CN102097355B - 浅沟槽隔离区的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了浅沟槽隔离区的制作方法，在晶圆衬底上依次形成氧化物和氮化物，刻蚀氮化物、氧化物和衬底形成浅沟槽，在浅沟槽内和氮化物表面淀积氧化物；之后，该方法还包括：去除氮化物表面的氧化物；测量氮化物高度SH1；去除浅沟槽内指定高度的氧化物；去除氮化物；测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2；根据SH2去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物。本发明方案能够缩小制作完成浅沟槽隔离区之后得到的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差的变化范围。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术，特别涉及浅沟槽隔离区的制作方法。
背景技术
参见图2，为现有的浅沟槽隔离区的制作方法流程图，该方法包括以下步骤：
步骤201：在晶圆衬底上形成一层氧化物。
本步骤可具体包括：在氧化炉中通入氧气或水蒸气，在750℃～1100℃高温下及氧化性气体的作用下，被置于氧化炉中的晶圆衬底101消耗了其表面的部分硅(Si)，在晶圆衬底101上生长一层氧化物102，如图1(a)所示，该氧化物例如为二氧化硅(SiO2)。
步骤202：在步骤201形成的氧化物上形成一层氮化物。
本步骤通过低压化学淀积(LPCVD)形成一层氮化物，与常压化学气相淀积(APCVD)系统相比，LPCVD系统具有更低的成本、更高的产量及更好的膜性能。LPCVD通常在中等真空度下(约0.1～5托)进行，反应温度一般为300℃～900℃，可采用常规的氧化炉以及多腔集成设备。
通过低压化学淀积(LPCVD)形成一层氮化物的方法具体包括：在减压和温度在700℃～800℃下，在LPCVD炉管内通入二氯二氢硅(SiCl2H2)和氨气(NH3)，在具有一层氧化物102的晶圆衬底101上形成一层氮化物103，如图1(a)所示，该氮化物103例如为氮化硅(Si3N4)。用LPCVD淀积，可以获得具有良好阶梯覆盖能力和高度均匀性的Si3N4膜。
步骤203：刻蚀出浅沟槽；
在晶圆衬底101上的氮化物103表面涂布光阻胶层，通过曝光显影对晶 圆衬底上的氮化物103表面的光阻胶层进行光刻，在光阻胶层上定义浅沟槽的位置，以该曝光显影后的光阻胶层为掩膜依次刻蚀氮化物103、氧化物102和晶圆衬底101，将晶圆衬底101刻蚀到一定深度形成浅沟槽104，如图1(b)所示。
执行完本步骤之后，在浅沟槽104外的有源区表面为氮化物。
步骤204，在浅沟槽104内和氮化物103表面淀积氧化物。
在浅沟槽104内和氮化物103的表面，利用化学气相淀积的方法淀积氧化物，如图1(c)所示，该氧化物例如为SiO2。
步骤205，去除氮化物表面的氧化物。
对浅沟槽隔离(STI)区进行化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)，直至显露出晶圆衬底101上的氮化物103，如图1(e)所示。本步骤在去除浅沟槽外氮化物表面氧化物的同时，还将去除浅沟槽内的部分氧化物；所述浅沟槽外氮化物，也即是有源区氮化物。
步骤206，测量氮化物的厚度SH1。
采用现有的光学测量尺寸(OCD，Optical Critical Dimension)方法测量氮化物的高度SH1，通过测得的SH1可以获知当前制作的器件的质量。例如：将测得的SH1与氮化物厚度目标值进行比较，如果SH1与氮化物厚度目标值相差在规定范围内，则该器件合格，氮化物厚度目标值为希望测得的最佳的氮化物厚度值；如果SH1与氮化物厚度目标值相差在规定范围外，则该器件不可用。
步骤207，对浅沟槽内的氧化物进行浅沟槽内氧化物的目标去除高度值的去除处理。
该浅沟槽内氧化物的目标去除高度值为一个标准值，一般为130埃。以该氧化物为SiO2，有源区的氮化物为氮化硅为例，具体地，采用洗稀氢氟酸(HF)腐蚀掉高度为130埃的SiO2。由于稀HF对氮化硅不进行反应，本步骤只去除浅沟槽内130埃的SiO2，不对有源区的氮化硅产生影响，去除浅沟槽内指定高度的氧化物后的结构为图1(f)所示。
步骤208，去除氮化物。
由于氮化物表面因自然氧化常会形成一层氧化物，因此，本步骤具体包括：去除氮化物表面因自然氧化形成的氧化物，然后再去除氮化物。
以氮化物为氮化硅为例，由于氮化硅表面会被氧化，在氮化硅表面将形成一层SiO2。本步骤中首先用稀HF腐蚀氮化硅表面90埃的SiO2，用稀HF对氮化硅表面SiO2进行腐蚀的同时，也会腐蚀掉浅沟槽内的部分SiO2；然后，采用磷酸去掉650埃的氮化硅，去掉有源区氮化硅时，磷酸对浅沟槽内的SiO2不进行反应。本步骤之后的结构如图1(g)所示，一般情况下，浅沟槽内氧化物表面高于有源区表面。
步骤209，测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2。
所述浅沟槽外氧化物，也即是有源区氧化物。
通过测得的SH2可以获知当前制作的该器件的质量。例如：将测得的SH2与浅沟槽内外氧化物表面之间的高度差目标值进行比较，所述浅沟槽内外氧化物表面之间的高度差，也就是浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差，所述高度差目标值，也就是希望测得的最佳的高度差；如果SH2与浅沟槽内外氧化物表面之间的高度差目标值相差在规定范围外，则该器件不可用；如果SH2与浅沟槽内外氧化物表面之间的高度差目标值相差在规定范围内，则该器件合格。
步骤210，进行高度为浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值的去除处理。
所述浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值为标准值，通常情况下，该浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值为145埃。具体地，以浅沟槽内外氧化物为SiO2为例，采用稀HF对浅沟槽内SiO2和有源区的SiO2进行腐蚀。本步骤之后，有源区露出晶圆衬底硅，通常，浅沟槽内的SiO2表面比有源区的硅表面高，其结构如图1(h)所示。
至此，完成了浅沟槽隔离区的制作，之后，便可在晶圆衬底上生长栅极。
在步骤210之后，还可测量得到浅沟槽内氧化物表面与有源区硅表面之间的高度差SH3。通过测得的SH3可以获知当前制作的该器件的质量。例 如：将测得的SH3与，浅沟槽内氧化物表面与有源区硅表面之间的高度差目标值，进行比较，如果两者相差在规定范围外，则该器件不可用；如果两者相差在规定范围内，则该器件合格。并且，制作完成的各浅沟槽隔离区的SH3在越小的范围内变化，表明当前生成的这一批器件之间的差异越小，则这匹器件的性能越好。
然而，采用现有方法制作浅沟槽隔离区，得到的关于一批器件的SH3落在较大的数值范围内，也就是这一批器件内各个器件差异较大，不均匀，影响了这批器件的性能。
发明内容
本发明提供一种浅沟槽隔离区的制作方法，该方法能够缩小形成的浅沟槽隔离区内的氧化物表面与有源区硅表面之间的高度差的变化范围。
一种浅沟槽隔离区的制作方法，在晶圆衬底上依次形成氧化物和氮化物，刻蚀氮化物、氧化物和衬底形成浅沟槽，在浅沟槽内和氮化物表面淀积氧化物；之后，该方法还包括：
去除氮化物表面的氧化物；
测量氮化物高度SH1；
去除浅沟槽内指定高度的氧化物；
去除氮化物；
测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2；
根据SH2去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物：
如果SH2低于浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围的下限值SH2D，则用SH2D减去SH2，得到相减值；用浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值减去所述相减值，得到相减后的值M3；对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物进行高度为M3的去除处理；
如果SH2高于浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围的上限值SH2H，则用SH2减去SH2H，得到相减值；用浅沟槽内外氧化 物的目标去除高度值加上所述相减值，得到相加后的值M4；对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物进行高度为M4的去除处理；
如果SH2在浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围内，则对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物，进行高度为浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值的去除处理。
可选地，所述浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围的下限值SH2D为230埃，所述浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围的上限值SH2H为280埃。
可选地，所述浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值为145埃。
可选地，所述去除浅沟槽内指定高度的氧化物包括：根据测量得到的氮化物高度SH1去除浅沟槽内的氧化物：
如果SH1低于氮化物高度标准范围的下限值SH1D，则用SHID减去SH1，得到相减值；用浅沟槽内氧化物的目标去除高度值减去所述相减值，得到相减后的值M1；对浅沟槽内的氧化物进行高度为M1的去除处理；
如果SH1高于氮化物高度标准范围的上限值SH1H，则用SH1减去SHIH，得到相减值；用浅沟槽内氧化物的目标去除高度值加上所述相减值，得到相加后的值M2；对浅沟槽内的氧化物进行高度为M2的去除处理；
如果SH1在氮化物高度标准范围内，则对浅沟槽内的氧化物，进行高度为浅沟槽内氧化物的目标去除高度值的去除处理。
可选地，所述氮化物高度标准范围的下限值SH1D为645埃，所述氮化物高度标准范围的上限值SH1H为665埃。
可选地，所述浅沟槽内氧化物的目标去除高度值为130埃。
可选地，所述指定高度为130埃。
可选地，所述去除氮化物包括：去除氮化物表面因自然氧化形成的氧化物，然后去除氮化物。
从上述方案可以看出，本发明制作浅沟槽隔离区的过程中，在去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物时，不是按照现有技术的方案对浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物，直接进行高度为浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值的去除处理，而是根据之前测量得到的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2的值，对去除浅沟槽内外氧化物的高度值进行调整。
具体地，根据多次实验得到，SH2与制作完成浅沟槽隔离区之后测量得到的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差SH3之间存在一定的数值关系：如果将SH2限制在一定的数值范围内，则可以缩小SH3的变化范围；在工艺制作上，SH3的变化范围越小越好，这样可以减少生成的一批器件内各器件之间的差异。本发明根据实验得到的较优的SH2的变为范围为：SH2D～SH2H；如果测得的SH2在该范围内，则对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物，进行高度为浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值的去除处理；如果测得的SH2低于SH2D，则降低浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值，得到M3，对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物进行高度为M3的去除处理；如果测得的SH2高于SH2H，则增加浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值，得到M4，对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物进行高度为M4的去除处理。
这样，通过SH2对去除浅沟槽内外氧化物的量进行调整，可缩小制作完成浅沟槽隔离区之后得到的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差SH3的变化范围，从而，减少生成的一批器件内各器件之间的差异。
附图说明
图1为现有技术中制作浅沟槽隔离区流程中的结构示意图，包括图(a)至(c)，以及图(e)至(h)；
图2为现有技术中浅沟槽隔离区的制作方法流程图；
图3为本发明浅沟槽隔离区的制作方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明进一步详细说明。
制成浅沟槽隔离区之后，对浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差SH3进行测量，对于一批器件，测量得到的SH3的变化范围越小，则表明这批器件越均匀，质量越好。
根据多次实验得到，图2的流程中，步骤209测量得的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2，与SH3的变化范围之间存在一定的关系：如果SH2在一定的数值范围内变化时，可以保证SH3也在符合要求的数值范围内变化，这里，将这种情况下SH2的变化范围称为浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围，表示为：SH2D～SH2H；如果SH2超出SH2D～SH2H的范围，则最后得到的SH3也将超出符合要求的数值范围。为了缩小SH3的变化范围，本发明在图2流程执行步骤210时，根据步骤209测得的SH2对去除浅沟槽内外氧化物的高度进行调整，使最后得到的SH3在较小的范围内变化；关于根据SH2对去除浅沟槽内外氧化物的高度进行调整的具体方法参见图3中步骤310的详细说明。
本发明测得的一组浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围，即SH2D～SH2H，为：230埃～280埃。SH2D～SH2H的范围取值并不仅限于230埃～280埃，还可根据实际情况对其进行调整。
根据多次实验，还发现，图2的流程中，步骤206测量得的氮化物的厚度SH1，与SH3的变化范围之间存在一定的关系：如果SH1在一定的数值范围内变化时，可以保证SH3也在符合要求的数值范围内变化，这里，将这种情况下SH1的变化范围称为氮化物厚度标准值范围，表示为：SH1D～SH1H；如果SH1超出SH1D～SH1H的范围，则最后得到的SH3也将超出符合要求的数值范围。为了缩小SH3的变化范围，本发明在图2流程执行步骤207时，根据步骤206测得的SH1对去除浅沟槽内氧化物的高度进行调整，使最后得到的SH3在较小的范围内变化；关于根据SH1对去除浅沟槽内氧化物的高度进行调整的具体方法参见图3中步骤307的详细说明。
本发明测得的一组氮化物厚度标准值范围，即SH1D～SH1H，为：645埃～665埃。SH1D～SH1H的范围取值并不仅限于645埃～665埃，还可根据实际情况对其进行调整。
在浅沟槽隔离区的实际制作过程中，可以只在步骤210中根据步骤209测得的SH2对去除浅沟槽内外氧化物的高度进行调整；也可以只在步骤207中根据步骤206测得的SH1对去除浅沟槽内氧化物的高度进行调整；还可以同时在步骤210中根据步骤209测得的SH2对去除浅沟槽内外氧化物的高度进行调整，以及在步骤207中根据步骤206测得的SH1对去除浅沟槽内氧化物的高度进行调整。
下面通过图3流程对本发明浅沟槽隔离区制作方法进行举例说明，该实施例中，不仅根据测得的SH2对去除浅沟槽内外氧化物的高度进行调整，还根据测得的SH1对去除浅沟槽内氧化物的高度进行调整。这里，结合图1所示的结构示意图，对图3的流程进行说明，其包括以下步骤：
步骤301，在晶圆衬底上形成一层氧化物。
本步骤可具体包括：在氧化炉中通入氧气或水蒸气，在750℃～1100℃高温下及氧化性气体的作用下，被置于氧化炉中的晶圆衬底101消耗了其表面的部分硅(Si)，在晶圆衬底101上生长一层氧化物102，如图1(a)所示，该氧化物例如为SiO2。
步骤302：在步骤301形成的氧化物上形成一层氮化物。
本步骤通过低压化学淀积(LPCVD)形成一层氮化物，与常压化学气相淀积(APCVD)系统相比，LPCVD系统具有更低的成本、更高的产量及更好的膜性能。LPCVD通常在中等真空度下(约0.1～5托)进行，反应温度一般为300℃～900℃，可采用常规的氧化炉以及多腔集成设备。
通过低压化学淀积(LPCVD)形成一层氮化物的方法具体包括：在减压和温度在700℃～800℃下，在LPCVD炉管内通入二氯二氢硅(SiCl2H2)和氨气(NH3)，在具有一层氧化物102的晶圆衬底101上形成一层氮化物103，如图1(a)所示，该氮化物103例如为氮化硅(Si3N4)。用LPCVD 淀积，可以获得具有良好阶梯覆盖能力和高度均匀性的Si3N4膜。
步骤303：刻蚀出浅沟槽；
在晶圆衬底101上的氮化物103表面涂布光阻胶层，通过曝光显影对晶圆衬底氮化物103表面的光阻胶层进行光刻，在光阻胶层上定义浅沟槽的位置，以该曝光显影后的光阻胶层为掩膜依次刻蚀氮化物103、氧化物102和晶圆衬底101，将晶圆衬底101刻蚀到一定深度刻蚀出浅沟槽104，如图1(b)所示。
执行完本步骤之后，在浅沟槽104外的有源区表面为氮化物。
步骤304，在浅沟槽104内和氮化物103表面淀积氧化物。
在浅沟槽104内和氮化物103的表面，利用化学气相淀积的方法淀积氧化物，如图1(c)所示，该氧化物例如为SiO2。
步骤305，去除氮化物表面的氧化物。
对浅沟槽隔离(STI)区进行化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)，直至显露出晶圆衬底101上的氮化物103，如图1(e)所示。本步骤在去除浅沟槽外氮化物表面氧化物的同时，还将去除浅沟槽内的部分氧化物；所述浅沟槽外氮化物，也即是有源区氮化物。
步骤306，测量氮化物的厚度SH1。
采用现有的OCD方法测量氮化物的高度SH1。
步骤307，根据测量得到的氮化物高度SH1，去除浅沟槽内指定高度的氧化物。
本步骤具体包括：将SH1与氮化物高度标准范围，即SH1D～SH1H，进行比较：
如果SH1低于SH1D，则用SHID减去SH1，得到相减值；用浅沟槽内氧化物的目标去除高度值减去所述相减值，得到相减后的值M1；对浅沟槽内的氧化物进行高度为M1的去除处理；
如果SH1高于SH1H，则用SH1减去SHIH，得到相减值；用浅沟槽内氧化物的目标去除高度值加上所述相减值，得到相加后的值M2；对浅沟槽 内的氧化物进行高度为M2的去除处理；
如果SH1在氮化物高度标准范围内，则对浅沟槽内的氧化物，进行高度为浅沟槽内氧化物的目标去除高度值的去除处理。
本实施例中，假设氮化物高度标准范围，即SH1D～SH1H，为645埃～665埃；浅沟槽内氧化物的目标去除高度值为现有流程步骤207中去除浅沟槽内氧化物的高度，为一个标准值，这里假设浅沟槽内氧化物的目标去除高度值为130埃。将SH1与645埃～665埃进行比较：
如果SH1低于645，则进行以下运算：
645-SH1＝A，130-A＝M1；
然后，对浅沟槽内的氧化物进行高度为M1的去除处理。
如果SH1高于665，则进行以下运算：
SH1-665＝B，130+B＝M2；
然后，对浅沟槽内的氧化物进行高度为M2的去除处理。
如果SH1属于在645埃～665埃范围内，则对浅沟槽内的氧化物进行高度为130埃的去除处理。
以该氧化物为SiO2，有源区的氮化物为氮化硅为例，本步骤采用洗稀氢氟酸(HF)对浅沟槽内的SiO2进行腐蚀；由于稀HF对氮化硅不进行反应，本步骤只去除浅沟槽内130埃的SiO2，不对有源区的氮化硅产生影响，其结构为图1(f)所示。
步骤308，去除氮化物。
由于氮化物表面因自然氧化常会形成一层氧化物，因此，本步骤具体包括：去除氮化物表面因自然氧化形成的氧化物，然后再去除氮化物。
以氮化物为氮化硅为例，由于氮化硅表面会被氧化，在氮化硅表面将形成一层SiO2。本步骤中首先用稀HF腐蚀氮化硅表面90埃的SiO2，用稀HF对氮化硅表面SiO2进行腐蚀的同时，也会腐蚀掉浅沟槽内的部分SiO2；然后，采用磷酸去掉650埃的氮化硅，去掉有源区氮化硅时，磷酸对浅沟槽内的SiO2不进行反应。本步骤之后的结构如图1(g)所示，一般情况下，浅沟槽内氧化物表 面高于有源区表面。
步骤309，测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2。
所述浅沟槽外氧化物，也即是有源区氧化物。
步骤310，根据测量得到的SH2去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物。
本步骤具体包括：将SH2与浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差，即SH2D～SH2H，进行比较：
如果SH2低于SH2D，则用SH2D减去SH2，得到相减值；用浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值减去所述相减值，得到相减后的值M3；对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物进行高度为M3的去除处理；
如果SH2高于SH2H，则用SH2减去SH2H，得到相减值；用浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值加上所述相减值，得到相加后的值M4；对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物进行高度为M4的去除处理；
如果SH2在SH2D～SH2H内，则对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物，进行高度为浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值的去除处理。
本实施例中，假设浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差，即SH2D～SH2H，为230埃～280埃；浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值为一个标准值，是现有流程步骤210中去除浅沟槽内外氧化物的高度，这里假设浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值为145埃。将SH2与230埃～280埃进行比较：
如果SH2低于230，则进行以下运算：
230-SH2＝C，145-C＝M3；
然后，对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物，进行高度M3的去除处理。
如果SH2高于280，则进行以下运算：
SH2-280＝D，145+D＝M4；
然后，对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物，进行高度M4的去除处理。
以浅沟槽内外氧化物为SiO2为例，本步骤采用稀HF对浅沟槽内SiO2 和有源区的SiO2进行腐蚀。本步骤之后，有源区露出晶圆衬底硅，其结构如图1(h)所示。
至此，完成了浅沟槽隔离区的制作，之后，便可生长栅极。
在步骤310之后，还可测量得到浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差SH3。通过测得的SH3可以获知当前制作的该器件的质量。例如：将测得的SH3与，浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差目标值，进行比较，如果两者相差在规定范围外，则该器件不可用；如果两者相差在规定范围内，则该器件合格。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种浅沟槽隔离区的制作方法，在晶圆衬底上依次形成氧化物和氮化物，刻蚀氮化物、氧化物和衬底形成浅沟槽，在浅沟槽内和氮化物表面淀积氧化物；之后，该方法还包括：
去除氮化物表面的氧化物；
测量氮化物高度SH1；
去除浅沟槽内指定高度的氧化物；
去除氮化物；
测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2；
根据SH2和浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差标准范围，即SH2D～SH2H，去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物：
如果SH2低于浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围的下限值SH2D，则用SH2D减去SH2，得到相减值；用浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值减去所述相减值，得到相减后的值M3；对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物进行高度为M3的去除处理；
如果SH2高于浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围的上限值SH2H，则用SH2减去SH2H，得到相减值；用浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值加上所述相减值，得到相加后的值M4；对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物进行高度为M4的去除处理；
如果SH2在浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围内，则对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物，进行高度为浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值的去除处理。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围的下限值SH2D为230埃，所述浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围的上限值SH2H为280埃。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值为145埃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除浅沟槽内指定高度的氧化物包括：根据测量得到的氮化物高度SH1去除浅沟槽内的氧化物：
如果SH1低于氮化物高度标准范围的下限值SH1D，则用SH1D减去SH1，得到相减值；用浅沟槽内氧化物的目标去除高度值减去所述相减值，得到相减后的值M1；对浅沟槽内的氧化物进行高度为M1的去除处理；
如果SH1高于氮化物高度标准范围的上限值SH1H，则用SH1减去SH1H，得到相减值；用浅沟槽内氧化物的目标去除高度值加上所述相减值，得到相加后的值M2；对浅沟槽内的氧化物进行高度为M2的去除处理；
如果SH1在氮化物高度标准范围内，则对浅沟槽内的氧化物，进行高度为浅沟槽内氧化物的目标去除高度值的去除处理。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氮化物高度标准范围的下限值SH1D为645埃，所述氮化物高度标准范围的上限值SH1H为665埃。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述浅沟槽内氧化物的目标去除高度值为130埃。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述指定高度为130埃。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除氮化物包括：去除氮化物表面因自然氧化形成的氧化物，然后去除氮化物。
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| CN 200910201052 CN102097355B (zh) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 浅沟槽隔离区的制作方法 |
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