CN102057479B - 具有水蒸气的uv固化方法与设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例一般涉及一种固化介电材料以产生不具空隙与缝隙的特征的方法与设备，所述介电材料沉积于基材表面中的沟槽或间隙内。一个实施例中，介电材料在暴露于紫外光辐射时经蒸汽退火。一个实施例中，介电材料进一步于氮环境中经热退火。

Description

具有水蒸气的UV固化方法与设备
技术领域
本发明实施例一般涉及一种固化介电材料以产生隔离结构等的方法与设备，所述隔离结构等不具有空隙与缝隙。
背景技术
现代集成电路在单一芯片上包括数百万部件的复杂组件；然而，对更快、更小电子装置的需求始终在增加。此需求不仅需要更快的电路，同时也需要各个芯片上更高的电路密度。为了达到更高的电路密度，不仅必须降低组件特征尺寸，而且还必须缩小组件之间的隔离结构。
目前隔离技术包括浅沟槽隔离(STI)处理。STI处理包括首先将沟槽蚀刻进入基材，所述沟槽具有预定宽度与深度。接着以介电材料层填满沟槽。接着经由例如化学机械研磨(CMP)来平坦化介电材料。
随着沟槽宽度持续变小，深宽比(深度除以宽度)持续增加。与制造高深宽比沟槽有关的一个挑战是避免在将介电材料沉积于沟槽中的过程中形成空隙。
为了填满沟槽，首先沉积介电材料(例如，氧化硅)层。介电层通常覆盖场，以及沟槽的壁与底部。若沟槽既宽且浅，则相当容易完全填满沟槽。然而，随着深宽比提高，沟槽开口变得更容易“捏合”而将空隙捕捉于沟槽中。
为了减少将空隙捕捉于沟槽中的机率，高深宽比工艺(HARP)可用来形成介电材料。这些工艺包括在不同处理阶段以不同速率沉积介电材料。较低的沉积速率可用来于沟槽中形成更共形的介电层，而较高的沉积速率可用来在沟槽上形成块介电层。
填满高深宽比沟槽中的另一挑战是避免在介电材料与介电材料本身的界面处形成虚弱缝隙。当沉积的介电材料由沟槽的相对壁向内生长且虚弱地附着于或无法附着于介电材料本身时形成虚弱缝隙。
比起其它部分的介电材料，沿着缝隙的介电材料具有较低密度与较高多孔性，这造成介电材料在随后处理(例如，CMP)过程中暴露于蚀刻剂时凹陷比率的提高。如同空隙一般，虚弱缝隙在间隙填充的介电强度中产生不同质，这会负面影响半导体组件的运作。
可经由在高温熔炉中蒸汽退火基材来修复介电材料中的空隙与缝隙。蒸汽退火之后，可额外地将基材置于高温氮环境中以密化介电材料。熔炉退火充分运作以修复介电材料中的空隙或缝隙。然而，由于熔炉大小与熔炉对基材处理的影响而存在有某些熔炉退火的限制。
一般熔炉大小用来大批处理基材，而这造成控制、均匀性与产量的受限。由于熔炉大小与需要的处理气体体积的缘故，熔炉内反应环境的控制与弹性是受限的。例如，因为用来填充熔炉所需的气体体积，所以改变或微调批处理熔炉中的处理气体混合物需要可观的时间。此外，当水蒸汽与氧气的混合物流过所述批次基材时，水蒸汽压力会随着水蒸汽被基材吸收而降低。因此，氧气与水蒸汽的比例随着氧气与水蒸汽自入口流过基材并到达熔炉出口而提高。降低的蒸汽压造成所述批次基材中膜生长的减少与均匀性的降低。因为除了传统熔炉退火所需时间外，基材必须在熔炉处理之前与之后排队等候的时间也会减少基材制造产量。
因此，需要可产生高深宽比隔离结构等的改良处理与设备，所述高深宽比隔离结构等不具空隙与缝隙。
发明内容
本发明一个实施例中，一种固化介电材料的方法，所述介电材料形成于基材上的沟槽中，所述方法包括：将基材转移至腔室处理区，所述腔室处理区经设置以暴露紫外光辐射给基材；使气体混合物流入腔室处理区；以及将气体混合物暴露于紫外光辐射。一个实施例中，气体混合物包括水蒸汽、臭氧与过氧化氢中的一或更多种。一个实施例中，将气体混合物暴露于紫外光辐射以产生氢氧自由基。一个实施例中，将基材暴露于紫外光辐射。
另一实施例中，在基材上的沟槽中形成介电材料的方法包括：将基材转移至多-腔室处理系统中第一处理腔室的处理区中；以第一流率将第一气体混合物引导进入第一处理腔室的处理区中；以第二流率将第二气体混合物引导进入第一处理腔室的处理区中；将基材由第一处理腔室的处理区转移至多-腔室处理系统中的第二处理腔室的处理区中；使第三气体混合物流入第二处理腔室的处理区中；以及将第三气体混合物暴露于紫外光辐射。一个实施例中，第一处理腔室经设置以沉积介电材料于基材上。一个实施例中，第二气体混合物导入第一处理腔室的处理区的流率大于第一气体导入第一处理腔室的处理区的流率。一个实施例中，第二处理腔室经设置以暴露基材于紫外光辐射。一个实施例中，第三气体混合物包括水蒸汽、臭氧与过氧化氢中的一或更多种。一个实施例中，第三气体混合物暴露于紫外光辐射以产生氢氧自由基。一个实施例中，基材暴露于紫外光辐射。
本发明又一实施例中，多-腔室处理系统包括：第一腔室，所述第一腔室经设置以沉积介电材料；第二腔室，所述第二腔室经设置以固化介电材料；转移机器人，所述转移机器人经设置以将基材自第一腔室转移至第二腔室；以及系统控制器。一个实施例中，系统控制器经程序化以提供控制信号好以第一与第二速率沉积介电材料。一个实施例中，第二速率高于第一速率。一个实施例中，系统控制器经程序化以将气体混合物导入第二腔室并将所述气体混合物暴露于紫外光辐射，所述气体混合物包括水蒸汽、臭氧与过氧化氢中的一或更多种。
附图说明
因此，可详细地理解本发明的上述特征的方式，可参照实施例(一些图示于附图中)来理解本发明简短概述于上的更特定描述。然而，需注意附图仅图示本发明的典型实施例而因此不被视为本发明的范围的限制因素，因为本发明可允许其它等效实施例。
图1(现有技术)为填充有介电材料的示范性沟槽的简要剖面图，所述介电材料利用传统处理来沉积。
图2(现有技术)为填充有介电材料的另一沟槽实例的简要剖面图，所述介电材料利用传统处理来沉积。
图3(现有技术)为图2的沟槽在平坦化后的简要剖面图。
图4为修补缝隙的化学机制的概要描述，所述缝隙形成于以介电材料填充的沟槽中。
图5为根据本发明一个实施例而应用的示范性处理系统的平面图。
图6为串接处理腔室的一个实施例的等角图，所述串接处理腔室经设置以用于紫外光(UV)固化。
图7为图6的串接处理腔室的一个实施例的部分剖面图。
图8描绘根据本发明一个实施例的示范性方法。
图9为比较根据本发明一个实施例在UV蒸汽退火之前与之后沉积的沟槽填充介电质膜的傅立叶转换红外线光谱的图表。
图10为比较热蒸汽退火沟槽填充介电质膜与UV蒸汽退火沟槽填充介电质膜的图表。
具体实施方式
本发明实施例包括固化介电材料以产生隔离结构等的方法与设备，所述隔离结构等不具空隙与缝隙。一个实施例包括利用紫外光(UV)辐射来退火与密化介电材料，所述介电材料用来填充基材中间隙与沟槽。
图1为示范性沟槽100的简单剖面图，所述示范性沟槽100填充有介电材料102(例如，氧化硅)，利用传统处理来沉积所述介电材料。如图所示，在沟槽100的凸起边缘上介电材料102沉积速率的提高会造成沟槽100的捏合并在沟槽100中产生不欲的空隙104。块介电层106形成于介电质填充沟槽100上。块介电层106提供额外的介电材料以作为待续处理(例如，CMP)的起始点，而待续处理会暴露空隙104。
图2为另一沟槽200实例的简单剖面图，所述沟槽200填充有介电材料202(例如，氧化硅)，利用传统处理来沉积所述介电材料。在介电材料202的接合处形成虚弱缝隙204，所述介电材料202由沟槽200的相对侧壁201成长。虚弱缝隙204可造成将块层206在接续处理(例如，CMP)中暴露于蚀刻剂时，比起周围的介电材料202而言，沿着缝隙204的介电材料202以较快的速率被移除。
图3为图2中绘示的沟槽200经过CMP处理后的简单剖面图。沿着缝隙204的蚀刻速率增加造成介电质填充沟槽200的表面中的不欲凹陷208。
图4为修复缝隙(例如，缝隙204)的机制的概要描述，所述缝隙在介电质沟槽填充材料中形成。介电材料沉积402具有低密度的硅醇(SiOH)，造成缝隙204处的虚弱附着。蒸汽退火404经由并入氢氧自由基(-OH)而提高缝隙204处的硅醇密度。高温退火406进一步促进氢氧自由基化合以释出水分而促进稳定的Si-O-Si键结，造成无缝隙的氧化物填充沟槽。
图5为根据本发明一个实施例而应用的示范性处理系统500的平面图。处理系统500可为自备式系统，所述自备式系统具有必要处理工具，所述必要处理工具支撑于主框架结构501上。处理系统500可包括前端平台区502，在所述前端平台区502处支撑有基材匣509，并且在所述前端平台区502处将基材负载于负载锁定腔室512中，以及从负载锁定腔室512卸载基材。处理系统500可进一步包括：转移室511，所述转移室511容纳基材处理机513；一列串接处理腔室506，所述串接处理腔室506安装于转移室511上；以及后端538，所述后端538容纳系统500运作所需的支持工具。一个实施例中，后端538包括气体面板503与功率分布面板505。
一个实施例中，各个串接处理腔室506包括两个用于处理基材的处理区(参见图6与图7)。两个处理区可共有相同的气体供应、相同的压力控制与相同的处理气体排气/泵送系统。系统的模块设计可自一个结构配置快速转换成另一个。为了执行特定处理步骤，可改变腔室的配置与组合。一个实施例中，串接处理腔室506中的至少一个可包括根据如下所述的本发明方面的盖，所述盖包括一或更多个UV灯，所述UV灯用来固化介电材料。一个实施例中，串接处理腔室506中的至少一个为化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)腔室，所述化学气相沉积腔室用来沉积介电材料于基材上以填充沟槽。一个实施例中，串接处理腔室506中的两个具有UV灯，并且所述串接处理腔室506中的两个经设置以成为平行运作的UV固化腔室。一个实施例中，串接处理腔室506中的所有三个具有UV灯，并且所述串接处理腔室506中的所有三个经设置以成为平行运作的UV固化腔室。
一个实施例中，处理系统500配有系统控制器550，所述系统控制器550经程序化以控制并执行不同处理方法与顺序，诸如图8中所述的处理与随后的描述，以及执行于处理系统500中的其它描述。系统控制器550通常促进整体系统的控制与自动化，并且所述系统控制器550通常可包括中央处理单元(central processing unit；CPU)(未显示)、内存(未显示)与支持电路(未显示)。CPU可为任何计算机处理器的其中一者，所述计算机处理器用于工业设定中以控制不同系统功能与腔室处理。
一个实施例中，系统控制器550提供控制信号好以第一与第二速率沉积介电材料于沟槽内，所述沟槽形成于串接处理腔室506的一或更多个中的基材上，其中第二速率高于第一速率。一个实施例中，系统控制器550进一步经程序化以提供控制信号而将气体混合物引导进入串接处理腔室506中并暴露所述气体混合物于UV辐射，所述气体混合物包括水蒸汽、臭氧与过氧化氢中的一或更多种。一个实施例中，系统控制器550进一步经程序化以提供控制信号好暴露基材于串接处理腔室506中的UV辐射。
图6描绘半导体处理系统500的串接处理腔室506中的一个处理腔室的一个实施例，所述处理腔室经设置以用于UV固化。串接处理腔室506可包括主体600与盖602，所述盖602可铰链安装至主体600。盖602耦接有两个外罩604，所述两个外罩604各自耦接至入口606以及出口608，好让冷却空气穿过外罩604的内部。中央加压气体源610提供足够的气体流率至入口606以确保与串接处理腔室506有关的任何UV灯泡与/或灯泡的功率源614的适当运作。出口608自外罩604接收排出气体，并且所述排出气体由共同的排气系统612所收集。
图7绘示串接处理腔室506的一个实施例的部分剖面图，所述串接处理腔室506具有盖602、外罩604与功率源614。各个外罩604覆盖两个个别UV灯泡702，所述两个个别UV灯泡702分别位于两个处理区700(界定于主体600中)上。各个处理区700包括加热基座706以于处理区700中支撑基材708。基座706可包括陶瓷或金属(例如，铝)。一个实施例中，基座706耦接至杆710，所述杆710延伸穿过主体600的底部，并由驱动系统712运作所述杆710以移动处理区700中的基座706朝向与远离UV灯泡702。驱动系统712也可在固化过程中旋转与/或转移基座706以进一步提高均匀性。
一般说来，实施例考虑过任何UV源，诸如水银微波弧光灯、脉冲氙气闪光灯与高效UV发光二极管数组。UV灯泡702可为密封的等离子体灯泡，所述等离子体灯泡充满一或更多种气体(诸如，氙气或水银)以由功率源614所激发。一个实施例中，功率源614为微波产生器，所述微波产生器可包括一或更多个磁电管(未显示)与一或更多个变压器(未显示)，所述变压器供给磁电管的细丝能量。具有千瓦微波功率源的一个实施例中，各个外罩604包括孔洞615，所述孔洞615邻近功率源614，以自功率源614接收高达约6000W的微波功率好接着自各个UV灯泡702产生高达约100W的UV光。一个实施例中，UV灯泡702可包括电极或细丝于UV灯泡702中，以致功率源614代表电极的电路与/或电流供应器，诸如直流(DC)或脉冲DC。
一个实施例中，功率源614可包括射频(RF)功率源，所述射频功率源能够激发UV灯泡702中的气体。灯泡中的RF激发配置可为电容式或感应式。感应耦合等离子体(ICP)灯泡可经由产生比电容耦合放电更密的等离子体来有效地提高灯泡亮度。此外，ICP灯可排除起因为电极消减的UV输出消减而造成较长的灯泡寿命以提高系统生产率。
一个实施例中，UV灯泡702散发的UV光经由穿过窗口714而进入处理区700，所述窗口714配置于盖602中的孔洞内。窗口714可由合成石英玻璃所构成，所述合成石英玻璃不具OH，且所述窗口714的厚度足以维持真空而不会破裂。一个实施例中，窗口714为熔融二氧化硅，所述熔融二氧化硅传送下至约150nm的UV光。
一个实施例中，处理区700提供的容积能够维持约1托(Torr)至约650托的压力。一个实施例中，处理气体717可通过两个入口通道716其中一者进入处理区700。处理气体717可通过相同的出口埠718离开。一个实施例中，供应至外罩604内部的冷却气体经由窗口714而与处理区700分隔。
一个实施例中，入口通道716与蒸汽输送系统750流体连通。此外，蒸汽输送系统可经设置以产生且输送去离子水蒸汽穿过入口通道716并进入处理区700。一个实施例中，蒸汽输送系统750的部件、入口通道716与其它与处理区700流体连通的部件可包括材料以避免去离子水蒸汽的腐蚀攻击，所述材料具有钝化或涂覆表面。
一个实施例中，蒸汽输送系统750的部件，以及与所述蒸汽输送系统750流体连通的部件包括电解抛光的不锈钢。不锈钢的电解抛光过程中，产生化学反应，所述化学反应选择性地自部件表面移除铁与镍原子且留下表面层，所述表面层实质由铬与铬的氧化物构成。结果为实质抵抗可能腐蚀物质(例如，去离子水蒸汽)攻击的表面层。
一个实施例中，蒸汽输送系统750的部件，以及与所述蒸汽输送系统750流体连通的部件包括不锈钢，所述不锈钢具有铬氧化物(chromoxide)膜薄层，所述铬氧化物膜薄层生长于所述不锈钢的表面上。得到的表面层实质抵抗可能腐蚀物质(例如，去离子水蒸汽)的攻击。
一个实施例中，蒸汽输送系统750的部件，以及与所述蒸汽输送系统750流体连通的部件包括不锈钢，所述不锈钢具有聚合物涂层(例如，
Figure GSB00000649087900081
PTFE(聚四氟乙烯))。涂层可抵抗极端温度，且结果为实质抵抗可能腐蚀物质(例如，去离子水蒸汽)攻击的表面。
一个实施例中，各个外罩604包括内抛物线表面，所述内抛物线表面由铸模石英衬里704界定，所述铸模石英衬里704涂覆有两向色性膜。石英衬里704反射UV灯泡702散发的UV光，并且所述石英衬里704根据UV光图案而塑形以符合固化处理，所述UV光图案由石英衬里704导入处理区700。一个实施例中，石英衬里704经由移动与改变内抛物线表面的形状来调节以更适合各个处理或任务。此外由于两向色性膜，石英衬里704可传送红外线并反射UV灯泡702散发的UV光。
一个实施例中，在固化过程中旋转或以其它方式周期性移动石英衬里704可提高基材面中的亮度均匀性。一个实施例中，当石英衬里704相对于灯泡702为固定时，可旋转或周期性移动整个外罩604越过基材708。一个实施例中，经由基座706旋转或周期性转移基材708可提供基材708与灯泡702间的相对移动以提高亮度与固化均匀性。
一个实施例中，UV灯泡702可为UV灯数组。一个实施例中，UV灯数组可包括至少一个散发第一波长分布的灯泡与至少一个散发第二波长分布的灯泡。因此，除了调节气体流动、组成、压力与基材温度外，可经由界定已知固化腔室中的不同灯的不同照射顺序来控制固化处理。
图8描绘根据本发明一个实施例的示范性方法800。文字块802，沉积介电层于基材上。利用高深宽比沟填工艺(HARP)技术来在介电层形成过程中改变介电材料的沉积速率来沉积氧化物层。示范性沉积处理如下。
首先将基材置于处理腔室(例如，串接处理腔室506)中。一个实施例中，串接处理腔室506为化学气相沉积(CVD)腔室。一个实施例中，前体材料可流过歧管，所述歧管与处理腔室506流体连通。这可包括使氧化气体前体、含硅前体与含氢氧自由基前体流过歧管。各个前体以初始流率流过歧管并进入处理腔室506。
取决于应用的处理类型，前体材料可帮助形成等离子体，所述等离子体的产物用来在基材上形成介电层。沉积处理可包括技术，诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)、大气压力化学气相沉积(APCVD)、次大气压化学气相沉积(SACVD)，或低压化学气相沉积(LPCVD)。
前体的初始流率建立第一流率比例，所述第一流率比例为含硅前体比上氧化气体前体，以及含硅前体比上含氢氧自由基前体。对高深宽比沟槽中介电材料的初始沉积而言，含硅前体比上氧化气体前体的比例相当低以提供沟槽中介电材料的较慢沉积。随着沉积进展，含硅前体比上氧化气体前体的比例可被提高以增加介电材料的沉积速率。在沉积阶段可达成调节，在此沉积阶段较高沉积速率造成沟槽中空隙的机率降低。
一旦在文字块802沉积氧化物层，在文字块804中介电层可经退火以提高高深宽比沟槽的缝隙中介电层的硅醇密度。一个实施例中，通过暴露于蒸汽与UV辐射来完成退火处理。
可自用于文字块802(用来沉积介电层于基材上)中的处理腔室506移除基材，并将所述基材置于UV暴露腔室(例如，另一串接处理腔室506)中。蒸汽输送系统750引导蒸汽至基材表面，所述蒸汽输送系统750与处理腔室506的入口通道716流体连通。同时基材表面可于处理腔室506中暴露于来自UV灯泡702的UV辐射。UV辐射可分解输送至基材的蒸汽以致将氢氧自由基并入介电材料，从而提高硅醇的密度，特别是在缝隙处。
一个实施例中，蒸汽输送系统750输送水蒸汽(H2O)至基材表面以用于氢氧自由基的分离。一个实施例中，还可在UV辐射存在下引导臭氧(O3)与水蒸汽反应。一个实施例中，可在UV辐射存在下输送过氧化氢(H2O2)至基材表面以用于氢氧自由基的分离。一个实施例中，蒸汽输送系统可在UV辐射存在下输送水蒸汽、臭氧与过氧化氢以反应与分离，以形成氢氧自由基。因此，可根据下列化学方程式产生氢氧自由基：
H2O+(UV)→OH+H
O3+(UV)→O2+O
H2O+O→2OH
H2O2+(UV)→H2O+O
H2O+O→2OH
基材进一步暴露于UV辐射以进一步固化。因此，氢氧自由基化合以自介电层释放水分。进一步UV固化还促进稳定、网状的Si-O-Si键结。
文字块806，可将氮气(N2)导入处理区700以进一步退火且密化介电材料层。一个实施例中，氮气退火发生于与蒸汽退火介电材料相同的处理腔室506中。一个实施例中，氮气退火发生于处理系统500中不同的处理腔室506内。
图9为比较根据本发明一个实施例在UV蒸汽退火之前与之后沉积的沟槽填充介电质膜的傅立叶转换红外线(FT-IR)光谱。如图所示，(-OH)与H2O键结(约3500cm-1处)的尖峰高度在UV蒸汽退火后减少。吸收的减少暗指UV蒸汽退火处理造成膜的水分去吸附。
图10为比较热蒸汽退火的沟槽填充介电质膜与UV蒸汽退火的沟槽填充介电质膜的图表。如长条图所示，UV蒸汽退火的膜具有明显较高的膜收缩。此外，如线图所示，UV蒸汽退火的膜还具有明显较高的Si-O网状/笼状比例。这指出膜具有非常少的不欲的笼状键结且有相当高数目所欲的网状键结。笼状键结具有悬垂键结并易于在水分存在下吸引氢原子。然而，一旦膜经UV退火，许多Si-O笼状键结转换成网状键结而造成更稳定、高度抗水膜。
本发明实施例提供处理的控制提高，所述处理为修补隔离结构等中的空隙与缝隙，所述处理的控制提高经由单一基材工艺容积中快速与有效的退火处理。既然本发明实施例中所用的UV暴露腔室的处理区的容积明显低于批处理熔炉的那些容积，因此可达成改变的较高弹性或微调退火处理中所用的气体混合物。再者，腔室中所需的气体体积的较小数量导致改变所欲气体混合物所需时间的明显减少。
此外，本发明实施例的较小处理容积导致退火基材中均匀性的提高。均匀性是退火处理中温度与气体压力的函数。批次熔炉退火所需的大容积导致横跨所述批次基材的气体压力的非均匀性。相对地，本发明实施例所需的工艺容积可让明显更恒定的气体压力横跨基材，从而导致均匀性的明显提高。
相对于批次熔炉退火，本发明实施例的修复处理产量也明显改善。UV退火比起热蒸汽退火需要明显较少的时间。此外，相对于批次熔炉退火，本发明实施例在退火处理之前或之后不需时间用于排队等候。
因此，本发明实施例导致产生无空隙与缝隙的隔离结构等等，同时改善现有技术的方法与处理的控制、均匀性与产量。
虽然上文针对本发明的实施例，但可在不悖离本发明的基本范围下设计出本发明其它与进一步实施例，而本发明的范围由以上权利要求书所界定。

Claims (6)

1.一种在基材上的沟槽中形成介电材料的方法，包括：
转移所述基材进入多-腔室处理系统中的第一处理腔室的处理区中，其中所述第一处理腔室经设置以沉积所述介电材料于所述基材上；
以第一流率将第一气体混合物引导进入所述第一处理腔室的所述处理区中；
以第二流率将第二气体混合物引导进入所述第一处理腔室的所述处理区中；其中所述第二流率大于所述第一流率；
将所述基材自所述第一处理腔室的所述处理区转移进入所述多-腔室处理系统中的第二处理腔室的所述处理区中，其中所述第二处理腔室经设置以暴露所述基材于紫外光辐射；
使第三气体混合物流入所述第二处理腔室的所述处理区中，其中所述第三气体混合物包括水蒸汽、臭氧与过氧化氢中的一或更多种；
暴露所述第三气体混合物于紫外光辐射以产生氢氧自由基；及
暴露所述基材于紫外光辐射。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一与第二气体混合物各自包括氧化气体前体、含硅前体与含氢氧自由基前体，且其中所述第二气体混合物的含硅前体/氧化气体前体的比例高于所述第一气体混合物。
3.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：
将氮气引导进入所述第二处理腔室的所述处理区中；及
在氮气氛围中热退火所述基材。
4.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：
将所述基材自所述第二处理腔室转移至所述多-腔室处理系统中的第三处理腔室；及
在氮环境中热退火所述基材。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第三气体混合物包括水蒸汽与臭氧。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第三气体混合物包括水蒸汽与过氧化氢。
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