CN102130425A - 氮化物半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及氮化物半导体装置的制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成n型Al0.03Ga0.97N覆盖层（12）以及n型GaN光引导层（14）。在n型GaN光引导层（14）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，在载气中添加氢，形成由含In的氮化物类半导体构成的活性层（16）。在活性层（16）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，形成p型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层（18）、p型GaN光引导层（20）、p型Al0.03Ga0.97N覆盖层（22）、p型GaN接触层（24）。

Description

氮化物半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及由Ⅲ-Ⅴ族氮化物类半导体构成的氮化物半导体装置的制造方法，特别涉及能够以简单的工序制造优良的氮化物半导体装置的制造方法。
背景技术
作为半导体激光器元件或发光二极管等的发光元件或电子器件的材料，普遍地进行Ⅲ-Ⅴ族氮化物类半导体的研究开发。利用其特性，蓝色发光二极管、绿色发光二极管以及作为高密度光盘光源的蓝紫色半导体激光器已被实用化。
在氮化物类半导体的结晶生长中，作为Ⅴ族原料气体，氨（NH3）被广泛使用。此外，对于发光元件的活性层中所使用的InGaN来说，由于In容易从表面再蒸发，所以，若不在约900℃以下生长，则不结晶。在该温度范围，NH3的分解效率非常低，所以，需要很多NH3 。并且，需要有效地增加Ⅴ/Ⅲ比，必须降低生长速度，所以，存在非本意的杂质混入到晶体中的问题。
在发出蓝色到绿色的可见光的情况下，需要使活性层中所使用的InGaN的In成分为20%以上。在该情况下，必须在约800℃以下进行生长，需要更多的NH3 。并且，对于In成分超过20%的InGaN来说，由于热而容易恶化，因此存在如下问题：由于InGaN活性层上生长的覆盖层或接触层的生长工序或晶片工艺工序中的热处理，活性层恶化，发光效率降低，器件特性恶化。
为了解决上述问题，公开了如下方法（例如，参照专利文献1）：作为Ⅴ族原料气体，代替NH3，使用分解效率较好的肼（hydrazine）。此外，还公开了如下方法（例如，参照专利文献2）：为了使活性层的热损伤降低，在900℃以下生长p层。
【专利文献1】 特开2001-144325号公报
【专利文献2】 特开2004-87565号公报
但是，仅使用肼作为Ⅴ族原料气体，存在如下问题：InGaN活性层的高质量化不充分，特别是在发出从蓝色到绿色的可见光的情况下，发光特性恶化。此外，存在如下问题：即便在900℃以下生长p层，在用于将用作p型掺杂剂的Mg活性化的800℃～1000℃的高温退火中，热损伤进入活性层，发光特性恶化。该问题在活性层波长超过蓝色的长波长区域显著发生。
发明内容
本发明是为了解决如上所述的课题而进行的，其目的在于得到能够以简单的工序制造优良的氮化物半导体装置的制造方法。
本发明提供一种氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：在衬底上形成n型氮化物类半导体层；在所述n型氮化物类半导体层上，使用氨和肼衍生物（hydrazine derivative）作为Ⅴ族原料，并且在载气中添加氢，形成由含In的氮化物类半导体构成的活性层；在所述活性层上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，形成p型氮化物类半导体层。
根据本发明，能够以简单的工序制造优良的氮化物半导体装置。
附图说明
图1是表示实施方式1的氮化物半导体装置的剖面图。
图2是将图1的氮化物半导体装置的活性层放大后的剖面图。
图3是示出p型GaN层的电阻率的NH3/肼供给摩尔比依赖性的图。
图4是示出p型GaN层的电阻率的肼/Ⅲ族原料供给摩尔比依赖性的图。
图5是示出p型GaN层的碳浓度的生长温度依赖性的图。
图6是示出进行了实施方式1的活性层的光致发光（PL）测定的结果的图。
图7是示出p型GaN层的电阻率的碳浓度依赖性的图。
图8是示出实施方式2的氮化物半导体装置的剖面图。
图9是将图8的氮化物半导体装置的活性层放大后的剖面图。
图10是示出实施方式3的氮化物半导体装置的剖面图。
图11是将图10的氮化物半导体装置的活性层放大后的剖面图。
附图标记说明：
10  n型GaN衬底（衬底）
12  n型Al0.03Ga0.97N覆盖层（n型氮化物类半导体层）
14  n型GaN光引导层（n型氮化物类半导体层）
16、36、38  活性层
18  p型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层（p型氮化物类半导体层）
20  p型GaN光引导层（p型氮化物类半导体层）
22  p型Al0.03Ga0.97N覆盖层（p型氮化物类半导体层）
24  p型GaN接触层（p型氮化物类半导体层）
38a  In0.2Ga0.8N阱层（阱层）
38b  Al0.03In0.002Ga0.968N阻挡层（阻挡层）
图3中的◇表示Tg＝1000℃、阱/Ⅲ族材料＝9.4
图3中的□表示Tg＝900℃、阱/Ⅲ族材料＝2
图3中的△表示Tg＝900℃、阱/Ⅲ族材料＝19 。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。对相同的构成要素标注相同的附图标记，并且省略说明。
实施方式1
图1是示出实施方式1的氮化物半导体装置的剖面图。该氮化物半导体装置是氮化物类半导体激光器。
在作为n型GaN衬底10的主面的（0001）面上，依次形成有厚度为2.0μm的n型Al0.03Ga0.97N覆盖层12、厚度为0.1μm的n型GaN光引导层14、活性层16、厚度为0.02μm的p型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层18、厚度为0.1μm的p型GaN光引导层20、厚度为0.5μm的p型Al0.03Ga0.97N覆盖层22、厚度为0.06μm的p型GaN接触层24。
p型Al0.03Ga0.97N覆盖层22和p型GaN接触层24形成波导脊26。波导脊26形成在谐振器的宽度方向的中央部分，并且在成为谐振器端面的两解理面之间延伸。
在波导脊26的侧壁以及露出的p型GaN光引导层20的表面上配设有SiO2膜28。在波导脊26的上表面设置有SiO2膜28的开口部30，p型GaN接触层24的表面从该开口部30露出。在该露出的p型GaN接触层24上形成有p侧电极32。在n型GaN衬底10的背面形成有n侧电极34。
图2是将图1的氮化物半导体装置的活性层放大后的剖面图。活性层16是将厚度为3.0nm的In0.2Ga0.8N阱层16a和厚度为16.0nm的GaN阻挡层16b交替地层叠两对的多重量子阱结构。
对实施方式1的氮化物半导体装置的制造方法进行说明。使用MOCVD法作为晶体生长方法。作为Ⅲ族原料，使用作为有机金属化合物的三甲基镓（TMG）、三甲基铝（TMA）、三甲基铟（TMI）。作为Ⅴ族原料，使用氨（NH3）和1,2-二甲基肼（肼衍生物）。作为n型杂质原料，使用硅烷（SiH4），作为p型杂质原料，使用二茂镁（CP2Mg）。作为这些原料气体的载气，使用氢气（H2）、氮气（N2）。但是，作为p型杂质，也可以使用Zn或Ca等代替Mg。
首先，准备预先利用热清洗等对表面进行了清洁的n型GaN衬底10。并且，将n型GaN衬底10载置在MOCVD装置的反应炉内之后，一边供给NH3一边使n型GaN衬底10的温度上升至1000℃。然后，开始供给TMG、TMA、SiH4，在n型GaN衬底10的主面上形成n型Al0.03Ga0.97N覆盖层12。然后，停止供给TMA，形成n型GaN光引导层14。然后，停止供给TMG和SiH4，使n型GaN衬底10的温度降温至750℃。
然后，作为载气，在N2气体中混合少量的H2气体，供给氨、1,2-二甲基肼、TMG、TMI，形成In0.2Ga0.8N阱层16a。然后，停止供给TMI，供给氨、1,2-二甲基肼、TMG，形成GaN阻挡层16b。将其交替地层叠两对，从而形成多重量子阱（MQW）结构的活性层16。此处，H2气体流量为全部气体流量的0.1～5%的范围。
然后，一边供给流量为1.3×10-1mol/min的NH3和流量为20L/min的氮气，一边再次使n型GaN衬底10的温度从750℃上升至1000℃。并且，将以1:1混合了氢气和氮气的气体作为载气，作为Ⅲ族原料，供给流量为2.4×10-4mol/min的TMG以及流量为4.4×10-5mol/min的TMA、流量为3.0×10-7mol/min的CP2Mg，作为Ⅴ族原料，除了NH3之外，还供给流量为1.1×10-3mol/min的1,2-二甲基肼，形成p型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层18。在该情况下，1,2-二甲基肼与Ⅲ族原料的供给摩尔比是3.9，NH3与1,2-二甲基肼的供给摩尔比是120。
然后，停止供给TMA，与载气一起，供给流量为1.2×10-4mol/min的TMG、流量为1.0×10-7mol/min的CP2Mg，作为Ⅴ族原料，除了NH3之外，还供给流量为1.1×10-3mol/min的1,2-二甲基肼，形成p型GaN光引导层20。
然后，再次开始供给TMA，并且供给流量为2.4×10-4mol/min的TMG、流量为1.4×10-5mol/min的TMA、流量为3.0×10-7mol/min的CP2Mg，作为Ⅴ族原料，供给NH3和1,2-二甲基肼，形成p型Al0.03Ga0.97N覆盖层22。在该情况下，1,2-二甲基肼与Ⅲ族原料的供给摩尔比是4.3，NH3与1,2-二甲基肼的供给比是120。p型Al0.03Ga0.97N覆盖层22的碳浓度为1×1018cm-3以下。
然后，停止供给TMA，与载气一起，供给流量为1.2×10-4mol/min的TMG、流量为9.0×10-7mol/min的CP2Mg，作为Ⅴ族原料，除了NH3之外，还供给流量为1.1×10-3mol/min的1,2-二甲基肼，形成p型GaN接触层24。在该情况下，1,2-二甲基肼与Ⅲ族材料的供给摩尔比是9.4，NH3与1,2-二甲基肼的供给比是120。
然后，停止供给作为Ⅲ族材料的TMG和作为p型杂质原料的CP2Mg，一边供给Ⅴ族原料，一边冷却至300℃左右。并且，也停止供给Ⅴ族原料，冷却至室温。而且，在停止供给TMG和CP2Mg时，也停止供给NH3，一边仅供给1,2-二甲基肼一边冷却至300℃左右也可以，也可以同时停止供给NH3和1,2-二甲基肼。
在进行了以上的晶体生长之后，在p型GaN接触层24上的整个面涂敷抗蚀剂，利用光刻法形成与台面状部的形状对应的抗蚀剂图形。将该抗蚀剂图形作为掩模，利用反应性离子刻蚀（RIE）法，从p型GaN接触层24刻蚀至p型Al0.03Ga0.97N覆盖层22当中，形成成为光波导结构的波导脊26。作为RIE的刻蚀气体，例如，使用氯系气体。
然后，在残留抗蚀剂图形的状态下，利用例如CVD法、真空蒸镀法、溅射法等，在n型GaN衬底10上的整个面形成厚度为0.2μm的SiO2膜28。并且，在除去抗蚀剂图形的同时，利用所谓的剥离法除去位于波导脊26上的SiO2膜28。由此，在波导脊26上，在SiO2膜28上形成有开口部30。
然后，利用真空蒸镀法在p型GaN接触层24上依次形成Pt以及Au膜。之后，涂敷抗蚀剂（未图示），进行光刻法以及湿法蚀刻或者干法蚀刻，由此，形成与p型GaN接触层24欧姆接触的p侧电极32。
然后，利用真空蒸镀法在n型GaN衬底10的背面依次形成Ti膜、Pt膜以及Au膜，形成n侧电极34。然后，利用解理等将n型GaN衬底10加工为条（bar）形，形成谐振器的两端面。并且，在对谐振器的端面实施了涂层之后，将条解理为芯片（chip）形状，由此，制造出实施方式1的氮化物半导体装置。
在上述制造方法中，在形成活性层16时，作为Ⅴ族材料，使用氨和1,2-二甲基肼的混合气体。由此，即使在生长温度为900℃以下的低温，也能够提高有效的Ⅴ/Ⅲ比，抑制作为晶体缺陷的N空穴的产生，能够降低杂质的混入。而且，对于本实施方式的制造方法来说，不限于InGaN量子阱结构，能够应用于含In的活性层。
此外，在载气中添加百分之几的H2，由此，在InGaN生长中发挥刻蚀作用，能够降低In偏析（segregation），能够生长光学特性良好的量子阱结构。
此外，也可以在InGaN活性层中导入SiH4，例如，以载流子浓度为1×1018cm-3的方式进行掺杂，由此，以Si填埋N空穴的方式产生作用，使成为非发光中心的点缺陷降低，抑制杂质的混入，能够使结晶性进一步提高。在In成分超过20%这样的要得到蓝色以上的发光的情况下，在更低温度下进行生长，所以，Ⅴ族材料的分解效率下降，容易在InGaN晶体中产生N空穴，所以，由Si掺杂所导致的结晶性提高的效果更加显著。
然后，对形成p型氮化物类半导体层时使用NH3和肼衍生物（例如，1,2-二甲基肼）这二者的理由进行说明。
在形成p型氮化物类半导体层时，当仅使用NH3作为Ⅴ族原料时，从NH3生成的H自由基组入到p型氮化物类半导体层的晶体中，H自由基与p型杂质反应，产生H钝化（p型杂质的活性化率降低）。因此，存在如下问题：为了活性化，需要热处理工序，由于热处理而产生从晶体的最表面的N脱逸，晶体质量降低。此外，存在如下问题：由于热处理工序，活性层受到损伤，发光特性降低。
【化学式1】
Figure 201110020200X100002DEST_PATH_IMAGE002
因此，当将Ⅴ族原料由氨气变更为二甲基肼（UDMHy）时，从UDMHy生成的CH3自由基与同时生成的H自由基发生反应，从UDMHy生成的H自由基不组入到p型氮化物类半导体层的晶体中。
【化学式2】
Figure 201110020200X100002DEST_PATH_IMAGE004
但是，由于使用有机金属化合物的三甲基镓（TMGa）作为Ⅲ族原料，所以，CH3自由基从TMGa脱离，当该CH3自由基不成为CH4排出时，CH3自由基被组入到晶体中，使晶体中的碳浓度提高，使p型氮化物类半导体层的电阻率提高。
【化学式3】
Figure 201110020200X100002DEST_PATH_IMAGE006
因此，在使Ⅴ族原料完全从氨气变更为二甲基肼的情况下，由于从CH3自由基生成CH4所需要的H自由基不足，所以，在本实施方式中，添加能够供给生成CH4所需要量的H自由基的预定的NH3。
即，首先，在利用二甲基肼形成p型氮化物类半导体层时，为了使组入到晶体中的碳的浓度低，换言之，为了对补偿受主的碳的组入进行抑制，从NH3供给为了使从二甲基肼脱离的CH3自由基成为CH4而排出所需要的H自由基。
然而，当从NH3生成的H自由基过多时，产生H钝化，所以，使H自由基的供给源即NH3的供给量为所需最小限度。
如以上所说明的那样，在形成p型氮化物类半导体层时，作为Ⅴ族材料，供给预定流量的NH3和1,2-二甲基肼的混合气体，由此，能够抑制H钝化的发生，能够形成碳含有浓度低并且在生长状态（as-grown state）下电阻率低的p型氮化物类半导体层。因此，能够去掉用于使作为p型掺杂剂而使用的Mg活性化的热处理工序，所以，能够减轻对活性层的热损伤，能够以简单的工序制造优良的氮化物半导体装置。
图3是表示p型GaN层的电阻率的NH3/肼供给摩尔比依赖性的图。NH3/肼供给摩尔比是NH3的供给摩尔流量与肼的供给摩尔流量之比。作为载气，使用以1:1的比率混合了氮气和氢气的气体。分为如下情况：生长温度为1000℃，肼/Ⅲ族原料供给摩尔比为9.4；生长温度为900℃，肼/Ⅲ族原料供给摩尔比为2；生长温度为900℃，肼/Ⅲ族原料供给摩尔比为19。肼/Ⅲ族原料供给摩尔比是肼的供给摩尔流量与Ⅲ族原料的供给摩尔流量之比。
其结果是，当NH3/肼供给摩尔比为10以下时，H自由基的供给不足，晶体中的碳浓度增加，所以，成为高电阻。另一方面，NH3/肼供给摩尔比在500到1000之间，电阻率急剧上升。这是因为，由于NH3的过剩供给，H组入到晶体中，从而产生了H钝化。因此，使NH3/肼供给摩尔比的范围为10以上并且小于1000，更优选为20以上且500以下。
图4是表示p型GaN层的电阻率的肼/Ⅲ族原料供给摩尔比依赖性的图。使生长温度为1000℃、NH3/肼供给摩尔比为120，作为载气，使用将氮气和氢气以1:1的比率进行混合的气体。
其结果是，在肼/Ⅲ族原料供给摩尔比处于20和25之间时，电阻率急剧上升。这是因为，在晶体中所包含的碳浓度增加。另一方面，肼/Ⅲ族原料供给摩尔比小于1时，晶体中产生Ⅴ族的空穴，引起结晶恶化。因此，在形成p型GaN层时，优选使肼衍生物与有机金属化合物的供给摩尔比为1以上并且小于25，更优选为3以上且15以下。
图5是表示p型GaN层的碳浓度的生长温度依赖性的图。生长温度与衬底的温度相同。使肼/Ⅲ族原料供给摩尔比为9.4、NH3/肼供给摩尔比为120，作为载气，使用将氮气和氢气以1：1的比率进行混合的气体。
其结果是，从800℃到900℃，晶体中的碳浓度急剧减少。此外，当生长温度变低时，NH3的分解减少，CH3自由基不成为CH4排出而被组入到晶体中。另一方面，能够进行p型GaN的晶体生长的温度小于1200℃。因此，在形成p型GaN层时，优选使n型GaN衬底10的温度为800℃以上且小于1200℃，更优选为900℃以上且小于1100℃。
图6是表示进行实施方式1的活性层的光致发光（PL）测定的结果的图。图6的横轴是p型覆盖层的生长温度。纵轴是活性层的PL强度。此处，使在活性层上生长的p型覆盖层的生长温度从760℃变化到1150℃，由此，确认产生对活性层的热损伤的温度。
其结果是，p型覆盖层的生长温度达到1100℃之前，活性层的PL强度几乎不发生变化，但是，当超过1100℃时，PL强度急剧下降。这是因为，由于超过1100℃的热而使活性层发生损伤，发光特性发生了恶化。此外，也需要考虑对活性层的热损伤和p型氮化物类半导体层中的碳浓度。因此，p型氮化物类半导体层的生长温度为800℃以上且小于1100℃，更优选为900℃以上且小于1100℃。
图7是表示p型GaN层的电阻率的碳浓度依赖性的图。1×1016cm-3是碳的检测极限。为了得到比能够用作器件的程度低的电阻率，需要碳浓度为1×1018cm-3以下。
在p型GaN层中不含碳为好，但是，在使用了肼的情况下，也有少量碳组入到p型GaN层中。但是，通过选定本实施方式的制造条件，由此，能够使p型GaN层的碳浓度为1×1018cm-3以下。
此外，在形成p型氮化物类半导体层时，作为载气，使用氢气和氮气的混合气体，该混合气体中使氢气的体积组成比为x（0≤x≤1）并且使氮气的体积组成比为1－x。即，形成p型氮化物类半导体层时的载气可以是单独的氮气、氮气和氢气的混合气体、单独的氢气中的任意一种。此处，在衬底的温度为1000℃左右，氢气不离解，保持氢分子的状态而存在，不被组入到晶体中。因此，对于组入到晶体中的H自由基来说，从NH3分解而得到的H自由基是主体，因此，即便使载气为单独的氢气，也能够形成电阻率低的p型氮化物类半导体层。例如，使用将流量为10L/min的氢气和流量为10L/min的氮气以1：1进行混合的气体作为载气。
实施方式2
图8是示出实施方式2的氮化物半导体装置的剖面图。图9是将图8的氮化物半导体装置的活性层放大后的剖面图。使用活性层36代替实施方式1的活性层16。其他结构与实施方式1相同。
活性层36是将厚度为3.0nm的Al0.01In0.21Ga0.78N阱层36a和厚度为16.0nm的Al0.01In0.015Ga0.975N阻挡层36b交替地层叠两对的多重量子阱结构。
对活性层36的制造方法进行说明。首先，一边供给NH3气体，一边使n型GaN衬底10的温度变为750℃。然后，作为载气，在N2气体中混合少量的H2气体，供给氨、1,2-二甲基肼、TMG、TMI、TMA，形成Al0.01In0.21Ga0.78N阱层36a和Al0.01In0.015Ga0.975N阻挡层36b。将其交替地层叠两对，从而形成多重量子阱（MQW）结构的活性层36。
在本实施方式中，活性层36由AlInGaN构成，所以，与InGaN相比较，晶体的结合力提高，因此耐热性提高，能够防止由于热而导致的结晶的恶化。此外，能够得到与实施方式1相同的效果。
实施方式3
图10是示出实施方式3的氮化物半导体装置的剖面图。图11是将图10的氮化物半导体装置的活性层放大后的剖面图。使用活性层38代替实施方式1的活性层16。其他结构与实施方式1相同。
活性层38是将厚度为3.0nm的In0.2Ga0.8N阱层38a和厚度为16.0nm的Al0.03In0.002Ga0.968N阻挡层38b交替地层叠两对的多重量子阱结构。
对活性层38的制造方法进行说明。首先，一边供给NH3气体，一边使n型GaN衬底10的温度变为750℃。然后，作为载气，在N2气体中混合少量的H2气体，供给氨、1,2-二甲基肼、TMG、TMI，形成In0.2Ga0.8N阱层38a。然后，供给氨、1,2-二甲基肼、TMG、TMI、TMA，形成Al0.03In0.002Ga0.968N阻挡层38b。将其交替地层叠两对，从而形成多重量子阱（MQW）结构的活性层38。
阱层38a由结晶性优良的三元混晶的InGaN构成，阻挡层38b由耐热性更优良的四元混晶的AlInGaN构成，由此，能够得到具有更加优良的发光特性的发光元件。此外，能够得到与实施方式1相同的效果。
此外，优选阱层38a由a轴长比衬底10的GaN长的InGaN构成，由此，具有压缩应变，阻挡层38b由a轴长比衬底10的GaN短的InAlGaN构成，由此，具有拉伸应变。通常，发出蓝紫色或蓝色的光的活性层的阱层具有较大的压缩应变，波长越长变形量越大。并且，在波长为蓝色光波长以上的长波长的情况下，由于变形而显著产生失配位错。与此相对，使用具有拉伸应变的阻挡层38b，从而能够减轻失配位错的产生。

Claims (7)

1. 一种氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：
在衬底上形成n型氮化物类半导体层；
在所述n型氮化物类半导体层上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，并且在载气中添加氢，形成由含In的氮化物类半导体构成的活性层；
在所述活性层上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，形成p型氮化物类半导体层。
2. 如权利要求1所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述活性层中掺杂Si作为杂质。
3. 如权利要求1或2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述p型氮化物类半导体层的工序中，使所述氨与所述肼衍生物的供给摩尔比为10以上且小于1000。
4. 如权利要求1或2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述p型氮化物类半导体层的工序中，使用有机金属化合物作为Ⅲ族原料，使所述肼衍生物与所述有机金属化合物的供给摩尔比为1以上且小于25。
5. 如权利要求1或2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述p型氮化物类半导体层的工序中，使所述衬底的温度为900℃以上且小于1100℃。
6. 如权利要求1或2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述活性层是具有由InGaN构成的阱层和由InAlGaN构成的阻挡层的量子阱结构。
7. 如权利要求6所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述阱层具有压缩应变，所述阻挡层具有拉伸应变。
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