CN102094183B - 冷壁间歇式反应器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种冷壁间歇式反应器,含有反应腔体和与之相连接的气路和水冷系统。反应腔体为双层结构:内层为反应腔,外层为水冷套。样品加热控温座由反应腔体底部伸入反应腔内,其上设有一个凹形样品平台,反应腔设有进气和出气端,进气端通过一个四通和三个阀门分别与真空泵、氢气源、二氧化碳气源相连接,用于反应腔的抽真空和工作气体的引入。出气端通过一个四通分为三路:分别是通过一个阀门直接通入室外的排气管、接有一个安全爆破阀再通入室外的排气管和通过配接端口连接一个测量反应腔内压力的传感器。它们分别用以反应腔气体的排放和腔内压力过高的保护性排放以及腔内压力的测量。本发明适用于超临界状态下的还原反应,制备出金属薄膜。

Description

冷壁间歇式反应器
技术领域
本发明涉及化学流体气相沉积金属薄膜制备领域,具体涉及一种化学流体气相沉积金属薄膜所用的反应器。
背景技术
传统制备金属薄膜的方法主要有气相沉积法和基于水溶液镀膜法包括电镀和化学镀。化学流体沉积技术(CFD,chemical fluid deposition),是近几年国外发展的一种制备高质量金属薄膜(镀层、涂层)和金属纳米粒子的新技术。该技术以超临界流体(SCFs)为介质,还原金属有机化合物,得到金属薄膜或纳米材料。化学流体沉积技术在许多方面可以弥补传统镀层方法的不足,且具备一些独特的性质,正越来越多的受到重视和关注。
超临界流体是一种温度和压力同时高于其临界值的流体。这类流体具有许多特性,其物理化学性质随温度和压力变化十分敏感。因此,其性质可以通过改变温度和压力进行连续调节,特别是临界点附近,温度和压力的微小变化会显著地影响流体的性质。典型的超临界流体选择为超临界二氧化碳(scCO2),这是因为-二氧化碳成本低,对环境基本无危害,临界特性较适合(临界温度Tc=31℃,临界压力Pc=7.38MPa)。CFD技术就是以超临界二氧化碳(scCO2)为溶剂。进行超临界状态下的还原反应,制备出金属薄膜。实现化学流体气相沉积需要一套特殊的反应器,通常对反应器装置主要要求为:(1)能形成二氧化碳超临界流体;(2)衬底表面与反应腔体有温度差;(3)衬底周围有较高的温度和压力要求。
发明内容
本发明公开了一种实现化学流体气相沉积的冷壁间歇式反应器。
其特征在于:含有反应腔体和与之相连接的气路和水冷系统。反应腔体包含反应腔、样品加热控温座、竖直视镜窗、左视镜窗和右进料口。反应腔体为水平的空心圆柱体双层结构,内层空心圆柱体为反应腔,反应腔设置有进气端口和出气端口;壁上设有水冷套夹层并配上进出水端口;左端为左视镜窗,右端为进料口,样品加热控温座由反应腔体底部伸入反应腔内,样品加热控温座上端设有一凹形的样品平台,在样品平台的正上方设有竖直视镜窗;水冷套夹层进出水端口与油浴装置连接,通过它进行温度设定和控制;左视镜窗和竖直视镜窗均采用采用螺纹压头配合橡胶垫圈将石英玻璃固定的结构;进料口通过螺纹压头将密封块与反应腔封密。
样品加热控温座以一空心的金属圆柱体作为骨架,加热丝环绕在一根竖直的空心瓷管上,加热丝一端与金属圆柱体的内壁相连,一端通过引线由样品加热控温座下端引出;温度传感器通过空心瓷管的中空部分穿过与凹形的样品平台的底面接触,引线由样品加热控温座下端引出,内部通过耐高温胶(可耐1600℃)胶合形成一个实心的整体。密封圈紧套在加热控温座外壳上,穿过固定座内置孔,通过隔热环套和固定螺帽将加热控温座固定在固定座上。样品加热控温座的引出线与它所配接的温度测控仪连接,通过它进行温度设定和控制。
反应腔进气端口通过一个四通和三个阀门分别与真空泵、氢气源、二氧化碳气源相连接,氢气源是指通过质量流量计和氢气减压阀与氢气瓶相连接构成的氢气供气气路,二氧化碳气源是指通过配备压力传感器的二氧化碳增压器和一个阀门与二氧化碳气瓶相连接构成的二氧化碳供气气路,通过三个阀门的开关控制可分别实现反应腔的抽真空和工作气体的引入。反应腔出气端口通过一个四通分为三路:分别是通过一个阀门直接通入室外的排气管、接有一个安全爆破阀再通入室外的排气管和通过配接端口连接一个压力传感器。它们分别用以反应腔气体的正常排出和腔内压力过高的保护性排放以及腔内压力的测量。
反应腔内化学反应的原料为有机金属化合物如六氟乙酰丙酮钯,还原剂为氢气(纯度≥99.99%),反应介质为二氧化碳(纯度≥99.99%)。反应器工作时,其操作流程如下:a.放样品;打开右进料口将待沉积的样品放在样品平台上,金属有机化合物放入反应腔内,通常可直接放在样品上,并将右进料口安装密封好。b.对反应腔抽真空;c.夹层水冷套冷却;通过连接的油浴装置进行温度设定和控制,使温度控制在5℃左右。d.通入工作气体;目的是控制反应腔内的温度和压力使二氧化碳变为超临界状态形成超临界流体,并通入一定数量的氢气。具体操作是:先通入二氧化碳气体,此时增压装置暂不工作,输出较低压力的二氧化碳气体,二氧化碳气体进入反应腔后会变成液体,当反应腔内压力在4MPa~5MPa,从左视镜窗观察液面通常在一半附近位置时,关闭二氧化碳气体,通入氢气,此时必须保持氢气减压阀的出口压力大于腔内压力,氢气才可被充入反应腔,由质量流量计控制,通入一定的数量约200ml~300ml后,关闭氢气,充完氢气反应腔内压力增加不大仍为4MPa~5MPa,因为此时必须保持二氧化碳气体出口压力大于腔内压力,二氧化碳气体才可被充入反应腔,利用增压泵获得高压二氧化碳气体,通入高压二氧化碳气体,当反应腔内压力在7MPa~8MPa,从左视镜窗观察反应腔液体应接近加满时,关闭高压二氧化碳气体,此时反应腔处于一个全密闭状态。e.样品升温;通过样品加热控温座所配接的温度测控仪进行温度设定和控制,使温度控制在100℃~120℃,到达设定温度后,反应腔内压力通常在14 MPa~20MPa。f.反应制备金属薄膜;反应腔内发生超临界状态下的还原反应,经过10小时~20小时的反应时间后在样品表面制备出金属薄膜。以制备金属Pd薄膜为例,反应方程式为:
本发明装置最高承压达到25MPa,反应腔内压力通常在14 MPa~20MPa。样品平台可单独进行控温,最高温度达到200℃,工作时样品平台的温度设定在100℃~200℃,反应腔内其它位置的温度样品应低于样品平台上的温度,反应腔内其它位置的温度设定在5℃~60℃。 
附图说明
图1为本发明冷壁间歇式反应器反应腔体结构图。
图2为本发明冷壁间歇式反应器样品加热控温座结构图。
图3为本发明冷壁间歇式反应器气路连接图。
图中:1.夹层水冷套    2.左视镜窗     3.进料口     4.样品加热控温座     5.样品平台     6.竖直视镜窗     7.进气端口     8.出气端口     9.空心的金属圆柱体     10.加热丝     11.空心瓷管     12.温度传感器     13.真空泵     14.反应腔     15.安全爆破阀     16.压力传感器A    17.螺纹压头A    18橡胶垫圈A      19. 橡胶垫圈B    20.石英玻璃A    21.螺纹压头B    22.密封块     23.螺纹压头C    24.橡胶垫圈C    25.橡胶垫圈D    26.石英玻璃B    27.固定座     28.固定螺帽     29.橡胶垫圈E    30.隔热环套     31.固定座内置孔     32.质量流量计     33.氢气减压阀     34.氢气瓶     35.压力传感器B    36.二氧化碳增压泵     37.二氧化碳气瓶。
具体实施方式
下面根据附图对本发明进行具体描述。
图1~3中,本实用新型冷壁间歇式反应器,含有反应腔体和与之相连接的气路和水冷系统。反应腔体包含反应腔、样品加热控温座、竖直视镜窗、左视镜窗和右进料口。反应腔体为水平的空心圆柱体双层结构,内层空心圆柱体为反应腔14,反应腔14设置有进气端口7和出气端口8;壁上设有水冷套夹层1并配有进出水端口;左端为左视镜窗2,右端为进料口3,样品加热控温座4由反应腔体底部伸入反应腔内,样品加热控温座4上端设有一凹形的样品平台5,在样品平台5的正上方设有竖直视镜窗6;取放样品或需观察样品时,可由左视镜窗2打灯光,由竖直视镜窗6观察样品,由进料口3进行取放操作。
水冷套夹层1进出水端口与油浴装置连接,通过它进行温度设定和控制。左视镜窗2采用螺纹压头17配合橡胶垫圈A18、橡胶垫圈B19将石英玻璃20固定;竖直视镜窗6采用螺纹压头23配合橡胶垫圈C24、橡胶垫圈D25将石英玻璃26固定;进料口3通过螺纹压头21将密封块22与反应腔14封密。
样品加热控温座4以一空心的金属圆柱体9作为骨架,加热丝10环绕在一根竖直的空心瓷管11上,加热丝10一端与金属圆柱体9的内壁相连,一端通过引线由样品加热控温座4下端引出;温度传感器12通过空心瓷管11的中空部分穿过与凹形的样品平台5的底面接触,引线由样品加热控温座4下端引出,内部通过耐高温胶(可耐1600℃)胶合形成一个实心的整体。橡胶垫圈E29紧套在加热控温座4外壳上,穿过固定座27内置孔31,通过隔热环套30和固定螺帽28将加热控温座4固定在固定座27上。样品加热控温座4的引出线与它所配接的温度测控仪连接,其中加热电压应加于加热丝10的一个引出端和样品加热控温座4的外壳之间。样品加热控温座4的温度由温度测控仪设定和控制。
所述的进气端口7通过一个四通和三个阀门分别与真空泵、氢气源、二氧化碳气源相连接,氢气源是指通过质量流量计32和氢气减压阀33与氢气瓶34相连接构成的氢气供气气路,二氧化碳气源是指通过二氧化碳增压器36配备压力传感器35和一个阀门与二氧化碳气瓶37相连接构成的二氧化碳供气气路,所述的出气端口8通过一个四通分为三路:分别是通过一个阀们直接通入室外的排气管、接有一个安全爆破阀15再通入室外的排气管和通过配接端口连接一个压力传感器16,压力传感器16与压力测试仪连接。打开抽真空阀,关闭其他几个阀门可实现对反应腔抽真空;关闭抽真空阀,分别打开二氧化碳气阀和氢气阀可分别对反应腔充二氧化碳和氢气。
反应器工作时,其操作流程如下:a.放样品;打开右进料口3将待沉积的样品放在样品平台5上,金属有机化合物放入反应腔内,通常可直接放在样品上,并将右进料口3安装密封好。b.对反应腔14抽真空;c.夹层水冷套1冷却;通过连接的油浴装置进行温度设定和控制,使温度控制在5℃左右。d.通入工作气体;先通入二氧化碳气体,此时增压装置36暂不工作,输出较低压力的二氧化碳气体,二氧化碳气体进入反应腔后会变成液体,当反应腔14内压力在4MPa~5MPa,从左视镜窗2观察液面通常在一半附近位置时,关闭二氧化碳气体,通入氢气,此时必须保持氢气减压阀33的出口压力大于腔内压力,由质量流量计32控制,通入一定的数量约200ml~300ml后,关闭氢气,充完氢气反应腔14内压力增加不大仍为4MPa~5MPa, 利用增压装置36获得高压二氧化碳气体,此时必须保持由压力传感器35测得的二氧化碳气体出口压力大于腔内压力,通入高压二氧化碳气体,当反应腔14内压力在7MPa~8MPa,从左视镜窗2观察反应腔14液体应接近加满时,关闭高压二氧化碳气体,此时反应腔14处于一个全密闭状态。e.样品升温;通过样品加热控温座4所配接的温度测控仪进行温度设定和控制,使温度控制在100℃~120℃,到达设定温度后,反应腔内压力通常在14 MPa~20MPa。f.反应制备金属薄膜;反应腔14内发生超临界状态下的还原反应,经过10小时~20小时的反应时间后在样品表面制备出金属薄膜。

Claims (2)

1.冷壁间歇式反应器,其特征在于:所述的反应器含有反应腔体和与之相连接的气路和水冷系统;反应腔体包含反应腔、样品加热控温座、竖直视镜窗、左视镜窗和右进料口;反应腔体为水平的空心圆柱体双层结构,内层空心圆柱体为反应腔(14),反应腔(14)设置有进气端口(7)和出气端口(8);壁上设有水冷套夹层(1)并配上进出水端口;左端为左视镜窗(2),右端为进料口(3),样品加热控温座(4)由反应腔体底部伸入反应腔内,样品加热控温座(4)上端设有一凹形的样品平台(5),在样品平台(5)的正上方设有竖直视镜窗(6);
水冷套夹层(1)进出水端口与油浴装置连接;左视镜窗(2)采用螺纹压头(17)配合橡胶垫圈将石英玻璃(20)固定;竖直视镜窗(6)采用螺纹压头(23)配合橡胶垫圈将石英玻璃(26)固定;进料口(3)通过螺纹压头(21)将密封块(22)与反应腔(14)封密;
样品加热控温座(4)以一空心的金属圆柱体(9)作为骨架,加热丝(10)环绕在一根竖直的空心瓷管(11)上,加热丝(10)一端与金属圆柱体(9)的内壁相连,一端通过引线由样品加热控温座(4)下端引出;温度传感器(12)通过空心瓷管(11)的中空部分穿过与凹形的样品平台(5)的底面接触,引线由样品加热控温座(4)下端引出,内部通过耐高温胶胶合形成一个实心的整体;
密封圈(29)紧套在样品加热控温座(4)外壳上,穿过固定座(27)内置孔(31),通过隔热环套(30)和固定螺帽(28)将加热控温座(4)固定在固定座(27)上;
样品加热控温座(4)的引出线与它所配接的温度测控仪连接;
所述的进气端口(7)通过一个四通和三个阀门分别与真空泵(13)、氢气源、二氧化碳气源相连接,氢气源是指通过质量流量计(32)和氢气减压阀(33)与氢气瓶(34)相连接构成的氢气供气气路,二氧化碳气源是指通过二氧化碳增压器(36)配备压力传感器(35)和一个阀门与二氧化碳气瓶(37)相连接构成的二氧化碳供气气路,所述的出气端口(8)通过一个四通分为三路:分别是通过一个阀门直接通入室外的排气管、接有一个安全爆破阀(15)再通入室外的排气管和通过配接端口连接一个压力传感器(16)。
2.根据权利要求1所述的冷壁间歇式反应器,其特征在于:所述的样品平台(5)的温度控制为100℃~200℃,反应腔内其它位置的温度控制为5℃~60℃。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11557474B2 (en) 2019-07-29 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation
US11594450B2 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11594600B2 (en) 2019-11-05 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US11848200B2 (en) 2017-05-08 2023-12-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11851755B2 (en) 2016-12-15 2023-12-26 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
US11967488B2 (en) 2013-02-01 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method for treatment of deposition reactor
US11972944B2 (en) 2022-10-21 2024-04-30 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition

Families Citing this family (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
CN102874753A (zh) * 2012-11-01 2013-01-16 江苏中靖新能源科技有限公司 一种用于制氢剂反应的双层反应器
CN103925468A (zh) * 2014-04-21 2014-07-16 江苏赛宝龙石化有限公司 一种反应器安全控制装置
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11390950B2 (en) * 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN110876908A (zh) * 2019-11-28 2020-03-13 苏州华杨赛斯真空设备有限公司 气氛可控式小型反应装置
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN112760608A (zh) * 2020-12-14 2021-05-07 兰州空间技术物理研究所 碳纤维复合材料表面薄膜沉积过程防止层间放气的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2017369A1 (en) * 1999-11-02 2009-01-21 University of Massachusetts Chemical fluid deposition for the formation of metal and metal alloy films on patterned and unpatterned substrates

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1735824A2 (en) * 2004-04-14 2006-12-27 University of Massachusetts Adhesion of a metal layer to a substrate and related structures
US20060188658A1 (en) * 2005-02-22 2006-08-24 Grant Robert W Pressurized reactor for thin film deposition

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2017369A1 (en) * 1999-11-02 2009-01-21 University of Massachusetts Chemical fluid deposition for the formation of metal and metal alloy films on patterned and unpatterned substrates

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
徐琴琴等.化学流体沉积法制备纳米复合材料研究进展.《化学通报》.1997,(第3期),188-194页. *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11967488B2 (en) 2013-02-01 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method for treatment of deposition reactor
US11851755B2 (en) 2016-12-15 2023-12-26 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11848200B2 (en) 2017-05-08 2023-12-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11557474B2 (en) 2019-07-29 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation
US11594450B2 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11594600B2 (en) 2019-11-05 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
US11972944B2 (en) 2022-10-21 2024-04-30 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11970766B2 (en) 2023-01-17 2024-04-30 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus

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