CN102020668A - 工业化制备三甲基铟的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及工业化制备三甲基铟的方法,在充满惰性气体的反应釜中,投入铟镁合金原料,在醚类溶剂存在下,搅拌条件下逐步加入卤代烷,通过控制卤代烷的滴加速度控制溶剂回流速度,反应完成后,将溶剂蒸出,再在减压条件下得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配得到三甲基铟。本发明工艺反应简单平稳,易于控制,反应产率高,由于反应过程中采用的原料没有自燃物质,反应过程非常安全,特别适合大规模工业化生产。

Description

工业化制备三甲基铟的方法
技术领域
本发明涉及有机金属化学气相沉积(MOCVD)中原料三甲基铟的生产方法,尤其涉及工业化制备三甲基铟的方法,属于三甲基铟制备技术领域。
背景技术
高纯三甲基铟等金属有机化合物,是金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)、化学束外延(CBE)过程中生长光电子材料的重要原料,广泛应用于生长磷化铟、铟镓砷氮(InGaAsN)、铟镓砷(InGaAs)、铟镓磷(InGaP)等化合物半导体薄膜材料。纯净的三甲基铟在室温下为固体,当用于MOCVD时需要将该固体源封装在钢瓶内,然后控制钢瓶温度,使其蒸气压达到一定值,再通过持续流动的载气,将在使用温度下气-固平衡状态气相中的三甲基铟带入MOCVD或CBE生长系统。
三甲基铟的制备一般多采用三甲基铝与三氯化铟进行烷基交换反应,但存在以下缺点:1)反应转化效率不高,有大量副产物产生;2)原材料成本高,工业化三甲基铝虽然便宜,但三氯化铟比较昂贵,尤其工业化生产,成本极高;3)原料易燃,存在安全隐患,三甲基铝非常活泼,易燃,整个反应必须在惰性气体保护下进行,存在安全隐患。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不足,提供一种工业化制备三甲基铟的方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:
工业化制备三甲基铟的方法,特点:在充满惰性气体的反应釜中,投入铟镁合金原料,在乙醚、四氢呋喃或甲基四氢呋喃存在下,于搅拌条件下逐步加入卤代烷,卤代烷为CH3Br或CH3I,通过控制卤代烷的加入速度控制溶剂回流速度,反应完成后,将溶剂蒸出,再在减压条件下得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配得到三甲基铟。
进一步地,上述的工业化制备三甲基铟的方法,其中,所述铟镁合金为InxMgy,其中x=0.3~0.7,y=0.7~0.3,x+y=1,x、y为质量百分比。所述卤代烷与铟镁合金中铟含量的摩尔比为3~7∶1。所述减压的压力为1~70mmgH。所述解配的温度为80~160℃。
本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在:
本发明工艺反应简单平稳,易于控制,非常易于工业化生产;与三甲基铝置换法相比,材料便宜,反应产率高,由于采用反应釜与蒸发釜的分离,未反应的合金仍在反应釜中,继续反应,总产率接近90%以上,副产物可以回收利用,几乎没有废料;安全性较好,由于反应过程中采用的原料没有自燃物质,反应过程安全,特别适合大规模工业化生产。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:
图1:本发明制备方法的反应式。
具体实施方式
本发明采用铟镁合金,在催化剂和醚类溶剂存在下,与卤代烷反应,工业化制备三甲基铟。
如图1所示,具体制备工艺为:在充满惰性气体的反应釜中,投入铟镁合金原料,铟镁合金为InxMgy,其中x=0.3~0.7,y=0.7~0.3,x+y=1,x、y为质量百分比;于醚类溶剂存在下,醚类溶剂为乙醚、四氢呋喃或甲基四氢呋喃;在搅拌条件下逐步加入卤代烷,卤代烷为CH3Br或CH3I;通过控制卤代烷的加入速度控制溶剂回流速度,卤代烷与铟镁合金中铟含量的摩尔比为3~7∶1;反应完成后,将溶剂蒸出,再在减压条件下(减压的压力为1~70mmgH)得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配(解配的温度为80~160℃)得到三甲基铟。
实施例1:
在充满氮气的反应釜中,投入铟镁合金800g,加入无水乙醚2150g,在搅拌条件下逐步加入碘甲烷(CH3I)2420g,通过控制碘甲烷(CH3I)的加入速度控制溶剂回流速度,反应完成后,继续保持回流4小时,然后将溶剂蒸出,再在减压条件下(真空度为1~70mmgH之间)得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配(解配的温度为80~160℃之间)得到三甲基铟492g,收率为87%(按金属铟计算)。
实施例2:
在充满氮气的反应釜中,投入铟镁合金800g,加入无水乙醚1600g,在搅拌条件下逐步加入碘甲烷(CH3I)2420g,通过控制碘甲烷(CH3I)的加入速度控制溶剂回流速度,反应完成后,继续保持回流4小时,然后将溶剂蒸出,再在减压条件下(真空度为1~70mmgH之间)得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配(解配的温度为80~160℃之间)得到三甲基铟475g,收率为84%(按金属铟计算)。
实施例3:
在充满氮气的反应釜中,投入铟镁合金800g,加入无水乙醚2150g,在搅拌条件下逐步加入碘甲烷(CH3I)2050g,通过控制碘甲烷(CH3I)的加入速度控制溶剂回流速度,反应完成后,继续保持回流4小时,然后将溶剂蒸出,再在减压条件下(真空度为1~70mmgH之间)得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配(解配的温度为80~160℃之间)得到三甲基铟458g,收率为81%(按金属铟计算)。
实施例4:
在充满氮气的反应釜中,投入铟镁合金800g,加入无水乙醚2150g,在搅拌条件下逐步加入溴甲烷(CH3Br)1610g,通过控制溴甲烷(CH3Br)的加入速度控制溶剂回流速度,反应完成后,继续保持回流4小时,然后将溶剂蒸出,再在减压条件下(真空度为1~70mmgH之间)得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配(解配的温度为80~160℃之间)得到三甲基铟368g,收率为65%(按金属铟计算)。
实施例5:
在充满氮气的反应釜中,投入铟镁合金800g,加入无水四氢呋喃2150g,在搅拌条件下逐步加入碘甲烷(CH3I)2420g,通过控制碘甲烷(CH3I)的加入速度控制溶剂回流速度,反应完成后,继续保持回流4小时,然后将溶剂蒸出,再在减压条件下(真空度为1~70mmgH之间)得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配(解配的温度为80~160℃之间)得到三甲基铟310g,收率为55%(按金属铟计算)。
实施例6:
在充满氮气的反应釜中,投入铟镁合金800g,加入无水四氢呋喃3050g,在搅拌条件下逐步加入碘甲烷(CH3I)2420g,通过控制碘甲烷(CH3I)的加入速度控制溶剂回流速度,反应完成后,继续保持回流4小时,然后将溶剂蒸出,再在减压条件下(真空度为1~70mmgH之间)得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配(解配的温度为80~160℃之间)得到三甲基铟385g,收率为68%(按金属铟计算)。
实施例7:
在充满氮气的反应釜中,投入铟镁合金800g,加入无水甲基四氢呋喃2150g,在搅拌条件下逐步加入碘甲烷(CH3I)2420g,通过控制碘甲烷(CH3I)的加入速度控制溶剂回流速度,反应完成后,继续保持回流4小时,然后将溶剂蒸出,再在减压条件下(真空度为1~70mmgH之间)得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配(解配的温度为80~160℃之间)得到三甲基铟435g,收率为77%(按金属铟计算)。
本发明工艺反应简单平稳,易于控制,非常易于工业化生产;与三甲基铝置换法相比,材料便宜,反应产率高,由于采用反应釜与蒸发釜的分离,未反应的合金仍在反应釜中,继续反应,总产率接近90%以上,副产物可以回收利用,几乎没有废料;安全性较好,由于反应过程中采用的原料没有自燃物质,反应过程安全,特别适合大规模工业化生产。
需要理解到的是:以上所述仅是本发明的优选实施方式,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.工业化制备三甲基铟的方法,其特征在于:在充满惰性气体的反应釜中,投入铟镁合金原料,在乙醚、四氢呋喃或甲基四氢呋喃存在下,于搅拌条件下逐步加入卤代烷,卤代烷为CH3Br或CH3I,通过控制卤代烷的加入速度控制溶剂回流速度,反应完成后,将溶剂蒸出,再在减压条件下得到三甲基铟与醚的配合物,最后解配得到三甲基铟。
2.根据权利要求1所述的工业化制备三甲基铟的方法,其特征在于:所述铟镁合金为InxMgy,其中x=0.3~0.7,y=0.7~0.3,x+y=1,x、y为质量百分比。
3.根据权利要求1所述的工业化制备三甲基铟的方法,其特征在于:所述卤代烷与铟镁合金中铟含量的摩尔比为3~7∶1。
4.根据权利要求1所述的工业化制备三甲基铟的方法,其特征在于:所述减压的压力为1~70mmgH。
5.根据权利要求1所述的工业化制备三甲基铟的方法,其特征在于:所述解配的温度为80~160℃。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103204864A (zh) * 2013-03-21 2013-07-17 苏州普耀光电材料有限公司 一种高纯三甲基铟的制备方法
CN110950911A (zh) * 2018-09-26 2020-04-03 东泰高科装备科技有限公司 三甲基胂的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993010126A1 (en) * 1991-11-19 1993-05-27 Air Products And Chemicals, Inc. Process for the preparation of trialkyl gallium compounds

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993010126A1 (en) * 1991-11-19 1993-05-27 Air Products And Chemicals, Inc. Process for the preparation of trialkyl gallium compounds

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie》 19630331 Von E. Todt.et al. Darstellung von Indium-trialkylen über In-Mg-Legierung oder-Mischung 120-123 1-5 第321卷, 第3-4期 *
《低温与特气》 19901001 Е.А.Ефремов,等 三甲基铟的分离与纯化方法 40-41 1-5 , 第3期 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103204864A (zh) * 2013-03-21 2013-07-17 苏州普耀光电材料有限公司 一种高纯三甲基铟的制备方法
CN103204864B (zh) * 2013-03-21 2015-08-26 苏州普耀光电材料有限公司 一种高纯三甲基铟的制备方法
CN110950911A (zh) * 2018-09-26 2020-04-03 东泰高科装备科技有限公司 三甲基胂的制备方法
CN110950911B (zh) * 2018-09-26 2021-10-08 紫石能源有限公司 三甲基胂的制备方法

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