形成有多层与该绝热件16同心的环状的槽部21,并且在相邻的上部的槽部21和下部的槽部21之间形成有在周向上连续的环状的上述支承部17。在上述槽部21中的加热元件18的上部和下部、以及槽部21的内壁和加热元件18之间设有能够容许加热元件18热膨胀收缩以及加热元件18沿径向移动的充分的间隙,而且,利用上述间隙使强制空冷时的冷却空气绕回到加热元件18的背面,能够有效地冷却加热元件18。
各加热元件18之间被连接板接合,位于端部侧的加热元件18借助以沿径向贯穿绝热件16的方式设置的端子板22a、22b与外部的电源相连接。
为了保持炉主体5的绝热件16的形状并加强绝热件16,如图1所示,利用金属制、例如不锈钢制的外皮(外鞘)28覆盖绝热件16的外表面。而且,为了抑制炉主体5给外部带来的热影响,利用冷却套30覆盖外皮28的外周面。绝热件16的顶部上设有用于覆盖绝热件16的上部绝热件31,在该上部绝热件31的上部设有用于覆盖外皮28的顶部(上端部)的不锈钢制的顶板32。
而且,如图1和图2所示,为了在热处理后将晶圆急速降温而谋求处理的迅速化乃至提高处理率(throughput),在炉主体5上设有排热系统35和强制空冷部件36,该排热系统35用于将炉主体5和处理容器3之间的空间33内的气氛排出到外部,该强制空冷部件36用于向上述空间33内导入常温(20~30℃)的空气而对空间33内进行强制性的冷却。上述排热系统35例如由设在炉主体5的上部的排气件37构成,在该排气件37上连接有用于将空间33内的空气排出的空气排气管路62。
另外,强制空冷部件36具有环状流路38和强制空冷用空气吹出孔40,该环状流路38在上述炉主体5的绝热件16和外皮28之间在高度方向上形成有多个,该强制空冷用空气吹出孔40设置在绝热件16上,以自各环状流路38向偏离绝热件16中心的方向吹出空气,从而在上述空间33的周向上产生旋转气流。上述环状流路38是通过在绝热件16的外周面上粘贴带状或者环状的绝热件41、或者将绝热件16的外周面切削为环状而形成的。上述空气吹出孔40是在绝热件16中的作为上下相邻的加热元件18之间的支承部17上以贯穿支承部17的径向内外的方式形成的。这样,通过在支承部17上设置空气吹出孔40,能够不受加热元件18阻挡地向上述空间33喷出空气。
在此,例示了作为加热元件18而使用带状的发热电阻体、将该发热电阻体成形为波形而收纳到支承部17内的例子,但是作为加热元件18并不限定于这样的结构的加热元件,能够使用其他各种结构的加热元件。而且,例示了利用自强制空冷用空气吹出孔40吹出的空气来在空间33内产生旋转气流的例子,但是利用自强制空冷用空气吹出孔40吹出的空气时并不是必须产生旋转气流。
在上述外皮28的外周面上沿高度方向上设有用于向各环状流路38分配供给冷却流体的共用的一个供给管道(duct)49,在外皮28上形成有用于将供给管道49内和各环状流路38连接起来的连通口。在供给管道49上连接有空气供给管路52,该空气供给管路52将无尘室内的空气作为冷却用空气(20~30℃)吸引,并供给该冷却用空气。
另外,如上所述,在绝热件16中的作为上下相邻的加热元件18之间的支承部17上形成有将该支承部17内外贯穿的强制空冷用空气吹出孔40,因此,能够不受加热元件阻挡地容易地吹出空气。而且,绝热件16在纵向上被分开为两部分,而且上述加热元件18也与绝热件相对应地被分开。由此,能够将加热元件18容易地组装在绝热件16上,谋求提高组装性。
而且,如图1和图2所示,在炉主体5上设置有压力检测系统50。该压力检测系统50具有贯穿由绝热件16、外皮28和冷却套30构成的炉主体5而延伸的压力检测管(保护管)50a,该压力检测系统50用于检测炉主体5和处理容器3之间的空间33内的压力。
当利用这样的压力检测系统50来检测炉主体5和处理容器3之间的空间33内的压力时,来自压力检测系统50的检测信号被送往控制部51。
而且,在炉主体5和处理容器3之间的空间33内还配置有用于检测该空间33内的温度的温度传感器83a,基于来自该温度传感器83a的检测信号利用控制部51对立式热处理装置进行热处理控制。
接着,利用图1和图5~图8详细说明压力检测系统50和温度传感器83a。
如上所述,贯穿由绝热件16、外皮28和冷却套30构成的炉主体5地设有压力检测管(保护管)50a,在该压力检测管50a内收纳有与温度传感器83a相连接的温度传感器信号线83(参照图5和图6的(a))。
即,压力检测管50a由细长状的陶瓷制管、例如氧化铝制管构成,在压力检测管50a的内部上方形成有两个温度传感器信号线用开孔81,而且,在压力检测管50a的内部下方形成有与两个温度传感器信号线用开孔81平行地延伸的两个压力检测孔85(参照图6的(a))。
其中,压力检测管50a的两个温度传感器信号线用的开孔81内分别收纳配置有温度传感器信号线83、83,这些温度传感器信号线83、83在压力检测管50a的前端部(一端部)50A外方处互相连结,从而形成温度传感器83a(参照图7)。而且,如图5所示,在温度传感器83a处互相连结起来的温度传感器信号线83、83经由压力检测管50a的开孔81以及温度传感器管84延伸至温度计90。在该情况下,由压力检测管50a、温度传感器83a、温度传感器信号线83构成压力检测系统和温度传感器的组合体。
然后,利用温度计90求出设在炉主体5和处理容器3之间的空间33内的温度,由温度计90求得的检测信号被送往控制部51。
而且,压力检测管50a的两个压力检测孔85将炉主体5和处理容器3之间的空间33和炉主体5的外方连通起来,两个压力检测孔85在压力检测管50a的基端部(另一端部)50B处与压力检测管86相连接(参照图5和图8)。
另外,虽然例示了在压力检测管50a内设置两个温度传感器信号线用开孔81和两个压力检测孔85的例子(图6的(a)),但是,并不限定于此,也可以在压力检测管50a内设置两个温度传感器信号线用开孔81和一个压力检测孔85(图6的(b))。
接着,利用图5及图8说明压力检测管50a、压力传感器管84以及压力检测管86的连接构造。
如图5和图8所示,在压力检测管50a的基端部50B处,压力检测孔85到达该基端部50B的前端。而且,在压力检测管50a的基端部50B上形成有用于使温度传感器信号线用开孔81暴露的缺口台阶部89,自该缺口台阶部89暴露出来的温度传感器信号线用开孔81与温度传感器管84相连接。另外,配置在温度传感器信号线用开孔81内的温度传感器信号线83自该缺口台阶部89向外方突出,且在连接于温度传感器信号线用开孔81的温度传感器管84内延伸而到达温度计90。
另一方面,在压力检测管50a的基端部50B的前端开口的压力检测孔85与压力检测管86相连接,该压力检测管86与压力检测传感器80相连接。另外,炉主体5和处理容器3之间的空间33内的压力经由压力检测管50a的压力检测孔85以及压力检测管86被传递到压力检测传感器80,利用该压力检测传感器80检测空间33内的压力。
而且,被压力检测传感器80检测到的空间33内的压力被送往控制部51。
另外,压力检测管50a的基端部50B和压力检测管86彼此的端面相抵接,压力检测管50a的基端部50B和压力检测管86的外周被第一热收缩管87覆盖而被固定,从而不会在压力检测管50a的压力检测孔85和压力检测管86之间产生压力的泄漏。
另外,以覆盖压力检测管50a的基端部50B、温度传感器管84以及第一热收缩管87的方式设有第二热收缩管88,利用该第二热收缩管88将压力检测管50a的基端部50B、温度传感器管84以及第一热收缩管87牢固地互相固定。
这样以贯穿炉主体5的方式设有收纳有温度传感器信号线83的压力检测管50a,该温度传感器信号线83连接于温度传感器83a,在该压力检测管50a上设有压力检测孔85。而且,在该压力检测孔85上借助压力检测管86与压力检测传感器80连接。因此,利用该压力检测传感器80直接检测炉主体5和处理容器3之间的空间33的压力,从而如后述那样一边将空间33内的压力保持为微负压,一边对空间33内进行强制冷却。在该情况下,由于压力检测传感器80与收纳有温度传感器信号线83的压力检测管50a的压力检测孔85相连接,因此,不需要为了设置压力检测传感器80而相对于压力检测管50a单独地设置贯穿炉主体5的压力孔。
因此,与单独设置压力检测传感器80用的压力孔的情况相比,能够提高炉主体5的绝热特性和热处理特性,而且能够容易且简便地组装压力检测传感器80。
另外,如图1和图2所示,空气供给管路52和空气排气管路62分别独立而构成开放系统空气供给/排气管路。其中,在空气供给管路52上设有空气供给鼓风机53,该空气供给鼓风机53具有变换器(inverter)驱动部53a。
而且,在空气供给鼓风机53的入口侧设有风门56,在空气供给鼓风机53的出口侧配置有孔阀54以及蝶形阀55。上述空气供给鼓风机53的入口侧的风门56和空气供给鼓风机53的出口侧的孔阀54以及蝶形阀55均能够自由调整开闭,风门56、孔阀54以及蝶形阀55构成空气供给管路侧阀机构54A。
而且,在空气排气管路62上设有空气排气鼓风机63,该空气排气鼓风机63具有变换器驱动部63a。
另外,在空气排气鼓风机63的入口侧设有蝶形阀66以及孔阀67,在空气排气鼓风机63的出口侧配置有孔阀64、蝶形阀65。上述空气排气鼓风机63的入口侧的蝶形阀66以及孔阀67、空气排气鼓风机63的出口侧的孔阀64以及蝶形阀65均能够自由调整开闭,且空气排气鼓风机63的入口侧的蝶形阀66以及孔阀67、空气排气鼓风机63的出口侧的孔阀64以及蝶形阀65构成空气排气管路侧阀机构64A。
接着,说明由这样的结构构成的立式热处理装置的作用。
首先,在舟皿12内装载晶圆w,将装载有晶圆w的舟皿12载置在盖体10的保温筒11上。之后,利用盖体10的上升移动,将舟皿12搬入到处理容器3内。
接着,控制部51控制电源而使加热元件18工作,对炉主体5和处理容器3之间的空间33进行加热,对处理容器3内的装载在舟皿12上的晶圆w实施必要的热处理。
在此期间,来自温度传感器83a的信号经由温度传感器信号线83送往温度计90,利用该温度计90求出炉主体5和处理容器3之间的空间33的温度。然后,基于来自该温度计90的检测信号,利用控制部51以适当的温度对晶圆w实施高精度的热处理。
当对晶圆w实施的热处理结束时,为了谋求热处理作业的效率化,对炉主体5和处理容器3之间的空间33内进行强制性地冷却。
接着,说明空间33内的强制冷却方法。
首先,利用控制部51使空气供给鼓风机53和空气排气鼓风机63工作。此时,无尘室内的冷却用空气(20~30℃)被导入到空气供给管路52内,接着,冷却用空气自空气供给鼓风机53送往供给管道49。
之后,供给管道49内的冷却用空气进入形成于炉主体5的绝热件16外方的各环状流路38内,接着,环状流路38内的冷却用空气自以贯穿绝热件16的方式设置的空气吹出孔40吹出到炉主体5和处理容器3之间的空间33内,对该空间33内进行强制性地冷却(第一冷却工序)。
空间33内的加热空气经由空气排气管路62被换热器69冷却之后,被空气排气鼓风机63排出到外部。
在此期间,控制部51驱动控制空气供给鼓风机53的变换器驱动部53a以及空气排气鼓风机63的变换器驱动部63a,并且,驱动控制空气供给管路侧阀机构54A和空气排气管路侧阀机构64A,将空间33内维持成微负压(相对于炉主体5的外部的环境(大气压力)为0Pa~-85Pa,优选为-20Pa~-30Pa)的范围A(参照图4)。
这样,将空间33内保持成相对于炉主体5的外部的环境(大气压力)为0Pa~-85Pa,优选为-20Pa~-30Pa的微负压的范围A内,能够防止空间33内成为正压而自炉主体5向外部喷出热风,而且,能够防止空间33内成为强负压而使外部气体卷入到炉主体5内而导致处理容器3中的温度分布不均匀。
当利用第一冷却工序对炉主体5和处理容器3之间的空间33内进行强制性的冷却时,空间33内的温度降低,从而使空间33内的压力比第一冷却工序中的压力低。
在此期间,利用与压力检测管50a的压力检测孔85和压力检测管86连接的压力检测传感器80直接检测空间33内的压力,在空间33内的压力比第一冷却工序中的压力大幅降低的情况下,控制部51基于来自压力检测传感器80的检测信号,采用大于第一冷却工序中的设定压力的设定压力来控制空气供给鼓风机53的变换器驱动部53a以及空气排气鼓风机63的变换器驱动部63a,并且驱动控制空气供给管路侧阀机构54A和空气排气管路侧阀机构64A。在该情况下,使空间33内的压力上升,自空气供给管路52向空间33内供给比第一冷却工序时供给的冷却空气多的量的冷却空气,能够使空间33内的压力再次回到第一冷却工序的压力(第二冷却工序)。即,在没有采用这样的第二冷却工序的情况下,导致持续发生如图4的虚线所示那样的压力的降低,但是通过采用第2冷却工序,能够如图4的实线所示,使空间33内的压力再次回到第一冷却工序的水准。
利用该第二冷却工序,能够不会随着空间33内的压力的降低而向炉主体5内卷入外部气体,而且能够向空间33内供给较多的冷却用空气,能够迅速且可靠地对空间33内进行强制冷却。
接着,进一步详细说明第一冷却工序及第二冷却工序的作用。
在第一冷却工序中,如上所述,环状流路38内的冷却用空气自以贯穿绝热件16的方式设置的空气吹出孔40吹到炉主体5和处理容器3之间的空间33内,从而对该空间33内进行强制性地冷却。在该情况下,吹出到空间33内的冷却用空气将炉主体5的加热元件18以及处理容器3冷却,从而该冷却用空气一下子膨胀而使体积增加,使压力上升(参照图4)。如上所述,压力检测管50a设置在炉主体5和处理容器3之间的空间33内,利用该压力检测管50a直接检测空间33内的压力,因此,与例如在远离空间33的空气供给管路52或者空气排气管路62上设置压力传感器的情况相比,能够不受到干扰的影响地迅速且可靠地检测空间33内的压力上升。然后,控制部51基于来自压力检测系统50的检测信号适当地进行控制,使得空间33内成为上述微负压。
即,也可以考虑利用设在空气供给管路52或者空气排气管路62上的压力传感器来检测空间33内的压力,但是,当在空气供给管路52上设置压力传感器时,需要将施加于冷却用空气的推压的影响考虑为干扰,当在空气排气管路62上设置压力传感器时,需要将施加于冷却用空气的拉压(拉出压力)的影响考虑为干扰。
相对于此,采用本发明,由于在炉主体5和处理容器3之间的空间33设置压力检测管50a,因此,能够不会受到干扰的影响地直接性地迅速且可靠地检测空间33的压力上升,能够利用控制部51适当地进行控制,使得空间33内成为微负压。
当对炉主体5和处理容器3之间的空间33进行强制性地冷却时,空间33内的温度降低而使空间33内的压力也降低(第二冷却工序)(参照图4)。
在该情况下,也是利用设置在空间33上的压力检测管50a来直接检测空间33内的压力,因此,能够迅速且可靠地检测空间33内的压力降低。此时,控制部51基于来自压力检测管50a的检测信号而自空气供给管路52向空间33内供给比第一冷却工序时供给的冷却用空气的量多的冷却用空气,能够使空间33内的压力再次回到第一冷却工序的压力。
这样,在第二冷却工序时,供给比第一冷却工序时供给的冷却用空气的量多的冷却用空气,使空间33内的压力上升,从而不会使第二冷却工序时的冷却速度过低。
另外,在上述实施方式中,例示了控制部51基于来自压力检测传感器80的检测信息而驱动控制空气供给鼓风机53的变换器驱动部53a、空气排气鼓风机63的变换器驱动部63a、空气供给管路侧阀机构54A以及空气排气管路侧阀机构64A的例子,但是,控制部51也可以控制空气供给鼓风机53的变换器驱动部53a、空气排气鼓风机63的变换器驱动部63a、空气供给管路侧阀机构54A以及空气排气管路侧阀机构64A中的任一方,或者也可以组合这些而进行控制,而且,也可以仅控制空气供给管路侧阀机构54A的任一个构件54、55、56,或者也可以仅控制空气排气管路侧阀机构64A的任一个构件64、65、66、67。
第二实施方式
接着,利用图1以及图3说明本发明的第二实施方式。
如图1和图3所示,空气供给管路52和空气排气管路62互相连结而构成封闭系空气供给/排气管路。即,空气排气管路62互相连结,在连结部上设有供气供给以及空气排气用的鼓风机73,该空气供给鼓风机73具有变换器驱动部73a。
另外,在鼓风机73的入口侧设有蝶形阀76以及孔阀77,在鼓风机73的出口侧配置有孔阀74以及蝶形阀75。上述鼓风机73的入口侧的蝶形阀76以及孔阀77、以及鼓风机73的出口侧的孔阀74以及蝶形阀75均能够自由调整开闭,且空气供给管路52侧的孔阀74以及蝶形阀75构成空气供给管路侧阀机构74A。
另外,空气排气管路62侧的蝶形阀76以及孔阀77构成空气排气管路侧阀机构76A。
接着,说明由这样的结构构成的立式热处理装置的作用。
首先,在舟皿12内装载晶圆w,将装载有晶圆w的舟皿12载置在盖体10的保温筒11上。之后,利用盖体10的上升移动,将舟皿12搬入到处理容器3内。
接着,控制部51控制电源而使加热元件18工作,对炉主体5和处理容器3之间的空间33进行加热,对处理容器3内的装载在舟皿12上的晶圆w实施必要的热处理。
在此期间,来自温度传感器83a的信号经由温度传感器信号线83送往温度计90,利用该温度计90求出炉主体5和处理容器3之间的空间33的温度。然后,基于来自该温度计90的检测信号,利用控制部51以适当的温度对晶圆w实施高精度的热处理。
当对晶圆w实施的热处理结束时,为了谋求热处理作业的效率化,对炉主体5和处理容器3之间的空间33内进行强制性地冷却。
接着,说明空间33内的强制冷却方法。
首先,利用控制部51使空气供给以及空气排气用鼓风机73工作。此时,空气供给管路52内的冷却用空气被送往供给管道49。
之后,供给管道49内的冷却用空气进入形成于炉主体5的绝热件16的外方的各环状流路38内,接着,环状流路38内的冷却用空气自以贯穿绝热件16的方式设置的空气吹出孔40吹出到炉主体5和处理容器3之间的空间33内,对该空间33内进行强制性地冷却(第一冷却工序)。
空间33内的加热空气经由空气排气管路62被换热器79冷却之后,回到鼓风机73中。
在此期间,控制部51驱动控制鼓风机73的变换器驱动部73a,并且,驱动控制空气供给管路侧阀机构74A和空气排气管路侧阀机构76A,将空间33内维持成微负压(相对于炉主体5的外部的环境(大气压力)为0Pa~-85Pa,优选为-20Pa~-30Pa)的范围A(参照图4)。
这样,将空间33内保持成相对于炉主体5的外部的环境(大气压力)为0Pa~-85Pa,优选为-20Pa~-30Pa的微负压的范围A内,能够防止空间33内成为正压而自炉主体5向外部喷出热风,而且,能够防止空间33内成为强负压而使外部气体卷入到炉主体5内而导致处理容器3中的温度分布不均匀。
当利用第一冷却工序对炉主体5和处理容器3之间的空间33内进行强制性的冷却时,空间33内的温度降低,从而使空间33内的压力比第一冷却工序中的压力低。
在此期间,利用与压力检测管50a的压力检测孔85和压力检测管86连接的压力检测传感器80检测空间33内的压力,在空间33内的压力比第一冷却工序中的压力大幅降低的情况下,控制部51基于来自压力检测传感器80的检测信号,采用大于第一冷却工序中的设定压力的设定压力来控制鼓风机73的变换器驱动部73a,并且驱动控制空气供给管路侧阀机构74A和空气排气管路侧阀机构76A。在该情况下,使空间33内的压力上升,自空气供给管路52向空间33内供给比第一冷却工序时供给的冷却空气的量多的冷却空气,能够使空间33内的压力再次回到第一冷却工序的压力(第二冷却工序)。即,在没有采用这样的第二冷却工序的情况下,导致持续发生如图4的虚线所示那样的压力的降低,但是通过采用第2冷却工序,能够如图4的实线所示,使空间33内的压力再次回到第一冷却工序的水准。
利用该第二冷却工序,能够不会随着空间33内的压力的降低而向炉主体5内卷入外部气体,而且能够向空间33内供给较多的冷却用空气,能够迅速且可靠地对空间33内进行强制冷却。
接着,进一步详细说明第一冷却工序及第二冷却工序的作用。
在第一冷却工序中,如上所述,环状流路38内的冷却用空气自以贯穿绝热件16的方式设置的空气吹出孔40吹到炉主体5和处理容器3之间的空间33内,从而对该空间33内进行强制性地冷却。在该情况下,吹出到空间33内的冷却用空气将炉主体5的加热元件18以及处理容器3冷却,从而该冷却用空气一下子膨胀而使体积增加,使压力上升(参照图4)。如上所述,压力检测管50a设置在炉主体5和处理容器3之间的空间33,利用该压力检测管50a直接检测空间33内的压力,因此,与例如在远离空间33的空气供给管路52或者空气排气管路62上设置压力传感器的情况相比,能够不受到干扰的影响地迅速且可靠地检测空间33内的压力上升。然后,控制部51基于来自压力检测系统50的检测信号适当地进行控制,使得空间33内成为上述微负压。
即,也可以考虑利用设置在空气供给管路52或者空气排气管路62上的压力传感器来检测空间33内的压力,但是,当在空气供给管路52上设置压力传感器时,需要将施加于冷却用空气的推压的影响考虑为干扰,当在空气排气管路62上设置压力传感器时,需要将施加于冷却用空气的拉压的影响考虑为干扰。
相对于此,采用本发明,由于在炉主体5和处理容器3之间的空间33设置压力检测管50a,因此,能够不会受到干扰的影响地直接性地迅速且可靠地检测空间33的压力上升,能够利用控制部51适当地进行控制,使得空间33内成为微负压。
当对炉主体5和处理容器3之间的空间33进行强制性地冷却时,空间33内的温度降低而使空间33内的压力也降低(第二冷却工序)(参照图4)。
在该情况下,也是利用设置在空间33上的压力检测管50a来直接检测空间33内的压力,因此,能够迅速且可靠地检测空间33内的压力降低。此时,控制部51基于来自压力检测管50a的检测信号而自空气供给管路52向空间33内供给比第一冷却工序时供给的冷却用空气的量多的冷却用空气,能够使空间33内的压力再次回到第一冷却工序的压力。
这样,在第二冷却工序时,供给比第一冷却工序时供给的冷却用空气的量多的冷却用空气,使空间33内的压力上升,从而不会使第二冷却工序时的冷却速度过低。
另外,在上述实施方式中,例示了控制部51基于来自压力检测传感器80的检测信息而驱动控制空气供给以及空气排气用的鼓风机73的变换器驱动部73a、空气供给管路侧阀机构74A以及空气排气管路侧阀机构76A的例子,但是,控制部51也可以驱动控制空气供给以及空气排气用的鼓风机73的变换器驱动部73a、空气供给管路侧阀机构74A以及空气排气管路侧阀机构76A中的任一方,或者也可以将这些组合而控制,而且,也可以仅驱动控制空气供给管路侧阀机构74A的任一个构件74、75,或者也可以仅驱动控制空气排气管路侧阀机构76A的任一个构件76、77。
另外,本发明并不限定于上述各实施方式,能够在本发明的要旨的范围内进行各种各样的设计变更,例如,作为处理容器可以是将具有导入管部以及排气管部的由耐热金属例如不锈钢制成的圆筒状的连通器(manifold)连接在下端部而成的构件,而且,处理容器也可以是双重管构造。
本专利申请享受2010年3月12日提出的日本申请即日本特愿2010-055548的优先权。上述在先申请中公开的所有内容通过引用的方式构成本说明书的一部分。
Claims (5)
1.一种立式热处理装置,其特征在于,
该立式热处理装置包括:
炉主体,在该炉主体的内周面上设有加热部;
处理容器,其配置在炉主体内,在该处理容器和炉主体之间形成有空间,在该处理容器内部收纳多个被处理体;
温度传感器,其配置在炉主体和处理容器之间的上述空间;
空气供给管路,其与炉主体相连接,该空气供给管路用于向上述空间内供给冷却用空气;
空气排气管路,其与炉主体相连接,该空气排气管路用于自上述空间内排出冷却用空气;
鼓风机,其配置在空气供给管路和空气排气管路中的至少一方上;
空气供给管路侧阀机构以及空气排气管路侧阀机构,该空气供给管路侧阀机构设在空气供给管路上,该空气排气管路侧阀机构设在空气排气管路上,
在该立式热处理装置上设有自炉主体外方贯穿炉主体而延伸至炉主体和处理容器之间的上述空间的保护管,该保护管设有用于与温度传感器相连接的且收纳在保护管内的温度传感器信号线的开孔,并且,在该保护管上形成有朝向上述空间开口的压力检测孔,且在炉主体外方设有与保护管的压力检测孔相连接的压力检测传感器,
保护管的压力检测孔和开孔在保护管的一端处开口、在保护管内独立地延伸且在保护管的另一端处开口,收纳于保护管的开孔的温度传感器信号线还从保护管的一端延伸到保护管的外部并与温度传感器连接。
2.根据权利要求1所述的立式热处理装置,其特征在于,
该立式热处理装置还具有控制部,该控制部基于来自温度传感器的检测信号控制加热部,并且该控制部基于来自压力检测传感器的检测信号控制鼓风机、空气供给管路侧阀机构以及空气排气管路侧阀机构中的至少一方而调整上述空间内的压力。
3.根据权利要求1所述的立式热处理装置,其特征在于,
保护管由具有压力检测孔的细长状的陶瓷制管构成,在陶瓷制管内形成有与压力检测孔平行地延伸的温度传感器信号线用的开孔。
4.一种压力检测系统和温度传感器的组合体,其特征在于,该压力检测系统和温度传感器的组合体包括:
保护管,其具有压力检测孔和开孔;
温度传感器,其设在保护管的一端部;
温度传感器信号线,其与温度传感器相连接,该温度传感器信号线收容在保护管的开孔内而自保护管的另一端部向外方延伸,
保护管的压力检测孔和开孔在保护管的一端处开口、在保护管内独立地延伸且在保护管的另一端处开口,收纳于保护管的开孔的温度传感器信号线还从保护管的一端延伸到保护管的外部并与温度传感器连接。
5.根据权利要求4所述的压力检测系统和温度传感器的组合体,其特征在于,
在保护管的另一端部设有与压力检测孔相连通的压力检测管,在该压力检测管上连接有压力检测传感器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010-055548 | 2010-03-12 | ||
JP2010055548A JP5394292B2 (ja) | 2010-03-12 | 2010-03-12 | 縦型熱処理装置および圧力検知システムと温度センサの組合体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102191474A CN102191474A (zh) | 2011-09-21 |
CN102191474B true CN102191474B (zh) | 2014-11-05 |
Family
ID=44558749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110059985.1A Active CN102191474B (zh) | 2010-03-12 | 2011-03-11 | 压力检测系统和温度传感器的组合体以及立式热处理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110220089A1 (zh) |
JP (1) | JP5394292B2 (zh) |
KR (1) | KR101368206B1 (zh) |
CN (1) | CN102191474B (zh) |
TW (1) | TWI495836B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5394360B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置およびその冷却方法 |
JP2012080080A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置及びその制御方法 |
CN103762164B (zh) * | 2014-02-20 | 2016-11-23 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 可快速风冷的热处理装置 |
JP6749268B2 (ja) * | 2017-03-07 | 2020-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN106868290B (zh) * | 2017-03-23 | 2018-10-12 | 东北大学 | 铝合金工件热处理实验方法 |
CN110527989A (zh) * | 2018-06-08 | 2019-12-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于热处理设备的冷却装置及热处理设备 |
JP7101599B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2022-07-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
ES2774170A1 (es) * | 2019-01-17 | 2020-07-17 | Plana Pedro Delgado | Aparato de calefacción alimentado con biocombustible sólido |
CN110488599B (zh) * | 2019-08-22 | 2022-03-01 | 安徽枫慧金属股份有限公司 | 一种炉膛压力控制系统 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002305189A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置およびその強制空冷方法 |
US20050271988A1 (en) * | 2000-10-02 | 2005-12-08 | Tetsuo Komai | Combustion type waste gas treatment system |
US20080182345A1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus |
US20090064765A1 (en) * | 2006-03-28 | 2009-03-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of Manufacturing Semiconductor Device |
US20090269713A1 (en) * | 2007-02-28 | 2009-10-29 | Byung Gil Choi | Heat treatment equipment |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3172647A (en) * | 1963-03-26 | 1965-03-09 | Bickley Furnaces Inc | Continuous kiln |
US3312274A (en) * | 1964-04-16 | 1967-04-04 | Worthington Corp | Calorimeter for measuring fouling resistance of a surface condenser tube |
JPS4948786B1 (zh) * | 1970-02-04 | 1974-12-23 | ||
US3905010A (en) * | 1973-10-16 | 1975-09-09 | Basic Sciences Inc | Well bottom hole status system |
JPS5545321Y2 (zh) * | 1975-10-30 | 1980-10-24 | ||
JPS6154436A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-18 | Kawasou Denki Kogyo Kk | 高炉等シヤフト炉用の計測プロ−ブ |
DE3513749C1 (de) * | 1985-04-17 | 1986-09-04 | Hydrotechnik Gmbh | Sensor fuer fluidische Systeme |
US4653935A (en) * | 1985-05-13 | 1987-03-31 | Daily Jeffrey N | Thermocouple containment chamber |
US4983112A (en) * | 1988-07-30 | 1991-01-08 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Interlocking device for hot isostatic pressurizing equipment |
US5135047A (en) * | 1989-10-05 | 1992-08-04 | Flavio Dobran | Furnace for high quality and superconducting bulk crystal growths |
JP2639771B2 (ja) * | 1991-11-14 | 1997-08-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
US5429498A (en) * | 1991-12-13 | 1995-07-04 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat treatment method and apparatus thereof |
US5662469A (en) * | 1991-12-13 | 1997-09-02 | Tokyo Electron Tohoku Kabushiki Kaisha | Heat treatment method |
US5575153A (en) * | 1993-04-07 | 1996-11-19 | Hitachi, Ltd. | Stabilizer for gas turbine combustors and gas turbine combustor equipped with the stabilizer |
TW275132B (en) * | 1994-08-31 | 1996-05-01 | Tokyo Electron Co Ltd | Treatment apparatus |
US6036482A (en) * | 1995-02-10 | 2000-03-14 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method |
WO1996024949A1 (fr) * | 1995-02-10 | 1996-08-15 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement thermique et appareil |
US5663488A (en) * | 1995-05-31 | 1997-09-02 | Hewlett-Packard Co. | Thermal isolation system in an analytical instrument |
WO1997031389A1 (fr) * | 1996-02-23 | 1997-08-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement thermique |
DE60131698T2 (de) * | 2000-05-31 | 2008-10-30 | Tokyo Electron Ltd. | Thermische Behandlungsvorrichtung und Verfahren |
TW477882B (en) * | 2000-07-03 | 2002-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus with sealing mechanism |
DE10047516A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-04-18 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Dosierung eines Reduktionsmittels zur Entfernung von Stickoxiden aus Abgasen |
KR100899609B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2009-05-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP2002319579A (ja) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の熱処理方法及びバッチ式熱処理装置 |
CO5310581A1 (es) * | 2003-02-10 | 2003-08-29 | Inst Capacitacion E Invest Plastico Y Caucho | Metodo y celda de medicion para la determinacion de la difu- sividad termica de materiales durante el proceso de transfe- rencia de calor por conduccion con rapidos cambios de tempe- ratura que pueden incluir cambio de fase. |
JP3802889B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2006-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及びその校正方法 |
JP2005300456A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Denso Corp | 温度センサ一体型圧力センサ装置およびその取り付け方法 |
KR100653720B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 열처리 설비 및 이의 구동방법 |
JP4684135B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2011-05-18 | 株式会社フジキン | 配管路の漏洩検査方法及び漏洩検査装置 |
WO2008016143A1 (fr) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Appareil de traitement de substrat et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
JP5248826B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2013-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理炉及びその製造方法 |
JP2008091761A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4669465B2 (ja) * | 2006-11-08 | 2011-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 |
JP5005388B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2008261796A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Denso Corp | 温度センサ一体型圧力センサ装置 |
US20090095422A1 (en) * | 2007-09-06 | 2009-04-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Semiconductor manufacturing apparatus and substrate processing method |
US20090308332A1 (en) * | 2007-10-01 | 2009-12-17 | Tanbour Emadeddin Y | Water heater with forced draft air inlet |
JP2009266962A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP5394360B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置およびその冷却方法 |
JP2012049342A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2010
- 2010-03-12 JP JP2010055548A patent/JP5394292B2/ja active Active
-
2011
- 2011-02-24 KR KR1020110016381A patent/KR101368206B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-04 US US13/040,791 patent/US20110220089A1/en not_active Abandoned
- 2011-03-10 TW TW100108180A patent/TWI495836B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-11 CN CN201110059985.1A patent/CN102191474B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050271988A1 (en) * | 2000-10-02 | 2005-12-08 | Tetsuo Komai | Combustion type waste gas treatment system |
JP2002305189A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置およびその強制空冷方法 |
US20090064765A1 (en) * | 2006-03-28 | 2009-03-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of Manufacturing Semiconductor Device |
US20080182345A1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus |
US20090269713A1 (en) * | 2007-02-28 | 2009-10-29 | Byung Gil Choi | Heat treatment equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI495836B (zh) | 2015-08-11 |
KR20110103326A (ko) | 2011-09-20 |
KR101368206B1 (ko) | 2014-02-27 |
JP2011192702A (ja) | 2011-09-29 |
CN102191474A (zh) | 2011-09-21 |
US20110220089A1 (en) | 2011-09-15 |
JP5394292B2 (ja) | 2014-01-22 |
TW201200833A (en) | 2012-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102191473B (zh) | 立式热处理装置及其冷却方法 | |
CN102191474B (zh) | 压力检测系统和温度传感器的组合体以及立式热处理装置 | |
US9748122B2 (en) | Thermal processing apparatus and method of controlling the same | |
KR101569557B1 (ko) | 열처리로 및 열처리 장치 | |
CN106170568B (zh) | 用于在环底平炉中对细长扁平的金属物料、尤其是轧制铝锭进行热处理的方法和设备 | |
US20120251966A1 (en) | Heat treatment control system and heat treatment control method | |
US20180002774A1 (en) | Method, furnace installation and system for the hot stamping of workpieces | |
CN102425939A (zh) | 一种微波加热钟罩窑 | |
CN102419085B (zh) | 一种微波、电混合加热钟罩窑 | |
CN104625296B (zh) | 一种气浮旋转式回流焊接装置及方法 | |
CN217179177U (zh) | 一种窑炉烘干系统 | |
CN202371989U (zh) | 一种微波加热钟罩窑 | |
CN102403195A (zh) | 纵型热处理装置及其控制方法 | |
WO2009085907A3 (en) | System and method for producing metallic iron | |
JP6038262B1 (ja) | 管の熱処理装置および熱処理方法 | |
JPH10141859A (ja) | バッチ式熱処理炉 | |
CN203373389U (zh) | 一种多层箱式加热炉 | |
CN111037026A (zh) | 一种无马弗连续钎焊炉 | |
CN216891129U (zh) | 一种金属盘卷的热处理炉 | |
CN106384722A (zh) | 一种热处理装置的快速风冷结构 | |
KR20130014335A (ko) | 열처리 장치 | |
KR20130069488A (ko) | 열처리 장치용 열교환기 및 이것을 구비한 열처리 장치 | |
CN106868260A (zh) | 多层退火炉 | |
CN116391050A (zh) | 用于对金属带进行连续热处理的竖炉 | |
CZ8761U1 (cs) | Elektrická pec |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |