CN102047567B - 减少功率消耗的发射器 - Google Patents

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Abstract

示范性实施例揭示数字控制块,其用于动态地调节发射器的功率消耗;及第一驱动器放大器电路,其包含各自对应于所述发射器中的功率消耗电平的多个偏置模式,所述数字控制块用以指令所述第一驱动器放大器电路以选定偏置模式操作以调节所述发射器的功率消耗。

Description

减少功率消耗的发射器
技术领域
本发明大体来说涉及发射器,且更明确来说涉及用于减少射频(RF)发射器中的功率消耗的技术。
背景技术
在通信系统中,发射器从移动台调制解调器(MSM)接收基带信号,使用一个或一个以上混频器将所述基带信号升频转换到射频(RF),接着(例如)经由驱动器放大器及功率放大器放大所述RF信号以用于经由天线发射。
功率效率在高级无线应用中为重要的,尤其在手持机装置中,因为较佳功率效率一般意味着手持机用户的较长通话时间。无线收发器中功率效率的瓶颈为发射器。在发射器块中,最大功率消耗者为包括驱动器放大器(DA)及功率放大器(PA)的放大器。沿发射路径的其它发射器块也参与发射器的总功率消耗。
因而,在此项技术中存在对减少无线装置的发射器的发射器块中的功率消耗的需要。
附图说明
图1说明可实践本发明的示范性实施例的示范性无线通信环境。
图2说明本发明的示范性实施例。
图3A到图3D为说明本发明的示范性方法的流程图。
图4说明本发明的另一示范性实施例。
图5A到图5C为说明本发明的示范性方法的流程图。
具体实施方式
本文中所描述的技术适用于且可用于其中需要射频接收的任一电环境或电子环境中的任一电子设置。仅出于示范性目的,在无线通信环境的背景下呈现本文中所描述的示范性实施例,然而其并不希望限于此,而是适用于使用射频发射及接收的任一有线或无线通信设置,例如手机、基站以及缆线机顶盒等。
本文中所描述的技术可用于例如CDMA、TDMA、FDMA、OFDMA及SC-FDMA网络等无线通信网络。术语“网络”与“系统”常常可互换使用。CDMA网络可实施例如通用陆地无线电接入(UTRA)、cdma2000等的无线电技术。UTRA包括宽带CDMA(W-CDMA)、低码片速率(LCR)、高码片速率(HCR)等。CDMA2000涵盖IS-2000、IS-95及IS-856标准。TDMA网络可实施例如全球移动通信系统(GSM)的无线电技术。OFDMA网络可实施例如演进型UTRA(E-UTRA)、超移动宽带(UMB)、IEEE 802.11(Wi-Fi)、IEEE 802.16(WiMAX)、IEEE 802.20、Flash-等的无线电技术。这些各种无线电技术及标准为此项技术中已知的。UTRA、E-UTRA及GSM描述于来自名为“第三代合作伙伴计划”(3GPP)的组织的文件中。CDMA2000描述于来自名为“第三代合作伙伴计划2”(3GPP2)的组织的文件中。3GPP及3GPP2文件公开可得。为清楚起见,下文针对3GPP网络而描述所述技术的某些方面。
词语“示范性”在本文中用以意味着“充当实例、例子或说明”。不必将本文中描述为“示范性”的任一实施例解释为比其它实施例优选或有利。
图1说明示范性无线通信环境1,其包含通信系统120及122及无线装置110(例如能够与多个无线通信系统120及122通信的多天线无线装置)。无线系统120可为可实施一个或一个以上CDMA标准(例如,IS-2000(通常称为CDMA 1x)、IS-856(通常称为CDMA 1x EV-DO)、IS-95、W-CDMA等)的CDMA系统。无线系统120包括基站收发器系统(base transceiver system,BTS)130及移动交换中心(MSC)140。BTS 130提供用于其覆盖区域下的无线装置的空中通信(over-the-air communication)。MSC 140耦合到无线系统120中的BTS且提供针对这些BTS的协调及控制。无线系统122可为可实施一个或一个以上TDMA标准的TDMA系统,例如GSM。无线系统122包括节点B 132及无线电网络控制器(RNC)142。节点B 132提供用于其覆盖区域下的无线装置的空中通信。RNC 142耦合到无线系统122中的节点B且提供针对这些节点B的协调及控制。一般来说,BTS 130及节点B 132为提供对无线装置的通信覆盖的固定站且还可称为基站或某一其它术语。MSC 140及RNC 142为提供针对基站的协调及控制的网络实体且还可由其它术语指代。
无线装置110可为蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、无线启用计算机或某一其它无线通信单元或装置。无线装置110还可被称为移动台(3GPP2术语)、用户设备(UE)(3GPP术语)、接入终端或某一其它术语。无线装置110配备有多个天线,例如,一个外部天线及一个或一个以上内部天线。多个天线可用于提供分集以对抗例如衰退、多路径、干扰等的不利路径效应。从发射实体处的天线发射的RF调制信号可经由视线路径及/或反射路径到达无线装置110处的多个天线。至少一个传播路径通常存在于发射天线与无线装置110处的每一接收天线之间。如果不同接收天线的传播路径为独立的(其一般来说在至少一程度上是成立的),则当多个天线用于接收RF调制信号时分集增加且所接收的信号质量改进。
无线装置110可能或可能不能够从卫星150接收信号。卫星150可属于卫星定位系统,例如众所周知的全球定位系统(GPS)、欧洲伽利略(Galileo)系统或某些其它系统。每一GPS卫星发射编码有允许地球上的GPS接收器测量GPS信号的到达时间(TOA)的信息的GPS信号。可使用足够数目的GPS卫星的测量以获得GPS接收器的精确三维位置估计。大体来说,无线装置110可能够与不同无线技术(例如,CDMA、GSM、GPS等)的任一数目的无线系统通信。
图2为说明示范性无线装置110的简化框图。无线装置110包括例如经SAW滤波发射器的示范性射频(RF)发射器210,其在一端处耦合到例如主天线的天线202(其可为外部天线),且在另一端处例如经由路径226与移动台调制解调器(MSM)220通信。MSM 220包含与存储器222通信的处理器224。
如图2中展示,示范性发射器210(例如,CDMA发射器)包括用于动态地调节发射器210的功率消耗的数字控制块250;及具有多个偏置模式的驱动器放大器电路DA1238。每一偏置模式对应于发射器210中的一功率消耗电平。如在下文且结合图3A到图3D更详细地描述,数字控制块250指令驱动器放大器电路DA1238以选定偏置模式操作以调节发射器210的功率消耗。
在示范性实施例中,发射器210经设计以支持在1.23MHz的带宽的情况下(例如)154kbps的峰值上行链路数据速率。发射器210在所有CDMA频带处操作(一般来说在例如PCS及单元带(Cell-band)的高及低带处操作)。发射器210包含基带(BB)滤波器230(例如二阶BB滤波器)、BB可变增益放大器(VGA)232、一个或一个以上直接升频转换器234(例如混频器)、RF VGA 236、驱动器放大器(DA1)238及功率放大器(PA)244。
在示范性实施例中,在信号发射期间,Tx数/模转换器(DAC)240使用由数字控制块250提供的参考电流(Iref)产生正交差分I及Q信号。将BB I及Q信号输入到BB滤波器230,且接着通过BB VGA 232镜射经滤波的BB信号,BB VGA 232如在下文且结合图3A到图3D更详细地描述通过数字增益控制切换。例如通过由两个交叉耦合的吉伯单元混频器(Gilbert cell mixer)组成的单一边带升频转换器234升频转换BBVGA的输出电流。将升频转换器的输出RF电流施加到RF VGA 236的输入,RF VGA 236经由数字增益控制而受控制,如在下文且结合图3A到图3D更详细地描述。经由变压器237将RF VGA 236的输出处的差分信号转换成到DA1238的输入的单端信号。如在下文且结合图3A到图3D更详细地描述,DA1238由经数字控制切换的栅地-阴地放大器级(cascode stage)构成且提供数字增益控制。如在下文且结合图3A到图3D更详细地描述,定位于DA1238的输出238a之后的多个RF开关(例如241a、241b及241c)视从MSM 220接收的模式选择信号248而定选择经由PA电路244输出的正常模式或经由PA旁路路径246输出的PA旁路模式。
在示范性实施例中,数字控制块250指令例如TxDAC 240、BB-VGA 232、RF-VGA
236及DA1238的多个电路,以用于调节发射器210的功率消耗。数字控制块250在发射器输出功率降低时引起多个电路中的一者或一者以上的电流消耗的减少。在示范性实施例中,以数字离散步骤实施增益控制。在BB VGA 232、RF VGA 236及DA1238中实践粗略增益控制。TxDAC 240中的精细增益控制补充粗略增益曲线以实现线性增益特征,例如0.25dB。粗略增益控制及精细增益控制两者经由可驻存于数字控制块250中的查找表(LUT)253实现。
如图2中所展示,发射器210包括功率放大器(PA)电路244,其具有用于从驱动器放大器电路DA1238接收RF信号的输入244a及用于输出经放大的RF信号的输出244b。发射器210还包括用于将驱动器放大器电路DA1238的输出238a连接到PA电路244的输出的PA旁路路径246。定位于驱动器放大器电路DA1238的输出238a与PA电路244的输出244b之间的多个RF开关(例如241a、241b及241c)使得数字控制块250能够选择PA旁路路径246或含PA电路244的路径中的一者。在示范性实施例中,发射器210还包括定位于驱动器放大器电路DA1238的输出238a(例如在开关241a之后)与PA电路244的输入244a之间的表面声波(SAW)滤波器252,以对由驱动器放大器电路DA1238提供到PA电路244的RF信号进行滤波。
在正常示范性操作模式中(即,PA 244输出244b处为高功率),DA1238输出经由RF开关241a且经由RF SAW滤波器252将高达7dBm的输出功率递送到PA 244。在PA旁路模式中(即,PA 244输出处为低功率及中等功率),DA1238输出经由RF开关241b及241c向PA244输出244b产生大于9dBm的输出功率,因此绕过PA244且实现好得多的功率消耗。
图3A到图3D为结合上文的图2说明本发明的示范性方法的流程图。如图3A中所展示,整体过程开始于框300,其中经由数字控制指令(例如从数字控制块250接收的那些数字控制指令)动态地调节射频(RF)发射器210的功率消耗。在示范性实施例中,数字控制指令包括(但不限于):到TxDAC 240的基带(BB)增益控制(GC)指令251a、到BB VGA 232的BB-VGA-GC指令251b、到RF VGA 236的RF增益控制(GC)指令251c及到驱动器放大器电路DA1238的增益控制(GC)指令251d,以及用于断开或闭合开关241a、241b及241c中的一者或一者以上的命令指令251e。在示范性实施例中,控制指令251a到251e为八位。接着在框310中,基于数字控制指令251d,从驱动器放大器电路DA1238的多个偏置模式中选择驱动器放大器电路DA1238的偏置模式,例如高偏置模式或低偏置模式。在示范性实施例中,所述多个偏置模式对应于驱动器放大器电路DA1238中的操作功率消耗电平,且因此对应于发射器210中的总操作功率消耗电平。整体过程接着结束。
图3B为进一步详细说明图3A的框300中的操作的流程图。过程开始于框330,其中经由所接收的数字控制指令(例如在数字控制块250中从MSM 220接收的数字控制指令226a)动态地调节射频(RF)发射器210的功率消耗。在示范性实施例中,所接收的数字控制指令226a为八位。
接着,在框340中,通过数字控制块250将所接收信号262a映射到TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238中的一者或一者以上的预定电流消耗特征。所述映射确定TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238中的每一者应以何电流电平操作以使得发射器210的总功率消耗符合由MSM 220经由所接收信号262a请求的功率消耗电平。在示范性实施例中,使用可在数字控制块250内部或外部的查找表(LUT)253进行所述映射。
在示范性实施例中,TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238中的一者或一者以上具有多个增益级(例如三个或三个以上增益级),其对应于TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238中的一组晶体管。在示范性实施例中,TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238中的一者或一者以上具有256个增益级,其对应于TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238中的一组255个晶体管。通过接通或关闭这些晶体管,数字控制块250可调节TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238中的每一者的功率消耗电平,这导致调节整体发射器210的功率消耗。在框340之后,流程接着返回到图3A的框300。
图3C为进一步详细说明图3A的框300中的操作的流程图。过程开始于框350,其中当发射器210输出功率低时选择PA旁路路径246。在示范性实施例中,由数字控制块250经由断开开关241a且闭合开关241b及241c的控制指令251e作出选择。在示范性实施例中,当发射器输出功率低时还(例如)经由从MSM 220接收的控制指令248关闭PA电路244。接着,在框360中,当发射器210输出功率高时选择PA电路244。在示范性实施例中,由数字控制块250经由闭合开关241a且断开开关241b及241c的控制指令251e作出选择。在框360之后,流程接着返回到图3A的框300。
图3D为进一步详细说明图3A的框310中的操作的流程图。过程开始于框370,其中当发射器210输出功率低时选择驱动器放大器电路DA1238的低偏置模式。在示范性实施例中,由数字控制块250经由控制指令251d作出选择。接着,在框380中,当发射器210输出功率高时选择驱动器放大器电路DA1238的高偏置模式。在示范性实施例中,由数字控制块250经由控制指令251d作出选择。在框380之后,流程接着返回到图3A的框310。
在示范性实施例中,一起执行结合图3A到图3D描述的操作。举例来说,在接收到控制信号226a之后(其中MSM 220已选择发射器210的低输出功率情境),数字控制块250首先将控制信号226a映射到TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238的预定电流消耗特征。数字控制块250接着通过接通或关闭TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238的若干个晶体管而指令TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238中的每一者以对应于所映射的特征的增益状态操作。数字控制块250还通过开关241a的断开及开关241b及241c的闭合而指令PA旁路路径246的选择。MSM 220还经由指令248关闭PA电路244。数字控制块250还经由控制指令251d选择驱动器放大器电路DA1238的低偏置模式。
图4说明本发明的另一示范性实施例,其中具有与图2中识别的数字相同的数字的组件以大体相同的方式操作。然而,在此示范性实施例中,发射器电路包括第二驱动器放大器电路DA2239,其具有与驱动器放大器电路DA1238共同的输入238a。如同上文结合图2描述的驱动器放大器电路DA1238的情况,数字控制块250基于所接收信号226a指令驱动器放大器电路DA2239以从多个偏置模式选择的偏置模式操作以调节发射器210的功率消耗。图4中展示的发射器210具有定位于驱动器放大器电路DA2239的输出与PA电路244的输出244b之间以使得能够选择PA旁路路径246的开关241c。如同驱动器放大器电路DA1238的情况,驱动器放大器电路DA2239具有多个增益级(例如三个或三个以上增益级),其对应于驱动器放大器电路DA2239中的一组晶体管。在示范性实施例中,驱动器放大器电路DA2239具有256个增益级,其对应于驱动器放大器电路DA2239中的一组255个晶体管。通过接通或关闭这些晶体管,数字控制块250可调节驱动器放大器电路DA2239的功率消耗电平,这导致调节整体发射器210的功率消耗。
图5A到图5D为结合上文的图4说明本发明的示范性方法的流程图。如图5A中所展示,整体过程开始于框500,其中经由数字控制指令(例如从数字控制块250接收的那些数字控制指令)动态地调节射频(RF)发射器210的功率消耗。在示范性实施例中,数字控制指令包括(但不限于):到TxDAC 240的基带(BB)增益控制(GC)指令251a、到BB VGA232的BB-VGA-GC指令251b、到RF VGA236的RF增益控制(GC)指令251c及到驱动器放大器电路DA1238及DA2239的增益控制(GC)指令251d,以及用于断开或闭合开关241c的命令指令251e。在示范性实施例中,控制指令251a到251e为八位的。接着在框510中,基于数字控制指令251d,从驱动器放大器电路DA1238的多个偏置模式中选择驱动器放大器电路DA1238的一偏置模式,例如高偏置模式或低偏置模式。接着在框530中,基于数字控制指令251d,从驱动器放大器电路DA2239的多个偏置模式中选择驱动器放大器电路DA2239的一偏置模式,例如高偏置模式或低偏置模式。在示范性实施例中,所述多个偏置模式对应于驱动器放大器电路DA1238及DA2239中的操作功率消耗电平,且因此对应于发射器210中的总操作功率消耗电平。整体过程接着结束。
图5B为进一步详细说明图5A的框500中的操作的流程图。过程开始于框570,其中经由所接收的数字控制指令(例如在数字控制块250中从MSM 220接收的数字控制指令226a)动态地调节射频(RF)发射器210的功率消耗。在示范性实施例中,所接收的数字控制指令226a为八位。
接着,在框580中,通过数字控制块250将所接收信号262a映射到TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238及DA2239中的一者或一者以上的预定电流消耗特征。所述映射确定TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238及DA2239中的每一者应以何电流电平操作以使得发射器210的总功率消耗符合由MSM 220经由所接收信号262a请求的功率消耗电平。在示范性实施例中,使用可在数字控制块250内部或外部的查找表(LUT)253用于所述映射。
在示范性实施例中,TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238及DA2239中的一者或一者以上具有多个增益级(例如三个或三个以上增益级),其对应于TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238及DA2239中的一组晶体管。在示范性实施例中,TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA236及驱动器放大器电路DA1238及DA2239中的一者或一者以上具有256个增益级,其对应于TxDAC 240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238及DA2239中的一组255个晶体管。通过接通或关闭这些晶体管,数字控制块250可调节TxDAC240、BB VGA 232、RF VGA 236及驱动器放大器电路DA1238及DA2239中的每一者的功率消耗电平,这导致调节整体发射器210的功率消耗。在框340之后,流程接着返回到图5A的框500。
图5C为进一步详细说明图5A的框510及530中的操作的流程图。过程开始于框550,其中当发射器210输出功率低时,选择驱动器放大器电路DA2239及PA旁路路径246,闭合开关241c,且关闭驱动器放大器电路DA1238及PA电路242中的一者或两者。在示范性实施例中,由数字控制块250经由控制指令251d及251e作出选择。接着,在框560中,当发射器210输出功率高时,选择驱动器放大器电路DA1238及PA电路242,且关闭驱动器放大器电路DA2239。在示范性实施例中,当发射器210输出功率高时,断开开关241c。在示范性实施例中,由数字控制块250经由控制指令251d及251e作出选择。因为对PA电路244或PA旁路路径246中的哪一者的选择是通过驱动器放大器电路DA1238或驱动器放大器电路DA2239的转换而进行,所以不再需要图2中展示的开关241a及241b的实施。在框560之后,流程接着返回到图5A的框510及530。
应注意,各种示范性实施例出于说明的目的而单独地论述,但其可组合于一个具有所述单独说明的实施例的一些或全部特征的实施例中。
所属领域的技术人员将理解,可使用多种不同技术及技艺中的任一者来表示信息及信号。举例来说,可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任一组合来表示可在整个上文描述中所参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及码片。所属领域的技术人员将进一步了解,可将结合本文中的揭示内容所描述的各种说明性逻辑块、模块、电路及算法步骤实施为电子硬件、计算机软件,或两者的组合。为清楚地说明硬件与软件的此可互换性,已在上文中大体按其功能性描述了各种说明性组件、块、模块、电路及步骤。此功能性是实施为硬件还是软件视特定应用及强加于整个系统上的设计约束而定。所属领域的技术人员可针对每一特定应用以不同方式实施所描述的功能性,但所述实施方案决策不应被解释为会导致脱离本发明的范围。
结合本文中的揭示内容而描述的各种说明性逻辑块、模块及电路可通过以下各物来实施或执行:通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文中所描述的功能的任一组合。通用处理器可为微处理器,但在替代方案中,处理器可为任一常规处理器、控制器、微控制器或状态机。还可将处理器实施为计算装置的组合,例如,DSP与微处理器的组合、多个微处理器的组合、一个或一个以上微处理器与DSP核心的联合,或任一其它所述配置。
结合本文中的揭示内容而描述的方法或算法的步骤可直接体现于硬件中、由处理器执行的软件模块中或两者的组合中。软件模块可驻存于RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。示范性存储媒体耦合到处理器,以使得处理器可从存储媒体读取信息且将信息写入到存储媒体。在替代方案中,存储媒体可与处理器成一体。处理器及存储媒体可驻存于ASIC中。ASIC可驻存于用户终端中。在替代方案中,处理器及存储媒体可作为离散组件而驻存于用户终端中。
应注意,上文描述的方法可在具有计算机可读媒体的计算机程序产品中实施,所述计算机可读媒体具有用于致使计算机执行上文描述的过程的代码。在一个或一个以上示范性实施例中,所描述的功能可以硬件、软件、固件、或其任一组合来实施。如果以软件实施,则功能可作为一个或一个以上指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体发射。计算机可读媒体包括计算机存储媒体及通信媒体两者,通信媒体包括促进计算机程序从一处传送到另一处的任一媒体。存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。以实例方式且非限制,所述计算机可读媒体可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置,或可用于携载或存储呈指令或数据结构的形式的所要程序代码装置且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它媒体。并且,适当地将任何连接称为计算机可读媒体。举例来说,如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(DSL)或例如红外、无线电及微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源发射软件,则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL或例如红外、无线电及微波的无线技术包括于媒体的定义中。如本文中所用的磁盘及光盘包括压缩光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字通用光盘(DVD)、软性磁盘及蓝光光盘,其中磁盘通常以磁性方式再现数据,而光盘用激光以光学方式再现数据。上述各项的组合也应包括在计算机可读媒体的范围内。
提供本发明的先前描述以使得任何所属领域的技术人员能够制作或使用本发明。所属领域的技术人员将易于明了本发明的各种修改,且本文中所界定的一般原理可在不脱离本发明的范围的情况下应用于其它变化。因此,并不希望将本发明限于本文所描述的实例及设计,而是赋予其与本文所揭示的原理及新颖特征一致的最广范围。

Claims (29)

1.一种射频(RF)发射器,其包含:
数字控制块,其用于动态地调节所述发射器的功率消耗;以及
第一驱动器放大器电路,其经配置以接收来自所述数字控制块的至少一个数字控制指令并包含各自对应于所述发射器中的功率消耗电平的多个偏置模式,所述数字控制块经由所述至少一个数字控制指令,指令所述第一驱动器放大器电路以基于所述发射器的测量的输出功率电平选定的偏置模式操作,以调节所述发射器的功率消耗。
2.根据权利要求1所述的RF发射器,所述数字控制块用以指令多个电路以用于调节所述发射器的功率消耗。
3.根据权利要求1所述的RF发射器,其进一步包含基带可变增益放大器和RF可变增益放大器中的至少一者。
4.根据权利要求2所述的RF发射器,所述数字控制块在发射器输出功率降低时引起所述多个电路中的至少一者的电流消耗的减少。
5.根据权利要求1所述的RF发射器,所述数字控制块用以在所述发射器输出功率高时选择所述第一驱动器放大器电路的高偏置模式。
6.根据权利要求1所述的RF发射器,所述数字控制块用以在所述发射器输出功率低时选择所述第一驱动器放大器电路的低偏置模式。
7.根据权利要求1所述的RF发射器,其进一步包含:
功率放大器(PA)电路,其具有用于从所述第一驱动器放大器电路接收RF信号的输入,及用于输出经放大的RF信号的输出;
PA旁路路径,其用于将所述第一驱动器放大器电路的输出连接到所述PA电路的所述输出;以及
多个开关,其定位于所述第一驱动器放大器电路的所述输出与PA电路的所述输出之间以使得能够选择所述PA旁路路径。
8.根据权利要求7所述的RF发射器,在所述发射器输出功率低时所述功率放大器(PA)电路被关闭。
9.根据权利要求7所述的RF发射器,其进一步包含:
表面声波(SAW)滤波器,其定位于所述第一驱动器放大器电路的所述输出与所述PA电路的所述输入之间以对由所述第一驱动器放大器电路提供到所述PA电路的所述RF信号进行滤波。
10.根据权利要求1所述的RF发射器,所述第一驱动器放大器电路包含多个增益状态。
11.根据权利要求1所述的RF发射器,所述第一驱动器放大器电路包含256个增益状态。
12.根据权利要求1所述的RF发射器,其包含:
第二驱动器放大器电路,其包含各自对应于所述发射器中的所述功率消耗电平的多个偏置模式,所述数字控制块用以指令所述第二驱动器放大器电路以选定偏置模式操作以调节所述发射器的功率消耗,所述第一及第二驱动器放大器电路具有共同输入;
功率放大器(PA)电路,其具有用于从所述第一驱动器放大器电路接收RF信号的输入,及用于输出经放大的RF信号的输出;
PA旁路路径,其用于将所述第二驱动器放大器电路的输出连接到所述PA电路的所述输出;以及
至少一个开关,其定位于所述第二驱动器放大器电路的所述输出与PA电路的所述输出之间以使得能够选择所述PA旁路路径。
13.根据权利要求12所述的RF发射器,所述第一及第二驱动器放大器电路中的至少一者各自包含多个增益状态。
14.根据权利要求13所述的RF发射器,所述第一及第二驱动器放大器电路中的至少一者包含256个增益状态。
15.根据权利要求12所述的RF发射器,所述数字控制块用以在所述发射器输出功率低时选择所述第二驱动器放大器电路及所述PA旁路路径且关闭所述第一驱动器放大器电路及所述PA电路中的至少一者。
16.根据权利要求12所述的RF发射器,所述数字控制块用以在所述发射器输出功率高时选择所述第一驱动器放大器电路及所述PA电路且关闭所述第二驱动器放大器电路。
17.根据权利要求2所述的RF发射器,所述数字控制块用以基于所接收信号调节所述发射器的功率消耗。
18.根据权利要求17所述的RF发射器,所述数字控制块用以将所述所接收信号映射到所述第一驱动器放大器电路及所述多个电路中的至少一者的预定电流消耗特征以调节所述发射器的功率消耗。
19.根据权利要求12所述的RF发射器,所述数字控制块用以将所接收信号映射到所述第一驱动器放大器电路、所述第二驱动器放大器电路及所述多个电路中的至少一者的预定电流消耗特征以调节所述发射器的功率消耗。
20.一种用于减少功率消耗的方法,其包含:
经由第一驱动器放大器处接收的数字控制指令并基于射频(RF)发射器的测量的输出功率电平,动态地调节所述射频发射器的功率消耗;以及
基于所述数字控制指令选择所述第一驱动器放大器电路的偏置模式,所述第一驱动器放大器电路包含对应于所述发射器中的功率消耗电平的多个偏置模式。
21.根据权利要求20所述的方法,所述选择进一步包含:
在所述发射器输出功率低时选择所述第一驱动器放大器电路的低偏置模式;以及
在所述发射器输出功率高时选择所述第一驱动器放大器电路的高偏置模式。
22.根据权利要求20所述的方法,其进一步包含:
在所述发射器输出功率低时选择PA旁路路径;以及
在所述发射器输出功率高时选择功率放大器(PA)电路。
23.根据权利要求22所述的方法,所述选择PA旁路路径进一步包含:
在所述发射器输出功率低时关闭所述PA电路。
24.根据权利要求20所述的方法,其进一步包含:
基于所述数字控制指令选择第二驱动器放大器电路的偏置模式,所述第二驱动器放大器电路包含对应于所述发射器中的功率消耗电平的多个偏置模式。
25.根据权利要求24所述的方法,其进一步包含:
在所述发射器输出功率低时基于所述数字控制指令选择所述第二驱动器放大器电路及PA旁路路径且关闭所述第一驱动器放大器电路及PA电路;以及
在所述发射器输出功率高时选择所述第一驱动器放大器电路及所述PA电路且关闭所述第二驱动器放大器电路。
26.根据权利要求20所述的方法,所述经由数字控制指令动态地调节射频(RF)发射器的功率消耗进一步包含:
经由所接收的数字控制指令动态地调节射频(RF)发射器的功率消耗;以及
将所接收信号映射到所述发射器的所述第一驱动器放大器电路及多个电路中的至少一者的预定电流消耗特征。
27.根据权利要求24所述的方法,所述经由数字控制指令动态地调节射频(RF)发射器的功率消耗进一步包含:
经由所接收的数字控制指令动态地调节射频(RF)发射器的功率消耗;以及
将所接收信号映射到所述发射器的所述第一驱动器放大器电路、所述第二驱动器放大器电路及多个电路中的至少一者的预定电流消耗特征。
28.一种用于减少功率消耗的设备,其包含:
用于经由第一驱动器放大器处接收的数字控制指令并基于射频(RF)发射器的测量的输出功率电平动态地调节所述射频发射器的功率消耗的装置;
用于基于所述数字控制指令选择所述第一驱动器放大器电路的偏置模式的装置,所述第一驱动器放大器电路包含对应于所述发射器中的功率消耗电平的多个偏置模式;以及
用于以所述选定偏置模式操作所述第一驱动器放大器电路的装置。
29.根据权利要求28所述的设备,其进一步包含:
用于在所述发射器输出功率低时选择所述第一驱动器放大器电路的低偏置模式的装置;以及
用于在所述发射器输出功率高时选择所述第一驱动器放大器电路的高偏置模式的装置。
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8618876B2 (en) * 2008-05-30 2013-12-31 Qualcomm Incorporated Reduced power-consumption transmitters
CN102204401A (zh) * 2008-09-05 2011-09-28 艾色拉加拿大有限公司 具有针对无线应用的可切换输出的无源发射机架构
US8854019B1 (en) 2008-09-25 2014-10-07 Rf Micro Devices, Inc. Hybrid DC/DC power converter with charge-pump and buck converter
US9166471B1 (en) 2009-03-13 2015-10-20 Rf Micro Devices, Inc. 3D frequency dithering for DC-to-DC converters used in multi-mode cellular transmitters
US8315576B2 (en) 2009-05-05 2012-11-20 Rf Micro Devices, Inc. Capacitive compensation of cascaded directional couplers
US8548398B2 (en) 2010-02-01 2013-10-01 Rf Micro Devices, Inc. Envelope power supply calibration of a multi-mode radio frequency power amplifier
US8538355B2 (en) 2010-04-19 2013-09-17 Rf Micro Devices, Inc. Quadrature power amplifier architecture
US8565694B2 (en) 2010-04-20 2013-10-22 Rf Micro Devices, Inc. Split current current digital-to-analog converter (IDAC) for dynamic device switching (DDS) of an RF PA stage
US8983410B2 (en) 2010-04-20 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Configurable 2-wire/3-wire serial communications interface
US8947157B2 (en) 2010-04-20 2015-02-03 Rf Micro Devices, Inc. Voltage multiplier charge pump buck
US9553550B2 (en) 2010-04-20 2017-01-24 Qorvo Us, Inc. Multiband RF switch ground isolation
US9362825B2 (en) 2010-04-20 2016-06-07 Rf Micro Devices, Inc. Look-up table based configuration of a DC-DC converter
US8989685B2 (en) 2010-04-20 2015-03-24 Rf Micro Devices, Inc. Look-up table based configuration of multi-mode multi-band radio frequency power amplifier circuitry
US9900204B2 (en) 2010-04-20 2018-02-20 Qorvo Us, Inc. Multiple functional equivalence digital communications interface
US8515361B2 (en) 2010-04-20 2013-08-20 Rf Micro Devices, Inc. Frequency correction of a programmable frequency oscillator by propagation delay compensation
US8706063B2 (en) 2010-04-20 2014-04-22 Rf Micro Devices, Inc. PA envelope power supply undershoot compensation
US8712349B2 (en) 2010-04-20 2014-04-29 Rf Micro Devices, Inc. Selecting a converter operating mode of a PA envelope power supply
US9077405B2 (en) 2010-04-20 2015-07-07 Rf Micro Devices, Inc. High efficiency path based power amplifier circuitry
US8811920B2 (en) 2010-04-20 2014-08-19 Rf Micro Devices, Inc. DC-DC converter semiconductor die structure
US8811921B2 (en) * 2010-04-20 2014-08-19 Rf Micro Devices, Inc. Independent PA biasing of a driver stage and a final stage
US8542061B2 (en) 2010-04-20 2013-09-24 Rf Micro Devices, Inc. Charge pump based power amplifier envelope power supply and bias power supply
US8913971B2 (en) 2010-04-20 2014-12-16 Rf Micro Devices, Inc. Selecting PA bias levels of RF PA circuitry during a multislot burst
US9008597B2 (en) 2010-04-20 2015-04-14 Rf Micro Devices, Inc. Direct current (DC)-DC converter having a multi-stage output filter
US9048787B2 (en) 2010-04-20 2015-06-02 Rf Micro Devices, Inc. Combined RF detector and RF attenuator with concurrent outputs
US9184701B2 (en) 2010-04-20 2015-11-10 Rf Micro Devices, Inc. Snubber for a direct current (DC)-DC converter
US8892063B2 (en) 2010-04-20 2014-11-18 Rf Micro Devices, Inc. Linear mode and non-linear mode quadrature PA circuitry
US9577590B2 (en) 2010-04-20 2017-02-21 Qorvo Us, Inc. Dual inductive element charge pump buck and buck power supplies
US8913967B2 (en) 2010-04-20 2014-12-16 Rf Micro Devices, Inc. Feedback based buck timing of a direct current (DC)-DC converter
US8831544B2 (en) 2010-04-20 2014-09-09 Rf Micro Devices, Inc. Dynamic device switching (DDS) of an in-phase RF PA stage and a quadrature-phase RF PA stage
US9214900B2 (en) 2010-04-20 2015-12-15 Rf Micro Devices, Inc. Interference reduction between RF communications bands
US8942650B2 (en) 2010-04-20 2015-01-27 Rf Micro Devices, Inc. RF PA linearity requirements based converter operating mode selection
US9030256B2 (en) 2010-04-20 2015-05-12 Rf Micro Devices, Inc. Overlay class F choke
US8842399B2 (en) 2010-04-20 2014-09-23 Rf Micro Devices, Inc. ESD protection of an RF PA semiconductor die using a PA controller semiconductor die
US8983407B2 (en) 2010-04-20 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Selectable PA bias temperature compensation circuitry
US8731498B2 (en) 2010-04-20 2014-05-20 Rf Micro Devices, Inc. Temperature correcting an envelope power supply signal for RF PA circuitry
US8559898B2 (en) 2010-04-20 2013-10-15 Rf Micro Devices, Inc. Embedded RF PA temperature compensating bias transistor
US8571492B2 (en) 2010-04-20 2013-10-29 Rf Micro Devices, Inc. DC-DC converter current sensing
US9214865B2 (en) 2010-04-20 2015-12-15 Rf Micro Devices, Inc. Voltage compatible charge pump buck and buck power supplies
US8942651B2 (en) 2010-04-20 2015-01-27 Rf Micro Devices, Inc. Cascaded converged power amplifier
US8958763B2 (en) 2010-04-20 2015-02-17 Rf Micro Devices, Inc. PA bias power supply undershoot compensation
US8699973B2 (en) 2010-04-20 2014-04-15 Rf Micro Devices, Inc. PA bias power supply efficiency optimization
US9065505B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Rf Micro Devices, Inc. Optimal switching frequency for envelope tracking power supply
US9264077B2 (en) * 2012-05-31 2016-02-16 Blackberry Limited Mobile communications device including an RF transmitter providing impedance fluctuation dampening and related methods
KR102200711B1 (ko) * 2013-10-11 2021-01-12 삼성전자주식회사 다중 안테나 통신 시스템에서 에너지 효율을 고려하는 전력 제어 방법 및 장치
US9544002B2 (en) * 2014-01-16 2017-01-10 Intel IP Corporation Concurrent transmit and receive
TWI656631B (zh) * 2014-03-28 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置
US9837972B2 (en) * 2015-12-30 2017-12-05 Skyworks Solutions, Inc. Multi-mode power amplifier module
EP3499643A4 (en) * 2017-02-22 2019-10-23 Huawei Technologies Co., Ltd. COMMUNICATION METHOD AND MOBILE TERMINAL
US20190097671A1 (en) * 2017-09-26 2019-03-28 Apple Inc. Converged transmitter architecture with reduced power consumption
US11387933B2 (en) 2020-01-31 2022-07-12 Qualcomm Incorporated Dynamic transmission front end and digital-to-analog converter in modem

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06152288A (ja) * 1992-11-06 1994-05-31 Oki Electric Ind Co Ltd 電力制御装置
US5432473A (en) 1993-07-14 1995-07-11 Nokia Mobile Phones, Limited Dual mode amplifier with bias control
US5568094A (en) 1994-12-15 1996-10-22 At&T Corp. Rf power amplifier with increased efficiency at low power
US5923215A (en) 1996-06-13 1999-07-13 The Whitaker Corporation Linearized amplifier
JP3387508B2 (ja) * 1998-02-19 2003-03-17 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 無線送信増幅装置
JP2000332620A (ja) * 1999-05-18 2000-11-30 Denso Corp 送信電力制御回路
US6313698B1 (en) 1999-09-24 2001-11-06 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for wireless phone transmit power amplification with reduced power consumption
US6529716B1 (en) 2000-01-11 2003-03-04 Skyworks Solutions, Inc. RF transmitter with extended efficient power control range
US6480700B1 (en) 2000-03-03 2002-11-12 Nokia Corporation Apparatus, and associated method, for operating a communication device at reduced level of current consumption
JP3463656B2 (ja) * 2000-07-12 2003-11-05 日本電気株式会社 送信電力増幅装置及びその方法
US6515541B2 (en) 2001-06-13 2003-02-04 Skyworks Solutions, Inc. Multi-level power amplifier
US6646510B2 (en) 2002-03-01 2003-11-11 Sige Semiconductor Inc. Method of adjusting gain and current consumption of a power amplifier circuit while maintaining linearity
US20050090210A1 (en) 2002-04-11 2005-04-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Communication apparatus
WO2004027983A2 (en) 2002-09-20 2004-04-01 Triquint Semiconductor, Inc. Saturated power amplifier with selectable and variable output power levels
KR20050083712A (ko) 2002-10-03 2005-08-26 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 무선 통신 시스템용 전력 증폭기, 이를 포함한 umts핸드셋 및 그 전력 증폭기의 전력 소비 감소 방법
US7477106B2 (en) 2002-12-19 2009-01-13 Nxp B.V. Power amplifier with bias control
US6831517B1 (en) * 2002-12-23 2004-12-14 Intersil Americas, Inc. Bias-management system and method for programmable RF power amplifier
US6859098B2 (en) 2003-01-17 2005-02-22 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for control in an electromagnetic processor
JP2004048797A (ja) * 2003-09-12 2004-02-12 Hitachi Ltd 送信機および電力増幅器
JP2005175561A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅回路用電源回路および電源用半導体集積回路並びに電源用電子部品
JP4683468B2 (ja) * 2005-03-22 2011-05-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波電力増幅回路
US7345534B2 (en) 2005-05-31 2008-03-18 M/A-Com Eurotec Bv Efficient power amplification system
JP2007005996A (ja) 2005-06-22 2007-01-11 Renesas Technology Corp 通信用半導体集積回路および無線通信装置
US7711070B2 (en) * 2005-08-25 2010-05-04 Qualcomm, Incorporated Method and apparatus for control of transmitter power consumption
US7423488B2 (en) 2005-12-05 2008-09-09 Honeywell International Inc. System and method for compensating for the effects of aging and temperature on transistor performance
US7933567B2 (en) * 2006-01-26 2011-04-26 Qualcomm, Incorporated Method and apparatus for achieving linear monotonic output power
US7528648B2 (en) * 2006-02-23 2009-05-05 Cypress Semiconductor Corporation Replica biased system
JP2007228360A (ja) 2006-02-24 2007-09-06 Kyocera Corp 高周波モジュールおよび無線通信装置
JP2008048321A (ja) 2006-08-21 2008-02-28 Nec Corp 無線送信装置及びその送信電力レベル調整システム
US7715810B2 (en) * 2007-01-31 2010-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for combining stepped drain bias control with digital predistortion for a power amplifier
US8014740B2 (en) * 2007-07-31 2011-09-06 Broadcom Corporation Method and system for amplitude calibration for polar modulation with discontinuous phase
KR101481725B1 (ko) * 2008-02-26 2015-01-13 삼성전자주식회사 무선 통신시스템의 전력 송신 장치 및 방법
US8618876B2 (en) * 2008-05-30 2013-12-31 Qualcomm Incorporated Reduced power-consumption transmitters

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