CN102139873A - 在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法 - Google Patents

在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102139873A
CN102139873A CN2011100397559A CN201110039755A CN102139873A CN 102139873 A CN102139873 A CN 102139873A CN 2011100397559 A CN2011100397559 A CN 2011100397559A CN 201110039755 A CN201110039755 A CN 201110039755A CN 102139873 A CN102139873 A CN 102139873A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vacuum chamber
vacuum
microwave
air pressure
microwave exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011100397559A
Other languages
English (en)
Inventor
瞿研
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi No6 Element High-Tech Development Co Ltd
Original Assignee
Wuxi No6 Element High-Tech Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuxi No6 Element High-Tech Development Co Ltd filed Critical Wuxi No6 Element High-Tech Development Co Ltd
Priority to CN2011100397559A priority Critical patent/CN102139873A/zh
Publication of CN102139873A publication Critical patent/CN102139873A/zh
Priority to PCT/CN2012/071066 priority patent/WO2012109969A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182Graphene
    • C01B32/184Preparation
    • C01B32/19Preparation by exfoliation
    • C01B32/192Preparation by exfoliation starting from graphitic oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/32Size or surface area

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及一种在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,包括以下制备步骤:取干燥的氧化石墨颗粒置于微波室的真空腔内,关闭真空腔顶盖;将真空腔内的气压抽至极限真空状态;将气体注入到真空腔中;直到将真空腔内的残余氧气驱赶干净;启动微波辐照,直到氧化石墨爆炸解离;关闭微波辐照,将真空腔气压充满到一个大气压状态;打开真空腔顶盖,收集爆炸还原的氧化石墨粉末。本发明利用微波加热集中,功率大的特点,短时间加热氧化石墨,使氧化石墨瞬间加热还原,并迅速膨胀,释放出大量气体;真空室能有效隔绝氧气和石墨烯的接触,避免高温还原过程中石墨烯的燃烧,从而提高还原产率。

Description

在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法
技术领域
本发明涉及一种在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,得到的产品可应用于多个技术领域,包括储能、涂层材料。本发明具体地说是一种制备高比表面积、高导电性石墨烯材料的工艺方法。
背景技术
石墨烯,英文名Graphene,是碳原子按照六角排列而成的二维晶格结构。作为单层碳原子平面材料,石墨烯可以通过剥离石墨材料而得到。这种石墨晶体薄膜自2004年被曼彻斯特大学的科学家发现之后,石墨烯就成为科学界和工业界关注的焦点。石墨烯的厚度只有0.335纳米,不仅是已知材料中最薄的一种,还非常牢固坚硬;作为单质,它在室温下传递电子的速度比已知所有的导体和半导体都快(石墨烯中电子的迁移速度达到了光速的1/300)。由于石墨烯的特殊原子结构,其中载流子(电子和空穴)的行为必须用相对论量子力学(relativistic quantum mechanics)才能描绘。同时,作为单层碳原子结构,石墨烯的理论比表面积高达2630m2/g。如此高的比表面积使得以基于石墨烯的材料成为极有前途的能量储存活性材料,使得石墨烯材料有可能在储氢、新型锂离子电池、超级电容器或者燃料电池得到应用。
目前有以下几种方法制备这种特殊的材料
1.轻微摩擦法或撕胶带发(粘贴HOPG)
这种方法简单易行,容易得到高质量的石墨烯。但是产率极低,在一块Si衬底上通常只能得到若干片微米见方的石墨烯。因此这种方法只适用于实验室制备石墨烯,不适用于工业化大规模生产。
2.加热SiC法
该法是通过加热单晶6H-SiC脱除Si,在单晶(0001)面上分解出石墨烯片层。具体过程是:将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击加热,除去氧化物。用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后,将样品加热使之温度升高至1250~1450℃后恒温1分钟到20分钟,从而形成极薄的石墨层,经过几年的探索,Berger等人已经能可控地制备出单层或是多层石墨烯。由于其厚度由加热温度决定,制备大面积具有单一厚度的石墨 烯比较困难。
该方法可以实现大尺寸,高质量石墨烯制备,是一种对实现石墨烯器件的实际应用非常重要的制备方法,缺点是SiC过于昂贵,并且得到的石墨烯难以转移到其他衬底上。
3.金属衬底化学气相沉积法
化学气相沉积法是利用衬底的原子结构外延出石墨烯,首先让碳原子在高温(1000℃)下溶解到金属衬底中,金属的碳溶解度随着温度降低而降低。当衬底冷却后,碳原子在金属中达到过饱和状态,之前溶解的大量碳原子就会析出到金属表面形成厚度可控的石墨烯。
这种方法可以到高质量大面积(厘米尺寸)的单层或者多层石墨烯,是目前最为重要的一种石墨烯制备方法。然而,同加热SiC方法一样,该方法不适合用来生产石墨烯粉末材料。
4.化学分散法
氧化石墨是石墨在H2SO4、HNO3、HClO4等强氧化剂的作用下,或电化学过氧化作用下,经水解后形成的。氧化石墨同样是一层状共价化合物,层间距离大约为0.8nm(石墨为0.335nm)依制备方法而异。一般认为,氧化石墨中含有-C-OH、-C-O-C,甚至-COOH等基团。和石墨不同,由于极性基团的存在,氧化石墨片层具有较强的亲水或极性溶剂的特性。因此,氧化石墨在外力,如超声波的作用下在水中或其它极性溶剂中可以发生剥离,形成单层氧化石墨烯(graphene oxide)。制得氧化石墨烯后,再通过化学还原使所制氧化石墨烯脱氧重新石墨化,保持其几何形貌时可恢复部分其导电性。
该方法在氧化和还原过程中将天然石墨粉解离成单层石墨。虽然在氧化还原过程中只是部分还原其导电性(破坏了石墨烯本身的高电子迁移率),但是其产品具有相当高的粉末比表面积(>700m2/g),且过程相对简单,因此该方法最适合工业化大规模生产石墨烯材料。
科研工作者还在积极寻找更好的化学还原方法,以期提高还原氧化石墨烯的质量(主要是导电性)。目前,主要有下面几种方法:
1)水合阱还原法,详见图1工艺流程图。
2)热处理还原法,详见图2工艺流程图。
3)微波辐照还原法,详见图3工艺流程图。
以上的几种还原方法具有不同的特点。其中化学还原法可以得到石墨烯还原之后的悬浮液,但是其过程繁琐,不利于大规模生产。而且其中所用的还原剂,比如水合肼具有非常大的毒性,以至于这个还原方法对人身健康和环境保护构成了较大的威胁。热还原方法具有快速和还原比较彻底的优点;但是由于加热一般需要在1000℃以上的高温下进行,增加了整个过程的能耗。而且,这个方法需要高温加热炉等比较昂贵设备。微波辐照加热具有速度快,成本低,使用简单等特点。此过程可在普通微波炉中进行,辐照氧化石墨颗粒一分钟之内即可得到黑色的蓬松的石墨烯粉末。但是普通的微波辐照在空气中进行,先还原得到的石墨烯在微波辐照下极易燃烧甚至引起火患,为这个方法的大规模应用带来了潜在的安全威胁。而且,石墨烯的燃烧消耗了产物里的碳,使得最终产率较低。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足之处,从而提供一种真空或惰性气体环境微波辐照制备石墨烯材料的方法,利用微波加热集中,功率大的特点,短时间加热氧化石墨,使氧化石墨瞬间加热还原,并迅速膨胀,释放出大量气体;可有效隔绝氧气和石墨烯的接触,避免高温还原过程中石墨烯的燃烧,从而提高还原产率。
按照本发明提供的技术方案,在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,该方法在提高石墨烯材料产率的同时,解决可能的安全隐患。
本发明具体包括以下步骤:
1、取干燥的氧化石墨颗粒(粒径1~300毫米)置于微波室的真空腔内,关闭真空腔顶盖;
2、将真空腔内的气压抽至极限真空状态4~8×10-2托(Torr);
3、将气体注入到真空腔中,直到气压高过100托(Torr);
4、将真空腔的气压抽至极限4~8×10-2托(Torr);
5、重复步骤(3)和步骤(4)的操作步骤2~3次;直到将真空腔内的 残余氧气驱赶干净;
6、打开微波,微波功率设置在500~10000W,微波辐照5~300秒,直到氧化石墨爆炸解离;
7、关闭微波,将真空腔气压充满到一个大气压状态;
8、打开真空腔顶盖,收集爆炸还原的氧化石墨粉末。所述氧化石墨粉末粒径为1~100微米。
所述气体为99.999%氮气或99.99%氩气。
本发明与已有技术相比具有以下优点:
本发明结构简单、紧凑,合理;它的工艺流程包括氧化石墨真空微波辐照还原,以及氧化石墨在特殊气氛环境下的微波辐照改性等,特点是利用微波加热集中,功率大的特点,短时间加热氧化石墨,使氧化石墨瞬间加热还原,并迅速膨胀,释放出大量气体。本发明在微波腔设计真空室,有效隔绝氧气和石墨烯的接触,避免高温还原过程中石墨烯的燃烧,从而提高还原产率。本发明具有设备简单、节能、高产率、容易实现大规模生产等特点。
附图说明
图1是已有技术中水合阱还原法工艺流程图。
图2是已有技术中热处理还原法工艺流程图。
图3是已有技术中微波辐照还原法工艺流程图。
图4是本发明的设备示意图。
图5是本发明的工艺流程图。
具体实施方式
下面将通过实例对本发明作进一步详细说明。
图4所示,由第一阀门1、第二阀门2、微波室3、真空腔顶盖4、机械泵5、真空腔6、真空计、氮气气瓶7、氩气气瓶8组成的氧化石墨还原系统,将真空腔6设置在微波室3中;该真空腔6有进出口穿过微波室3与外部的机械泵5和真空计相连;左边出口与真空计连接,真空计和第一阀门1以及减压阀相连;两个第一阀门1分别与氮气气瓶7、氩气气瓶8连接,右边出口与第二阀门2和机械泵5相连。微波炉;双级机械泵。
所述真空腔内可设计一个或多个真空室,真空室由全玻璃器皿构成,不能使用任何金属构件。
实施例一:本发明在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,包括以下制备步骤:
1、微波辐照步骤:取0.5g氧化石墨颗粒(粒径1~300毫米)置于微波室3的真空腔6内,关闭真空腔顶盖4;关闭第一阀门1,打开第二阀门2;
2、开启机械泵5,将真空腔6内的气压抽至极限(4~8×10-2托(Torr));
3、关闭第二阀门2,打开第一阀门1;将99.999%氮气注入到真空腔6中,直到气压高过100托(Torr);
4、关闭第一阀门1,打开第二阀门2,将真空腔6的气压抽至极限(4~8×10-2托(Torr));
5、重复步骤(3)和步骤(4)操作过程2次,将真空腔内的残余氧气驱赶干净;
6、关闭第一阀门1、第二阀门2,启动微波辐照,微波功率设置在500,微波辐照5秒,直到氧化石墨爆炸解离;
7、关闭微波辐照,打开第一阀门1,将真空腔6气压充满到一个大气压状态;
8、打开真空腔顶盖4,收集爆炸还原的氧化石墨粉末,氧化石墨粉末粒径为9微米。
实施例二:本发明在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,包括以下制备步骤:
1、微波辐照步骤:取10g氧化石墨颗粒(粒径1~300毫米)置于微波室3的真空腔6内,关闭真空腔顶盖4;关闭第一阀门1,打开第二阀门2;
2、开启机械泵5,将真空腔6内的气压抽至极限(4~8×10-2托(Torr));
3、关闭第二阀门2,打开第一阀门1;将99.999%氮气注入到真空腔6中,直到气压高过100托(Torr);
4、关闭第一阀门1,打开第二阀门2,将真空腔6的气压抽至极限(4~8×10-2托(Torr));
5、重复步骤(3)和步骤(4)操作过程2次,将真空腔内的残余氧气驱赶干净;
6、关闭第一阀门1、第二阀门2,启动微波辐照,微波功率设置在2000W,微波辐照30秒,直到氧化石墨爆炸解离;
7、关闭微波辐照,打开第一阀门1,将真空腔6气压充满到一个大气压状态;
8、打开真空腔顶盖4,收集爆炸还原的氧化石墨粉末,氧化石墨粉末粒径为9微米。
实施例三:本发明在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,包括以下制备步骤:
1、微波辐照步骤:取1000g氧化石墨颗粒(粒径1~300毫米)置于微 波室3的真空腔6内,关闭真空腔顶盖4;关闭第一阀门1,打开第二阀门2;
2、开启机械泵5,将真空腔6内的气压抽至极限(4~8×10-2托(Torr));
3、关闭第二阀门2,打开第一阀门1;将99.999%氮气注入到真空腔6中,直到气压高过100托(Torr);
4、关闭第一阀门1,打开第二阀门2,将真空腔6的气压抽至极限(4~8×10-2托(Torr));
5、重复步骤(3)和步骤(4)操作过程2次,将真空腔内的残余氧气驱赶干净;
6、关闭第一阀门1、第二阀门2,启动微波辐照,微波功率设置在10000W,微波辐照300秒,直到氧化石墨爆炸解离;
7、关闭微波辐照,打开第一阀门1,将真空腔6气压充满到一个大气压状态;
8、打开真空腔顶盖4,收集爆炸还原的氧化石墨粉末,氧化石墨粉末粒径为9微米。
实施例四:本发明在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,包括以下制备步骤:
1、微波辐照步骤:取0.5g氧化石墨颗粒(粒径1~300毫米)置于微波室3的真空腔6内,关闭真空腔顶盖4;打开第二阀门2,关闭第一阀门1;
2、开启机械泵5,将真空腔6内的气压抽至极限(4~8×10-2托(Torr));
3、关闭第二阀门2,打开第一阀门1;将99.999%氮气注入到真空腔6中,直到气压高过100托(Torr);
4、关闭第一阀门1,打开第二阀门2,将真空腔6的气压抽至极限(10-2托(Torr));
5、重复步骤(3)和步骤(4)操作过程3次;直到将真空腔内的残余氧气驱赶干净;
6、关闭第二阀门2,打开第一阀门1,将99.99%氩气注入到真空腔6中,直到气压计显示100托(Torr);
7、关闭第一阀门1,启动微波辐照,微波功率设置在500,微波辐照20秒,直到氧化石墨爆炸解离;
8、关闭微波辐照,打开第一阀门1,将真空腔6气压充满到一个大气压状态;
9、打开真空腔顶盖4,收集爆炸还原后的石墨烯,石墨烯粉末粒径为1~ 100微米。
实施例五:本发明在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,包括以下制备步骤:
1、微波辐照步骤:取0.5g氧化石墨颗粒(粒径1~300毫米)置于微波室3的真空腔6内,关闭真空腔顶盖4;打开第二阀门2,关闭第一阀门1;
2、开启机械泵5,将真空腔6内的气压抽至极限(4~8×10-2托(Torr));
3、关闭第二阀门2,打开第一阀门1;将99.999%氮气注入到真空腔6中,直到气压高过100托(Torr);
4、关闭第一阀门1,打开第二阀门2,将真空腔6的气压抽至极限(10-2托(Torr));
5、重复步骤(3)和步骤(4)操作过程3次;直到将真空腔内的残余氧气驱赶干净;
6、关闭第二阀门2,打开第一阀门1,将99.99%氩气注入到真空腔6中,直到气压计显示100托(Torr);
7、关闭第一阀门1,启动微波辐照,微波功率设置在500,微波辐照20秒,直到氧化石墨爆炸解离;
8、关闭微波辐照,打开第一阀门1,将真空腔6气压充满到一个大气压状态;
9、打开真空腔顶盖4,收集爆炸还原后的石墨烯,石墨烯粉末粒径为1~100微米。

Claims (4)

1.一种在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,其特征是:包括以下制备步骤:
(1)、取干燥的氧化石墨颗粒置于微波室的真空腔内,关闭真空腔顶盖;
(2)、将真空腔内的气压抽至极限真空状态4~8×10-2Torr;
(3)、将气体注入到真空腔中,直到气压高过100Torr;
(4)、将真空腔的气压抽至极限4~8×10-2Torr;
(5)、重复步骤(3)和步骤(4)的操作步骤2~3次;直到将真空腔内的残余氧气驱赶干净;
(6)、启动微波辐照,微波功率设置在500~10000W,微波辐照5~300秒,直到氧化石墨爆炸解离;
(7)、关闭微波辐照,将真空腔气压充满到一个大气压状态;
(8)、打开真空腔顶盖,收集爆炸还原的氧化石墨粉末。
2.根据权利要求1所述的在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,其特征是:所述石墨烯粉末粒径为1~100微米。
3.根据权利要求1所述的在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,其特征是:所述气体为99.999%氮气或99.99%氩气。
4.根据权利要求1所述的在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法,其特征是:所述真空腔内可设为一个或多个真空室,真空室由全玻璃器皿构成。
CN2011100397559A 2011-02-17 2011-02-17 在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法 Pending CN102139873A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100397559A CN102139873A (zh) 2011-02-17 2011-02-17 在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法
PCT/CN2012/071066 WO2012109969A1 (zh) 2011-02-17 2012-02-13 一种在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100397559A CN102139873A (zh) 2011-02-17 2011-02-17 在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102139873A true CN102139873A (zh) 2011-08-03

Family

ID=44407698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100397559A Pending CN102139873A (zh) 2011-02-17 2011-02-17 在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN102139873A (zh)
WO (1) WO2012109969A1 (zh)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102502611A (zh) * 2011-11-15 2012-06-20 东南大学 一种利用氧化石墨快速大量制备石墨烯的方法
CN102629035A (zh) * 2011-09-29 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN102642829A (zh) * 2012-04-23 2012-08-22 上海大学 大量制备高电导率石墨烯的方法
WO2012109969A1 (zh) * 2011-02-17 2012-08-23 无锡第六元素高科技发展有限公司 一种在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法
CN102730677A (zh) * 2012-07-23 2012-10-17 贵州新碳高科有限责任公司 制备石墨烯的设备、方法及制得的石墨烯
CN102730678A (zh) * 2012-07-23 2012-10-17 贵州新碳高科有限责任公司 制备石墨烯粉末的设备及方法
CN102976315A (zh) * 2012-12-10 2013-03-20 西北工业大学 一种微波辅助柠檬酸钠还原制备石墨烯的方法
CN103011147A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 中南大学 一种热还原制备石墨烯的方法
WO2014081117A1 (ko) * 2012-11-21 2014-05-30 주식회사 그래핀올 그래핀 양자점 형성 방법
CN104591166A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 江苏江大环保科技开发有限公司 一种利用喷雾干燥及微波生产石墨烯的设备
CN104671238A (zh) * 2015-02-06 2015-06-03 中国科学院山西煤炭化学研究所 一种快速制备高性能石墨烯的方法
CN105140046A (zh) * 2015-09-29 2015-12-09 湘潭大学 一种纳米γ-MnO2/石墨烯气凝胶复合材料的制备方法及其应用
CN107074553A (zh) * 2014-09-18 2017-08-18 雷普索尔有限公司 通过多步热还原法来生产具有可调性质的石墨烯的方法
CN109455705A (zh) * 2018-12-07 2019-03-12 四川聚创石墨烯科技有限公司 一种通过纯化和光微波还原制备石墨烯的系统
CN111517310A (zh) * 2020-04-26 2020-08-11 山东沃烯新材料科技有限公司 一种石墨烯连续微波膨化装置
CN114031071A (zh) * 2021-09-28 2022-02-11 云南华谱量子材料有限公司 一种微波激励催化自蔓延制备石墨烯的方法与设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116022780B (zh) * 2023-02-01 2024-05-24 哈尔滨工程大学 一种具有大层间距的寡层石墨烯及其低温快速制备方法和应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101948107A (zh) * 2010-09-15 2011-01-19 天津大学 真空下微波辐射制备和纯化石墨烯的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101799444A (zh) * 2010-03-30 2010-08-11 南京邮电大学 微波法合成石墨烯铂纳米复合材料及其应用方法
CN102139873A (zh) * 2011-02-17 2011-08-03 无锡第六元素高科技发展有限公司 在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101948107A (zh) * 2010-09-15 2011-01-19 天津大学 真空下微波辐射制备和纯化石墨烯的方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012109969A1 (zh) * 2011-02-17 2012-08-23 无锡第六元素高科技发展有限公司 一种在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法
CN102629035A (zh) * 2011-09-29 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN102502611A (zh) * 2011-11-15 2012-06-20 东南大学 一种利用氧化石墨快速大量制备石墨烯的方法
CN102642829A (zh) * 2012-04-23 2012-08-22 上海大学 大量制备高电导率石墨烯的方法
CN102730677A (zh) * 2012-07-23 2012-10-17 贵州新碳高科有限责任公司 制备石墨烯的设备、方法及制得的石墨烯
CN102730678A (zh) * 2012-07-23 2012-10-17 贵州新碳高科有限责任公司 制备石墨烯粉末的设备及方法
CN102730677B (zh) * 2012-07-23 2014-10-29 贵州新碳高科有限责任公司 制备石墨烯的设备、方法及制得的石墨烯
WO2014081117A1 (ko) * 2012-11-21 2014-05-30 주식회사 그래핀올 그래핀 양자점 형성 방법
CN102976315A (zh) * 2012-12-10 2013-03-20 西北工业大学 一种微波辅助柠檬酸钠还原制备石墨烯的方法
CN103011147A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 中南大学 一种热还原制备石墨烯的方法
CN107074553A (zh) * 2014-09-18 2017-08-18 雷普索尔有限公司 通过多步热还原法来生产具有可调性质的石墨烯的方法
CN104591166A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 江苏江大环保科技开发有限公司 一种利用喷雾干燥及微波生产石墨烯的设备
CN104671238A (zh) * 2015-02-06 2015-06-03 中国科学院山西煤炭化学研究所 一种快速制备高性能石墨烯的方法
CN105140046A (zh) * 2015-09-29 2015-12-09 湘潭大学 一种纳米γ-MnO2/石墨烯气凝胶复合材料的制备方法及其应用
CN109455705A (zh) * 2018-12-07 2019-03-12 四川聚创石墨烯科技有限公司 一种通过纯化和光微波还原制备石墨烯的系统
CN111517310A (zh) * 2020-04-26 2020-08-11 山东沃烯新材料科技有限公司 一种石墨烯连续微波膨化装置
CN111517310B (zh) * 2020-04-26 2021-06-01 山东沃烯新材料科技有限公司 一种石墨烯连续微波膨化装置
CN114031071A (zh) * 2021-09-28 2022-02-11 云南华谱量子材料有限公司 一种微波激励催化自蔓延制备石墨烯的方法与设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012109969A1 (zh) 2012-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102139873A (zh) 在真空或惰性气体环境中用微波辐照制备石墨烯材料的方法
CN102180462B (zh) 在可控气氛环境中用微波辐照制备改性石墨烯材料的方法
Kumar et al. Top-down synthesis of graphene: A comprehensive review
Hossain et al. Nanostructured graphene materials utilization in fuel cells and batteries: A review
CN106517174B (zh) 一种石墨烯快速加热方法及基于其的深加工方法
CN102259849A (zh) 一种固态碳源制备石墨烯的方法
CN102070140B (zh) 一种利用强碱化学处理得到高比表面积石墨烯材料的方法
Zhao et al. SnO2‐Based Nanomaterials: Synthesis and Application in Lithium‐Ion Batteries and Supercapacitors
CN102220566A (zh) 一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法
CN102167311B (zh) 一种大批量制备石墨烯的方法
US20150158729A1 (en) Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets
CN102275907B (zh) 一种基于化学气相沉积的高温原子透析制备石墨烯的方法
CN101717083A (zh) 一种石墨烯及其制备方法
CN102807213A (zh) 电化学制备石墨烯的方法
CN103787328A (zh) 一种改性石墨烯的制备方法
CN103183334A (zh) 一种尺寸可控石墨烯的制备方法
CN102897751B (zh) 一种制备高比表面活性石墨烯的方法
Khanna et al. Fabrication of rutile–TiO2 nanowire on shape memory alloy: A potential material for energy storage application
US20180034055A1 (en) Composite including porous graphene and carbon nanotube material
Sun et al. Microwave-assisted synthesis of graphene nanocomposites: recent developments on lithium-ion batteries
WO2018232109A1 (en) Scalable fabrication of pristine holey graphene nanoplatelets via dry microwave irradiation
CN107324319B (zh) 一种大片层石墨烯及其制备方法
CN103811721A (zh) 一种锂电池负极片的制备方法
CN112919533A (zh) 一种氮掺杂碳包覆的磷掺杂二氧化钛材料及其制备方法与应用
CN102583271A (zh) 刺状Sb2Se3 半导体储氢材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: The Sixth Element (Changzhou) Ltd.

Assignor: Wuxi No.6 Element High-Tech Development Co., Ltd.

Contract record no.: 2012320010050

Denomination of invention: Method for preparing graphene material by microwave irradiation in vacuum or inert gas environment

License type: Exclusive License

Open date: 20110803

Record date: 20120327

C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20110803