CN102024460A - 薄膜元件及其制造方法、使用其的磁头悬架组件、硬盘驱动器 - Google Patents
薄膜元件及其制造方法、使用其的磁头悬架组件、硬盘驱动器 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及薄膜元件及其制造方法、使用其的磁头悬架组件、硬盘驱动器。薄膜元件的制造方法具备以下工序：将包含电极膜的层叠体形成于基板上的工序；将层叠体加工成规定的形状并将薄膜元件部形成于基板上的工序；以支撑基板经由薄膜元件部与基板相对的方式用粘结膜将支撑基板贴合于基板的工序；在贴合工序之后，除去基板的工序；在基板的除去工序之后，将低刚性膜形成于除去了基板的一侧的薄膜元件部上的工序；以及在低刚性膜的形成工序之后，除去支撑基板以及粘结膜的工序，在低刚性膜的形成工序与支撑基板以及粘结膜的除去工序之间不将基板设置于低刚性膜上。
Description
技术领域
本发明涉及不具有基板的薄膜元件的制造方法、薄膜元件、使用该薄膜元件的磁头悬架组件以及硬盘驱动器。
背景技术
一直以来，薄膜元件的各种制造方法都是为人熟知的。作为公开这些薄膜元件的制造方法的公报例如是日本特开2006-295033号公报、日本特开2006-234443号公报以及日本特开2004-146640号公报。在日本特开2006-295033号公报的制造方法中，在将薄膜元件部以及树脂膜依次形成于复制源基板上之后，用第1粘结材膜使树脂膜与临时复制基板相贴合，从而除去复制源基板。之后，使环氧树脂类的第2粘结材膜介于薄膜元件部与玻璃等的基板之间并使之接合，从而除去第1粘结材膜以及临时复制基板。由此，形成由基板、被依次设置于基板上的第2粘结材膜、薄膜元件部以及树脂膜构成的薄膜元件。
在日本特开2006-234443号公报的制造方法中，由氧化处理将氧化膜形成于从背面侧实施了各向异性蚀刻的硅基板上。之后，将由下侧电极膜、压电体薄膜以及上侧电极膜构成的薄膜元件部形成于氧化膜上。由此，形成由硅基板、硅基板上的薄膜元件部构成的压电振动型惯性传感器。
在日本特开2004-146640号公报的制造方法中，将由第1电极、压电体薄膜以及第2电极构成的薄膜元件部形成于基板上。接着，在使用粘结材膜将结晶化玻璃的区划壁粘结于第2电极之后，除去基板。由此，形成由多个区划壁、多个区划壁上的粘结材膜以及薄膜元件部构成的带有区划壁的执行器(actuator)。
可是，在日本特开2006-295033号公报、日本特开2006-234443号公报以及日本特开2004-146640号公报所记载的方法中，薄膜元件部被设置于由规定的材料构成的基板上。在将薄膜元件部形成于基板上的上述的制造方法中，除了增加成本之外，而且不能够减薄被制造的元件的整体厚度且不能够充分地得到元件的性能。在此，所谓基板，是指不论刚性的高或低，只要具有0.1mm以上的厚度的基板。另外，所谓膜，是指厚度不到0.1mm的膜。以下也是同样的。
为了解决如以上所述的问题，对不具有基板的薄膜元件的制造方法作了深入研究。作为其中一个例子，提出了以下的制造方法。即，用树脂膜贴合形成有层叠膜体的第1基板和第2基板，使得第1基板经由该层叠膜体而与第2基板相对，除去第1基板。接着，将层叠膜体以及树脂膜加工成所希望的形状，第2基板以经由被加工的层叠膜体以及树脂膜而与支撑基板相对的方式用粘结树脂膜进行贴合。之后，通过依次除去第2基板以及粘结树脂膜和支撑基板，从而形成由被加工的层叠体构成的薄膜元件部和由被加工的树脂膜构成的薄膜元件。
然而，在该制造方法中，使用第1以及第2基板的2个基板，直至加工薄膜元件部。另外，树脂膜在加工薄膜元件部的时候被同时加工，在贴合第1以及第2基板的时候，由于为了提高贴合精度而有必要具有足够的刚性，因而不能够减薄。因此，不能够充分地降低成本。另外，由于树脂膜的厚度而不能够充分地抑制元件的功能性以及可靠性的降低。
发明内容
本发明是有鉴于如以上所述的问题而悉心研究的结果，以提供一种能够充分地实现高性能化、高可靠性以及低成本化的薄膜元件的制造方法、薄膜元件、使用该薄膜元件的磁头悬架组件(Head GimbalsAssembly)以及硬盘驱动器为目的。
本发明所涉及的薄膜元件的制造方法具备以下工序：将包含2个以上的电极膜的层叠体形成于第1基板上的工序；将层叠体加工成规定的形状并将薄膜元件部形成于第1基板上的工序；以第2基板经由薄膜元件部与第1基板相对的方式用粘结膜将第2基板贴合于第1基板上的工序；在贴合工序之后，除去第1基板的工序；在第1基板的除去工序之后，将低刚性膜形成于除去了第1基板的一侧的薄膜元件部上的工序；以及在低刚性膜的形成工序之后，除去第2基板以及粘结膜的工序，在低刚性膜的形成工序与第2基板以及粘结膜的除去工序之间，不将基板设置于低刚性膜上。
在本发明所涉及的薄膜元件的制造方法中，将层叠体形成于第1基板上，将层叠体加工成规定的形状并将薄膜元件部形成于第1基板上。即在形成层叠体之后，不是像以往那样将第1基板与最终除去的别的基板相贴合，而是加工层叠体而形成薄膜元件部。另外，在本薄膜元件的制造方中，在形成薄膜元件部之后除去第1基板，并将低刚性膜形成于除去了第1基板的一侧的薄膜元件部上。因此，与用于贴合2个基板并且为了在薄膜元件部的形成工序时与构成薄膜元件部的层叠体一起被加工而进行较厚的涂布的以往的情况不同，能够较薄地形成低刚性膜。如以上所述，根据本发明所涉及的薄膜元件的制造方法，能够减少构成基板以及低刚性膜的材料的消耗量。另外，伴随着基板的消耗量的减少，用于除去基板的工艺等的工艺数也减少。其结果，能够实现低成本。
在本薄膜元件的制造方法中，能够不将基板设置于低刚性膜上，而且如以上所述能够较薄地形成低刚性膜。即由于能够制造不具有基板并且具备薄的低刚性膜以及薄膜元件部的薄膜元件，因而不会降低薄膜元件的特性而且能够维持元件主体的刚性。其结果，能够制造可实现高性能化以及高可靠性的薄膜元件。还有，如果考虑到较多地使用玻璃等的高刚性材料作为基板的现状，那么上述的效果会更加有意义。
另外，优选，通过由喷墨法、滴涂器(dispenser)涂布法或者丝网印刷法进行的图形涂布，从而进行低刚性膜的形成。由此，能够不使用光刻技术，并能够在薄膜元件部上的所希望的位置形成所希望的形状的低刚性膜。其结果，使制造工艺的简便化以及时间缩短成为可能，并且能够提高制造的效率。
另外，本发明所涉及的薄膜元件具备低刚性膜、以及被设置于低刚性膜上并且包含第1电极膜和第2电极膜的薄膜元件部，并由上述的本发明所涉及的制造方法制造。根据本发明所涉及的薄膜元件，由于能够减薄低刚性区域(低刚性膜)的厚度，因而可以实现低成本。另外，根据本发明所涉及的薄膜元件，由于能够不具有基板并且具备薄的低刚性区域以及薄膜元件部，因而能够回避元件的特性降低并保持元件主体的刚性。因此，根据本发明所涉及的薄膜元件，可以实现高性能化以及高可靠性。另外，优选，薄膜元件部通过将电压施加于第1电极膜与第2电极膜之间从而能够伸缩变形驱动。根据如此的薄膜元件部，能够在高频率产生位移，并且能够以低电压获得足够的驱动位移。作为如此的薄膜元件，可以列举压电元件、静电电容元件等。
另外，本发明所涉及的磁头悬架组件(Head Gimbals Assembly)具备：具有相对于记录介质进行记录或者再生中的至少一者的薄膜磁头的磁头滑动块(head slider)；搭载磁头滑动块的悬挂装置(suspension)；以及使磁头滑动块相对于悬挂装置相对位移的薄膜元件，薄膜元件是由上述的本发明所涉及的制造方法制造的薄膜元件。
另外，本发明所涉及的硬盘驱动器具备上述的本发明所涉及的磁头悬架组件。本发明所涉及的磁头悬架组件以及硬盘驱动器采用如以上所述的构成，因而能够谋求装置的高性能化、高可靠性以及低成本化。
根据本发明，能够提供一种可充分地实现高性能化、高可靠性以及低成本化的薄膜元件的制造方法、薄膜元件、使用该薄膜元件的磁头悬架组件以及硬盘驱动器。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式所涉及的薄膜元件的模式图。
图2是示意性地表示本实施方式所涉及的薄膜元件的制造方法的一个工序的图。
图3是示意性地表示本实施方式所涉及的薄膜元件的制造方法的一个工序的图。
图4是示意性地表示本实施方式所涉及的薄膜元件的制造方法的一个工序的图。
图5是示意性地表示本实施方式所涉及的薄膜元件的制造方法的一个工序的图。
图6是用于说明本实施方式所涉及的薄膜元件所使用的一个例子的图。
图7是本实施方式所涉及的磁头悬架组件的放大立体图。
图8是图7所示的磁头悬架组件的立体分解图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细的说明。还有，在附图的说明中，将相同的符号标注于相同或者同等的要素，从而省略重复的说明。还有，各个图面中的尺寸以及形状并不一定与实物相同，为了容易理解，有些部分是夸张描写的。图1(a)是示意性地表示本实施方式所涉及的薄膜元件1的模式图。图1(b)是表示图1(a)中的Ib-Ib方向的截面结构的模式图。薄膜元件1例如是薄膜压电执行器(actuator)。薄膜元件1以伸缩方向互为不同的方式构成，具有分离了的第1区域1a以及第2区域1b。第1区域1a以及第2区域1b以各自的彼此相对的内侧的边分离且并行地延伸，各自的外侧的边从根部区域3向前端侧逐渐变窄的方式配置。还有，薄膜元件1可以为在根部区域3连接的结构。
在第1区域1a的根部区域3设置有施加驱动电压的电极5a、7a，在第2区域1b的根部区域3设置有施加驱动电压的电极5b、7b。还有，第1区域1a以及第2区域1b因为具有相同的结构，所以集中说明以下的第1区域1a从而省略重复的说明。第1区域1a具备低刚性膜11和被设置于低刚性膜11上的薄膜元件部M。薄膜元件部M具备依次层叠有第1电极膜13、压电体膜15以及第2电极膜17而形成的层叠体L、覆盖层叠体L的表面的保护膜19。
根部区域3的第1区域1a的电极5a以及第2区域1b的电极5b例如通过接触孔而分别连接于第2电极膜17，第1区域1a的电极7a以及第2区域1b的电极7b例如通过接触孔而分别连接于第1电极膜13。由此，通过将互为相反的偏压施加于第1区域1a的电极5a、7a和第2区域1b的电极5b、7b，从而例如第1区域1a中的压电体膜15在图1的箭头A1方向上发生收缩，第2区域1b中的压电体膜15在箭头A2方向上发生伸展。
低刚性膜11的材料只要是低刚性的话，就没有特别的限定，例如可以使用环氧树脂、丙烯酸树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、氟树脂、聚酰亚胺硅树脂、苯并环丁烯(BCB)树脂等的树脂粘结材等。低刚性膜11的杨氏模量优选为0.1～10GPa的范围内。另外，低刚性膜11的厚度t1并没有特别的限定，例如可以是0.1～10μm左右。
第1电极膜13的材料只要是导电性材料的话，就没有特别的限定，例如可以使用Pt、Au等的金属材料。另外，也可以使用SrRuO3(SRO)等的导电性陶瓷。再有，为了与到达第1电极膜13的上下的构成材料的紧密附着性或者整体的应力调整的目的，也可以将第1电极膜13制成多层构造。第1电极膜13的厚度t2并没有特别的限定，例如可以是0.1～1μm左右。还有，由于电极膜13变厚时会成为位移量的阻碍，因而优选比低刚性膜11的厚度薄。这是由于弯曲抑制支撑刚性和长边方向的位移量为权衡的关系的缘故。
压电体膜15的材料只要是显示压电特性的材料的话，就没有特别的限定，例如可以列举PZT等。压电体膜15的厚度t3并没有特别的限定，例如可以是0.5～10μm左右。
关于第2电极膜17，可以与第1电极膜13相同。第2电极膜17的厚度t4并没有特别的限定，例如可以是0.1～1μm左右。
保护膜19的材料只要是具有与层叠体L的紧密附着性且能够覆盖层叠体L的表面的材料的话，就没有特别的限定，例如可以是与低刚性膜11相同的材料。保护膜19的厚度t5并没有特别的限定，例如可以是0.3～30μm左右。另外，该构成构件也可以作为具有绝缘性的陶瓷等的材料而替代树脂，厚度并没有特别的限定，可以是0.005～1μm左右。
最优选的材料的组合的一个例子是，低刚性膜11/第1电极膜13/压电体膜15/第2电极膜17/保护膜19为聚酰亚胺树脂/Pt/PZT/Pt/聚酰亚胺树脂。
在薄膜元件1中，低刚性膜11的厚度t1为0.1～10μm左右。低刚性膜11的厚度t1与以往的薄膜元件相比，因为是在足够薄的范围内，所以可以实现低成本。另外，薄膜元件1因为不具有基板而且具备薄的低刚性膜11以及薄膜元件部M，所以能够回避元件的特性的降低并且能够保持元件主体的刚性。另外，具有该特性的薄膜元件1因为是薄膜压电执行器，所以能够在高频率使位移产生并且能够以低电压获得足够的驱动位移。因此，根据本实施方式所涉及的薄膜元件1，可以实现高性能化以及高可靠性。特别是低刚性膜11的杨氏模量在0.1～10GPa的范围内，所以通过调整与厚度的积，从而能够以维持元件的自立性以及形状且不阻碍元件的特性的方式更加容易地进行设计。另外，因为由低刚性膜11以及保护膜19整体性地覆盖层叠体L的表面，所以层叠体L被绝缘，并且被保护。其结果，能够防止薄膜元件1的吸湿、腐蚀等。
接着，参照图2(a)～图5，对薄膜元件1的制造工序进行说明。图2(a)、图2(b)、图3(a)、图4(a)、图4(b)以及图5是示意性地表示本实施方式所涉及的薄膜元件1的制造方法的各个工序的图。图3(b)是表示IIIb-IIIb方向的截面结构的模式图。薄膜元件1例如通过经过以下的工序而完成。
(层叠体形成工序)
首先，准备基板(第1基板)S1。然后，如图2(a)所示，在基板S1上依次形成缓冲膜21、以及由第1电极膜13、压电体膜15和第2电极膜17构成的层叠体K。更加具体来说，首先，使缓冲膜21在基板S1上外延生长(epitaxial growth)。缓冲膜21取向于(100)方向、(010)方向或者(001)方向，例如其上面可以使用具有{111}刻面(facet)的外延生长膜。
接着，在缓冲膜21上使第1电极膜13以及压电体膜15取向于(001)方向并依次外延生长。由此，形成使结晶取向方向与极化方向(001)一致的压电体膜15，从而即使从外部不施加电场，也能够获得产生自发极化的强电介质膜，自发极化是物质产生电偶极子。再有，在压电体膜15上形成第2电极膜17。对于第2电极膜17的形成来说，可以使用溅射法、蒸镀法、CVD法等。
基板S1的材料只要是能够在其上面形成缓冲膜21以及层叠体K的材料的话，就没有特别的限定，例如可以使用Si、MgO等。基板S1的厚度并没有特别的限定，例如可以是100～1000μm左右。另外，缓冲膜21的材料只要是使晶格常数失配(mismatch)的控制良好以及控制取向方向而使压电体膜15的结晶性良好的材料的话，就没有特别的限定，例如可以使用ZrO2膜、Y2O3膜等。缓冲膜21的厚度并没有特别的限定，例如可以是0.003～0.1μm左右。作为最优选的材料的组合的一个例子，基板S1/缓冲膜21为Si基板/ZrO2膜。
(薄膜元件部形成工序)
接着，如图2(b)所示，将层叠体K加工成所希望的形状(图形)。首先，使用光刻以及蚀刻技术，将对应于第1区域1a以及第2区域1b的形状的抗蚀图形(没有图示)形成于第2电极膜17上。之后，将该抗蚀图形作为蚀刻掩模来加以使用，从而进行层叠体K的蚀刻。在该蚀刻工序中，上侧被抗蚀图形覆盖的部分的膜13、15以及17没有被除去而残留下来，从而形成层叠体L。
接着，为了避免第2电极膜17、压电体膜15以及第1电极膜13的腐蚀，以覆盖这些膜的方式形成保护膜19。保护膜19是在涂布了构成保护膜19的树脂材料之后通过烘烤而被形成的。另外，在保护膜19为陶瓷的情况下，也可以通过溅射法、蒸镀法、CVD法等形成。由此，能够形成由层叠体L以及保护膜19构成的薄膜元件部M。
(电极形成工序)
之后，形成电极5a、5b、7a以及7b。图3(a)是用于说明该工序的模式图，图3(b)是表示IIIb-IIIb方向的截面结构的模式图。在该工序中，如图3(a)以及(b)所示，形成用于将驱动电压施加于保护膜19上的第1区域1a以及第2区域1b的各自的根部区域3的电极5a、7a以及电极5b、7b。对于形成电极5a、5b、7a以及7b来说，例如可以使用蚀刻法等。
(贴合工序以及基板除去工序)
接着，如图4(a)所示，在形成有被加工的薄膜元件部M的基板S1上以覆盖薄膜元件部M的方式形成粘结膜23。粘结膜23例如由旋转涂布法形成。之后，以支撑基板(第2基板)S2经由薄膜元件部M与基板S1相对的方式由粘结膜23将支撑基板S2贴合于基板S1。之后，依次除去基板S1以及缓冲膜21。对于基板S1的除去来说，在作为基板S1而使用Si的单结晶基板的本实施方式那样的情况下，可以使用由氟硝酸进行的湿法蚀刻或者由反应性离子蚀刻法(RIE法)等进行的干法蚀刻。还有，可以由以下的抛光法加以除去：作为前阶段的粗磨的由磨石研磨(垂直式)或者胶体二氧化硅(CMP)进行的抛光法、或者由使用软质金属平台(锡平台等)的金刚石浆料进行的抛光法。另外，对于缓冲膜21的除去来说，可以使用由RIE法进行的蚀刻。
粘结膜23的材料只要是可以将支撑基板S2贴合于薄膜元件部M的话，就没有特别的限定，可以使用聚酰亚胺以及环氧等树脂。粘结膜23的厚度并没有特别的限定，可以将与缓冲膜21的边界作为基准而取为10～100μm左右。支撑基板S2的材料只要是可以保持粘结膜23以及薄膜元件部M的材料的话，就没有特别的限定，例如可以使用Si、玻璃、陶瓷等。支撑基板S2的厚度并没有特别的限定，可以是0.1～2mm左右。最优选的材料的组合的一个例子是，支撑基板S2/粘结膜23为玻璃基板/聚酰亚胺。
(低刚性膜形成工序)
接着，如图5所示，将低刚性膜11形成于薄膜元件1的第1电极膜13上。但是，此时，在低刚性膜11上不设置基板。对于形成低刚性膜11来说，例如可以使用由喷墨法、滴涂器(dispenser)涂布法、丝网印刷法进行的图形涂布。使用旋转涂布法等将构成低刚性膜11的材料全面涂布于第1电极膜13上，之后，在通过使用光刻技术进行图形形成从而形成低刚性膜11的情况下，会担心在粘结膜23上构成低刚性膜11的材料与粘结膜23发生反应。但是，在由喷墨法、滴涂器涂布法、丝网印刷法进行的图形涂布的情况下，能够避免涂布到粘结膜23上，从而能够避免上述的问题。还有，在图形涂布的方法中，更加优选由所谓的针状式滴涂器涂布进行的涂布。根据针状式滴涂器涂布，能够使用粘度为1×10-3pa·s～3×102pa·s的广范围内的树脂而形成具有例如5μm的宽度以及1μm的厚度的图形。另外，还能够充分地抑制品质不稳定。
之后，使用溶剂来溶解粘结膜23，从而剥离粘结膜23。如果剥离粘结膜23，那么在剥离粘结膜23的同时也剥离支撑基板S2。
在本实施方式所涉及的薄膜元件1的制造方法中，将由第1电极膜13、压电体膜15以及第2电极膜17构成的层叠体K形成于基板S1上并将层叠体K加工成规定的形状，将薄膜元件部M形成于基板S1上。这样，在形成层叠体K之后，不像以往那样与最终被除去的别的基板相贴合，而是加工层叠体K并形成薄膜元件部M。另外，在本实施方式所涉及的薄膜元件的制造方法中，在形成薄膜元件部M之后，除去基板S1，将低刚性膜11形成于基板S1被除去的一侧的薄膜元件部M上。因此，能够较薄地形成低刚性膜11。如以上所述，根据本实施方式所涉及的制造方法，能够减少构成基板以及低刚性膜11的材料的消耗量。另外，伴随着基板的消耗量的减少，也减少了用于除去基板的工艺等、工艺数。其结果，能够以低成本制造薄膜元件1。
在本实施方式所涉及的薄膜元件1的制造方法中，能够不将基板设置于低刚性膜11上，并且如以上所述能够较薄地形成低刚性膜11。因此，不会使薄膜元件1的特性劣化，并且能够维持元件主体的刚性。另外，能够抑制由于低刚性膜11的过剩厚度而引起的元件的性能以及可靠性的降低。如以上所述，根据本实施方式所涉及的薄膜元件1的制造方法，能够以低成本制造可实现高性能化以及高可靠性的元件。
另外，对于形成低刚性膜11来说，因为使用由喷墨法、滴涂器涂布法、丝网印刷法进行的图形涂布，所以能够不使用光刻技术，并且能够将所希望的形状的低刚性膜11形成于薄膜元件部M上的所希望的位置。因此，使制造工艺的简便化以及时间缩短成为可能，并且能够提高制造的效率。特别是能够飞跃性地提高低刚性膜11的厚度以及形状的控制能力。
接着，参照图6、图7以及图8，对本发明所涉及的磁头悬架组件(Head Gimbals Assembly：HGA)110以及硬盘驱动器100的优选的实施方式进行详细的说明。图6是表示具备有具有本实施方式所涉及的薄膜元件1的HGA110的硬盘驱动器100的图。硬盘驱动器100使HGA110动作，并且由磁头滑动块150的薄膜磁头151将磁性信息记录以及再生于高速旋转的硬盘105的记录面。
硬盘驱动器100在框体103内具备作为记录介质的硬盘105、将磁性信息记录以及再生于该硬盘105的HGA110、进行由HGA110得到的向硬盘105的磁性信息的记录以及再生等的控制的控制部107、用于从硬盘105上使后面所述的薄膜磁头151退避的坡道机构109。
硬盘105由省略图示的马达进行旋转。HGA110由音圈马达(VCM)121而使枢轴123的旋转能够转动，并具有以对应于硬盘105的方式被安装的磁头滑动块150。
图7是本实施方式所涉及的HGA110的放大立体图，图8是图7的HGA110的立体分解图。以下，对HGA100的结构进行具体的说明。如图7以及图8所示，HGA110具有由悬挂臂120、挠曲部分130以及薄膜元件1构成的悬挂部分122、被搭载于悬挂部分122的磁头滑动块150。薄膜元件1使磁头滑动块150相对于悬挂臂120相对位移。因此，通过由薄膜元件1得到的磁头滑动块150的驱动，控制薄膜磁头151的微小移动。
悬挂臂120是金属制的构件，在前端形成有用于在磁头滑动块150退避于坡道机构109的时候搁置于斜坡的引板126。
如图8所示，挠曲部分130由用聚酰亚胺树脂等形成的具有可挠性的配线基板132以及由不锈钢形成并部分贴附于配线基板132的底面的支撑板134构成，由激光点熔接而被粘接于悬挂臂120。
配线基板132由压电执行器搭载区域136和磁头滑动块搭载区域138构成。压电执行器搭载区域136具有对应于薄膜元件1的形状的形状，并具备搭载有薄膜元件1的前端部136a、形成有薄膜元件1用的电极垫片139a～d、用于磁头滑动块150的记录用电极以及用于再生用电极等的电极垫片(没有图示)的后端部136b。薄膜元件1的第1区域1a和第2区域1b由紫外线固化型树脂而分别被粘结于压电执行器搭载区域136，各个电极5a、7a、5b、7b由焊球(solder ball)接合而分别被连接于电极垫片139a～d。
另外，磁头滑动块搭载区域138在被连续地设置于压电执行器搭载区域136的前端部136a的前端侧的区域，排列有分别被连接于磁头滑动块150的记录用垫片以及再生用垫片的记录用电极(没有图示)以及再生用电极(没有图示)。被排列于该磁头滑动块搭载区域138上的记录用电极以及再生用电极用焊球接合等的方法，并由配线基板132上的多根配线，而与所对应的挠曲部分130的后端部136b上的电极垫片相电连接。
另外，在挠曲部分130上设置有在压电执行器搭载区域136的前端部136a的中央部与磁头滑动块搭载区域138相分离地配置并搭载有被装载于磁头滑动块搭载区域138的磁头滑动块150的后端部的位移传达板133。还有，位移传达板133通过与从被贴附于压电执行器搭载区域136的后端部136b的支撑板134沿着前端部136a的外侧延伸的曲线状的翼部135相连接，从而与支撑板134一体化。如果将薄膜元件1搭载于压电执行器搭载区域136并将磁头滑动块150搭载于磁头滑动块搭载区域138以及位移传达板133，那么位移传达板133的上面与磁头滑动块150的下面相对，位移传达板133的下面与薄膜元件1的上面相对。另外，位移传达板133在薄膜元件1的动作时将薄膜元件1的位移传达到磁头滑动块150。还有，位移传达板133以及翼部135与支撑板134相同，由不锈钢构成。
HGA110具备不具有基板并且具有薄的低刚性膜11以及薄膜元件部M的薄膜元件1。如此的薄膜元件1能够避免元件的特性的降低，并且能够保持元件主体的刚性。另外，薄膜元件1因为低刚性膜11较薄，所以能够在平坦的状态下被紧密附着地搭载于压电执行器搭载区域136的前端部136a。因此，根据具备薄膜元件1的HGA110，能够谋求装置的高性能化、高可靠性以及低成本化。另外，在具备HGA110的硬盘驱动器100中也能够获得同样的效果。
以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是上述实施方式在不脱离本发明的宗旨的范围内可以进行各种各样的变更。在本实施方式中，薄膜元件1是薄膜压电执行器，但是并不限定于此，也可以是薄膜电容器。在薄膜元件1为薄膜电容器的情况下，替代由强电介质的PZT膜构成的压电体膜15而可以具备常电介质膜。另外，低刚性膜11由喷墨法、滴涂器涂布法、丝网印刷法形成，但是，也可以通过使用旋转涂布法等将构成低刚性膜11的材料全面涂布于第1电极膜13上并使用光刻技术进行图形形成而形成。
Claims (6)
1.一种薄膜元件的制造方法，其特征在于，
具备以下工序：
将包含2个以上的电极膜的层叠体形成于第1基板上的工序；
将所述层叠体加工成规定的形状并将薄膜元件部形成于所述第1基板上的工序；
以使第2基板经由所述薄膜元件部与所述第1基板相对的方式用粘结膜将所述第2基板贴合于所述第1基板的工序；
在所述贴合工序之后，除去所述第1基板的工序；
在所述第1基板的除去工序之后，将低刚性膜形成于除去了所述第1基板的一侧的所述薄膜元件部上的工序；以及
在所述低刚性膜的形成工序之后，除去所述第2基板以及所述粘结膜的工序，
在所述低刚性膜的形成工序与所述第2基板以及所述粘结膜的除去工序之间，不将基板设置于所述低刚性膜上。
2.如权利要求1所述的薄膜元件的制造方法，其特征在于，
通过由喷墨法、滴涂器涂布法或者丝网印刷法进行的图形涂布，进行所述低刚性膜的形成。
3.一种薄膜元件，其特征在于，
所述薄膜元件是由如权利要求1或者2所述的制造方法制造得到的薄膜元件，
所述薄膜元件具备：
低刚性膜；和
薄膜元件部，被设置于所述低刚性膜上，并且包含第1电极膜以及第2电极膜。
4.如权利要求3所述的薄膜元件，其特征在于，
所述薄膜元件部可通过将电压施加于所述第1电极膜与所述第2电极膜之间而伸缩变形驱动。
5.一种磁头悬架组件，其特征在于，
具备：
磁头滑动块，具有薄膜磁头，该薄膜磁头相对于记录介质进行记录或者再生中的至少一者；
悬挂装置，搭载有所述磁头滑动块；以及
薄膜元件，使所述磁头滑动块相对于所述悬挂装置相对位移，
所述薄膜元件是由如权利要求1或者2所述的制造方法制造的薄膜元件。
6.一种硬盘驱动器，其特征在于，
具备权利要求5所述的磁头悬架组件。
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