CN102023492B - 带电粒子束描画装置及其邻近效应校正方法 - Google Patents

带电粒子束描画装置及其邻近效应校正方法 Download PDF

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Abstract

一种带电粒子束描画装置及该装置的邻近效应校正方法。带电粒子束描画装置制作具有多个网格的图，制作面积与位于各网格内的图形的总面积相等的代表图形，根据位于各网格内的代表图形的面积来计算各网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量。在需要变更用于描画与图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的情况下，带电粒子束描画装置在代表图形制作部制作代表图形之前变更该图形的面积，从而变更邻近效应校正照射量计算部所计算出的用于描画与该图形相对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。

Description

带电粒子束描画装置及其邻近效应校正方法
本发明基于2009年9月18日提交的日本专利申请(申请号：2009-216469号)，主张该在先专利申请的优先权，该在先专利申请的全部内容都包含于本申请的文件中。 
技术领域
本发明涉及一种带电粒子束描画装置及其邻近效应校正方法，通过对上表面涂敷了抗蚀剂的试样照射带电粒子束，在试样的描画区域描画与描画数据中所包含的多个图形相对应的多个图案。 
背景技术
以往，已知有下述这样的带电粒子束描画装置：通过对上表面涂敷有抗蚀剂的例如掩模基板(中间掩模：reticule)、晶片等的试样照射带电粒子束，在试样的描画区域描画与描画数据(EB数据)中所包含的多个图形相对应的多个图案。作为这样的带电粒子束描画装置的例子，例如日本特开2003-318077号公报等所记载的装置。在日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置中，以描画数据(EB数据)中所包含的多个图形位于邻近效应校正用图(map)内的方式，制作具有多个2μm的网格(mesh)的邻近效应校正用图(参照专利文献1的图10(a)、图10(c)以及段落[0095])。另外，在日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置中，制作面积与位于各网格内的图形的总面积相等的代表图形(参照专利文献1的图10(c)以及段落[0096])。此外，在日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置中，通过对邻近效应校正方程式(专利文献1的段落[0030]参照)求解，计算每个2μm的网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量(最佳照射量D(x))(参照专利文献1的图10(d)、段落[0041]、段落[00044]、段落[0072]、段落[0109]等)。 
详细地讲，在日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画 装置中，在计算每个2μm的网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量(最佳照射量D(x))时，反映各网格内的代表图形的面积。具体地讲，在网格内的代表图形的面积大的情况下，即，在网格内的图形的面积密度高的情况下，为了描画与该网格内的图形对应的图案而照射的带电粒子束量变多，因此，对周边的网格内的图形造成的后方散射的影响变大。对此，在网格内的代表图形的面积小的情况下，即，网格内的图形的面积密度低的情况下，为了描画与该网格内的图形对应的图案而照射的带电粒子束量变少，因此，对周边的网格内的图形造成的后方散射的影响变小。 
下述的式1示出了例如日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置的那样的以往一般的带电粒子束描画装置中的“通过带电粒子束的前方散射而蓄积在抗蚀剂中的带电粒子束的蓄积能量”(式1的左边的左侧部分)、“通过带电粒子束的后方散射而蓄积在抗蚀剂中的带电粒子束的蓄积能量”(式1的左边的右侧部分)和“抗蚀剂中蓄积的带电粒子束的蓄积能量的合计值”(式1的右边)之间的关系。 
式1 
D ( x ) 2 + η ∫ ∫ pattern D ( x ′ ) g ( x - x ′ ) dx ′ = E 0
其中，在例如芯片程度的单位描画区域整体中E0为一定值。 
详细地讲，在式1中，E0(式1的右边)表示抗蚀剂上的任意的位置x(详细地讲，x表示位置矢量)的抗蚀剂中所蓄积的带电粒子束的蓄积能量。此外，在式1中，D(x)表示朝向抗蚀剂上的位置x从光学镜筒照射的带电粒子束的邻近效应校正照射量。另外，式1的左边的左侧部分(D(x)/2)表示朝向抗蚀剂上的位置x从光学镜筒照射的带电粒子束中的、在位置x蓄积在抗蚀剂中的带电粒子束的蓄积能量。即，式1基于下述想法：朝向抗蚀剂上的位置x从光学镜筒照射的带电粒子束的照射量(D(x))的一半的量(D(x)/2)在位置x蓄积在抗蚀剂中。另外，式1左边的右侧部分表示了从光学镜筒向抗蚀剂的描画区域整体的任意的位置x’照射的带电粒子束中的、因邻近效应(后方散射)而蓄积在抗蚀剂上的位置x的带电粒子束的蓄积能量。详细地讲，在式1中，η表示邻近效应校正系数， g表示邻近效应影响分布。在以往的一般的带电粒子束描画装置中，作为邻近效应影响分布g而使用了例如高斯分布(正规分布)。下述的式2～式8示出了例如日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置这样的以往的一般的带电粒子束描画装置中所使用的邻近效应校正方程式。 
式2 
g ( x - x ′ ) = 1 π σ 2 exp [ - ( x - x ′ ) 2 σ 2 ]
式3 
D ( x ) = Σ n = 0 ∞ d n ( x )
式4 
d 0 ( x ) = E 0 1 / 2 + ηU ( x )
式5 
E0＝(1/2+η)Dbase
式6 
d n ( x ) = η d 0 ( x ) E 0 [ d n - 1 ( x ) U ( x ) - V n ( x ) ] , ( n ≥ 1 )
式7 
U(x)＝∫patterng(x-x′)dx′ 
式8 
Vn(x)＝∫patterndn-1(x′)g(x-x′)dx′ 
式3与日本特开2003-318077号公报的段落[0030]的式1对应，式4与日本特开2003-318077号公报的段落[0030]的式2对应，式6与日本特开2003-318077号公报的段落[0030]的式3对应，式7与日本特开2003-318077号公报的段落[0030]的式4对应，式8与日本特开2003-318077号公报的段落[0030]的式5对应。在式2中，σ表示邻近效应影响分布g的标准偏差。此外，在式5中，Dbase表示带电粒子束的基准照射量。即，在例如日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置那样的以往的带电粒子束描画装置中，基于带电粒子束的前方散射的蓄积能量(式1的左边的左侧部分)和基于带电粒子束的后方散射的蓄积能量(式1的左边的右侧部分)的合计值(式1的右边)在试样的描画区域整体中的例如芯片程度的单位描画区域中为一定值，在该条件的下通过求解邻近效应校正方程式(式2～式8)，从而计算每个网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量D(x)。 
然而，在描画于试样的图案发生异常的情况下，不仅例如芯片程度的单位描画区域整体的图案发生异常的情况，还有例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生异常的情况。假设，在发生了例如芯片程度的单位描画区域整体的图案的线宽比所期望的线宽细的异常的情况下，在例如日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置那样的以往的带电粒子束描画装置中，基于带电粒子束的前方散射的蓄积能量(式1的左边的左侧部分)和基于带电粒子束的后方散射的蓄积能量(式1的左边的右侧部分)的合计值(式1的右边)在例如芯片程度的单位描画区域整体中成为一定值，通过在这样的条件下使各网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量D(x)增加，能够解决图案异常的问题。此外，假设，在发生了例如芯片程度的单位描画区域整体的图案的线宽比所期望的线宽粗的异常的情况下，在例如日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置那样的以往的带电粒子束描画装置中，基于带电粒子束的前方散 射的蓄积能量(式1的左边的左侧部分)和基于带电粒子束的后方散射的蓄积能量(式1的左边的右侧部分)的合计值(式1的右边)在例如芯片程度的单位描画区域整体成为一定值，通过在这样的条件下使各网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量D(x)减少，能够解决图案异常的问题。 
然而，假设在例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生异常的情况下，为了解决该异常的问题，若仅变更例如芯片程度的单位描画区域中的某网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量D(x)，则不再满足“合计值(式1的右边)在例如芯片程度的单位描画区域整体为一定值”这个条件。因此，在例如日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置这样的以往的带电粒子束描画装置中，由于仅能够变更例如芯片程度的单位描画区域中的某网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量D(x)，因此不能够解决例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生异常的问题。因此，以往在需要解决例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案的发生异常的问题的情况下，例如，一般使用光刻(lithography)技术或计算机光刻技术。 
在例如一般的光刻技术中，在例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生的异常被认为是由例如抗蚀剂工艺(详细地讲，例如抗蚀剂的涂敷、预焙、显影、后焙等)所引起的情况下，通过逐渐地改变图案的形状来进行模拟，描画的图案的形状会接近所期望的图案的形状。其结果，能够解决例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生异常的问题。然而，在一般的光刻技术中，为了解决例如芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生异常的问题，不仅需要变更带电粒子束的照射量，还必须研究掩模工艺(抗蚀剂工艺)整体的变更。因此，在一般的光刻技术中，不能够通过简单的方法来解决例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生异常的问题。 
此外，在近年急速发展的计算机光刻技术中，在掩模图案、光学系等的设定为最佳化之后驱使计算机，通过适用掩模工艺(抗蚀剂工艺)修正，能够解决例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生异常的问题。然而，关于计算机光刻技术，为了解决例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生异常的问题，必须对考虑了掩模工艺(抗蚀 剂工艺)整体的掩模工艺模型的变更进行研究。此外，由于计算机的计算时间变大因此成本增加。因此，关于计算机光刻技术，也不能够通过简单的方法来解决例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生异常的问题。 
发明内容
本发明目的在于提供一种能够通过简单的方法来解决例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生异常的问题的带电粒子束描画装置及其邻近效应校正方法。 
详细地讲，本发明的目的在于提供一种通过简单的方法来解决由例如抗蚀剂工艺(掩模工艺)、未知的机构(mechanism)等引起的例如大小变动等的异常、例如仅芯片程度的单位描画区域中的局部部分的图案发生的异常的问题的带电粒子束描画装置及其邻近效应校正方法。 
本发明的一个方式提供一种带电粒子束描画装置，其特征在于，具有：描画部，通过向上表面涂敷有抗蚀剂的试样照射带电粒子束，在试样的描画区域描画与描画数据中所包含的多个图形对应的多个图案；邻近效应校正用图制作部，以描画数据中所包含的多个图形位于邻近效应校正用图内的方式，制作具有多个网格的邻近效应校正用图；代表图形制作部，按每个网格来制作面积与位于各网格内的图形的总面积相等的代表图形；邻近效应校正照射量计算部，根据位于各网格内的代表图形的面积来计算各网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量；图形面积变更部，在需要变更用于描画与图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的情况下，在通过代表图形制作部制作代表图形之前，变更该图形的面积；以及邻近效应校正照射量变更部，在需要变更用于描画与该图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的情况下，变更由邻近效应校正照射量计算部计算出的用于描画与该图形相对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。 
本发明的另一个方式提供一种带电粒子束描画装置的邻近效应校正方法，通过向上表面涂敷有抗蚀剂的试样照射带电粒子束，在试样的描画区域描画与描画数据中所包含的多个图形相对应的多个图案，该带电粒子束 描画装置的邻近效应校正方法包括以下步骤：以描画数据中所包含的多个图形位于邻近效应校正用图内的方式，通过邻近效应校正用图制作部来制作具有多个网格的邻近效应校正用图；通过代表图形制作部来制作面积与位于各网格内的图形的总面积相等的代表图形；通过邻近效应校正照射量计算部根据位于各网格内的代表图形的面积来计算各网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量；在需要变更用于描画与图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的情况下，在通过代表图形制作部制作代表图形之前，通过图形面积变更部来变更该图形的面积；在需要变更用于描画与该图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的情况下，通过邻近效应校正照射量变更部来变更由邻近效应校正照射量计算部计算出的用于描画与该图形相对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。 
本发明的其他的对象、特征以及优点将通过下述内容来进一步说明。 
附图说明
图1是第1实施方式的带电粒子束描画装置10的概略构成图。 
图2是图1所示的控制部10b的控制计算机10b1的详细图。 
图3是用于说明在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中通过带电粒子束10a1b的1次发射(shot)能够向试样M的描画区域描画的图案P的一例的图。 
图4是概略表示图1及图2所示的描画数据D的一例的图。 
图5是表示通过带电粒子束10a1b来描画与描画数据D中所包含的图形FG1对应的图案P1的描画顺序的一例的图。 
图6是用于详细说明由图2所示的邻近效应校正部10b1b所进行的邻近效应校正处理等的图。 
图7是用于详细说明由图2所示邻近效应校正部10b1b所进行的邻近效应校正处理等的图。 
图8是用于详细说明由图2所示的邻近效应校正部10b1b所进行的邻近效应校正处理等的图。 
图9是用于详细说明由图2所示的邻近效应校正部10b1b所进行的邻近效应校正处理等的图。 
图10是表示识别是否有必要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的例子的图，所述带电粒子束用于描画与描画数据D中所包含的多个图形对应的图案。 
图11是表示识别是否有必要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的例子的图，所述带电粒子束用于描画与描画数据D中所包含的多个图形对应的图案。 
图12是表示识别是否有必要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的例子的图，所述带电粒子束用于描画与描画数据D中所包含的多个图形对应的图案。 
图13是表示识别是否有必要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的例子的图，所述带电粒子束用于描画与描画数据D中所包含的多个图形对应的图案。 
图14是表示识别是否有必要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的例子的图，所述带电粒子束用于描画与描画数据D中所包含的多个图形对应的图案。 
图15是表示识别是否有必要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的例子的图，所述带电粒子束用于描画与描画数据D中所包含的多个图形对应的图案。 
图16是用于说明需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形FG60和不需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形FG61位于邻近效应校正用图的同一网格Ma内的情况下第1实施方式的带电粒子束描画装置10的邻近效应校正部10b1b所进行的邻近效应校正处理的图。 
图17是表示在描画数据D上同一大小的芯片CP01、CP02、CP03配置在同一位置的例子等的图。 
具体实施方式
图1是第1实施方式的带电粒子束描画装置10的概略构成图。图2是图1所示的控制部10b的控制计算机10b1的详细图。如图1所示，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中例如设有描画部10a，该描画部10a通过向上表面涂敷有抗蚀剂的例如掩模基板(中间掩模)、晶片等的试样 M照射带电粒子束10a1b，向试样M的描画区域描画目的图案。 
在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，作为带电粒子束10a1b使用了例如电子束，在第2实施方式的带电粒子束描画装置10中，取代上述电子束，作为带电粒子束10a1b可以使用例如离子束等的电子束以外的带电粒子束。 
在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1所示，例如，在描画部10a上设置了带电粒子枪10a1a、使从带电粒子枪10a1a照射出的带电粒子束10a1b偏转的偏转器10a1c、10a1d、10a1e、10a1f、以及载置试样M的可动台10a2a，所述试样M基于被偏转器10a1c、10a1d、10a1e、10a1f偏转后的带电粒子束10a1b来进行描画。 
详细地讲，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1所示，例如，在构成描画部10a的一部分的描画室10a2上配置有载置了试样M的可动台10a2a。该可动台10a2a构成为，例如，能够在X轴方向(图1的左右方向)以及与X轴方向正交的Y轴方向(未图示)上移动。 
另外，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1所示，例如，在构成描画部10a的一部分的光学镜筒10a1上配置有带电粒子枪10a1a、偏转器10a1c、10a1d、10a1e、10a1f、透镜10a1g、10a1h、10a1i、10a1j、10a1k、第1成形孔径(aperture)部材10a1l、以及第2成形孔径部材10a1m。 
具体地讲，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图2所示，例如，若描画数据D被输入控制计算机10b1，则输入的描画数据D被送至发射分割部10b1a，进行发射分割处理，关于发射分割处理详见后述。此外，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，输入的描画数据D被送至邻近效应校正部10b1b，进行邻近效应校正处理，关于邻近效应校正处理详见后述。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图2所示，例如，根据发射分割部10b1a所进行的发射分割处理结果和邻近效应校正部10b1b所进行的邻近效应校正处理结果，通过发射数据生成部10b1g，生成用于照射带电粒子束10a1b的发射数据，该带电粒子束10a1b对试样M的描画区域进行图案描画。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图2所示，例如，发射数据生成部10b1g所生成的发射数据被送至偏转控制部10b1h。接着，例如，基于发射数据，偏转控制部10b1h控制偏转器10a1c、10a1d、10a1e、10a1f，其结果，来自带电粒子枪10a1a的带电粒子束10a1b照射在试样M的描画区域内的所期望的位置。 
详细地讲，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图2所示，例如，根据发射数据生成部10b1g所生成的发射数据，通过偏转控制部10b1h经由偏转控制回路10b2来控制消隐(blanking)偏转器10a1c，使得从带电粒子枪10a1a照射的带电粒子束10a1b透射例如第1成形孔径部材10a1l的开口10a1l’(参照图3(A))并照射在试样M上，或者，通过例如第1成形孔径部材10a1l的开口10a1l’以外的部分来遮挡从带电粒子枪10a1a照射的带电粒子束10a1b而不照射在试样M上，在这两个状态之间切换。即，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，通过控制消隐偏转器10a1c，例如能够控制带电粒子束10a1b的照射时间。 
此外，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图2所示，例如，根据发射数据生成部10b1g所生成的发射数据，偏转控制部10b1h经由偏转控制回路10b3来控制束尺寸可变偏转器10a1d，从而透射了第1成形孔径部材10a1l的开口10a1l’(参照图3(A))的带电粒子束10a1b被束尺寸可变偏转器10a1d偏转。接着，使被束尺寸可变偏转器10a1d偏转后的带电粒子束10a1b的一部分透射第2成形孔径部材10a1m的开口10a1m’(参照图3(A))。即，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过束尺寸可变偏转器10a1d来调整带电粒子束10a1b的偏转量、朝向等，从而能够调整向试样M的描画区域照射的带电粒子束10a1b的大小、形状等。 
图3(A)、图3(B)、图3(C)、图3(D)、图3(E)、图3(F)、图3(G)、图3(H)以及图3(I)是用于说明在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中通过带电粒子束10a1b的1次发射能够对试样M的描画区域进行描画的图案P的一例的图。在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图3(A)所示，例如，在通过带电粒子束10a1b在试样M的描画区域描画图案P(参照图3(A))时，使从带电粒子枪10a1a (参照图1)照射出的带电粒子束10a1b的一部分透射第1成形孔径部材10a1l的例如正方形的开口10a1l’(参照图3(A))。其结果，透射了第1成形孔径部材10a1l的开口10a1l’的带电粒子束10a1b的水平断面形状为例如大致正方形。接着，使透射了第1成形孔径部材10a1l的开口10a1l’的带电粒子束10a1b的一部分透射第2成形孔径部材10a1m的开口10a1m’(参照图3(A))。 
此外，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图3(A)所示，例如，通过偏转器10a1d(参照图1)使透射了第1成形孔径部材10a1l的开口10a1l’(参照图3(A))的带电粒子束10a1b偏转，由此透射了第2成形孔径部材10a1m的开口10a1m’(参照图3(A))的带电粒子束10a1b的水平断面形状可以是例如矩形(正方形或长方形)，也可以是例如三角形。 
另外，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图3(A)所示，例如，使透射了第2成形孔径部材10a1m的开口10a1m’(参照图3(A))的带电粒子束10a1b向试样M的描画区域内的规定的位置仅持续照射规定的照射时间，由此能够在试样M的描画区域描画与透射了第2成形孔径部材10a1m的开口10a1m’(参照图3(A))的带电粒子束10a1b的水平断面形状大致同一形状的图案P(参照图3(A))。 
即，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图3(A)所示，通过控制透射了第1成形孔径部材10a1l的开口10a1l’(参照图3(A))的带电粒子束10a1b被偏转器10a1d(参照图1)偏转的量以及朝向，例如，能够通过带电粒子束10a1b的1次发射在试样M的描画区域描画如图3(B)、图3(C)、图3(D)以及图3(E)所示的大致矩形(正方形或长方形)的图案P，如图3(F)、图3(G)、图3(H)以及图3(I)所示的大致三角形的图案P等。 
另外，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图2所示，例如，根据发射数据生成部10b1g所生成的发射数据，通过偏转控制部10b1h经由偏转控制回路10b4来控制主偏转器10a1e，使得透射了第2成形孔径部材10a1m的开口10a1m’(参照图3(A))的带电粒子束10a1b被主偏转器10a1e偏转。 
此外，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图2所示，例如，根据发射数据生成部10b1g所生成的发射数据，通过偏转控制部10b1h经由偏转控制回路10b5来控制副偏转器10a1f，使得被主偏转器10a1e偏转后的带电粒子束10a1b被副偏转器10a1f进行进一步的偏转。即，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过被主偏转器10a1e以及副偏转器10a1f来调整带电粒子束10a1b的偏转的量、朝向等，能够调整向试样M的描画区域照射的带电粒子束10a1b的照射位置。 
另外，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1及图2所示，例如，根据发射数据生成部10b1g所生成的发射数据，台控制部10b1i经由台控制回路10b6来控制可动台10a2a的移动。 
在图1及图2所示的例子中，例如，通过将半导体集积回路的设计者等所制作的布置(layout)数据(CAD数据、设计数据)变换为带电粒子束描画装置10用的格式所得到的描画数据D输入带电粒子束描画装置10的控制计算机10b1。一般来讲，布置数据(CAD数据、设计数据)中包含有多个微小的图案，布置数据(CAD数据、设计数据)的数据量成为较大容量。另外，一般来讲，若将布置数据(CAD数据、设计数据)等变换为其他的格式，变换后的数据的数据量进一步增大。鉴于这一点，在布置数据(CAD数据、设计数据)以及描画数据D中采用数据的分级化，实现数据量的压缩化。 
图4是概略表示图1及图2所示的描画数据D的一例的图。在图4所示的例子中，适用于第1实施方式的带电粒子束描画装置10的描画数据D(参照图1及图2)被分级为，例如，芯片层级CP、处于芯片层级CP下级的框架层级FR、处于框架层级FR下级的块层级BL、处于块层级BL下级的的单元(cell)层级CL，以及，处于单元层级CL下级的图形层级FG。 
详细地讲，在图4所示的例子中，例如，作为芯片层级CP的要素的一部分的芯片CP1与作为框架层级FR的要素的一部分的3个框架FR1、FR2、FR3对应。此外，例如，作为框架层级FR的要素的一部分的框架FR2与作为块层级BL的要素的一部分的18个块BL00、...、BL52对应。另外，例如，作为块层级BL的要素的一部分的块BL21与作为单元层级CL的要素的一部分的多个单元CLA、CLB、CLC、CLD、...对应。此外，例如， 作为单元层级CL的要素的一部分的单元CLA与作为图形层级FG的要素的一部分的多个图形FG1、FG2、...对应。 
在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，如图1、图2及图4所示，与描画数据D(参照图1及图2)中所包含的多个图形FG1、FG2、...(参照图4)对应的多个图案通过带电粒子束10a1b(参照图1)而在试样M(参照图1)的描画区域被描画。 
图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)、图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)以及图5(I)是表示通过带电粒子束10a1b来描画与描画数据D中所包含的图形FG1对应的图案P1的描画顺序的一例的图。详细地讲，图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)、图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)以及图5(I)是用于说明在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中通过带电粒子束10a1b在试样M的描画区域描画与描画数据D中所包含的图形FG1对应的图案P1时所需的带电粒子束10a1b的发射次数的一例的图。 
在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，与例如描画数据D(参照图1及图2)中所包含的图形FG1(参照图4)对应的图案P1(参照图5(I))比最大尺寸的图案P(参照图3(B))大的情况(等)下，如图5(A)～图5(I)所示，进行多次的带电粒子束10a1b(参照图3(A))的发射。换言之，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如与描画数据D中所包含的图形FG1对应的图案P1比最大尺寸的图案P大的情况(等)下，通过发射分割部10b1a(参照图2)，在描画数据D上将描画数据D中所包含的图形FG1分割处理(发射分割处理)成与图案P1a、P1b、P1c、P1d、P1e、P1f、P1g、P1h、P1i(参照图5)对应的多个小的图形(未图示)。另外，根据发射分割部10b1a的发射分割处理结果，通过发射数据生成部10b1g(参照图2)来生成发射数据。 
详细地讲，在图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)、图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)以及图5(I)所示的例子中，例如，首先最初，如图5(A)所示，通过第1次的带电粒子束10a1b(参照图3(A))的发射，与最大尺寸的图案P(参照图3(B))同一形状的图案P1a在试样M的描画区域被描画。 
接着，在图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)、图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)以及图5(I)所示的例子中，通过第2次的带电粒子束10a1b(参照图3(A))的发射来描画图案P1b(参照图5(B))，通过第3次的带电粒子束10a1b的发射来描画图案P1c(参照图5(C))，通过第4次的带电粒子束10a1b的发射来描画图案P1d(参照图5(D))，通过第5次的带电粒子束10a1b的发射来描画图案P1e(参照图5(E))，通过第6次的带电粒子束10a1b的发射来描画图案P1f(参照图5(F))，通过第7次的带电粒子束10a1b的发射来描画图案P1g(参照图5(G))，通过第8次的带电粒子束10a1b的发射来描画图案P1h(参照图5(H))，通过第9次的带电粒子束10a1b的发射来描画图案Pli(参照图5(I))。 
其结果，在图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)、图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)以及图5(I)所示的例子中，与描画数据D(参照图1及图2)中所包含的图形FG1(参照图4)对应的图案P1(参照图5(I))被描画在试样M(参照图5)的描画区域中。 
在图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)、图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)以及图5(I)所示的例子中，描画与最大尺寸的图案P(参照图3(B))同一形状的图案P1a、P1b、P1d、P1e的带电粒子束10a1b(参照图3(A))的发射进行4次也没能够在试样M的描画区域描画出图案P1，为了在试样M的描画区域描画图案P1而需要进行9次带电粒子束10a1b的发射，为了容易理解地说明上述情况，针对描画与最大尺寸的图案P(参照图3(B))同一形状的图案P1a、P1b、P1d、P1e的带电粒子束10a1b的4次发射以及描画比最大尺寸的图案P(参照图3(B))小的图案P1c、P1f、P1g、P1h、P1i的带电粒子束10a1b的5次发射进行了发射分割处理。在实际的带电粒子束描画装置10中，以避免描画例如图案Pli(参照图5(I))那样的微小图案的方式来执行发射分割处理。即，例如，在通过带电粒子束10a1b的9次发射来描画图案P1(参照图5(I))的情况下，通过带电粒子束10a1b的1次发射来描画将图案P1按图5(I)的左右方向3列×图5(I)的上下方向3列9等分后的图案。 
图6～图9是用于详细说明第1实施方式的带电粒子束描画装置10的 特征部分，即图2所示的邻近效应校正部10b1b所进行的邻近效应校正处理等的图。在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，为了即使例如芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的仅局部部分的图案发生异常的情况下也能够解决该异常的问题，构成有邻近效应校正部10b1b(参照图2)。在例如芯片CP1程度的单位描画区域中的仅局部部分的图案发生异常的情况下，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，也适用式1所示的关系，进行与例如日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置那样以往的一般的带电粒子束描画装置相同的邻近效应校正处理。 
具体地讲，例如，在向控制计算机10b1(参照图2)输入的描画数据D(参照图2)中包含有图形FG01、FG02(参照图6(A))的情况下，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，首先最初，例如，通过邻近效应校正用图制作部10b1b1(参照图2)，以使图形FG01、FG02位于邻近效应校正用图(参照图6(A))内的方式，制作具有多个例如2μm的网格(参照图6(A))的邻近效应校正用图。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过代表图形制作部10b1b2(参照图2)，制作代表图形f00、...、f60、f01、f11、f02、...、f32(参照图6(C))，该代表图形f00、...、f60、f01、f11、f02、...、f32(参照图6(C))具有与位于各网格M00、...、M60、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(A)及图6(B))内的图形FG01、FG02(参照图6(A))的一部分的总面积相等的面积。即，在图6(A)、图6(B)及图6(C)所示的例子中，代表图形f00(参照图6(C))的面积与位于网格M00(参照图6(B))内的图形FG01(参照图6(A))的一部分的总面积相等，代表图形f20(参照图6(C))的面积与位于网格M20(参照图6(B))内的图形FG02(参照图6(A))的一部分的总面积相等。 
在图6(A)、图6(B)及图6(C)所示的例子中，为了使计算简单化，代表图形f00、...、f60、f01、f11、f02、...、f32(参照图6(C))的重心位置设定在各网格M00、...、M60、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))的中心位置，但在要求严密计算的其他的例子(未图示)中，代表图形f00、...、f60、f01、f11、f02、...、f32(参照图6(C))的重心位置没有设置在各网格M00、...、M60、M01、M11、M02、...、M32(参 照图6(B))的中心位置，例如，使代表图形f00(参照图6(C))的重心位置与图形FG01(参照图6(A))中的位于网格M00(参照图6(B))内的部分的重心位置一致。此外，使代表图形f20(参照图6(C))的重心位置与图形FG02(参照图6(A))中的位于网格M20(参照图6(B))内的部分的重心位置一致。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)，根据位于各网格M00、...、M60、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))内的代表图形f00、...、f60、f01、f11、f02、...、f32(参照图6(C))的面积，计算各网格M00、...、M60、M01、...、M61、M02、...、M62的带电粒子束的邻近效应校正照射量D00、...、D60、D01、...、D61、D02、...、D62(参照图6(D))。 
详细地讲，在图6(A)、图6(B)、图6(C)及图6(D)所示的例子中，例如，在代表图形f01(参照图6(C))的面积较大的网格M01(参照图6(B))内，为了描画与位于网格M01内的图形FG01(参照图6(A))对应的图案而照射的带电粒子束10a1b(参照图1)的量变多，因此，给周边的网格(例如网格M20(图6(B)参照))内的图形(例如图形FG02(参照图6(A)))带来的后方散射(式1的左边的右侧部分)的影响变大。另一方面，例如，在代表图形f60(参照图6(C))的面积较小的网格M60(参照图6(B))内，为了描画与位于网格M60内的图形FG02(参照图6(A))对应的图案而照射的带电粒子束10a1b(参照图1)的量变少，因此，给周边的网格(未图示)内的图形(未图示)带来的后方散射(式1的左边的右侧部分)的影响变小。 
更详细地讲，在图6(A)、图6(B)、图6(C)及图6(D)所示的例子中，通过对式2～式8所示的邻近效应校正方程式求解，计算各网格M00、...、M60、M01、...、M61、M02、...、M62(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D00、...、D60、D01、...、D61、D02、...、D62(参照图6(D))。 
具体地讲，在图6(A)、图6(B)、图6(C)及图6(D)所示的例子中，与日本特开2003-318077号公报的例如段落[0104]～段落[0109]中所记载的例子相同，与第1项相当的照射量d0(x)(n＝0)(参照式4)、 裕第2项相当的照射量d1(x)(n＝1)(参照式6)和与第3项相当的照射量d2(x)(n＝2)(参照式6)之和(d0(x)+d1(x)+d2(x))作为带电粒子束的邻近效应校正照射量D(x)(参照式3)而被使用。 
即，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，在例如芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的仅局部部分的图案没有发生异常的情况下，与例如日本特开2003-318077号公报所记载的带电粒子束描画装置那样的以往的带电粒子束描画装置相同，在基于带电粒子束的前方散射的蓄积能量(式1的左边的左侧部分)和基于带电粒子束的后方散射的蓄积能量(式1的左边的右侧部分)的合计值(式1的右边)在试样M(参照图1)的描画区域整体中的、例如芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中成为一定值E0的条件下，通过对邻近效应校正方程式(式2～式8)求解，计算各网格M00、...、M60、M01、...、M61、M02、...、M62(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D00、...、D60、D01、...、D61、D02、...、D62(参照图6(D))。 
此外，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，通过发射分割部10b1a(参照图2)，将图形FG01(参照图6(A))发射分割处理成多个小的发射图形S01a、S01b、S01c、...(参照图7)，将图形FG02(参照图6(B))发射分割处理成多个小的发射图形S02a、S02b、S02c、S02d、S02e、S02f、S02g、S02h(参照图7)。 
详细地讲，在图7所示的例子中，例如，由于发射图形S01a、S01b的例如重心位于网格M00(参照图6(B))内，因此用于照射与发射图形S01a、S01b对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D00(参照图6(D))。此外，由于发射图形S01c的例如重心位于网格M10(参照图6(B))内，因此用于照射与发射图形S01c对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D10(参照图6(D))。另外，由于发射图形S02a的例如重心位于网格M20(参照图6(B))内，因此用于照射与发射图形S02a对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D20(参照图6(D))。此外，由于发射图形S02b、S02c的例如重心位于网格M30(参照图6(B))内，因此用于照射与发射图形S02b、S02c对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D30(参照图6(D))。另外，由于发 射图形S02d、S02e的例如重心位于网格M40(参照图6(B))内，因此用于照射与发射图形S02d、S02e对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D40(参照图6(D))。此外，由于发射图形S02f、S02g的例如重心位于网格M50(参照图6(B))内，因此用于照射与发射图形S02f、S02g对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D50(参照图6(D))。另外，由于发射图形S02h的例如重心位于网格M60(参照图6(B))内，因此用于照射与发射图形S02h对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D60(参照图6(D))。 
图8(A)、图8(B)及图8(C)是表示例如芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的仅局部部分的图案产生的异常的例子。在图8(A)、图8(B)及图8(C)所示的例子中，与图形FG02(参照图8(A))对应的线状的图案比目标线宽窄。图9(A)、图9(B)及图9(C)是表示例如芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的仅局部部分的图案产生了异常的其他的例子。在图9(A)、图9(B)及图9(C)所示的例子中，与图形FG02(参照图8(A))对应的线状的图案比目标线宽宽。在例如芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的仅局部部分的图案产生异常的情况下，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，适用下述的式9所示的关系，进行邻近效应校正处理。 
式9 
Figure 975502DEST_PATH_GSB00000432311000021
即，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，在例如芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的仅局部部分的图案产生异常的情况下，在基于带电粒子束的前方散射的蓄积能量(式9的左边的左侧部分)和基于带电粒子束的后方散射的蓄积能量(式9的左边的右侧部分)的合计值(式9的右边)在试样M(参照图1)的描画区域整体中的、例如芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中不成为一定值E0(式9的右边的定数项) 的条件下，通过对邻近效应校正方程式(式2～式8)求解，计算各网格M00、...、M60、M01、...、M61、M02、...、M62(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量。 
具体地讲，在例如芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的仅局部部分的图案产生异常，与图形FG02(参照图8(A))对应的线状的图案比目标线宽窄的情况下，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，首先最初，例如，通过邻近效应校正用图制作部10b1b1(参照图2)，以图形FG01、FG02位于邻近效应校正用图(参照图8(A))内的方式，制作具有多个例如2μm的网格(参照图8(A))的邻近效应校正用图。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，在通过代表图形制作部10b1b2(参照图2)制作代表图形f20、f30、f40、f50、f60(参照图6(C))之前，通过图形面积变更部10b1b2a(参照图2)，使需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形FG02(参照图8(A))的面积变大。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过代表图形制作部10b1b2(参照图2)，制作代表图形f00、f10、f01、f11、f02、...、f32(参照图8(B))，并且制作代表图形f20a、f30a、f40a、f50a、f60a(参照图8(B))，所述代表图形f00、f10、f01、f11、f02、...、f32(参照图8(B))具有与位于各网格M00、M10、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))内的图形FG01(参照图8(A))的一部分的总面积相等的面积，所述代表图形f20a、f30a、f40a、f50a、f60a(参照图8(B))具有与位于各网格M20、...、M60(参照图6(B))内的面积变大了的图形FG02(参照图8(A))的一部分的总面积相等的面积。 
详细地讲，在图8(A)、图8(B)及图8(C)所示的例子中，例如，代表图形f20a(参照图8(B))的面积Sf20a比代表图形f20(参照图6(C))的面积Sf20变大x1％。此外，代表图形f30a(参照图8(B))的面积Sf30a比代表图形f30(参照图6(C))的面积Sf30变大x1％。另外，代表图形f40a(参照图8(B))的面积Sf40a比代表图形f40(参照图6(C))的面积Sf40变大x1％。此外，代表图形f50a(参照图8(B))的面积Sf50a比代表图形f50(参照图6(C))的面积Sf50变大x1％。另外， 代表图形f60a(参照图8(B))的面积Sf60a比代表图形f60(参照图6(C))的面积Sf60变大x1％。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)，根据位于各网格M00、...、M60、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))内的代表图形f00、f10、f20a、f30a、f40a、f50a、f60a、f01、f11、f02、...、f32(参照图8(B))的面积，计算各网格M00、M10、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D00’、D10’、D01’、D11’、D02’、...、D32’(参照图8(C))，并且根据位于各网格M00、...、M60、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))内的代表图形f00、f10、f20a、f30a、f40a、f50a、f60a、f01、f11、f02、...、f32(参照图8(B))的面积，计算各网格M20、...、M60(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D20’、D30’、D40’、D50’、D60’(参照图8(C))。 
即，如图8(B)所示，若各网格M20、...、M60(参照图6(B))内的代表图形f20a、f30a、f40a、f50a、f60a(参照图8(B))的面积Sf20a、Sf30a、Sf40a、Sf50a、Sf60a(参照图8(B))比代表图形f20、f30、f40、f50、f60(参照图6(C))的面积Sf20、Sf30、Sf40、Sf50、Sf60(参照图8(B))大，该影响会波及周围的网格M00、M10、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))，因此各网格M00、M10、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D00’、D10’、D01’、D11’、D02’、...、D32’(参照图8(C))与各网格M00、M10、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D00、D10、D01、D11、D02、...、D32(参照图6(D))不同。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)，使得用于描画与需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形FG02(参照图8(A))对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量D20’、D30’、D40’、D50’、D60’(参照图8(C))变更。 
详细地讲，在图8(A)、图8(B)及图8(C)所示的例子中，例如， 通过邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)来变更由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的网格M20(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D20’(参照图8(C))。其结果，变更后的网格M20的带电粒子束的邻近效应校正照射量D20b(参照图8(C))比邻近效应校正照射量D20’多x1％。 
此外，在图8(A)、图8(B)及图8(C)所示的例子中，通过邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)来变更由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的网格M30(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D30’(参照图8(C))。其结果，变更后的网格M30的带电粒子束的邻近效应校正照射量D30b(参照图8(C))比邻近效应校正照射量D30’多x1％。 
另外，在图8(A)、图8(B)及图8(C)所示的例子中，通过邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)来变更由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的网格M40(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D40’(参照图8(C))。其结果，变更后的网格M40的带电粒子束的邻近效应校正照射量D40b(参照图8(C))比邻近效应校正照射量D40’多x1％。 
此外，在图8(A)、图8(B)及图8(C)所示的例子中，通过邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)来变更由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的网格M50(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D50’(参照图8(C))。其结果，变更后的网格M50的带电粒子束的邻近效应校正照射量D50b(参照图8(C))比邻近效应校正照射量D50’多x1％。 
另外，在图8(A)、图8(B)及图8(C)所示的例子中，通过邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)来变更由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的网格M60(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D60’(参照图8(C))。其结果，变更后的网格M60的带电粒子束的邻近效应校正照射量D60b(参照图8(C))比邻近效应校正照射量D60’多x1％。 
另外，在图8(A)、图8(B)及图8(C)所示的例子中，例如，用 于照射与发射图形S01a、S01b(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D00’(参照图8(C))。此外，用于照射与发射图形S01c(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D10’(参照图8(C))。另外，用于照射与发射图形S02a(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D20b(参照图8(C))。此外，用于照射与发射图形S02b、S02c(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D30b(参照图8(C))。另外，用于照射与发射图形S02d、S02e(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D40b(参照图8(C))。此外，用于照射与发射图形S02f、S02g(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D50b(参照图8(C))。另外，用于照射与发射图形S02h(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D60b(参照图8(C))。 
即，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如发生了与芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的局部部分的图形FG02(参照图8(A))对应的线状的图案比目标线宽窄的异常的情况下，进行如图8(A)、图8(B)及图8(C)所示的邻近效应校正处理。因此，根据第1实施方式的带电粒子束描画装置10，能够解决例如与芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的仅局部部分的图形FG02(参照图8(A))对应的图案发生异常的问题。 
另一方面，例如若发生了与芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的局部部分的图形FG02(参照图9(A))对应的线状的图案比目标线宽粗的异常的情况下，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，首先最初，例如，通过邻近效应校正用图制作部10b1b1(参照图2)，以图形FG01、FG02位于邻近效应校正用图(参照图9(A))内的方式，制作具有多个例如2μm的网格(参照图9(A))的邻近效应校正用图。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，在通过代表图形制作部10b1b2(参照图2)制作代表图形f20、f30、f40、f50、f60(参照图6(C))之前，通过图形面积变更部10b1b2a(参照图2)使需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形FG02(参照图9(A))的面积变小。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过代表图形制作部10b1b2(参照图2)制作代表图形f00、f10、f01、f11、f02、...、f32(参照图9(B))，并且制作代表图形f20c、f30c、f40c、f50c、f60c(参照图9(B))，所述代表图形f00、f10、f01、f11、f02、...、f32(参照图9(B))具有与位于各网格M00、M10、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))内的图形FG01(参照图9(A))的一部分的总面积相等的面积，所述代表图形f20c、f30c、f40c、f50c、f60c(参照图9(B))具有与位于各网格M20、...、M60(参照图6(B))内的面积变小了的图形FG02(未图示)的一部分的总面积相等的面积。 
详细地讲，在图9(A)、图9(B)及图9(C)所示的例子中，例如，代表图形f20c(参照图9(B))的面积Sf20c比代表图形f20(参照图6(C))的面积Sf20小x2％。此外，代表图形f30c(参照图9(B))的面积Sf30c比代表图形f30(参照图6(C))的面积Sf30小x2％。另外，代表图形f40c(参照图9(B))的面积Sf40c比代表图形f40(参照图6(C))的面积Sf40小x2％。此外，代表图形f50c(参照图9(B))的面积Sf50c比代表图形f50(参照图6(C))的面积Sf50小x2％。另外，代表图形f60c(参照图9(B))的面积Sf60c比代表图形f60(参照图6(C))的面积Sf60小x2％。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)，根据位于各网格M00、...、M60、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))内的代表图形f00、f10、f20c、f30c、f40c、f50c、f60c、f01、f11、f02、...、f32(参照图9(B))的面积，计算各网格M00、M10、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D00”、D10”、D01”、D11”、D02”、...、D32”(参照图9(C))，并且根据位于各网格M00、...、M60、M01、M11、M02、...、M32(参照图6(B))内的代表图形f00、f10、f20c、f30c、f40c、f50c、f60c、f01、f11、f02、...、f32(参照图9(B))的面积，计算各网格M20、...、M60(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D20”、D30”、D40”、D50”、D60”(参照图9(C))。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过邻近 效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)，使得用于描画与需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形FG02(参照图9(A))对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量D20”、D30”、D40”、D50”、D60”(参照图9(C))变更。 
详细地讲，在图9(A)、图9(B)及图9(C)所示的例子中，例如，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的网格M20(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D20”(参照图9(C))被邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)变更。其结果，变更后的网格M20的带电粒子束的邻近效应校正照射量D20d(参照图9(C))比邻近效应校正照射量D20”少x2％。 
此外，在图9(A)、图9(B)及图9(C)所示的例子中，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3计算出的网格M30(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D30”(参照图9(C))被邻近效应校正照射量变更部10b1b4变更。其结果，变更后的网格M30的带电粒子束的邻近效应校正照射量D30d(参照图9(C))比邻近效应校正照射量D30”少x2％。 
另外，在图9(A)、图9(B)及图9(C)所示的例子中，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3计算出的网格M40(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D40”(参照图9(C))被邻近效应校正照射量变更部10b1b4变更。其结果，变更后的网格M40的带电粒子束的邻近效应校正照射量D40d(参照图9(C))比邻近效应校正照射量D40”少x2％。 
此外，在图9(A)、图9(B)及图9(C)所示的例子中，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3计算出的网格M50(参照图6(B))的带电粒子束的邻近效应校正照射量D50”(参照图9(C))被邻近效应校正照射量变更部10b1b4变更。其结果，变更后的网格M50的带电粒子束的邻近效应校正照射量D50d(参照图9(C))比邻近效应校正照射量D50”少x2％。 
另外，在图9(A)、图9(B)及图9(C)所示的例子中，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3计算出的网格M60(参照图6(B))的带电 粒子束的邻近效应校正照射量D60”(参照图9(C))被邻近效应校正照射量变更部10b1b4变更。其结果，变更后的网格M60的带电粒子束的邻近效应校正照射量D60d(参照图9(C))比邻近效应校正照射量D60”少x2％。 
另外，在图9(A)、图9(B)及图9(C)所示的例子中，例如，用于照射与发射图形S01a、S01b(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量变为D00”(参照图9(C))。此外，用于照射与发射图形S01c(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量为D10”(参照图9(C))。另外，用于照射与发射图形S02a(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量变为D20d(参照图9(C))。此外，用于照射与发射图形S02b、S02c(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量变为D30d(参照图9(C))。另外，用于照射与发射图形S02d、S02e(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量变为D40d(参照图9(C))。此外，用于照射与发射图形S02f、S02g(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量变为D50d(参照图9(C))。另外，用于照射与发射图形S02h(参照图7)对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量变为D60d(参照图9(C))。 
即，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，在例如发生了与芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的局部部分的图形FG02(参照图9(A))对应的线状的图案变得比目标线宽粗的异常的情况下，进行如图9(A)、图9(B)及图9(C)所示的邻近效应校正处理。因此，根据第1实施方式的带电粒子束描画装置10，能够解决例如仅与芯片CP1(参照图4)程度的单位描画区域中的局部部分的图形FG02(参照图9(A))对应的图案产生了异常的问题。 
图10(A)、图10(B)、图11(A)、图11(B)、图11(C)、图11(D)、图12(A)、图12(B)、图13(A)、图13(B)、图14(A)、图14(B)、图15(A)及图15(B)是表示识别是否有必要变更用于描画与描画数据D中所包含的多个图形相对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的例子的图。详细地讲，图10(A)表示了描画数据D(参照图1)的数据列表的一部分，图10(B)表示了描画数据D中所包含的 索引编号和变更比率的关系表。 
在图10(A)及图10(B)所示的例子中，通过读取第1图形组数据(参照图10(A))的标题(header)(参照图10(A))，能够把握第1图形组数据中所包含的图形FG10、FG11、FG12的类别码是“1”。另外，通过读取第1图形组数据的索引编号列表(参照图10(A))，能够把握第1图形组数据中所包含的图形FG10、FG11、FG12的索引编号是“01”。 
此外，在图10(A)及图10(B)所示的例子中，通过读取图10(B)所示的索引编号和变更比率的关系表，能够把握与索引编号“01”对应的第1图形组数据中所包含的图形FG10、FG11、FG12的变更比率是“0％”。其结果，在图10(A)及图10(B)所示的例子中，与图形FG01(参照图8(A))相同，识别出不需要对用于描画与第1图形组数据中所包含的图形FG10、FG11、FG12(参照图10(A))对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量进行变更。 
此外，在图10(A)及图10(B)所示的例子中，通过读取第2图形组数据(参照图10(A))的标题(参照图10(A))，能够把握第2图形组数据中所包含的图形FG20、FG21、FG22的类别码是“2”。另外，通过读取第2图形组数据的索引编号列表(参照图10(A))，能够把握第2图形组数据中所包含的图形FG20、FG21、FG22的索引编号是“02”。 
此外，在图10(A)及图10(B)所示的例子中，通过读取图10(B)所示的索引编号和变更比率的关系表，能够把握与索引编号“02”对应的第2图形组数据中所包含的图形FG20、FG21、FG22的变更比率是“+20％”。其结果，在图10所示的例子中，第2图形组数据中所包含的图形FG20、FG21、FG22，例如与图8所示的图形FG02相同，被识别出是需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
详细地讲，在图10(A)及图10(B)所示的例子中，通过图形面积变更部10b1b2a(参照图2)，使图形FG20、FG21、FG22的面积基于变更比率“+20％”而增加20％。另外，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的与图形FG20、FG21、FG22有关的带电粒子束的邻近效应校正照射量基于变更比率“+20％”，通过邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)而增加20％。 
另外，在图10(A)及图10(B)所示的例子中，图形FG10数据、图形FG11数据、图形FG12数据、图形FG20数据、图形FG21数据以及图形FG22数据中分别包含有图形FG10、FG11、FG12、FG20、FG21、FG22的位置、形状等。 
在图10(A)及图10(B)所示的例子中，第1图形组数据中含有“索引编号列表(索引编号＝01)”，第2图形组数据中含有“索引编号列表(索引编号＝02)”，在其他的例子中，也可以代替上述内容，使第1图形组数据中含有“变更比率＝0％”，第2图形组数据中含有“变更比率＝+20％”。 
图11(A)示出了在描画数据D(参照图1)上同一大小的单元CL1、CL2、CL3配置在同一位置上的例子。若将图11(A)中的3个单元CL1、CL2、CL3中的仅单元CL1抽出表示则如图11(B)所示，若仅将单元CL2抽出表示则如图11(C)所示，若仅将单元CL3抽出表示则如图11(D)所示。 
在图11(A)、图11(B)、图11(C)及图11(D)所示的例子中，图形FG30所属于单元CL1，图形FG40、FG41、FG42、FG43、FG44、FG45、FG46、FG47所属于单元CL2，图形FG50、FG51所属于单元CL3。 
图12(A)及图12(B)示出了识别是否有必要变更用于描画与图形FG30、FG40、FG41、FG42、FG43、FG44、FG45、FG46、FG47、FG50、FG51(参照图11(A)、图11(B)、图11(C)及图11(D))对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的例子的图。详细地讲，图12(A)示出了描画数据D(参照图1)的数据列表的一部分，图12(B)示出了描画数据D中所包含的索引编号和变更比率的关系表。 
在图12(A)及图12(B)所示的例子中，单元CL1(参照图11(A)及图11(B))的位置、用于连接(link)单元图案数据(参照图12(A))中的与单元CL1有关的部分的指示字(pointer)等包含在单元参照信息(参照图12(A))的单元CL1数据(参照图12(A))中。因此，通过读取单元CL1数据中所包含的指示字，如图12(A)中箭头所示，能够读入单元图案数据中的与单元CL1有关的部分的标题(参照图12(A))。 
接着，在图12(A)及图12(B)所示的例子中，通过读取单元图案 数据中的与单元CL1有关的索引编号列表(参照图12(A))，能够把握单元CL1中包括的图形FG30(参照图11(A)及图11(B))的索引编号是“01”。此外，通过读取图12(B)所示的索引编号和变更比率的关系表，能够把握与索引编号“01”对应的图形FG30的变更比率是“0％”。 
其结果，在图12(A)及图12(B)所示的例子中，单元CL1所包括的图形FG30与例如图8(A)所示的图形FG01相同，被识别为是不需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
此外，在图12(A)及图12(B)所示的例子中，单元CL2(参照图11(A)及图11(C))的位置、用于连接单元图案数据(参照图12(A))中的与单元CL2有关的部分的指示字等包含在单元参照信息(参照图12(A))的单元CL2数据(参照图12(A))中。因此，通过读取单元CL2数据中所包含的指示字，如图12(A)中箭头所示，能够读取单元图案数据中的与单元CL2有关的部分的标题(参照图12(A))。 
接着，在图12(A)及图12(B)所示的例子中，通过读取单元图案数据中的与单元CL2有关的索引编号列表(参照图12(A))，能够把握单元CL2中所包括的图形FG40、...、FG47(参照图11(A)及图11(C))的索引编号是“02”。此外，通过读取图12(B)所示的索引编号和变更比率的关系表，能够把握与索引编号“02”对应的图形FG40、...、FG47的变更比率是“+20％”。 
其结果，在图12(A)及图12(B)所示的例子中，单元CL2所包括的图形FG40、...、FG47与例如图8(A)所示的图形FG02相同，被识别为是需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
详细地讲，在图12(A)及图12(B)所示的例子中，通过图形面积变更部10b1b2a(参照图2)，图形FG40、...、FG47的面积基于变更比率“+20％”而增加20％。另外，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的与图形FG40、...、FG47有关的带电粒子束的邻近效应校正照射量基于变更比率“+20％”而被邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)增加20％。 
另外，在图12(A)及图12(B)所示的例子中，单元CL3(参照图11(A)及图11(D))的位置、用于连接单元图案数据(参照图12(A)) 中的与单元CL3有关的部分的指示字等包含在单元参照信息(参照图12(A))的单元CL3数据(参照图12(A))中。因此，通过读取单元CL3数据中所包含的指示字，如图12(A)中箭头所示，能够读取单元图案数据中的与单元CL3有关的部分的标题(参照图12(A))。 
接着，在图12(A)及图12(B)所示的例子中，通过读取单元图案数据中的与单元CL3有关的索引编号列表(参照图12(A))，能够把握单元CL3所包括的图形FG50、FG51(参照图11(A)及图11(D))的索引编号是“03”。此外，通过读取图12(B)所示的索引编号和变更比率的关系表，能够把握与索引编号“03”对应的图形FG50、FG51的变更比率是“+40％”。 
其结果，在图12(A)及图12(B)所示的例子中，单元CL3所包括的图形FG50、FG51与例如图8(A)所示的图形FG02相同，被识别为是需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
详细地讲，在图12(A)及图12(B)所示的例子中，通过图形面积变更部10b1b2a(参照图2)，图形FG50、FG51的面积基于变更比率“+40％”而增加40％。另外，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的与图形FG50、FG51有关的带电粒子束的邻近效应校正照射量基于变更比率“+40％”而被邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)增加40％。 
图13(A)及图13(B)是表示识别是否有必要变更用于描画与图形FG30、FG40、FG41、FG42、FG43、FG44、FG45、FG46、FG47、FG50、FG51(参照图11(A)、图11(B)、图11(C)及图11(D))对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的例子的图。详细地讲，图13(A)示出了描画数据D(参照图1)的数据列表的一部分，图13(B)示出了描画数据D中所包含的索引编号和变更比率的关系表。 
在图13(A)及图13(B)所示的例子中，单元CL1(参照图11(A)及图11(B))的索引编号列表(参照图13(A))、单元CL1的位置信息(参照图13(A))以及用于连接单元图案数据(参照图13(A))中的与单元CL1有关的部分的指示字(参照图13(A))包含在单元参照信息(参照图13(A))的单元CL1数据(参照图13(A))中。因此，通 过读取单元CL1的索引编号列表，能够把握单元CL1的索引编号是“01”。此外，通过读取图13(B)所示的索引编号和变更比率的关系表，能够把握与索引编号“01”对应的变更比率是“0％”。另外，通过读取单元CL1数据中所包含的指示字，如图13(A)中箭头所示，能够读取单元图案数据中的与单元CL1有关的标题(参照图13(A))。另外，通过读取单元图案数据中的与单元CL1有关的部分，能够把握图形FG30(参照图11(A)及图11(B))所属于单元CL1。此外，能够把握单元CL1所包括的图形FG30的变更比率是“0％”。其结果，在图13(A)及图13(B)所示的例子中，单元CL1所包括的图形FG30与例如图8(A)所示的图形FG01相同，被识别为是不需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
此外，在图13(A)及图13(B)所示的例子中，单元CL2(参照图11(A)及图11(B))的索引编号列表(参照图13(A))、单元CL2的位置信息(参照图13(A))、以及用于连接单元图案数据(参照图13(A))中的与单元CL2有关的部分的指示字(参照图13(A))包含在单元参照信息(参照图13(A))的单元CL2数据(参照图13(A))中。因此，通过读取单元CL2的索引编号列表，能够把握单元CL2的索引编号是“02”。此外，通过读取图13(B)所示的索引编号和变更比率的关系表，能够把握与索引编号“02”对应的变更比率是“+20％”。另外，通过读取单元CL2数据中所包含的指示字，如图13(A)中箭头所示，能够读取单元图案数据中的与单元CL2有关的标题(参照图13(A))。另外，通过读取单元图案数据中的与单元CL2有关的部分，能够把握图形FG40、...、FG47(参照图11(A)及图11(C))所属于单元CL2。此外，能够把握单元CL2所包括的图形FG40、...、FG47的变更比率是“+20％”。其结果，在图13(A)及图13(B)所示的例子中，单元CL2所包括的图形FG40、...、FG47与例如图8(A)所示的图形FG02相同，被识别为是需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
另外，在图13(A)及图13(B)所示的例子中，单元CL3(参照图11(A)及图11(B))的索引编号列表(参照图13(A))、单元CL3的位置信息(参照图13(A))、以及用于连接单元图案数据(参照图13(A))中的与单元CL3有关的部分的指示字(参照图13(A))包含在 单元参照信息(参照图13(A))的单元CL3数据(参照图13(A))中。因此，通过读取单元CL3的索引编号列表，能够把握单元CL3的索引编号是“03”。此外，通过读取图13(B)所示的索引编号和变更比率的关系表，能够把握与索引编号“03”对应的变更比率是“+40％”。另外，通过读取单元CL3数据中所包含的指示字，如图13(A)中箭头所示，能够读取单元图案数据中的与单元CL3有关的部分的标题(参照图13(A))。另外，通过读取单元图案数据中的与单元CL3有关的部分，能够把握图形FG50、FG51(参照图11(A)及图11(D))所属于单元CL3。此外，能够把握单元CL3所包括的图形FG50、FG51的变更比率是“+40％”。其结果，在图13(A)及图13(B)所示的例子中，单元CL3所包括的图形FG50、FG51与例如图8(A)所示的图形FG02相同，被识别为是需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
图14(A)及图14(B)是识别是否需要变更用于描画与图形FG30、FG40、FG41、FG42、FG43、FG44、FG45、FG46、FG47、FG50、FG51(参照图11(A)、图11(B)、图11(C)以及图11(D))对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的另一个例子的图。详细地讲，图14(A)示出了描画数据D(参照图1)的数据列表的一部分，图14(B)示出了描画数据D中所包含的索引编号和变更比率的关系表。 
在图14(A)及图14(B)所示的例子中，单元CL1(参照图11)的位置、用于连接连接参照信息(参照图14(A))的与单元CL1有关的部分的指示字等包含在单元参照信息(参照图14(A))的单元CL1数据(参照图14(A))中。因此，通过读取单元CL1数据中所包含的指示字，如图14(A)中箭头所示，能够读取连接参照信息中的与单元CL1有关的部分。在连接参照信息中的与单元CL1有关的部分包括用于连接单元图案数据(参照图14(A))中的与单元CL1有关的部分的标题(参照图14(A))的指示字(参照图14(A))以及单元CL1的索引编号列表(参照图14(A))。因此，通过读取单元CL1的索引编号列表，能够把握单元CL1的索引编号是“01”。另外，通过读取连接参照信息中的与单元CL1有关的部分中所包含的指示字，如图14(A)中箭头所示，能够读取单元图案数据中的与单元CL1有关的部分的标题。另外，通过读取单元图案数据中的与单元CL1 有关的部分，能够把握图形FG30(参照图11(A)及图11(B))所属于单元CL1。此外，能够把握单元CL1所包括的图形FG30的变更比率是“0％”。其结果，在图14(A)及图14(B)所示的例子中，单元CL1所包括的图形FG30与例如图8(A)所示的图形FG01相同，被识别为是不需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
此外，在图14(A)及图14(B)所示的例子中，单元CL2(参照图11)的位置、用于连接连接参照信息(参照图14(A))中的与单元CL2有关的部分的指示字等包含在单元参照信息(参照图14(A))的单元CL2数据(参照图14(A))中。因此，通过读取单元CL2数据中所包含的指示字，如图14(A)中箭头所示，能够读取连接参照信息中的与单元CL2有关的部分。连接参照信息中的与单元CL2有关的部分中包含用于连接单元图案数据(参照图14(A))中的与单元CL2有关的部分的标题(参照图14(A))的指示字(参照图14(A))以及单元CL2的索引编号列表(参照图14(A))。因此，通过读取单元CL2的索引编号列表，能够把握单元CL2的索引编号是“02”。另外，通过读取连接参照信息中的与单元CL2有关的部分中所包含的指示字，如图14(A)中箭头所示，能够读取单元图案数据中的与单元CL2有关的部分的标题。另外，通过读取单元图案数据中的与单元CL2有关的部分，能够把握图形FG40、...、FG47(参照图11(A)及图11(C))所属于单元CL2。此外，能够把握单元CL2所包括的图形FG40、...、FG47的变更比率是“+20％”。其结果，在图14(A)及图14(B)所示的例子中，单元CL2所包括的图形FG40、...、FG47与例如图8(A)所示的图形FG02相同，被识别为是需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
另外，在图14(A)及图14(B)所示的例子中，单元CL3(参照图11(A)及图11(D))的位置、用于连接连接参照信息(参照图14(A))中的与单元CL3有关的部分的指示字等包含在单元参照信息(参照图14(A))的单元CL3数据(参照图14(A))中。因此，通过读取单元CL3数据中所包含的指示字，如图14(A)中箭头所示，能够读取连接参照信息中的与单元CL3有关的部分。连接参照信息中的与单元CL3有关的部分包含用于连接单元图案数据(参照图14(A))中的与单元CL3有关的部 分的标题(参照图14(A))的指示字(参照图14(A))以及单元CL3的索引编号列表(参照图14(A))。因此，通过读取单元CL3的索引编号列表，能够把握单元CL3的索引编号是“03”。另外，通过读取连接参照信息中的与单元CL3有关的部分中所包含的指示字，如图14(A)中箭头所示，能够读取单元图案数据中的与单元CL3有关的部分的标题。另外，通过读取单元图案数据中的与单元CL3有关的部分，能够把握图形FG50、FG51(参照图11(A)及图11(D))所属于单元CL3。此外，能够把握单元CL3所包括的图形FG50、FG51的变更比率是“+40％”。其结果，在图14(A)及图14(B)所示的例子中，单元CL3所包括的图形FG50、FG51与例如图8(A)所示的图形FG02相同，被识别为是需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
在图15(A)及图15(B)所示的例子中，为了识别是否需要变更用于描画与描画数据D(参照图1)中所包含的多个图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量，如图15(A)所示，制作了具有多个例如100μm的网格m00、...、m62(参照图15(A))的变更比率图。 
详细地讲，在图15(A)及图15(B)所示的例子中，以描画数据D(参照图1)中所包含的多个图形位于变更比率图(参照图15(A))内的方式，制作具有多个网格m00、...、m62的变更比率图。在图15(A)及图15(B)所示的例子中，网格m00、m10、m50、m60、m01、m11、m51、m61、m02、m12、m52、m62(参照图15(A))的变更比率被设定为0％(参照图15(B))。因此，在图15(A)及图15(B)所示的例子中，位于网格m00、m10、m50、m60、m01、m11、m51、m61、m02、m12、m52、m62内的图形与例如图8(A)所示的图形FG01相同，被识别为是不需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
此外，在图15(A)及图15(B)所示的例子中，设定为网格m20、m30、m40、m21、m41、m22、m32、m42(参照图15(A))的变更比率是+5％(参照图15(B))。因此，在图15(A)及图15(B)所示的例子中，位于网格m20、m30、m40、m21、m41、m22、m32、m42内的图形与例如图8(A)所示的图形FG02相同，被识别为是需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
详细地讲，在图15(A)及图15(B)所示的例子中，通过图形面积变更部10b1b2a(参照图2)，位于网格m20、m30、m40、m21、m41、m22、m32、m42内的图形的面积基于变更比率“+5％”而增加5％。另外，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的用于描画与位于网格m20、m30、m40、m21、m41、m22、m32、m42内的图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量基于变更比率“+5％”而被邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)增加5％。 
另外，在图15(A)及图15(B)所示的例子中，网格m31(参照图15(A))的变更比率被设定为+10％(参照图15(B))。因此，在图15(A)及图15(B)所示的例子中，位于网格m31内的图形与例如图8(A)所示的图形FG02相同，被识别为是需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形。 
详细地讲，在图15(A)及图15(B)所示的例子中，通过图形面积变更部10b1b2a(参照图2)，位于网格m31内的图形的面积基于变更比率“+10％”而增加10％。另外，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的用于描画与位于网格m31内的图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量基于变更比率“+10％”而被邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)增加10％。 
图16(A)、图16(B)、图16(C)以及图16(D)是用于说明在需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形FG60与不需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形FG61位于邻近效应校正用图的同一网格Ma内的情况下的、第1实施方式的带电粒子束描画装置10的邻近效应校正部10b1b所进行的邻近效应校正处理的图。 
在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，在图形FG60、FG61(参照图16(A))位于邻近效应校正用图(参照图16(A))的同一(1个)网格Ma(参照图16(A))内的情况下，通过图形面积变更部10b1b2a(参照图2)，图形FG60(参照图16(A)及图16(B))的面积基于变更比率“+xa％”而增加xa％。另一方面，图形FG61(参照图16(A)及图16(B))的面积没有被图形面积变更部10b1b2a(参照图2)变更。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过代表图形制作部10b1b2(参照图2)，制作代表图形fa’(图16(C)参照)，该代表图形fa’的面接与面积增加了xa％后的图形FG60’(图16(B)参照)的面积和图形FG61(图16(B)参照)的面积的合计面积相等。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，通过邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)，基于代表图形fa’(图16(C)参照)的面积，计算用于描画与图形FG60、FG61(参照图16(A))对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量Da’(参照图16(D))。 
接着，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，例如，由邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)计算出的用于描画与图形FG60(参照图16(A))对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量Da’基于变更比率“+xa％”，被邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)增加xa％。 
其结果，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，得到了用于描画与图形FG60(参照图16(A))对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量Da”(←Da’×(1+xa/100))(参照图16(D))。 
另一方面，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，用于描画与图形FG61(参照图16(A))对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量Da’没有被邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)变更。 
换言之，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，在需要变更带电粒子束的邻近效应校正照射量的图形FG60(参照图16(A))与不需要变更带电粒子束邻近效应校正照射量的图形FG61(参照图16(A))位于邻近效应校正用图(参照图16(A))的同一网格Ma(参照图16(A))内的情况下，通过邻近效应校正照射量计算部10b1b3(参照图2)以及邻近效应校正照射量变更部10b1b4(参照图2)，个别设定用于描画与图形FG61对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量Da’(参照图16(D))以及用于描画与图形FG60对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量Da”(参照图16(D))。 
因此，根据第1实施方式的带电粒子束描画装置10，能够将用于描画与图形FG61对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量Da’以及用于 描画与图形FG60对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量Da”这两者设定为最佳值。 
图17(A)示出了在描画数据D(参照图1)上同一大小的芯片CP01、CP02、CP03配置在同一位置的例子。若将图17(A)中的3个芯片CP01、CP02、CP03中的仅芯片CP01抽出表示则如图17(B)所示，若仅将芯片CP02抽出表示则如图17(C)所示，若仅将芯片CP03抽出表示则如图17(D)所示。 
在图17(A)、图17(B)、图17(C)及图17(D)所示的例子中，含有多个图形的单元CL30所属于芯片CP01，包含多个图形的单元CL40、CL41、CL42、CL43、CL44、CL45、CL46、CL47所属于芯片CP02，包含多个图形的单元CL50、CL51所属于芯片CP03。 
在图17(A)、图17(B)、图17(C)及图17(D)所示的例子中，例如，对芯片CP01所包括的单元CL30中所包含的多个图形适用索引编号01(参照图12(B))，对芯片CP02所包括的单元CL40、CL41、CL42、CL43、CL44、CL45、CL46、CL47中所包含的多个图形适用索引编号02(参照图12(B))，对芯片CP03所包括的单元CL50、CL51中所包含的多个图形适用索引编号03(参照图12(B))。 
即，如图17(A)、图17(B)、图17(C)及图17(D)所示的例子，例如在芯片CP01、CP02、CP03(图17(A)，图17(B)，图17(C)以及图17(D)参照)的外框大小程度的单位描画区域中的与仅局部部分的图形(详细地讲，单元CL40、CL41、CL42、CL43、CL44、CL45、CL46、CL47、CL50、CL51中所包含的图形)对应的图案发生异常的情况下，在第1实施方式的带电粒子束描画装置10中，进行与图8(A)、图8(B)、图8(C)、图9(A)、图9(B)、图9(C)、图16(A)、图16(B)、图16(C)以及图16(D)等所示的例子相同的邻近效应校正处理。 
因此，根据第1实施方式的带电粒子束描画装置10，能够解决例如芯片CP01、CP02、CP03(参照图17(A)，图17(B)，图17(C)以及图17(D))的外框大小程度的单位描画区域中的与仅局部部分的图形对应的图案发生异常的问题。 
作为第3实施方式，可以适当地组合上述的第1及第2实施方式中的 各例。 
在不脱离本发明主旨的前提下明显可以对本发明进行多种的变更及具体化，本发明不仅限于说明书中所记载的实施方式，本发明的保护范围由权利要求书来界定。 

Claims (10)

1.一种带电粒子束描画装置，其特征在于，具有：
描画部，通过向上表面涂敷有抗蚀剂的试样照射带电粒子束，在试样的描画区域描画与描画数据中所包含的多个图形对应的多个图案；
邻近效应校正用图制作部，以描画数据中所包含的多个图形位于邻近效应校正用图内的方式，制作具有多个网格的邻近效应校正用图；
代表图形制作部，按每个网格来制作面积与位于各网格内的图形的总面积相等的代表图形；
邻近效应校正照射量计算部，根据位于各网格内的代表图形的面积来计算各网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量；
图形面积变更部，在需要变更用于描画与图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的情况下，在通过代表图形制作部制作代表图形之前，变更该图形的面积；以及
邻近效应校正照射量变更部，在需要变更用于描画与该图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的情况下，变更由邻近效应校正照射量计算部计算出的用于描画与该图形相对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。
2.根据权利要求1所述的带电粒子束描画装置，其特征在于，
在单位描画区域中的局部部分的图案产生异常的情况下，
图形面积变更部变更与该图案对应的图形的面积，
邻近效应校正照射量变更部变更用于描画与该图形对应的该图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。
3.根据权利要求2所述的带电粒子束描画装置，其特征在于，
在需要变更邻近效应校正照射量的第1图形与不需要变更邻近效应校正照射量的第2图形位于邻近效应校正用图的同一网格内的情况下，通过邻近效应校正照射量计算部以及邻近效应校正照射量变更部，能够个别地得到用于描画与第1图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量和用于描画与第2图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。
4.根据权利要求3所述的带电粒子束描画装置，其特征在于，
在第1图形和第2图形位于邻近效应校正用图的同一网格内的情况下，
代表图形制作部制作代表图形，该代表图形的面积等于被图形面积变更部变更后的第1图形的面积与第2图形的面积的合计面积，
邻近效应校正照射量变更部变更用于描画与第1图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量，该与第1图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量是由邻近效应校正照射量计算部根据该代表图形的面积而计算出的。
5.根据权利要求4所述的带电粒子束描画装置，其特征在于，
在第1图形和第2图形位于邻近效应校正用图的同一网格内的情况下，
邻近效应校正照射量计算部根据该代表图形的面积，计算用于描画与第2图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。
6.一种带电粒子束描画装置的邻近效应校正方法，通过向上表面涂敷有抗蚀剂的试样照射带电粒子束，在试样的描画区域描画与描画数据中所包含的多个图形相对应的多个图案，该带电粒子束描画装置的邻近效应校正方法包括以下步骤：
以描画数据中所包含的多个图形位于邻近效应校正用图内的方式，通过邻近效应校正用图制作部来制作具有多个网格的邻近效应校正用图；
通过代表图形制作部来制作面积与位于各网格内的图形的总面积相等的代表图形；
通过邻近效应校正照射量计算部根据位于各网格内的代表图形的面积来计算各网格的带电粒子束的邻近效应校正照射量；
在需要变更用于描画与图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的情况下，在通过代表图形制作部制作代表图形之前，通过图形面积变更部来变更该图形的面积；
在需要变更用于描画与该图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量的情况下，通过邻近效应校正照射量变更部来变更由邻近效应校正照射量计算部计算出的用于描画与该图形相对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。
7.根据权利要求6所述的带电粒子束描画装置的邻近效应校正方法，其特征在于，
在单位描画区域中的局部部分的图案产生异常的情况下，
图形面积变更部变更与该图案对应的图形的面积，
邻近效应校正照射量变更部变更用于描画与该图形对应的该图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。
8.根据权利要求7所述的带电粒子束描画装置的邻近效应校正方法，其特征在于，
在需要变更邻近效应校正照射量的第1图形与不需要变更邻近效应校正照射量的第2图形位于邻近效应校正用图的同一网格内的情况下，通过邻近效应校正照射量计算部以及邻近效应校正照射量变更部，能够个别地得到用于描画与第1图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量和用于描画与第2图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。
9.根据权利要求8所述的带电粒子束描画装置的邻近效应校正方法，其特征在于，
在第1图形和第2图形位于邻近效应校正用图的同一网格内的情况下，
代表图形制作部制作代表图形，该代表图形的面积等于被图形面积变更部变更后的第1图形的面积与第2图形的面积的合计面积，
邻近效应校正照射量变更部变更用于描画与第1图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量，该与第1图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量是由邻近效应校正照射量计算部根据该代表图形的面积而计算出的。
10.根据权利要求9所述的带电粒子束描画装置的邻近效应校正方法，其特征在于，
在第1图形和第2图形位于邻近效应校正用图的同一网格内的情况下，
邻近效应校正照射量计算部根据该代表图形的面积，计算用于描画与第2图形对应的图案的带电粒子束的邻近效应校正照射量。
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