CN102159423B - 非接触式供电系统 - Google Patents

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Abstract

一种非接触式供电系统,包括有高频电流流过的馈线,以及获取单元,其被感应地耦接至该馈线,该非接触式供电系统被构造成通过获取单元内感应的电动势来供应电力给负载。其中,获取单元包括圆周地围绕该馈线的管状核心,以及在核心上缠绕绕线而形成的绕组。该核心具有内表面、外表面和开口,该开口在馈线的轴向上延伸,使得至少该馈线在径向上通过该开口。而核心的内表面和外表面的至少其中之一表面形成弯曲的表面形状。

Description

非接触式供电系统
技术领域
本发明涉及一种具有感应地耦接至高频电流馈线的获取单元(Pickupunit)的非接触式供电系统,此系统被设计成借由获取单元所感应的电动势而供应电力给负载。
背景技术
在例如日本专利公开第2003-528555、11-192866和2004-120880号,以及日本专利第3263421号,都揭露了此种非接触式供电系统。在这些非接触式供电系统中,都已安装高频电流馈线,其会沿着传动单元(TravelUnit)的移动轨迹而延伸。配置在传动单元中的获取单元,会被感应地耦接至馈线。借由获取单元所感应的电动势,就可以供应电力给负载,该负载例如是一种用来移动该传动单元的电动马达。
获取单元包括圆周地围绕着馈线的管状核心,以及由缠绕着核心的绕线所形成的绕组。大多数的磁通量都是围绕馈线而产生且通过该核心,因此在绕组中所感应的电动势就会增加。核心具有在馈线的轴向上延伸的开口,使得至少馈线可以径向地通过此开口。因此,获取单元很容易安装到馈线,或从馈线移除。
在传统获取单元中所使用的核心,其横剖面大致上为“ㄈ”的形状。因此,当核心的内周面或外周面是由互相连接的平面所形成时,部分的磁通量会从平面到平面的边界部(或角落部)漏失。这就造成了电力从馈线传递至获取单元的效率降低的问题。
另外,由于传统的获取单元的核心内,形成供馈线插入的开口,因此穿过核心的磁通量也会部分地通过开口而漏失。而由于漏失的磁通量会流经配置在获取单元附近的金属构件,例如传动单元和移动轨道,因此会产生涡电流(Eddy current),而造成了电力的损耗。这可能会造成传递给获取单元的电力下降。假设有两条分别进入和离开高频供电器的馈线,其中一条内置于核心内,而另一条配置在获取单元附近,则绕所述另一条馈线而产生的磁通量就会抵消透过开口而通过核心的磁通量。这也可能会造成传递至获取单元的电力的效率下降。虽然在传统的做法中,在绕组和传动单元之间会提供磁屏蔽层,但是却未考虑到从核心的开口所漏失的磁通量的影响,或未考虑配置在核心外部的馈线周围所产生的磁通量的影响。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种非接触式供电系统,可以提升电力从馈线传递到获取单元的效能,并且可以增加所供应的电力的量。
本发明还提供一种非接触式供电系统,可以减少从核心的开口所漏失的磁通量的影响,或使配置于核心外部的馈线周围所产生的磁通量的影响减少。
本发明还提供一种非接触式供电系统,可以稳定核心的高频阻抗。
依照本发明的第一观点,则提供一种非接触式供电系统,包括:馈线,其有高频电流流过;以及获取单元,被感应地耦接至馈线,该非接触式供电系统被构造成通过获取单元内感应的电动势来供应电力给负载,其中获取单元包括圆周地围绕该馈线的管状核心,以及由在核心上缠绕绕线而形成的绕组,其中核心具有内表面、外表面和开口,该开口在馈线的轴向上延伸,使得至少该馈线在径向上通过该开口,而核心的内表面和外表面的至少其中之一表面形成弯曲的表面形状。
依照本发明第二观点,则提供一种非接触式供电系统,包括:馈线,其有高频电流流过;以及被感应地耦接至馈线的获取单元,该非接触式供电系统被构造成通过获取单元中感应的电动势来供应电力给负载,其中获取单元包括圆周地围绕该馈线的管状核心,以及由绕线在核心上缠绕成单层而形成的绕组。
依照本发明的第三观点,则提供一种非接触式供电系统,包括:馈线,其有高频电流流过;以及被感应地耦接至馈线的获取单元,该非接触式供电系统被构造成通过获取单元中感应的电动势来供应电力给负载,其中获取单元包括:管状核心,可以圆周地围绕该馈线,而核心则具有开口,该开口在馈线的轴向上延伸,使得至少馈线在径向上通过该开口;绕组,由绕线缠绕在该核心上而形成;以及磁屏蔽体,用于罩住该核心和绕组,该磁屏蔽体由具有高导磁率的材料所制成。
依照本发明第四观点,则提供一种非接触式供电系统,包括:馈线,其有高频电流流过;以及获取单元,被感应地耦接至馈线,所述非接触式供电系统被构造成通过获取单元内感应的电动势来供应电力给负载,其中获取单元包括:圆周地围绕该馈线的管状核心,而核心则具有开口,该开口在馈线的轴向上延伸,使得至少馈线在径向上通过开口;绕组,由绕线缠绕在该核心上而形成,而该馈线包括插入核心内的进入馈线以及配置在核心外部的引出馈线;以及磁屏蔽体,其由具有高导磁率的材料所制成,该磁屏蔽体配置在引出馈线和核心的开口之间。
依照本发明的第五观点,则提供一种非接触式供电系统,包括:馈线,其有高频电流流过;以及获取单元,被感应地耦接至馈线,该非接触式供电系统被构造成通过获取单元内感应的电动势来供应电力给负载,其中获取单元包括:管状核心,可以圆周地围绕该馈线;线轴(bobbin),其配合成围绕该核心;以及绕组,由绕线缠绕在该线轴上所形成,其中该核心具有为弯曲表面形状的内周面和外周面,并且该核心具有大致为C形的横切面,此横切面与核心的轴向相交,其中该线轴包括外周面和多个定位突起物,所述定位突起物在核心的圆周方向上配置在线轴的外周面上,而彼此相邻的定位突起物之间则形成固定部,用来固定该绕线。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A为依照本发明第一实施例的一种非接触式供电系统的获取单元的部分切割的剖面图。
图1B为通过图1A所示的获取单元的核心的磁通量的示意图。
图1C为通过传统获取单元的核心的磁通量的示意图。
图2A和图2B为其它用于非接触式供电系统中获取单元的核心的平面图。
图3A为非接触式供电系统的整体配置的透视图,图3B和图3C为使用在非接触式供电系统中的馈线的剖面图。
图4为依照本发明第二实施例的一种非接触式供电系统的主要部分的剖面图。
图5为图4所示非接触式供电系统的变化例的主要部分的剖面图。
图6为图4所示非接触式供电系统的另一变化例的主要部分的剖面图。
图7为依照本发明第三实施例的一种非接触式供电系统的主要部分的剖面图。
图8为图7所示非接触式供电系统的变化例的主要部分的剖面图。
图9为图7所示非接触式供电系统的另一变化例的主要部分的剖面图。
图10A为依照本发明第四实施例的一种非接触式供电系统的获取单元的部分切割的剖面图。图10B为图10A所示获取单元的线轴的主要部分的剖面图,图10C为图10A所示获取单元的线轴的透视图。
图11为图10B所示线轴的变化例的主要部分的剖面图。
图12为依照本发明第五实施例的一种非接触式供电系统的获取单元的主要部分的剖面图。
图13A和图13B为图12所示的非接触式供电系统的获取单元的主要部分的透视图,图13C为传统获取单元的主要部分的透视图。
具体实施方式
以下,将参考附图对本发明的某些优选实施例进行详细叙述。
(第一实施例)
请参照图3A,本实施例的非接触式供电系统包括安装成回路形状的馈线100、用来通过馈线100供应高频电流的高频供电器110、以及被感应地耦接至馈线100的获取单元1。获取单元1供应电力给负载111,该负载例如是换流器(inverter)或马达。
如图3B所示,馈线100包括通过弯折金属板而一体形成的导体、以及由方管形的合成树脂模制产品所形成的绝缘体104,绝缘体104覆盖该导体。该导体包括圆柱形内管部101、配置在内管部101外的圆柱形外管部102、以及将内管部101和外管部102以同轴关系彼此互连的连接部103。在典型的圆柱形馈线中,当有高频电流流过时,会产生阻抗或高频阻抗,这可归因于表面效应和邻近效应、以及导体的材料(例如金属板)所具有的电阻率。然而,当使用如图3B所示的双管型导体作为馈线100时,与圆柱形馈线相比,可以减少高频阻抗以及电力损耗。但是,馈线并不必需限于以上结构。甚至,馈线可以用许多不同的方法来形成,例如金属的挤出成型、将具有连接部的内管部压到外管部中的工艺过程、或是其它类似的方法。而图3C则为馈线的变化例。馈线100’包括导体和绝缘体104’,此绝缘体104’是具有方管形状的合成树脂产品,而导体则被绝缘体104’所覆盖。导体包括圆柱形内管部101’、配置在内管部101’外部的圆柱形外管部102’、以及四个连接部103’,以将内管部101’和外管部102’以同心关系互相连接。
获取单元1包括核心2、绕组3、线轴4、磁屏蔽体5和电力接收电路单元6。电力接收电路单元6包括电容,其与绕组3配合而形成一共振电路;以及定电压电路,其将此共振电路所输出的共振电压转换为恒定电压,诸如此类。
如图1A所示,核心2具有弯曲状或圆柱状表面形状的内周面和外周面,以及与轴向(或是垂直于纸面的方向)相交的大致上C形的横切面。核心2具有互相面对的相对端部20,在所述相对端部20之间可以形成开口2a。相对端部20在轴向所获得的横切面,会比核心2的其余部分(以下称为本体部)21要大。
线轴4由方管形的合成树脂模制产品所形成并且被弯曲成弧形形状。在线轴4的圆周相对端提供有多个外部凸缘40。在与开口2a直径上相对的点处,可以将核心2的本体部21对分成两个本体片段。类似地,线轴4可被对分成两个线轴片段。图1A所示的核心2可以通过将这些本体片段插入线轴片段内,并且将两个本体片段的端部接合在一起而组装起来。
通过将具有绝缘涂层的绕线缠绕在线轴4上而成为一单层,就可以形成绕组3。相对端部20与本体部21之间的阶梯差(step difference)被设定为大于绕线的直径,使得绕组3不会超过核心2的相对端部20而朝外移动。这就可以使从绕组3的端部处的核心2的相对端部20所漏出的磁通量减少。
磁屏蔽体5可以由具有高导磁率的磁性金属材料来制造,以具有大致上为圆柱形的形状,并且可被配合到核心2和绕组3的外部。磁屏蔽体5具有轴向延伸的沟槽5a,其与核心2的开口2a相通。
馈线100穿过开口2a而被插入且布置于核心2的内部。若是高频电流流经该馈线100,则高频磁场(或是磁通量)会以同心圆的图案而形成在馈线100周围。磁通量的大部分会沿圆周方向流过核心2。假设核心2’(请参照图1C)的内周面和外周面如传统技术中那样利用互相连接的平表面所形成,也就是说若核心2’大致上具有“ㄈ”形的横切面时,则磁通量会部分地在平面对平面的边界部分(或是角落部)中从核心2’漏失,如图1C所示。
在本实施例中,核心2具有弯曲或圆柱形的内周面和外周面和与轴向相交的大致上“C”形的横切面。因此,如图1B所示,磁通量很难从开口2a之外的部分漏失。也由于此特征,与图1C所示的现有技术的核心2’相比,本实施例可以提升从馈线100传输电力至获取单元1的效能,并且增加供应的电力的量。虽然核心2的内周面和外周面在本实施例都可以形成弯曲形状,但是也可以如图2A所示,只有外周面形成弯曲形状,或是如图2B所示,只有内周面形成弯曲形状。无论在核心2上使用这两种形状中的哪一种,与现有具有多个平表面互相结合的核心2’相比,都可以在内周面或外周面减少从核心2的除了开口2a以外的部分的磁通量的漏失。然而,显而易见的,本实施例的核心2传送电力的效能要高于图2A和图2B此二者。
若是进入和离开高频供电器110的两条馈线100中的一条被布置在核心2内部,而另一条被布置在获取单元1附近,则绕所述另一条馈线100而产生的磁通量就会抵消通过核心2的磁通量。这就可能使电力传送至获取单元1时的效能下降。在本实施例中,核心2和绕组3会被磁屏蔽体5所覆盖且受到磁屏蔽。而由于此特征,就可以使通过核心2的磁通量不会被外部磁场(或通量)所消除。这就可以降低电力的损耗。
在本实施例中,开口2a形成在获取单元1的核心2中,以致于馈线100可以容易地插入至获取单元1中以及从获取单元1移除。在开口2a的部分(或间隙)中,磁路的磁阻会大幅地增加。有鉴于此,互相面对的相对端部20(其间形成有开口2a)所形成的轴向横切面,要比本体部21的横切面还大。这就保证在核心2的相对端部20中的磁阻,会变为比本体部21中的磁阻还小,因此降低磁通量通过该开口2a而从核心2漏失的量。
若绕组是通过绕线缠绕成多层所形成,则绕组的高频阻抗会由于邻近效应而增加,因此会降低电力传送效率。在本实施例中,由于绕组3是借由将绕线在核心2上缠绕成单层所形成。因此,与将绕线缠绕成多层的情形比较,本实施例可以有助于降低高频阻抗,并且进而提升电力传送效率。
(第二实施例)
本实施例的非接触式供电系统,与第一实施例的非接触式供电系统共享基本架构。因此,构件部分共通于第一实施例,并且借由相同的附图标记来表示,在此不多作赘述。
在本实施例中,如图4所示,在进入和离开高频供电器110的两条馈线100中,其中一条(进入馈线)被安置在核心的内部,并且另一条(引出馈线)则安置在获取单元1的附近。在此状况下,在配置于核心2的外部的引出馈线100周围所产生的磁通量,会与在配置于核心2内部的进入馈线100周围所产生的磁通量以相反方向而流动,并且可能会抵消通过核心2的磁通量。然而,在本实施例中,核心2和绕组3都被覆盖着磁屏蔽体5。这就可以避免在引出馈线100周围所产生的磁通量流过核心2。因此,本实施例就可以避免获取单元1的电力传送效率的降低。
使用于本实施例中的核心2具有开口2a,通过该开口2a可以插入馈线100。因此,通过核心2的磁通量会部分地通过该开口2a而漏失。而漏失的磁通量会因此造成涡电流而流过导电轨200,并且造成电力的损耗。如此就可能会降低获取单元1的电力传送效率。
若磁屏蔽体5的孔口5a被图5所示的屏蔽盖50来可打开地闭合,这就可以屏蔽否则会通过开口2a的磁通量,并且可以降低由漏磁通量所产生的涡电流导致的电力损耗。磁屏蔽盖50是由与磁屏蔽体5相同的材料所制成并且形成一种带板形状。磁屏蔽盖50可移除地配合于磁屏蔽体5的沟槽5a。而如图6所示,磁屏蔽体5’可以取代磁屏蔽体5来覆盖核心2和绕组3,磁屏蔽体5’可移除地连接至核心2的相对端部20,以将核心2的开口2a关闭。在这样情况下,同样也可以降低由涡电流所引起的电力的损耗。
(第三实施例)
本实施例的非接触式供电系统,与第二实施例的非接触式供电系统共享基本架构。因此,构件部分共通于第二实施例,并且借由相同的附图标记来表示,在此不多作赘述。
如结合第二实施例所阐述的,需要忧心的是,通过核心2的磁通量,可能会受到在配置于核心2外部的引出馈线100周围所产生的磁通量影响而降低。
在本实施例中,如图7所示,由具有高导磁率的磁性材料所制造的磁屏蔽体7,配置在位于核心2外部的引出馈线100和核心2的开口2a之间。磁屏蔽体7形成为具有大致L形的横切面且在其纵向相对端处被固定在导电轨200上,使得引出馈线100可以被容纳在磁屏蔽体7和导电轨200之间。
因为由具有高导磁率的磁性材料制造的磁屏蔽体7被布置在引出馈线100和开口2a之间,因此就可以免除获取单元1的核心2和绕组3受到引出馈线100周围所产生的磁通量的影响。甚至,配置在核心2的开口2a和导电轨200之间的磁屏蔽体7还可以使从开口2a所漏失且连接至导电轨200的磁通量下降。这就可以降低由漏磁通量所产生的涡电流导致的电力损耗。可选地,磁屏蔽体7也可以具有如图8所示的平板形状。
如图9所示,若是使用第二实施例中的磁屏蔽体5来覆盖核心2和绕组3,则可以更进一步解除获取单元1的核心2和绕组3受到引出馈线100周围所产生的磁通量的影响。另外,若是本实施例的结构与图5或图6中的结构(其中图5和图6中核心2的开口2a利用磁屏蔽盖50或磁屏蔽体5’来关闭)相结合,则就可以更进一步降低由从开口2a漏失的磁通量所产生的涡电流导致的电力损耗。
(第四实施例)
本实施例的非接触式供电系统,与第一实施例的非接触式供电系统共享基本架构。因此,构件部分共通于第一实施例,并且借由相同的附图标记来表示,在此不多作赘述。
请参照图10A和图10B,定位突出物41沿核心2的轴向延伸,并且径向向外突出,且定位突出物41沿着核心2的周围方向并排布置在线轴4的外周面上。这些定位突出物41被分成多个突出物组,而每一突出物组都包括两个突出物41来限定固定部42,以用来固定绕组3中的绕线30。这些突出物组分别彼此邻接且以等间隔排列,使得绕线30的邻接的股之间的间隙“a”可以维持一致。
线轴4的角落部,即,内周面和外周面以及侧面之间所围住的边界部会被圆化(请参照图10C)。
绕组3是通过具有绝缘涂层的绕线30在线轴4上缠绕成为单层所形成。而相对端部20和主体部分21之间的阶梯差被设定为大于绕线30的直径,以致于绕组3不会超过核心2的相对端部20而向外移动。
在本实施例的管状核心2中,其内周面和外周面都是弯曲的表面,并且其与轴向相交的横切面大致上是C形,而当绕线30密集地缠绕在内周面上时,在外周面上的绕线30的每股间就会产生间隙。在现有技术中,每一间隙的尺寸会存在差异。这会导致绕组的高频阻抗变得不稳定,并且收益率会不佳。在本实施例中,定位突出物41布置在线轴4的外周面上,并且每突出物组中的两个定位突出物41之间的空间可以用作固定部42,以在其中固定绕线30。因此,在线轴4的外周面上的绕线30的每股的位置,由固定部42的位置来决定。由于此技术特征,在线轴4的外周面上的绕线30每股间的间隙尺寸就可以变得一致,这有助于该绕组3的高频阻抗的稳定。
在本实施例中,与绕线30的各股接触的线轴4的角落部被圆化。因此,就可以避免绕线30损坏,以及被线轴4的这些部分所切断。
在此方面,若是绕线30的相邻的每股之间的间隙变得更大,就可以降低绕组3的邻近效应和高频阻抗的影响。如图11所示,沿着线轴4的圆周方向并排布置的固定部42可借由交替排列第一固定部42a和第二固定部42b来形成,其中第二固定部42b的深度小于第一固定部42a的深度。使用这样的配置,就可以增加绕线30的相邻每股之间的距离“b”(b>a)。如此一来,就可以降低绕组3的邻近效应和高频阻抗的影响。
(第五实施例)
本实施例的非接触式供电系统,与第一实施例的非接触式供电系统共享基本架构。因此,构件部分共通于第一实施例,并且借由相同的附图标记来表示,在此不多作赘述。
请参照图12和图13,本实施例的非接触式供电系统包括外壳500,其由具有绝缘特性的合成树脂模制产品来制成。外壳500包括用来容纳核心2和绕组3的第一外壳部501,以及用来容纳共振电路60而不包括绕组3的第二外壳部502。第一外壳部501形成为具有大致上为C形的横切面,以符合核心2的形状。第二外壳部502则形成为具有矩形箱形,其中一个表面开放。
共振电路60包括矩形基板61,配置在第二外壳部502的内底表面的附近,并且与该内底表面平行,多个子基板62每个都安装有一个或多个电容C(在所示示例中为两个),而在基板61和子基板62中则配置多个连接器63。在基板61的表面上还形成一导电图案(未示出)。绕组3的终端(未示出)从第一外壳部501被推入至第二外壳部502中且电连接于导电图案。子基板62的大小远小于基板61的大小。形成每一连接器63的一对终端接脚63b从每一子基板62的一个端表面突出(请见图13A)。在每一子基板62的前表面上分别安装两个电容C。用来将电容C的终端及终端接脚63b互相连接的导电图案(未示出)形成在每一子基板62的后表面上。
在基板61的表面上安装有多个外罩63a,而终端接脚63b则以可移除的方式分别插在这些外罩63a中,并且这些外罩63a还通过该导电图案而电连接至绕组3。换句话说,连接器63包括外罩63a和终端接脚63b。绕组3和电容C通过连接器63而彼此电连接,由此提供共振电路60。由于此种连接器63为公知技术,因此就省略对其结构的详细叙述和图示。
若是高频电流流经过通过开口2a而插入在核心2中的馈线100时,则会绕馈线100同心地产生高频磁场(或通量)。磁通量的大部分会沿着圆周方向而流经核心2。当磁通量随着高频电流改变时,感应电动势就会产生在绕组3内。所产生的感应电动势因此会被包括有绕组3和电容C的共振电路60的共振作用所放大。而共振电路60所输出的共振电压会被一种定电压电路转换为恒定电压,并且接着供应给负载111。
若电容C如图13C所示直接地安装在基板61上,则为了调整在共振电路60内的电容C的电容值,就需要先将基板61从第二外壳部502取出、然后从电容C的终端处移除焊料、接着将电容C从基板61上分离,并且再将电容C的终端焊接到基板61上。而且,若是使用者一次调整电容值失败,则就需要重复进行调整的步骤。这使得调整的工作相当麻烦。
如图13A和图13B所示,在本实施例中,承载有电容C的子基板62可以利用连接器63而接合到基板61上或从基板61分离。这使得调整电容C的电容值的工作变得更加容易。由此可知,与图13C所示现有技术的结构相比,本实施例可以使调整该共振电路60的步骤简化。
本实施例的连接器63(包括外罩63a和终端接脚63b)被设计成将基板61和子基板62互相连接,使该子基板62可以与基板61保持垂直。这就提供了降低基板61的大小的优点。
虽然本发明已就所述实施例进行了图示和描述,然而本领域技术人员应当认识到,在不脱离由本发明后附权利要求所限定的精神和范围的情况下,可以进行各种改变和修改。

Claims (12)

1.一种非接触式供电系统,包括: 
馈线,有高频电流流过;以及 
获取单元,其感应地耦接至该馈线,该非接触式供电系统被构造成通过获取单元中感应的电动势来供应电力给负载, 
其中该获取单元包括圆周地围绕该馈线的管状核心;以及由缠绕在核心上的绕线形成的绕组, 
其中该核心具有内表面、外表面和开口,该开口在馈线的轴向上延伸,使得至少该馈线在径向上通过该开口,而该核心的内表面和外表面中的至少一个表面形成为弯曲的表面形状, 
其中所述馈线包括双管型导体, 
其中所述双管型导体包括内管部、外管部以及连接部,所述连接部将所述内管部和所述外管部互连,并且 
其中所述内管部和所述外管部同轴。 
2.如权利要求1所述的非接触式供电系统,其特征在于,该核心的内表面和外表面都形成弯曲的表面形状,且该核心具有与轴向相交的大致C形的横切面。 
3.如权利要求1或2所述的非接触式供电系统,其特征在于,该核心具有彼此面对的相对端部,其间留有开口,且该核心的所述相对端部沿轴向所获得的横切面比该核心其余部分要大。 
4.如权利要求1或2所述的非接触式供电系统,其特征在于,该绕组由该绕线在该核心上缠绕成单层所形成。 
5.如权利要求1或2所述的非接触式供电系统,其特征在于,该获取单元还包括磁屏蔽体,用来覆盖该核心的外表面。
6.一种非接触式供电系统,包括: 
馈线,有高频电流流过;以及 
获取单元,其被感应地耦接至该馈线,该非接触式供电系统被构造成通过获取单元内感应的电动势来供应电力给负载, 
其中该获取单元包括圆周地围绕该馈线的管状核心;以及由绕线在该核心上缠绕成单层而形成的绕组, 
其中所述馈线包括双管型导体, 
其中所述双管型导体包括内管部、外管部以及连接部,所述连接部将所述内管部和所述外管部互连,并且 
其中所述内管部和所述外管部同轴。 
7.一种非接触式供电系统,包括: 
馈线,有高频电流流过;以及 
获取单元,其被感应地耦接至该馈线,该非接触式供电系统被构造成通过获取单元内感应的电动势来供应电力给负载, 
其中该获取单元包括:圆周地围绕该馈线的管状核心,该核心具有开口,该开口在该馈线的轴向上延伸,使得至少该馈线在径向上通过该开口;绕组,由绕线缠绕在该核心上所形成;以及用于覆盖核心和绕组的磁屏蔽体,其由具有高导磁率的材料所制成, 
其中所述馈线包括双管型导体, 
其中所述双管型导体包括内管部、外管部以及连接部,所述连接部将所述内管部和所述外管部互连,并且 
其中所述内管部和所述外管部同轴。 
8.一种非接触式供电系统,包括: 
馈线,有高频电流流过;以及 
获取单元,其被感应地耦接至该馈线,该非接触式供电系统被构造成通过获取单元内感应的电动势来供应电力给负载, 
其中该获取单元包括:圆周地围绕该馈线的管状核心,该核心具有开口,该开口在该馈线的轴向上延伸,使得至少该馈线在径向上通过该开口;绕组,由绕线缠绕在该核心上所形成,该馈线包括插入核心内的进入馈线和布置在该核心外部的引出馈线;以及 
磁屏蔽体,其由具有高导磁率的材料所制成,该磁屏蔽体布置在该引出馈线和该核心的开口之间, 
其中所述馈线包括双管型导体, 
其中所述双管型导体包括内管部、外管部以及连接部,所述连接部将所述内管部和所述外管部互连,并且 
其中所述内管部和所述外管部同轴。 
9.如权利要求8所述的非接触式供电系统,其特征在于,该获取单元还包括第二磁屏蔽体,用于覆盖该核心和该绕组,该第二磁屏蔽体由具有高导磁率的材料所制成。 
10.一种非接触式供电系统,包括: 
馈线,有高频电流流过;以及 
获取单元,其被感应地耦接至该馈线,该非接触式供电系统被构造成通过获取单元内感应的电动势来供应电力给负载, 
其中该获取单元包括:圆周地围绕该馈线的管状核心;配合成围绕该核心的线轴;以及由缠绕在该线轴上的绕线形成的绕组,其中该核心具有弯曲的表面形状的内周面和外周面,且该核心被形成为具有与核心轴向相交的大致C形的横切面,其中该线轴包括外周面和多个定位突起物,所述多个定位突起物在核心的圆周方向上布置在该线轴的外周面上,该绕线被固定在形成于彼此相邻的所述定位突起物之间的固定部中, 
其中所述馈线包括双管型导体, 
其中所述双管型导体包括内管部、外管部以及连接部,所述连接部将所述内管部和所述外管部互连,并且 
其中所述内管部和所述外管部同轴。 
11.如权利要求10所述的非接触式供电系统,其特征在于,所述固定部沿该线轴的圆周方向并排布置,并包括多个第一固定部和多个第二固定部,其中所述第二固定部的深度小于所述第一固定部的深度,且所述第一固定部和所述第二固定部以交替方式布置。 
12.如权利要求10或11所述的非接触式供电系统,其特征在于,该线轴包括圆化的角落部,用来接触该绕线。 
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