CN102136310A - 导电膏以及电子零件的制造方法 - Google Patents
导电膏以及电子零件的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102136310A CN102136310A CN2011100284315A CN201110028431A CN102136310A CN 102136310 A CN102136310 A CN 102136310A CN 2011100284315 A CN2011100284315 A CN 2011100284315A CN 201110028431 A CN201110028431 A CN 201110028431A CN 102136310 A CN102136310 A CN 102136310A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inhibitor
- sintering
- conductive paste
- temperature
- constitutes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 235
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 85
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 76
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000032696 parturition Effects 0.000 claims description 10
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 26
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 18
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 15
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 8
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 7
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000008365 aqueous carrier Substances 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- -1 dielectric Substances 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
- C04B35/6262—Milling of calcined, sintered clinker or ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62685—Treating the starting powders individually or as mixtures characterised by the order of addition of constituents or additives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3248—Zirconates or hafnates, e.g. zircon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6565—Cooling rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
本发明的目的在于，提供能够抑制电子零件的结构缺陷的导电膏和具有该导电膏形成的内部电极层的电子零件的制造方法。所述导电膏，其特征在于，包含金属颗粒、溶剂、树脂、第1抑制剂、第2抑制剂、第3抑制剂，所述第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的烧结开始温度比所述金属颗粒的烧结开始温度高，所述第1抑制剂的平均粒径a、第2抑制剂的平均粒径b、第3抑制剂的平均粒径c满足规定的关系式。
Description
技术领域
本发明涉及导电膏以及具有由该导电膏形成的内部电极层的电子零件的制造方法。
背景技术
作为电子设备上安装的电子零件的一个例子，例示了叠层型陶瓷电子零件，已知有电容器、带通滤波器、电感、叠层三端子滤波器、压电元件、PTC热敏电阻、NTC热敏电阻、或压敏电阻等。
构成这些叠层型陶瓷电子零件的电容器元件主体，是准备由例如烧成后形成电介质层的生片、以及烧成后形成内部电极层的内部电极图案层叠层构成的长方体形状的生芯片，同时进行烧成制造。近年来，伴随电子零件的小型化，对各零件的高密度化的要求越来越高，电介质层的叠层数目也有随之增加的倾向。
但是，由于使叠层型陶瓷电子零件的电介质层的叠层数目增加，有叠层型陶瓷电子零件的结构缺陷发生率高的问题。
由于这样的实际情况，就要求有即使是叠层型陶瓷电子零件的电介质层的叠层数目增加也能够抑制结构缺陷的技术。
例如在日本特开2001-110233号公报中就公开了以镍粉为主成分，在烧成后形成内部电极层的导电膏中添加一种与电介质层具有相同的组成的抑制剂，以此防止叠层型电子零件的结构缺陷和电容量的下降的技术。但是只添加一种抑制剂的情况下，要有效地抑制生片与内部电极图案层的收缩的时间(timing)偏差是困难的。
发明内容
本发明是鉴于这样的实际状况而作出的，其目的在于，提供能够抑制电子零件的结构缺陷的导电膏和具有这种导电膏形成的内部电极层的电子零件的制造方法。
本发明的发明人等对电子零件上发生结构缺陷的现象锐意进行研究，结果发现存在如下所述问题，以至于完成了本发明。
本发明的发明人等首先是发现电子零件的结构缺陷起因于生片中包含的电介质原料与内部电极图案层中包含的金属颗粒之间的烧结开始温度有差异。具体的机制如下所述。也就是说，生片和内部电极图案层由于烧结而发生体积收缩，但是内部电极图案层与生片相比烧结开始温度较低。因此生片与内部电极图案层的收缩开始时刻有差异。而且这样的收缩开始时刻的差异造成的应力容易施加于与电子零件的各层垂直的方向、也就是叠层方向，会在电子零件的各层的水平方向上产生裂纹。
本发明的发明人等还发现，由于电介质层的叠层数目的增加，内部电极图案层的收缩开始的时刻有提早的倾向，因此生片与内部电极图案层之间的收缩开始时刻的偏差变大，这是使裂纹的发生率更加增大的原因。
本发明的发明人等发现在电子零件的叠层数目增加的情况下发生的结构缺陷，上述机构就是其原因，从而完成了本发明。
也就是说，本发明的导电膏，其特征在于，包含金属颗粒、溶剂、树脂、第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂，所述第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的烧结开始温度比所述金属颗粒的烧结开始温度高，所述第1抑制剂的平均粒径a、第2抑制剂的平均粒径b、第3抑制剂的平均粒径c满足如下所述关系式(1)、(2)，即a/b＝0.8～1.2 (1)a、b＜c (2)。
本发明的实施形态的导电膏，由于具有多种上述特定的抑制剂，与不含抑制剂的情况相比，内部电极图案层的烧结在高温侧发生，而且烧结阶段性地分散开始。从而，内部电极图案层的收缩开始时刻延迟，收缩速度也减缓。因此由于使用本实施形态的导电膏，因生片与内部电极图案层的收缩时刻的偏差而发生的电子零件的结构缺陷、具体地说，裂纹的发生能够得到抑制。
最好是构成第2抑制剂的材料的烧结开始温度比构成第1抑制剂的材料的烧结开始温度高。
最好是构成第3抑制剂的材料的烧结开始温度比构成第1抑制剂的材料的烧结开始温度高，而且比构成第2抑制剂的材料的烧结开始温度低。
最好是相对于100重量份的第1抑制剂，含有40～65重量份的第2抑制剂和12.5～22.5的重量份的第3抑制剂。
最好是相对于所述金属颗粒，第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的总重量的比例为25～45重量％。
最好是构成第1抑制剂的材料包含ATiO3，构成第2抑制剂的材料包含BZrO3，所述A以及B为Ba、Ca、Sr中的至少某一种。
又，本发明的电子零件的制造方法，具有将陶瓷膏构成的生片和所述导电膏构成的内部电极图案层叠层后切断得到生芯片的工序、以及将所述生芯片烧成的工序。
最好是所述第1抑制剂由与形成电子零件的电介质层用的陶瓷膏的主成分相同的材料构成，所述第2抑制剂和第3抑制剂由与所述陶瓷膏的副成分相同的材料构成。
最好是构成所述第2抑制剂的材料不同于构成所述第3抑制剂的材料。
最好是所述烧成工序具有第1烧成工序和第2烧成工序。
最好是所述第2烧成工序的保温温度比第1烧成工序的保温温度高10～30℃。
最好是所述烧成工序中的氢浓度为3％以下。
作为本发明的实施形态的电子零件，没有特别限定，作为例子有包含电介质层的叠层型电子零件，具体地说，有例如叠层陶瓷电容器、压电元件、芯片电感、芯片压敏电阻、芯片热敏电阻、芯片电阻、其他表面安装(SMD)芯片型电子零件。
如果采用本发明，则能够提供即使是使电介质层的叠层数增加，也能够抑制电子零件的结构缺陷的导电膏以及具有由这种导电膏形成的内部电极层的电子零件的制造方法。
附图说明
图1是本发明一实施形态的叠层陶瓷电容器的剖面图。图2(a)是烧结开始温度的说明图，图2(b)是图2(a)所示的说明图的IIb部分的放大图。图3(a)～图3(c)是表示本发明的实施形态的导电膏中的金属颗粒、第1抑制剂、第2抑制剂以及第3抑制剂的分散状态的示意图。图4(a)是表示图1所示的叠层陶瓷电容器的制造过程的工序概略图图4(b)是表示图4(a)的接着的工序的工序概略图。图4(c)是表示图4(b)的接着的工序的工序概略图。图5(a)是表示本发明的实施例或比较例的电子零件的制造方法的烧成工序中的叠层方向的收缩率和温度与时间的关系的曲线图，图5(b)是图5(a)的VB部分的放大的曲线图。
具体实施方式
下面根据附图所示的实施形态对本发明进行说明。
叠层陶瓷电容器1如图1所示，本发明1实施形态的叠层陶瓷电容器1具有电介质层2与内部电极层3交替叠层的结构的电容器元件主体10。在该电容器元件主体10的两端部，形成与在电容器元件主体10内部交替配置的内部电极层3分别导通的一对外部电极4。
内部电极层3叠层为各端面在电容器元件主体10的相对的两端部的表面交替露出。而且一对外部电极4形成于电容器元件主体10的两端部，连接于交替配置的内部电极层3的露出端面，构成电容器电路。
电介质层2本实施形态的电介质层2通过将生片烧成取得。电介质层2中包含的成分将在下面叙述。
内部电极层3本实施形态的内部电极层3通过将导电膏烧成取得。而且导电膏的特征在于包含金属颗粒、溶剂、树脂、第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂。
外部电极4外部电极4中包含的导电材料没有特别限定，通常使用Cu、Cu合金或Ni、Ni合金等。Ag、Ag-Pd合金等当然也可以使用。还有，在本实施形态中，可以使用廉价的Ni、Cu和它们的合金。
叠层陶瓷电容器下面对本发明一实施形态的叠层陶瓷电容器1的制造方法进行说明。在本实施形态中，借助于使用膏的通常的印刷方法和薄片法制作生芯片，将其烧成后，通过印刷或复印外部电极并进行烧成制造叠层陶瓷电容器。下面对制造方法进行具体说明。
陶瓷膏首先准备陶瓷膏中包含的电介质原料，将其涂料化，调制陶瓷膏。陶瓷膏也可以是将电介质原料与有机载体加以均匀混合的有机涂料，又可以是含水涂料。
使用于本实施形态的叠层陶瓷电容器的电介质原料的组成没有特别限定，主要成分最好是ATiO3(A是Ba、Ca、Sr中的至少某一种)，副成分最好是包含BZrO3(B为Ba、Ca、Sr中的至少某一种)。
使用于本实施形态的叠层陶瓷电容器的电介质原料的其他副成分没有特别限定，也可以具有例如Mg的氧化物、R的氧化物(R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中选出来的至少一种)、Mn、Cr、Co以及Fe中选出来的至少一种元素的氧化物、Si、Li、Al、Ge以及B选出来的至少一种元素的氧化物。
BZrO3的含量相对于100摩尔ATiO3，以BZrO3换算，以35～65摩尔为宜，更理想的是40～55摩尔。通过在上述范围内添加BaZrO3，能够谋求提高电容量的温度特性和耐压性能。
Mg的氧化物的含量，相对于100摩尔的ATiO3，以MgO换算，以4～12摩尔为宜，更理想的是6～10摩尔。Mg的氧化物除了防止电容量的温度特性和耐压的降低外，还能够减小施加电压时的电致伸缩。
R的氧化物的含量，相对于100摩尔的ATiO3，以R2O3换算，以4～15摩尔为宜，更理想的是6～12摩尔。R的氧化物主要是谋求防止耐压降低，同时谋求减小施加电压时候的电致伸缩。还有，构成上述R的氧化物的R元素以从Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中选出来的至少一种为宜。
Mn、Cr、Co以及Fe的氧化物的含量，相对于100摩尔的ATiO3，以MnO、Cr2O3、Co3O4或Fe2O3换算，最好是0.5～3摩尔。通过在上述范围内添加这些氧化物，能够使其有良好的寿命特性、介电常数、以及电容量温度特性。
Si、Li、Al、Ge以及B的氧化物的含量，相对于100摩尔的ATiO3，以SiO2、Li2O3、Al2O3、Ge2O2或B2O3换算，以3～9摩尔为宜，更理想的是4～8摩尔，通过在上述范围内添加这些氧化物，能够使其有良好的介电常数、寿命特性、以及电容量温度特性。
通过使电介质原料含有上述含量的上述各种成分，能够在还原性气氛中进行生芯片的烧成，能够得到施加电压时电致伸缩小、电容量温度特性、介电常数、耐压以及绝缘电阻的加速寿命良好的零件。特别是能够有效地缓和主要由于作为基体含有的ATiO3引起的不良情况、例如电容量对施加的电压的依赖性、施加电压时的电致伸缩现象。而且由于使BZrO3的含量较大，能够很好地保持上述各种特性，而且能够提高电容量的温度特性和耐压性。
还有，在本说明书中，构成各成分的各氧化物或复合氧化物用化学计量学组成表示，但是各氧化物或复合氧化物的氧化状态也可以是偏离化学计量学组成的。但是，各成分的上述比例是从构成各成分的氧化物或复合氧化物中包含的金属量换算为化学计量学组成的氧化物或复合氧化物求出的。
又，作为本实施形态的叠层陶瓷电容器使用的电介质原料，可以使用上述各成分的氧化物或其他混合物、复合氧化物，但是，除此以外可以从通过烧成成为上述氧化物或复合氧化物的各种化合物、例如碳酸盐、硝酸盐、氢氧化物、有机金属化合物等适当选择，混合使用。
又，上述各成分的原料中，ATiO3以外的原料中的至少一部分，可以原封不动地使用各种氧化物或复合氧化物、借助于烧成而形成各氧化物或复合氧化物的化合物，或者也可以将其预先煅烧作为焙烧粉使用。
作为有机载体，是在有机溶剂中溶解树脂的溶液。使用于有机载体的树脂没有特别限定，可以从乙基纤维素、聚乙烯醇缩丁醛等通常的各种树脂中适当选择。又，所使用的有机溶剂也没有特别限定，只要根据印刷法、薄片法等使用的方法，从萜品醇、二甘醇丁醚(butyl Carbitol)、丙酮、甲苯等各种有机溶剂中选择即可。
又，采用水性陶瓷膏作为涂料的情况下，将水溶性树脂和分散剂等溶解于水中得到的水性载体与电介质原料混合均匀即可。使用于水性载体的水溶性树脂没有特别限定，例如可以使用聚乙烯醇、纤维素、水溶性丙烯树脂等。
导电性膏本实施形态的导电性膏含有金属颗粒、溶剂、树脂、第1抑制剂、第2抑制剂、第3抑制剂。
本实施形态的导电性膏中包含的金属颗粒没有特别限定，主要成分采用Ni或Ni合金的颗粒为宜，Ni含量为90重量％以上的颗粒则更理想，最好是使用Ni含量95重量％以上的颗粒。还有，金属颗粒的平均粒径最好是0.1微米～0.7微米。
作为Ni合金，以从Mn、Cr、Co以及Al中选择出的一种以上的元素与Ni的合金为宜，合金中的Ni含量为95重量％以上是理想的。还有，Ni或Ni合金中，P等各种微量成分含有0.1重量％以下即可。作为金属颗粒，此外还有例如由合金构成的导电材料，或烧成后成为上述导电材料的各种氧化物、有机金属化合物、树脂酸盐(レジネ一ト)等。
本实施形态的导电膏除了金属颗粒、溶剂以及树脂外，还含有第1抑制剂、第2抑制剂、第3抑制剂，这是最大的特征。
本实施形态的导电膏中包含的第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的烧结开始温度比所述金属颗粒的烧结开始温度高。这样，由于使导电膏中包含烧结开始温度高的抑制剂，抑制了金属颗粒之间的接触，使内部电极图案层的烧结开始温度向高温侧移动。而且通过使烧结开始温度向高温侧移动，能够抑制生片与内部电极图案层的收缩时刻(timing)的偏差造成电子零件发生裂纹的情况。
还有，烧结开始温度从各层的垂直方向、即叠层方向的收缩率变化求得。因为如上所述，内部电极图案层由于烧结而收缩，收缩率的变化成了烧结开始的指标。说明图示于图2(a)和图2(b)。
首先，根据下式(3)求出任意温度α的收缩率(Cα)。收缩率Cα〔％)＝任意温度α下的叠层方向的高度÷烧成工序之前片刻的叠层方向的高度×100-100〔％)
还有，在式(3)中，所谓烧成工序之前片刻的叠层方向的高度是刚经过脱粘接剂工序时的叠层方向的高度，是指由于烧成工序，叠层方向的高度开始变化之前的叠层方向的高度。
在图2(a)中，区间P1是叠层方向的收缩率没有发生变化的区间，区间P2是叠层方向的收缩率下降的区间。在本发明中，将区间P1的切线与区间P2的切线的交点上的温度定义为烧结开始温度。
又，通过使导电膏中包含第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂3种抑制剂，可以使内部电极层的烧结分阶段开始。借助于此，可以使生片与内部电极图案层的收缩速度减缓，能够有效防止电子零件发生裂纹。
在本实施形态中，第1抑制剂的平均粒径为a、第2抑制剂的平均粒径为b、第3抑制剂的平均粒径为c的情况下，满足如下所述关系式(1)、(2)。a/b＝0.8～1.2 (1)a、b＜c (2)
通常，抑制剂的平均粒径越大，则烧结开始温度倾向于越高。如上所述，通过改变第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的平均粒径，可以使烧结开始温度阶梯性地分散开来，能够防止电子零件的裂纹的发生。
上式(1)的a/b以0.85～1.15为宜，0.9～1.1则更加理想，a/b比该范围大或比该范围小都有增大裂纹发生率的倾向。
第2抑制剂的平均粒径b根据内部电极层3的厚度在上述范围内适当设定即可，以0.05～0.4微米为宜，0.05～0.2微米则更加理想。
第3抑制剂的平均粒径c根据内部电极层3的厚度在上述范围内适当设定即可，以c/b为1.1～2.3为宜，1.5～2.3则更加理想。
图3(a)是表示平均粒径a、b、c满足上述式(1)、(2)的关系式的情况下的导电膏中的金属颗粒30和各抑制剂的分散状态的示意图。而图3(b)是表示第3抑制剂的平均粒径c与平均粒径a和b同等程度的情况下的导电膏中的金属颗粒30和各抑制剂的分散状态的示意图。
如上所述，如果金属颗粒之间相互接触，则烧结容易进行，烧结开始温度有降低的倾向，进而成为发生裂纹的原因。从而，如图3(a)所示，第1～第3抑制剂的平均粒径为规定的大小，特别是第3抑制剂36的粒径比第1抑制剂和第2抑制剂的粒径大的情况下，被认为有比图3(b)不容易发生裂纹的倾向。
在本实施形态中，以构成第2抑制剂的材料的烧结开始温度比构成第1抑制剂的材料的烧结温度开始高为宜，更理想的是，构成第3抑制剂的材料的烧结开始温度比构成第1抑制剂的材料的烧结开始温度高，而且比构成第2抑制剂的材料的烧结开始温度低。这样，借助于阶段性地使烧结开始，能够防止裂纹的发生。
在本实施形态中，相对于100重量份的第1抑制剂，第2抑制剂含有40～65重量份的为宜，含有40～60重量份还要理想，更理想的是含有45～55重量份，第3抑制剂以含有12.5～22.5重量份为宜，含有14～21重量份还要理想，更理想的是含有15～20重量份。第2抑制剂和第3抑制剂的含量如果在这一范围内，则能够使裂纹发生率降低。
在本实施形态中，以相对于金属颗粒，第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的总重量的比例为25～45重量％为宜，28～40重量％则还要理想，最好是31～38重量％。第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的总重量在这一范围内时，能够降低裂纹发生率。而如果抑制剂的总重量比这个范围大，则介电常数有降低的倾向。
还有，图3(c)是表示抑制剂的总重量较少的情况下的导电膏中的金属颗粒30和各抑制剂的分散状态的示意图。如上所述，如果金属颗粒之间相互接触，则烧结容易进行，烧结温度有降低的倾向，进而成为裂纹发生的原因。也就是说，图3(a)与图3(c)相比，抑制剂的总重量更多，因此在图3(a)中，金属颗粒之间比较不容易接触，可以认为，因此可以防止裂纹的发生。
在本实施形态中，最好是第1抑制剂由与陶瓷膏的主成分相同的材料构成，第2抑制剂和第3抑制剂由与陶瓷膏的副成分相同的材料构成。而且最好是第1抑制剂为ATiO3，第2抑制剂为BZrO3，构成上述第2抑制剂的材料不同于构成上述第3抑制剂的材料，A以及B为Ba、Ca、Sr中的至少某一种。
通过使导电膏中包含的抑制剂为这样的构成，生片中包含的成分的组成与内部电极图案层接近，能够防止内部电极图案层中包含的电介质原料向电介质层扩散，防止电子零件的电气特性劣化。
作为有机载体含有上述溶剂和树脂。溶剂和树脂的含量没有特别限定，通常含量为例如，树脂1～5重量％左右，溶剂10～50重量％左右即可。
导电膏是将上述金属颗粒、有机载体、第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂均匀混合调制成的。而且也可以在导电膏中根据需要包含从各种分散剂、增塑剂、电介质、绝缘体等中选出的添加物。这些添加物的总含量最好是10重量％以下。
外部电极用膏外部电极用膏与上述内部电极用膏一样调制即可。
生芯片在使用印刷法的情况下，将陶瓷膏和导电膏印刷、叠层在PET等基板上，切断成规定形状后，从基板上剥离，形成生芯片。得到生芯片的工序，具体地说，有例如下述工序。
又，使用薄片法的情况下，采用电介质层用膏形成生片，在其上印刷内部电极层用膏后，将它们叠层作为生芯片。
生片10a的形成。经过上述工序制作的陶瓷膏利用例如刮刀法等方法，如图4a所示涂布于例如PET薄片等构成的支持片20的表面，形成生片10a。生片10a烧成后形成为图1所示的电介质层2。
内部电极层12a的形成图1的内部电极层3通过将图4b所示的内部电极图案层12a烧成取得。内部电极图案层12a通过将经过上述工序制作的导电膏形成为规定的图案状得到。
接着如图4b所示，在形成于支持片20上的生片10a的表面将导电膏涂布为规定的图案，形成内部电极图案层12a。内部电极图案层12a在烧成后成为图1所示的内部电极层3。
图4b的内部电极图案层12a的形成方法，只要是能够均匀形成各层的方法即可，没有特别限定，例如可以是网板印刷法或凹版印刷法等厚膜形成方法、或蒸镀、溅射等薄膜法。
如图4c所示，从支持片20上剥离形成内部电极图案层12a的生片10a，依次叠层形成叠层体24。该生片10a是形成图1所示的电介质层2的部分，与成为内部电极层3的内部电极图案层12a一起交错叠层，然后切断成为生芯片。
还有，各电介质层2的厚度通常为0.5～50微米，在本发明的实施形态中，可以叠层20～300层。如果采用本发明的实施形态的导电膏，则内部电极图案层的烧结开始温度阶段性地分散开来，而且向高温侧移动，因此生片与内部电极图案层之间的收缩时间的偏差引起的龟裂能够得到减轻。通常将电介质层做得薄，叠层数增加时裂纹发生率增高，但是在本发明的实施形态中，由于采取如上所述结构，即使是将电介质层做得薄，增加叠层数，也能够抑制裂纹的发生率。
脱粘接剂处理在烧成之前对生芯片实施脱粘接剂处理。脱粘接剂的条件是，升温速度最好是5～300℃/小时；保温温度最好是180～400℃；保温时间最好是0.5～24小时。又，烧成气氛最好是空气或还原性气氛，作为还原性气氛的气体最好是例如氮气和氢气的混合气体加湿使用。
烧成工序作为本实施形态的烧成工序，最好是具有第1烧成工序和第2烧成工序。第2烧成工序的保温温度比第1烧成工序的保温温度高10～30℃为宜，高15～28℃更加理想，最好是高18～25℃。第一烧成工序与第2烧成工序的保温温度差处在这个范围内时，烧结造成的收缩速度特别是在高温气氛下的收缩速度减缓，能够防止裂纹的发生。
又，烧成时的保温温度以1000～1400℃为宜，1100～1360℃则更理想。保温温度在上述范围内时能够充分实现致密化，不会发生由于内部电极层的异常烧结而造成的电极的断裂，不会因为构成内部电极图案层的材料的扩散而导致电容量的温度特性的劣化，同时也不容易发生电介质层的还原。
又，本实施形态的生芯片烧成时的气氛以氢气浓度在3％以下为宜，1.5～2.0％则还要理想，最好是0.7～0.2％。内部电极图案层在烧成时周围气氛温度达到最大时收缩停止。这时，氢浓度包含于上述范围内，因此生片的收缩变得缓慢。借助于此，可以抑制电介质层和内部电极层中产生的应力，能够抑制裂纹。
除此以外的烧成条件，最好是使升温速度为50～500℃/小时；保温时间最好是0.5～8小时；冷却速度最好是50～500℃/小时。
退火生芯片经过上述工序形成电容器元件主体10。在还原气氛中对生芯片进行烧成的情况下，最好是对电容器元件主体10进行退火。退火是为了使电介质层再氧化而进行的处理，这样可以使IR寿命显著延长，因此能够提高可靠性。
退火环境气氛中的氧分压最好是10-9～10-5MPa。如果氧分压低于上述范围，则电介质层的再氧化有困难，如果超过上述范围，则内部电极层有氧化的倾向。
退火时的保温温度以1100℃以下为宜，特别是最好在500～1100℃范围。通过使保温温度在上述范围内，能够使电介质层充分氧化，IR更高，而且容易延长IR寿命。
除此以外的退火条件是，保温时间最好是0～20小时，冷却速度最好是50～500℃/小时。又，退火时的保护气体最好使用例如加湿的氮气等。
上述脱粘接剂处理、烧成以及退火中，为了对氮气和混合气体等进行加湿，使用例如加湿器等即可。在这种情况下，水温最好是5～75℃左右。
脱粘接剂处理、烧成以及退火可以连续进行也可以独立进行。将这些工序连续进行的情况下，最好是在脱粘接剂处理后不冷却就改变周围气氛，接着继续升温到烧成时的保温温度进行烧成，接着进行冷却，达到退火的保温温度时改变周围气氛进行退火。另一方面，这些工序独立进行的情况下，最好是在烧成时，在氮气或加湿的氮气气氛下升温到脱粘接剂处理时的保温温度，然后改变气氛再继续进行升温，在冷却到退火时的保温温度后，最好是再度改变为氮气或加湿的氮气气氛继续进行冷却。又，在进行退火时，在氮气气氛下升温到保温温度后，也可以改变周围气氛，也可以在退火的全部过程中采用加湿的氮气气氛。
对这样得到的电容器元件主体10，利用例如滚筒研磨或喷砂等方法进行端面研磨，印刷或复印外部电极用膏然后烧成，形成外部电极4，外部电极用膏的烧成条件，最好是例如在加湿的氮气和氢气的混合气体中用600～800℃进行10分钟～1小时左右的烧成。然后根据需要用电镀等方法在外部电极4的表面形成被覆层。
利用本发明的制造方法制造的陶瓷电容器利用钎焊等方法安装于印刷电路基板等，使用于各种电子设备等。
还有，本发明不限于上述实施形态，在本发明的范围内可以有各种改变。例如本发明不限于叠层陶瓷电容器，只要是具有电介质层和内部电极层的电子零件，什么都可以，具体地说，有例如电感、压敏电阻等。实施例
下面根据详细实施例进一步对本发明进行说明。但是本发明不限于这些实施例。
试样1～12陶瓷膏首先准备BaTiO3作为在陶瓷膏中包含的电介质材料的主要成分。又，作为电介质材料的副成分，相对于100摩尔份的BaTiO3，准备43摩尔份的BaZrO3、9摩尔份的MgCO3、12摩尔份的Gd2O3、2.5摩尔份的MnCO3、以及4.5摩尔份的SiO2。
接着将BaZrO3以外的副成分用球磨机混合，将得到的混合粉末在120℃下预煅烧调制焙烧粉末。接着用球磨机将主成分的BaTiO3、副成分的BaZrO3与焙烧粉球磨15小时，进行湿式粉碎，然后烘干，得到电介质材料。还有，MgCO3在烧成后作为MgO包含于电介质层中。下面将上述电介质原料的副成分中除了BaZrO3外的成分作为添加材料。
接着，将100重量份得到的电介质材料、10重量份聚乙烯醇缩丁醛树脂、5重量份作为增塑剂的邻苯二甲酸二丁酯(DOP)、以及100重量份作为溶剂的乙醇用球磨机混合形成膏状得到陶瓷膏。
导电膏在上面所述之外，另行准备44.6重量份的Ni颗粒、52重量份松油醇、3重量份乙基纤维素、0.4重量份苯并三氮唑，利用3支辊混合将在相对于100重量份的作为第1抑制剂的Ni颗粒，加入20重量份作为第1抑制剂的BaTiO3、10重量份作为第2抑制剂的BaZrO3、3.4重量份的作为第3抑制剂的上述MgCO3、Gd2O3、MnCO3、以及SiO2构成的作为添加材料的焙烧粉，使其形成浆液，制作导电膏。试样1～12的第1抑制剂、第2抑制剂和第3抑制剂的平均粒径如表1所示。
然后用如上所述制作的陶瓷膏在PET薄膜上形成干燥后厚度为30微米的生片。接着在其上用导电膏以规定的图案印刷电极层，然后从PET薄膜上剥离生片，制作具有内部电极图案层的生片。接着将具有内部电极图案层的生片叠层200层，利用压接形成叠层体，通过将该叠层体切割为规定的尺寸，得到生芯片。
接着，对得到的生芯片在下述条件下进行脱粘接剂处理、烧成和退火，得到电容器元件主体10
脱粘接剂处理的条件是，升温速度25℃/小时、保温温度260℃、保温时间8小时，环境气氛为空气。
烧成条件是，升温速度200℃/小时，第1烧成工序保温温度为125℃，保温时间1小时，烧成后进行的第2烧成工序为保温温度1260℃，保温时间1小时，烧成后进行的冷却的速度为200℃/小时。这期间保护气氛是加湿的氮气+氢气的混合气体(氢浓度3％、氧分压10-12MPa)。
退火条件是，升温速度200℃/小时，保温温度为1000～1100℃，保温时间2小时，冷却速度为200℃/小时，保护气氛是加湿的氮气(氧分压10-7MPa)。还有，烧成和退火时的保护气氛采用加湿器加湿。
接着，将得到的叠层陶瓷烧成体的端面用喷砂方法研磨后，涂布In-Ga作为外部电极，得到图1所示的叠层陶瓷电容器的试样。得到的电容器试样的尺寸为3.2mm×1.6mm×3.2mm，电介质层的厚度为20微米，内部电极层的厚度为1.5微米。然后对试样1～12用以下所示方法求烧结后的裂纹发生率。结果示于表1。
烧结后的裂纹发生率烧结后的裂纹发生率从得到的10000个电容器元件主体10中烧结后发生裂纹的个数计算出。结果示于表1。
试样13～24本实施例的试样13～24中，除了使导电膏中包含的第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂各自的种类、平均粒径、以及含量(重量)比改变外，试样1～12一样制作导电膏，制作具有这些导电膏形成的内部电极层的多个电容器试样，求烧结后的裂纹发生率，将各导电膏的条件和烧结后的裂纹发生率示于表1。
试样31～34本实施例的试样31～34中，除了使导电膏中包含的第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂各自的种类、平均粒径、含量(重量)比、以及烧结开始温度改变外，与试样1～12一样制作导电膏，制作具有这些导电膏形成的内部电极层的多个电容器试样，求烧结后的裂纹发生率。
还有，试样31～34的各抑制剂的烧结开始温度调整为具有如下所述关系。0012试样31选择ATiO3为第1抑制剂，BZrO3为第2抑制剂，以此将第2抑制剂的烧结开始温度调整为比第1抑制剂高，使第3抑制剂中包含的MgCO3、Gd2O3、MnCO3、以及SiO2中SiO2的量改变，以此调整第3抑制剂的烧结开始温度使其比第2抑制剂高。0013试样32选择ATiO3为第1抑制剂，BZrO3为第2抑制剂，以此将第2抑制剂的烧结开始温度调整为比第1抑制剂高，使第3抑制剂中包含的MgCO3、Gd2O3、MnCO3、以及SiO2中SiO2的量改变，以此调整第3抑制剂的烧结开始温度使其比第1抑制剂高，比第2抑制剂低。
试样33选择ATiO3为第1抑制剂，BZrO3为第2抑制剂，以此将第2抑制剂的烧结开始温度调整为比第1抑制剂高，使第3抑制剂中包含的MgCO3、Gd2O3、MnCO3、以及SiO2中SiO2的量改变，以此调整第3抑制剂的烧结开始温度使其比第1抑制剂低。
试样34选择第1抑制剂和第2抑制剂的材料种类，使第2抑制剂的烧结开始温度比第1抑制剂低。
各导电膏的条件和烧结后的裂纹发生率示于表2。
试样41～50本实施例的试样41～50，除了使导电膏中包含的第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂各自的平均粒径、含量(重量)比改变外，与试样1～12一样制作导电膏，制作具有这些导电膏形成的内部电极层的多个电容器试样，求烧结后的裂纹发生率。各导电膏的条件和烧结后的裂纹发生率示于表3。
试样51～55本实施例的试样51～55，除了使导电膏中包含的第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂各自的平均粒径、含量(重量)比、抑制剂的总重量改变外，与试样1～12一样制作导电膏，制作具有这些导电膏形成的内部电极层的多个电容器试样，求烧结后的裂纹发生率，还利用下述方法测定电介质层的收缩率与内部电极层的收缩率之差以及介电常数。各导电膏的条件、烧结后的裂纹发生率、电介质层与内部电极层的收缩率差，以及介电常数示于表4。
电介质层的收缩率与内部电极层的收缩率之差对50个电容器试样利用下式(4)和(5)分别求电介质层的收缩率与内部电极层的收缩率，求电介质层的收缩率与内部电极层的收缩率之差，求其平均值。电介质层的收缩率〔％)＝100层电介质层的烧成工序后的叠层方向的高度平均值÷100层电介质层的烧成工序之前片刻的叠层方向的高度平均值×100-100〔％) ……(4)内部电极层的收缩率〔％)＝100层内部电极层的烧成工序后的叠层方向的高度平均值÷100层内部电极层的烧成工序之前片刻的叠层方向的高度平均值×100-100〔％) ……(5)
介电常数ε首先，对电容器试样，在基准温度25℃用数字式LCR计(YHP株式会社制造的4284A)，输入频率1kHz、输入信号电平(测定电压)1.0Vrms的信号，测定电容量C。然后根据电介质层的厚度、有效电极面积、测定结果得到的电容量C计算出介电常数ε(无单位)。介电常数越高越理想。
试样61～65本实施例的试样61～65，在生芯片的烧成条件中除了改变第1烧成工序和第2烧成工序的保温温度外，与试样2一样制作导电膏，制作具有由这些导电膏形成的内部电极层的多个电容器试样。测定烧结后的裂纹发生率。再利用下面所述方法测定热试验中的裂纹发生率和CR积。各生芯片的烧成条件和测定结果示于表5。
热试验中的裂纹发生率热试验中的裂纹发生率，是将得到的一万个电容器元件主体10置于360℃温度的环境中两秒钟，从这期间发生裂纹的电容器元件主体10的个数计算裂纹发生率。
CR积对电容器试样，用绝缘电阻计(爱德万株式会社制造的R8340A)在20℃对电容器试样施加5V/微米的直流电压一分钟后测定绝缘电阻IR。CR积通过求如上所述测定的电容量C(单位微法拉)与绝缘电阻IR(单位兆欧)的乘积得出。
试样71～73本实施例的试样71～73，在生芯片的烧成条件中除了改变烧成工序的氢浓度以外，与试样2一样制作导电膏，制作具有由这些导电膏形成的内部电极层的多个电容器试样。测定烧结后的裂纹发生率、电介质层的收缩率与内部电极层的收缩率之差。各生芯片的烧成条件和测定结果示于表6。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
表6
根据表1，第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂全部具备的试样(试样1～12、14～18)，与不具备第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂中的1种或2种抑制剂的试样(试样13、19～24)相比，可以确认其裂纹发生率降低。这被认为是因为抑制剂的种类少则借助于阶段性烧结减缓内部电极图案层的收缩速度的效果不能够发挥出来。
又，根据表1可以确认，第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的平均粒径满足a/b＝0.8～1.2和a、b＜c的关系式的情况下(第1抑制剂的平均粒径为a、第2抑制剂的平均粒径为b、第3抑制剂的平均粒径为c)能够使烧结后的裂纹发生率降低(试样2～4、7、8、15～18)。而相对于此，如果第1抑制剂、第2抑制剂、第3抑制剂的平均粒径在该范围之外，则可以确认烧结后的裂纹发生率变高(试样1、5、6、9～14、19～24)。
这被认为是因为，如图5(a)或图5(b)所示，试样1中，第1抑制剂的平均粒径过小，试样9中，第2抑制剂的平均粒径过小，因此烧结开始温度比试样2更向低温侧移动，因此烧结后的裂纹发生率升高。
又，在试样5中，第1抑制剂与第2抑制剂相比，其平均粒径过大，在试样6中，第2抑制剂与第1抑制剂相比，平均粒径过大，因此在试样5中第1抑制剂、试样6中第2抑制剂的烧结在高温侧一下子开始，烧结后的裂纹发生率高。
还有，在试样10和11中，烧结开始温度比较低的3第抑制剂更细，被认为因此烧结开始温度低，裂纹发生率高。还认为试样10的导电膏中的金属颗粒以及各抑制剂的分散状态相当于示意图图3(b)。
根据表2，第1抑制剂、第2抑制剂、第3抑制剂的烧结开始温度大小的关系是，第1抑制剂＜第2抑制剂，而且第1抑制剂＜第3抑制剂＜第2抑制剂的情况(试样32)与第1抑制剂＜第2抑制剂和第1抑制剂＜第3抑制剂＜第2抑制剂中的某一个条件或两个条件都不满足的情况(试样31、33、34)相比，烧结后的裂纹发生率变好的情况得到确认。又，第1抑制剂＜第2抑制剂和第1抑制剂＜第3抑制剂＜第2抑制剂中的任一条件不能满足的情况(试样31、33)，与第1抑制剂＜第2抑制剂和第1抑制剂＜第3抑制剂＜第2抑制剂两个条件都不满足的情况(试样34)相比，可以确认烧结后的裂纹发生率良好。
根据表3，相对于100重量份的第1抑制剂，第2抑制剂含40～65重量份、第3抑制剂含12.5～22.5重量份的情况(试样42～44、48、49)，与偏离该范围的情况(试样41、45～47、50)相比，烧结后的裂纹发生率变低的结果得到了确认。
根据表4，相对于金属颗粒，抑制剂的总重量比例为25～45重量％的情况(试样52～54)与偏离该范围的情况(试样51、55)相比，电介质层的收缩率与内部电极层的收缩率之差、介电常数、以及烧结后的裂纹发生率都有良好的数值的情况得到确认。
根据表5，第2烧成工序的保温温度比第1烧成工序的保温温度高10～30℃的情况(试样62、63)与不包含于该范围的情况相比(试样61、64、65)，热试验中的裂纹发生率和CR积都有良好的值的情况得到了确认。这被认为是因为将烧成工序分为两个阶段，而且第1烧成工序和第2烧成工序的周围气氛温度在10～30℃的狭窄范围，因此内部电极图案层的收缩速度变缓的缘故。
根据表6，烧成工序的氢浓度在3％以下的情况(试样72、73)，与氢浓度超过3％的情况(试样71)相比，电介质层的收缩率与内部电极层的收缩率之差和烧结后的裂纹发生率都有良好的值这一点得到了确认。这被认为是因为由于氢浓度被包含在规定范围内，烧成时的周围气氛温度为最大时，生片的收缩缓慢，电介质层与内部电极层上发生的应力得到抑制的缘故。
Claims (12)
1.一种导电膏，其特征在于，
包含金属颗粒、溶剂、树脂、第1抑制剂、第2抑制剂、第3抑制剂，
所述第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的烧结开始温度比所述金属颗粒的烧结开始温度高，
所述第1抑制剂的平均粒径a、第2抑制剂的平均粒径b、第3抑制剂的平均粒径c满足如下所述关系式(1)和(2)，即
a/b＝0.8～1.2 (1)
a、b＜c (2)。
2.根据权利要求1所述的导电膏，其特征在于，构成第2抑制剂的材料的烧结开始温度比构成第1抑制剂的材料的烧结开始温度高。
3.根据权利要求1所述的导电膏，其特征在于，构成第3抑制剂的材料的烧结开始温度比构成第1抑制剂的材料的烧结开始温度高，而且比构成第2抑制剂的材料的烧结开始温度低。
4.根据权利要求1所述的导电膏，其特征在于，相对于100重量份的第1抑制剂，含有40～65重量份的第2抑制剂和2.5～22.5的重量份的第3抑制剂。
5.根据权利要求1所述的导电膏，其特征在于，相对于所述金属颗粒，第1抑制剂、第2抑制剂、以及第3抑制剂的总重量的比例为25～45重量％。
6.根据权利要求1所述的导电膏，其特征在于，
构成第1抑制剂的材料包含ATiO3，
构成第2抑制剂的材料包含BZrO3，
所述A以及B为Ba、Ca、Sr中的至少某一种。
7.一种电子零件的制造方法，其特征在于，具有
将陶瓷膏构成的生片和权利要求1所述的导电膏构成的内部电极图案层叠层后切断得到生芯片的工序、以及
将所述生芯片烧成的工序。
8.根据权利要求7所述的电子零件的制造方法，其特征在于，
所述第1抑制剂由与形成电子零件的电介质层用的陶瓷膏的主成分相同的材料构成，
所述第2抑制剂和第3抑制剂由与所述陶瓷膏的副成分相同的材料构成。
9.根据权利要求8所述的电子零件的制造方法，其特征在于，构成所述第2抑制剂的材料不同于构成第3抑制剂的材料。
10.根据权利要求7所述的电子零件的制造方法，其特征在于，所述烧成工序具有第1烧成工序和第2烧成工序。
11.根据权利要求10所述的电子零件的制造方法，其特征在于，所述第2烧成工序的保温温度比第1烧成工序的保温温度高10～30℃。
12.根据权利要求7所述的电子零件的制造方法，其特征在于，所述烧成工序中的氢浓度为3％以下。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010013383A JP4888572B2 (ja) | 2010-01-25 | 2010-01-25 | 導電性ペーストおよび電子部品の製造方法 |
| JP2010-013383 | 2010-01-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102136310A true CN102136310A (zh) | 2011-07-27 |
Family
ID=44296062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011100284315A Pending CN102136310A (zh) | 2010-01-25 | 2011-01-21 | 导电膏以及电子零件的制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110180198A1 (zh) |
| JP (1) | JP4888572B2 (zh) |
| CN (1) | CN102136310A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105977022A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-09-28 | 大连海外华昇电子科技有限公司 | 用于多层陶瓷电容的纳米级镍金属电极浆料 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011112008B4 (de) * | 2011-08-30 | 2018-01-11 | Epcos Ag | Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Bauelements |
| KR101548787B1 (ko) | 2012-06-05 | 2015-08-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 부품 |
| CN107250081B (zh) * | 2015-02-27 | 2020-09-11 | 费罗公司 | 低k值和中k值ltcc介电组合物及装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1068007A (zh) * | 1991-06-17 | 1993-01-13 | 纳幕尔杜邦公司 | 多层电子电路的制作方法 |
| JPH09218509A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Toray Ind Inc | 感光性ペースト |
| JPH10171101A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ペリクルの製造方法及びそれにより得られたペリクル |
| CN1269386A (zh) * | 1999-03-25 | 2000-10-11 | 株式会社村田制作所 | 光敏型导电膏 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3978248A (en) * | 1970-12-18 | 1976-08-31 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing composite sintered structure |
| JP5217405B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2013-06-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
-
2010
- 2010-01-25 JP JP2010013383A patent/JP4888572B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-13 US US13/006,200 patent/US20110180198A1/en not_active Abandoned
- 2011-01-21 CN CN2011100284315A patent/CN102136310A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1068007A (zh) * | 1991-06-17 | 1993-01-13 | 纳幕尔杜邦公司 | 多层电子电路的制作方法 |
| JPH09218509A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Toray Ind Inc | 感光性ペースト |
| JPH10171101A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ペリクルの製造方法及びそれにより得られたペリクル |
| CN1269386A (zh) * | 1999-03-25 | 2000-10-11 | 株式会社村田制作所 | 光敏型导电膏 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105977022A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-09-28 | 大连海外华昇电子科技有限公司 | 用于多层陶瓷电容的纳米级镍金属电极浆料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4888572B2 (ja) | 2012-02-29 |
| JP2011150982A (ja) | 2011-08-04 |
| US20110180198A1 (en) | 2011-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100492559C (zh) | 叠层陶瓷电容器 | |
| CN1941233B (zh) | 叠层型陶瓷电子部件的制造方法 | |
| JP4687680B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法 | |
| JP4967965B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| CN102219478B (zh) | 电介质瓷组成物以及陶瓷电子零件 | |
| JP5434407B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2007331958A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| KR20010109177A (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
| EP1891649A1 (en) | Dielectric ceramic capacitor comprising non-reducible dielectric | |
| TW200929283A (en) | Dielectric ceramic compositions and electronic components | |
| JP2012004236A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2009203089A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| WO2005117041A1 (ja) | 電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| CN102190486A (zh) | 电介质瓷组成物以及陶瓷电子零件 | |
| JP2003277139A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP5452244B2 (ja) | 積層セラミック電子部品とその製造方法 | |
| JP2007169090A (ja) | 誘電体磁器組成物、およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| CN102136310A (zh) | 导电膏以及电子零件的制造方法 | |
| JP2006114563A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP4863007B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP2006310646A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP5151039B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ | |
| JP2008227093A (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
| TW202029222A (zh) | Ｎｉ糊膏及積層陶瓷電容器 | |
| JP4552260B2 (ja) | ニッケル粉末、電極用ペーストおよび電子部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110727 |