CN102157498B - 一种混合集成电路模块及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种混合集成电路模块及其制作方法，首先利用PCB版图设计软件设计电路的电路版图，利用厚膜工艺制作电路板；选择裸芯片代替原有的封装好的分立芯片，选择合适的分立电容；利用微组装技术首先将基板焊接到金属壳体中，然后将各分立器件贴装到陶瓷电路基板上，完成裸芯片与陶瓷电路基板、陶瓷电路基板与金属壳体引脚之间的电气互连；待模块的半成品电测试合格，最后利用平行封焊技术，将整个金属壳体密封起来，并制成最终模块。本发明的优点是：体积小，重量轻，采用全金属管壳封装，完全与外界环境隔离，具有较高可靠性、稳定性。
Description
【技术领域】
本发明属于混合集成电路模块，特别是其制作过程主要利用了厚膜及裸芯片互连技术的厚膜混合集成电路模块。
【背景技术】
目前国内的混合集成电路多使用传统的PCB板及分立器件制作而成，电路的集成度较低，且电路的面积、体积较大，稳定性相对较差。随着厚薄膜技术的飞速发展，制作高密度、高可靠性、良好特性及小尺寸的新型电子器件已成为必然趋势。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题之一在于提供一种利用厚膜及裸芯片互连技术制作的混合集成电路模块，将原使用分立器件的电路制作成模块，实现体积小、性能好、可靠性高的目的。
本发明所要解决的技术问题之二在于提供一种所述混合集成电路模块的制作方法。
本发明是通过以下技术方案解决上述技术问题之一的：一种混合集成电路模块，由利用厚膜工艺制作而成的陶瓷电路基板、金属壳体、壳体配套盖板以及混合集成电路需要的分立器件组成，陶瓷电路基板固定在金属壳体中，分立器件固定在陶瓷电路基板上，壳体配套盖板盖在装有陶瓷电路基板的金属壳体上。
所述分立器件包括裸芯片、电容。
本发明是通过以下技术方案解决上述技术问题之二的：一种制造混合集成电路模块的方法，包括下述步骤：
步骤1：首先利用PCB版图设计软件设计电路的电路版图，利用厚膜工艺制作陶瓷电路基板；
步骤2：对制作完成的陶瓷电路基板进行通断测试，对测试合格的陶瓷电路基板进行清洗，然后在干燥箱中烘干，干燥箱温度为80℃～120℃之间，时间10～25分钟，利用锡焊膏将陶瓷电路基板利用再流焊炉焊接到金属壳体中，对焊接好陶瓷电路基板的金属壳体再进行清洗，去除在焊接过程中产生的污物，确保陶瓷电路基板的金属壳体的干净，然后在干燥箱中烘干，干燥箱温度为80℃～120℃之间，时间10～25分钟；
步骤3：对分立器件进行筛选，利用贴片机设备，采用导电环氧胶将各分立器件粘接到陶瓷电路基板的对应位置上，并利用真空烘箱进行高温固化，固化温度为100℃～150℃之间，固化时间1～2小时；
步骤4：待分立器件固化后，对粘有分立器件的陶瓷电路基板及金属壳体进行等离子清洗，等离子清洗功率500W，时间1～3分钟，改善裸芯片、陶瓷电路基板以及金属壳体管脚引线上焊盘的表面性能，使其更易进行金丝键合；选用规格为25μm的金丝先进行裸芯片与陶瓷电路基板之间的金丝键合，然后实现金属壳体的管脚引线和陶瓷电路基板之间的互连，完成整个电路模块的互连；
步骤5：对互连后的模块进行电性能测试，电测试合格的模块利用平行缝焊设备进行气密性封焊，将装有陶瓷电路基板的金属壳体以及配套金属盖板封焊，再对模块进行电测试，电测试合格后，针对模块进行气密性检测、环境试验，最终测试合格的模块入库。
其中步骤2中两次烘干的温度均为100℃，时间均为20分钟。
其中步骤2中锡焊膏成份为Sn62Pb36Ag2，熔点为179℃。
其中步骤3中固化温度为120℃，时间为2小时。
本发明的优点是：
1、该混合集成电路模块与传统的电路相比，体积小，重量轻，为整个系统减小体积、重量提供了空间；
2、该混合集成电路模块采用全金属管壳封装，完全与外界环境隔离，模块具有较高可靠性、稳定性，在实际中有广泛的应用前景。
【附图说明】
图1为本发明一种混合集成电路模块外形结构示意图。
图2为本发明一实施例的电路原理框图。
图3为本发明一实施例的电路原理示意图。
图4为本发明一实施例的电路板布局示意图。
图5为本发明一实施例的引脚定义示意图
【具体实施方式】
下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的描述，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
请参阅图1所示，该混合集成电路模块由利用厚膜工艺制作而成的陶瓷电路基板1、金属壳体2、壳体配套盖板3以及混合集成电路需要的分立器件组成。分立器件包括裸芯片、电容等。
陶瓷电路基板1固定在金属壳体2中，分立器件固定在陶瓷电路基板1上，壳体配套盖板3盖在装有陶瓷电路基板1的金属壳体2上。
该混合集成电路模块的具体制作方法包括下述步骤：
步骤1：首先依据模块性能最优化的原则，利用PCB版图设计软件设计电路的电路版图，版图包括电路的导线层、印刷电阻层、背面金属层，利用厚膜工艺制作陶瓷电路基板1；
步骤2：对制作完成的陶瓷电路基板1进行通断测试，对测试合格的陶瓷电路基板1进行清洗，然后在干燥箱中烘干，干燥箱温度为80℃～120℃之间，时间10～25分钟，优选100℃，20分钟，选择成份为Sn62Pb36Ag2，熔点为179℃的锡焊膏，将电路板利用再流焊炉焊接到金属壳体2中，对焊接好陶瓷电路基板1的金属壳体2再进行清洗，去除在焊接过程中产生的污物，确保陶瓷电路基板1的金属壳体2的干净，然后在干燥箱中烘干，干燥箱温度为80℃～120℃之间，时间10～25分钟，优选100℃，20分钟；
步骤3：对电容、电阻、裸芯片等分立器件进行筛选，选择高可靠性电容、裸芯片，利用贴片机设备，采用导电环氧胶将各电容、裸芯片粘接到陶瓷电路基板1的对应位置上，并利用真空烘箱进行高温固化，固化温度为100℃～150℃之间，固化时间1～2小时，优选120℃，2小时；
步骤4：待电容、裸芯片固化后，对粘有电容、裸芯片的陶瓷电路基板1及金属壳体2进行等离子清洗，等离子清洗功率500W，时间1～3分钟，改善裸芯片、陶瓷电路基板1以及金属壳体2管脚引线上焊盘的表面性能，使其更易进行金丝键合；选用规格为25μm的金丝先进行裸芯片与陶瓷电路基板1之间的金丝键合，然后实现金属壳体2的管脚引线和陶瓷电路基板1之间的互连，完成整个电路模块的互连；
步骤5：对互连后的模块进行电性能测试，电测试合格的模块利用平行缝焊设备进行气密性封焊，将装有陶瓷电路基板1的金属壳体2以及配套金属盖板3封焊，再对模块进行电测试，电测试合格后，针对模块进行气密性检测、环境试验，最终测试合格的模块入库。
至此，合格的锯齿波发生模块完全制作成功。
请参阅图2，为采用本发明制作方法制作的锯齿波发生电路模块的原理框图。锯齿波发生电路模块的原理示意图如图3所示，图4为采用本发明厚膜工艺制作的锯齿波发生电路模块的基板布局示意图。
请同时参阅图2至图5，该锯齿波发生电路结构包括触发器电路、与非门电路、模拟开关电路、锯齿波形成电路、稳压电路。利用触发器电路、与非门电路、模拟开关电路、锯齿波形成电路、稳压电路以及设计相应的电阻、电容值控制锯齿波信号的周期、幅度，将输入的行脉冲信号、场脉冲信号和低电平信号转换成行锯齿波信号、场锯齿波信号及脉冲信号。
行脉冲信号、场脉冲信号由触发器电路进入，经处理后送入与非门电路、模拟开关电路，低电平信号及触发器电路的输出信号由与非门电路进入，经处理后送至模拟开关电路，同时作为输出信号由PIN27脚输出，由模拟开关电路输出的信号经锯齿波形成电路处理后作为输出信号由PIN17、PIN22脚输出。所述稳压电路为锯齿波形成电路供电。
所述的触发器电路由触发器芯片D1以及R14、R15、C1、C15、C16组成，输入的行脉冲信号、场脉冲信号由此电路进入，经触发器电路处理后送入与非门电路、模拟开关电路。
所述的与非门电路由芯片D2以及R1、R2、R3、C2组成，低电平信号及D1的输出信号由此电路进入，经电路处理后送至模拟开关电路，同时作为输出信号由PIN27脚输出。
所述的模拟开关电路由芯片N1以及C3、C4组成。
所述的锯齿波形成电路由运算放大器芯片N2、N3、N4、N5以及R4～R13、C5～C14组成，由模拟开关电路输出的信号经此处理后作为输出信号由PIN17、PIN22脚输出。
所述的稳压电路由稳压管V1、V2以及电阻R16、R17组成。该电路为了获得一较稳定的电压U为电路中的其余端口供电。
该锯齿波发生模块的主要功能如下：
1)将输入的行脉冲信号转变输出相位、幅度连续可调的锯齿波信号；
2)将输入的场脉冲信号转变输出相位、幅度连续可调的锯齿波信号；
3)获得一周期固定，脉宽连续可调的脉冲信号。
参阅图3锯齿波发生电路模块电路原理示意图，模块中各功能引脚的定义为：
| 引脚 | 名称 | 描述 |
| Pin 1 | D1-15 | 引出脚 |
| Pin 2 | D1-14 | 芯片D1的引出脚 |
| Pin 3 | H.S | 行信号输入端 |
| Pin 4 | VCC | +5V电压输入端 |
| Pin 5 | GND | 数字地 |
| Pin 6 | R/S | 低电平信号输入端 |
| Pin 7 | D1-7 | 引出脚 |
| Pin 8 | D1-6 | 芯片D1的引出脚 |
| Pin 9 | V.S | 场信号输入端 |
| Pin 10 | R4-1 | 引出脚 |
| Pin 11 | N2-2 | 芯片N2的引出脚 |
| Pin 12 | N2-6 | 芯片N2的引出脚 |
| Pin 13 | -15V | -15V电压输入端 |
| Pin 14 | +15V | +15V电压输入端 |
| Pin 15 | AGND | 模拟地 |
| Pin 16 | R8-1 | 引出脚 |
| Pin 17 | N3-6 | 芯片N3的引出脚 |
| Pin 18 | R9-1 | 引出脚 |
| Pin 19 | N4-2 | 芯片N4的引出脚 |
| Pin 20 | N4-6 | 芯片N4的引出脚 |
| Pin 21 | R13-1 | 引出脚 |
| Pin 22 | N5-6 | 芯片N5的引出脚 |
| Pin 23 | U+ | U+电压输出端 |
| Pin 24 | U- | U-电压输出端 |
| Pin 25 | R7-1 | 引出脚 |
| Pin 26 | R12-1 | 引出脚 |
| Pin 27 | HJS | 脉冲信号输出端 |
| Pin 28 | GNDS | 连接金属管壳 |
具体模块电路实施方案如下：
行脉冲信号由Pin 3输入，Pin 1外接一100KΩ的电位器然后接VCC，该电阻作为芯片D1的外接电阻，Pin 2悬空，作用为改变D1芯片13号输出脚输出脉冲信号的脉宽，并最终影响输出的行锯齿波的形状。
场脉冲信号由Pin 9输入，Pin 7外接另一100KΩ的电位器然后接VCC，该电阻作为芯片D1的外接电阻，Pin 8悬空，作用为改变D1芯片13号输出脚输出脉冲信号的脉宽，并最终影响输出的场锯齿波的形状。
Pin 10外接至稳压正电压的Pin 23脚上，Pin 18外接至稳压电压的Pin 24脚上，分别为运算放大器N3、N5提供电压。
Pin 11、Pin 12之间外接一电容，与运算放大器N2配合形成积分电路，产生行锯齿波。
Pin 19、Pin 20之间外接一电容，与运算放大器N4配合形成积分电路，产生场锯齿波。
Pin 16、Pin 17之间外接一电阻，与运算放大器N3配合形成反馈回路，Pin 21、Pin 22之间外接一电阻，与运算放大器N5配合形成反馈回路。
Pin 23、Pin 24分别外接容值一致的电容，形成滤波，改善模块的稳定性。
Pin 25外接一50KΩ电位器的中心脚，再将电位器剩余两引脚接Pin 23、Pin 24。
Pin 26外接一50K Ω电位器的中心脚，再将电位器剩余两引脚接Pin 23、Pin 24。
剩余的引脚按照引脚定义端接。
按照本发明实施办法，该锯齿波发生模块的尺寸为39mm ×25mm×4.7mm；重量约为16.4克；与传统的电路相比，体积小，重量轻，为整个系统减小体积、重量提供了空间；该锯齿波发生模块的电阻采用激光调阻，其阻值精度优于0.8％，输出信号精度高；该锯齿波发生模块采用全金属管壳封装，完全与外界环境隔离，模块具有较高可靠性、稳定性；锯齿波发生电路模块正常工作，产生行锯齿波信号、场锯齿波信号及脉冲信号，且波形连续可调。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本发明的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本发明的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本发明的权利要求所保护的范围内。
Claims (4)
1.一种混合集成电路模块的制作方法，其特征在于：包括下述步骤：
步骤1：首先利用PCB版图设计软件设计电路的电路版图，利用厚膜工艺制作陶瓷电路基板；
步骤2：对制作完成的陶瓷电路基板进行通断测试，对测试合格的陶瓷电路基板进行清洗，然后在干燥箱中烘干，干燥箱温度为80℃～120℃之间，时间10～25分钟，利用锡焊膏将陶瓷电路基板利用再流焊炉焊接到金属壳体中，对焊接好陶瓷电路基板的金属壳体再进行清洗，去除在焊接过程中产生的污物，确保陶瓷电路基板的金属壳体的干净，然后在干燥箱中烘干，干燥箱温度为80℃～120℃之间，时间10～25分钟；
步骤3：对分立器件进行筛选，利用贴片机设备，采用导电环氧胶将各分立器件粘接到陶瓷电路基板的对应位置上，并利用真空烘箱进行高温固化，固化温度为100℃～150℃之间，固化时间1～2小时；
步骤4：待分立器件固化后，对粘有分立器件的陶瓷电路基板及金属壳体进行等离子清洗，等离子清洗功率500W，时间1～3分钟，改善裸芯片、陶瓷电路基板以及金属壳体管脚引线上焊盘的表面性能，使其更易进行金丝键合；选用规格为25μm的金丝先进行裸芯片与陶瓷电路基板之间的金丝键合，然后实现金属壳体的管脚引线和陶瓷电路基板之间的互连，完成整个电路模块的互连；
步骤5：对互连后的模块进行电性能测试，电测试合格的模块利用平行缝焊设备进行气密性封焊，将装有陶瓷电路基板的金属壳体以及配套金属盖板封焊，再对模块进行电测试，电测试合格后，针对模块进行气密性检测、环境试验，最终测试合格的模块入库。
2.如权利要求1所述的混合集成电路模块的制作方法，其特征在于：其中步骤2中两次烘干的温度均为100℃，时间均为20分钟。
3.如权利要求1所述的混合集成电路模块的制作方法，其特征在于：其中步骤2中锡焊膏成份为Sn62Pb36Ag2，熔点为179℃。
4.如权利要求1所述的混合集成电路模块的制作方法，其特征在于：其中步骤3中固化温度为120℃，时间为2小时。
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