CN102108550A - 一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法 - Google Patents
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Abstract
一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法。本发明的核心内容是采用碳酸铯和硼酸为原料，其中铯过量5％的摩尔百分比，于普通硅碳棒炉子900℃条件下熔融反应至原料全部熔解，装入坩埚，坩埚上面盖上一层环状白金片，然后放入自制的熔盐炉中生长。本发明解决了三硼酸铯生长过程严重挥发问题，从而生长得到优质晶体。
Description
【技术领域】
本发明属于晶体生长领域，具体指一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法
【技术背景】
三硼酸铯(化学式CsB3O5，简称CBO)是硼酸盐中一种新型的非线性晶体，非线性系数和LBO大致相同，紫外波段透光能力优于BBO，抗激光损伤阈值高于BBO，特别在晶体制备上优于BBO和LBO，CBO是同成分熔融化合物，不用采用外加助熔剂，可以有效减少助熔剂带来影响。
该晶体虽然在某些方面具有比BBO和LBO更好的性能，但是该晶体生长过程由于挥发严重，组分容易偏离，晶体生长困难。
本发明采用一种简单方法有效降低生长过程中的挥发，晶体稳定生长，得到优质晶体毛坯。
【发明内容】
本发明的目的是探究一种简单、高效的方法，有效降低晶体生长过程的挥发，晶体稳定生长得到优质晶体毛坯。
为降低挥发，本发明通过如下方式实现：采用碳酸铯和硼酸为原料，其中铯过量5％(摩尔百分比)，于普通硅碳棒炉子900℃条件下熔融反应至原料全部熔解，装入φ60坩埚，坩埚上面盖上一层环状白金片(见图1)，然后放入自制的熔盐炉中生长(见图2)。
本发明优点在于通过设计温场，使得坩埚上面50mm以上温度比坩埚部分温度高，同时在坩埚上面加上环状白金盖片，有效降低挥发，晶体能够稳定生长，得到优质毛坯。因此该方法具有简单、高效特点。
【附图说明】
图1是环状白金盖片示意图
图2是自制熔盐炉结构示意图
【具体实施方式】
实施例一：称取一定量的碳酸铯和硼酸为原料，其中铯过量5％(摩尔百分比)，于普通硅碳棒炉子900℃条件下熔融反应至原料全部熔解，装入φ60坩埚，坩埚上面盖上一层特制环状白金片，然后放入自制的熔盐炉中生长，生长结果原料挥发量减少显著，并且得到了较为优质的单晶 。
Claims (3)
1.一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法，其特征在于：采用碳酸铯和硼酸为原料，于普通硅碳棒炉子熔融反应至原料全部熔解，装入坩埚；坩埚上面盖上一层环状白金片，放入自制熔盐炉中生长。
2.如权利要求1所述一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法，其特征在于所使用原料碳酸硼和硼酸中，铯过量5％的摩尔百分比。
3.如权利要求2所述一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法，其特征在于所使用自制熔盐炉，坩埚50mm位置以上温度高于坩埚位置。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2010
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