CN102092955A - 蚀刻设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种蚀刻设备，该蚀刻设备包括：多个室，具有敞开的以使基底进入或排出基底的开口；喷射构件，安装在每个室的内部以喷射化学液体；阻截构件，邻近地安装在每个室的开口处并抽吸进入开口中的气体。

Description

蚀刻设备
技术领域
描述的技术大体上涉及一种蚀刻设备。
背景技术
蚀刻方法已广泛地用于制造平板显示面板和半导体。
蚀刻方法包括浸蚀(dip etching)方案和淋蚀(shower etching)方案，在浸蚀方案中将基底浸在蚀刻溶液中而将基底蚀刻，在淋蚀方案中将蚀刻溶液喷洒在基底上以将基底蚀刻。
在该背景部分中公开的上述信息仅用于加强对描述的技术的背景的理解，因此，它可能包含未形成对本领域技术人员在本国内已知的现有技术的信息。
发明内容
描述的技术致力于提供一种能够在蚀刻工艺中减少缺陷发生的蚀刻设备。
根据示例性实施例的蚀刻设备包括：多个室，每个室具有用于基底进入或排出基底的开口；喷射构件，安装在每个室的内部以喷射化学液体；阻截构件，邻近地安装在每个室的开口处并吸入进入开口中的气体。
酸出口可以安装在室中以抽吸在室中产生的烟汽，阻截构件可以以形成有多个抽吸孔的管状形成。另外，开口以具有宽度方向和高度方向的四边形形状形成，阻截构件沿开口的宽度方向设置，抽吸孔设置为沿开口的宽度方向隔开。
阻截构件可安装在室中并处于开口上，开口为出口，基底通过出口排出，阻截构件设置为与出口邻近。
开口可以包括入口，基底通过入口进入，阻截构件可以设置为与入口邻近，且开口可以包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，阻截构件可以分别安装在与入口和出口邻近的部分处。
阻截构件可安装有覆盖阻截构件的盖，盖的上表面可形成为相对于水平面倾斜。另外，室可包括执行蚀刻工艺的蚀刻室和暂时保持基底的缓冲室，蚀刻室和缓冲室均可包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，其中，阻截构件可安装在与蚀刻室的入口邻近的部分处，且阻截构件可安装在与缓冲室的出口邻近的部分处。
室可包括执行蚀刻工艺的蚀刻室和暂时保持基底的缓冲室，蚀刻室和缓冲室均可包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，阻截构件可分别安装在与蚀刻室的入口和出口邻近的部分处，且阻截构件可安装在与缓冲室的出口邻近的部分处。
根据示例性实施例，阻截构件安装在蚀刻设备的室的内部以阻截由邻近的室产生的烟汽进入其他室中，能够减少蚀刻缺陷的发生。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，对本发明更完整的理解以及本发明的许多附带的优点将易于显而易见，并且更易于理解，在附图中相同的标号表示相同或相似的组件，其中：
图1为示出根据第一示例性实施例的蚀刻设备的构造图；
图2为示出根据第一示例性实施例的第一室的透视图；
图3为沿图2的III-III线截取的剖视图；
图4为沿图2的IV-IV线截取的剖视图；
图5为示出根据第一示例性实施例的阻截构件的透视图；
图6为示出根据第二示例性实施例的蚀刻设备的构造图；
图7为示出根据第三示例性实施例的蚀刻设备的构造图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，仅通过举例说明的方式仅示出和描述了特定的示例性实施例。如本领域的技术人员将认识到的，在不脱离本发明的精神或范围的所有情况下，可以以各种不同方式修改描述的实施例。
在说明书中，除非明确地描述为相反，否则词语“包含”和其变型将理解为意味着包括所述的元件，而不排除任何其他元件。在说明书中，词语“在......上”将理解为位于相关构件之上或之下，而不必意味着位于基于重力方向的上部上。
应该认识到，为了更好地理解且便于描述，任意地给出了在附图中示出的组成构件的尺寸和厚度，本发明不限于示出的尺寸和厚度。
在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的标号代表相同的元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作在另一元件上时，它可以直接在该另一元件上，或也可以存在中间元件。可选择地，当元件被称作直接在另一元件上时，不存在中间元件。
为了使本发明清楚，描述的细节中省略了该描述非固有的元件，在整个说明书中，相同的标号代表相同元件。
在几个示例性实施例中，具有相同构造的组成元件通过使用相同标号在第一示例性实施例中进行了代表性地描述，在其他实施例中将仅描述除了在第一示例性实施例中描述的组成元件之外组成元件。
传统的浸蚀方案在基底整个区域上具有低的厚度均匀性，传统的浸蚀方案与最初的基底蚀刻速率相比降低了蚀刻速率，并需要包含蚀刻溶液的大的液体槽，使其具有难以维护且难以除去产生的泥的缺点。
另外，传统的淋蚀方案的问题在于：当蚀刻溶液喷洒不均匀时，在基底上产生过蚀刻或产生污点。
传统的淋蚀设备可以构造为包括缓冲室、蚀刻室、洗涤室、干燥室等。在蚀刻设备中使用的蚀刻溶液为无机酸、过氧化氢等的混合物，并在蚀刻工艺过程中产生烟汽。为了排放烟汽，现有技术中的蚀刻设备具有用于每个蚀刻部分的酸出口。然而，当蚀刻设备具有多个蚀刻室且它们未全部使用时，从邻近的处理室进入到未使用的室中的烟汽会在该结构中冷凝，然后滴下。当冷凝的烟汽的液滴落到基底上时，蚀刻缺陷产生。另外，即使使用全部的蚀刻室，烟汽也会在进入蚀刻部分之前进入缓冲室，从而使其产生蚀刻缺陷。
图1为示出根据第一示例性实施例的蚀刻设备的构造图。
根据本示例性实施例的蚀刻设备100包括多个室101、102、103和104，其中，室101、102、103和104构造为包括顺序地布置的第一室101、第二室102、第三室103和第四室104。第一室101为保持基底121(蚀刻对象)的缓冲室，第二室102、第三室103和第四室104为执行蚀刻的蚀刻室。基底121从第一室101经由第二室102和第三室103传送到第四室104。
本示例性实施例示出了仅在第二室102中执行蚀刻而未在第三室103和第四室104中执行蚀刻的情况。
室101、102、103和104安装有喷射构件150和阻截构件130，喷射构件150将化学溶剂喷射到室101、102、103和104中，阻截构件130阻截进入到室101、102、103和104中气体。另外，为了具有形成在其上的图案的基底121安装在室101、102、103和104中。基底121可以为应用到诸如有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)等的平板显示器的基底，并可以应用诸如半导体晶片等的各种基底。
图2为示出根据第一示例性实施例的第一室的透视图，图3为沿图2的III-III线截取的剖视图，图4为沿图2的IV-IV线截取的剖视图。
参照图2至图4，第二室102、第三室103和第四室104具有与第一室101相同的构造，因此，第二室102、第三室103和第四室104的描述与第一室101的描述相同且将不做进一步的解释。
在第一室101中包括传送构件125、喷射构件150和阻截构件130，传送构件125传送基底121，喷射构件150向基底121喷射化学溶液，阻截构件130抽吸进入第一室101中的气体。
第一室101形成为近似四边形的室并形成有开口，基底121可以通过该开口流动或移动并通过该开口排出。开口包括入口112和出口113，基底121通过入口112流进或移进并通过出口113排出。入口112可包括打开和关闭入口112的开闭件(未示出)，出口113可包括打开和关闭出口113的开闭件(未示出)。
入口112和出口113形成为具有宽度方向和高度方向的四边形。宽度方向为与重力方向交叉的方向，高度方向为与重力方向平行的方向。
基底121可以具有诸如四边形板、圆形板等的各种形状。传送构件125形成为圆柱杆，并包括多个滚轮126。传送基底121的多个传送构件125安装在基底121之下，根据传送构件125的转动，基底121可以进入第一室101中或从第一室101中排出。
喷射构件150包括多个提供化学溶液的化学溶液传送管150a和多个安装在化学溶液传送管150a处的喷嘴152。多个化学溶液传送管150a平行布置，并且它们的端部通过连接管150b彼此相通以容纳化学溶液。多个喷嘴152布置为沿化学溶液传送管150a的长度方向隔开，并使化学溶液散开以将化学溶液喷射到基底121。
喷射到基底121的化学溶液蚀刻基底121以在基底121上形成精细图案。
同时，室101的壁表面包括可以排放因化学溶液的喷射产生的烟汽的酸出口115。酸出口115形成为在室101的壁表面上的孔，且酸出口115与排气线路连接以抽吸在室101内部产生的烟汽并将这些烟汽排放到外部。
参照图3至图5，阻截构件130安装在室101的出口113处与出口113邻近。阻截构件130形成为管，阻截构件130形成有多个抽吸孔132以抽吸通过出口113进入的气体。阻截构件130与排气线路连接，排气线路连接到真空泵。因此，阻截构件130与真空泵相通，且在抽吸孔132中产生抽吸压来抽吸通过抽吸孔132的气体。
同时，阻截构件130安装在出口113正上方(基于重力方向)并沿出口113的宽度方向设置。可选择地，阻截构件130安装在室101内紧靠出口113的位置的正上方(基于重力方向)。因此，多个抽吸孔132设置为沿多个出口113的宽度方向分开。当在邻近的室中执行蚀刻工艺而未在根据本示例性实施例的室101中执行蚀刻工艺时，在邻近的室中产生的烟汽会通过出口113进入室101中。进入室101的烟汽在室101中积累并冷凝，冷凝的化学溶液会滴到基底121中，引起前面讨论的基底121中的缺陷。根据本示例性实施例的阻截构件130抽吸并排出通过出口113进入的烟汽，从而阻截烟汽进入室101并在室101中积累。因此，可以防止因进入邻近室的烟汽导致的蚀刻缺陷的发生。
盖140覆盖阻截构件130。盖140以类似盒子的形状形成，盖140的上板141形成为相对水平面倾斜。盖140防止化学溶液与阻截构件130接触，倾斜的上板141防止化学溶液在上板141上积累。
图6为示出根据第二示例性实施例的蚀刻设备的构造图。
参照图6，根据该示例性实施例的蚀刻设备200包括多个室201、202、203和204，这些室包括第一室201、第二室202、第三室203和第四室204。第一室201为保持基底221的缓冲室，第二室202、第三室203和第四室204为执行蚀刻的室。
第一阻截构件231安装在作为缓冲室的第一室201的内部，第一阻截构件231设置为与第一室201的出口邻近以阻截烟汽进入到第一室201中。
同时，喷射构件250和第二阻截构件232设置在第二室202的内部，喷射构件250向基底221喷射化学溶液，第二阻截构件232设置为与第二室202的入口邻近以阻截烟汽排放到第二室202外部并阻截从外部进入的烟汽。第三室203和第四室204具有与第二室202的结构相同的结构，因此，不需要它们的描述。
与上面提到的第一示例性实施例的阻截构件相似，第一阻截构件231和第二阻截构件232包括形成有用于抽吸气体的抽吸孔的管。
根据第二示例性实施例，当第一阻截构件231安装在第一室201中时，它可以防止烟汽进入到第一室201中，并且当第二阻截构件232安装在第二室202、第三室203和第四室204的内部时，它可以防止烟汽通过入口排放到室202、203和204的外部或从室202、203和204的外部进入。因此，本发明可以稳定地防止在烟汽进入到邻近的室中时发生的蚀刻缺陷。
图7为示出根据第三示例性实施例的蚀刻设备的构造图。
参照图7，根据第三示例性实施例的蚀刻设备300包括多个室301、302、303和304，这些室包括第一室301、第二室302、第三室303和第四室304。第一室301为保持基底321的缓冲室，第二室302、第三室303和第四室304为执行蚀刻的室。
第三室303和第四室304形成有与第二室302的结构相同的结构，因此，这里将省略它们的描述。
喷射构件350、第一阻截构件331和第二阻截构件332安装在第二室302中，喷射构件350向基底321喷射化学溶液，第一阻截构件331设置为与第二室302的出口邻近以阻截烟汽进入第二室302或从第二室302排出，第二阻截构件332设置为与第二室302的入口邻近以阻截烟汽向第二室302的外部排出并阻截烟汽从第二室302的外部进入。与上面提到的第一示例性实施例的阻截构件相似，第一阻截构件331和第二阻截构件332包括形成有用于抽吸气体的抽吸孔的管。第一阻截构件331和第二阻截构件332抽吸通过入口或出口散布的气体。
根据第三示例性实施例，当第一阻截构件331、第二阻截构件332安装在第二室302、第三室303和第四室304中时，它可以防止烟汽通过入口或出口排出到室302、303和304的外部，同样可以防止烟汽通过入口或出口进入到室302、303和304中。
当全部蚀刻室中仅某些蚀刻室执行蚀刻工作时，例如当仅在第三室303中执行蚀刻工作时，可防止烟汽从第三室303中排出，并可防止烟汽进入第二室302和第四室304。
另外，仅第一阻截构件331安装在作为缓冲室的第一室301中。蚀刻工艺不在第一室301中执行，因此，足以阻截烟汽进入到第一室301中。因此，第一阻截构件331安装为阻截烟汽进入第一室301中。
虽然已结合当前被认为实际的示例性实施例的内容描述了本公开，但应该理解，本发明不限于公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (18)

1.一种蚀刻设备，所述蚀刻设备包括：
多个室，每个室具有敞开的以使基底进入或排出基底的开口；
喷射构件，安装在多个室中的每个室的内部以喷射化学液体；
阻截构件，邻近地安装在多个室中的每个室的开口处并抽吸进入到多个室中的每个室的开口中的气体。
2.如权利要求1所述的蚀刻设备，所述蚀刻设备还包括酸出口，酸出口安装在多个室中的每个室中以抽吸在多个室中的每个室中产生的烟汽。
3.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，阻截构件以管状形成，在所述管状中形成有多个抽吸孔。
4.如权利要求3所述的蚀刻设备，其中，
开口以具有宽度方向和高度方向的四边形形状形成，
阻截构件沿开口的宽度方向设置，多个抽吸孔设置为沿开口的宽度方向隔开。
5.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，阻截构件安装在每个室中并处于开口的基于重力方向的上方。
6.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，开口为出口，基底通过所述出口排出，阻截构件设置为与所述出口邻近。
7.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，开口包括入口，基底通过所述入口进入，阻截构件设置为与所述入口邻近。
8.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，开口包括出口和入口，基底通过所述出口排出并通过所述入口进入，阻截构件分别安装在与入口和出口邻近的位置处。
9.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，阻截构件安装有覆盖阻截构件的盖。
10.如权利要求9所述的蚀刻设备，其中，盖的上表面形成为相对于水平面倾斜。
11.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，
多个室包括对基底执行蚀刻工艺的蚀刻室和暂时保持基底的缓冲室，
蚀刻室和缓冲室均包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，
阻截构件安装在与蚀刻室的入口邻近的位置处，且阻截构件安装在与缓冲室的出口邻近的位置处。
12.如权利要求1所述的设备，其中，
多个室包括对基底执行蚀刻的蚀刻室和暂时保持基底的缓冲室，
蚀刻室和缓冲室均包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，
阻截构件分别安装与蚀刻室的入口和出口邻近的位置处，且阻截构件安装在与缓冲室的出口邻近的位置处。
13.一种蚀刻设备，所述蚀刻设备包括：
缓冲室，暂时保持基底，并具有敞开的以使基底进入或排出基底的开口；
多个蚀刻室，每个蚀刻室具有敞开的使基底进入或排出基底的另一开口；
多个喷射构件，安装在多个蚀刻室中的每个蚀刻室的内部以喷射化学液体；
多个阻截构件，设置为紧邻多个蚀刻室中的每个室的另一开口及缓冲室的开口，多个阻截构件吸取进入到多个蚀刻室中的每个蚀刻室的另一开口和缓冲室的开口中的气体。
14.如权利要求13所述的蚀刻设备，其中，
缓冲室和多个蚀刻室均包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，
阻截构件安装在与蚀刻室的入口邻近的位置处，且阻截构件安装在与缓冲室的出口邻近的位置处。
15.如权利要求13所述的蚀刻设备，其中，
缓冲室和多个蚀刻室均包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，
多个阻截构件中的每个分别安装在与多个蚀刻室中的每个蚀刻室的入口和出口邻近的位置处，且阻截构件安装在与缓冲室的出口邻近的位置处。
16.如权利要求13所述的蚀刻设备，其中，多个阻截构件中的每个结合到提供抽吸压的真空泵。
17.如权利要求13所述的蚀刻设备，其中，缓冲室的开口和多个蚀刻室中的每个蚀刻室的另一开口的形状为具有宽度方向和高度方向的四边形，
宽度方向为与重力方向交叉的方向，高度方向为与重力方向平行的方向，
多个阻截构件的每个沿缓冲室的开口和多个蚀刻室中的每个蚀刻室的另一开口的宽度方向与缓冲室的开口和多个蚀刻室中的每个蚀刻室的另一开口紧邻。
18.如权利要求17所述的蚀刻设备，其中，
多个阻截构件中的每个位于缓冲室的开口和多个蚀刻室中的每个蚀刻室的另一开口的上方，
上方为沿重力方向距地面较远的位置。
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