CN102099938A - 具有改进载流子迁移率的金属氧化物tft - Google Patents
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 114
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 113
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 105
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 3
- -1 ITO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
与具有金属氧化物活性层的半导体器件相结合地使用的制造方法，所述金属氧化物活性层小于100nm厚，并且上主表面和下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面。该制造方法包括通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物和选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的界面相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度。所述方法还包括通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来控制下层界面中的相互作用并通过在金属氧化物层上的材料沉积之前执行的金属氧化物膜的表面处理来控制上覆界面中的相互作用的一个或两个步骤。
Description
技术领域
本发明一般地涉及TFT中的金属氧化物半导体膜，并且更具体而言，涉及金属氧化物膜的载流子密度。
背景技术
金属氧化物半导体由于其高载流子迁移率、光透明性和低沉积温度而引起强烈的兴趣。高载流子迁移率将应用扩展至要求较高频率和较高电流的较高性能领域。光透明性消除了对显示器中的光屏蔽和传感器活性基质的需要。低沉积温度使得能够应用于塑料衬底上的柔性电子装置。
金属氧化物半导体的独有特征是：(1)载流子迁移率不那么取决于膜的颗粒尺寸，也就是说，高迁移率无定形金属氧化物是可以的；(2)表面态的密度低，并使得对于TFT而言能够容易实现场效应，这与必须通过氢对表面态进行钝化的共价半导体(诸如Si或a-Si)相反；以及(3)迁移率大大地取决于体积载流子密度。为了实现用于高性能应用的高迁移率，金属氧化物沟道的体积载流子密度应该是高的，并且金属氧化物膜的厚度应该是小的(例如，＜100nm且优选地＜50nm)。
传统上，由氧空位来控制金属氧化物中的体积载流子浓度。可以由：(a)沉积期间的氧分压；(b)高温处理；以及(c)化合价掺杂来控制氧空位。但是当沟道厚度变得非常小时，体载流子不再充足且有效。
因此，补救现有技术中固有的前述及其他固有不足将是非常有利的。
发明内容
简要地，为了根据本发明的优选实施例来实现本发明的期望目的，提供一种与具有小于100nm厚的金属氧化物活性层的半导体器件的制造相结合地使用的方法，并且上主表面和下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面的材料。所述制造方法包括通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物和通过选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的界面相互作用。所述方法还包括通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来控制下层界面中的相互作用以及通过在金属氧化物层上的材料沉积之前执行的金属氧化物膜的表面处理来控制上覆界面中的相互作用的一个或两个步骤。本公开中所使用的术语“控制界面相互作用”和“界面相互作用”被限定为控制或调整相邻半导体材料(金属氧化物)中的载流子密度的动作或相互作用。
还根据本发明的优选实施例来实现本发明的期望目的，其中，柔性衬底上的新型金属氧化物半导体器件包括小于100nm厚的金属氧化物活性层且上主表面和下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面的材料。所述新型金属氧化物半导体器件还包括控制下层界面中的相互作用的形成下层界面的成分的下层材料的已处理表面以及控制上覆界面中的相互作用的在金属氧化物层上的材料沉淀之前执行的金氧氧化物膜的已处理表面中的一者或两者。
附图说明
通过结合附图进行的本发明的优选实施例的以下详细说明，本发明的前述及其他和更具体目的和优点将变得对于本领域的技术人员显而易见，其中：
图1是根据本发明的具有上覆栅极和下层源/漏的TFT的简化层示意图；
图2是根据本发明的具有上覆栅极和上覆源/漏的TFT的简化层示意图；
图3是根据本发明的具有下层栅极和下层源/漏的TFT的简化层示意图；以及
图4是根据本发明的具有下层栅极和上覆源/漏的TFT的简化层示意图。
具体实施方式
由μV/L2来限定薄膜晶体管(TFT)中优值系数，其中，μ是迁移率，V是电压且L是栅极长度。部分地由金属氧化物半导体材料中的新发展来补救主要问题，其中已经展示出高达80cm2/V-秒的迁移率。金属氧化物半导体的独有特征之一是载流子迁移率不那么取决于膜的颗粒尺寸，也就是说，高迁移率无定形金属氧化物是可以的。然而，为了实现高性能应用所需的高迁移率，金属氧化物沟道的体积载流子密度应该是高的，并且金属氧化物膜的厚度应该是小的(例如，＜100nm且优选地＜50nm)。然而，已经发现对于这些非常薄的沟道而言，具有下层和上覆材料的金属氧化物的界面相互作用不再是可忽略的。
可以以以下两种方式中的任一者或两者来实现界面相互作用的控制：(1)与下层结构的相互作用；以及(2)与上覆结构的相互作用。通常，相互作用被设计为与金属氧化物中的氧起反应以有益地改变氧含量并因此改变载流子密度。在这方面，术语“强相互作用”被限定为在相邻半导体材料中减少氧含量并增加氧空位且因此增加载流子密度的相互作用。此外，在优选实施例中，该术语指的是过多地增加氧空位、使得载流子增加至大于1018载流子每立方厘米的相互作用。通常认为此数目对于例如在源极和漏极端子处用于制作欧姆接触而言是足够的。术语“弱相互作用”被限定为在相邻半导体材料中将氧含量增加或减少(因此增加或减少氧空位)小得多的量(小于1018载流子每立方厘米)并因此控制载流子密度(小于1018/cm3)的相互作用。
为了制造TFT，可以使用用于上覆结构和下层结构的任何或全部以下功能。例如，可以在TFT的不同部分或表面上使用不同的功能。作为使用不同功能的示例，可以使用弱相互作用来调整TFT的阈值且对于源/漏区的良好欧姆接触而言优选强相互作用。上覆结构的一些可能功能包括：(1)钝化-提供弱相互作用或不提供相互作用；(2)栅极-提供弱相互作用或不提供相互作用；以及(3)源/漏-提供强相互作用。此外，下层结构的一些可能功能包括：(1)钝化-提供弱相互作用或不提供相互作用；(2)栅极-提供弱相互作用或不提供相互作用；以及(3)源/漏-提供强相互作用。TFT的任何特定实施例所需的上覆结构和下层结构的功能取决于TFT的构造。多个功能可以是上覆结构或下层结构所需的。
通常，被选择用于形成各种上和下界面或提供与金属氧化物活性层的界面相互作用的控制的材料类型是确定最终器件的特性的一种方式。例如，对于较少的相互作用选择惰性材料，同时选择活性材料来耗尽来自金属氧化物的氧，即强相互作用。惰性材料的示例是Al2O3、SiO2、SiN、聚酰亚胺、BCB、光致抗蚀剂和类似材料。活性材料的示例是Al、Ti、Ta、ITO、Li、Mg等。此外，能够选择在活性层中使用的特定金属氧化物以提供特定特性。能够使用的金属氧化物的示例包括氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(InZnO)、氧化铟锌镓(InZnGaO)和类似材料或其组合。
除了在各种下层成分中使用的材料的选择之外或作为其替代，可以恰好在沉积金属氧化物膜之前执行界面处的下层材料的表面处理。能够执行的一些典型表面处理包括(a)下层材料的离子溅射以产生富氧或缺氧表面。富氧处理的一些示例是用O(氧离子)来处理表面且氧还原处理的一些示例是低能Ar或氢离子。表面处理(b)包括其中使用诸如H2的还原气体或使用诸如O2的氧化气体的气体处理。表面处理(c)包括其中可以使用锌化工艺来增强与源/漏区域下方的金属氧化物的表面反应性，可以使用诸如H2O2的氧化溶液来制备富氧表面，或者可以使用诸如缺氧或氧吸引溶液的还原溶液来制备贫氧表面。在每种上述情况下，处理被设计为在金属氧化物中产生能够降低载流子浓度的富氧环境或去除氧并提高载流子浓度的还原环境。
关于上覆结构的各种选择或确定包括用于上覆结构的材料选择。在此选择过程中，惰性材料的示例包括Al2O3、SiO2、SiN、TaO、MgF2、聚酰亚胺、BCB、光致抗蚀剂和类似材料，并且活性材料的示例包括Al、Zn、Ti、Mg、Ta、ITO等。除所使用的材料选择之外或作为其的替代，可以恰好在金属氧化物层上的任何成分的沉积之前执行金属氧化物膜的表面处理。可以执行的一些典型表面处理包括溅射蚀刻，诸如用Ar或H还原或用O或其他氧化气体来氧化。除了所使用的材料选择和/或金氧氧化物膜的表面处理之外或作为其替代，用于上覆材料的沉积方法可以具有一定的效果。可以使用的一些典型沉积方法包括：不发生化学反应的(passive)方法，诸如蒸发、低损坏溅射、基于溶液的处理(例如，旋涂、浸渍、印刷等)；以及发生化学反应(active)的方法，诸如高温CVD、PECVD等。在每个上述操作中，处理或相邻材料被设计为增加金属氧化物中的氧，并因此降低金属氧化物中的载流子浓度或减少氧，因此提高金属氧化物中的载流子浓度。
因此，在用薄膜金属氧化物活性层来制造半导体器件时，可以以两种方式中的任一者或两者来实现界面相互作用的控制：(1)与下层结构的相互作用；以及(2)与上覆结构的相互作用。可以通过在各种下层成分(还有所使用的金属氧化物)中所使用的材料选择和下层材料的表面处理中的至少一个来实现与在金属氧化物层下面的表面的界面相互作用的控制。可以通过用于上覆结构(还有所使用的金属氧化物)的材料选择、恰好在金属氧化物层上的任何成分的沉积之前执行的金属氧化物膜的表面处理、以及用于上覆材料的沉积方法的选择中的至少一个来实现与在金属氧化物层上覆盖的表面的界面相互作用的控制。因此，根据例如欧姆接触、肖特基接触、沟道传导性等期望功能来改变金属氧化物中的氧含量并改变载流子浓度。
现在转到图1，图示了根据本发明的TFT 10的一个实施例的简化层示意图。TFT 10包括衬底12，其可以是诸如塑料的柔性材料或任何其他方便材料。根据下层结构的功能的以上说明，衬底12被视为钝化材料且如果需要的话可以可选地包括缓冲层(如果存在，被视为衬底22的一部分)作为附加或替选的钝化。使用任何众所周知的方法，以间隔开的取向在衬底12的上表面中或上(在下文中统称为“上”)形成源极13和漏极14。以对源极13和漏极14这两者及其之间的空间的部分地上覆关系来形成金属氧化物膜16。应当理解的是金属氧化物膜16是在源/漏成分之间传导载流子的活性层。此外，金属氧化物层16小于100nm厚并优选地小于50nm。以对金属氧化物膜16的上覆关系来形成薄栅电介质层17且栅堆叠18以对源极13和漏极14之间的空间的上覆关系而位于栅极电介质层17上。因此，TFT 10是顶部栅极、底部源/漏型器件。
现在转到图2，图示了根据本发明的TFT 20的另一实施例的简化层示意图。TFT 20包括衬底22，其可以是诸如塑料的柔性材料或任何其他方便材料。根据下层结构的功能的以上说明，衬底22被视为钝化材料且如果需要的话可以可选地包括缓冲层(如果存在，被视为衬底22的一部分)作为附加或替选的钝化。在衬底22上沉积金属氧化物膜26并在金属氧化物膜26的上表面上以部分上覆关系来形成源极23和漏极24，以便在上表面上形成间隔开的取向。以对栅极23与栅极24之间的空间中的金属氧化物膜26以及与该空间相邻的那部分栅极23和栅极24的上覆关系来形成薄栅电介质层27。栅堆叠28以对源极23和漏极24之间的空间的上覆关系而位于栅极电介质层27上。因此，TFT 20是顶部栅极、顶部源/漏型器件。
现在转到图3，图示了根据本发明的TFT 30的另一实施例的简化层示意图。TFT 30包括衬底32，其可以是诸如塑料的柔性材料或任何其他方便材料。根据下层结构的功能的以上描述，衬底32被视为钝化材料。用任何方便和已建立的方法在衬底32中形成栅堆叠38。以对栅堆叠38和衬底32的周围区域的上覆关系来形成薄栅电介质层37。使用任何众所周知的方法，以间隔开的取向，在栅极电介质层37的上表面中或上(在下文中统称为“上”)形成源极33和漏极34。以对源极33和漏极34及其之间的空间的部分上覆关系来形成金属氧化物膜36。根据本发明，在金属氧化物膜36上形成钝化层39。因此，TFT 10是底部栅极、底部源/漏型器件。
现在转到图4，图示了根据本发明的TFT 40的另一实施例的简化层示意图。TFT 40包括衬底42，其可以是诸如塑料的柔性材料或任何其他方便材料。根据下层结构的功能的以上描述，衬底42被视为钝化材料。用任何方便和已建立的方法在衬底42中形成栅堆叠48。以对栅堆叠48以及衬底42的周围区域的上覆关系来形成薄栅电介质层47。以对栅堆叠48和周围区域的上覆关系，在栅极电介质层47上形成金属氧化物膜46。以部分上覆关系在金属氧化物膜46的上表面上形成源极43和漏极44，以便在上覆栅堆叠48的上表面上限定其之间的空间。根据本发明，在金属氧化物膜46的暴露部分及源极43和漏极44的周围部分上，形成钝化层49。因此，TFT 40是底部栅极、顶部源/漏型器件。
图1-4所示的TFT的四个实施例是可以选择的不同构造的示例。在每个实施例中，半导体器件具有小于100nm厚并优选地小于50nm厚的金属氧化物活性层，具有上主表面和下主表面，并且上主表面和下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面的材料。在每个实施例或构造中，可以在制造期间使用各种选择和程序来控制金属氧化物活性层中的界面相互作用。通常，所述制造方法包括通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物和通过选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的界面相互作用。此外，所述方法包括通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来控制下层界面中的相互作用以及通过在金属氧化物层上沉积材料之前执行的金属氧化物膜的表面处理来控制上覆界面中的相互作用的功能中的任一者或两者。
此外，根据本发明构造的最终器件是新型的，因为所制造的结构控制界面相互作用以改善非常薄的金属氧化物活性层的操作，并因此改善最终器件的特性和操作。因此，公开了一种制造具有较高体积载流子浓度的金属氧化物半导体器件的新的且改进的方法。此外，公开了一种新的且改进的金属氧化物半导体器件，其中，金属氧化物沟道的载流子密度高且金属氧化物膜的厚度小，小于100nm厚，并优选地小于50nm厚。
本领域的技术人员将很容易想到对在本文中出于图示的目的所选择的实施例的各种变更和修改。在此类修改和变更不脱离本发明的精神的程度上，其意图被包括在仅仅由以下权利要求的公正解释来评定的本发明的范围内。
已经以此类明确且简练的术语全面地描述了本发明，以使得本领域的技术人员能够理解并实施本发明，要求保护的发明参见权利要求书。
Claims (21)
1.与具有小于100nm厚的、具有上主表面和下主表面的金属氧化物活性层且所述上主表面和所述下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面的半导体器件相结合，一种包括控制界面相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度的制造方法包括步骤：
通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物以及通过选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的界面相互作用；以及
执行控制下层界面中的相互作用以及控制上覆界面中的相互作用中的一个，所述控制下层界面中的相互作用是通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来进行的，所述控制上覆界面中的相互作用是通过在金属氧化物层上沉积材料之前执行的金属氧化物膜的表面处理来进行的。
2.如权利要求1所述的方法，其中，选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物的步骤包括选择氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(InZnO)和氧化铟锌镓(InZnGaO)中的一个。
3.如权利要求1所述的方法，其中，选择用于毗邻接合的材料的特定材料的步骤包括选择惰性材料和活性材料中的一个。
4.如权利要求3所述的方法，其中，选择用于毗邻接合的材料的特定材料的步骤包括选择来自Al2O3、SiO2、SiN、TaO、MgF2、聚酰亚胺、BCB和光致抗蚀剂中的一个的惰性材料。
5.如权利要求3所述的方法，其中，选择用于毗邻接合的材料特定材料的步骤包括选择来自Al、Zn、Ti、Ta、ITO、Li和Mg中的一个的活性材料。
6.如权利要求1所述的方法，其中，通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来控制下层界面中的相互作用的步骤包括下层材料的离子溅射、使用还原气体和氧化气体之一进行气体处理以及液体处理中的一个。
7.如权利要求1所述的方法，其中，通过金属氧化物膜的表面处理来控制上覆界面中的相互作用的步骤包括使用还原材料和氧化材料之一的溅射蚀刻。
8.如权利要求1所述的方法，其中，控制上覆界面中的相互作用的步骤包括选择在形成下层界面的成分的金属氧化物活性层上沉积材料的方法。
9.如权利要求8所述的方法，其中，选择在金属氧化物上沉积材料的方法的步骤包括选择不发生化学反应的方法和发生化学反应的方法中的一个。
10.如权利要求9所述的方法，其中，选择在金属氧化物上沉积材料的方法的步骤包括：从蒸发、低损坏溅射、基于溶液的处理、旋涂、浸渍以及印刷中的一个来选择不发生化学反应的方法。
11.如权利要求9所述的方法，其中，选择在金属氧化物上沉积材料的方法包括从高温CVD和PECVD中的一个来选择发生化学反应的方法。
12.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物层小于50nm厚。
13.与具有小于100nm厚的具有上主表面和下主表面的金属氧化物活性层且所述上主表面和所述下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面的半导体器件相结合，一种包括控制界面相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度的制造方法包括步骤：
通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物以及通过选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的相互作用，所述特定材料包括惰性材料和活性材料中的一个，所述惰性材料来自Al2O3、SiO2、SiN、TaO、MgF2、聚酰亚胺、BCB和光致抗蚀剂中的一个，所述活性材料来自Al、Zn、Ti、Ta、ITO、Li和Mg中的一个；以及
执行控制下层界面中的相互作用以及控制上覆界面中的相互作用中的一个，所述控制下层界面中的相互作用是通过包括下层材料的离子溅射、使用还原气体和氧化气体之一的气体处理以及液体处理中的一个的、形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来进行的，所述控制上覆界面中的相互作用是通过在金属氧化物层上的材料沉积之前执行的包括使用还原材料和氧化材料之一进行溅射蚀刻的金属氧化物膜的表面处理以及选择在形成下层界面的成分的金属氧化物活性层上沉积材料的方法来进行的。
14.如权利要求13所述的方法，其中，选择在金属氧化物上沉积材料的方法的步骤包括选择不发生化学反应的方法和发生化学反应的方法中的一个。
15.如权利要求13所述的方法，其中，选择在金属氧化物上沉积材料的方法的步骤包括：从蒸发、低损坏溅射、基于溶液的处理、旋涂、浸渍以及印刷中的一个来选择不发生化学反应的方法。
16.如权利要求13所述的方法，其中，选择在金属氧化物上沉积材料的方法包括从高温CVD和PECVD中的一个来选择发生化学反应的方法。
17.如权利要求13所述的方法，其中，所述金属氧化物层小于50nm厚。
18.一种在衬底上的金属氧化物半导体器件，包括：
金属氧化物活性层，所述金属氧化物活性层小于100nm厚，具有上主表面和下主表面，以及所述上主表面和下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面的材料；以及
形成下层界面的成分的下层材料的已处理表面和金属氧化物膜的已处理表面中的一个，所述形成下层界面的成分的下层材料的已处理表面控制下层界面中的相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度，所述金属氧化物膜的已处理表面在金属氧化物层上的材料沉积之前执行以控制上覆界面中的相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度。
19.如权利要求18所述的衬底上的金属氧化物半导体器件，其中，所述衬底由柔性材料形成。
20.如权利要求18所述的衬底上的金属氧化物半导体器件，其中，所述金属氧化物活性层包括氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZnO)和氧化铟锌镓(IZnGaO)中的一个，并且所述毗邻接合的材料包括惰性材料和活性材料中的一个，所述惰性材料来自Al2O3、SiO2、SiN、TaO、MgF2、聚酰亚胺、BCB和光致抗蚀剂中的一个，所述活性材料来自Al、Zn、Ti、Ta、ITO、Li和Mg中的一个。
21.如权利要求18所述的衬底上的金属氧化物半导体器件，其中，所述金属氧化物活性层小于50nm厚。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410187523.1A CN104037087B (zh) | 2008-07-16 | 2009-07-14 | 在衬底上制造半导体器件的方法以及半导体器件 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/173,995 US7812346B2 (en) | 2008-07-16 | 2008-07-16 | Metal oxide TFT with improved carrier mobility |
| US12/173,995 | 2008-07-16 | ||
| PCT/US2009/050542 WO2010009128A1 (en) | 2008-07-16 | 2009-07-14 | Metal oxide tft with improved carrier mobility |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410187523.1A Division CN104037087B (zh) | 2008-07-16 | 2009-07-14 | 在衬底上制造半导体器件的方法以及半导体器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102099938A true CN102099938A (zh) | 2011-06-15 |
| CN102099938B CN102099938B (zh) | 2014-05-21 |
Family
ID=41529496
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200980127697.6A Expired - Fee Related CN102099938B (zh) | 2008-07-16 | 2009-07-14 | 具有改进载流子迁移率的金属氧化物tft |
| CN201410187523.1A Expired - Fee Related CN104037087B (zh) | 2008-07-16 | 2009-07-14 | 在衬底上制造半导体器件的方法以及半导体器件 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410187523.1A Expired - Fee Related CN104037087B (zh) | 2008-07-16 | 2009-07-14 | 在衬底上制造半导体器件的方法以及半导体器件 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7812346B2 (zh) |
| EP (2) | EP3012869A1 (zh) |
| JP (2) | JP5926052B2 (zh) |
| KR (1) | KR20110053961A (zh) |
| CN (2) | CN102099938B (zh) |
| WO (1) | WO2010009128A1 (zh) |
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| CN110268528A (zh) * | 2016-11-18 | 2019-09-20 | 亚洲大学校产学协力团 | 金属氧化物异质接合结构、其制造方法及含其的薄膜晶体管 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101457837B1 (ko) | 2009-06-30 | 2014-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
| EP2449595B1 (en) | 2009-06-30 | 2017-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR101915421B1 (ko) | 2009-06-30 | 2018-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
| SG10201403913PA (en) | 2009-07-10 | 2014-10-30 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN102598285B (zh) | 2009-11-20 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 用于制造半导体器件的方法 |
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| KR101808198B1 (ko) | 2010-05-21 | 2017-12-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
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| JP4724585B2 (ja) | 2006-03-31 | 2011-07-13 | キヤノン株式会社 | 有機電界発光素子及び発光装置 |
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-
2008
- 2008-07-16 US US12/173,995 patent/US7812346B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-14 CN CN200980127697.6A patent/CN102099938B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-14 CN CN201410187523.1A patent/CN104037087B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-14 EP EP15199954.7A patent/EP3012869A1/en not_active Withdrawn
- 2009-07-14 EP EP09798655A patent/EP2308110A4/en not_active Withdrawn
- 2009-07-14 KR KR1020117003529A patent/KR20110053961A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-07-14 JP JP2011518841A patent/JP5926052B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-14 WO PCT/US2009/050542 patent/WO2010009128A1/en active Application Filing
-
2016
- 2016-02-04 JP JP2016019636A patent/JP6306069B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011528510A (ja) | 2011-11-17 |
| EP2308110A4 (en) | 2011-08-03 |
| JP2016105502A (ja) | 2016-06-09 |
| WO2010009128A1 (en) | 2010-01-21 |
| JP5926052B2 (ja) | 2016-06-01 |
| CN104037087B (zh) | 2017-08-08 |
| US7812346B2 (en) | 2010-10-12 |
| EP3012869A1 (en) | 2016-04-27 |
| CN102099938B (zh) | 2014-05-21 |
| US20100012932A1 (en) | 2010-01-21 |
| EP2308110A1 (en) | 2011-04-13 |
| CN104037087A (zh) | 2014-09-10 |
| JP6306069B2 (ja) | 2018-04-04 |
| KR20110053961A (ko) | 2011-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: California, USA Applicant after: Cbrite Inc. Address before: California, USA Applicant before: Cbrite Inc. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191029 Address after: Tortola Island, British Virgin Islands Patentee after: Fantasy Shine Co.,Ltd. Address before: California, USA Patentee before: ABC Services Group Co. Effective date of registration: 20191029 Address after: California, USA Patentee after: ABC Services Group Co. Address before: California, USA Patentee before: CBRITE Inc. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140521 Termination date: 20210714 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |