JP6536410B2 - 塗布膜除去装置 - Google Patents

Description

本発明は、高分子有機ＥＬディスプレイパネル等の製造工程において、基板上の塗布膜を選択的に除去する塗布膜除去装置に関する。

高分子有機ＥＬディスプレイパネル等の製造工程では、塗布法を用いて、高分子有機ＥＬディスプレイパネル等の構成に必要な被膜（層）を成膜することがある。その際、成膜を不要とする領域、即ち成膜不要領域に成膜された被膜の除去が必要となる場合がある。そして、その被膜を除去する方法として、例えば、特許文献１、２に記載された方法が開示されている。

特開平０８−１０２４３４号公報 特開平１１−１４３０８８号公報

しかしながら、例えば、被膜が塗布された部分を溶剤の貯蔵部に浸漬させる従来技術に係る被膜の除去方法では、基板の端部等、適用可能な箇所が限られてしまうことがある。このため、汎用性が高く、例えば、任意の部分に対して被膜を除去することが可能な方法が望まれていた。
そこで、本発明は、有機ＥＬパネル等の製造工程において、成膜不要領域に塗布された塗布膜を、容易且つ的確に除去することが可能な塗布膜除去装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様である塗布膜除去装置は、基板上の塗布膜のうちの予め設定した位置にある塗布膜除去部に向けて吐出口から除去液を吐出する除去液供給手段と、前記吐出された除去液を回収口から回収する除去液回収手段とを有する塗布膜除去装置本体と、前記基板表面と、前記塗布膜除去装置本体の前記吐出口と前記回収口との間に位置する平坦な底面との間の距離を調整する処理ギャップ調整装置と、を備えることを特徴とする。

本発明の一態様であれば、基板上の塗布膜の一部を選択的に、容易且つより的確に除去することが可能となる。このため、例えば、有機発光画素外周部等の塗布膜を確実に除去することが可能な塗布膜除去装置を提供することが可能となる。その結果、封止性能を向上させ、発光画素欠陥のない高分子有機ＥＬパネルを容易に得ることが可能となる。

第１から第４の各実施形態に係る塗布膜除去装置の構成を説明する平面図であって、（ａ）は処理ギャップ計測装置により、基板表面に形成された塗布膜のうちの塗布膜除去部と塗布膜除去装置本体（縦）の吐出口及び回収口との距離を計測している状態を表す。（ｂ）は塗布膜除去装置本体（縦）により縦方向の成膜不要領域に対する処理中の状態を表す。（ｃ）は塗布膜除去装置本体（横）により横方向の成膜不要領域に対する処理中の状態を表す。（ｄ）は全ての成膜不要領域に対する塗布膜除去の処理完了の状態を表す。 第１から第４の各実施形態に係る塗布膜除去装置の動作の一例を説明するための斜視図である。 図１（ｄ）における除去処理部３１のＡ−Ａ断面図の一例である。 超音波振動印加装置を有する第１実施形態に係る塗布膜除去装置本体の一例を示す断面図である。 第１実施形態に係る塗布膜除去装置の第１変形例を示す平面図である。 第１実施形態に係る塗布膜除去装置の第２変形例を示す平面図である。 第１実施形態に係る第２変形例の動作の一例を説明するための斜視図である。 図１（ｄ）における除去処理部３２のＢａ−Ｂｂ断面図の一例である。 図１（ｄ）における除去処理部３３のＢａ−Ｂｂ断面図の一例である。 第４実施形態に係る塗布膜除去装置の動作の一例を説明するための斜視図である。 図１（ｄ）における除去処理部３４のＢａ−Ｂｂ断面図の一例であって、除去液の液滴が間隙の小さい方への移動する様子を表す。 第５実施形態に係る塗布膜除去装置の構成を説明する平面図であって、（ａ）は塗布膜除去装置による塗布膜除去処理中の状態を示す。（ｂ）は図１２（ａ）の後の塗布膜除去処理中の状態を示す。（ｃ）は図１２（ｂ）の後の塗布膜除去処理中の状態を示す。（ｄ）は図１２（ｃ）の後の塗布膜除去処理中の状態を示す。 第５実施形態に係る塗布膜除去装置本体を示す正面図、平面図及び側面図である。 第５実施形態に係る塗布膜除去装置の動作の一例を説明するための斜視図である。 第５実施形態に係る塗布膜除去装置の構成を説明する断面図であって、（ａ）は図１２（ａ）のＩ−Ｉ断面を示す。（ｂ）は図１２（ａ）のＩＩ−ＩＩ断面を示す。 第５実施形態における基板上の成膜不要領域を示す平面図であって、（ａ）は基板上のＹ軸方向の成膜不要領域を示す。（ｂ）は基板上のＸ軸方向の成膜不要領域を示す。 第５実施形態に係る塗布膜除去装置による塗布膜除去処理中の状態を示す平面図であって、（ａ）は実施例に係る塗布膜除去装置による塗布膜除去処理中の状態を示す。（ｂ）は図１７（ａ）の後の塗布膜除去処理中の状態を示す。（ｃ）は図１７（ｂ）の後の塗布膜除去処理中の状態を示す。（ｄ）は図１７（ｃ）の後の塗布膜除去処理後の状態を示す。 図１７（ａ）における除去処理部３５のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図の一例である。 第５実施形態の実施例に係る塗布膜除去装置の動作の一例を説明するための斜視図である。 第５実施形態の実施例における基板上の成膜不要領域を示す平面図であって、（ａ）はＹ軸方向の成膜不要領域を示す。（ｂ）はＸ軸方向の成膜不要領域を示す。

以下、本発明の第１実施形態から第５実施形態に係る各塗布膜除去装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の細部について記載される。しかしながら、かかる特定の細部がなくても１つ以上の実施形態が実施できることは明らかであろう。他にも、図面を簡潔にするために、周知の構造及び装置が略図で示されている。また、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

<第１実施形態>
以下、本発明の第１実施形態に係る塗布膜除去装置１０１について、図面を参照して説明する。
（塗布膜除去装置１０１の全体構成）
図１は、本発明の第１実施形態に係る塗布膜除去装置１０１を示す概略構成図である。また、図２は、本発明の第１実施形態に係る塗布膜除去装置の動作の一例を説明するための斜視図である。なお、図１では、後述する第１から第４の各実施形態に係る塗布膜除去装置１０１〜１０４を「塗布膜除去装置１００」として示している。また、後述する第１から第４の各実施形態に係る移動部３１ａ〜３４ａを「移動部３ａ」として示し、後述する第１から第４の各実施形態に係る移動部３１ｂ〜３４ｂを「移動部３ｂ」として示している。
塗布膜除去装置１０１は、基板上の塗布膜のうちの一部である塗布膜除去部を除去する装置である。すなわち、基板上の、塗布膜の塗布が不要である成膜不要領域に塗布された塗布膜除去部の塗布膜を除去する装置である。

図１において、符号１は塗布膜除去対象の基板を、符号２は基板１上に形成された塗布膜を、符号１１は、基板１上に塗布された塗布膜のうち基板１上の必要成膜領域を表す。必要成膜領域１１以外の塗布膜部分が、塗布膜除去部が形成された領域、つまり塗布膜を選択的に除去すべき領域である成膜不要領域ｅ１〜ｅ７となる。
塗布膜除去装置１０１は、塗布膜除去装置本体３と、塗布膜除去対象の基板１を吸着保持するステージ１０と、処理ギャップ調整装置１３（図２参照）とを備える。また、塗布膜除去装置本体３は、図１においてステージ１０の左右方向に沿って移動し基板１に対し縦方向（図１においてＹ軸方向）の塗布膜除去を行う塗布膜除去装置本体（縦）（以下、単に「移動部」ともいう。）３１ａと、図１においてステージ１０の前後方向に移動し、基板１の横方向（図１においてＸ軸方向）の塗布膜除去を行う塗布膜除去装置本体（横）（以下、単に「移動部」ともいう。）３１ｂと、を備える。

移動部３１ａは、ステージ１０上に吸着保持された基板１を跨ぐように、ステージ１０のＹ軸方向に沿って配置され、その移動部３１ａに処理ギャップ計測装置（以下、単に「高さ計測装置」ともいう。）４が支持されている。高さ計測装置４は、基板１の表面と移動部３１ａの底面との間の距離（つまり、間隙）ｈ１を測定する。処理ギャップ調整装置（以下、単に「高さ調整装置」ともいう。）１３は、高さ計測装置４が測定した距離ｈ１が予め設定した設定値となるように移動部３１ａを昇降させる。この移動部３１ａは、例えば、ステージ１０のＹ軸方向の両側にＸ軸方向に沿って配置されたガイド及び昇降機構（共に図示せず）により、Ｘ軸方向及び高さ方向（つまり、Ｚ軸方向）に移動する。これにより、例えば、図２及び図３に示すように、基板１の表面と移動部３１ａを所定の距離ｈ１に保持した状態で、移動部３１ａが基板１のＸ軸方向に移動するようになっている。

図１に示すように、第１実施形態では、必要成膜領域１１が格子状に配置されている。これに合わせて、移動部３１ｂは、平面視で移動部３１ａと９０度ずれた角度で配置される。すなわち、移動部３１ｂは、ステージ１０上に吸着保持された基板１を跨ぐように、ステージ１０のＸ軸方向に沿って配置される。そして使用時には、移動部３１ｂの処理高さ位置を移動部３１ａの処理高さ位置に揃える。すなわち、移動部３１ａに固定された高さ計測装置４によって測定された距離ｈ１に基づき、高さ調整装置１３が、基板１の表面と移動部３１ｂとの距離ｈ１が設定値となるように移動部３１ｂを昇降させる。この移動部３１ｂは、例えば、ステージ１０のＸ軸方向の両側にＹ軸方向に沿って配置されたガイド及び昇降機構（共に図示せず）により、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動する。これにより、移動部３１ｂが基板１のＹ軸方向に移動するようになっている。すなわち、移動部３１ａ、３１ｂは、必要成膜領域１１の並び方向に、例えば直交座標を設定して２方向に移動可能となっていればよい。
ここで、第１実施形態では、昇降機構が高さ調整装置１３で構成されている。より詳しくは、昇降機構を、移動部３１ａ、３１ｂの各両端部に配置された高さ調整装置１３で構成してもよい。

なお、高さ計測装置４は、移動部３１ａに固定せず、移動部３１ｂに固定してもよい。更には、例えば、ステージ１０のＹ軸方向の両側にＸ軸方向に沿って配置されたガイド（図示せず）を案内として、Ｘ軸方向に移動するように独立して走査するようにしてもよい。また、例えば、ステージ１０のＸ軸方向の両側にＹ軸方向に沿って配置されたガイド（図示せず）を案内として、Ｙ軸方向に移動するように走査するようにしてもよい。要は、処高さ計測装置４は、移動部３１ａ、３１ｂと基板１の表面（塗布膜表面）との距離ｈ１を測定し、その測定値に基づき、高さ調整装置１３により基板１の表面との距離ｈ１が設定値となるよう高さ調整が可能に構成されていればよい。

移動部３１ａ、３１ｂは、それぞれ、駆動装置（図示せず）によって、基板１に沿って移動可能となっている。また、移動部３１ａ、３１ｂには、それぞれ、基板１上の必要成膜領域１１を除く領域である成膜不要領域に除去処理部３１が設けられている。すなわち、図１（ｄ）に示すように、基板１のＹ軸方向に延びる成膜不要領域を、左から順にｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４とし、基板１のＸ軸方向に延びる成膜不要領域を、上から順にｅ５、ｅ６、ｅ７とすると、移動部３１ａは、駆動装置によって、除去処理部３１が成膜不要領域ｅ１と対応する位置に移動し、塗布膜除去を施す。そして、成膜不要領域ｅ１の塗布膜が取り除かれるまで位置移動と塗布膜除去とを繰り返す。なお、成膜不要領域ｅ２〜ｅ４についても同様にして塗布膜除去を順次行う。

一方、移動部３１ｂは、駆動装置によって、例えば、除去処理部３１が成膜不要領域ｅ５と対応する位置に移動し、塗布膜除去を施す。さらに、成膜不要領域ｅ５の塗布膜が取り除かれるまで位置移動と塗布膜除去とを繰り返す。また、成膜不要領域ｅ６及び成膜不要領域ｅ７についても同様にして塗布膜除去を順次行う。なお、移動部３１ａ、３１ｂそれぞれの除去処理部３１は、同一構成を有するが、この構成に限定されるものではない。

（除去処理部３１の構成）
図３は、図１（ｄ）に示す除去処理部３１のＡ−Ａ断面図の一例である。図３に示すように、除去処理部３１は、除去液供給手段５と、除去液回収手段６と、ガス供給装置７とを備える。
除去液供給手段５は、除去液供給口５ａと、除去液供給口５ａに除去液８を供給する除去液供給部５ｂと、を備える。除去液供給口５ａは、除去処理部３１に、基板１上の成膜不要領域（例えば、ｅ１）と対向するように配置される。除去液供給部５ｂを作動させることにより、塗布膜２除去用の除去液８が、除去液供給部５ｂにより除去液供給口５ａに供給され、除去液供給口５ａの基板１側の開口端から除去液８が基板１上に吐出される。除去液供給部５ｂは定量吐出が可能なシリンジポンプ等で構成され、一定量の除去液８を、除去液供給口５ａを介して基板１上に吐出する。

除去液回収手段６は、基板１上の成膜不要領域（例えば、ｅ１）と対向するように配置された除去液回収口６ａと、除去液回収部６ｂと、を備える。そして、例えば、除去液供給口５ａを挟むように、複数の除去液回収口６ａが配置される。また、除去液回収口６ａは、図３に示すように、基板１と対向する側の開口端が除去液供給口５ａ側に湾曲している。なお、除去処理部３１の断面形状、特に除去液供給口５ａと除去液回収口６ａの形状及び位置関係については、これに限定されるものではない。

除去液回収部６ｂは、例えば、エジェクタータンク等の吸引機器を備えており、除去液回収部６ｂを作動させることにより、基板１上の除去液８が、除去液回収口６ａを介して除去液回収部６ｂに回収される。
また、撥水外郭部１２は、除去液回収口６ａを挟んで形成される。こうすることで、撥水外郭部１２の内側に位置する除去液供給口５ａから吐出される除去液８が外側に濡れ広がることを抑制するようにしている。

ガス供給装置７は、図３に示すように、基板１上の成膜不要領域（例えば、ｅ１）と対向するように配置されたガス供給口７ａと、ガス供給部７ｂと、を備える。ガス供給口７ａは、例えば、除去液回収口６ａを挟んで形成される。そして、ガス供給部７ｂを作動させることにより、基板１にガス（例えば、エア）が吹き付けられるようになっている。

図３に示すように、移動部３１ａの長手方向に沿ったガス供給口７ａの幅ｗ１は、移動部３１ａの長手方向に沿った成膜不要領域ｅ１の幅よりも多少短く設定される。
ガス供給部７ｂを作動させることにより、ガス供給口７ａから吹き出されるエアがエアカーテンの役割を果たし、ガス供給口７ａの内側に配置された除去液供給口５ａから吐出される除去液８が、成膜不要領域ｅ１の外側に飛散したり流れ出たりすることを防止している。

このような構成を有する除去処理部３１が、成膜不要領域ｅ１〜ｅ４と対向するように移動部３１ａを移動配置した状態で、除去液供給手段５、除去液回収手段６、ガス供給装置７を動作させることによって、成膜不要領域ｅ１〜ｅ４の外側に除去液８が流れ出ることを防止しつつ、成膜不要領域ｅ１〜ｅ４に除去液８を吐出するとともに除去液８を回収できるようになっている。
移動部３１ｂの場合には、例えば、図１（ｄ）に示すように、成膜不要領域ｅ５〜ｅ７と除去処理部３１とが対向するように、移動部３１ｂを移動配置した状態で、除去液供給手段５、除去液回収手段６、ガス供給装置７を動作させればよい。

なお、除去液供給部５ｂ、除去液回収部６ｂ、ガス供給部７ｂは、移動部３１ａとは別体として設け、変形可能な除去液供給用チューブを介して除去液供給部５ｂと除去液供給口５ａとを接続してもよい。同様に、変形可能な除去液回収用チューブを介して除去液回収部６ｂと除去液回収口６ａとを接続してもよい。また、変形可能なエア供給用チューブを介して、ガス供給部７ｂとガス供給口７ａとを接続してもよい。また、除去液供給部５ｂ、除去液回収部６ｂ、ガス供給部７ｂの全てを、移動部３１ａ、３１ｂに設ける必要はなく、除去液供給部５ｂ、除去液回収部６ｂ、ガス供給部７ｂのうち少なくとも１つを移動部３１ａ、３１ｂに設けるようにしてもよい。

また、移動部３１ａ、３１ｂに設けられている除去処理部３１は、必要成膜領域１１を除く領域である成膜不要領域ｅ１〜ｅ７と対向し塗布膜除去が施されればよいため、移動部３１ａには、図５に示すように、成膜不要領域ｅ５〜ｅ７のそれぞれと個別に対応する位置に、複数の除去処理部３１が配置されていてもよい。同様に、移動部３１ｂには、成膜不要領域ｅ１〜ｅ４のそれぞれと個別に対応する位置に、複数の除去処理部３１が配置されていてもよい。なお、各除去処理部３１は、同一構成を有する。

また、除去処理部３１における除去液供給口５ａ、除去液回収口６ａ、撥水外郭部１２の配置は、上記形態に限るものではない。例えば、除去液供給口５ａは、複数設けられていてもよい。また、除去液回収口６ａは、除去液供給口５ａを挟むように配置されていたが、除去液供給口５ａを四角もしくは円形状に取り囲むように配置されていてもよい。また、除去液回収口６ａは、除去液供給口５ａの外周側にランダムに配置されていてもよい。また、撥水外郭部１２は、除去液供給口５ａ、除去液回収口６ａを挟むように形成したが、除去液回収口６ａを四角もしくは円形状に取り囲むように配置されていてもよい。また、撥水外郭部１２は、成膜不要領域内の境界付近と対向する位置にランダムに配置されていてもよい。要は、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａが、撥水外郭部１２で囲まれる範囲内にあり、撥水外郭部１２の撥水性で、除去液供給口５ａにより吐出された除去液８が成膜不要領域外へ移動することを抑制することができればよい。

また、除去処理部３１における除去液供給口５ａ、除去液回収口６ａ、撥水外郭部１２、ガス供給口７ａの配置は、上記形態に限るものではない。例えば、ガス供給口７ａは、除去液供給口５ａ、除去液回収口６ａ、撥水外郭部１２を挟むように配置されていたが、除去液供給口５ａ、除去液回収口６ａ、撥水外郭部１２を四角もしくは円形状に取り囲むように配置されていてもよい。また、ガス供給口７ａは、複数設けられてもよい。また、ガス供給口７ａは、成膜不要領域内の境界付近と対向する位置にランダムに配置されていてもよい。要は、除去液供給口５ａ、除去液回収口６ａ及び撥水外郭部１２が、ガス供給装置７によるエアカーテンで囲まれる範囲内にあり、除去液供給口５ａにより吐出された除去液８が成膜不要領域外への飛散や移動することを回避することができればよい。

（動作その他）
次に、上記実施形態の動作を説明する。
まず、図１に示すように、高さ計測装置４によって、基板１の表面と移動部３１ａとの距離ｈ１を測定する。そして、高さ調整装置１３により基板１の表面との距離ｈ１が設定値となるように配置される。その後、基板１に成膜された塗布膜２に近接するように、例えば、移動部３１ａを対向させて配置する。次に、移動部３１ａと、塗布膜２が成膜された基板１との間隙に、一定量の除去液８が保持されるように、除去液供給部５ｂから除去液供給口５ａを介して除去液８を基板１に吐出し、この状態を所定時間保持する。
上記設定値に設定された距離ｈ１は、移動部３１ａと塗布膜２が成膜された基板１との間の除去液８が、除去液８の吐出量や粘度などの特性に応じて一定の幅で保持される距離とすることが望ましい。
また、上記所定時間は、塗布膜２が除去液８により、溶解もしくは剥離するのに充分な時間である。

成膜不要領域上に、除去液８を所定時間保持することにより塗布膜２が溶解もしくは剥離する。そして、塗布膜２が溶解もしくは剥離すると推定される時間が経過すると、移動部３１ａと基板１との間で塗布膜２と交じり合った除去液８を除去液回収手段６により回収し排出する。すなわち、除去液回収部６ｂを作動させ、除去液回収口６ａを介して基板１上の除去液８を回収する。
この、除去液８の供給と回収とを繰り返すことで、基板１上の成膜不要領域に存在する塗布膜２の除去が行なわれ、より清浄な基板表面を得ることができる。

また、このとき、除去液供給手段５による除去液８の吐出が開始されてから基板１上の除去液８の回収が終了するまでの間、ガス供給装置７を作動させ、ガス供給口７ａを介して基板１にエアを吐出させる。このガス供給口７ａは、図３に示すように、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａの周囲に配置されているため、ガス供給口７ａから吐出されるエアによって、基板１上に吐出された除去液８が、成膜不要領域の外側に飛散したり流れ出たりすることを回避することができる。

そして、この操作を、図１（ａ）に示すように、移動部３１ａをＸ軸方向に移動させながら各地点において行う。
移動部３１ａによる基板１のＹ軸方向に延びる成膜不要領域の塗布膜の除去が終了した後に、図１（ｂ）に示すように、移動部３１ｂをＹ軸方向に移動させながら各地点において、基板１のＸ軸方向に延びる成膜不要領域の塗布膜に対して同様の手順で塗布膜の除去を行う。
このように、移動部３１ａ及び３１ｂを動作させることによって、図１（ｄ）に示すように、基板１の成膜不要領域の塗布膜のみが除去される。
なお、ガス供給装置７によって供給されるガスは、塗布膜２に使用される有機材料の特性への影響を考慮し、供給するガスを窒素ガス等の不活性ガスとしてもよい。

また、図３に示すように、撥水処理を施した撥水外郭部１２が除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａの周囲に配置されているため、基板１上に吐出された除去液８が、撥水外郭部１２の撥水性により成膜不要領域の外側に濡れ広がることを抑制することができる。すなわち、ガス供給口７ａから吐出されるガスによる除去液８の濡れ広がり抑制効果と併せて、必要成膜領域１１の塗布膜２が、意図せず除去されてしまうことを抑制することができる。したがって、より確実に成膜不要領域内の塗布膜２のみを除去することができる。

また、塗布膜２の除去性能向上のために吐出した除去液８に、超音波振動を与えるようにしてもよい。すなわち、図４に示すように、例えば、除去液供給口５ａの開口部端部に超音波振動印加装置９を設け、この超音波振動印加装置９を動作させることで除去液８を振動させるようにすればよい。
また、吐出した除去液８の温度は常温でも構わないが揮発による弊害を考慮して、その温度を３０℃以上４０℃以下とすることで、塗布膜２を効率よく溶解させることができ、処理時間の短縮と、より確実な塗布膜２の除去を実現することができる。

また、第１実施形態においては、図１に示すように、９０度の角度を持って配置された移動部３１ａ、３１ｂを、一方ずつ走査させることにより、基板１全面に対して塗布膜除去を行う場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、図５に示すように、高さ計測装置４を備える移動部３１ａ、３１ｂに複数の除去処理部３１を配置した構成にしてもよい。例えば、移動部３１ａには、成膜不要領域ｅ５〜ｅ７のそれぞれと個別に対応する位置に、複数の除去処理部３１を配置し、移動部３１ｂには、成膜不要領域ｅ１〜ｅ４のそれぞれと個別に対応する位置に、複数の除去処理部３１が配置した構成にしてもよい。なお、その場合には、除去処理部３１を、移動部３１ａ、３１ｂに移動可能に配置してもよい。このようにすることによって、成膜不要領域の幅や間隔が異なる複数の基板に対して、除去処理を行う場合であっても、除去処理部３１の位置をずらしながら除去処理を行ったり、除去処理部３１の配置位置を成膜不要領域の間隔に併せて調整した後、除去処理を開始することなどにより、適切に対応することができる。

また、例えば、図６及び図７に示すように、高さ計測装置４を備える塗布膜除去装置本体３を、Ｙ軸方向及びＸ軸方向に移動可能に構成してもよい。図６に示すように、基板１を跨ぐように基板１のＹ軸方向に沿ってガイドレール２１を配置し、このガイドレール２１に塗布膜除去装置本体３を移動可能に配置する。さらに、基板１のＹ軸方向の両側に、Ｘ軸方向に延びるガイド(図示せず)を設け、このガイドを案内としてガイドレール２１をＸ軸方向に移動可能に配置する。
そして、ガイドレール２１をＸ軸方向に移動させ、且つ、ガイドレール２１上において塗布膜除去装置本体３をＹ軸方向に移動させることによって、塗布膜除去装置本体３を、基板１に対してそのＹ軸方向及びＸ軸方向に移動させ、すなわち基板１の全面にわたって塗布膜除去装置本体３による塗布液の供給及び回収を行う。
塗布膜除去に要する所要時間と制限タクト等との兼ね合いに応じて、図１に示す構成とするか、図６に示す構成とするかを選択することができる。

なお、図６に示すように、ガイドレール２１に塗布膜除去装置本体３を設ける構成とする場合には、塗布膜除去装置本体３に１つの除去処理部３１を設ければよい。また、１つの除去処理部３１により複数の成膜不要領域に対して塗布膜２の除去処理を行う場合、除去処理部３１の幅ｗ１が、成膜不要領域の幅に対して大幅に狭い等、除去処理部３１の幅ｗ１が、成膜不要領域に対して適度な幅とならない可能性がある。この場合には、例えば、図６において、塗布膜除去装置本体３をＹ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向にも移動させ、Ｘ軸方向の微調整を行いつつ、Ｙ軸方向に移動させて塗布膜除去を行うようにすればよい。

なお、上記実施形態において、除去液供給手段５、除去液回収手段６、ガス供給装置７による除去液８の供給タイミング、除去液８の回収タイミング、ガスの供給タイミングの制御は、図示しない上位装置で行うようにすればよい。この上位装置によって、移動部３１ａ、３１ｂや塗布膜除去装置本体３を駆動する駆動装置の制御も行い、移動部３１ａ、３１ｂや塗布膜除去装置本体３の位置に応じて除去液供給手段５、除去液回収手段６、ガス供給装置７の動作タイミングを制御することにより、成膜不要領域の塗布膜２を的確に除去することができる。

以上説明したように、本実施形態の塗布膜除去装置１０１は、基板１上の塗布膜２のうちの一部である塗布膜除去部を除去する装置である。すなわち、第１実施形態の塗布膜除去装置１０１は、基板１上の、塗布膜２の塗布が不要である成膜不要領域ｅ１〜ｅ７に塗布された塗布膜除去部の塗布膜２を除去する装置である。
また、上述したように、基板１上に塗布された塗布膜２のうち、基板１上の必要成膜領域１１以外の塗布膜２の部分が、塗布膜除去部が形成された領域、すなわち、塗布膜２を選択的に除去すべき領域である成膜不要領域ｅ１〜ｅ７となる。

以下、本発明を、各実施例によりさらに詳しく説明する。
（実施例１−１）
第１実施形態に係る塗布膜除去装置１０１の一実施例として、有機ＥＬディスプレイの正孔輸送層の成膜工程において、基板１上に正孔輸送層を形成する有機材料をスリットダイで塗工し、必要成膜範囲である発光領域の外周の不要な塗布膜２を除去する場合について説明する。
塗布する正孔輸送層材料として、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を使用し、除去液８として純水を使用した。

基板１には無アルカリガラスＯＡ−１０（日本電気硝子製）１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×０．７ｍｍを使用し、必要成膜範囲を５０ｍｍ×５０ｍｍとしたときの外周４辺外側の不要な塗布膜２を選択的に除去することを試みた。
まず、洗浄済みの基板１に、前述の正孔輸送層材料を１００ｍｍ×１００ｍｍの範囲でスリットダイにより塗工した後、減圧乾燥下で１８０℃、１時間乾燥することにより１００ｎｍの塗布膜２を得た。

この正孔輸送層材料の塗布範囲の中心寄り５０ｍｍ×５０ｍｍを必要成膜領域１１の範囲と想定し、その外周４辺の外側を、図３に示すような除去液供給手段５と除去液回収手段６とを有する塗布膜除去装置本体３を用いて塗布膜２の選択的除去を行った。なお、塗布膜除去装置本体３に取り付けたダイヤルゲージの計測値から塗布膜除去装置本体３の高さを調整し、基板１と塗布膜除去装置本体３の下端との距離ｈ１を１ｍｍとした。また、除去液供給手段５の除去液供給部５ｂとしてシリンジポンプを使用し、定量吐出を可能とすることで、基板１と塗布膜除去装置本体３の距離ｈ１に保持される除去液８の量を規定した。

実施例１−１では、基板１と塗布膜除去装置本体３の吐出口との距離ｈ１を１ｍｍとしたが、距離ｈ１を設定する際には、所望の処理幅により除去液８の吐出量との組み合わせから選定する必要がある。基板１と塗布膜除去装置本体３の吐出口との距離ｈ１を広く設定した場合に、基板１と塗布膜除去装置本体３の距離ｈ１に除去液８を保持するためには吐出量が多く必要となり、それに応じて基板１と塗布膜除去装置本体３の距離ｈ１に保持される除去液８の幅が広くなる。一方で、基板１と塗布膜除去装置本体３の下端との距離ｈ１を狭く設定した場合には吐出量を少なくすることが可能となり、基板１と塗布膜除去装置本体３の距離ｈ１に保持される除去液８の幅も狭くすることができる。すなわち、基板１と塗布膜除去装置本体３との距離ｈ１を調整することで、除去液８の幅、つまり塗布膜２の除去幅を所望の範囲に調整することが可能となる。

また、実施例１−１では高さ計測装置４としてダイヤルゲージを用いたが、これに限定されるものではなく、レーザ変位計等の非接触方式の計測器を用いた方がキズや異物抑制の点でより好ましい。
また、除去液回収手段６は排気をとり、基板１と塗布膜除去装置本体３との間に所望の時間で保持され、正孔輸送層材料を溶解した除去液８を回収した。なお、保持時間は３０秒以上であれば概ね塗布膜２が除去されることが確認されたが、同様な動作をもう１度繰り返すことで、回収しきれずに残存してしまう材料を確実に取り除き、より良好な清浄度が期待できる。

塗布膜除去装置本体３による走査を繰り返し行い、さらに走査方向を９０度切り替え、必要成膜範囲の外周４辺の外側の成膜不要領域の不要塗布膜を順次処理することで、５０ｍｍ×５０ｍｍの必要成膜範囲の外周に残存塗布膜のない状態が得られた。また、塗布膜除去装置本体３において、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａの外側に配置した撥水外郭部１２の撥水性により必要成膜範囲への除去液８の濡れ広がりの抑制を確認できた。なお、撥水外郭部１２は塗布膜２に対向する側の表面を、テフロン（登録商標）ニッケル鍍金処理を施すことで水接触角９０度の撥水性が得られた。
さらに、塗布膜除去装置本体３において、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａの外側に配置したガス供給口７ａによるガス供給によって、必要成膜範囲への除去液８の飛散もなく所望の状態を確認できた。

（実施例１−２）
実施例１−１での各条件において、除去液８の温度条件は２４℃であったのに対し、実施例１−２では、この除去液８の温度条件を２４℃から３０℃に変更して、同様に塗布膜２の除去を行った。なお、除去液８の温度条件を除く他の条件は、実施例１−１における各条件と同一とした。
その結果、除去液８の温度が２４℃のときには、塗布膜２を概ね３０秒で除去できるのに対し、除去液８の温度が３０℃のときには、塗布膜２の除去に要する所要時間を、概ね２０秒まで短縮することができ、除去性能の向上が確認された。また、除去液８の温度をさらに上げた場合には、より除去性能の向上が確認された。しかしながら、温度を４０℃より高くすると除去性能向上の差異が大きくなく、効果が薄くなること、さらに一方で蒸気の影響が懸念される点から、温度条件の採用に当たっては、装置、材料への配慮が必要となる。

（実施例１−３）
実施例１−３では、実施例１−２での各条件、すなわち、除去液８の温度条件は３０℃とする条件下で、超音波振動印加装置９としての超音波振動子により、除去液８に超音波振動を加えながらの塗布膜除去装置本体３による塗布膜２の除去を行った。なお、超音波振動の出力は、５０〜３００Ｗ程度、振動数３０〜１００ｋＨｚ程度とした。
その結果、超音波振動を加えないときには塗布膜２を、概ね２０秒で除去することができるのに対し、超音波振動を加えることにより、塗布膜２の除去に要する所要時間を１５秒まで短縮することができ、除去性能の向上が確認された。
したがって、このように、有機発光画素外周部の塗布膜２を確実に除去することができるため、成膜が簡便で且つ均一な塗布法を、正孔輸送層や正孔注入層等の画素ごとに塗り分けする必要のない共通層の成膜に採用した高分子有機ＥＬパネルの生産が可能となる。

（実施例１−４）
第１実施形態に係る塗布膜除去装置１０１の異なる一実施例として、液晶ディスプレイ用カラーフィルタの感光性樹脂層の成膜工程において、基板１上に感光性樹脂層を形成する有機材料をスリットダイで塗工し、必要成膜範囲である画素領域の外周の不要な塗布膜２を除去する場合について説明する。
塗布する感光性樹脂材料として、東京応化工業（株）製ＯＦＰＲ−８００を使用し、除去液８として３０℃の１．０重量％炭酸ナトリウム水溶液を使用した。
基板１には無アルカリガラスＯＡ−１０（日本電気硝子製）１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×０．７ｍｍを使用し、必要成膜範囲を５０ｍｍ×５０ｍｍとしたときの外周４辺外側の不要な塗布膜２を選択的に除去することを試みた。
まず、洗浄済みの基板１に、前述の感光性樹脂材料を１００ｍｍ×１００ｍｍの範囲でスリットダイにより塗工した後、１Ｔｏｒｒの減圧乾燥下で乾燥することにより１．５μｍの塗布膜２を得た。

この感光性樹脂材料の塗布範囲の中心寄り５０ｍｍ×５０ｍｍを必要成膜領域１１の範囲と想定し、その外周４辺の外側を、図３に示すような除去液供給手段５と除去液回収手段６とを有する塗布膜除去装置本体３を用いて塗布膜２の選択的除去を行った。なお、塗布膜除去装置本体３に取り付けたダイヤルゲージの計測値から塗布膜除去装置本体３の高さを調整し、基板１と塗布膜除去装置本体３の下端との距離ｈ１を１ｍｍとした。また、除去液供給手段５の除去液供給部５ｂとしてシリンジポンプを使用し、定量吐出を可能とすることで、基板１と塗布膜除去装置本体３の距離ｈ１に保持される除去液８の量を規定した。

また、除去液回収手段６は排気をとり、基板１と塗布膜除去装置本体３との間に所望の時間で保持され、感光性樹脂材料を溶解した除去液８を回収した。なお、保持時間は３０秒以上であれば概ね塗布膜２が除去されることが確認されたが、同様な動作をもう１度繰り返すことで、回収しきれずに残存してしまう材料を確実に取り除き、より良好な清浄度が期待できる。

塗布膜除去装置本体３による走査を繰り返し行い、さらに走査方向を９０度切り替え、必要成膜範囲の外周４辺の外側の成膜不要領域の不要塗布膜を順次処理することで、５０ｍｍ×５０ｍｍの必要成膜範囲の外周に残存塗布膜のない状態が得られた。また、塗布膜除去装置本体３において、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａの外側に配置した撥水外郭部１２の撥水性により必要成膜範囲への除去液８の濡れ広がりの抑制を確認できた。なお、撥水外郭部１２は塗布膜２に対向する側の表面を、テフロン（登録商標）ニッケル鍍金処理を施すことで水接触角９０度の撥水性が得られた。
さらに、塗布膜除去装置本体３において、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａの外側に配置したガス供給口７ａによるガス供給によって、必要成膜範囲への除去液８の飛散もなく所望の状態を確認できた。

以上、本発明の実施例１−１〜１−４について説明したが、本発明は上記実施例に制限されない。上記では有機ＥＬディスプレイと液晶ディスプレイ用カラーフィルタについて説明したが、これに限定されるものではなく、別の用途の成膜基板に適用してもよい。また、塗布膜２は、正孔輸送層を始めとする有機ＥＬ用途の材料や、液晶用ディスプレイ用カラーフィルタに使用する感光性樹脂材料などに限定されるものではなく、別の用途の材料に適用してもよい。また、除去液８もその塗布膜２の材料に応じたものを適宜選択でき、例えば、有機溶剤やエッチング液等も対象となる。

<第２実施形態>
以下、本発明の第２実施形態に係る塗布膜除去装置１０２について、図面を参照して説明する。
（塗布膜除去装置１０２の全体構成）
図１は、本発明の第２実施形態に係る塗布膜除去装置１０２を示す概略構成図である。また、図２は、本発明の第２実施形態に係る塗布膜除去装置１０２の動作の一例を説明するための斜視図である。なお、図１（ｄ）では、第２実施形態に係る除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａの記載を省略している。
図１に示すように、塗布膜除去装置１０２の構成は、第１実施形態に係る塗布膜除去装置１０１の構成と略同じである。即ち、塗布膜除去装置１０２は、塗布膜除去装置本体３と、塗布膜２を除去する対象の基板１を吸着保持するステージ１０と、高さ調整装置１３を備えている。また、第２実施形態に係る塗布膜除去装置本体３は、第１実施形態の場合と同様に、移動部３２ａと移動部３２ｂとを備えている。

また、第２実施形態に係る移動部３２ａ、３２ｂには、第１実施形態の場合と同様に、それぞれ除去処理部３２が設けられている。しかしながら、第２実施形態に係る除去処理部３２と、第１実施形態に係る除去処理部３１とは、図１（ｄ）のＢａ−Ｂｂ断面における構造が異なっている（図８参照）。
そこで、第２実施形態では、除去処理部３２の構造について主に説明し、第１実施形態で説明した部分と実質的に同じ部分については、その説明を省略する。また、第１実施形態で説明した動作や工程と実質的に同じ動作や工程についても、その説明を省略する。

（塗布膜除去装置本体３の構成）
第２実施形態に係る塗布膜除去装置本体３は、図１中でステージ１０のＸ軸方向に沿って移動し、基板１に対しＹ軸方向の塗布膜除去を行う移動部３２ａと、図１中でステージ１０のＹ軸方向に移動し、基板１に対しＸ軸方向の塗布膜除去を行う移動部３２ｂとを備える。
移動部３２ａ、３２ｂは、それぞれ、駆動装置（図示せず）によって、基板１に沿って移動可能となっている。また、移動部３２ａ、３２ｂには、それぞれ、基板１上の必要成膜領域１１を除く領域である成膜不要領域に除去処理部３２が設けられている。

移動部３２ａは、前述の移動部３１ａと同様に、例えば、ステージ１０のＹ軸方向の両側にＸ軸方向に沿って配置されたガイド及び昇降機構（共に図示せず）により、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に移動する。これにより、例えば、図８に示すように、基板１の表面と移動部３２ａを所定の距離ｈ１、ｈ２になるよう傾斜して保持した状態で、移動部３２ａが基板１のＸ軸方向に移動するようになっている。換言すると、基板１の表面と、塗布膜除去装置本体３の除去液供給口５ａ側の底面との距離（第１の距離）ｈ１、及び除去液回収口６ａ側の底面との距離（第２の距離）ｈ２が異なった状態で、移動部３２ａが基板１のＸ軸方向に移動するようになっている。

第２実施形態では、高さ計測装置４は、移動部３２ａ、３２ｂと基板１の表面（塗布膜表面）との距離ｈを測定し、その測定値に基づき、高さ調整装置１３により、基板１の表面との距離ｈ１、ｈ２が設定値となるような高さ調整が可能に構成されていればよい。高さ調整装置１３は、移動部３２ａの両端部に設置されており、高さ計測装置４が測定した距離ｈから、移動部３２ａの両端部における基板１の表面との距離ｈ１、ｈ２を予め設定した値となるように、移動部３２ａを昇降・傾斜させる。

また、高さ調整装置１３は、移動部３２ｂを支持し、基板１上の、塗布膜２の塗布が不要である成膜不要領域ｅ１〜ｅ７に塗布された塗布膜除去部の塗布膜２を除去する処理を行う際には、移動部３２ａに固定された高さ計測装置４によって測定された距離ｈに基づき、基板１の表面と移動部３２ｂとの距離ｈ１、ｈ２が予め設定した設定値となるように、移動部３２ｂを昇降・傾斜させる。
ここで、第２実施形態では、一例として、上述した昇降機構が、高さ調整装置１３を構成する場合について説明する。なお、昇降機構は、移動部３２ａ、３２ｂの各両端部に配置された高さ調整装置１３で構成されてしてもよい。

（除去処理部３２の構成）
図８は、図１（ｄ）に示す除去処理部３２のＢａ−Ｂｂ断面図の一例である。図８に示すように、除去処理部３２は、除去液供給手段５と、除去液回収手段６を備える。
除去液供給手段５は、除去液供給口５ａと、除去液供給口５ａに除去液を供給する除去液供給部５ｂを備える。除去液供給口５ａは、除去処理部３２のうち、基板１上の成膜不要領域（例えば、ｅ１）と対向するように配置される。除去液供給部５ｂを作動させることにより、塗布膜２除去用の除去液８が、除去液供給部５ｂにより除去液供給口５ａに供給され、除去液供給口５ａの基板１側の開口端から除去液８が基板１上に吐出される。除去液供給部５ｂは、定量吐出が可能なシリンジポンプ等で構成されており、一定量の除去液８を、除去液供給口５ａを介して基板１上に吐出する。

除去液回収手段６は、基板１上の成膜不要領域（例えば、ｅ１）と対向するように配置された除去液回収口６ａと、除去液回収部６ｂを備えている。
除去液回収口６ａは、例えば、除去処理部３２の長手方向側端部近傍に配置される。
除去液回収部６ｂは、例えば、エジェクタータンク等の吸引機器を備えており、除去液回収部６ｂを作動させることにより、基板１上の除去液８が、除去液回収口６ａを介して除去液回収部６ｂに回収される。
また、除去処理部３２の底面のうち、少なくとも除去液供給口５ａと除去液回収口６ａとの間に位置する底面部分は平坦になっている。

また、図８に示すように、塗布膜除去装置１０２は、塗布膜２が形成された基板１の表面と除去液供給口５ａとの距離ｈ１に対し、塗布膜２が形成された基板１の表面と除去液回収口６ａとの距離ｈ２が小さくなるように、基板１の厚さ方向（図８中では上下方向）に傾きを持って設置される。
また、図８に示すように、塗布膜除去装置１０２は、塗布膜２が形成された基板１の表面と除去液供給口５ａとの距離ｈ１が、塗布膜２が形成された基板１の表面と除去液回収口６ａとの距離ｈ２よりも０．１ｍｍ以上長くなるように、基板１の厚さ方向に傾きを持って設置される。
なお、図８において、除去液供給口５ａは、除去処理部３２の長手方向側端部近傍に一箇所のみ配置されているが、除去液供給口５ａの配置については、これに限定されるものではない。例えば、除去液供給口５ａと除去液回収口６ａとの位置関係に関して、上述した塗布膜除去装置１０２と基板１の表面との距離の条件を満たしていればよい。また、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａは、それぞれ、複数箇所備えていてもよい。

このような構成を有する除去処理部３２が、成膜不要領域ｅ１〜ｅ４と対向するように移動部３２ａを移動配置した状態で、除去液供給手段５及び除去液回収手段６を動作させることによって、成膜不要領域の外側に除去液８が流れ出ることを防止しつつ、成膜不要領域に除去液８を吐出するとともに、除去液８を回収可能な構成としている。
移動部３２ｂの場合には、例えば、図１（ｄ）に示すように、成膜不要領域ｅ５〜ｅ７と除去処理部３２とが対向するように、移動部３２ｂを移動配置した状態で、除去液供給手段５及び除去液回収手段６を動作させればよい。

（動作その他）
次に、上記実施形態の動作を説明する。
まず、図１に示すように、高さ計測装置４によって、基板１の表面と移動部３２ａの中央部との距離ｈを測定する。
そして、高さ調整装置１３が、高さ計測装置４が測定した距離ｈから、移動部３２ａの両端部における基板１の表面との距離ｈ１、ｈ２が、予め設定した値となるように、移動部３２ａを昇降、傾斜させる。
その後、基板１に成膜された塗布膜２に近接するように、例えば、移動部３２ａを対向させて配置する。次に、移動部３２ａと、塗布膜２が成膜された基板１との間隙に、一定量の除去液８が保持されるように、除去液供給部５ｂから除去液供給口５ａを介して除去液８を基板１上に吐出し、この状態を所定時間保持する。
その後、第１実施形態の場合と同様にして、除去液回収部６ｂを作動させ、除去液回収口６ａを介して、基板１上の除去液８を回収する。
上記設定値に設定された距離ｈ１、ｈ２は、移動部３２ａと塗布膜２が成膜された基板１との間の除去液８が、除去液８の粘度や表面張力等の特性に応じて一定幅で保持される距離とすることが望ましい。
このように、移動部３２ａ、３２ｂを動作させることによって、図１（ｄ）に示すように、基板１の成膜不要領域ｅ１〜ｅ７の塗布膜２のみが除去される。

以下、本発明を、各実施例によりさらに詳しく説明する。
（実施例２−１）
第２実施形態に係る塗布膜除去装置１０２の一実施例として、有機ＥＬディスプレイの正孔輸送層の成膜工程において、基板１上に正孔輸送層を形成する有機材料をスリットダイで塗工し、必要成膜範囲である発光領域の外周の不要な塗布膜２を除去する場合について説明する。
塗布する正孔輸送層材料としては、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を使用し、除去液８として純水を使用した。

基板１には無アルカリガラスＯＡ−１０（日本電気硝子製）１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×０．７ｍｍを使用し、必要成膜範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍとしたときの外周四辺の不要な塗布膜２を選択的に除去することを試みた。
まず、洗浄済みの基板１に、前述の正孔輸送層材料を９０ｍｍ×９０ｍｍの範囲でスリットダイにより塗工した後、減圧乾燥下で１８０℃、１時間乾燥することにより１００ｎｍの塗布膜２を得た。
基板１には、無アルカリガラスＯＡ−１０（日本電気硝子製）１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×０．７ｍｍを使用し、必要成膜範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍとしたときの外周四辺の不要な塗布膜２を選択的に除去することを試みた。

まず、洗浄済みの基板１に、正孔輸送層材料を９０ｍｍ×９０ｍｍの範囲でスリットダイにより塗工した後、減圧乾燥下において、１８０℃の温度で１時間かけて乾燥することにより、１００ｎｍの塗布膜２を得た。
正孔輸送層材料の塗布範囲の中心寄り８０ｍｍ×８０ｍｍを必要成膜領域１１の範囲と想定し、その外周四辺を、図８に示すような除去液供給手段５と除去液回収手段６を有する塗布膜除去装置本体３を用いて、塗布膜２の選択的除去を行った。なお、塗布膜除去装置本体３としては、除去処理部３２の底面の大きさが、短手方向１０ｍｍ、長手方向１００ｍｍのものを使用した。

また、除去液供給手段５の除去液供給部５ｂとして、シリンジポンプを使用し、定量吐出を可能とすることで、基板１と塗布膜除去装置本体３との間に保持される除去液８を、除去処理部３２から除去液８が溢れ出さない程度の適当量に調整した。
また、基板１の表面と除去液供給口５ａとの距離ｈ１と、基板１の表面と除去液回収口６ａとの距離ｈ２は、表１中に記載した条件で実施した。なお、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａの近傍に取り付けたダイヤルゲージの、それぞれの計測値から、それぞれ、距離ｈ１、ｈ２が設定値となるように、塗布膜除去装置本体３の高さ及び傾きを調整した。

以下、上述した距離条件における評価結果を、表２及び表３に示す。

表２は、基板１の表面と塗布膜除去装置本体３との距離に除去液８を供給し、液膜を形成したときの液膜形状を評価した結果である。
表２中に示されているように、除去液供給口５ａと基板１の表面との距離が大きくなるにつれ、基板１側の除去液８が濡れ広がることで、裾広がりの形状になる。この裾広がりの形状は、除去液回収手段６による回収時に除去液残りの原因となり、確実に除去液８を回収するという好ましい状態が得られない原因となる。また、除去液８の液膜の形状を鑑みると、除去液供給口５ａと基板１の表面との距離は、３．０ｍｍ以下が好ましく、２．０ｍｍ以下がより好ましいものといえる。

表３は、基板１の表面と塗布膜除去装置本体３との間隙に除去液８を供給して形成された液膜を、エジェクタータンクにより吸引した際の、除去液８の回収の様子を評価した結果である。
表３に示されているように、基板１の表面と除去液供給口５ａとの距離に関わらず、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａにおける、基板１の表面との距離の大きさに差を設けることによって、除去液８の回収が良好に行えるようになる。ただし、上述した距離差が小さい場合は回収が遅く、時間を要する点を鑑みると、適度な距離差が必要であり、具体的には、０．１ｍｍ以上がより好ましい条件といえる。

また、本実施例では、高さ計測装置４としてダイヤルゲージを用いたが、これに限定されるものではなく、高さ計測装置４としては、例えば、レーザ変位計等の非接触方式の計測器を用いた方が、キズや異物抑制の点でより好ましい。
また、除去液回収手段６は排気をとり、基板１と塗布膜除去装置本体３との間に所望の時間で保持され、正孔輸送層材料を溶解した除去液８を回収した。なお、保持時間は、３０秒以上であれば、概ね塗布膜２が除去されることが確認されたが、同様な動作をもう１度繰り返すことで、回収しきれずに残存してしまう材料を確実に取り除き、より良好な清浄度を期待することが可能となる。
上述したように、塗布膜除去装置本体３による走査を繰り返し行い、さらに、走査方向を９０度切り替え、必要成膜範囲の外周四辺の成膜不要領域の不要塗布膜を順次処理することで、８０ｍｍ×８０ｍｍの必要成膜範囲の外周に残存塗布膜のない状態が得られ、必要成膜範囲への除去液８の飛散もなく所望の状態を確認できた。

（実施例２−２）
実施例２−２では、実施例２−１における表１の（５）に示す条件において、除去液８の温度条件は２４℃であったのに対し、この除去液８の温度条件を２４℃から３０℃に変更して、同様に塗布膜２の除去を行った。なお、除去液８の温度条件を除く他の条件は、実施例２−１における条件と同一とした。
その結果、除去液８の温度が２４℃のときには、塗布膜２を概ね３０秒で除去することが可能であることに対し、除去液８の温度が３０℃のときには、塗布膜２の除去に要する所要時間を、概ね２０秒まで短縮することができ、除去性能の向上が確認された。また、除去液８の温度をさらに上げた場合には、より除去性能の向上が確認された。
しかしながら、温度を４０℃よりも高くすると、除去性能向上の差異が大きくなく、効果が薄くなることと、さらに、一方で蒸気の影響が懸念される点から、温度条件の採用に当たっては、装置、材料への配慮が必要となる。

（実施例２−３）
実施例２−３では、実施例２−２での条件、すなわち、実施例２−１における表１の（５）に示す条件において、除去液８の温度条件を３０℃とし、さらに、超音波振動印加装置１４としての超音波振動子により、除去液８に超音波振動を加えながらの塗布膜除去装置本体３による塗布膜２の除去を行った。なお、超音波振動の出力は、５０〜３００Ｗ程度、振動数３０〜１００ｋＨｚ程度とした。
その結果、超音波振動を加えないときには、塗布膜２を、概ね２０秒で除去することが可能であることに対し、超音波振動を加えることにより、塗布膜２の除去に要する所要時間を１５秒まで短縮することができ、除去性能の向上が確認された。
したがって、このように、有機発光画素外周部の塗布膜２を確実に除去することが可能であるため、成膜が簡便で且つ均一な塗布法を、正孔輸送層や正孔注入層等の画素ごとに塗り分けする必要のない共通層の成膜に採用した、有機ＥＬパネルの生産が可能となる。

以上、本発明の実施例２−１〜２−３について説明したが、本発明は上記実施例に制限されない。上記の説明では、有機ＥＬディスプレイについて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、前述の第１実施形態の場合と同様に、液晶用カラーフィルタ等、別の用途の成膜基板に適用してもよい。
また、塗布膜２は正孔輸送層を始めとする有機ＥＬ用途の材料に限定されるものではなく、感光性レジスト等、別の用途の材料に適用してもよい。
また、除去液８も、その塗布膜２の材料に応じたものを適宜選択することが可能であり、アルカリ現像液、有機溶剤、エッチング液等も対象となる。

<第３実施形態>
以下、本発明の第３実施形態に係る塗布膜除去装置１０３について、図面を参照して説明する。
（塗布膜除去装置１０３の全体構成）
図１は、本発明の第３実施形態に係る塗布膜除去装置１０３を示す概略構成図である。また、図２は、本発明の第３実施形態に係る塗布膜除去装置１０３の動作の一例を説明するための斜視図である。なお、図１（ｄ）では、第３実施形態に係る除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａの記載を省略している。
図１に示すように、塗布膜除去装置１０３の構成は、第２実施形態に係る塗布膜除去装置１０２の構成と略同じである。即ち、塗布膜除去装置１０３は、塗布膜除去装置本体３と、塗布膜２を除去する対象の基板１を吸着保持するステージ１０と、高さ調整装置１３を備えている。また、第３実施形態に係る塗布膜除去装置本体３は、第２実施形態の場合と同様に、移動部３３ａと移動部３３ｂとを備えている。

また、第３実施形態に係る移動部３３ａ、３３ｂには、第２実施形態の場合と同様に、それぞれ除去処理部３３が設けられている。しかしながら、第３実施形態に係る除去処理部３３と、第２実施形態に係る除去処理部３２とは、図１（ｄ）のＢａ−Ｂｂ断面における構造が異なっている（図９参照）。
そこで、第３実施形態では、除去処理部３３の構造について主に説明し、前述の各実施形態で説明した部分と実質的に同じ部分については、その説明を省略する。また、前述の各実施形態で説明した動作や工程と実質的に同じ動作や工程についても、その説明を省略する。

（除去処理部３３の構成）
図９は、図１（ｄ）に示す除去処理部３３のＢａ−Ｂｂ断面図の一例である。図９に示すように、除去処理部３３は、除去液供給手段５と、除去液回収手段６と、除去液検知手段５ｃ、６ｃとを備える。
除去液供給手段５は、除去液供給口５ａと、除去液供給口５ａに除去液を供給する除去液供給部５ｂとを備える。なお、第３実施形態に係る除去液供給部５ｂは、吐出ポンプで構成され、非容積ポンプと容積ポンプとどちらでも問題ない。しかしながら、除去液検知後の停止時のタイムラグやバルブ開閉等を含む誤差を考慮すると、除去液供給部５ｂは、吐出速度が調整可能であるもので構成したほうが好ましい。
また、連続除去時には、容積ポンプのような定量吐出での供給でも、高さ調整の精度や除去液８の表面張力粘度によって必要吐出量にバラツキが生じる。このため、吐出量は、除去液検知手段５ｃ、６ｃの検知結果に基づき供給量制御することにより、供給過多、供給不足を防ぐこと好ましい。

除去液検知手段５ｃ、６ｃの両方が除去液８を検知した時の信号を、制御部である制御装置１５が受取り、制御装置１５は、検知信号に基づき除去液８の供給停止指令を出し供給を停止する。
除去液検知手段５ｃ、６ｃは、除去液供給口５ａと除去液回収口６ａの近傍の両端に最低２箇所設置すればよいが、液経経過状況など確認するために２箇所以上設けてもよい。
また、除去液検知手段５ｃ、６ｃは、赤外線反射リフレクタ等が一般的だが、除去液検知可能な設備であれば、これに限ったものでなくてよい。
除去液回収手段６は、基板１上の成膜不要領域（例えば、ｅ１）と対向するように配置された除去液回収口６ａと、除去液回収部６ｂとを備えている。
除去液回収口６ａは、例えば、除去処理部３３の長手方向側端部近傍に配置される。
除去液回収部６ｂは、例えば、ポンプ、エジェクタータンク等の吸引機器を備えており、除去液回収部６ｂを作動させることにより、基板１上の除去液８が、除去液回収口６ａを介して除去液回収部６ｂに回収される。

制御装置１５は、除去液検知手段５ｃ、６ｃによる除去液検知信号の解除が確認されるまでエジェクタによる除去液回収口６ａの回収を行い、除去液不在の信号を受信後に、除去液８の回収停止指令を出して回収を停止する。
除去液８の回収量は、定量ポンプやタイマ制御にて定量的に回収してもよいが、除去液検知手段５ｃ、６ｃにて除去液８の有無を確認することが好ましい。こうすることで、除去液８の位置を把握でき、液残りや除去液供給口５ａまでの除去液８の吸い取りすぎを防ぎ、連続除去の除去性のムラを回避することができる。

（動作その他）
次に、上記実施形態の動作を説明する。
まず、図１に示すように、高さ計測装置４によって、基板１表面と移動部３３ａの中央部の距離ｈを測定する。
そして、高さ調整装置１３が、高さ計測装置４が測定した距離ｈから、移動部３３ａの両端部における基板１の表面との距離ｈ１、ｈ２を予め設定した値となるように移動部３３ａを昇降、傾斜させる。
その後、基板１に成膜された塗布膜２に近接するように、例えば、移動部３３ａを対向させて配置する。次に、移動部３３ａと塗布膜２が成膜された基板１との間隙に、一定量の除去液８が保持されるように、除去液供給部５ｂから除去液供給口５ａを介して除去液８を基板１上に吐出し、除去液検知手段５ｃ、６ｃにより除去液８を検知した後液吐出を停止し、この状態を所定時間保持する。
その後、前述の各実施形態の場合と同様にして、基板１上の除去液８を除去液回収手段６により回収する。
すなわち、制御装置１５が、除去液回収部６ｂを作動させ、除去液回収口６ａを介して基板１上の除去液８を回収する。また、制御装置１５は、回収時間は除去液検知手段５ｃ、６ｃによる除去液検知の信号がＯＦＦを確認後、回収停止する。
このように、移動部３３ａ、３３ｂを動作させることによって、図１（ｄ）に示すように、基板１の成膜不要領域ｅ１〜ｅ７の塗布膜２のみが除去される。

以下、本発明を、各実施例によりさらに詳しく説明する。
（実施例３−１）
第３実施形態に係る塗布膜除去装置１０３の一実施例として、有機ＥＬディスプレイの正孔輸送層の成膜工程において、基板１上に正孔輸送層を形成する有機材料をスリットダイで塗工し、必要成膜範囲である発光領域の外周の不要な塗布膜２を除去する場合について説明する。
塗布する正孔輸送層材料として、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を使用し、除去液８として純水を使用した。

基板１には無アルカリガラスＯＡ−１０（日本電気硝子製）１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×０．７ｍｍを使用し、必要成膜範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍとしたときの外周４辺の不要な塗布膜２を選択的に除去することを試みた。
まず、洗浄済みの基板１に、前述の正孔輸送層材料を９０ｍｍ×９０ｍｍの範囲でスリットダイにより塗工した後、減圧乾燥下で１８０℃、１時間乾燥することにより１００ｎｍの塗布膜２を得た。
正孔輸送層材料の塗布範囲の中心寄り８０ｍｍ×８０ｍｍを必要成膜領域１１の範囲と想定し、その外周４辺を、図９に示すような除去液供給手段５と除去液回収手段６とを有する塗布膜除去装置本体３を用いて、塗布膜２の選択的除去を行った。なお、塗布膜除去装置本体３として、除去処理部３３の底面の大きさが、短手方向１０ｍｍ、長手方向１００ｍｍのものを使用した。

除去液検知手段５ｃ、６ｃとして、除去液供給口５ａ内側及び除去液回収口６ａ内側にそれぞれ１点赤外センサを設置した。除去液供給部５ｂと除去液回収部６ｂのバルブ開閉とによる液量変化を想定し液量供給過多を防止するため除去液供給口５ａと除去液回収口６ａの内側にセンサを設置した方がよい。また、センサの数は、供給と回収１点ずつとは限らず、除去液８の経過状態を観測するために数点設置してもよい。
また、除去液供給手段５の除去液供給部５ｂとして、シリンジポンプを使用し、基板１と塗布膜除去装置１０３の間隙に保持される除去液８を除去液検知手段５ｃ、６ｃの両方が検知し信号を出力するまで吐出する。制御装置１５が検知信号を受け取ると同時に除去液８の供給を停止し、所定時間保持する。

また、基板１の表面と、塗布膜除去装置本体３の除去液供給口５ａ側の底面との距離ｈ１、及び除去液回収口６ａ側の底面との距離ｈ２は、表４中に記載した条件で実施した。供給間隙が距離ｈ１であり、回収間隙が距離ｈ２である。なお、塗布膜除去装置本体３の除去液供給口５ａ、及び除去液回収口６ａ近傍に取り付けたダイヤルゲージのそれぞれの計測値から、それぞれ距離ｈ１、ｈ２が設定値となるように塗布膜除去装置本体３の高さや傾きを調整した。供給間隙と、供給間隙と回収間隙との差のそれぞれの実施条件を表４に示す。

上記間隙条件における評価結果を、表５及び表６に示す。

表５は、基板１の表面と塗布膜除去装置本体３の底面との間隙に除去液８を供給して、液膜を形成したときの液膜形状を評価した結果である。除去液供給口５ａ側での基板１の表面との間隙が大きくなるにつれ、基板１側の除去液８が濡れ広がることで、裾広がりの形状になる。この裾広がりの形状は除去液回収手段６による回収時に除去液残りの原因となり、確実に除去液８を回収するという好ましい状態が得られない原因となる。
除去液８の液膜の形状を鑑みると、表５から分かるように、除去液供給口５ａにおける基板１の表面との間隙は３．０ｍｍ以下が好ましく、２．０ｍｍ以下がより好ましいものといえる。

表６は、基板１の表面と塗布膜除去装置本体３の底面との間隙に除去液８を供給し形成された液膜を、エジェクタータンクにより吸引した際の除去液８の回収の様子を評価した結果である。除去液供給口５ａにおける基板１の表面との間隙に関わらず、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａにおける、基板１の表面との間隙の寸法の広さに差を設けることによって、除去液８の回収が良好に行えるようになる。ただし、上記間隙差が小さい場合は回収が遅く、時間を要する点を鑑みると、適度な間隙差が必要であり、０．１ｍｍ以上がより好ましい条件といえる。

また、本実施例では、高さ計測装置４としてダイヤルゲージを用いたが、これに限定されるものではなく、高さ計測装置４としては、例えば、レーザ変位計等の非接触方式の計測器を用いた方がキズや異物抑制の点でより好ましい。
また、除去液回収手段６は排気をとり、基板１と塗布膜除去装置本体３との間に所望の時間で保持され、正孔輸送層材料を溶解した除去液８を回収した。なお、保持時間は３０秒以上であれば概ね塗布膜２が除去されることが確認されたが、同様な動作をもう１度繰り返すことで、回収しきれずに残存してしまう材料を確実に取り除き、より良好な清浄度が期待できる。
上述したように、塗布膜除去装置本体３による走査を繰り返し行い、さらに、走査方向を９０度切り替え、必要成膜範囲の外周４辺の成膜不要領域の不要塗布膜を順次処理することで、８０ｍｍ×８０ｍｍの必要成膜範囲の外周に残存塗布膜のない状態が得られ、必要成膜範囲への除去液８の飛散もなく所望の状態を確認できた。

（実施例３−２）
実施例３−２では、実施例３−１における表４の（５）に示す条件において、除去液８の温度条件を除く他の条件は実施例３−１における同一条件として、同様に塗布膜２の除去を行った。結果を表７に示す。

表７から分かるように、除去液８の温度が２４℃のときには、塗布膜２を概ね３０秒で除去できるのに対し、除去液８の温度が３０℃のときには、塗布膜２の除去に要する所要時間を、概ね２０秒まで短縮することができ、除去性能の向上が確認された。また、除去液８の温度をさらに上げた場合には、より除去性能の向上が確認された。しかしながら、温度を４０℃より高くすると除去性能向上の差異が大きくなく、効果が薄くなること、さらに一方で蒸気の影響が懸念される点から、温度条件の採用に当たっては、装置、材料への配慮が必要となる。したがって、このように、有機発光画素外周部の塗布膜２を確実に除去することができるため、成膜が簡便で且つ均一な塗布法を、正孔輸送層や正孔注入層などの画素ごとに塗り分けする必要のない共通層の成膜に採用した有機ＥＬパネルの生産が可能となる。

以上、本発明の実施例３−１、３−２について説明したが、本発明は上記実施例に制限されない。上記では有機ＥＬディスプレイについて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、前述の第１実施形態の場合と同様に、液晶用カラーフィルタなど別の用途の成膜基板に適用してもよい。
また、塗布膜２は、正孔輸送層を始めとする有機ＥＬ用途の材料に限定されるものではなく、感光性レジストなど別の用途の材料に適用してもよい。
また、除去液８もその塗布膜２の材料に応じたものを適宜選択でき、アルカリ現像液、有機溶剤、エッチング液等も対象となる。

<第４実施形態>
以下、本発明の第４実施形態に係る塗布膜除去装置１０４について、図面を参照して説明する。
（塗布膜除去装置１０４の全体構成）
図１は、本発明の第４実施形態に係る塗布膜除去装置１０４を示す概略構成図である。また、図２は、本発明の第４実施形態に係る塗布膜除去装置１０４の動作の一例を説明するための斜視図である。なお、図１（ｄ）では、第４実施形態に係る除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａの記載を省略している。
図１に示すように、塗布膜除去装置１０４の構成は、第１から第３の各実施形態に係る塗布膜除去装置１０１から１０３の構成と略同じである。即ち、塗布膜除去装置１０４は、塗布膜除去装置本体３と、塗布膜２を除去する対象の基板１を吸着保持するステージ１０と、高さ調整装置１３を備えている。また、第４実施形態に係る塗布膜除去装置本体３は、前述の各実施形態の場合と同様に、移動部３４ａと移動部３４ｂとを備えている。
なお、第４実施形態に係る高さ調整装置１３は、除去液供給口５ａ側の移動部３４ａ、３４ｂの底面１９と基板１の表面との間の距離ｈ１と、除去液回収口６ａ側の底面１９と基板１の表面との間の距離ｈ２とを個別に変更可能な間隙寸法調整装置である。

この塗布膜除去装置１０４は、制御部２０を備えている点で、塗布膜除去装置１０１から１０３とは異なっている（図１０参照）。そこで、第４実施形態では、制御部２０について主に説明し、前述の各実施形態で説明した部分と実質的に同じ部分については、その説明を省略する。また、前述の各実施形態で説明した動作や工程と実質的に同じ動作や工程についても、その説明を省略する。

（制御部２０の構成）
図１０は、第４実施形態に係る塗布膜除去装置１０４の動作の一例を説明するための斜視図である。また、図１１は、図１（ｄ）に示す除去処理部３４のＢａ−Ｂｂ断面図の一例である。
図１０及び図１１に示すように、制御部２０は、少なくとも塗布膜除去装置１０４の底面１９と基板１の表面との間に除去液８が存在するときに、高さ調整装置１３を介して、塗布膜除去装置１０４の底面１９について、底面１９が基板１の表面に対し、底面１９と基板１の表面との対向方向に０．０５度以上の傾きになるように調整する。なお、底面１９は、除去液供給口５ａと除去液回収口６ａとの間に位置している底面を指す。
また、制御部２０は、少なくとも底面１９と基板１の表面との間に除去液８が存在するときに、高さ調整装置１３を介して、底面１９と基板１の表面との間隙を３．０ｍｍ以下とするとよい。

また、制御部２０は、少なくとも底面１９と基板１の表面との間に除去液８が存在するときに、高さ調整装置１３を介して、底面１９について、基板１の表面に対する底面１９の傾きを、１回以上変更するとよい。
また、制御部２０は、基板１の表面と底面１９との距離を計測する高さ計測装置４を更に備え、高さ調整装置１３を介して、高さ計測装置４の計測値に応じて基板１の表面と底面１９との間隙を調整するとよい。

また、除去液供給口５ａより除去液８を供給する前に、相対的に除去液供給口５ａ側の底面１９と基板１の表面との間の距離ｈ１を、除去液回収口６ａ側の底面１９と基板１の表面との間の距離ｈ２よりも大きく設定する第１処理部と、除去液供給口５ａより除去液８を吐出したと判定すると、予め設定した回数だけ、底面１９について、基板１の表面に対する底面１９の傾きを交互に傾きを可変させる第２処理部と、除去液回収口６ａから除去液８を回収すると判定すると、相対的に除去液供給口５ａ側の底面１９と基板１の表面との間の距離ｈ１を、除去液回収口６ａ側の底面１９と基板１の表面との間の距離ｈ２よりも小さく設定する第３処理部とを備える制御部２０を有するとよい。
なお、除去液供給部５ｂは、前述の各実施形態と同様に、定量吐出が可能なシリンジポンプ等で構成されている。また、第４実施形態では、除去液供給部５ｂを用いて、一定量の除去液８を、除去液供給口５ａを介して基板１上に液滴形状となる様に吐出する。

（動作その他）
次に、上記実施形態の動作を説明する。
まず、図１に示すように、高さ計測装置４によって基板１の表面と移動部３４ａの中央部の距離ｈを測定する。高さ調整装置１３は、高さ計測装置４が測定した距離ｈから、移動部３４ａの両端部における基板１の表面との距離ｈ１、ｈ２を予め設定した値となるように移動部３４ａを昇降、傾斜させる。その後、基板１に成膜された塗布膜２に近接するように、例えば、移動部３４ａを対向させて配置させる。次に、移動部３４ａと塗布膜２が成膜された基板１との間隙に、一定量の除去液８が保持されるように除去液供給部５ｂから除去液供給口５ａを介して除去液８を基板１上に吐出し液滴形状にする。

上記設定値に設定された距離ｈ１、ｈ２は、移動部３４ａと塗布膜２が成膜された基板１との間の除去液８が、除去液８の粘度や表面張力等の特性に応じて一定幅で液滴が保持される距離（３ｍｍ以下）とすることが望ましい。
この時、吐出された液滴形状の除去液８は間隙寸法の広いｈ１の方から間隙寸法の狭いｈ２の方へ向かって移動する。
除去液８が除去液回収口６ａへ到達し、設定された一定時間を要した後、先ほどとは逆に除去液供給口５ａの高さをｈ２に降下させ、反対に除去液回収口６ａの高さをｈ１に上昇させることで除去液８がさらに塗布膜除去装置１０４の幅方向（Ｘ軸方向）に流動し、不要塗布膜の溶解性あるいは剥離性を向上させる。この時、除去液供給口５ａの高さと除去液回収口６ａの高さは予め設定されているｈ１とｈ２に規定されず、シーソー状に交互に高さを変えて傾きを持たせればよく、同じ高さにする必要は無い。

この動作を複数回、繰り返し交互に変え、塗布膜２が溶解もしくは剥離すると推定される時間が経過すると、移動部３４ａと基板１との間で塗布膜２と交じり合った除去液８を除去液回収手段６により回収し排出する。すなわち、除去液回収部６ｂを作動させ、除去液回収口６ａを介して基板１上の除去液８を回収する。
これにより基板１上の成膜不要領域ｅ１〜ｅ７に存在する塗布膜２の除去が行われ、より清浄な基板１の表面を得ることができる。また、除去液８を吐出して液膜を張り、一定時間放置した後に除去液８を回収する方法と比べ、除去液量を減らすことが可能となる。
このように、移動部３４ａ、３４ｂを動作させることによって、図１（ｄ）に示すように基板１の成膜不要領域ｅ１〜ｅ７の塗布膜２のみが除去される。
なお、第４実施形態における除去液回収工程は、前述の各実施形態で説明した工程と同様である。

以下、本発明を、各実施例によりさらに詳しく説明する。
（実施例４−１）
第４実施形態に係る塗布膜除去装置１０４の一実施例として、有機ＥＬディスプレイの正孔輸送層の成膜工程において、基板１上に正孔輸送層を形成する有機材料をスリットダイで塗工し、必要成膜範囲である発光領域の外周の不要な塗布膜２を除去する場合について説明する。
塗布する正孔輸送層材料として、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を使用し、除去液８として純水を使用した。
基板１には無アルカリガラスＯＡ−１０（日本電気硝子製）１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×０．７ｍｍを使用し、必要成膜範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍとしたときの外周４辺の不要な塗布膜２を選択的に除去することを試みた。
まず、洗浄済みの基板１に、正孔輸送層材料を９０ｍｍ×９０ｍｍの範囲でスリットダイにより塗工した後、減圧乾燥下で１８０℃、１時間乾燥することにより１００ｎｍの塗布膜２を得た。

正孔輸送層材料の塗布範囲の中心寄り８０ｍｍ×８０ｍｍを必要成膜領域１１の範囲と想定し、その外周４辺を図１１に示すような除去液供給手段５と除去液回収手段６とを有する塗布膜除去装置本体３により塗布膜２の選択的除去を行った。なお、塗布膜除去装置本体３は除去処理部３４の底面の大きさ、短手方向１０ｍｍ、長手方向１００ｍｍのものを使用した。
また、除去液供給手段５の除去液供給部５ｂとして定量吐出可能なシリンジポンプを使用し、基板１と塗布膜除去装置本体３の間隙に保持される除去液８が液滴になる様に０．４ｍｌの吐出量に調整した。

また、基板１の表面と、塗布膜除去装置本体３の除去液供給口５ａ下端との距離ｈ１、及び除去液回収口６ａ下端との距離ｈ２は、表８中に記載した条件で実施した。なお、塗布膜除去装置本体３の除去液供給口５ａ、及び除去液回収口６ａ近傍に取り付けたダイヤルゲージのそれぞれの計測値から、それぞれ距離ｈ１、ｈ２の設定値となるように塗布膜除去装置本体３の高さ、傾きを調整し、除去液供給口５ａから液滴を吐出した後、距離ｈ１と距離ｈ２との高さを入れ替え、液滴を移動させた。そして再度除去液供給口５ａ、除去液回収口６ａの距離をｈ１、ｈ２に戻した後、除去液８を回収させた。

上記条件における評価結果を表９及び表１０に示す。

表９は、基板１の表面と塗布膜除去装置本体３の間隙に除去液８を供給し形成された液膜を、エジェクタータンクにより吸引した際の除去液８の回収の様子を評価した結果である。表９から分かるように、除去液供給口５ａにおける基板１の表面との間隙に関わらず、除去液供給口５ａ及び除去液回収口６ａにおける、基板１の表面との間隙の大きさに差を設けることによって、除去液８の回収が良好に行えるようになる。ただし、間隙差が小さい場合は回収が遅く、時間を要する点を鑑みると、適度な間隙差が必要であり、０．１ｍｍ以上がより好ましい条件といえる。

表１０は、基板１の表面と塗布膜除去装置本体３の間隙に除去液８を供給し、液膜を形成したときの液膜形状を評価した結果である。表１０から分かるように、除去液供給口５ａでの基板１の表面との間隙が大きくなるにつれ、基板１側の除去液８が濡れ広がることで、裾広がりの形状になる。この裾広がりの形状は除去液回収手段６による回収時に除去液残りの原因となり、確実に除去液８を回収するという好ましい状態が得られない原因となる。除去液８の液膜の形状を鑑みると、除去液供給口５ａにおける基板１の表面との間隙は３．０ｍｍ以下が好ましく、２．０ｍｍ以下がより好ましいものといえる。
また、本実施例では、高さ計測装置４としてダイヤルゲージを用いたが、これに限定されるものではなく、レーザ変位計等の非接触方式の計測器を用いた方がキズや異物抑制の点でより好ましい。

また、除去液回収手段６は排気をとり、基板１と塗布膜除去装置本体３との間に所望の時間で保持され、正孔輸送層材料を溶解した除去液８を回収した。なお、保持時間は３０秒以上であれば概ね塗布膜２が除去されることが確認されたが、同様な動作をもう１度繰り返すことで、回収しきれずに残存してしまう材料を確実に取り除き、より良好な清浄度が期待できる。
塗布膜除去装置本体３による走査を繰り返し行い、さらに走査方向を９０度切り替え、必要成膜範囲の外周４辺の成膜不要領域の不要塗布膜を順次処理することで、８０ｍｍ×８０ｍｍの必要成膜範囲の外周に残存塗布膜のない状態が得られ、必要成膜範囲への除去液８の飛散もなく所望の状態を確認できた。

（実施例４−２）
実施例４−２では、実施例４−１における表８の（５）に示す条件において、除去液８の温度条件は２４℃であったのに対し、この除去液８の温度条件を２４℃から３０℃に変更して、同様に塗布膜２の除去を行った。なお、除去液８の温度条件を除く他の条件は、実施例４−１における条件と同一とした。
その結果、除去液８の温度が２４℃のときには、塗布膜２を概ね３０秒で除去できるのに対し、除去液８の温度が３０℃のときには、塗布膜２の除去に要する所要時間を、概ね２０秒まで短縮することができ、除去性能の向上が確認された。また、除去液８の温度をさらに上げた場合には、より除去性能の向上が確認された。しかしながら、温度を４０℃より高くすると除去性能向上の差異が大きくなく、効果が薄くなること、さらに一方で蒸気の影響が懸念される点から、温度条件の採用に当たっては、装置、材料への配慮が必要となる。
したがって、このように、有機発光画素外周部の塗布膜２を確実に除去することができるため、成膜が簡便で且つ均一な塗布法を、正孔輸送層や正孔注入層等の画素ごとに塗り分けする必要のない共通層の成膜に採用した有機ＥＬパネルの生産が可能となる。

以上、本発明の実施例４−１、４−２について説明したが、本発明は上記実施例に制限されない。上記では有機ＥＬディスプレイについて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、前述の第１実施形態の場合と同様に、液晶用カラーフィルタなど別の用途の成膜基板に適用してもよい。
また、塗布膜２は正孔輸送層を始めとする有機ＥＬ用途の材料に限定されるものではなく、感光性レジストなど別の用途の材料に適用してもよい。
また、除去液もその塗布膜の材料に応じたものを適宜選択でき、アルカリ現像液、有機溶剤、エッチング液なども対象となる。

<第５実施形態>
以下、本発明の第５実施形態に係る塗布膜除去装置１０５について図面を参照して説明する。
（塗布膜除去装置１０５の全体構成）
図１２は、第５実施形態に係る塗布膜除去装置の構成を説明する平面図である。また、図１３は、第５実施形態に係る塗布膜除去装置本体を示す正面図、平面図及び側面図である。また、図１４は、第５実施形態に係る塗布膜除去装置の動作の一例を説明するための斜視図である。また、図１５は、第５実施形態に係る塗布膜除去装置の構成を説明する断面図である。

図１２（ａ）及び図１４に示すように、塗布膜除去装置１０５は、塗布膜除去装置本体３と、塗布膜２が除去される基板１を吸着保持するステージ１０と、高さ計測装置４と、高さ調整装置１３とをそれぞれ備える。また、塗布膜除去装置本体３は、図１２（ａ）においてステージ１０のＸ軸方向に沿って移動し基板１に対しＹ軸方向とＸ軸方向の塗布膜２を除去する移動部３５ａと、図１２（ａ）においてステージ１０のＹ軸方向に移動し、基板１のＸ軸方向とＹ軸方向の塗布膜２を除去する移動部３５ｂと、からなる。
移動部３５ａは、ステージ１０上に吸着保持された基板１をＹ軸方向に跨ぐように、ステージ１０のＹ軸方向に沿って配置される。移動部３５ａの表面の形状（平面形状）は、必要成膜領域１１が格子状に形成されているため、図１２（ａ）、図１３及び図１４に示すように、Ｘ−Ｙ平面においてＸ軸方向及びＹ軸方向に平行に直交するＬ字型としている。つまり、矩形の必要成膜領域１１の４辺のうち２辺を同時に塗布膜除去処理することが可能な形状としている。

移動部３５ａは、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、除去液供給手段５１、５２と、除去液回収手段６１とを備える。
除去液供給手段５１、５２は、除去液供給口５１ａ、５２ａと、除去液供給口５１ａ、５２ａに除去液８を供給する除去液供給部５１ｂ、５２ｂと、をそれぞれ備える。また、除去液回収手段６１は、除去液回収口６１ａと、除去液回収口６１ａを介して除去液８を回収する除去液回収部６１ｂとを備える。
除去液供給口５１ａ、５２ａは、図１３に示すように、移動部３５ａのＬ字に直交する辺の端部近傍にそれぞれ設けられる。また、除去液回収口６１ａは、移動部３５ａのＬ字に直交する角部近傍に設けられる。除去液供給口５１ａ、５２ａ及び除去液回収口６１ａは、基板１に対向して、Ｚ軸方向に除去処理部３５を貫通するように設けられる。

また、図１３に示すように、除去液供給口５１ａと除去液回収口６１ａとは、移動部３５ａの底面側（図１４に示すＺ軸負方向側）の開口部が、Ｘ１の角度の傾きを有するように設けられる。さらに、除去液供給口５１ａと除去液回収口６１ａとは、移動部３５ａの底面側の開口部が、Ｘ２の角度の傾きを有するように設けられる。このような除去処理部３５の底面の傾きは、移動部３５ａの底面全体にわたって設けられる。すなわち、移動部３５ａのＬ字型形状において、Ｘ軸方向に延在する短い方の辺の底面はＸ−Ｙ平面に対してＸ１の傾きをＸ軸方向に有し、Ｙ軸方向に延在する長い方の辺の底面はＸ−Ｙ平面に対してＸ２の傾きをＹ軸方向に有する。このとき、図１５（ａ）に示すように、角度Ｘ１は、移動部３５ａのＹ軸正方向側端部の底面と塗布膜２が塗布された基板１の表面との距離ｈ１に対して、移動部３５ａのＹ軸負方向側端部の底面と塗布膜２が塗布された基板１の表面との距離ｈ２が小さくなるように設けられる。同様に、角度Ｘ２は、移動部３５ａのＸ軸負方向側端部の底面と塗布膜２が塗布された基板１の表面との距離ｈ２に対して、移動部３５ａのＸ軸正方向側端部の底面と塗布膜２が塗布された基板１の表面との距離ｈ３が小さくなるように設けられる。

除去液供給部５１ｂ、５２ｂは、定量吐出が可能なシリンジポンプ等で構成され、一定量の除去液８を、除去液供給口５１ａ、５２ａを介して基板１上に吐出する。また、除去液回収部６１ｂはエジェクタータンク等の吸引機器を備えており、この除去液回収部６１ｂを作動させることにより、基板１上の除去液８が、除去液回収口６１ａを介して除去液回収部６１ｂに回収される。移動部３５ａは、除去液供給部５１ｂ、５２ｂが作動することにより、除去液８を除去液供給部５１ｂ、５２ｂから除去液供給口５１ａ、５２ａに供給し、除去液供給口５１ａ、５２ａの基板１側の開口端から除去液８を基板１上に吐出する。また、移動部３５ａは、除去液回収部６１ｂが作動することにより、除去液供給部５１ｂ、５２ｂから吐出された除去液８を除去液回収口６１ａから回収する。

高さ計測装置４は、移動部３５ａのＹ軸方向中央のＸ軸正方向側端部に支持され、基板１表面と移動部３５ａのＸ軸方向中央部の底面との距離ｈを測定する。
高さ調整装置１３は、移動部３５ａのＹ軸方向両端部に設けられ、高さ計測装置４が測定した距離ｈから、移動部３５ａのＹ軸方向両端部における基板１の表面との距離ｈ２、ｈ３が予め設定した値となるように移動部３５ａを昇降させる。

移動部３５ａは、前述の各実施形態に係る移動部３１ａ〜３４ａと同様に、例えば、ステージ１０のＹ軸方向の両側にＸ軸方向に沿って配置されたガイド及び昇降機構（共に図示せず）によりＸ軸方向及びＺ軸方向に移動する。これによって、例えば、図１４及び図１５に示すように、基板１の表面と移動部３５ａを所定の距離ｈを保持した状態で、移動部３５ａが基板１のＸ軸方向に移動するようになっている。なお、第５実施形態では、昇降機構が高さ調整装置１３を構成する。昇降機構は、移動部３５ａにおけるＹ軸に沿った直線部分のＹ軸方向の両側に配置され、高さ調整装置１３を構成してもよい。

移動部３５ｂは、移動部３５ａに対し、Ｘ−Ｙ平面におけるＬ字型の形状が反転した状態となるように形成されるが、それ以外の構成については移動部３５ａと同様である。つまり、図１２（ａ）に示すように、移動部３５ａはＸ−Ｙ平面において、長い方の辺がＬ字型の角部からＹ軸負方向に延在し、短い方の辺がＬ字型の角部からＸ軸正方向側に延在するように形成される。これに対して、移動部３５ｂはＸ−Ｙ平面において、長い方の辺がＬ字型の角部からＸ軸負方向に延在し、短い方の辺がＬ字型の角部からＹ軸正方向側に延在するように形成される。

第５実施形態では、矩形の必要成膜領域１１が格子状に配置されている。これに合わせて、移動部３５ｂは、平面視で移動部３５ａと反転した方向で配置される。すなわち、移動部３５ｂは、ステージ１０上に吸着保持された基板１を跨ぐように、ステージ１０のＸ軸方向に沿って配置される。そして、塗布膜除去処理時には、移動部３５ａに固定された高さ計測装置４によって測定された距離ｈに基づき、移動部３５ｂを支持する高さ調整装置１３が、基板１の表面と移動部３５ｂとの距離ｈ１、ｈ２が予め設定した値となるように移動部３５ｂを昇降させる。移動部３５ｂは、例えば、ステージ１０のＸ軸方向の両側にＹ軸方向に沿って配置されたガイド及び昇降機構（共に図示せず）によりＹ軸方向及びＺ軸方向に移動する。これによって、移動部３５ｂは、基板１のＹ軸方向に走査するようになっている。すなわち、移動部３５ａ、３５ｂは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の２方向に移動可能となっていればよい。なお、本実施形態における昇降機構は、前述の各実施形態に係る昇降機構と同様である。

移動部３５ａ、３５ｂは、図示しない駆動装置によって、基板１に沿って移動されるようになっている。移動部３５ａ、３５ｂは、基板１に沿って移動し、移動部３５ａ、３５ｂを各成膜不要領域に重畳させ、重畳した成膜不要領域ｅ１〜ｅ７の塗布膜２をそれぞれ除去する。
図１２（ｂ）は、移動部３５ａが成膜不要領域ｅ３及び成膜不要領域ｅ４の一部分と対応する位置に順に移動した状態を示す。また、図１２（ｄ）は、移動部３５ａ、３５ｂにより、成膜不要領域ｅ１〜ｅ７が除去された状態を示す。
なお、移動部３５ａ、３５ｂを用いた塗布膜２の除去工程は、前述の各実施形態で説明した塗布膜２の除去工程と同様である。
また、移動部３５ａ、３５ｂは、同一構成を有するが、基板１の表面と移動部３５ａ、３５ｂとの間の距離ｈ１、ｈ２は異なる設定としてもよい。
このように、第５実施形態に係る塗布膜除去装置本体３は、成膜不要領域ｅ１〜ｅ７の一部分と除去処理部３５とが対向するように移動配置した状態で、除去液供給手段５１、５２及び除去液回収手段６１を動作させることによって、成膜不要領域ｅ１〜ｅ７の外側に除去液８が流れ出ることを防止しつつ、成膜不要領域ｅ１〜ｅ７に除去液８を吐出するとともに除去液８を回収できるようになっている。

（動作その他）
次に、上記実施形態の動作を説明する。
まず、図１２（ａ）に示すように、高さ計測装置４によって基板１の表面と移動部３５ａの中央部の距離ｈを測定する。高さ調整装置１３は、高さ計測装置４が測定した距離ｈから、移動部３５ａのＹ軸方向の両端部における基板１の表面との距離ｈ１、ｈ２が予め設定した値となるように移動部３５ａを昇降させる。なお、距離ｈ１、ｈ２は、移動部３５ａと塗布膜２が成膜された基板１との間の除去液８が、除去液８の粘度や表面張力等の特性に応じて一定幅で保持される距離とすることが望ましい。

次いで、基板１に成膜された塗布膜２に近接するように、例えば、移動部３５ａを基板１に対向させて配置する。その後、移動部３５ａと塗布膜２が成膜された基板１との間隙に、一定量の除去液８が保持されるように除去液供給部５１ｂ、５２ｂから、除去液供給口５１ａ、５２ａを介して除去液８を基板１上にそれぞれ吐出し、この状態を所定時間保持する。なお、所定時間とは、塗布膜２が除去液８により、溶解もしくは剥離するのに充分な時間である。

さらに、各成膜不要領域ｅ１〜ｅ７上に、除去液８が所定時間保持されることにより塗布膜２が溶解もしくは剥離する。そして、塗布膜２が溶解もしくは剥離すると推定される時間が経過すると、移動部３５ａと基板１との間で塗布膜２と交じり合った除去液８を除去液回収部６１ｂにより回収し排出する。すなわち、除去液回収部６１ｂを作動させ、除去液回収口６１ａを介して基板１上の除去液８を回収する。このような除去液８の供給と回収とを繰り返すことで、基板１上の成膜不要領域ｅ１〜ｅ７に存在する塗布膜２の除去が行なわれ、より清浄な基板表面を得ることができる。

その後、この操作を、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、移動部３５ａを左右方向に移動させながら各地点においても同様に行う。これによって、移動部３５ａによる基板１の前後方向に延びる成膜不要領域ｅ１〜ｅ４の塗布膜２の除去が終了する（図１６参照）。
次いで、図１２（ｃ）に示すように、移動部３５ｂをＹ軸方向に移動させながら各地点において、基板１の成膜不要領域ｅ５〜ｅ７の塗布膜２に対して同様の手順で塗布膜２の除去を行う。
このように、移動部３５ａ、３５ｂを動作させることによって、図１２（ｄ）に示すように、基板１の成膜不要領域ｅ１〜ｅ７の塗布膜２のみが除去される。
また、吐出した除去液８の温度を３０℃以上４０℃以下の範囲内とすることで、塗布膜２を効率よく溶解させることができ、処理時間の短縮と、より確実な塗布膜２の除去を実現することができる。

（変形例）
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、上記実施形態では、除去液供給口５１ａ、５２ａは除去処理部３５の端部に、除去液回収口６１ａは除去処理部３５の角部に配置しているが、除去液供給口５１ａ、５２ａ及び除去液回収口６１ａの位置と個数はかかる例に限定されない。つまり、除去処理部３５の底面と基板１の表面との間隙の条件を満たしていればよく、例えば図１３と異なる位置に複数箇所備えていてもよい。
また、角度Ｘ１と角度Ｘ２とは異なる設定としてもよい。

また、高さ計測装置４は移動部３５ａの除去処理部３５に固定せず、移動部３５ｂの除去処理部３５に固定してもよい。更には、例えば、ステージ１０のＹ軸方向の両側にＸ軸方向に沿って配置されたガイド（図示せず）を案内としてＸ軸方向に移動するように独立して走査するようにしてもよい。また、例えば、ステージ１０のＸ軸方向の両側にＹ軸方向に沿って配置されたガイド（図示せず）を案内としてＹ軸方向に移動するように走査するようにしてもよい。つまり、移動部３５ａ、３５ｂの除去処理部３５と基板１の表面（塗布膜表面）との距離ｈを測定し、その測定値に基づき、高さ調整装置１３により基板１の表面との距離ｈ１、ｈ２が設定値となるよう高さ調整が可能に構成されていればよい。

また、除去液供給部５１ｂ、５２ｂ及び除去液回収部６１ｂは、除去処理部３５とは別体として設け、変形可能な除去液供給用チューブを介して除去液供給部５１ｂと除去液供給口５１ａとを接続してもよい。これと同様に、変形可能な除去液回収用チューブを介して除去液供給部５２ｂと除去液供給口５２ａとを、除去液回収部６１ｂと除去液回収口６１ａとを接続してもよい。また、これら除去液供給部５１ｂ、５２ｂ及び除去液回収部６１ｂを塗布膜除去装置本体３と別に設けてもよい。
また、上記実施形態では、除去処理部３５は、Ｘ−Ｙ平面においてＬ字型の形状を有するが、本発明は係る例に限定されない。例えば、Ｘ軸またはＹ軸のいずれかの方向に延在する形状でもよい。このとき、除去液供給手段５１、５２及び除去液回収手段６１は、長手方向の両端部付近にそれぞれ１箇所ずつ設けられてもよい。

以下、本発明を、各実施例によりさらに詳しく説明する。
（実施例５−１）
第５実施形態に係る塗布膜除去装置１０５の一実施例として、有機ＥＬディスプレイの正孔輸送層の成膜工程において、基板１上に正孔輸送層を形成する有機材料をスリットダイで塗工し、必要成膜範囲である発光領域の外周の不要な塗布膜２を除去する場合について説明する。
塗布する正孔輸送層材料として、ポリ（３、４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を使用し、除去液として純水を使用した。
基板１には無アルカリガラスＯＡ−１０（日本電気硝子製）１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×０．７ｍｍを使用し、必要成膜範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍとしたときの外周４辺の不要な塗布膜２を選択的に除去することを試みた。
まず、洗浄済みの基板１に、正孔輸送層材料を９０ｍｍ×９０ｍｍの範囲でスリットダイにより塗工した後、減圧乾燥下で１８０℃、１時間乾燥することにより１００ｎｍの塗布膜２を得た。

正孔輸送層材料の塗布範囲の中心寄り８０ｍｍ×８０ｍｍを必要成膜領域１１の範囲と想定し、その４辺の外周の塗布膜２を、塗布膜除去装置本体３を用いて選択的に除去した。本実施例における塗布膜除去装置本体３は、一方向に延在する除去処理部３５を備える。除去処理部３５は、図１７（ａ）に示すように、長手方向の両端部に除去液供給口５１ａと除去液回収口６１ａとをそれぞれ１箇所ずつ有する。除去液供給口５１ａ及び除去液回収口６１ａの上側（Ｚ軸正方向側）には、例えば、図１８に示すように、除去液供給部５１ｂ及び除去液回収部６１ｂがそれぞれ設けられ、除去液供給手段５１及び除去液回収手段６１を形成する。除去処理部３５は、短手方向１０ｍｍ、長手方向１００ｍｍのものを使用した。

また、除去液供給手段５１の除去液供給部５１ｂとしてシリンジポンプを使用し、定量吐出を可能とすることで、基板１と塗布膜除去装置本体３との間隙に保持される除去液８を、除去処理部３５から除去液８が溢れ出さない程度の適当量に調整した。
また、基板１の表面と、塗布膜除去装置本体３の除去液供給口５１ａ下端との距離ｈ１、及び除去液回収口６１ａ下端との距離ｈ２は、表１１中に記載した条件で実施した。なお、塗布膜除去装置本体３の除去液供給口５１ａ、及び除去液回収口６１ａ近傍に取り付けたダイヤルゲージのそれぞれの計測値から、それぞれ距離ｈ１、ｈ２の設定値となるように塗布膜除去装置本体３の高さ、傾きを調整した。

上記間隙条件における評価結果を、表１２及び表１３に示す。

表１２は、基板１の表面と塗布膜除去装置本体３との間隙に除去液８を供給し、液膜を形成したときの液膜形状を評価した結果である。除去液供給口５１ａでの基板１の表面との間隙が大きくなるにつれ、基板１側の除去液８が濡れ広がることで、裾広がりの形状になる。この裾広がりの形状は除去液回収手段６１による回収時に除去液残りの原因となり、確実に除去液８を回収するという好ましい状態が得られない原因となる。除去液８の液膜の形状を鑑みると、除去液供給口５１ａにおける基板１の表面との間隙は、３．０ｍｍ以下が好ましく、２．０ｍｍ以下がより好ましいものといえる。

表１３は、基板１の表面と塗布膜除去装置本体３との間隙に除去液８を供給し形成された液膜を、エジェクタータンクにより吸引した際の除去液８の回収の様子を評価した結果である。除去液供給口５１ａにおける基板１の表面との間隙に関わらず、除去液供給口５１ａ及び除去液回収口６１ａにおける、基板１の表面との間隙の大きさに差を設けることによって、除去液８の回収が良好に行えるようになる。ただし、上記間隙差が小さい場合は回収が遅く、時間を要する点を鑑みると、適度な間隙差が必要であり、０．１ｍｍ以上がより好ましい条件といえる。

また、本実施例では高さ計測装置４としてダイヤルゲージを用いたが、これに限定されるものではなく、レーザ変位計等の非接触方式の計測器を用いた方がキズや異物抑制の点でより好ましい。
また、除去液回収手段６１は排気をとり、基板１と塗布膜除去装置本体３との間に所望の時間で保持され、正孔輸送層材料を溶解した除去液８を回収した。なお、保持時間は３０秒以上であれば概ね塗布膜２が除去されることが確認されたが、同様な動作をもう１度繰り返すことで、回収しきれずに残存してしまう材料を確実に取り除き、より良好な清浄度が期待できる。

塗布膜除去装置本体３を、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、除去処理部３５の長手方向がＸ軸と平行になる状態でＹ軸方向に平行に繰り返し走査させ、さらに除去処理部３５の長手方向がＹ軸と平行になる状態にした後、Ｘ軸方向に平行に繰り返し走査させた。このように、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）の斜線領域で示す必要成膜範囲の外周４辺の成膜不要領域ｅ１、ｅ２、ｅ５、ｅ６の不要な塗布膜２を順次処理することで、８０ｍｍ×８０ｍｍの必要成膜範囲の外周に残存する塗布膜２のない状態が得られ、必要成膜領域１１への除去液８の飛散もなく所望の状態を確認できた。

（実施例５−２）
実施例５−２では、必要成膜領域１１が長方形形状であることから、２つの辺を同時に除去できる除去処理部３５（図１３及び図１４と同様のＬ字型形状）の表面形状を持った塗布膜除去装置本体３により塗布膜２の除去を行った。このときの塗布膜除去装置本体３の除去処理部３５の底面の大きさは、Ｌ字型の角部からそれぞれ延在する２辺をそれぞれ１００ｍｍとし、各辺における幅を１０ｍｍとした。また、除去液供給口５１ａ、５２ａと除去液回収口６１ａそれぞれと基板１との距離ｈ１〜３は、実施例５−１における表１１の（５）に示す条件に基づく。

実施例５−１と同じく、基板１には無アルカリガラスＯＡ−１０（日本電気硝子製）１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×０．７ｍｍを使用し、必要成膜範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍとしたときの外周４辺の不要な塗布膜２を除去処理部３５の形状に合わせて２辺同時除去することを試みた。
塗布膜除去装置本体３による走査を繰り返し行い、さらに走査方向を１８０度切り替え、必要成膜範囲の外周４辺の成膜不要領域ｅ１、ｅ２、ｅ５、ｅ６の不要な塗布膜２を順次処理することで、８０ｍｍ×８０ｍｍの必要成膜範囲の外周に残存塗布膜がない状態が得られ、必要成膜範囲への除去液８の飛散もなく所望の状態を確認できた。
本実施例では、必要成膜範囲の外周４辺の成膜不要領域ｅ１、ｅ２、ｅ５、ｅ６の不要な塗布膜２を２辺同時に処理できることにより、１つの必要成膜範囲に対して２回の処理で完了できるため処理時間の短縮が可能であることが確認できた。

（実施例５−３）
実施例５−３では、実施例５−１における表１１の（５）に示す条件において、除去液８の温度条件は２４℃であったのに対し、この除去液８の温度条件を２４℃から３０℃に変更して同様に塗布膜２の除去を行った。なお、除去液８の温度条件を除く他の条件は、実施例５−１における条件と同一とした。
その結果、除去液８の温度が２４℃のときには、塗布膜２を概ね３０秒で除去できるのに対し、除去液８の温度が３０℃のときには、塗布膜２の除去に要する所要時間を、概ね２０秒まで短縮することができ、除去性能の向上が確認された。また、除去液８の温度をさらに上げた場合には、より除去性能の向上が確認された。しかしながら、温度を４０℃より高くすると除去性能は大きくは向上しなくなることから、効果が薄くなることが確認された。さらに一方で蒸気の影響が懸念される点から、温度条件の採用に当たっては、装置、材料への配慮が必要となる。
したがって、このように、有機発光画素外周部の塗布膜２を確実に除去することができるため、成膜が簡便で且つ均一な塗布法を、正孔輸送層や正孔注入層などの画素ごとに塗り分けする必要のない共通層の成膜に採用した有機ＥＬパネルの生産が可能となる。

（実施例５−４）
第５実施形態に係る塗布膜除去装置１０５の異なる一実施例として、液晶ディスプレイ用カラーフィルタの感光性樹脂層の成膜工程において、基板１上に感光性樹脂層を形成する有機材料をスリットダイで塗工し、必要成膜範囲である画素領域の外周の不要な塗布膜を除去する場合について説明する。
塗布する感光性樹脂材料として、東京応化工業（株）製ＯＦＰＲ−８００を使用し、除去液８として３０℃の１．０重量％炭酸ナトリウム水溶液を使用した。

なお、除去処理は実施例５−２と同様に、２つの辺を同時に除去できる除去処理部３５（図１３及び図１４と同様のＬ字型形状）の表面形状を持った塗布膜除去装置本体３により塗布膜２の除去を行った。このときの塗布膜除去装置本体３の除去処理部３５の底面の大きさは、Ｌ字型の角部からそれぞれ延在する２辺をそれぞれ１００ｍｍとし、各辺における幅を１０ｍｍとした。また、除去液供給口５１ａ、５２ａと除去液回収口６１ａそれぞれと基板１との距離ｈ１〜３は、実施例５−１における表１１の（５）に示す条件に基づく。

実施例５−２と同じく、基板１には無アルカリガラスＯＡ−１０（日本電気硝子製）１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×０．７ｍｍを使用し、必要成膜範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍとしたときの外周４辺の不要な塗布膜２を除去処理部３５の形状に合わせて２辺同時除去することを試みた。
塗布膜除去装置本体３による走査を繰り返し行い、さらに走査方向を１８０度切り替え、必要成膜範囲の外周４辺の成膜不要領域ｅ１、ｅ２、ｅ５、ｅ６の不要な塗布膜２を順次処理することで、８０ｍｍ×８０ｍｍの必要成膜範囲の外周に残存塗布膜がない状態が得られ、必要成膜範囲への除去液８の飛散もなく所望の状態を確認できた。
本実施例では、必要成膜範囲の外周４辺の成膜不要領域ｅ１、ｅ２、ｅ５、ｅ６の不要な塗布膜２を２辺同時に処理できることにより、１つの必要成膜範囲に対して２回の処理で完了できるため処理時間の短縮が可能であることが確認できた。

以上、本発明の実施例５−１〜５−４について説明したが、本発明は上記実施例に制限されない。上記では有機ＥＬディスプレイと液晶ディスプレイ用カラーフィルタについて説明したが、これに限定されるものではなく、別の用途の成膜基板に適用してもよい。また、塗布膜２は、正孔輸送層を始めとする有機ＥＬ用途の材料や、液晶用ディスプレイ用カラーフィルタに使用する感光性樹脂材料などに限定されるものではなく、別の用途の材料に適用してもよい。また、除去液８もその塗布膜２の材料に応じたものを適宜選択でき、例えば、有機溶剤やエッチング液等も対象となる。

（有機ＥＬ素子について）
第１から第５の各実施形態では、主に有機ＥＬディスプレイパネルの製造を例に挙げて、各実施例を説明した。そこで、この有機ＥＬディスプレイパネルの構成等、特に有機ＥＬディスプレイパネルに含まれる有機ＥＬ素子の構成等について、以下、簡単に説明する。
有機ＥＬ素子は、導電性の有機発光媒体層に電圧を印加することにより、注入された電子と正孔とを再結合させ、この再結合の際に、有機発光媒体層に含まれる有機発光層を構成する有機発光材料を発光させるものである。有機発光媒体層の両側には、有機発光層へ電圧を印加すると共に光を外部へ取り出すために、第一電極と第二電極とが設けられている。
この有機ＥＬ素子は、透明基板上に、第一電極、有機発光層、第二電極（対向電極）を順次積層して構成される。また、基板上に形成される第一電極は陽極として、有機発光層上に形成される対向電極は陰極として利用されることが通常である。

さらに、発光効率を増大させる等の目的から、陽極と有機発光層との間に正孔輸送層及び正孔注入層が、有機発光層と陰極との間に電子輸送層及び電子注入層が、それぞれ適宜選択して設けられることで、有機ＥＬ素子として構成されることが多い。そして、前述の有機発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層をあわせた積層構造は、有機発光媒体層と呼ばれている。
この有機発光媒体層を構成し機能する物質（発光媒体材料）は、一般的に、低分子の化合物である。また、各層は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内程度の厚みで、抵抗加熱方式等の真空蒸着法等によって積層される。このため、低分子材料を用いる有機ＥＬ素子を製造するためには、複数の蒸着釜を連結した真空蒸着装置を必要とし、生産性が低く製造コストが高くなることがある。

これに対し、有機発光媒体層として塗布型材料を用いたＥＬ素子がある。
発光媒体層としては、トルエン、キシレン等の溶媒に低分子発光色素を溶解させたものや、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に低分子の発光色素を溶解させたものや、ポリフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリアルキルフルオレン誘導体（ＰＡＦ）等の高分子材料の発光体が用いられる。これらの塗布型材料を用いたＥＬ素子では、材料を溶剤に溶解または分散することにより、塗布法や印刷法といった湿式法により有機発光媒体層の各層となる塗布膜を形成することができる。このため、塗布型材料を用いたＥＬ素子は、前述の真空蒸着法を用いたＥＬ素子と比較して大気圧下での膜形成（各層の形成）が可能であり、設備コストが安いという利点がある。

また、前述の湿式法、例えば塗布法としては、スピンコート法、バーコート法、スリットコート法、ディップコート法等があり、特に高精細なパターニングが必要でない場合は、成膜が簡便で、且つ均一な、このような塗布法が有効である。また、このような湿式法は、正孔輸送層や正孔注入層等、画素ごとに塗り分けする必要のない共通層の成膜に有効である。
一方、高精細なパターニングやＲＧＢの３色塗り分けが必要な場合には、凹版印刷法、凸版印刷法、平版印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法等の印刷法による薄膜形成が最も有効である。

次に、積層された有機発光媒体層の上に陰極を形成した後の工程である封止工程に関して説明する。
有機発光媒体層の上に陰極が形成された状態のままでは、特に水分（水蒸気）や酸素の影響を受けやすく、発光特性の低下や、金属電極の劣化によりダークスポットと称する非発光不具合が生じてしまう。そのため、水分や酸素を極限まで抑えたチャンバー内で、表示領域に対向する部分に吸湿剤を配置した封止ガラス基板を用いて封止するのが一般的である。

有機発光媒体層が形成された基板上に封止ガラス基板を形成する場合、有機発光媒体層が形成された基板と封止ガラス基板とを接着するための一定の接着幅（封止スペース）が必要となる。その際、封止性能を充分に得るために、封止スペースには有機発光媒体層を構成する有機材料が塗られていないことが望ましい。しかしながら、正孔輸送層及び正孔注入層を塗布法により成膜した場合には、封止スペースにまで有機材料が成膜されるため、封止性能が損なわれることがある。

その対応策として、パターニングが不要な正孔輸送層及び正孔注入層の成膜に印刷法を採用し、必要範囲のみを成膜する方法等がある。
また、成膜不要領域に成膜された被膜を除去する方法として、例えば、被膜を除去するための溶剤が貯留された貯蔵部に、不要な被膜が塗布された部分（例えば、基板端部）を浸漬させることで除去する方法等もある（例えば、特許文献１、２）。
また、従来技術に係る塗布法には、成膜の簡便性、均一性および印刷材料の選択性などの点で課題があり、本発明の属する技術の分野においては、その点に関してより優れた塗布法の適用が望まれている。

以上で、特定の実施形態を参照して本発明を説明したが、これら説明によって発明を限定することを意図するものではない。本発明の説明を参照することにより、当業者には、開示された実施形態の種々の変形例とともに本発明の別の実施形態も明らかである。従って、特許請求の範囲は、本発明の範囲及び要旨に含まれるこれらの変形例または実施形態も網羅すると解すべきである。つまり、本発明は、各実施形態を組み合わせたものであってもよい。具体的には、本発明に係る塗布膜除去装置は、第１実施形態と、第２から第５の各実施形態とを組み合わせたものであってもよい。

１・・・基板
２・・・塗布膜
３・・・塗布膜除去装置本体
３ａ、３ｂ・・・移動部
４・・・高さ計測装置
５・・・除去液供給手段
５ａ・・・除去液供給口
５ｂ・・・除去液供給部
５ｃ・・・除去液検知手段
６・・・除去液回収手段
６ａ・・・除去液回収口
６ｂ・・・除去液回収部
６ｃ・・・除去液検知手段
７・・・ガス供給装置
７ａ・・・ガス供給口
７ｂ・・・ガス供給部
８・・・除去液
９・・・超音波振動印加装置
１０・・・ステージ
１１・・・必要成膜領域
１２・・・撥水外郭部
１３・・・高さ調整装置
１４・・・超音波振動印加手段
１５・・・制御装置
１９・・・底面
２０・・・制御部
２１・・・ガイドレール
３０〜３５・・・除去処理部
３１ａ〜３５ａ・・・移動部
３１ｂ〜３５ｂ・・・移動部
５１、５２・・・除去液供給手段
５１ａ、５２ａ・・・除去液供給口
５１ｂ、５２ｂ・・・除去液供給部
６１・・・除去液回収手段
６１ａ・・・除去液回収口
６１ｂ・・・除去液回収部
１００〜１０５・・・塗布膜除去装置
ｅ１〜ｅ７・・・成膜不要領域
ｗ１・・・幅
ｈ１〜ｈ３・・・距離

Claims (30)

1. 基板上の塗布膜のうちの予め設定した位置にある塗布膜除去部に向けて吐出口から除去液を吐出する除去液供給手段と、前記吐出された除去液を回収口から回収する除去液回収手段とを有する塗布膜除去装置本体と、
   前記基板表面と、前記塗布膜除去装置本体の前記吐出口と前記回収口との間に位置する平坦な底面との間の距離を調整する処理ギャップ調整装置と、
   を備え、
   前記除去液供給手段の前記除去液の吐出口および前記除去液回収手段の前記除去液の回収口の外周側に、撥水処理を施した撥水外郭部を、前記基板表面と対向するように備えることを特徴とする塗布膜除去装置。
2. 前記基板表面と、前記塗布膜除去装置本体の底面との間の距離を計測する処理ギャップ計測装置を更に備え、
   前記処理ギャップ調整装置は、処理ギャップ計測装置の計測値に応じて前記距離を調整することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜除去装置。
3. 前記撥水外郭部の水接触角が９０度以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の塗布膜除去装置。
4. 前記撥水外郭部を囲むように配置され且つ基板に向けてガスを吐出するガス供給口を有するガス供給装置を、更に備え、
   前記ガス供給口から吐出されるガスによって前記塗布膜除去部外への前記除去液の流出を阻止することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
5. 前記ガス供給装置は、前記ガスとして窒素ガスを吐出させることを特徴とする請求項４に記載の塗布膜除去装置。
6. 前記塗布膜除去装置本体には、２箇所の前記吐出口と前記回収口とが設けられ、
   前記塗布膜除去装置本体の平面形状は、Ｌ字型形状であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
7. 基板上の塗布膜のうちの予め設定した位置にある塗布膜除去部に向けて除去液を吐出する除去液供給手段と、吐出された前記除去液を回収する除去液回収手段とを有する塗布膜除去装置本体を備え、
   前記除去液供給手段は、前記除去液を吐出するための１箇所以上の吐出口を有し、
   前記除去液回収手段は、前記除去液を回収するための１箇所以上の回収口を有し、
   前記塗布膜除去装置本体の前記吐出口側の底面と前記基板表面との間の距離である第１の距離と、
   前記塗布膜除去装置本体の前記回収口側の底面と前記基板表面との間の距離である第２の距離と、が異なるように、前記底面が前記基板表面に対し、高さ方向に傾きを持って配置されていることを特徴とする塗布膜除去装置。
8. 前記塗布膜除去装置本体には、２箇所の前記吐出口と前記回収口とが設けられ、
   前記塗布膜除去装置本体の平面形状は、Ｌ字型形状であることを特徴とする請求項７に記載の塗布膜除去装置。
9. 基板上の塗布膜のうちの予め設定した位置にある塗布膜除去部に向けて吐出口から除去液を吐出する除去液供給手段と、前記吐出された除去液を回収口から回収する除去液回収手段とを有する塗布膜除去装置本体を備え、
   前記塗布膜除去装置本体は、前記吐出口と前記回収口との間に位置する平坦な底面を有し、
   前記基板表面と前記塗布膜除去装置本体の前記吐出口側の底面との間の距離である第１の距離と、前記基板表面と前記塗布膜除去装置本体の前記回収口側の底面との間の距離である第２の距離とが異なることを特徴とする塗布膜除去装置。
10. 前記第１の距離は、前記第２の距離よりも長いことを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
11. 前記塗布膜除去装置本体の底面は、前記基板表面に対し、高さ方向に０．０５度以上傾いていることを特徴とする請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
12. 前記第１の距離は、３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項７から請求項１１のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
13. 前記第１の距離は、２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項７から請求項１２のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
14. 前記第１の距離と、前記第２の距離と、を調整する処理ギャップ調整装置を備えることを特徴とする請求項７から請求項１３のいずれかに１項に記載の塗布膜除去装置。
15. 前記基板表面と前記塗布膜除去装置本体の底面との間の距離を計測する処理ギャップ計測装置を備え、
    前記処理ギャップ調整装置は、前記処理ギャップ計測装置の計測値に応じて前記距離を調整することを特徴とする請求項１４に記載の塗布膜除去装置。
16. 前記第１の距離は、前記第２の距離よりも０．１ｍｍ以上長いことを特徴とする請求項７から請求項１５のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
17. 少なくとも前記塗布膜除去装置本体の底面と前記基板表面との間に前記除去液が存在するときに、前記処理ギャップ調整装置を介して、前記底面が、前記基板表面に対し、高さ方向に０．０５度以上の傾きになるように調整する制御部を備えることを特徴とする請求項１４に記載の塗布膜除去装置。
18. 少なくとも前記塗布膜除去装置本体の底面と前記基板表面との間に前記除去液が存在するときに、前記処理ギャップ調整装置を介して、前記底面と前記基板表面との間の距離を３．０ｍｍ以下とする制御部を備えることを特徴とする請求項１７に記載の塗布膜除去装置。
19. 少なくとも前記塗布膜除去装置本体の底面と前記基板表面との間に前記除去液が存在するときに、前記処理ギャップ調整装置を介して、前記基板表面に対する前記底面の傾きを、１回以上変更する制御部を備えることを特徴とする請求項１７又は請求項１８に記載の塗布膜除去装置。
20. 前記基板表面と前記底面との間の距離を計測する処理ギャップ計測装置を更に備え、
    前記制御部は、前記処理ギャップ調整装置を介して、前記処理ギャップ計測装置の計測値に応じて前記基板表面と前記底面との間の距離を調整することを特徴とする請求項１７から請求項１９のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
21. 前記吐出口より除去液を供給する前に、相対的に前記第１の距離を、前記第２の距離よりも長く設定する第１処理部と、
    前記吐出口より除去液を吐出したと判定すると、予め設定した回数だけ、前記基板表面に対する前記底面の傾きを交互に可変させる第２処理部と、
    前記回収口から除去液を回収すると判定すると、相対的に前記第１の距離を、前記第２の距離よりも短く設定する第３処理部と、
    を備える制御部を有することを特徴とする請求項１７から請求項２０のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
22. 前記第１の距離と、前記第２の距離とが異なるように調整する高さ調整手段と、
    前記塗布膜除去装置本体に配置され、前記吐出口側と前記回収口側での前記除去液をそれぞれ検知する除去液検知手段と、を備えることを特徴とする請求項７から請求項２１のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
23. 前記除去液検知手段の検知に基づき、除去液供給量と除去液回収量とを制御する制御部を備えることを特徴とする請求項２２に記載の塗布膜除去装置。
24. 前記高さ調整手段は、前記第１の距離と前記第２の距離とを個別に調整する処理ギャップ調整装置から構成されることを特徴とする請求項２２又は請求項２３に記載の塗布膜除去装置。
25. 前記基板表面と前記塗布膜除去装置本体の底面との間の距離を計測する処理ギャップ計測装置を更に備え、
    前記処理ギャップ調整装置は、前記処理ギャップ計測装置の計測値に応じて前記第１の距離及び第２の距離の少なくとも一方の距離を調整することを特徴とする請求項２４に記載の塗布膜除去装置。
26. 前記吐出口から除去液を吐出させてから、予め設定した保持時間が経過した後、前記除去液回収手段による前記除去液の回収を行うことを特徴とする請求項１から請求項２５のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
27. 前記塗布膜除去部に吐出された除去液に超音波振動を与える超音波振動印加装置を備えることを特徴とする請求項１から請求項２６のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
28. 前記塗布膜除去部に吐出する除去液の温度は、３０℃以上４０℃以下の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項２７のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
29. 前記吐出口及び回収口は、前記基板の面に沿って移動可能となっており、
    前記吐出口及び回収口を移動させ、成膜不要領域の各塗布膜除去部で、前記処理ギャップ計測、処理ギャップ調整、除去液の吐出および回収を行うことを特徴とする請求項１から請求項２８のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。
30. 前記除去液供給手段は、前記吐出口に前記除去液を供給する除去液供給部をさらに有し、
    前記除去液回収手段は、前記吐出口を介して前記除去液を回収する除去液回収部をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項２９のいずれか１項に記載の塗布膜除去装置。

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