CN102051582A - 一种在Si衬底上制备高（100）取向BiFeO3薄膜的方法 - Google Patents
一种在Si衬底上制备高（100）取向BiFeO3薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102051582A CN102051582A CN 201010543781 CN201010543781A CN102051582A CN 102051582 A CN102051582 A CN 102051582A CN 201010543781 CN201010543781 CN 201010543781 CN 201010543781 A CN201010543781 A CN 201010543781A CN 102051582 A CN102051582 A CN 102051582A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bifeo
- film
- substrate
- target
- hours
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 title abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 14
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 241000877463 Lanio Species 0.000 claims description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 5
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 8
- 229910002340 LaNiO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 4
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910019606 La0.5Sr0.5CoO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 230000005690 magnetoelectric effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种在Si衬底上制备高(100)取向BiFeO3薄膜的方法，属于功能材料制备技术领域。对Si衬底进行预处理；利用脉冲激光沉积方法，采用LaNiO3靶材，在上述衬底上制备高取向的LaNiO3薄膜；利用脉冲激光沉积方法，采用BiFeO3靶材，在LaNiO3薄膜上制备高取向的BiFeO3薄膜。本发明制备的产品兼容性好，膜晶粒大小均匀，排列致密，结晶度高，取向性好。
Description
技术领域
本发明涉及一种在Si衬底上沉积高(100)取向LaNiO3底电极薄膜，并在电极上沉积高(100)取向BiFeO3薄膜的方法，属于功能材料制备技术领域。
背景技术
多铁性材料是一种因为电、磁有序而导致铁电性和磁性共存并具有磁电耦合性质的材料。铁电性和磁性的共存使得这种材料可由电场诱导产生磁相变，同时磁场也可以诱发铁电极化，此性质被称为磁电效应。
多铁性材料是非常重要的先进功能材料，广泛应用于换能器、传感器、敏感器等电子器件，在传感、驱动、存储及智能系统等高技术领域占主导地位；在器件微型化、需求多样化的现代生产生活中，越来越迫切地需要同时具备多种功能的材料；多铁性磁电薄膜可以用于制造集成的磁/电器件，如微型传感器、MEMS器件、高密度的信息储存器件等。另外，该材料的铁电与磁性参量的耦合也为其在自旋电子器件方面的应用提供了可能，这种序参量的耦合在基础物理方面也具有极其重要的意义。
在单相多铁性材料中，BiFeO3的铁电居里温度为820℃，反铁磁奈尔温度为370℃，是极少数在室温以上共存铁电性及磁性的材料。目前它的性能仍达不到器件应用的要求，因此人们通过各种途径——掺杂、复合、择优取向来进一步提高其性能。
择优取向是通过获得高度单一取向高结晶度的薄膜来提高铁电有序度从而提高铁电性，同时反铁磁螺旋式自旋结构会因为薄膜中外延应力或增强的各向异性而受到抑制从而产生较强的磁性。因此获得高度择优取向的BiFeO3薄膜是一种简单而有效的提高其铁磁铁电性能的途径。
在制备择优取向(100)、(111)BiFeO3薄膜时，选择合适的衬底和底电极材料是非常重要的。目前用到的衬底材料大多数为价格昂贵的SrTiO3(100)、SrTiO3(111)、LaAlO3(100)、LaAlO3(111)等，(111)取向的衬底价格比(100)取向更高，并且这种衬底不能与大规模半导体生产工艺相兼容；而常用的Si/SiO2/TiO2/Pt衬底，由于Pt与BiFeO3晶格失配度大，在其上面不能得到择优取向BiFeO3薄膜；另外，在众多的底电极材料La0.5Sr0.5CoO3、YBa2Cu3O7-x、SrRuO3和LaNiO3中，LaNiO3是一种赝立方的钙钛矿结构，结构简单，原料价格低廉，具有较低的电阻率；但制备纯相LaNiO3靶材相对困难，也难以沉积高结晶度高择优取向的LaNiO3薄膜。
在制备择优取向BiFeO3薄膜方法上，化学法工艺上相对简单，但得到薄膜的晶粒致密度较差，受衬底应力束缚较小，很难得到高择优取向的薄膜。我们选择了脉冲激光沉积法，这种方法沉积速率较快，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀，良好的保成分性，工艺参数易调节。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种选用合适的衬底、底电极以及制备方法，在与大规模半导体工艺相兼容的同时，节省了成本，提高了薄膜的铁磁铁电性能。
本发明所制备的高(100)取向BiFeO3薄膜薄膜的方法，包括以下步骤：
a)Si(100)衬底的预处理：将衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇在超声清洗器中充分清洗后，再用去离子水冲洗，并浸泡在乙醇中备用；
b)利用脉冲激光沉积方法，采用LaNiO3靶材，在上述衬底上，在激光能量400毫焦/脉冲，衬底温度650-750℃，沉积氧压5-8Pa，靶基距50mm，脉冲激光频率3-5Hz的条件下，沉积时间20min，原位退火20min，得到400nm厚的高结晶度高(100)取向的LaNiO3薄膜；
c)利用脉冲激光沉积方法，采用BiFeO3靶材，在LaNiO3薄膜上，在激光能量350毫焦/脉冲，衬底温度600-700℃，沉积氧压0.1-2Pa，靶基距50mm，脉冲激光频率5-7Hz的条件下，沉积时间30min，300Pa氧压下原位退火20min，得到400nm厚的高结晶度高(100)取向的BiFeO3薄膜。
上述LaNiO3靶材和BiFeO3靶材采用如下方法制备的LaNiO3陶瓷靶材和BiFeO3陶瓷靶材。
LaNiO3陶瓷靶材制备工艺：La2O3和NiO(纯度为99.99％)以摩尔比1∶1配比，球磨24h使其混合均匀后在850℃煅烧3h得到LaNiO3粉体，掺胶压成靶材，560℃下保温9h排胶，然后在1050℃氧气氛中烧结4h制备成陶瓷靶材。
BiFeO3陶瓷靶材制备工艺：按照Bi2O3(99.9％)∶Fe2O3(99.9％)摩尔比＝1.1∶1的配料比，球磨24h使其混合均匀后在750℃下煅烧4h得到BiFeO3粉体，用0.5mol/l的稀HNO3洗滤，得到相对纯相的BiFeO3粉体；再在此粉体基础上加入10％的Bi2O3粉，混合均匀后掺胶压成靶材，560℃下保温9h排胶，在830℃烧结1h得到BiFeO3陶瓷靶材。
本发明在廉价的能与大规模半导体工艺相兼容的Si衬底上制备出了高结晶度高(100)取向的LaNiO3底电极和BiFeO3薄膜。LaNiO3既起到做底电极又做缓冲层的作用，做底电极是因为它是一种电阻率较低的导电氧化物，作缓冲层是因为Si与BiFeO3失配度大，无法得到择优取向BiFeO3薄膜，而在中间加上LaNiO3后，LaNiO3晶格常数为0.384nm，其(100)面与Si(100)面成对角晶格匹配，失配度仅为0.01％，因此可以在Si衬底上诱导择优取向的LaNiO3薄膜，而BiFeO3晶格常数为0.396nm，与LaNiO3同为钙钛矿结构，晶格失配度为3％，在其上面可以诱导出高度择优取向的BiFeO3薄膜。
本发明的有益之处在于：选用廉价的Si衬底和廉价的LaNiO3底电极，在其上面制备出了高结晶度高(100)取向的BiFeO3薄膜。二者均呈现高结晶度和高(100)取向，在提高磁电性能的同时，解决了其他衬底如SrTiO3、LaAlO3等价格昂贵且不能与大规模传统半导体产业相兼容的难题。
脉冲激光沉积法，沉积速率较快，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀，良好的保成分性，工艺参数易调节。本发明相对于化学法制膜晶粒大小均匀，排列致密，结晶度高，取向性好。
附图说明
图1为本发明实施例1所制备LaNiO3和BiFeO3薄膜的XRD图谱；
图2为本发明实施例1所制备LaNiO3薄膜的扫描电镜照片
图3为本发明实施例1所制备BiFeO3薄膜的扫描电镜照片
图4为本发明实施例1所制备BiFeO3薄膜的电滞回线
图5为本发明实施例1所制备BiFeO3薄膜的磁滞回线
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本发明的实质性特点和显著优点，本发明决非仅局限于所陈述的实施例
实施例1
a)Si(100)衬底的预处理：将衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇在超声清洗器中充分清洗后，再用去离子水冲洗，并浸泡在乙醇中备用；
b)利用脉冲激光沉积方法，采用自制的LaNiO3靶材，在上述衬底上，利用脉冲激光沉积法，在Si(100)衬底上，衬底温度为750℃，工作氧压为5Pa，激光能量为400毫焦/脉冲，脉冲频率5Hz，靶基距50mm，沉积LaNiO3薄膜。所得薄膜的XRD图谱如图1所示，薄膜呈现高度(100)取向。薄膜形貌如图2所示，薄膜厚度为400nm，粒径约50nm，柱状晶粒排列致密均匀。
c)利用脉冲激光沉积方法，采用自制的BiFeO3靶材，在LaNiO3薄膜上，在激光能量350毫焦/脉冲，衬底温度700℃，沉积氧压2Pa，靶基距50mm，脉冲激光频率5-7Hz的条件下，沉积时间30min，300Pa氧压下原位退火20min，得到高结晶度高(100)取向的BiFeO3薄膜。所得薄膜的XRD图谱如图1所示，薄膜呈现高度(100)取向。薄膜形貌如图3所示，薄膜厚度为400nm，粒径约400nm，柱状晶粒排列致密均匀。
LaNiO3陶瓷靶材制备工艺：La2O3和NiO(纯度为99.99％)以摩尔比1∶1配比，球磨24h使其混合均匀后在850℃煅烧3h得到LaNiO3粉体，掺胶压成靶材，560℃下保温9h排胶，然后在1050℃氧气氛中烧结4h制备成陶瓷靶材。
BiFeO3陶瓷靶材制备工艺：Bi2O3(99.9％)∶Fe2O3(99.9％)＝1.1∶1的配料比，球磨24h使其混合均匀后在750℃下煅烧4h得到BiFeO3粉体，用0.5mol/l的稀HNO3洗滤，得到相对纯相的BiFeO3粉体；再在此粉体基础上加入10％的Bi2O3粉，混合均匀后掺胶压成靶材，560℃下保温9h排胶，在830℃烧结1h得到BiFeO3陶瓷靶材。
如图4所示，BiFeO3薄膜的电滞回线，薄膜表现出明显的铁电性质。其剩余极化强度为25μC/cm2，矫顽场为26KV/cm。
如图5所示，BiFeO3薄膜的磁滞回线，薄膜表现出弱的铁磁性质，其饱和磁化强度为21.3emu/cm3。
Claims (3)
1.一种在Si衬底上制备高取向BiFeO3薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)Si(100)衬底的预处理：将衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇在超声清洗器中充分清洗后，再用去离子水冲洗，并浸泡在乙醇中备用；
b)利用脉冲激光沉积方法，采用LaNiO3靶材，在上述衬底上，在激光能量400毫焦/脉冲，衬底温度650-750℃，沉积氧压5-8Pa，靶基距50mm，脉冲激光频率3-5Hz的条件下，沉积时间20min，原位退火20min，得到400nm厚的高结晶度高取向的LaNiO3薄膜；
c)利用脉冲激光沉积方法，采用BiFeO3靶材，在LaNiO3薄膜上，在激光能量350毫焦/脉冲，衬底温度600-700℃，沉积氧压0.1-2Pa，靶基距50mm，脉冲激光频率5-7Hz的条件下，沉积时间30min，300Pa氧压下原位退火20min，得到400nm厚的高结晶度高取向的BiFeO3薄膜。
2.权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LaNiO3靶材采用如下方法制备：La2O3和NiO以摩尔比1∶1配比，球磨24h使其混合均匀后在850℃煅烧3h得到LaNiO3粉体，掺胶压成靶材，560℃下保温9h排胶，然后在1050℃氧气氛中烧结4h制备成陶瓷靶材。
3.权利要求1所述的方法，其特征在于，所述BiFeO3靶材采用如下方法制备：按照Bi2O3∶Fe2O3摩尔比＝1.1∶1的配料比，球磨24h使其混合均匀后在750℃下煅烧4h得到BiFeO3粉体，用0.5mol/l的稀HNO3洗滤，得到纯相的BiFeO3粉体；再在此粉体基础上加入10％的Bi2O3粉，混合均匀后掺胶压成靶材，560℃下保温9h排胶，在830℃烧结1h得到BiFeO3陶瓷靶材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010105437810A CN102051582B (zh) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | 一种在Si衬底上制备高（100）取向BiFeO3薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010105437810A CN102051582B (zh) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | 一种在Si衬底上制备高（100）取向BiFeO3薄膜的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102051582A true CN102051582A (zh) | 2011-05-11 |
| CN102051582B CN102051582B (zh) | 2012-11-07 |
Family
ID=43956374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010105437810A Expired - Fee Related CN102051582B (zh) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | 一种在Si衬底上制备高（100）取向BiFeO3薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102051582B (zh) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102976746A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-20 | 东南大学 | 四氧化三铁与钛酸铋掺镧复合磁电薄膜的制备方法 |
| CN103343315A (zh) * | 2013-06-04 | 2013-10-09 | 南京理工大学 | 一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法 |
| CN103996718A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-08-20 | 湘潭大学 | 一种硅基铁电栅薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN104103752A (zh) * | 2013-04-15 | 2014-10-15 | 北京师范大学 | 一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法及其应用 |
| CN104362250A (zh) * | 2014-10-14 | 2015-02-18 | 北京工业大学 | 具有交换偏置效应和电致阻变效应的异质结及其制备方法 |
| CN104715287A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-06-17 | 武汉理工大学 | 用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法 |
| CN104843796A (zh) * | 2015-01-20 | 2015-08-19 | 吉林师范大学 | 一种铁酸铋的制备方法 |
| CN105198406A (zh) * | 2015-08-14 | 2015-12-30 | 浙江大学 | 磁相取向的钛酸钡/镍锌铁氧体纳米晶复相薄膜及其制备方法 |
| CN105336845A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-02-17 | 欧阳俊 | 一种高极化强度铁酸铋厚膜材料体系及中低温制备方法 |
| CN108018525A (zh) * | 2016-11-01 | 2018-05-11 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种Bi9Ti3Fe5O27层状多铁外延薄膜及其制备方法 |
| CN109161847A (zh) * | 2018-08-09 | 2019-01-08 | 华南师范大学 | 镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应用 |
| CN110581217A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-12-17 | 河北师范大学 | 在单晶硅基片上外延生长制备双层钙钛矿锰氧化物薄膜的方法 |
| CN111525024A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-08-11 | 欧阳俊 | 铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用 |
| CN113046693A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-29 | 青岛大学 | 一种基于挠曲电效应的自供电型光电探测器 |
| CN113073353A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-06 | 电子科技大学 | 一种非晶镍酸镧薄膜复合电极及其制备方法与应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070029592A1 (en) * | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Ramamoorthy Ramesh | Oriented bismuth ferrite films grown on silicon and devices formed thereby |
| CN101429642A (zh) * | 2008-12-05 | 2009-05-13 | 华中科技大学 | BiFeO3靶材及薄膜的制备方法 |
| CN101665915A (zh) * | 2009-10-13 | 2010-03-10 | 华东师范大学 | 一种铁酸铋薄膜材料的制备方法 |
| CN101691655A (zh) * | 2009-09-10 | 2010-04-07 | 哈尔滨工业大学 | 一种制备BiFeO3薄膜的方法 |
-
2010
- 2010-11-12 CN CN2010105437810A patent/CN102051582B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070029592A1 (en) * | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Ramamoorthy Ramesh | Oriented bismuth ferrite films grown on silicon and devices formed thereby |
| CN101429642A (zh) * | 2008-12-05 | 2009-05-13 | 华中科技大学 | BiFeO3靶材及薄膜的制备方法 |
| CN101691655A (zh) * | 2009-09-10 | 2010-04-07 | 哈尔滨工业大学 | 一种制备BiFeO3薄膜的方法 |
| CN101665915A (zh) * | 2009-10-13 | 2010-03-10 | 华东师范大学 | 一种铁酸铋薄膜材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 《Journal of Materials Research》 19970430 Li Sun等 Conductive LaNiO3 electrode grown by pulsed laser ablationon Si substrate 期刊第931页右栏第3段至第932页左栏第2段、图1 1-3 第12卷, 第4期 2 * |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102976746B (zh) * | 2012-12-11 | 2014-09-10 | 东南大学 | 四氧化三铁与钛酸铋掺镧复合磁电薄膜的制备方法 |
| CN102976746A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-20 | 东南大学 | 四氧化三铁与钛酸铋掺镧复合磁电薄膜的制备方法 |
| CN104103752B (zh) * | 2013-04-15 | 2017-03-29 | 北京师范大学 | 一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法及其应用 |
| CN104103752A (zh) * | 2013-04-15 | 2014-10-15 | 北京师范大学 | 一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法及其应用 |
| CN103343315A (zh) * | 2013-06-04 | 2013-10-09 | 南京理工大学 | 一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法 |
| CN103996718A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-08-20 | 湘潭大学 | 一种硅基铁电栅薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN104362250A (zh) * | 2014-10-14 | 2015-02-18 | 北京工业大学 | 具有交换偏置效应和电致阻变效应的异质结及其制备方法 |
| CN104362250B (zh) * | 2014-10-14 | 2018-07-17 | 北京工业大学 | 具有交换偏置效应和电致阻变效应的异质结及其制备方法 |
| CN104715287A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-06-17 | 武汉理工大学 | 用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法 |
| CN104715287B (zh) * | 2014-11-28 | 2018-04-27 | 武汉理工大学 | 用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法 |
| CN104843796A (zh) * | 2015-01-20 | 2015-08-19 | 吉林师范大学 | 一种铁酸铋的制备方法 |
| CN105198406A (zh) * | 2015-08-14 | 2015-12-30 | 浙江大学 | 磁相取向的钛酸钡/镍锌铁氧体纳米晶复相薄膜及其制备方法 |
| CN105336845A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-02-17 | 欧阳俊 | 一种高极化强度铁酸铋厚膜材料体系及中低温制备方法 |
| CN105336845B (zh) * | 2015-09-28 | 2018-10-30 | 山东大学苏州研究院 | 一种高极化强度铁酸铋厚膜材料体系及中低温制备方法 |
| CN108018525A (zh) * | 2016-11-01 | 2018-05-11 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种Bi9Ti3Fe5O27层状多铁外延薄膜及其制备方法 |
| CN108018525B (zh) * | 2016-11-01 | 2020-01-17 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种Bi9Ti3Fe5O27层状多铁外延薄膜及其制备方法 |
| CN109161847A (zh) * | 2018-08-09 | 2019-01-08 | 华南师范大学 | 镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应用 |
| CN110581217A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-12-17 | 河北师范大学 | 在单晶硅基片上外延生长制备双层钙钛矿锰氧化物薄膜的方法 |
| CN111525024A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-08-11 | 欧阳俊 | 铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用 |
| CN111525024B (zh) * | 2020-04-13 | 2022-04-05 | 欧阳俊 | 铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用 |
| US12270098B2 (en) | 2020-04-13 | 2025-04-08 | Qilu University Of Technology | Bismuth ferrite film material, method for integrally preparing bismuth ferrite film on silicon substrate at low temperature and application |
| CN113046693A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-29 | 青岛大学 | 一种基于挠曲电效应的自供电型光电探测器 |
| CN113073353A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-06 | 电子科技大学 | 一种非晶镍酸镧薄膜复合电极及其制备方法与应用 |
| CN113073353B (zh) * | 2021-03-26 | 2022-09-20 | 电子科技大学 | 一种非晶镍酸镧薄膜复合电极及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102051582B (zh) | 2012-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102051582B (zh) | 一种在Si衬底上制备高（100）取向BiFeO3薄膜的方法 | |
| Chen et al. | Multiferroic and magnetoelectric properties of BiFeO3/Bi4Ti3O12 bilayer composite films | |
| Ogale et al. | Functional metal oxides: new science and novel applications | |
| Kim et al. | Weak ferromagnetism in the ferroelectric BiFeO 3–ReFeO 3–BaTiO 3 solid solutions (Re= Dy, La) | |
| Song et al. | A comparative study of dielectric, ferroelectric and magnetic properties of BiFeO3 multiferroic ceramics synthesized by conventional and spark plasma sintering techniques | |
| Pradhan et al. | Room temperature multiferroic properties of Pb (Fe0. 5Nb0. 5) O3–Co0. 65Zn0. 35Fe2O4 composites | |
| CN103839928B (zh) | 一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法 | |
| CN103668060B (zh) | 多层同质生长铁酸铋薄膜材料及其制备方法 | |
| Jain et al. | Improvement in dielectric, ferroelectric and ferromagnetic characteristics of Ba0. 9Sr0. 1Zr0. 1Ti0. 9O3-NiFe2O4 composites | |
| Kumari et al. | Magnetic, magnetocapacitance and dielectric properties of BiFeO3 nanoceramics | |
| Duan et al. | Ferromagnetic, ferroelectric and magnetoelectric properties of (001)-oriented Pb (Zr0. 52Ti0. 48) O3/La0. 67Sr0. 33MnO3 composite films deposited on Si substrates using chemical solution deposition | |
| CN102071399B (zh) | 全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜 | |
| Dai et al. | Structural, dielectric and magnetic properties of Mn modified xBiFeO3-(1− x) BaTiO3 ceramics | |
| CN102244192B (zh) | 一种基于钛酸铋钠基和铁酸铋基的复合固溶体薄膜及其制备方法 | |
| CN102544093B (zh) | 半导体场效应结构、及其制备方法和用途 | |
| CN104600191B (zh) | 具有正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途 | |
| CN105645944B (zh) | 一种Bi2Fe4O9/BaFe12O19复合陶瓷及其制备方法 | |
| CN103183504B (zh) | 一种双层织构化钴铁氧体－锆钛酸铅多铁性复合膜材料及制备方法 | |
| CN104600192B (zh) | 具有电荷轨道有序转变及各向异性场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途 | |
| Zhang et al. | Significantly improved multiferrioc properties of BiFeO3/Pb (Zr0. 52Ti0. 48) O3 bilayer films by magnetic field annealing | |
| CN107986784A (zh) | 一种钨青铜纯相室温多铁性陶瓷厚膜及其制备方法 | |
| CN110581217B (zh) | 在单晶硅基片上外延生长制备双层钙钛矿锰氧化物薄膜的方法 | |
| Negi et al. | Multiferroic and magnetoelectric properties of MnFe2O4/(Pb0. 8Sr0. 2) TiO3 composite films | |
| Duan et al. | Annealing heating rate dependence of microstructure and multiferroic properties in Bi4Ti2. 9Fe0. 1O12/CoFe2O4 layered magnetoelectric composite films prepared by chemical solution deposition method | |
| CN107840659A (zh) | 一种钨青铜纯相室温多铁性陶瓷及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121107 Termination date: 20131112 |