CN102106186A - 有机电致发光显示面板及其制造方法 - Google Patents

有机电致发光显示面板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102106186A
CN102106186A CN2010800021652A CN201080002165A CN102106186A CN 102106186 A CN102106186 A CN 102106186A CN 2010800021652 A CN2010800021652 A CN 2010800021652A CN 201080002165 A CN201080002165 A CN 201080002165A CN 102106186 A CN102106186 A CN 102106186A
Authority
CN
China
Prior art keywords
separation levee
pixel electrode
organic
pixel
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800021652A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102106186B (zh
Inventor
中谷修平
室真弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Design And Development Contract Society
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN102106186A publication Critical patent/CN102106186A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102106186B publication Critical patent/CN102106186B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了有机EL显示面板，其包括：基板、排列在所述基板上的两个以上的像素电极、位于与至少一个所述像素电极相邻的位置且配置在所述基板上的总线电极、通过涂覆法形成在所述像素电极上的有机层、配置在所述基板上且规定所述有机层的配置区域的两个以上的隔堤、以及配置在所述有机层上且与所述总线电极连接的对向电极，所述两个以上的隔堤包含配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤以及配置在所述像素电极间的隔堤，配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤的表面的亲液性低于配置在所述像素电极间的隔堤的亲液性。

Description

有机电致发光显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机EL(Electroluminescent：电致发光)显示面板及其制造方法。
背景技术
有机EL显示面板是具有发光元件(有机EL元件)的显示面板，所述发光元件利用了有机化合物的电致发光。也就是说，有机EL显示面板具有有机EL元件，该有机EL元件包括：像素电极、配置在像素电极上的有机发光层以及配置在有机发光层上的对向电极。有机发光层所包含的有机EL材料可大致分为低分子有机化合物的组合(基质材料和掺杂材料)和高分子有机化合物。作为高分子有机化合物的例子包括：称为PPV的聚苯亚乙烯(polyphenylenevinylene)和其衍生物等。利用了高分子有机化合物的有机EL显示面板被认为能够以较低电压驱动、功耗少、易于对应显示面板的大型化，从而在积极地对其进行研究。
但是，若将具有有机El元件的显示面板大型化，则有时产生没有被充分地提供来自配线的电流的区域，在显示面板的端部和中央部出现亮度不均匀。特别是，以薄膜晶体管驱动各个有机EL元件的有源矩阵型的有机EL显示面板中，面板内的各个有机EL元件共享一个共同的对向电极，所以例如从面板的中央部的像素至接地电极为止的距离与从面板的端部的像素至接地电极为止的距离不同。这样若从像素至接地电极为止的距离因像素的位置而变动，则配线电阻值也因像素的位置而变动。由此，流过对向电极中的电流的量容易不均匀。因此，特别是有源矩阵型的有机EL显示面板中存在亮度的偏差明显的问题。
为了解决这样的问题，已知有形成具有高导电性且与对向电极电连接的总线电极(bus electrode)的方法(例如参照专利文献1～7)。
图1是专利文献1公开的有机EL器件的剖面图。如图1所示，专利文献1公开的有机EL器件包括：配置在绝缘基板11上的像素电极13、配置在像素电极13上的有机层15、配置在有机层15上的对向电极17以及配置在绝缘基板11上的总线电极19。总线电极19与对向电极17连接。
在图1所示的有机EL器件中，由于总线电极19与对向电极17电连接，所以即使对向电极17的电阻值较高，也能够使流过对向电极17中的电流量恒定，从而能够在有机EL显示面板内防止亮度偏差。
专利文献1：(日本)特开2004-111369号公报
专利文献2：(日本)特开2006-113376号公报
专利文献3：(日本)特开2007-103126号公报
专利文献4：(日本)特开2005-031645号公报
专利文献5：美国专利申请公开第2006/0082284号说明书
专利文献6：美国专利申请公开第2005/0051776号说明书
专利文献7：美国专利申请公开第2004/0108810号说明书
但是，在如图1所示的具有与对向电极连接的总线电极的有机EL显示面板中，在通过喷墨法等涂覆法形成有机层时，存在有机层的膜厚不均匀的问题。有机层的膜厚不均匀时，不仅有机EL显示面板的亮度存在偏差，而且也缩短有机EL显示面板的寿命。
以下，参照图2A～2D，说明设置总线电极和通过涂覆法形成的有机层的膜厚不均匀之间的关系。
图2A是形成有机层之前的有机EL显示面板的剖面的部分放大图。图2A所示的有机EL显示面板包括：配置在基板101上的像素电极103R、103G、103B、总线电极105以及隔堤107。隔堤107包括：配置在总线电极105和像素电极103之间的隔堤(以下也称为“像素-总线间隔堤”)107a和配置在像素电极间的隔堤(以下也称为“像素间隔堤”)107b。
在像素电极103R上配置发出红色光的有机层(有机发光层)；在103G上配置发送绿色光的有机层；以及在103B上配置发出蓝色光的有机层(参照图2D)。总线电极105通常配置为夹着由RGB三色的子像素构成的一个像素。
图2B表示在由隔堤107规定的区域内的像素电极103上涂覆了有机层的材料液130的情形。此时，由于总线电极105上不存在有机层的材料液130，所以在像素-总线间隔堤107a的附近，材料液130的溶剂的蒸气浓度变低。
图2C表示由隔堤107规定的区域内的有机层的材料液130干燥的情形。如上所述，由于在总线电极105的附近，溶剂的蒸气浓度低，所以促进有机层的材料液的干燥。涂覆后的材料液向干燥速度快的一方对流，所以涂覆在像素电极130R上的有机层的材料液被向像素-总线间隔堤107a侧吸引。同样，涂覆在像素电极103B上的有机层的材料液130也被向像素-总线间隔堤107a侧吸引。
其结果，如图2D所示，形成在由像素-总线间隔堤107a和像素间隔堤107b规定的区域内的有机层(109R和109B)的端部的高度存在偏差。图2E表示图2D所示的有机层109R的放大图。如图2E所示，像素-总线间隔堤107a侧的有机层109R的端部109E高于像素间隔堤107b侧的有机层109R的端部109E’。
有机层的端部的高度存在偏差时，有机层的膜厚变得不均匀。图3表示图2D所示的有机EL显示面板的有机层的膜厚分布。如图3所示，形成在由像素-总线间隔堤107a和像素间隔堤107b规定的区域内的有机层109R和109B的膜厚在像素-总线间隔堤107a侧变厚，而在像素间隔堤107b侧变薄。这样，在配置了总线电极时，有时有机层的端部的高度存在偏差，有机层的膜厚变得不均匀。
发明内容
本发明的目的在于提供即使在设置总线电极的情况下，也具有均匀膜厚的有机层的有机EL显示面板。
本发明人发现通过调节配置在总线电极和像素电极之间的隔堤的特性以及调节配置在像素电极间的隔堤的特性，使有机层的端部的高度均匀，从而能够使有机层的膜厚均匀，并经过进一步的研究，完成了本发明。
也就是说，本发明的第一方面，是关于以下所述的有机EL显示面板。
[1]有机EL显示面板，包括：基板、排列在所述基板上的两个以上的像素电极、位于与至少一个所述像素电极相邻的位置且配置在所述基板上的总线电极、配置在所述像素电极上的有机层、配置在所述基板上且规定所述有机层的配置区域的两个以上的隔堤、以及配置在所述有机层上且与所述总线电极连接的对向电极，所述两个以上的隔堤包含配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤以及配置在所述像素电极间的隔堤，配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤的表面的亲液性低于配置在所述像素电极间的隔堤的亲液性。
本发明的第二方面是有关以下所述的有机EL显示面板。
[2]有机EL显示面板，包括：基板、排列在所述基板上的两个以上的像素电极、位于与至少一个所述像素电极相邻的位置且配置在所述基板上的总线电极、配置在所述像素电极上的有机层、配置在所述基板上且规定所述有机层的配置区域的两个以上的隔堤、以及配置在所述有机层上且与所述总线电极连接的对向电极，所述两个以上的隔堤包含配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤以及配置在所述像素电极间的隔堤，配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤的所述像素电极侧的锥角小于配置在所述像素电极间的隔堤的锥角。
本发明的第三方面，是关于以下所述的有机EL显示面板的制造方法。
[3]有机EL显示面板的制造方法，包括以下步骤：准备基板，所述基板上配置了两个以上的像素电极以及位于与至少一个所述像素电极相邻的位置的总线电极；在所述基板上形成光敏性树脂膜；对所述光敏性树脂膜进行曝光及显影而对两个以上的隔堤进行图案化，所述两个以上的隔堤包含配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤以及配置在所述像素电极间的隔堤；对所述两个以上的隔堤进行煅烧，将所述两个以上的隔堤固定在所述基板上；在所述煅烧后，仅对配置在所述像素电极间的隔堤选择性地照射活性光线；以及在由所述两个以上的隔堤规定的区域内的所述像素电极上涂覆包含有机层的材料的墨而形成有机层。
本发明的第四方面，是关于以下所述的有机EL显示面板的制造方法。
[4]有机EL显示面板的制造方法，包括以下步骤：准备基板，所述基板上配置了两个以上的像素电极以及位于与至少一个所述像素电极相邻的位置的总线电极；在所述基板上形成负型光敏性树脂膜；对所述光敏性树脂膜进行曝光及显影而对两个以上的隔堤进行图案化，所述两个以上的隔堤包含配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤以及配置在所述像素电极间的隔堤；在所述显影后，仅对配置在所述像素电极间的隔堤进行再次曝光；对所述两个以上的隔堤进行煅烧，将所述两个以上的隔堤固定在所述基板上；以及在由所述两个以上的隔堤规定的区域内的所述像素电极上涂覆包含有机层的材料的墨而形成有机层。
根据本发明，即使在设置总线电极的情况下，也能够使有机层的端部的高度均匀并使有机层的膜厚均匀。因此，根据本发明，能够提供有机层的膜厚的偏差较少且发光特性优异的有机EL显示面板。
附图说明
图1是以往的有机EL显示面板所包含的有机EL元件的剖面图。
图2是表示以夹着像素的方式配置了总线电极时的有机层的变化的图。
图3是表示有机层的膜厚分布的图表。
图4是表示紫外线照射时间与隔堤上表面的苯甲醚的接触角之间的关系的图表。
图5是表示干燥过程中的材料液的变化的示意图。
图6是表示干燥过程中的材料液的变化的示意图。
图7是实施方式1的有机EL显示面板的剖面图。
图8是表示实施方式1的有机EL显示面板的制造方法的图。
图9是表示实施方式1的有机EL显示面板的制造方法的图。
图10是实施方式2的有机EL显示面板的剖面图。
图11是表示实施方式2的有机EL显示面板的制造方法的图。
标号的说明
100、200有机EL显示面板
101基板
103像素电极
105总线电极
106光敏性树脂膜
107隔堤
107a、207a像素-总线间隔堤
107b、207b像素间隔堤
109有机层
111空穴输入层
113空穴输送层
115有机发光层
117对向电极
119密封膜
120掩膜
130材料液
131液滴端部
具体实施方式
1、关于本发明的有机EL显示面板
本发明的有机EL显示面板包括在基板上矩阵状地配置的有机EL元件。各个有机EL元件包括：像素电极、配置在像素电极上的有机层以及配置在有机层上的对向电极。在本发明中通过涂覆法形成有机层。
更具体而言，本发明的有机EL显示面板包括：(1)基板、(2)两个以上的像素电极、(3)总线电极、(4)两个以上的隔堤、(5)两个以上的有机层、以及(6)对向电极。如后所述，本发明的有机EL显示面板的特征在于隔堤的特性。
本发明的目的在于抑制与对向电极连接了的总线电极附近的有机层的膜厚的偏差。因此，本发明在需要总线电极的有源矩阵型有机EL显示面板中特别有效。以下说明本发明的有机EL显示面板的各个构成要件。
(1)基板
本发明的有机EL显示面板的基板根据是底部发光型还是顶部发光型，其材料不同。例如，在为底部发光型时，要求基板是透明的。作为这样的基板的材料的例子，包括玻璃或透明树脂等。另一方面，在为顶部发光型时，并不需要基板是透明的。此时，只要基板是绝缘体即可。
另外，基板也可以具有用于驱动有机EL元件的薄膜晶体管(驱动TFT)。TFT的源电极或漏电极被连接到后述的像素电极。另外，有机EL元件也可以配置在与TFT器件的源电极或漏电极同一平面。当然，有机EL元件也可以层叠地配置在TFT器件上。
(2)像素电极
像素电极是配置在基板上的导电性部件。本发明的有机EL显示面板上矩阵状地排列两个以上的像素电极。像素电极通常作为阳极发挥作用，但也可以作为阴极发挥作用。
在底部发光型有机EL显示面板中要求像素电极是透明的。作为这样的像素电极的材料的例子包括ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或ZnO(氧化锌)等。
在顶部发光型有机EL显示面板中对像素电极要求光反射性。作为这样的像素电极的材料的例子包括：含有银的合金更具体而言为银-钯-铜合金(也称为APC)或银-钌-金合金(也称为ARA)、MoCr(钼铬)、NiCr(镍铬)、铝-钕合金(也称为Al-Nd)等的铝类合金等。另外，也可以在具有反射性的像素电极的表面配置ITO膜或IZO膜。像素电极的厚度通常为100nm～500nm，可以约为150nm。
另外，也可以在像素电极上配置空穴输入层。空穴输入层是具有下述功能的层，即对从像素电极至后述的有机层的空穴的输入进行辅助。因此，空穴输入层配置在像素电极和有机层之间。
作为空穴输入层的材料的例子包括掺杂了聚苯乙烯磺酸的聚(3、4-亚乙基二氧噻吩)(称为“PEDOT-PSS”)、过渡金属的氧化物等，但优选的是空穴输入层的材料为过渡金属的氧化物。由PEDOT构成的空穴输入层通过涂覆法形成，所以空穴输入层的膜厚难以变得均匀。另外，由于PEDOT具有导电性，有机EL元件短路的可能性较高。另一方面，由过渡金属的氧化物构成的空穴输入层通过溅射法形成，所以具有均匀的膜厚。
作为过渡金属的例子包括：钨、钼、钛、钒、钌、锰、铬、镍、铱以及这些过渡金属的组合等。优选的空穴输入层的材料为氧化钨(WOx)或氧化钼(MoOx)。空穴输入层的厚度通常为10nm～100nm，可以约为30nm。另外，只要能够将空穴从像素电极高效率地输入到有机层，也可以省略空穴输入层。
(3)总线电极
总线电极是用于对配线阻抗的偏差进行校正的导电性部件。能够通过总线电极对面板内的各个像素施加均匀的电压。总线电极配置在基板上。总线电极与后述对向电极电连接。总线电极配置在与至少一个的像素电极相邻的位置。总线电极和像素电极由后述的隔堤绝缘。总线电极的材料可以与像素电极的材料相同，也可以与其不同。
(4)隔堤
隔堤是用于规定后述的有机层的配置区域的隔壁。另外，隔堤配置在基板上。隔堤包括：配置在总线电极和像素电极之间的隔堤(以下也称为“像素-总线间隔堤”)以及配置在像素电极间的隔堤(以下也称为“像素间隔堤”)。本发明的特征在于像素-总线间隔堤的特性与像素间隔堤的特性不同。在后面叙述像素-总线间隔堤及像素间隔堤的特性。
优选的是，隔堤的自基板的表面的高度是0.1～3μm，特别优选，其高度是0.8μm～1.2μm。在隔堤的高度为超过3μm时，有可能由于隔堤而使后述的所有有机EL元件共享的一个对向电极被分断。另外，在隔堤的高度不足0.1μm时，涂覆在由隔堤规定的区域内的墨有可能从隔堤漏出。
此外，优选的是，隔堤的形状是正锥形。所谓正锥形指的是隔堤的壁面倾斜且隔堤的底面的面积大于隔堤的上表面的面积的形状。在隔堤的形状是锥状时，锥角优选是20°～80°，特别优选是35°～45°。在隔堤的锥角超过80°时，有可能由于隔堤而使后述的所有有机EL元件共享的一个对向电极被分断。
只要隔堤的材料是树脂并不特别限定，但优选是含有含氟树脂。作为含有含氟树脂的氟化合物的例子包括：偏氟乙烯(Vinylidene fluoride)、氟乙烯(vinyl fluoride)、三氟乙烯(trifluoroethylene)、以及其共聚物等的氟化树脂等。另外，作为含有含氟树脂的树脂的例子包括：酚醛树脂(phenol-novolacresins)、聚乙烯基苯酚树脂(polyvinylphenol resins)、丙烯酯树脂(acrylateresins)、甲基丙烯酸酯树脂(methacrylate resins)、以及其组合。
作为含氟树脂的更为具体的例子包括：例如特表2002-543469号公报中记载的含氟聚合物(氟乙烯)和乙烯基醚的共聚物即LUMIFLON(旭硝子株式会社的登录商标)等。
本发明的隔堤的特征在于，隔堤上表面的亲液性较低。这里，“隔堤的上表面”是指包含隔堤的顶点的面。通过降低隔堤的上表面的亲液性，能够确保用于规定有机层的材料液的隔堤的本来的功能，所述有机层通过涂覆法形成。隔堤上表面的水的接触角为80°以上，优选为90°以上；隔堤上表面的与苯甲醚的接触角优选为30°～70°。可利用协和界面科学公司制造的自动液晶玻璃洗净/处理检查装置，测定水及苯甲醚的接触角。
另外，优选的是，隔堤壁面的亲液性高于隔堤上表面的亲液性。这里所述“隔堤的壁面”是指包含与后述的有机层相接的面的面。通过提高隔堤的壁面的亲液性，能够使后述的有机层的材料液与隔堤壁面不相斥，并在由隔堤规定的区域内均匀地湿性扩展。隔堤壁面的苯甲醚的接触角优选为3°～30°。
通过对图案化为所期望的形状的含氟树脂的膜进行烘焙处理(煅烧处理)，能够形成这样上表面的亲液性较低而壁面的亲液性较高的隔堤。
表1是表示进行了烘焙处理的含氟树脂的厚度(高度)与含氟树脂膜表面的亲液性之间的关系的表。含氟树脂膜表面的亲液性通过水以及苯甲醚的接触角表示。意味着：水或苯甲醚的接触角越大，亲液性越低。通过协和界面科学公司制造的自动液晶玻璃洗净/处理检查装置，测定了水及苯甲醚的接触角。
另外，表1也是表示进行了烘焙处理的含氟树脂的厚度(高度)与含氟树脂膜表面的氟浓度之间的关系的表。氟原子浓度通过X-射线光电子能谱分析装置(PHI Quantera SXM(ULVAC PHI公司制造))测定。
【表1】
Figure BDA0000045319360000091
如表1所示，含氟树脂膜越厚(高)，含氟树脂膜的表面的氟浓度越高。氟成分具有抗液性，所以氟浓度越高，水的接触角及苯甲醚的接触角也变得越大(亲液性变得越低)。
因此，在由含氟树脂形成的隔堤上，上表面的亲液性最低而壁面下部的亲液性高。
另外，为了调节隔堤的亲液性，也可以用氟化气体对隔堤进行等离子处理。在通过基于氟化气体的等离子处理对隔堤的亲液性进行调节时，隔堤的材料优选是聚酰亚胺或丙烯酸树脂。特别是聚酰亚胺，由于其吸水性较低，优选其作为隔堤的材料。
关于像素-总线间隔堤以及像素间隔堤的特性
如上所述，本发明的特征在于像素-总线间隔堤的特性与像素间隔堤的特性不同。这里所谓“隔堤的特性”是指隔堤的表面的亲液性和隔堤的锥角等。也就是说，像素-总线间隔堤与像素间隔堤之间既可以是亲液性和锥角中的任一个不同，也可以是两者都不同。以下，划分为(i)亲液性不同的特性的情况和(ii)隔堤的锥角不同的特性的情况，说明像素-总线间隔堤及像素间隔堤的特性。
(i)亲液性不同的情况
此时，优选的是，像素-总线间隔堤的表面的亲液性低于像素间隔堤的表面的亲液性。更具体而言，像素-总线间隔堤的上表面的苯甲醚的接触角优选是40°以上且55°以下，另一方面，像素间隔堤的上表面的苯甲醚的接触角优选是30°以上且不足40°。另外，优选的是，像素-总线间隔堤的壁面的亲液性低于像素间隔堤的壁面的亲液性。通过使像素-总线间隔堤的亲液性低于像素间隔堤的亲液性，能够使形成在由像素-总线间隔堤和像素间隔堤规定了的区域内的有机层的端部的高度均匀，并使有机层的膜厚均匀(参照实施方式1)。
为了使像素-总线间隔堤的亲液性低于像素间隔堤的亲液性，例如可以仅对像素间隔堤照射活性光线而提高像素间隔堤的亲液性。
另外，如上所述由含氟树脂形成的隔堤的亲液性取决于隔堤的高度，所以也可以通过使像素-总线间隔堤高于像素间隔堤而降低像素-总线间隔堤的亲液性。
(ii)锥角不同的情况
此时，优选的是，像素-总线间隔堤的像素电极侧的锥角(以下也简称为“像素-总线间隔堤的锥角”)小于像素间隔堤的锥角。更具体而言，像素-总线间隔堤的锥角优选为20°以上且30°以下，像素间隔堤的锥角优选为超过30°且60°以下。通过使像素-总线间隔堤的锥角小于像素间隔堤的锥角，能够使形成在由像素-总线间隔堤和像素间隔堤规定了的区域内的有机层的端部的高度均匀，并使有机层的膜厚均匀(参照实施方式2)。
为了使像素-总线间隔堤的锥角小于像素间隔堤的锥角，例如如后述那样在隔堤的图案化后，仅对像素间隔堤进行再次曝光即可(参照图11)。
(5)有机层
有机层是至少含有有机发光层并且配置在像素电极上的层。通过在由隔堤规定的区域内涂覆有机层的材料液而形成有机层。通过喷墨法等涂覆法涂覆有机层的材料液(将有机层的材料溶解于苯甲醚或环己基苯等有机溶剂所得的墨)，能够容易且不会对其他材料造成损伤地形成有机层。
在以往的具有总线电极的有机EL显示面板中存在下述问题，即形成在由像素-总线间隔堤和像素间隔堤规定的区域内的有机层的端部的高度存在偏差(参照图2E)。但是在本发明中具有下述特征，即如上所述通过调节像素-总线间隔堤及像素间隔堤的特性，能够使形成在由像素-总线间隔堤和像素间隔堤规定的区域内的有机层的端部的高度均匀，并且有机层的膜厚是均匀的。这里所述“有机层的端部”是指有机层的对向电极侧的表面的端部。
只要能够通过涂覆法形成有机发光层，有机发光层所含有的有机EL材料既可以是高分子材料也可以是低分子材料。
低分子类有机EL材料包含掺杂材料和基质材料的组合。作为掺杂材料的例子包括：BCzVBi(4，7-二苯基-1，10-菲绕啉)、香豆素、红荧烯、DCJTB([2-tert-二叔丁基-6-[2-(2，3，6，7-四氢-1，1，7，7-四甲基-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基]丙二腈)等，作为基质材料的例子包括：DPVBi(4，4’-二(2，2-二苯乙烯基)二苯基)、Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)等。
作为高分子有机EL材料的例子包括：聚亚乙基苯(polyphenylenevinylene)以及其衍生物、聚乙炔(Poly acetylene)以及其衍生物、聚苯(Poly phenylene)以及其衍生物、聚对亚乙基苯(Poly paraphenylene ethylene)以及其衍生物、聚3-己基噻吩Poly 3-hexyl thiophene(P3HT))以及其衍生物、聚芴(polyfluorene(PF))以及其衍生物等。通过涂覆法容易地形成含有高分子有机EL材料的有机发光层，所以有机发光层所含有的有机EL材料优选高分子有机EL材料。
另一方面，作为低分子有机EL材料的例子包含三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-quinolinolate)aluminum)等。
适当地选择有机EL材料，以从各个副像素产生所期望的颜色(红色R、绿色G、蓝色B)。例如，在红色副像素的旁边配置绿色副像素，在绿色副像素的旁边配置蓝色副像素，在蓝色副像素的旁边配置红色副像素。另外，有机层的厚度优选约为50nm～150nm(例如60nm)。
有机层还可以具有空穴输送层(中间层：interlayer)、电子输送层等。空穴输送层具有阻挡电子侵入像素电极或空穴输入层的作用，并且具有将空穴高效率地运送到有机发光层的作用等，例如其为由聚苯胺类材料构成的层。因此，在像素电极或空穴输入层与有机发光层之间配置空穴输送层。空穴输送层的厚度通常在5nm以上且在100nm以下，优选的是在10nm以上且在50nm以下(例如约为20nm)。另外，只要能够将空穴高效率地输送到有机发光层，也可以省略空穴输送层。
(6)对向电极
对向电极是配置在有机层上的导电性部件。对向电极通常作为阴极发挥作用。根据有机EL显示面板是底部发光型还是顶部发光型，对向电极的材料不同。在为顶部发光型时需要对向电极是透明的，所以作为对向电极的材料的例子包括ITO或IZO等。进而，在为顶部发光型时，也可以在有机层和对向电极之间配置有机缓冲层。
另一方面，在为底部发光型时，并不需要对向电极透明。因此，对向电极的材料只要具有导电性，可以是任意材料。作为这样的对向电极的材料的例子包括钡(Ba)、氧化钡(BaO)或铝(Al)等。
通常，对向电极通过溅射法形成。另外，有机EL显示面板所包含的所有有机EL元件也可以共享一个对向电极。
也可以在对向电极上再配置密封膜。密封膜是用于保护有机层或像素电极等免受水分、热或冲击等的影响的膜。作为密封膜的材料的例子包括氮化硅或氮氧化硅等。密封膜的优选的厚度是20～500nm。
若对具有这样的结构的有机EL显示面板的像素电极和对向电极之间施加电压，则空穴从像素电极被注入有机层，电子从对向电极被注入有机层。所注入的空穴和电子在有机层的内部结合，产生激子。通过该激子有机层发光，从而使光发出。
2、本发明的有机EL显示面板的制造方法
只要不损害本发明的效果，可以采用任何方法制造本发明的有机EL显示面板。
一例优选的制造方法包括：
(1)第1步骤，准备配置了两个以上的像素电极和总线电极的基板；
(2)第2步骤，在基板上形成两个以上的隔堤；
(3)第3步骤，在由隔堤规定的区域内形成有机层；以及
(4)第4步骤，在有机层上形成对向电极。
以下，说明各个步骤。
(1)在第1步骤中，准备配置了两个以上的像素电极和总线电极的基板。像素电极及总线电极例如也可以对通过溅射法等形成在基板上的导电薄膜进行蚀刻来进行图案化而形成。在总线电极的材料和像素电极的材料相同的情况下，也可以同时形成总线电极和像素电极。
(2)在第2步骤中，在基板上形成两个以上的隔堤。如上所述，隔堤包含像素-总线间隔堤和像素间隔堤。在基板上形成隔堤的步骤还包括：(i)在基板上形成光敏性树脂膜的步骤i；(ii)对所形成的光敏性树脂膜进行曝光并显影而对隔堤进行图案化的步骤ii；以及(iii)对图案化后的隔堤进行煅烧，将隔堤固定在基板上的步骤iii。
(i)在步骤i中，在基板上形成光敏性树脂膜。为了在基板上形成光敏性树脂膜，通过旋涂(spin-coating)、模压涂层法、狭缝涂覆等将光敏性树脂组合物涂覆在基板上，对涂覆后的膜进行烘焙即可。并不特别限定烘焙条件，在80℃～100℃(例如100℃)下放置2分钟至3分钟即可。
(ii)在步骤ii中，对形成在基板上的光敏性树脂膜进行曝光并显影而对隔堤进行图案化。通过对隔堤进行图案化，使像素电极和总线电极露出。并不特别限定曝光条件，但将曝光量设为100～300mJ/cm2(例如为200mJ/cm2)，并将用于曝光的光设为365nm是主峰值的i线即可。为了对光敏性树脂膜进行显影，将曝光后的光敏性树脂膜例如浸泡在0.2％TMAH(四甲基氢氧化铵)液中60钞，此后用纯水冲洗60秒即可。
(iii)在步骤iii中，对图案化后的隔堤进行煅烧，将隔堤固定在基板。并不特别限定煅烧的条件，但例如温度约为200℃以上(例如为220℃)，时间约为1小时。通过对图案化后的隔堤进行煅烧，去除隔堤内的溶剂和水分，提高隔堤与基板之间的贴合性，从而隔堤被固定在基板上。另外，刚刚图案化后的隔堤的锥角是90°，并且不是正锥形(参照图11C)，但通过煅烧中的热量，隔堤的弹性率下降，隔堤的边缘在基板上扩展，从而隔堤变成正锥形(参照图11E)。
如上所述，本发明的特征在于：像素-总线间隔堤的亲液性低于像素间隔堤的亲液性，或者像素-总线间隔堤的锥角小于像素间隔堤的锥角。以下，说明(A)使像素-总线间隔堤的亲液性低于像素间隔堤的亲液性的方法以及(B)使像素-总线间隔堤的锥角小于像素间隔堤的锥角的方法。
(A)关于使像素-总线间隔堤的亲液性低于像素间隔堤的亲液性的方法(参照实施方式1)
为了使像素-总线间隔堤的亲液性低于像素间隔堤的亲液性，例如在基板上形成隔堤后，仅对像素间隔堤照射活性光线即可。为了仅对像素间隔堤照射活性光线，使用掩膜即可。作为用于照射的活性光线的例子包含紫外线、电子射线、放射线、等离子等。从容易处理的观点出发，活性光线优选是紫外线。作为紫外线的例子包含波长172nm的准分子UV。照射时间通常为2～10秒。
图4是表示对由含氟树脂形成的隔堤照射了紫外线(波长172nm)时的、照射时间和隔堤的亲液性(苯甲醚的接触角的减少量)之间的关系的图表。
如图4所示，紫外线的照射时间越长，苯甲醚的接触角越减少(亲液性越提高)。具体而言，通过照射5秒的紫外线，隔堤表面的苯甲醚的接触角约减少10°。这样，通过对像素间隔堤照射紫外线，能够提高像素间隔堤的亲液性。由此，能够使像素-总线间隔堤的亲液性低于像素间隔堤的亲液性。
另外，通过照射紫外线，能够获得去除像素电极上的隔堤的残渣的附带效果。这样通过去除像素电极上的隔堤的残渣，能够提高有机EL显示面板的发光特性。
另外，如上所述由含氟树脂形成的隔堤的亲液性取决于隔堤的高度，所以也可以通过使隔堤的材料为氟化树脂并使像素-总线间隔堤高于像素间隔堤，由此降低像素-总线间隔堤的亲液性。为了使像素-总线间隔堤高于像素间隔堤，在步骤ii，经由透射率不同的半色调掩膜对光敏性树脂膜进行曝光即可。
(B)关于使像素-总线间隔堤的锥角小于像素间隔堤的锥角的方法(参照实施方式2)
并不特别限定使像素-总线间隔堤的锥角小于像素间隔堤的锥角的方法，但使光敏性树脂膜为负型的光敏性树脂膜，在步骤ii之后且在步骤iii之前，仅对像素间隔堤再次曝光即可。通过对像素间隔堤进行再次曝光，像素间隔堤的玻璃转移温度和弹性率上升。对通过再次曝光而使隔堤的玻璃转移温度和弹性率上升的机理并不特别限定，但这是因为，对在步骤ii的曝光中没有充分进行光聚合和光固化的树脂材料，通过再次曝光，进一步进行光聚合和光固化。再次曝光时，并不特别限定曝光量，但例如为200～400mJ/cm2，优选为约300mJ/cm2。
若像素间隔堤的玻璃转移温度和弹性率上升，则不会因煅烧步骤的热量而使像素间隔堤的弹性率下降，并且像素间隔堤的边缘不会过分扩展。因此，像素间隔堤的锥角变大。另一方面，未进行再次曝光的像素-总线间隔堤的玻璃转移温度和弹性率依然较低，所以由于煅烧步骤的热量，像素-总线间隔堤的弹性率下降，像素-总线间隔堤的边缘扩展，像素-总线间隔堤的锥角变小(参照图11E)。由此，能够使像素-总线间隔堤的锥角小于像素间隔堤的锥角。
(3)在第3步骤中，在由隔堤规定的区域内形成有机层。通过使涂覆在由隔堤规定的区域内的有机层的材料液干燥而形成有机层。也可以通过之后的烘焙处理而使有机层固定。
所涂覆的有机层的材料液包含有机层的材料和溶剂。作为溶剂的例子包括：苯甲醚或环己基苯等芳香族类的溶剂。作为涂覆有机层的材料液的方法的例子包括：喷墨法、分配器分配法、喷嘴涂覆法、旋压覆盖法、凹版印刷、以及凸版印刷等。优选的涂覆方法是喷墨法。
这里说明涂覆在由隔堤规定的区域内的有机层的材料液在干燥过程中所示出的变化。图5A至图5C以及图6A至图6E是表示材料液在干燥过程中所示出的基本变化的示意图。
图5A是表示在由隔堤规定的区域内刚涂覆完有机层的材料液后的状态的示意图。如图5A所示，将材料液130涂覆到形成在基板101上的隔堤107的上表面为止，并且涂覆为不使其溢出到由隔堤划分出的相邻的副像素。刚涂覆完之后，由于液滴端部131中的表面张力的均衡，液滴端部131的接触角为θ。
材料液130开始干燥后，在保持表面张力的均衡的期间，如图5B所示，在液滴端部131被固定了的状态下，由于溶剂的蒸发，接触角从θ减少到后退角θR为止。这种干燥形式由于液滴的直径恒定，所以将其称为CCR(Constant Contact Radius：恒定接触半径)模式。
另外，后退角θR根据材料液的性质(粘度等)或隔堤表面的物理特性(表面自由能等)而变化。例如，如果隔堤的表面的亲液性变低，则后退角θR变大。
液滴端部131的接触角减少到后退接触角θR时，液滴端部131中的表面张力的均衡破坏，产生将材料液130吸入内部的力。其结果，如图5C所示，在接触角θR被固定了的状态下，由于溶剂的蒸发，液滴端部131向内侧移动，液滴的直径减少。这种干燥形式由于对基板的接触角恒定，所以将其称为CCA(Constant Contact Angle：恒定接触角)模式。该液滴的直径的减少一直持续到液滴端部131到达隔堤的角上(隔堤的上表面与壁面之间的边界线)为止。
液滴端部131到达隔堤107的角部时，如图6A所示，接触角的基准面由隔堤的上表面变为隔堤的壁面，所以接触角增大为θ’。由此，由于接触角大于后退接触角，所以液滴端部131的表面张力再次均衡。其结果，如图6B所示，在液滴端部131被固定在隔堤107的角部的状态下，由于溶剂的的蒸发，接触角从θ’减少到后退接触角θR’为止(CCR模式)。
接触角减少到后退接触角θR’时，如图6C所示，在接触角θR’被固定了的状态下，由于溶剂的蒸发，液滴端部131移动而液滴的体积减少(CCA模式)。
由于干燥而使液滴端部131附近的溶质的浓度达到临界浓度时，如图6D所示，材料液130胶凝化(gelled)，液滴端部131被固定在107的壁面上。将这样的液滴端部的位置确定的情况称为“锁定”(pinning)。特别是，将由于材料液的浓度的上升(粘度的上升)而产生的锁定称为“自锁定”(selfpinning)。自锁定之后，如图6E所示，液滴端部131在被固定了的状态下继续干燥，形成有机层109。
如上所述，在由隔堤规定的区域内，溶液的干燥在交替重复CCR模式和CCA模式中持续进行。
另外，在降低隔堤的亲液性时，后退接触角变大。因此，溶剂蒸发时液滴端部131的接触角立刻达到后退接触角，液滴端部131移动，液滴的体积减少(CCA模式干燥)的时间变长。在CCA模式下，干燥的时间较长时，直至液滴端部131附近的溶质的浓度达到临界浓度为止，液滴端部131能够移动到隔堤107的壁面的更下部。
其结果，液滴端部131被固定在隔堤107的壁面上的位置的高度(有机层的端部的高度)变低。这样在降低了隔堤的亲液性时，能够使降低了亲液性的隔堤壁面上的有机层的端部的高度下降。
另外，在减小了隔堤的锥角时，在以隔堤壁面为基准面时液滴端部131的接触角变小。因此，溶剂蒸发时液滴端部131的抵触角立刻达到后退接触角θR’，液滴端部131移动，液滴的体积减少(CCA模式干燥)的时间变长。在CCA模式下，干燥的时间较长时，直至液滴端部131附近的溶质的浓度达到临界浓度为止，液滴端部131能够移动到隔堤107的壁面的更下部。
其结果，液滴端部131被固定在隔堤107的壁面上的位置的高度(有机层的端部的高度)变低。这样在减小隔堤的锥角时，能够使减小了锥角的隔堤的壁面上的有机层的端部的高度下降。
在以往的有机EL显示面板中存在下述问题，即形成在由像素-总线间隔堤和像素间隔堤规定的区域内的有机层的像素-总线间隔堤侧的端部变高。对此，本发明的特征在于：降低像素-总线间隔堤的亲液性，或者减小像素-总线间隔堤的锥角。因此，能够降低像素-总线间隔堤侧的有机层的端部的高度，并形成具有均匀的膜厚的有机层。
(4)在第四步骤中，在有机层上形成对向电极。优选的是，对向电极通过溅射法等形成。
这样根据本发明，通过调节隔堤的特性，能够使有机层的端部的高度均匀，并使有机层的膜厚均匀。因此，根据本发明，能够提供发光特性优异的有机EL显示面板。
以下，参照附图，说明本发明的实施方式。
(实施方式1)
在实施方式1中，说明像素-总线间隔堤的亲液性较低的形态。另外，实施方式1的有机EL显示面板是顶部发光型。
图7是本发明实施方式1的有机EL显示面板100的剖面的部分放大图。如图7所示，有机EL显示面板100包括：基板101、反射像素电极103、总线电极105、空穴输入层111、空穴输送层113、红绿蓝三色的有机发光层115、隔堤107、对向电极117、以及密封膜119。
基板101例如为玻璃板。反射像素电极103例如为厚度100nm～200nm的APC合金层。总线电极105由与反射像素电极103同样的材料构成。
空穴输入层111是配置在反射像素电极103上的由厚度20～50nm的钨氧化物(WOx)构成的层。
空穴输送层113是配置在空穴输入层111上且由聚苯胺构成的厚度20～150nm的层。
有机发光层115是配置在空穴输送层113上且由聚芴(polyfluorene)的衍生物构成的厚度50nm～150nm的层。
隔堤107配置在基板101上且用于规定空穴输送层113和有机发光层115的区域。另外，隔堤107配置为覆盖空穴输入层111和总线电极105的一部分。
隔堤107包含配置在总线电极105和像素电极103之间的像素-总线间隔堤107a以及配置在像素电极103间的像素间隔堤107b。在本实施方式中，像素-总线间隔堤107a的表面的亲液性低于像素间隔堤107b的表面的亲液性。具体而言，像素-总线间隔堤107a的上表面的苯甲醚的接触角优选在40°以上且55°以下。另一方面，像素间隔堤107b的上表面的苯甲醚的接触角优选30°以上且不足40°。
这样使像素-总线间隔堤107a的表面的亲液性低于像素间隔堤107b的表面的亲液性，由此能够使有机层(空穴输送层、有机发光层)的端部的高度均匀，并获得膜厚均匀的有机层。
对向电极117例如是ITO。密封膜119例如是由氮化硅构成的厚度为20～500nm的层。
接着，说明本实施方式的有机EL显示面板的制造方法。图8A～8D以及图9A～9C是表示一例有机EL显示面板100的制造方法的示意图。
如图8A～8D以及图9A～9C所示，有机EL显示面板100的制造方法包括：(1)第1步骤，准备配置了反射像素电极103和总线电极105的基板101(图8A)；(2)第2步骤，在反射像素电极103上形成空穴输入层111(图8B)；(3)第3步骤，在基板101上形成隔堤107(图8C)；(4)第4步骤，仅对像素间隔堤107b照射紫外线(图8D)；(5)第5步骤，在由隔堤107规定的区域内的空穴输入层111上形成空穴输送层113(图9A)；(6)第6步骤，在空穴输送层113上形成有机发光层115(图9B)；以及(7)第7步骤，形成对向电极117以及密封膜119(图9C)。
(1)在第1步骤中，准备配置了反射像素电极103和总线电极105的基板101。就反射像素电极103和总线电极105而言，例如也可以通过对由溅射法等形成在基板101上的导电性膜进行蚀刻而进行图案化即可。
(2)在第2步骤中，在反射像素电极103上通过例如溅射来形成空穴输入层111。
(3)在第3步骤中，通过光刻法形成隔堤107。
(4)在第4步骤中，经由掩膜102仅对像素间隔堤107b照射紫外线。
(5)在第5步骤中，在空穴输入层111上形成空穴输送层113。在由隔堤107规定的区域内例如通过喷墨法涂覆空穴输送层113的材料液，由此形成空穴输送层113。
(6)在第6步骤中，在空穴输送层113上形成有机发光层115。在由隔堤107规定的区域内例如通过喷墨法涂覆有机发光层115的材料液，由此形成有机发光层115。
在以往的有机EL显示面板中存在下述问题，即形成在由像素-总线间隔堤和像素间隔堤规定的区域内的有机层(空穴输送层、有机发光层)的像素-总线间隔堤侧的端部变高(参照图2E)。但是，在本实施方式中，如上所述使像素-总线间隔堤107a的亲液性低于像素间隔堤107b的亲液性，由此能够降低像素-总线间隔堤侧的有机层的端部的高度。由此，能够使有机层的膜厚均匀。
(7)在第7步骤中，形成对向电极117和密封膜119。对向电极117例如通过蒸镀法形成，密封膜119例如通过化学气相沉积(Chemical VaporDeposition)法形成。
这样根据本发明实施方式1，使像素-总线间隔堤的亲液性低于像素间隔堤的亲液性，由此能够使有机层(空穴输送层、有机发光层)的端部的高度均匀，并获得膜厚均匀的有机层。另外，通过照射紫外线，也能够获得去除空穴输入层上的隔堤的残渣的附带效果。通过去除像素电极上的隔堤的残渣，能够提高有机EL显示面板的发光特性。
(实施方式2)
在实施方式1中，说明了像素-总线间隔堤的亲液性低于像素间隔堤的亲液性的形态。在实施方式2中，说明像素-总线间隔堤的锥角小于像素间隔堤的锥角的例子。
图10A是本发明实施方式2的有机EL显示面板200的剖面的部分放大图。实施方式2的有机EL显示面板与实施方式1的有机EL显示面板100除了像素-总线间隔堤的形状不同以外，其他相同。对与有机EL显示面板100相同的构成要素附加相同的附图标号，并省略其说明。
如图10A所示有机EL显示面板200包括像素-总线间隔堤207a和像素间隔堤207b。图10B是图10A中的用四边形X包围的区域的放大图。如图10B所示，像素-总线间隔堤207a的锥角α小于像素间隔堤207b的锥角β。像素-总线间隔堤207a的锥角α优选为20°以上且30°以下，像素间隔堤207b的锥角β优选为超过30°且60°以下。
这样使像素-总线间隔堤207a的锥角小于像素间隔堤207b的锥角，由此能够使有机层(空穴输送层、有机发光层)的端部的高度均匀，并获得膜厚均匀的有机层。
接着，说明本实施方式的有机EL显示面板200的制造方法。有机EL显示面板200的制造方法与有机EL显示面板100的制造方法除了隔堤的制造方法不同以外，其他都相同。因此，以下仅说明有机EL显示面板200的制造方法中的隔堤的制造方法。
图11A～图11E是表示一例有机EL显示面板200的隔堤的制造方法的示意图。如图11A～图11E所示，制造有机EL显示面板200的隔堤207的方法包括：(1)第1步骤，在基板101上形成负型光敏性树脂膜106(图11A)；(2)第2步骤，对光敏性树脂膜106进行曝光并显影而对隔堤207进行图案化(图11B、图11C)；(3)第3步骤，对像素间隔堤207b进行再次曝光(图11D)；以及(4)第4步骤，对隔堤207进行煅烧而将隔堤207固定在基板101上(图11E)。
(1)在第1步骤中，在配置了总线电极105、像素电极103以及空穴输入层111的基板101上形成负型光敏性树脂膜106。为了在基板101上形成光敏性树脂膜106，通过旋涂(spin-coating)、模压涂层法、狭缝涂覆等将光敏性树脂组合物涂覆在基板上，烘焙涂覆后的膜即可。
(2)在第2步骤中，对光敏性树脂膜106进行曝光并显影而对隔堤207进行图案化。通过对隔堤207进行图案化，使空穴输入层111和总线电极105露出。
(3)在第3步骤中，对像素间隔堤207b进行再次曝光。在第2步骤之后且第4步骤之前进行本步骤。进行再次曝光时的曝光量例如为300mJ/cm2。通过对像素间隔堤进行再次曝光，像素间隔堤207b的玻璃转移温度和弹性率上升。
(4)在第4步骤中，对图案化后的隔堤207进行煅烧。如上所述，像素隔堤207b的玻璃转移温度和弹性率较高，所以不会因煅烧步骤的热量而降低像素间隔堤207b的弹性率，像素间隔堤207b的边缘也不会过度扩展。因此，像素间隔堤207b的锥角变大。另一方面，未进行再次曝光的像素-总线间隔堤207a的玻璃转移温度和弹性率依然较低，所以通过煅烧步骤的热量，像素-总线间隔堤207a的弹性率下降，像素-总线间隔堤207a的边缘扩展，像素-总线间隔堤207a的锥角变小。由此，能够使像素-总线间隔堤的锥角小于像素间隔堤的锥角。
在以往的有机EL显示面板中存在下述问题，即形成在由像素-总线间隔堤和像素间隔堤规定的区域内的有机层(空穴输送层、有机发光层)的像素-总线间隔堤侧的端部变高(参照图2E)。但是，在本实施方式中，如上所述使像素-总线间隔堤207a的锥角小于像素间隔堤207b的锥角，由此能够降低像素-总线间隔堤207a侧的有机层的端部的高度。由此，能够使有机层的膜厚均匀。
这样根据本发明实施方式2，使像素-总线间隔堤的锥角小于像素间隔堤的锥角，由此能够使有机层(空穴输送层、有机发光层)的端部的高度均匀，并获得膜厚均匀的有机层。
本申请主张基于2009年6月4日提交的特愿第2009-135322号的优先权。该申请说明书中所记载的内容，全部被本申请说明书引用。
工业实用性
根据本发明，即使是具有总线电极时，也能够抑制有机层的膜厚的偏差，并提供发光特性优异的有机EL显示面板。

Claims (10)

1.有机电致发光显示面板，包括：
基板；
排列在所述基板上的两个以上的像素电极；
位于与至少一个所述像素电极相邻的位置且配置在所述基板上的总线电极；
配置在所述像素电极上的有机层；
配置在所述基板上且规定所述有机层的配置区域的两个以上的隔堤；以及
配置在所述有机层上且与所述总线电极连接的对向电极，
所述两个以上的隔堤包含配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤以及配置在所述像素电极间的隔堤，
配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤的表面的亲液性低于配置在所述像素电极间的隔堤的亲液性。
2.如权利要求1所述的有机电致发光显示面板，
配置在所述像素电极间的隔堤的上表面的苯甲醚的接触角为30°以上且不足40°，
配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤的上表面的苯甲醚的接触角为40°以上且55°以下。
3.如权利要求1所述的有机电致发光显示面板，
所述两个以上的隔堤分别含有含氟树脂。
4.如权利要求1所述的有机电致发光显示面板，
还包括：空穴输入层，其被配置在所述像素电极上，
所述有机层包含：配置在所述空穴输入层上的空穴输送层以及配置在所述空穴输送层上的有机发光层。
5.有机电致发光显示面板，包括：
基板；
排列在所述基板上的两个以上的像素电极；
位于与至少一个所述像素电极相邻的位置且配置在所述基板上的总线电极；
配置在所述像素电极上的有机层；
配置在所述基板上且规定所述有机层的配置区域的两个以上的隔堤；以及
配置在所述有机层上且与所述总线电极连接的对向电极，
所述两个以上的隔堤包含配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤以及配置在所述像素电极间的隔堤，
配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤的所述像素电极侧的锥角小于配置在所述像素电极间的隔堤的锥角。
6.如权利要求5所述的有机电致发光显示面板，
配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤的所述像素电极侧的锥角为20°以上且30°以下，
配置在所述像素电极间的隔堤的锥角为超过30°且60°以下。
7.如权利要求5所述的有机电致发光显示面板，
所述两个以上的隔堤分别含有含氟树脂。
8.如权利要求5所述的有机电致发光显示面板，
还包括：空穴输入层，其被配置在所述像素电极上，
所述有机层包含：配置在所述空穴输入层上的空穴输送层以及配置在所述空穴输送层上的有机发光层。
9.有机电致发光显示面板的制造方法，包括以下步骤：
准备基板，所述基板上配置了两个以上的像素电极以及位于与至少一个所述像素电极相邻的位置的总线电极；
在所述基板上形成光敏性树脂膜；
对所述光敏性树脂膜进行曝光及显影而对两个以上的隔堤进行图案化，所述两个以上的隔堤包含配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤以及配置在所述像素电极间的隔堤；
对所述两个以上的隔堤进行煅烧，将所述两个以上的隔堤固定在所述基板上；
在所述煅烧后，仅对配置在所述像素电极间的隔堤选择性地照射活性光线；以及
在由所述两个以上的隔堤规定的区域内的所述像素电极上涂覆包含有机层的材料的墨而形成有机层。
10.有机电致发光显示面板的制造方法，包括以下步骤：
准备基板，所述基板上配置了两个以上的像素电极以及位于与至少一个所述像素电极相邻的位置的总线电极；
在所述基板上形成负型光敏性树脂膜；
对所述光敏性树脂膜进行曝光及显影而对两个以上的隔堤进行图案化，所述两个以上的隔堤包含配置在所述总线电极和所述像素电极之间的隔堤以及配置在所述像素电极间的隔堤；
在所述显影后，仅对配置在所述像素电极间的隔堤进行再次曝光；
对所述两个以上的隔堤进行煅烧，将所述两个以上的隔堤固定在所述基板上；以及
在由所述两个以上的隔堤规定的区域内的所述像素电极上涂覆包含有机层的材料的墨而形成有机层。
CN201080002165.2A 2009-06-04 2010-05-11 有机电致发光显示面板 Active CN102106186B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP135322/09 2009-06-04
JP2009135322 2009-06-04
PCT/JP2010/003198 WO2010140301A1 (ja) 2009-06-04 2010-05-11 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102106186A true CN102106186A (zh) 2011-06-22
CN102106186B CN102106186B (zh) 2014-04-09

Family

ID=43297444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080002165.2A Active CN102106186B (zh) 2009-06-04 2010-05-11 有机电致发光显示面板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110233572A1 (zh)
EP (1) EP2391187B1 (zh)
JP (1) JP4621818B1 (zh)
CN (1) CN102106186B (zh)
WO (1) WO2010140301A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106531901A (zh) * 2015-09-10 2017-03-22 住友化学株式会社 带有围堰的基板
CN109728031A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件、显示器及移动通信设备
CN110491888A (zh) * 2019-08-30 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、阵列基板及其制备方法
WO2020057456A1 (zh) * 2018-09-20 2020-03-26 京东方科技集团股份有限公司 有机薄膜图案的制作方法及有机薄膜图案、阵列基板及显示装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8729534B2 (en) * 2009-06-29 2014-05-20 Panasonic Corporation Organic EL display panel
JP5677317B2 (ja) * 2010-10-15 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
CN102577612B (zh) * 2010-10-15 2015-11-25 株式会社日本有机雷特显示器 有机发光面板及其制造方法、以及有机显示装置
WO2012049713A1 (ja) * 2010-10-15 2012-04-19 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
JPWO2013069274A1 (ja) * 2011-11-10 2015-04-02 パナソニック株式会社 有機表示パネル、有機表示装置、有機発光装置、それらの製造方法、および薄膜形成方法
KR20140117206A (ko) * 2013-03-26 2014-10-07 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
US9559327B2 (en) 2013-09-13 2017-01-31 Joled Inc. Organic light emitting device and method for manufacturing same
JP2015076220A (ja) * 2013-10-08 2015-04-20 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器
US20170069697A1 (en) * 2014-05-23 2017-03-09 Joled Inc. Organic el display panel and organic el display device
KR102277380B1 (ko) * 2015-01-12 2021-07-14 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2016198142A1 (en) 2015-06-12 2016-12-15 Merck Patent Gmbh Organic electronic devices with fluoropolymer bank structures
CN106775039B (zh) * 2015-11-20 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏、其制作方法及显示装置
JP2018142442A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び有機ｅｌ表示装置
CN107799575B (zh) * 2017-10-31 2020-04-24 京东方科技集团股份有限公司 显示器基板、其制造方法、显示器及补偿构件贴片
KR102656492B1 (ko) * 2018-12-31 2024-04-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
CN111192905A (zh) * 2020-01-08 2020-05-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极体显示器件及其制造方法
KR20210142807A (ko) * 2020-05-18 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 제조방법
US11424270B2 (en) * 2020-06-02 2022-08-23 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900470B2 (en) * 2001-04-20 2005-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device and method of manufacturing the same
CN1658712A (zh) * 2004-02-18 2005-08-24 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置以及电子设备
CN1692679A (zh) * 2002-09-11 2005-11-02 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其制造方法
US20080074041A1 (en) * 2006-09-25 2008-03-27 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent display device and method for producing the same
CN101510555A (zh) * 2008-02-13 2009-08-19 精工爱普生株式会社 有机el装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000067072A1 (en) 1999-05-04 2000-11-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法
JP2003059660A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Toshiba Corp 自己発光型表示装置の製造方法
KR20040025383A (ko) 2002-09-19 2004-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP4290953B2 (ja) * 2002-09-26 2009-07-08 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置、有機ｅｌ素子および画像表示装置の製造方法
JP4663257B2 (ja) 2003-06-16 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US7161184B2 (en) * 2003-06-16 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2006113376A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置及びアレイ基板
JP2007080603A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2007103126A (ja) 2005-10-03 2007-04-19 Seiko Epson Corp Ｅｌ表示装置、ｅｌ表示装置の製造方法、電子機器
JP2007115563A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2007310156A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Seiko Epson Corp 膜形成方法、電気光学基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法、並びに機能膜、電気光学基板、電気光学装置、及び電子機器
JP4967926B2 (ja) * 2007-08-23 2012-07-04 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2009135322A (ja) 2007-11-30 2009-06-18 Tdk Corp 積層型電子部品の不良検出方法および積層型電子部品の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900470B2 (en) * 2001-04-20 2005-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device and method of manufacturing the same
CN1692679A (zh) * 2002-09-11 2005-11-02 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其制造方法
CN1658712A (zh) * 2004-02-18 2005-08-24 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置以及电子设备
US20080074041A1 (en) * 2006-09-25 2008-03-27 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent display device and method for producing the same
CN101510555A (zh) * 2008-02-13 2009-08-19 精工爱普生株式会社 有机el装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106531901A (zh) * 2015-09-10 2017-03-22 住友化学株式会社 带有围堰的基板
CN109728031A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件、显示器及移动通信设备
KR20190135534A (ko) * 2017-10-31 2019-12-06 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 유기 전계 발광 소자 및 디스플레이
CN109728031B (zh) * 2017-10-31 2020-03-24 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件、显示器及移动通信设备
US10978525B2 (en) 2017-10-31 2021-04-13 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device, display and mobile communication device
KR102365947B1 (ko) 2017-10-31 2022-02-22 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 유기 전계 발광 소자 및 디스플레이
WO2020057456A1 (zh) * 2018-09-20 2020-03-26 京东方科技集团股份有限公司 有机薄膜图案的制作方法及有机薄膜图案、阵列基板及显示装置
US11258014B2 (en) 2018-09-20 2022-02-22 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Manufacturing method of organic thin film pattern
CN110491888A (zh) * 2019-08-30 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、阵列基板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110233572A1 (en) 2011-09-29
JPWO2010140301A1 (ja) 2012-11-15
EP2391187B1 (en) 2013-04-24
EP2391187A4 (en) 2012-07-04
JP4621818B1 (ja) 2011-01-26
EP2391187A1 (en) 2011-11-30
WO2010140301A1 (ja) 2010-12-09
CN102106186B (zh) 2014-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102106186B (zh) 有机电致发光显示面板
CN102017800B (zh) 有机电致发光显示面板
CN101689559B (zh) 有机电致发光显示屏及其制造方法
US20180254310A1 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
US8130177B2 (en) Organic EL display panel and manufacturing method thereof
CN102960068B (zh) 有机电致发光显示面板及其制造方法
CN103229596B (zh) 有机电致发光显示器面板及其制造方法
JP4647708B2 (ja) 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
US20150155516A1 (en) Organic light-emitting element and production method therefor
US9755193B2 (en) Bank repair method, organic EL display device, and production method for same
CN103053042A (zh) 有机el元件及其制造方法
JP5092485B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
US20120097926A1 (en) Oled display and method of fabricating the same
JPWO2012133206A1 (ja) 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル及びその製造方法
US11282906B2 (en) Electronic device with bank structures
KR20060133670A (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법과, 이를 구비한 표시 기판
JP2011170981A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2011086389A (ja) 有機ｅｌ素子の機能層の製造方法、有機ｅｌ素子及び素子の層形成方法
JP2010103461A (ja) 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2011501361A (ja) 溶液処理された電子デバイス用のバックプレーン構造
US20230120913A1 (en) Display device and display device production method
WO2011158291A1 (ja) 有機発光素子の製造方法
JP2012074225A (ja) 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP2011501864A (ja) 溶液処理された電子デバイス用のバックプレーン構造
JP2014123540A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JANPAN ORGANIC RATE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO, LTD.

Effective date: 20150827

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150827

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JOLED Inc.

Address before: Osaka Japan

Patentee before: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231205

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Japan Display Design and Development Contract Society

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JOLED Inc.