CN102053503A - 决定方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种决定方法，决定在曝光装置中使用的掩模的图案和对掩模进行照明时的有效光源分布，其中，该曝光装置具有：利用来自光源的光对掩模进行照明的照明光学系统；和将所述掩模的图案投影到基板上的投影光学系统。

Description

决定方法
技术领域
本发明涉及决定方法。
背景技术
近年来，半导体器件的微细化进展，利用曝光装置进行的图案的转印(解像)变得困难。因此，在曝光装置中，为了应对半导体器件的微细化而使用变形照明和光邻近效应校正(OPC)等超解像技术，进行掩模图案和对掩模进行照明时的照明形状(有效光源分布)的最优化。照明形状(有效光源分布)是在照明光学系统的瞳面上形成的光强度分布，是对掩模进行照明的光的角度分布。
在照明形状的最优化中，首先设定器件的布局图案(目标图案)、转印图案(光学像)的评价位置以及评价位置上的评价值(尺寸、自由度(DOF)、曝光裕度等)。接着，一边改变照明形状一边计算转印图案，求出该转印图案在评价位置上的评价值。然后，重复转印图案的计算并求出评价值，直到该评价值满足基准(评价基准)，或改变照明形状的次数达到规定的次数。照明形状用数值来表达，例如在具有恒定强度的环形照明的情况下，利用以内侧的σ和外侧的σ为参数(变量)的函数来表达，利用蒙特卡罗(Monte Carlo)法等对这些参数进行最优化。此外，因为即使图案相同，如果照明形状不同则转印图案也不同，所以通过改变照明形状，转印图案会偏离目标图案。从而需要使转印图案与目标图案一致的OPC。OPC在每当改变照明形状或使照明形状改变一定量时进行。
另外，在美国专利第6563566号说明书(以下称为“文献1”)中提出了如下技术：设定要形成在基板(晶片)上的图案，利用数学方法计算最优化的掩模图案和照明形状。文献1的技术不是进行重复计算，而是解析地计算解(掩模图案和照明形状)。此外，在文献1的技术中没有应用OPC，而要形成在基板(晶片等)上的图案与最优化的掩模图案不同，在广义上可以说是包括掩模图案的校正的照明形状的最优化技术。文献1的技术具有能够解析地计算解的优点，但必须将评价值限定于光学像的倾斜，并且要形成在基板上的图案的种类也限定为一个。从而，由于文献1的技术具有自由度小的缺点，所以是不现实的。
另外，在日本特开2004-079714号公报中也提出了这样的掩模图案和照明形状的最优化技术。
然而，对于微细化快速进展的图案，涉及掩模图案和照明形状的最优化的现有技术不能以足够的精度来形成这样的图案。这是因为对掩模图案和照明形状分别进行了最优化(即，不是同时进行最优化)。如上所述，由于OPC依赖于照明形状，所以一般情况下在决定了照明形状(最优化)之后进行。但是，由于通过进行OPC，掩模图案变形，所以，有在进行OPC之前决定的照明形状不再是最优的情况。
发明内容
本发明提供一种可以决定能够以足够的精度在基板上形成图案的掩模的图案和对掩模进行照明时的有效光源分布这两者的技术。
本发明的一个方面的决定方法是一种决定在曝光装置中使用的掩模的图案和对掩模进行照明时的有效光源分布的决定方法，其中，该曝光装置具有：利用来自光源的光对掩模进行照明的照明光学系统；和将所述掩模的图案投影到基板上的投影光学系统，该决定方法的特征在于包括：第1设定步骤，设定用于规定与要形成在所述基板上的图案对应的临时图案的形状的第1参数；第2设定步骤，设定用于评价形成在所述投影光学系统的像面上的临时图案的像的、所述临时图案的像中的评价位置和所述评价位置上的评价项目；第3设定步骤，设定用于规定临时有效光源分布的第2参数；临时决定步骤，临时决定所述第1参数的值和所述第2参数的值；第1取得步骤，取得利用由在所述临时决定步骤中临时决定的所述第2参数的值所规定的临时有效光源分布对由在所述临时决定步骤中临时决定的所述第1参数的值所规定的临时图案进行照明时在所述投影光学系统的像面上形成的临时图案的像；第2取得步骤，针对在所述第1取得步骤中取得的临时图案的像，取得在所述第2设定步骤中设定的所述评价位置上的评价项目的值；以及判定步骤，判定在所述第2取得步骤中取得的所述评价位置上的评价项目的值是否满足评价基准，其中，在所述判定步骤中判定所述评价位置上的评价项目的值满足所述评价基准的情况下，将由在所述临时决定步骤中临时决定的所述第1参数的值所规定的临时图案和由在所述临时决定步骤中临时决定的所述第2参数的值所规定的临时有效光源分布分别决定为掩模图案和有效光源分布；在所述判定步骤中判定所述评价位置上的评价项目的值不满足所述评价基准的情况下，变更并再次临时决定所述第1参数的值和所述第2参数的值，重复进行所述第1取得步骤、所述第2取得步骤和所述判定步骤。
本发明的另一方面的决定方法是一种使计算机决定在曝光装置中使用的掩模的图案和对掩模进行照明时的有效光源分布的决定方法，其中，该曝光装置具有：利用来自光源的光对掩模进行照明的照明光学系统；和将所述掩模的图案投影到基板上的投影光学系统，该决定方法的特征在于包括：临时决定步骤，临时决定规定与要形成在所述基板上的图案对应的临时图案的形状的第1参数的值、以及规定临时有效光源分布的第2参数的值；设定步骤，设定形成在所述投影光学系统的像面上的所述临时图案的像中的评价位置、以及所述评价位置上的评价项目；计算步骤，计算出利用由该临时决定的所述第2参数的值所规定的临时有效光源分布对由该临时决定的所述第1参数的值所规定的临时图案进行照明时在所述投影光学系统的像面上形成的临时图案的像，针对该计算出的临时图案的像计算所述评价项目的值；以及决定步骤，在该计算出的所述评价项目的值不满足评价基准的情况下，变更并再次临时决定所述第1参数的值和所述第2参数的值，进行所述计算步骤，在该计算出的所述评价项目的值满足评价基准的情况下，将所述临时图案和所述临时有效光源分布决定为掩模的图案和有效光源分布。
附图说明
图1是用于说明作为本发明的一个方面的决定方法的流程图。
图2A是示出第1实施方式中的目标图案(的形状)的图。
图2B是示出第1实施方式中的照明形状的图。
图3A是示出在第1实施方式中由最优化的照明形状参数所规定的照明形状的图。
图3B是示出在第1实施方式中由最优化的图案参数所规定的图案的图。
图3C是示出以由图3A所示的照明形状参数所规定的照明形状对由图3B所示的图案参数所规定的图案进行照明时的图案的像(转印图案)的图。
图3D是示出将由图3B所示的图案参数所规定的图案与图3C所示的图案的像重合的结果的图。
图4A是示出在对图2A所示的目标图案应用了OPC的情况下得到的图案的图。
图4B是示出以由图3A所示的照明形状参数所规定的照明形状对图4A中所示的图案进行照明时的图案的像(转印图案)的图。
图4C是示出将图2A所示的目标图案、图4A所示的图案与图4B所示的图案的像重合的结果的图。
图5是用于说明作为参数的最优化方法的一例的滑落单纯形方法(simplex method)的图。
图6A是示出在图2A所示的目标图案中的图案参数、该图案参数的代表值和目标图案的x方向和y方向的间距的图。
图6B是示出以利用构成图2A所示的目标图案的两个长方形的各个边的长度的函数来表达两个长方形的各个顶点的结果的图。
图6C是示出器件的布局整体的图。
图7A是示出第2实施方式中的照明形状的图。
图7B是示出在第2实施方式中由最优化的图案参数所规定的图案的图。
图7C是示出以由图7A所示的照明形状参数所规定的照明形状对由图7B所示的图案参数所规定的图案进行照明时的图案的像(转印图案)的图。
图7D是示出将由图7B所示的图案参数所规定的图案与图7C所示的图案的像重合的结果的图。
图8A是示出第3实施方式中的目标图案(的形状)的图。
图8B是示出对图8A所示的目标图案所设定的图案参数的图。
图8C是示出第3实施方式中的照明形状的图。
图8D是示出在第3实施方式中由最优化的图案参数所规定的图案的图。
图8E是示出在第3实施方式中由最优化的照明形状参数所规定的照明形状的图。
图8F是示出将以由图8E所示的照明形状参数所规定的照明形状对由图8D所示的图案参数所规定的图案进行照明时的图案的像(转印图案)与图8D所示的图案重合的结果的图。
图9A是用于说明第3实施方式中的图案参数的设定方法的图。
图9B是用于说明第3实施方式中的图案参数的设定方法的图。
图9C是用于说明第3实施方式中的图案参数的设定方法的图。
图10A是示出在第4实施方式中由最优化的照明形状参数所规定的照明形状的图。
图10B是示出在第4实施方式中由最优化的图案参数所规定的图案的图。
图10C是示出以由图10A所示的照明形状参数所规定的照明形状对由图10B所示的图案参数规定的图案进行照明时的图案的像(转印图案)的图。
图10D是示出将由图10B所示的图案参数所规定的图案与图10C所示的图案的像重合的结果的图。
图10E是示出由图10B所示的图案参数所规定的图案和由图3B所示的图案参数所规定的图案的散焦特性。
图11是用于说明曝光量-焦点窗口的图。
图12A是示出SRAM的分离工序与栅工序的存储单元的图案(的形状)的图。
图12B是示出在图12A所示的图案中对分离工序中的图案能够设定的图案参数的图。
图12C是示出在图12A所示的图案中对栅工序中的图案能够设定的图案参数的图。
图13是示出标准库单元的图案(的形状)的图。
图14是示出从掩模图案而变换的电路的一例的图。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。在各图中，对于相同部件附加相同的附图标记并省略重复说明。
图1是用于说明作为本发明的一个方面的决定方法的流程图。该决定方法决定(最优化)在曝光装置中使用的掩模的图案和对掩模进行照明时的照明形状，其中，该曝光装置具有：利用来自光源的光对掩模进行照明的照明光学系统；和将掩模的图案投影到基板(晶片等)上的投影光学系统。另外，该决定方法例如通过由通用的计算机所构成的信息处理装置来执行。此外，照明形状(有效光源分布)是在照明光学系统的瞳面上形成的光强度分布，也是对掩模进行照明的光的角度分布。
在S102(第1设定步骤)中，设定用于规定与要形成在基板上的图案(目标图案)对应的临时图案的形状的图案参数(第1参数)。具体地说，以多个多边形构成目标图案，将作为该多边形的特征的参数设定为图案参数。例如，使目标图案的形状与由多个多边形的组合所构成的形状一致，将该多个多边形的各个边长设定为图案参数。
在S104(第2设定步骤)中，设定用于评价形成在投影光学系统的像面上的临时图案的像(即转印图案)的评价位置和该评价位置上的评价项目。这里，评价项目包括例如临时图案的像的尺寸、散焦特性、临时图案的像相对于曝光量的尺寸变化、使临时图案的像收敛于规格内的曝光量和焦点的范围中的至少一个。
在S106(第3设定步骤)中，设定用于规定临时照明形状的照明形状参数(第2参数)。例如，将作为照明形状的基本形状(例如双极形状或四极形状等)的特征的参数设定为照明形状参数。
在S108～S116中，构成由S102中所设定的图案参数和S106中所设定的照明形状参数构成的参数空间，在该参数空间中使图案参数和照明形状参数最优化。然而，图案参数和照明形状参数各自具有限制范围，需要在该限制范围内使图案参数和照明形状参数最优化。
在S108(临时决定步骤)中，临时决定图案参数的值和照明形状参数的值。在本实施方式的决定方法中，由于一边变更图案参数的值和照明形状参数的值，一边使其逼近最优值，所以，如果是在限制范围内，则可以将任意值临时决定为图案参数的值和照明形状参数的值。
在S110(第1取得步骤)中，根据在S108中临时决定的图案参数的值和照明形状参数的值，取得(计算)在投影光学系统的像面上形成的临时图案的像。具体地说，取得利用由在S108中临时决定的照明形状参数的值所规定的临时照明形状(临时有效光源分布)对由在S108中临时决定的图案参数的值所规定的临时图案进行照明时的临时图案的像。
在S112(第2取得步骤)中，针对在S110中取得的临时图案的像，取得(计算)在S104中设定的评价位置上的评价项目的值。
在S114(判定步骤)中，判定在S112中取得的临时图案的像中的评价位置上的评价项目的值是否满足评价基准。评价基准是根据要在基板上形成的图案的精度和曝光装置的性能等，针对每个评价项目预先设定的。
在临时图案的像中的评价位置上的评价项目的值满足评价基准的情况下，转移到S116。在S116中，将在S102中临时决定的图案参数的值所规定的临时图案和在S106中临时决定的照明形状参数的值所规定的临时照明形状分别决定为掩模的图案和对掩模进行照明时的照明形状。
另一方面，在临时图案的像中的评价位置上的评价项目的值不满足评价基准的情况下，返回到S108，再次临时决定图案参数的值和照明形状参数的值，重复S110、S112和S114。换言之，变更图案参数的值和照明形状参数的值，重复进行处理，直到临时图案的像中的评价位置上的评价项目的值满足评价基准。在再次临时决定图案参数的值和照明形状参数的值时，在图案参数的值与照明形状参数的值的组合中，临时决定此前未被临时决定的值。因此，也可能不是变更图案参数的值和照明形状参数的值这两者，而是仅变更图案参数的值或照明形状参数的值。
这样，根据本实施方式的决定方法，可以决定(最优化)能够以足够的精度在基板上形成图案的掩模的图案(图案参数)和照明形状(照明形状参数)这两者。
以下在第1实施方式～第6实施方式中具体说明本实施方式的决定方法。
<第1实施方式>
在第1实施方式中，作为要在基板上形成的图案(目标图案)，以DRAM的分离工序的存储单元的图案为例进行说明。图2A是示出第1实施方式中的目标图案(的形状)的图。参照图2A，目标图案由两个长方形构成，其中心重合。另外，目标图案在x方向上以130nm的间距配置，在y方向上以500nm的间距配置。对于第1实施方式中的目标图案，如图2A所示，将两个长方形的各个边的长度(x方向和y方向上的长度)PA、PB、PC、PD设定为图案参数。
另外，如图2B所示，对掩模进行照明时的照明形状(的基本形状)为四极形状。图2B所示的照明形状是在圆周方向上具有同一强度并且具有同一孔径角的高斯分布。对于第1实施方式中的照明形状，设定照明形状的中心位置Pa、半值宽度Pb和孔径角Pφ作为照明形状参数。图2B所示的照明形状中的偏振方向是切向偏振。在图2B的左侧示出实际的照明形状的数据，在图2B的右侧示出用于说明照明形状参数的示意性照明形状。
此外，考虑到器件特性和掩模的可制造性，设定图案参数的限制范围。在器件中，在由图案参数PA和PB的值所规定的长方形的区域上，在后续工序中形成孔。考虑到将孔形成为大于设计值，以及孔的位置偏差，就需要增大由图案参数PA和PB的值所规定的长方形的区域的宽度。但是，如果图案参数PA和PB的值过大，则与邻接图案的间隔变窄，从而发生解像不良。因此，根据图案的尺寸、重合精度和器件的容许度等，适当地设定图案参数的上限值和下限值。但是，从掩模的制造难易度、合格率的观点看，由于掩模的行和空间尺寸存在下限值，因此以不产生这些临界值的方式，设定图案参数的上限值和下限值。
同样，考虑到曝光装置的性能和光刻特性，还设定照明形状参数的限制范围。即使照明形状参数能够规定其形状，但如果曝光装置(照明光学系统)不能够形成该形状，则该照明形状参数的值是不实用的。因此，在曝光装置能够形成的范围内设定照明形状参数的上限值和下限值。
在图2A所示的目标图案和图2B所示的照明形状(临时照明形状)中，对在设曝光光的波长为193nm、投影光学系统的数值孔径(NA)为0.93的情况下的掩模的图案和照明形状的最优化(决定)进行说明。对于用于评价与目标图案对应的临时图案的像的评价位置，如图2A所示设定为评价位置EP1、EP2和EP3，其评价项目设定为临时图案的像的尺寸。此外，各评价位置EP1、EP2和EP3上的理想尺寸(目标值)为65nm、90nm和100nm。
考虑到器件的特性和掩模的可制造性，图案参数的限制范围设定为130nm＜PA＜180nm、90nm＜PB＜120nm、400nm＜PC＜435nm、64nm＜PD＜70nm。另外，照明形状参数的限制范围设定为0.7＜Pa＜1.0、0.2＜Pb＜0.4、0°＜Pφ＜90°。
在这样的设定中，构成由图案参数和照明形状参数构成的参数空间(PA、PB、PC、PD、Pa、Pb、Pφ)，使图案参数和照明形状参数最优化。最优化的照明形状参数如图3A所示，为Pa＝0.95、Pb＝0.072、Pφ＝40。最优化的图案参数如图3B所示，为PA＝104.1nm、PB＝100.0nm、PC＝400.0nm、PD＝51.3nm。
图3C中示出以由图3A所示的照明形状参数所规定的照明形状对由图3B所示的图案参数所规定的图案进行照明时在投影光学系统的像面上形成的图案的像(转印图案)。另外，图3D中示出将由图3B所示的图案参数所规定的图案与图3C所示的图案的像重合的结果。参照图3C和图3D，转印图案的尺寸与目标值的差分在评价位置EP1为0.094nm、在评价位置EP2为0.080nm、在评价位置EP3为0.000nm。另外，总rms(root mean square：均方根)为0.54nm，可知得到非常好的结果。
另一方面，在对图2A所示的目标图案应用了OPC的情况下，得到图4A所示的图案。图4B中示出以由图3A所示的照明形状参数所规定的照明形状对由图4A所示的图案进行照明时在投影光学系统的像面上形成的图案的像(转印图案)。另外，图4C中示出将图2A所示的目标图案、图4A所示的图案与图4B所示的图案的像重合的结果。参照图4B和图4C，转印图案的尺寸与目标值的差分在评价位置EP1为2.48nm、在评价位置EP2为3.72nm、在评价位置EP3为0.21nm。另外，总rms为2.58nm，形成比本实施方式的结果(参照图3C)差的结果。
这样，根据本实施方式的决定方法，可以决定能够以足够的精度在基板上形成图案的掩模的图案和对掩模进行照明时的照明形状这两者。
另外，虽然由图3B所示的图案参数所规定的掩模的图案比图4A所示的掩模的图案更为简单，但如上所述实现了优良的尺寸精度(尺寸可控制性)。而且，这样的简单掩模的制造容易，因此能够降低掩模的制造成本。
另外，作为本实施方式中的简单的掩模可以得到优良的尺寸精度的理由，可以考虑以下两点。第一点是，由于照明形状对光邻近效应产生影响，所以，通过决定(最优化)掩模的图案和照明形状这两者，能够有效地利用光邻近效应来调整掩模的图案。第二点是，在本实施方式中仅通过评价在评价位置上的尺寸来决定掩模的图案和照明形状，而在OPC中对于掩模图案的全周来调整掩模的图案以使转印图案成为与目标图案相同的形状。换言之，在OPC中，由于在评价位置以外的位置上也调整掩模的图案，所以在评价位置上尺寸精度变差。因为评价位置通常包括用于维持器件的性能所需的所有位置，所以不必考虑其以外的位置上的尺寸。
这里，对参数空间(PA、PB、PC、PD、Pa、Pb、Pφ)中的图案参数和照明形状参数的最优化方法进行说明。基本上，一边变更各个参数的值，一边查找评价位置上的评价项目的值将变为最佳的方向性，通过重复进行该操作以决定最优的参数。
参照图5，对作为参数最优化方法的一例的滑落单纯形方法进行说明。要最优化的参数的个数设为第1参数和第2参数这两个。首先，在第1参数和第2参数的组中，临时决定值不同的3个组。针对这3个组分别求出评价项目的值，求出评价项目的值最好的最好点、评价项目的值最差的最差点、最好点与最差点之间的中间点。另外，求出最好点和中间点这两点的重心，求出最差点相对于该重心的对称点。接着，在最差点与对称点之间设定第4点。设定第4点的位置由某个常数来决定。然后，对最好点、中间点、第4点这3点进行同样的操作。通过重复上述操作使第1参数和第2参数最优化。此外，在要最优化的参数的个数为n的情况下，最先临时决定的第1参数与第2参数的组的个数一般为n+1。
接着对图案参数的设定方法进行说明。图6A为示出图2A所示的目标图案中的图案参数、该图案参数的代表值和目标图案的x方向和y方向的间距的图。图6B为示出将(x0，y0)作为点对称中心，利用构成图2A所示的目标图案的两个长方形的各个边的长度PA、PB、PC和PD的函数来表达两个长方形的各个顶点的结果的图。通过这样进行表达，即使独立地变更各个图案参数(PA～PD)，也不会丧失作为目标图案所具有的特征的点对称性。图6C是示出器件的布局整体的图，周期性地配置了目标图案。在图6C中，Px表示目标图案的x方向的间距，Py表示目标图案的y方向的间距。另外，因为L＝Pc/2+gap/2＝Py/2(即gap(间隙)＝Py-Pc)，所以，邻接的目标图案相距向量(Px/2，Py/2)。因此，在各个目标图案之间的坐标上，通过在x方向上提供Px/2的偏移，在y方向上提供Py/2的偏移，而使目标图案在x方向上以Px/2的间隔配置，在y方向上以Py/2的间隔配置，构成布局整体。换言之，利用图案的代表位置(x0，y0)、构成目标图案的两个长方形的各个边的长度PA、PB、PC和PD以及间距Px和Py，用公式来表达布局整体。如果这样表达，则如上所述即使独立地变更各个图案参数(PA～PD)的值，也不会丧失作为目标图案所具有的特征的周期性。
此外，如果仅将构成目标图案的两个长方形的各个边的长度作为图案参数而简单地进行最优化，则器件的基本概念可能会破坏。因此，需要设定图案参数，以便器件的基本概念不会破坏。
另外，在掩模图案的最优化中，图案的代表位置(x0，y0)不是最优化的直接对象。目标图案的间距虽然可以成为最优化的对象，但因为它是决定器件的微细度的基本量，因此一般是固定值。从而，最优化的对象是利用多边形的边的长度等来表达的图形参数。这样的图形参数的设定是任意的，但可以不增大自由度而简单地设定。这是因为，如上所述，即使是简单的图案，通过本实施方式也能够以足够的精度形成目标图案，并且，简单的图案在成本方面是有利的。
以下说明本实施方式中的决定掩模图案和对掩模进行照明时的照明形状的决定方法与日本特开2004-079714号公报中公开的技术之间的差异。在日本特开2004-079714号公报公开的技术中，也是用图案参数来表示掩模图案，通过变更图案参数来形成多个图案。但是，这多个图案是以分别形成不同的转印图案为目的，不共有一个器件的图案特性。图案虽然由多个简单图案构成，但因为它们是图案的构成要素，是相互关系简单的间距等，所以不能说是具有一个器件的图案特性的图案。
另外，在日本特开2004-079714号公报公开的技术中，使孔径最优化，这样的孔径的最优化与照明形状的最优化是相同的概念。但是，在日本特开2004-079714号公报公开的技术中，将掩模图案(可以是多个，也可以是单个)固定来选择最合适它们的孔径。另一方面，在本实施方式中，不是固定掩模图案，而是向着目标图案，一边变更掩模图案和照明形状这两者，一边进行最优化。
<第2实施方式>
在第1实施方式中，决定(最优化)了掩模图案和对掩模进行照明时的照明形状这两者，但由于图案参数反映了器件特性，因此即使通过固定照明形状仅决定图案参数，也能够得到有意义的结果。
在实际的器件制造中，是利用一个曝光装置来处理多个器件，而在该曝光装置为旧式装置的情况下，该曝光装置能够形成的照明形状的个数是有限的。这种情况下，通过固定照明形状来仅将掩模图案最优化也是有效的。例如，在器件为存储单元的情况下，由于存储单元的图案中的多个位置的尺寸平衡很重要，因此通过固定照明形状来仅将掩模图案最优化是特别有效的。虽然也可以应用OPC来使图案最优化，但如上所述，这种方法在多个位置上的尺寸精度和掩模图案的简单性方面比本实施方式的决定方法要差。
在第2实施方式中，如图7A所示，设为四极形状的照明形状，照明形状参数固定为Pa＝0.8、Pb＝0.2、Pφ＝40。此外，目标图案设定为与第1实施方式相同(图2A)。
在这样的设定中，构成由图案参数构成的参数空间(PA、PB、PC、PD)(即Pa、Pb、Pφ固定)，使图案参数最优化。最优化的图案参数如图7B所示，为PA＝118.1nm、PB＝98.8nm、PC＝412.5nm、PD＝50.0nm。
图7C中示出以由图6A所示的照明形状参数所规定的照明形状对由图7B所示的图案参数所规定的图案进行照明时在投影光学系统的像面上形成的图案的像(转印图案)。另外，图7D中示出将由图7B中所示的图案参数所规定的图案与图7C中所示的图案的像重合的结果。参照图7C和图7D，转印图案的尺寸与目标值的差分在评价位置EP1为1.13nm、在评价位置EP2为4.97nm、在评价位置EP3为0.43nm。另外，总rms为2.95nm。本实施方式的结果由于未将照明形状最优化而比第1实施方式的结果(参照图3C)差，但与应用OPC的情况下的结果(图4B)为同等程度，可知如果考虑到掩模图案的简单性则为有意义的结果。
<第3实施方式>
在最新的DRAM分离工序的存储单元的图案中，为了减小存储单元的尺寸，使用相对于坐标轴倾斜的图案。在这种倾斜图案中，为了实现指定的尺寸精度也需要应用OPC，但对倾斜图案应用OPC是非常困难的。
在第3实施方式中，作为目标图案，以倾斜图案为例进行说明。图8A是示出第3实施方式中的目标图案(的形状)的图。参照图8A，目标图案的倾斜角度为30°，各个图案以在布局整体中维持周期性的方式配置。此外，目标图案间的短边方向的间距和长边方向的间距分别为90nm和312nm。
对于第3实施方式中的目标图案，如图8B所示，将两个长方形的各个边的长度PA、PB、PC和PD设定为图案参数。配置在由长度PA和PB所规定的基本长方形的两端的、由长度PC和PD所规定的长方形被称为“锤头(hammer head)”，具有防止转印图案缩短的功能。
另外，如图8C所示，对掩模进行照明时的照明形状(的基本形状)为四极形状，而与目标图案的倾斜角度相对应地旋转30°。对于第3实施方式中的照明形状，如图8C所示，设定Pa、Pb和Pφ1、Pφ2为照明形状参数。照明形状的旋转角度不设定为照明形状参数。此外，图8C中所示的照明形状中的偏振方向是切向偏振。
在图8A中所示的目标图案和图8C中所示的照明形状(临时照明形状)中，对在设曝光光的波长为193nm、投影光学系统的数值孔径(NA)为1.35的情况下的掩模图案和照明形状的最优化(决定)进行说明。对于用于评价与目标图案对应的临时图案的像的评价位置，如图8F所示设定为评价位置EP1、EP2和EP3，其评价项目设定为临时图案的像的尺寸。此外，各评价位置EP1、EP2和EP3上的理想尺寸(目标值)为44nm、44nm和50nm。
考虑到器件的特性和掩模的可制造性，图案参数的限制范围设定为30nm＜PA＜70nm、230nm＜PB＜280nm、-12nm＜PC＜12nm、10nm＜PD＜90nm。另外，照明形状参数的限制范围设定为0.6＜Pa＜0.95、0.05＜Pb＜0.3、5°＜Pφ1＜150°、5°＜Pφ2＜150°。
在这样的设定中，构成由图案参数和照明形状参数构成的参数空间(PA、PB、PC、PD、Pa、Pb、Pφ1、Pφ2)，使图案参数和照明形状参数最优化。最优化的图案参数如图8D所示，为PA＝44nm、PB＝230nm、PC＝8.4nm、PD＝38nm。最优化的照明形状参数如图8E所示，为Pa＝0.925、Pb＝0.075、Pφ1＝5°、Pφ2＝70°。
图8F中示出将以由图8E所示的照明形状参数所规定的照明形状对由图8D所示的图案参数所规定的图案进行照明时的图案的像(转印图案)与图8D中所示的图案重合的结果。参照图8F，转印图案的尺寸与目标值的差分在评价位置EP1为0.007nm、在评价位置EP2为-0.16nm、在评价位置EP3为0.04nm。另外，总rms为0.09nm，可知得到非常好的结果。如上所述，因为对倾斜图案应用OPC非常困难，所以没有与通过对图8A所示的目标图案应用OPC而得到的掩模图案进行比较。然而，对于应用OPC非常困难的倾斜图案，得到上述结果是非常有意义的。
这里对图案参数的设定方法进行说明。图9A示出将原点(x轴与y轴的交点)作为起点，利用构成图8A所示的目标图案的长方形的各个边的长度PA、PB、PC和PD的函数来表达长方形的各个顶点的结果。此外需注意的是，锤头与基本长方形的短边相接，并且整体具有对称性。
图9B是示出4个目标图案的周期性的图。在图9B中，用PitchX和PitchY分别表示目标图案的长边方向和短边方向的间距。为了在长边方向和短边方向上规则地配置目标图案，需要如下决定位置PT1～PT3的坐标。首先，位置PT1的坐标根据PitchY的信息为(PitchY/sinθ，0)，位置PT2的坐标根据PitchX的信息为(PitchX·cosθ，PitchX·sinθ)。然后，位置PT3的坐标根据位置PT1的坐标和位置PT2的坐标为(PitchX·cosθ-PitchY/sinθ，PitchX·sinθ)。根据这样的关系，通过在长边方向和短边方向上配置4个与原点相接的目标图案，就能够实现具有周期性的配置。
为了构成布局整体，如图9C所示，重复配置4个目标图案(图9B)即可。如果将4个目标图案视为一组，则利用2PitchY的信息，该组的x方向和y方向的间距分别是2PitchY/sinθ、3PitchY/cosθ。因此，位置PT4的坐标为(2PitchY/sinθ，3PitchX/cosθ)。根据布局整体的周期性，因为连结原点和位置PT3的向量与连结位置PT2和位置PT3的向量相等，所以在PitchX和PitchY之间存在PitchX＝1.5×PitchY/(sinθ·cosθ)的关系。通过这样进行表达，即使独立地变更各个图案参数(PA～PD)，也不会丧失布局整体的特征。
<第4实施方式>
在第1实施方式～第3实施方式中，考虑了固定的焦点(一般为最佳焦点(best focus))。但实际上因为焦点是不稳定的，所以考虑散焦特性是很重要的。
第4实施方式中的目标图案、照明形状和用于评价与目标图案对应的临时图案的像的评价位置与第1实施方式相同地设定。但是，在第4实施方式中，作为评价位置上的评价项目，设定3个评价位置上的由与目标值的差分(尺寸误差)构成的rms小于规格值的散焦范围。考虑到器件稳定工作时的尺寸规格，rms的规格值设定为5nm。
图案参数的限制范围设定为：80nm＜PA＜120nm、90nm＜PB＜120nm、380nm＜PC＜460nm、40nm＜PD＜60nm。另外，照明形状参数的限制范围设定为：0.90＜Pa＜1.00、0.05＜Pb＜0.4、20°＜Pφ＜70°。
在这样的设定中，构成由图案参数和照明形状参数构成的参数空间(PA、PB、PC、PD、Pa、Pb、Pφ)，使图案参数和照明形状参数最优化。最优化的照明形状参数如图10A所示，为Pa＝0.915、Pb＝0.132、Pφ＝40。最优化的图案参数如图10B所示，为PA＝90.0nm、PB＝100.0nm、PC＝400.0nm、PD＝41.3nm。
图10C中示出以由图10A所示的照明形状参数所规定的照明形状对由图10B所示的图案参数所规定的图案进行照明时在投影光学系统的像面上形成的图案的像(转印图案)。另外，图10D中示出将由图10B所示的图案参数所规定的图案与图10C所示的图案的像重合的结果。此外，可以说，图10A～图10D所示的结果是考虑了散焦特性的情况，图3A～图3D所示的结果是未考虑散焦特性的情况。比较图10A～图10D与图3A～图3D可知，在考虑了散焦特性的情况和未考虑散焦特性的情况下，掩模图案和照明形状是不同的。
图10E中示出由图10B所示的图案参数所规定的图案(考虑了散焦特性的情况)和由图3B所示的图案参数所规定的图案(未考虑散焦特性的情况)的散焦特性。参照图10E，在未考虑散焦特性的情况下，最佳焦点处的rms为良好的0.5nm，但随着散焦变大，rms急剧变大。另一方面，在考虑了散焦特性的情况下，最佳焦点处的rms为4.9nm，略低于规格值，但即使散焦变大rms也不劣化。在散焦量达到40nm以上时，考虑了散焦特性的情况与未考虑散焦特性的情况相比，rms变小。另外，满足规格值(5nm)的散焦量在未考虑散焦特性的情况下为62nm，在考虑了散焦特性的情况下为83nm，考虑了散焦特性的情况下的容许量大。这样的散焦特性的提高在实际的器件制造中是有效的。
在本实施方式中，设定了散焦特性作为评价项目，但也可以设定针对散焦和曝光量的尺寸变化(曝光量裕度)收敛于规格内的曝光量和焦点的范围(曝光量-焦点窗口)等。参照图11对曝光量-焦点窗口进行说明。在图11中，上面的曲线表示尺寸为规格值+10％的曝光量与焦点。下面的曲线表示尺寸为规格值-10％的曝光量与焦点。中间的曲线表示尺寸为规格值的曝光量与焦点。然后，在设定为评价项目的情况下，为了将曝光量-焦点窗口数值化而设定与上下曲线相接的内接长方形。
<第5实施方式>
在第1实施方式～第4实施方式中，目标图案由一种图案构成，但如果例如是如SRAM的存储单元这样小的电路块，则可以由多种图案来构成目标图案。
例如，作为由多种图案所构成的目标图案，考虑如图12A所示的SRAM的分离工序与栅工序的存储单元的图案。图12A所示的图案包括分离工序中的图案(参照图12B)和栅工序中的图案(参照图12C)。
对于分离工序中的图案，如图12B所示，可设定PP、PQ、PR作为图案参数。对于栅工序中的图案，如图12C所示，可设定PS、PT、PU作为图案参数。参照图12B和图12C，对各图案设定的图案参数比构成各图案的长方形的边少，但根据图案的对称性，可以用上述的图案参数表示布局整体。在图12B和图12C中，用箭头表示图案参数，而将该箭头的起点或中点固定以变更(调整)其长度。这是为了维持位置分离工序中的图案与栅工序中的图案的重合关系。
另外，作为由多种图案所构成的目标图案，也可以考虑如图13所示的在逻辑器件中使用的标准库单元的图案。图13所示的图案包括分离工序中的图案和栅工序中的图案。参照图13，分离工序中的图案和栅工序中的图案可以由多个多边形构成，可以应用本实施方式的决定方法。
逻辑器件由多个标准库单元构成。其中，对于小规模的部分电路块，将各标准库单元的图案参数集合化，作为该电路块的图案参数。由此可以抑制图案参数数量变得庞大。
另一方面，因为在标准库单元的图案中，存在图案参数变多的倾向，所以有着不是真正的最优解而是收敛到接近其的解的可能性和计算时间变长的可能性。但是，由于如果布局限制在格子(grid)上则可以减少图案参数的数量，于是就解决了上述问题。格子是指位于要进行设计的平面上的围棋盘格似的坐标，多边形的顶点配置在该坐标上。另外，表现布局整体的规则简单并且数量少。具体而言，间距或线宽等的种类少，也有为一种的情况。因此，图案参数的数量少。
<第6实施方式>
另外，作为临时图案的像(转印图案)中的评价位置的评价项目，也可使用存储器件的存储单元或标准库单元等电路块的电气特性。因为转印图案的形状是用于求出电气特性的中间数据，所以能够根据转印图案来求出相当于例如晶体管的长度或宽度的位置的尺寸。另外，也可以根据转印图案来求出用于求出布线电阻或电容所必要的位置的尺寸。因此，可将掩模图案变换成如图14所示的电路，从该电路导出电气特性。作为电气特性，有例如定时、信号的正确性、功率、噪声等。其结果是，除了规定照明形状的照明形状参数以外，电气特性还可以用布局参数和照明形状参数来表现。而且，通过使布局参数和照明形状参数最优化，能够使电气特性最优。
在这样的最优化中，最初设计的图案(即目标图案)的尺寸与最佳的电气特性不一定相关联。换言之，有可能与最初设计的图案的尺寸不同的尺寸与最佳的电气特性相关联。因为OPC仅仅是以使转印图案与目标图案一致的方式来使掩模图案最优化，所以不能如本实施方式的决定方法那样使器件特性最优化(例如，电气特性的最优化)。
另外，本发明也通过执行以下处理来实现。即以下处理：经由网络或各种记录介质向系统或装置供给实现上述实施方式的功能的软件(程序)，由该系统或装置的计算机(或CPU、MPU等)读出程序并执行。
以上对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明当然不限于这些实施方式，而是可以在其要旨的范围内进行各种变形和变更。

Claims (5)

1.一种决定在曝光装置中使用的掩模的图案和对掩模进行照明时的有效光源分布的决定方法，其中，该曝光装置具有：利用来自光源的光对掩模进行照明的照明光学系统；和将所述掩模的图案投影到基板上的投影光学系统，该决定方法的特征在于包括：
第1设定步骤，设定用于规定与要形成在所述基板上的图案对应的临时图案的形状的第1参数；
第2设定步骤，设定用于评价形成在所述投影光学系统的像面上的临时图案的像的、所述临时图案的像中的评价位置和所述评价位置上的评价项目；
第3设定步骤，设定用于规定临时有效光源分布的第2参数；
临时决定步骤，临时决定所述第1参数的值和所述第2参数的值；
第1取得步骤，取得利用由在所述临时决定步骤中临时决定的所述第2参数的值所规定的临时有效光源分布对由在所述临时决定步骤中临时决定的所述第1参数的值所规定的临时图案进行照明时在所述投影光学系统的像面上形成的临时图案的像；
第2取得步骤，针对在所述第1取得步骤中取得的临时图案的像，取得在所述第2设定步骤中设定的所述评价位置上的评价项目的值；以及
判定步骤，判定在所述第2取得步骤中取得的所述评价位置上的评价项目的值是否满足评价基准，
其中，在所述判定步骤中判定所述评价位置上的评价项目的值满足所述评价基准的情况下，将由在所述临时决定步骤中临时决定的所述第1参数的值所规定的临时图案和由在所述临时决定步骤中临时决定的所述第2参数的值所规定的临时有效光源分布分别决定为掩模图案和有效光源分布；
在所述判定步骤中判定所述评价位置上的评价项目的值不满足所述评价基准的情况下，变更并再次临时决定所述第1参数的值和所述第2参数的值，重复进行所述第1取得步骤、所述第2取得步骤和所述判定步骤。
2.如权利要求1所述的决定方法，其特征在于，
在所述第1设定步骤中，使所述临时图案的形状与由多个多边形的组合所构成的形状一致，将所述多个多边形的各个边的长度设定为所述第1参数。
3.如权利要求1所述的决定方法，其特征在于，
所述评价位置上的评价项目包括所述临时图案的像的尺寸、散焦特性、所述临时图案的像相对于曝光量的尺寸变化、以及所述临时图案的像收敛于规格内的曝光量和焦点范围当中的至少一个。
4.如权利要求1所述的决定方法，其特征在于，
要形成在所述基板上的图案是标准库单元的图案或存储器的图案。
5.一种使计算机决定在曝光装置中使用的掩模的图案和对掩模进行照明时的有效光源分布的决定方法，其中，该曝光装置具有：利用来自光源的光对掩模进行照明的照明光学系统；和将所述掩模的图案投影到基板上的投影光学系统，该决定方法的特征在于包括：
临时决定步骤，临时决定规定与要形成在所述基板上的图案对应的临时图案的形状的第1参数的值、以及规定临时有效光源分布的第2参数的值；
设定步骤，设定形成在所述投影光学系统的像面上的所述临时图案的像中的评价位置、以及所述评价位置上的评价项目；
计算步骤，计算出利用由该临时决定的所述第2参数的值所规定的临时有效光源分布对由该临时决定的所述第1参数的值所规定的临时图案进行照明时在所述投影光学系统的像面上形成的临时图案的像，针对该计算出的临时图案的像计算所述评价项目的值；以及
决定步骤，在该计算出的所述评价项目的值不满足评价基准的情况下，变更并再次临时决定所述第1参数的值和所述第2参数的值，进行所述计算步骤，在该计算出的所述评价项目的值满足评价基准的情况下，将所述临时图案和所述临时有效光源分布决定为掩模图案和有效光源分布。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102866589A (zh) * 2011-07-05 2013-01-09 佳能株式会社 确定方法和信息处理装置
CN103488043A (zh) * 2012-06-08 2014-01-01 佳能株式会社 图案生成方法
CN103838089A (zh) * 2012-11-26 2014-06-04 佳能株式会社 确定掩模图案和曝光条件的方法以及计算机

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5686567B2 (ja) * 2010-10-19 2015-03-18 キヤノン株式会社 露光条件及びマスクパターンを決定するプログラム及び方法
JP5728259B2 (ja) * 2011-03-10 2015-06-03 キヤノン株式会社 プログラム及び決定方法
JP5988569B2 (ja) * 2011-12-07 2016-09-07 キヤノン株式会社 決定方法、決定装置およびプログラム
JP6039910B2 (ja) * 2012-03-15 2016-12-07 キヤノン株式会社 生成方法、プログラム及び情報処理装置
JP6399751B2 (ja) 2013-12-25 2018-10-03 キヤノン株式会社 マスクパターン作成方法、プログラム、マスク製造方法、露光方法及び物品製造方法
KR102146437B1 (ko) * 2014-03-18 2020-08-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패턴 배치 에러 인식의 최적화

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070238038A1 (en) * 2006-04-11 2007-10-11 Kazuya Fukuhara Exposure condition setting method, semiconductor device manufacturing method, and exposure condition setting program
US20080151210A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Method for determining exposure condition and computer-readable storage media storing program for determining exposure condition
CN101213489A (zh) * 2005-04-26 2008-07-02 株式会社瑞萨科技 半导体装置及其制造方法和半导体制造用掩模、光接近处理方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3260474B2 (ja) * 1993-04-22 2002-02-25 株式会社日立製作所 位相シフタ自動配置方法及びそれを用いた位相シフタ自動配置装置
US6128089A (en) * 1998-07-28 2000-10-03 International Business Machines Corporation Combined segmented and nonsegmented bar-in-bar targets
US6563566B2 (en) 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
JP2004079714A (ja) 2002-08-14 2004-03-11 Renesas Technology Corp アパーチャの最適形状決定装置
JP4528580B2 (ja) 2004-08-24 2010-08-18 株式会社東芝 照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム
US7503029B2 (en) * 2006-03-31 2009-03-10 Synopsys, Inc. Identifying layout regions susceptible to fabrication issues by using range patterns
JP2007305972A (ja) 2006-04-11 2007-11-22 Toshiba Corp 露光条件設定方法及び半導体デバイスの製造方法
JP5242103B2 (ja) * 2007-09-07 2013-07-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路のレイアウト方法
JP4402145B2 (ja) * 2007-10-03 2010-01-20 キヤノン株式会社 算出方法、生成方法、プログラム、露光方法及び原版作成方法
JP5405055B2 (ja) * 2008-06-18 2014-02-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の解析及び設計装置、及び半導体装置の解析及び設計方法
JP5215812B2 (ja) * 2008-10-29 2013-06-19 キヤノン株式会社 照明条件の決定方法、プログラム、露光方法及びデバイス製造方法
JP4838866B2 (ja) * 2009-02-10 2011-12-14 キヤノン株式会社 露光パラメータ及びレチクルパターンを決定する決定方法、露光方法及びデバイス製造方法。

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101213489A (zh) * 2005-04-26 2008-07-02 株式会社瑞萨科技 半导体装置及其制造方法和半导体制造用掩模、光接近处理方法
US20070238038A1 (en) * 2006-04-11 2007-10-11 Kazuya Fukuhara Exposure condition setting method, semiconductor device manufacturing method, and exposure condition setting program
US20080151210A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Method for determining exposure condition and computer-readable storage media storing program for determining exposure condition

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102866589A (zh) * 2011-07-05 2013-01-09 佳能株式会社 确定方法和信息处理装置
CN102866589B (zh) * 2011-07-05 2015-05-27 佳能株式会社 确定方法和信息处理装置
US9551926B2 (en) 2011-07-05 2017-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Determination method, storage medium and information processing apparatus
CN103488043A (zh) * 2012-06-08 2014-01-01 佳能株式会社 图案生成方法
US9672300B2 (en) 2012-06-08 2017-06-06 Canon Kabushiki Kaisha Pattern generation method
CN103838089A (zh) * 2012-11-26 2014-06-04 佳能株式会社 确定掩模图案和曝光条件的方法以及计算机

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