CN102122011A - 偏光元件、偏光元件的制造方法、电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种偏光元件、偏光元件的制造方法、电子设备。所述偏光元件具备：基板；多个反射层，其位于上述基板上，隔开一定间隔被排列成带状；形成在上述反射层上的电介质层；以及吸收层，其位于上述电介质层上，朝向邻接的一方的上述反射层侧和邻接的另一方的上述反射层侧分别具有凸部。

Description

偏光元件、偏光元件的制造方法、电子设备

技术领域

本发明涉及偏光元件、偏光元件的制造方法、电子设备。

背景技术

作为电子设备的液晶投影仪具备作为光调制装置的液晶装置。公知该液晶装置具有在对置配置的一对基板间夹持有液晶层的构成。在该一对基板上分别形成有用于对液晶层施加电压的电极。而且，在各基板的外侧分别配置有入射侧偏光元件及出射侧偏光元件，成为对液晶层入射和出射规定偏光的构成。另一方面，为了在上述液晶投影仪中得到黑的投影图像，需要由上述出射侧偏光元件吸收几乎全部的光能。因此，出射侧偏光元件的温度上升尤其明显。因此，公知有在出射侧配置2个偏光元件，利用配置于液晶装置的后方的出射预偏光元件吸收大半的光能，利用配置于后段的出射主偏光元件提高投影图像的对比度的方法。并且，还公知一种为了获得更高的耐热性而由无机物构成的偏光元件。该偏光元件包括：基板、形成于基板上的反射层、形成于反射层上的电介质层、形成于电介质层上的光吸收层(例如参照专利文献1)。

【专利文献1】日本特开2005-37900号公报

然而，伴随着液晶投影仪的高亮度化，即便采用上述由无机物构成的偏光元件作为出射预偏光元件，出射预偏光元件的温度也会达到数百度，因此导致偏光元件的特性变差。

发明内容

本发明为了解决上述课题的至少一部而提出，可通过下述的方式或应用例实现。

[应用例1]本应用例涉及的偏光元件具备：基板；多个反射层，其位于所述基板上，隔开一定间隔被排列成带状；形成在所述反射层上的电介质层；以及吸收层，其位于所述电介质层上，朝向邻接的一方的所述反射层侧和邻接的另一方的所述反射层侧各具有凸部。

根据该构成，利用吸收层的凸部增大了偏光元件的表面积，能够以容易的构成有效地进行散热。尤其在将偏光元件作为液晶投影仪的光调制装置的一部分使用的情况下，当从作为光源的卤素灯、高压水银灯等照射光时，由于照射光所产生的热从反射层、具有凸部的吸收层散热，所以能够避免因热产生的恶化等。并且，由于吸收层的凸部分别朝向邻接的一方的反射层侧和另一方的反射层侧设置，所以实现了吸收层的构成均衡(对称性)。由此，使对于斜入射光的旋光性下降，当用作出射预偏光元件时，能够防止对比度的下降。

[应用例2]上述应用例涉及的偏光元件在邻接的上述吸收层之间具有缝隙。

根据该构成，热被从邻接的吸收层之间形成的缝隙放出，进一步提高了散热性。

[应用例3]上述应用例涉及的偏光元件的上述吸收层具有第1吸收层和第2吸收层，该第1吸收层具有设置于邻接的一方的上述反射层侧的第1凸部，该第2吸收层具有设置于邻接的另一方的上述反射层侧的第2凸部。

根据该构成，利用第1及第2吸收层的第1及第2凸部，能够有效地散热。而且，由于吸收层的第1凸部与第2凸部被设成朝向互为相反的方向，所以减少了对于斜入射光的旋光性，能够降低漏光强度。

[应用例4]对于上述应用例涉及的偏光元件，在与上述反射层的排列方向正交的剖视下，上述第1吸收层与上述第2吸收层的截面积比相等。

根据该构成，由于第1吸收层与第2吸收层的截面积比相等，所以提高了构成均衡，能够高效地降低对于斜入射光的旋光性。

[应用例5]上述应用例涉及的偏光元件的上述吸收层由下述的无机微粒形成，该无机微粒具有上述反射层的排列方向上的微粒直径的长度，比与上述反射层的排列方向正交的方向上的微粒直径的长度长的形状各向异性。

根据该构成，由于吸收层由具有形状各向异性的无机微粒形成，所以进一步提高了光的吸收性。

[应用例6]本应用例涉及的偏光元件的制造方法包括下述步骤：在基板上形成隔开一定间隔并被排列成带状的多个反射层的反射层形成步骤；在上述反射层上形成电介质层的电介质层形成步骤；以及在上述电介质层上形成朝向邻接的一方的上述反射层侧和邻接的另一方的上述反射层侧各具有凸部的吸收层的吸收层形成步骤。

根据该构成，由于利用吸收层的凸部增大了偏光元件的表面积，所以能够利用容易的构成有效地进行散热。尤其在将偏光元件作为液晶投影仪的光调制装置的一部分使用的情况下，当从作为光源的卤素灯、高压水银灯等照射光时，由于照射光所产生的热从反射层、具有凸部的吸收层散热，所以能够避免因热产生的恶化等。并且，由于吸收层的凸部分别朝向邻接的一方的反射层侧和另一方的反射层侧设置，所以实现了吸收层的构成均衡(对称性)。由此，使得对于斜入射光的旋光性下降，降低了漏光。

[应用例7]在上述应用例涉及的偏光元件的制造方法的上述吸收层形成步骤中，包括下述步骤：第1吸收层形成步骤，从邻接的上述反射层中的一方的上述反射层侧倾斜成膜，在上述一方的上述反射层侧形成倾斜的具有第1凸部的第1吸收层；第2吸收层形成步骤，从邻接的上述反射层中的另一方的上述反射层侧倾斜成膜，在上述另一方的上述反射层侧形成倾斜的具有第2凸部的第2吸收层。

根据该构成，能够利用第1及第2吸收层的第1及第2凸部有效地散热。而且，由于吸收层的第1凸部和第2凸部被朝向互为相反的方向设置，所以使得对于斜入射光的旋光性下降，能够降低漏光强度。

[应用例8]本应用例涉及的电子设备搭载有上述的偏光元件、或通过上述的偏光元件的制造方法制成的偏光元件。

根据该构成，能够提供散热性及光学特性优异的电子设备。尤其当作为液晶投影仪的出射预偏光元件使用时，散热性优异，而且能够提高对比度。

附图说明

图1是表示偏光元件的构成的简略图。

图2是表示偏光元件的形态及漏光强度的特性的说明图。

图3是表示偏光元件的形态及漏光强度的特性的说明图。

图4是表示偏光元件的制造方法的步骤图。

图5是表示作为电子设备的液晶投影仪的构成的简略图。

图中：1...偏光元件、2...基板、3...反射层、4...电介质层、5...吸收层、5a...第1吸收层、5b...第2吸收层、6...保护层、10a...第1凸部、10b...第2凸部、20...缝隙、50a...无机微粒、100...液晶投影仪。

具体实施方式

下面，根据附图，对将本发明具体化的实施方式进行说明。其中，由于各附图中的各部件在各附图上被形成为可识别程度的大小，所以图示中各部件缩小比例并不相同。

(偏光元件的构成)

首先，对偏光元件的构成进行说明。图1表示偏光元件的构成，图1(a)为俯视图，图1(b)为剖面图，图1(c)为局部放大图。如图1所示，偏光元件1具备：基板2、在基板2上间隔一定距离被排列成带状的多个反射层3、形成于反射层3上的电介质层4、和在电介质层4上并朝向邻接的一方的反射层3侧与邻接的另一方的反射层3侧分别具有凸部的吸收层5。其中，在以下的说明中，设定XYZ坐标系，并参照该XYZ坐标系对各部件的位置关系进行说明。此时，将水平面内的规定的方向设为X轴方向、将在水平面内与X轴方向正交的方向设为Y轴方向、将在垂直面内与X轴方向和Y轴方向分别正交的方向设为Z轴方向。在本实施方式中，将以下说明的反射层3的延伸方向作为Y轴方向、将反射层3的排列轴作为X轴方向进行描述。

基板2是相对使用频带的光(本实施方式中为可见光域)为透明的材料，例如是玻璃、石英、蓝宝石、水晶或塑料等具有透光性的材料。其中，由于根据应用偏光元件1的用途不同，有时偏光元件1会蓄热而成为高温，所以作为基板2的材料，优选使用耐热性高的玻璃、石英、蓝宝石或水晶。

在基板2的一面侧，如图1(a)所示，沿Y轴方向延伸的多个反射层3形成为俯视近似呈条纹状(带状)。反射层3使用光反射性相对高的光反射性材料，例如是铝(Al)。另外，除了铝之外，还可以使用银、金、铜、钼、铬、钛、镍、钨、铁、硅、锗、碲等金属或半导体材料等。

反射层3以比可见光域的波长短的周期在X轴方向以均等的间隔形成，在邻接的反射层3之间形成有槽部7。例如，反射层3的高度为20～200nm、反射层3的宽度为20～70nm。而且，邻接的反射层3的间隔(槽部7的X轴方向的宽度)为80～130nm，周期(间距)为150nm。这样，偏光元件1的反射层3具有线栅(wire grid)构造。而且，使相对反射层3的延伸方向(Y轴方向)沿近似平行方向振动的直线偏光(TE波)反射(衰减)，使相对反射层3的延伸方向在近似正交的方向(X轴方向)振动的直线偏光(TM波)透射。

电介质层4由通过溅射法或溶胶凝胶法(例如通过旋涂法涂覆溶胶并通过热固化使之凝胶化的方法)而成膜的SiO₂等相对于可见光透明的光学材料形成。电介质层4作为吸收层5的基底层而形成。而且，其形成目的在于，相对于在吸收层5中反射的偏光，对透射过吸收层5并被反射层3反射的偏光的相位进行调整，来提高干涉效果。

构成电介质层4的材料，除了SiO₂之外，还可以使用Al₂O₃、MgF₂等一般的材料。它们能够通过溅射、气相成长法、蒸镀法等将一般的真空成膜、溶胶状的物质涂覆在基板2上并使其热固化而薄膜化。另外，优选电介质层4的折射率为大于1且在2.5以下。

吸收层5形成在电介质层4上。在本实施方式中，如图1(b)所示，吸收层5形成在电介质层4的顶部。

吸收层5由无机微粒50a形成。该无机微粒50a如图1(c)所示，具有反射层3的排列方向(Y轴方向)上的微粒直径的长度La，比与反射层3的排列方向(Y轴方向)正交的方向(X轴方向)上的微粒直径的长度Lb长的形状各向异性。这样，通过具有形状各向异性，能够使光学常数在Y轴方向(长轴方向)和X轴方向(短轴方向)上不同。结果，可获得吸收与长轴方向平行的偏光成分、透过与短轴方向平行的偏光成分这一规定的偏光特性。以如此具有形状各向异性的无机微粒50a构成的吸收层5，能够通过倾斜成膜、例如斜向溅射成膜等形成。

吸收层5能够通过倾斜成膜、例如斜向溅射成膜等形成。作为吸收层5的材料，可选择适于偏光元件1所使用的频带的材料。即，金属材料、半导体材料是满足该条件的材料，具体而言，作为金属材料，可列举出Al、Ag、Cu、Au、Mo、Cr、Ti、W、Ni、Fe、Si、Ge、Te、Sn单体或含有它们的合金。另外，作为半导体材料，可列举出Si、Ge、Te。并且，FeSi₂(尤其是β-FeSi₂)、MgSi₂、NiSi₂、BaSi₂、CrSi₂、CoSi₂等硅化物类材料也适用。尤其是作为无机微粒50a的材料，通过使用铝或由其合金构成的铝系金属微粒、或者含有β铁硅化物、锗、碲的半导体微粒，能够在可见光域得到高的对比度(高吸光度比)。其中，为了使可见光以外的波段、例如红外域具有偏光特性，作为构成无机微粒层的无机微粒，优选使用Ag(银)、Cu(铜)、Au(金)的微粒等。这是由于上述金属的长轴方向的共振波长位于红外域附近。除此之外，也可以根据使用频带，而采用钼、铬、钛、钨、镍、铁、硅等材料。

而且，吸收层5在与反射层3的排列方向(Y轴方向)正交的剖视(X轴方向的剖视)下，朝向邻接的一方的反射层3侧和邻接的另一方的反射层3侧分别形成有凸部。在本实施方式中，吸收层5具有第1吸收层5a和第2吸收层5b，该第1吸收层5a具有设置于邻接的一方的反射层3侧的第1凸部10a、该第2吸收层5b具有设置于邻接的另一方的反射层3侧的第2凸部10b。即，如图1(b)所示，相对于形成有一个反射层3的排列方向(Y轴方向)，分别在X轴正方向侧及X轴负方向侧形成了第1吸收层5a和第2吸收层5b。而且，在本实施方式中，在与反射层3的排列方向正交的剖视下，当绘出相对基板2沿垂直方向将反射层3二分的中心线时，第1吸收层5a与第2吸收层5b的截面积比几乎同等。并且，在邻接的吸收层5之间形成有缝隙20。由此，能够从基板2面借助该缝隙高效地散热。

在吸收层5上形成有保护层6。保护层6可以使用SiO₂、Al₂O₃、MgF₂等一般的材料。它们可通过溅射、气相成长法、真空镀膜法等将一般的真空成膜、溶胶状的物质涂覆于基板2上并使其热固化而实现薄膜化。

这里，对使用偏光元件1作为出射预偏光元件时的第1及第2吸收层5a、5b的形态、与来自出射主偏光元件的漏光强度的关系进行说明。图2是表示漏光强度的特性的说明图。

图2(a)是为了通过模拟求出漏光强度的特性，而将偏光元件模型化的图。在本模拟中，使用了图2(a)的(a-1)～(a-4)所示的4个第1～第4模型M1～M4。而且，第1吸收层5a与第2吸收层5b的截面积比在第1～第4模型中发生变化。需要说明的是，在本模拟中，设反射层3的宽度为45nm、高度为60nm，电介质层4的厚度为10nm。周期为150nm。而且，将基板2、反射层3、电介质层4、吸收层5的材质分别设为SiO₂、铝、SiO₂、非晶硅。

下面，对第1～第4模型M1～M4的特征部分进行说明。首先，在第1模型M1中，如图2(a)的(a-1)所示，在与反射层3的排列方向正交的方向上的剖视下，相对于假想中心线，将第1吸收层5a与第2吸收层5b的截面积比设为5∶5。即，对于第1模型M1，第1吸收层5a与第2吸收层5b的截面积比相同。同样，第2模型M2如图2(a)的(a-2)所示，将第2吸收层5b与第1吸收层5a的截面积比设为3∶7。第3模型M3如图2(a)的(a-3)所示，将第2吸收层5b与第1吸收层5a的截面积比设为1∶9。而且，在第4模型M4中，如图2(a)的(a-4)所示，将第2吸收层5b与第1吸收层5a的截面积比设为0∶10。即，在第4模型M4中，处于没有第2吸收层5b的状态。

图2(b)是表示含有各第1～第4模型M1～M4的偏光元件的模拟用模型配置的图。如图2(b)所示，按照与入射光的光轴L正交的方式在光的入射侧配置入射侧偏光元件200a，在光的出射侧配置出射主偏光元件200b。其中，假定入射侧偏光元件及出射主偏光元件200a、200b为理想的吸收型偏光元件，维持正交偏光(crossed nicols)状态。而且，在入射侧偏光元件200a与出射主偏光元件200b之间配置有各第1～第4模型M1～M4作为出射预偏光元件。这里，各第1～第4模型M1～M4与出射主偏光元件200b维持并行偏光(Paralleled nicols)状态。在本模拟中，考虑到液晶投影仪的照明光，以倾斜角为θ、相对于光轴L将旋转角设为φ，来定义斜入射光。另外，在实际的液晶投影仪中，在入射侧偏光元件200a与作为出射预偏光元件的第1～第4模型M1～M4之间配置有液晶装置，但由于只想明确作为出射预偏光元件的第1～第4模型M1～M4的特性，所以在本模拟中省略了液晶装置。

图3(c)表示了第1～第4模型M1～M4中的来自出射主偏光元件200b的漏光强度的相对值。在计算中，设θ＝5°、φ在0°～345°之间每15°变化，求出它们的和。根据本模拟，相对于第1模型M1(第2吸收层5b∶第1吸收层5a＝截面积比5∶5)，在第2模型M2(截面积比3∶7)中具有约4.3倍的漏光强度，在第3模型M3(截面积比1∶9)中具有约10.7倍的漏光强度，在第4模型M4(截面积比0∶10)中具有约11.8倍的漏光强度。换言之，在本实施方式中，只要至少形成微小的第2吸收层5b，则具有降低漏光强度的效果，并且可知：当第1吸收层5a与第2吸收层5b的截面积比相等(5∶5、左右对称)时，漏光强度的降低效果最佳。另一方面，图3(d)是针对各个模型(M1～M4)表示了来自相对光轴L转过旋转角φ的出射主偏光元件200b的出射光强度的结果。图中，φ＝0°、180°是图1所示的坐标系中的X-Z平面内，前者与来自第2吸收层5b侧的入射光对应、后者与来自第1吸收层5a侧的入射光对应。由图3(d)可知，在第1模型M1中，第1象限到第4象限的强度分布几乎相同。该强度分布与将理想的吸收型偏光元件以正交偏光配置的状态相同，通过第1模型M1不会产生旋光。另一方面，关于第2模型M2到第4模型M4，第1象限与第2象限间、以及第3象限与第4象限间的对称性瓦解、并且漏光强度增加。从图2(a)可知，这是由于构造的左右对象性瓦解，使得截面内的光学轴从Z轴方向倾斜，导致对斜入射光增加了旋光性。

另外，除了上述θ＝5°的斜入射光的模拟之外，通过θ＝10°及θ＝20°的斜入射光也可以进行上述同样的模拟。由此，与上述同样，通过在第1吸收层5a的基础上形成第2吸收层5b，具有降低漏光强度的效果，进而，当第1吸收层5a与第2吸收层5b的截面积比相等(5∶5)时，漏光强度最低。

对于如上述那样构成的本实施方式的偏光元件1，基板2的表面侧、即栅格状的反射层3、电介质层4及吸收层5的形成面侧被作为光入射面。而且，偏光元件1通过利用光的透射、反射、干涉、基于光学各向异性对偏光波进行的选择性光吸收这4个作用，使得具有与反射层3的排列方向平行的电场成分(栅格轴方向、Y轴方向)的偏光波(TE波(S波))衰减，并且使具有与反射层3的排列方向垂直的电场成分(栅格直角方向、X轴方向)的偏光波(TM波(P波))透射。即，TE波因吸收层5的光吸收作用而衰减。反射层3作为线栅发挥功能，对透过吸收层5及电介质层4的TE波进行反射。这里，被反射层3反射的TE波与被吸收层5反射的TE波干涉而衰减。这样能够进行TE波的选择性衰减。

(偏光元件的制造方法)

接着，对偏光元件的制造方法进行说明。图4是表示偏光元件的制造方法的步骤图。本实施方式涉及的偏光元件的制造方法包括：在基板上形成多个隔开一定间隔并排列成带状的反射层的反射层形成步骤；在反射层上形成电介质层的电介质层形成步骤；和在电介质层上形成朝向邻接的一方的反射层侧、与邻接的另一方的反射层侧各具有凸部的吸收层的吸收层形成步骤。并且，在吸收层形成步骤中，包括：第1吸收层形成步骤，从邻接的反射层中的一方的反射层侧倾斜成膜，在一方的反射层侧形成倾斜的具有第1凸部的第1吸收层；和第2吸收层形成步骤，从邻接的反射层中的另一方的反射层侧倾斜成膜，在另一方的反射层侧形成倾斜的具有第2凸部的第2吸收层。下面，参照附图进行说明。

在图4(a)的反射层形成步骤中，在基板2上形成反射层3。例如，通过使用光刻法对铝等的金属膜进行图案加工来形成。

在图4(b)的电介质层形成步骤中，在反射层3上形成电介质层4。例如，通过溅射法、溶胶凝胶法形成SiO₂等的电介质层4。

在图4(c)的第1吸收层形成步骤中，从邻接的反射层3中的一方的反射层3侧倾斜成膜，在一方的反射层3侧形成倾斜的具有第1凸部10a的第1吸收层5a。具体而言，例如使用溅射装置，通过从斜向对形成有反射层3的基板2堆积溅射粒子，来形成第1吸收层5a。其中，在图4(c)中用箭头表示了溅射粒子的入射方向。针对基板2面的倾斜成膜的倾斜角度，可在大致0～50°的范围适当设定。

在图4(d)的第2吸收层形成步骤中，从邻接的反射层3中的另一方的反射层3侧倾斜成膜，在另一方的反射层3侧形成倾斜的具有第2凸部10b的第2吸收层5b。即，从与上述的第1吸收层形成步骤中的倾斜成膜的倾斜方向相反方向的倾斜方向成膜。具体而言，例如使用溅射装置，通过从倾斜方向对形成有反射层3的基板2堆积溅射粒子，来形成第2吸收层5b。其中，在图4(d)中用箭头表示了溅射粒子的入射方向。针对基板2面的倾斜成膜的倾斜角度，可在大致0～50°的范围适当设定。

需要说明的是，在上述的第1及第2吸收层形成步骤中，通过上述的倾斜成膜，在电介质层4上形成无机微粒50a，该无机微粒50a具有反射层3的排列方向上的微粒直径的长度La，比与反射层3的排列方向正交的方向上的微粒直径的长度Lb长的形状各向异性(参照图1(c))。

另外，还可以在第2吸收层形成步骤之后，进行第1吸收层形成步骤，或同时进行第1及第2吸收层形成步骤。

这里，在上述的第1及第2吸收层形成步骤的倾斜成膜中，在靠近溅射装置的靶一侧及远离靶一侧，堆积的溅射粒子的量不同，具有越靠近靶堆积的溅射粒子的量越多的倾向。因此，在图4(c)所示的第1吸收层形成步骤中，越靠近溅射装置的靶一侧(X轴负方向侧)第1吸收层5a的体积越大，越远离靶一侧(X轴正方向侧)第1吸收层5a的体积越小。另一方面，在图4(d)所示的第2吸收层形成步骤中，越靠近溅射装置的靶一侧(X轴正方向侧)第2吸收层5b的体积越大，越远离靶一侧(X轴负方向侧)第2吸收层5b的体积越小。因此，各第1吸收层5a及各第2吸收层5b的体积不同，但和各反射层3对应的第1吸收层5a与第2吸收层5b的体积之和相等，在各反射层3上形成体积相等的吸收层5。由此，能够具备取得了均衡的光学特性。

在图4(e)的保护层形成步骤中，在第1及第2吸收层5a、5b上形成保护层6。保护层6例如通过对SiO₂实施溅射法等来形成。经过以上的步骤，能够制造偏光元件1。

(电子设备的构成)

接着，对电子设备的构成进行说明。图5是表示作为电子设备的液晶投影仪的构成的简略图。液晶投影仪100具备作为光源的灯、液晶面板和偏光元件1等。

如图5所示，液晶投影仪100的光学引擎部分具备：针对红色光LR的入射侧偏光元件1A、液晶面板90、出射预偏光元件1B、出射主偏光元件1C、针对绿色光LG的入射侧偏光元件1A、液晶面板90、出射预偏光元件1B、出射主偏光元件1C、针对蓝色光LB的入射侧偏光元件1A、液晶面板90、出射预偏光元件1B、出射主偏光元件1C和对从各个出射主偏光元件1C出来的光进行合成并向投影镜头(未图示)射出的十字分色镜(Cross Dichroic Prism)60。这里，偏光元件1可分别应用于入射侧偏光元件1A、出射预偏光元件1B、出射主偏光元件1C。尤其是通过将偏光元件1应用于出射预偏光元件1B，能够降低来自出射主偏光元件1C的漏光强度，提高对比度。

在液晶投影仪100中，利用分光镜(未图示)将从光源灯(未图示)射出的光分离成红色光LR、绿色光LG、蓝色光LB，并入射到与各个光对应的入射侧偏光元件1A，接着，通过各个入射侧偏光元件1A而偏光后的光LR、LG、LB被液晶面板90空间调制后射出，并在通过了出射预偏光元件1B、出射主偏光元件1C后，被十字分色镜60合成，从投影镜头投影。即使光源灯是高输出的灯，由于偏光元件1相对于强光具有优异的耐光特性，所以能够提供高可靠性的液晶投影仪。

另外，搭载有偏光元件1的电子设备不局限于液晶投影仪100，除此之外，例如还能够应用到汽车的导航仪、仪表盘的液晶显示器等中。

因此，根据上述实施方式，具有以下所示的效果。

偏光元件1具备吸收层5，该吸收层5包括：在邻接的一方的反射层3侧倾斜并具有第1凸部10a的第1吸收层5a、和在邻接的另一方的反射层3侧倾斜并具有第2凸部10b的第2吸收层5b。由此，表面积增大，能够提高散热性。并且，相对于斜入射光的旋光性下降，降低了漏光强度。另外，通过使第1吸收层5a与第2吸收层5b的截面积比相等，能够进一步降低漏光强度。而且，通过将这样的偏光元件1应用于液晶投影仪100，能够提供散热性及光学特性优异且对比度较高的液晶投影仪100。

此外，并不仅局限于上述的实施方式，还可列举如下的变形例。

(变形例1)在上述实施方式中，虽然使第1吸收层5a与第2吸收层5b的截面积比相等(5∶5)，但并不局限于此。例如，第1吸收层5a相对于第2吸收层5b的截面积比(第1吸收层5a的截面积∶第2吸收层5b的截面积)可以为1∶9，也可以为9∶1。即，只要朝向不同的方向分别形成第1吸收层5a和第2吸收层5b即可。由此，也能够使旋光性下降，降低漏光强度。

(变形例2)在上述实施方式中，将第1吸收层5a固定为一定的截面积，使第2吸收层5b的截面积变化，但也可以将第2吸收层5b固定为一定的截面积固定而使第1吸收层5a的截面积变化。换言之，可以将第1吸收层5a与第2吸收层5b交换。由此，也能够获得与上述相同的效果。

Claims (8)

1.一种偏光元件，其特征在于，具备：

基板；

多个反射层，其位于所述基板上，隔开一定间隔被排列成带状；

形成在所述反射层上的电介质层；以及

吸收层，其位于所述电介质层上，朝向邻接的一方的所述反射层侧和邻接的另一方的所述反射层侧各具有凸部。

2.根据权利要求1所述的偏光元件，其特征在于，

在邻接的所述吸收层之间具有缝隙。

3.根据权利要求1或2所述的偏光元件，其特征在于，

所述吸收层具有第1吸收层和第2吸收层，

所述第1吸收层具有被设置在邻接的一方的所述反射层侧的第1凸部，所述第2吸收层具有被设置于邻接的另一方的所述反射层侧的第2凸部。

4.根据权利要求3所述的偏光元件，其特征在于，

在与所述反射层的排列方向正交的剖视下，所述第1吸收层与所述第2吸收层的截面积比相等。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的偏光元件，其特征在于，

所述吸收层由下述的无机微粒形成，

该无机微粒具有所述反射层的排列方向上的微粒直径的长度，比与所述反射层的排列方向正交的方向上的微粒直径的长度长的形状各向异性。

6.一种偏光元件的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成隔开一定间隔被排列成带状的多个反射层的反射层形成步骤；

在所述反射层上形成电介质层的电介质层形成步骤；以及

在所述电介质层上形成朝向邻接的一方的所述反射层侧和邻接的另一方的所述反射层侧各具有凸部的吸收层的吸收层形成步骤。

7.根据权利要求6所述的偏光元件的制造方法，其特征在于，

在所述吸收层形成步骤中，包括：

第1吸收层形成步骤，从邻接的所述反射层中的一方的所述反射层侧倾斜成膜，在所述一方的所述反射层侧形成倾斜的具有第1凸部的第1吸收层；和

第2吸收层形成步骤，从邻接的所述反射层中的另一方的所述反射层侧倾斜成膜，在所述另一方的所述反射层侧形成倾斜的具有第2凸部的第2吸收层。

8.一种电子设备，其特征在于，搭载有权利要求1～5中任意一项所述的偏光元件、或通过权利要求6或7所述的偏光元件的制造方法制成的偏光元件。

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