CN103839928B - 一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法 - Google Patents
一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103839928B CN103839928B CN201410078830.6A CN201410078830A CN103839928B CN 103839928 B CN103839928 B CN 103839928B CN 201410078830 A CN201410078830 A CN 201410078830A CN 103839928 B CN103839928 B CN 103839928B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bismuth ferrite
- sputtering
- electrode
- thin film
- matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000010287 polarization Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 15
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- PACGUUNWTMTWCF-UHFFFAOYSA-N [Sr].[La] Chemical compound [Sr].[La] PACGUUNWTMTWCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IGPAMRAHTMKVDN-UHFFFAOYSA-N strontium dioxido(dioxo)manganese lanthanum(3+) Chemical compound [Sr+2].[La+3].[O-][Mn]([O-])(=O)=O IGPAMRAHTMKVDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 244000052769 pathogen Species 0.000 claims 1
- 230000001932 seasonal effect Effects 0.000 claims 1
- 230000018199 S phase Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910002340 LaNiO3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 2
- 239000007775 ferroic material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018276 LaSrCoO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002353 SrRuO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229960004756 ethanol Drugs 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法，包括基体、底电极、铁酸铋介电层、顶电极，用晶格常数与铁酸铋接近的单晶氧化物半导体基片作为基体，底电极为导电氧化物薄膜，顶电极为金属薄膜点电极；在基体上采用同轴溅射的方法沉积底电极，再在底电极上采用离轴溅射的方法沉积铁酸铋介电层，最后在铁酸铋介电层上沉积顶电极制成。本发明制备的BiFeO3薄膜为菱方相且高度取向，室温下具有矩形度很好的电滞回线，极化强度高，自发极化强度可高达100-110μc/cm2，耐压性好，最高承受电压可达50v。
Description
技术领域
本发明涉及一种磁电薄膜材料及其制备，具体涉及一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法。
背景技术
铁酸铋(BiFeO3)是一种在室温下同时具有铁电性和反铁磁性的多铁性材料，而且在理论上，其薄膜的剩余极化可为现在广泛使用的含铅材料的2-3倍，因此铁酸铋材料在存储器、高电容和大电感一体化的电子元器件、自旋电子器件方面有着较为广阔的应用前景，其研究日益受到了人们的关注。
铁酸铋是迄今为止发现的唯一一个铁电居里温度(Tc=1143K)和磁有序温度(Tn=643K)均在室温以上的多铁性材料。铁酸铋薄膜的制备主要有溶胶-凝胶、脉冲激光沉积、分子束外延、化学气相沉积和磁控溅射等方法。分子束外延法生长的薄膜速率缓慢，不适应大量生产，生长系统需要超高真空，而且设备维护费用高，限制了其工业应用；脉冲激光沉积虽然说设备使用方便，但是在成膜面积、均匀性和表面清洁度尚有许多缺点，削弱了其工业应用。磁控溅射沉积具有速率快，溅射出的薄膜纯度高、致密性和均一性好，工艺重复性高，对靶材的要求低，工业应用成本低等优点。离轴磁控溅射更是克服了传统磁控溅射粒子反刻蚀的缺点，改善了外延薄膜的质量，大大提高了磁控溅射的应用潜能。但是铁酸铋薄膜的制备却存在着很多问题，例如由于在制备过程中容易产生氧空位以及Fe3+离子变价等问题，很难制的纯相的、漏电小的薄膜。故而一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜的制备更是难上加难。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜，包括基体、底电极、铁酸铋介电层、顶电极，用晶格常数与铁酸铋接近的单晶氧化物半导体基片作为基体，底电极为导电氧化物薄膜，顶电极为金属薄膜点电极；所述的导电氧化物薄膜采用钙钛矿ABO3结构的导电陶瓷材料钌酸锶、镍酸镧、钴酸镧锶或锰酸镧锶；金属薄膜点电极的材料为金或铂。
所述的底电极厚度为50～400nm；铁酸铋介电层厚度为200nm～1μm；顶电极直径20～500μm。
所述的高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜为在基体上采用同轴溅射的方法沉积底电极，再在底电极上采用离轴溅射的方法沉积铁酸铋介电层，最后在铁酸铋介电层上沉积顶电极制成。
一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜的制备方法，包括步骤如下：
（1）基体处理：
选用氧化物半导体基片作为基体，对基体进行预处理；
（2）在基体上采用同轴溅射的方法沉积底电极：
采用导电氧化物靶材，以射频或直流磁控溅射的方式在预处理后的基体上沉积底电极层，采用的溅射方法为同轴溅射，沉积时气氛为Ar和O2的混合气体，Ar气流量控制在30～110sccm，O2流量控制在5～30sccm,气压控制在0.8～3Pa,靶功率密度为3.3～8.7W/cm2。
（3）在底电极上采用离轴溅射的方法沉积铁酸铋介电层：
采用陶瓷BiFeO3靶，以射频磁控溅射的方式在底电极上沉积BiFeO3层，采用的溅射方法为离轴溅射，溅射气氛为Ar和O2的混合气体，Ar气流量控制在30～110sccm，O2流量控制在5～30sccm,BiFeO3靶的功率密度为3.3～8.7W/cm2。
（4）在铁酸铋介电层上沉积顶电极：
采用金属靶，以射频或直流磁控溅射方式沉积，溅射气氛为空气，靶功率密度为2～5W/cm2。
上述方法中步骤（1）所述的氧化物半导体基片为晶格常数与铁酸铋接近的单晶氧化物半导体基片，如LaNiO3、SrRuO3、LaSrCoO3等。所述的预处理为先用丙酮和酒精对基体进行超声清洗，去除表面上的油性杂质，再用去离子水对其进行最后的清洗，吹干，最后将其放至真空镀膜腔室中，加热到500～750℃。
上述步骤（2）中所述的导电氧化物靶材为采用钙钛矿ABO3结构的导电陶瓷材料钌酸锶、镍酸镧、钴酸镧锶或锰酸镧锶。
步骤（4）所述的金属靶金或铂。
上述底电极厚度为50～400nm；铁酸铋介电层厚度为200nm～1μm；顶电极直径20～500μm。
本发明的主要创新点是沉积BiFeO3层，使用的是离轴溅射。离轴溅射制备的薄膜具有较好的致密度和表面均匀性，再结合此实验中所取合适的参数值，就获得了高耐压、低漏电、高极化强度的铁酸铋薄膜。
本发明的有益效果为：
（1）本发明制备的BiFeO3薄膜为菱方相且高度取向，室温下具有矩形度很好的电滞回线，极化强度高，自发极化强度可高达100-110μc/cm2，耐压性好，最高承受电压可达50v。
（2）BiFeO3是一种绿色环保的无铅铁电陶瓷材料。
（3）采用磁控溅射法制备的BiFeO3薄膜具有致密性好、和基片粘附力强、平整度高、利于工业化推广等优点。
（4）钙钛矿结构的导电氧化物底电极，作为薄膜与基片之间的缓冲层，能够优化薄膜的取向和电学性能。
附图说明
图1为本发明实施例1中所制备BiFeO3薄膜体系的结构示意图。
图2为本发明实施例1中所用制备方法的(a)原理示意图，(b)同轴溅射方法示意图，(c)离
轴溅射方法示意图。
图3为本发明实施例1中所制备BiFeO3薄膜的XRD图。
图4为本发明实施例1中所制备BiFeO3薄膜的电滞回线。
其中1-基体、2-底电极、3-BiFeO3薄膜、4-顶电极。
具体实施方式
下面结合实施例进一步说明。
实施例1
一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜的制备方法，包括步骤如下：
(a)基体的处理
清洗和安装：采用(111)取向的LaAlO3单晶衬底，将该衬底依次用丙酮、无水乙醇超声清洗，再用去离子水冲洗后，高纯氮气吹干，固定在样品托盘上，将样品托盘装入真空镀膜腔室的样品托盘架上，关闭真空腔室，将系统用机械泵抽气实现低真空～10-1Pa，再由分子泵抽真空至～10-4Pa。
加热：向系统内通入氩气，气压保持在1.2～1.4Pa，然后对衬底进行加热，使其温度达到500～600℃。
(b)导电氧化物薄膜底电极的制备
采用钙钛矿LaNiO3靶，以射频磁同轴控溅射的方式完成，溅射气氛为Ar和O2，Ar气流量为32sccm，O2流量为8sccm，靶功率密度为3～4W/cm2，溅射气压为1.4Pa。LaNiO3底电极层厚度为100nm。
(c)铁酸铋薄膜的制备。
采用BixFeO3靶，其中x=1～1.5，以射频磁控离轴溅射的方式完成。溅射气氛为Ar和O2，Ar气流量为32sccm，O2流量控制在8sccm，靶功率密度为3～4W/cm2，溅射气压为1.4Pa。BiFeO3底电极层厚度控制在450～500nm。
(d)顶电极的制备
采用金箔靶，以掩模板溅射的方式完成。即将刻有电极形状的掩模板盖在薄膜上方，溅射仪直接溅射，溅射气氛为空气，靶功率密度为4W/cm2。顶电极的直径控制在200μm。
本实施方式制备得到的BiFeO3薄膜，经XRD测试分析含有杂相，最高承受电压也只能达到30v。
实施例2
本实施例与实施例1的不同步骤是步骤(a)中使用的是(111)取向的SrTiO3单晶基底。其它步骤及参数与实施例1相同。本实施例中所得BiFeO3薄膜的XRD测试结果如图3所示，BiFeO3薄膜呈菱方相(111)择优取向，经性能测试，所得薄膜的铁电性能显著提高，耐压性明显的提高，电滞回线如图4所示。
实施例3
一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜的制备方法，包括步骤如下：
(a)基体的处理
清洗和安装：采用(111)取向的LaAlO3单晶衬底，将该衬底依次用丙酮、无水乙醇超声清洗，再用去离子水冲洗后，高纯氮气吹干，固定在样品托盘上，将样品托盘装入真空镀膜腔室的样品托盘架上，关闭真空腔室，将系统用机械泵抽气实现低真空～10-1Pa，再由分子泵抽真空至～10-4Pa。
加热：向系统内通入氩气，气压保持在2Pa，然后对衬底进行加热，使其温度达到600～700℃。
(b)导电氧化物薄膜底电极的制备
采用钙钛矿LaNiO3靶，以射频磁同轴控溅射的方式完成，溅射气氛为Ar和O2，Ar气流量控制在40sccm，O2流量控制在10sccm，靶功率密度为4～5W/cm2，溅射气压为1.6Pa。LaNiO3底电极层厚度控制在100nm。
(c)铁酸铋薄膜的制备。
采用非化学配比的BixFeO3靶，其中x=1.～1.5，以射频磁控离轴溅射的方式完成。溅射气氛为Ar和O2，Ar气流量控制在40sccm，O2流量控制在10sccm，靶功率密度为4～5W/cm2，溅射气压为1.6Pa。BiFeO3底电极层厚度控制在450～500nm。
(d)顶电极的制备
采用金箔靶，以掩模板溅射的方式完成。即将刻有电极形状的掩模板盖在薄膜上方，溅射仪直接溅射，溅射气氛为空气，靶功率密度为4W/cm2。顶电极的直径控制在200μm。
Claims (9)
1.一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜的制备方法，其特征是，包括步骤如下：
(1)基体处理：选用氧化物半导体基片作为基体，对基体进行预处理；
(2)在基体上采用同轴溅射的方法沉积底电极：采用导电氧化物靶材，以射频或直流磁控溅射的方式在预处理后的基体上沉积底电极层，采用的溅射方法为同轴溅射，沉积时气氛为Ar和O2的混合气体，Ar气流量控制在30～110sccm，O2流量控制在5～30sccm,气压控制在0.8～3Pa,靶功率密度为3.3～8.7W/cm2；
(3)在底电极上采用离轴溅射的方法沉积铁酸铋介电层：采用陶瓷BiFeO3靶，以射频磁控溅射的方式在底电极上沉积BiFeO3层，采用的溅射方法为离轴溅射，溅射气氛为Ar和O2的混合气体，Ar气流量控制在30～110sccm，O2流量控制在5～30sccm,BiFeO3靶的功率密度为3.3～8.7W/cm2；
(4)在铁酸铋介电层上沉积顶电极：采用金属靶，以射频或直流磁控溅射方式沉积，溅射气氛为空气，靶功率密度为2～5W/cm2。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤(1)所述的氧化物半导体基片为晶格常数与铁酸铋接近的单晶氧化物半导体基片。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤(1)所述的预处理为先用丙酮和酒精对基体进行超声清洗，去除表面上的油性杂质，再用去离子水对其进行最后的清洗，吹干，最后将其放至真空镀膜腔室中，加热到500～750℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤(2)中所述的导电氧化物靶材为采用钙钛矿ABO3结构的导电陶瓷材料钌酸锶、镍酸镧、钴酸镧锶或锰酸镧锶。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤(4)所述的金属靶金或铂。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述的底电极厚度为50～400nm；铁酸铋介电层厚度为200nm～1μm。
7.利用权利要求1-6任一所述的制备方法制备的一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜，包括基体、底电极、铁酸铋介电层、顶电极，其特征是，用晶格常数与铁酸铋接近的单晶氧化物半导体基片作为基体，底电极为导电氧化物薄膜，顶电极为金属薄膜点电极；所述的导电氧化物薄膜采用钙钛矿ABO3结构的导电陶瓷材料钌酸锶、镍酸镧、钴酸镧锶或锰酸镧锶；金属薄膜点电极的材料为金或铂。
8.根据权利要求7所述的一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜，其特征是，所述的底电极厚度为50～400nm；铁酸铋介电层厚度为200nm～1μm。
9.根据权利要求7所述的一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜，其特征是，它为在基体上采用同轴溅射的方法沉积底电极，再在底电极上采用离轴溅射的方法沉积铁酸铋介电层，最后在铁酸铋介电层上沉积顶电极制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410078830.6A CN103839928B (zh) | 2014-03-05 | 2014-03-05 | 一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410078830.6A CN103839928B (zh) | 2014-03-05 | 2014-03-05 | 一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103839928A CN103839928A (zh) | 2014-06-04 |
| CN103839928B true CN103839928B (zh) | 2016-07-13 |
Family
ID=50803277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410078830.6A Active CN103839928B (zh) | 2014-03-05 | 2014-03-05 | 一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103839928B (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105296946B (zh) * | 2015-10-16 | 2017-09-26 | 山东大学苏州研究院 | 一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系及制备方法 |
| FI20175553A1 (en) * | 2017-06-14 | 2018-12-15 | Spindeco Tech Oy | Additional unit or cable that can be connected to a power supply or signal line for an electrical appliance |
| CN108117390B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-11-03 | 江西理工大学 | 具有交换偏置反转的稀土氧化物陶瓷材料及其制备方法 |
| CN108911730A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-11-30 | 深圳先进技术研究院 | B位掺杂铋铁氧体固溶体薄膜及其制备方法和应用 |
| CN109166730B (zh) * | 2018-08-28 | 2020-05-22 | 西安交通大学 | 一种宽温高储能的无铅柔性的介电薄膜电容器及其制备方法 |
| CN110066978A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-07-30 | 西南交通大学 | 一种铁酸铋薄膜的制备方法及其用途 |
| CN110349750B (zh) * | 2019-07-10 | 2021-03-19 | 四川大学 | 一种提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法 |
| CN110937925A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-31 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高极化强度和大应变特性的铁酸铋基薄膜及其制备方法 |
| CN111525024B (zh) * | 2020-04-13 | 2022-04-05 | 欧阳俊 | 铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用 |
| CN113046693A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-29 | 青岛大学 | 一种基于挠曲电效应的自供电型光电探测器 |
| CN113913935B (zh) * | 2021-10-26 | 2023-11-21 | 河北农业大学 | 一种T型BiFeO3铁电薄膜材料的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101789490A (zh) * | 2010-01-28 | 2010-07-28 | 复旦大学 | 一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器 |
| CN101859779A (zh) * | 2010-05-13 | 2010-10-13 | 复旦大学 | 一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器 |
-
2014
- 2014-03-05 CN CN201410078830.6A patent/CN103839928B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101789490A (zh) * | 2010-01-28 | 2010-07-28 | 复旦大学 | 一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器 |
| CN101859779A (zh) * | 2010-05-13 | 2010-10-13 | 复旦大学 | 一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 离轴磁控溅射生长钙钛矿外延薄膜;余果，白飞明，文丹丹，张怀武;《真空科学与技术学报》;20130630;第33卷(第6期);578-585 * |
| 离轴磁控溅射生长钙钛矿外延薄膜;余果，白飞明，文丹丹，张怀武;《真空科学与技术学报》;20130630;第33卷(第6期);583-584 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103839928A (zh) | 2014-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103839928B (zh) | 一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法 | |
| CN103726026B (zh) | 采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法 | |
| CN109161847B (zh) | 镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN102227013A (zh) | 一种自支撑多铁性复合薄膜的制备方法 | |
| CN104195552A (zh) | 一种在硅基底上制备高电阻变化率二氧化钒薄膜的方法 | |
| Zhu et al. | In-situ growth of high-quality epitaxial BiFeO3 thin film via off-axis RF magnetron sputtering | |
| CN107604310B (zh) | 一种氧化镍-钛酸钡纳米复合铁电薄膜材料及其制备方法与应用 | |
| CN106601903A (zh) | c轴高度取向的钛酸钡薄膜及其在中低温下的原位制法 | |
| CN105296946B (zh) | 一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系及制备方法 | |
| CN102916122A (zh) | 一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法 | |
| CN101343729A (zh) | 镍酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法 | |
| CN105336845B (zh) | 一种高极化强度铁酸铋厚膜材料体系及中低温制备方法 | |
| CN108930017A (zh) | 一种La0.7Sr0.3MnO3铁磁薄膜的制备方法 | |
| CN110937925A (zh) | 一种高极化强度和大应变特性的铁酸铋基薄膜及其制备方法 | |
| CN102888586A (zh) | 一种钛酸锶铅薄膜的制备方法及制备的钛酸锶铅薄膜 | |
| Tang et al. | Electrical properties of highly (111)-oriented lead zirconate thin films | |
| CN115537738A (zh) | 一种高剩磁比单一取向的m型铁氧体异质结薄膜的制备方法 | |
| CN102386326B (zh) | 一种用于高密度阻变存储的氮化铜阻变材料的制备方法 | |
| Seol et al. | Development of an annealing process for rapid fabrication of solution-based Y3Fe5O12 thin films | |
| CN108517491A (zh) | 一种具有大磁电耦合效应的外延多铁γ′-Fe4N/PMN-PT异质结构及制备方法 | |
| CN103451612A (zh) | 高k二氧化铪非晶薄膜的制备方法 | |
| CN104480427B (zh) | 氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法及其电荷浓度的原位调控方法 | |
| CN109797367B (zh) | 一种锆钛酸铅/氧化镍铁电超晶格薄膜材料及其制备方法 | |
| CN101698932B (zh) | 一种制备p型掺钴氧化锌薄膜的方法 | |
| CN112921288B (zh) | 一种制备高储能密度BaTiO3铁电薄膜的方法及其产品与应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231106 Address after: 250061 Qianfo campus, Shandong University, 17923 Jingshi Road, Lixia District, Jinan City, Shandong Province Patentee after: OuYang Jun Patentee after: Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences) Address before: 250061 Qianfo campus, Shandong University, 17923 Jingshi Road, Lixia District, Jinan City, Shandong Province Patentee before: OuYang Jun |
|
| TR01 | Transfer of patent right |