CN101996551B - 校正电路和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了校正电路和显示装置。校正电路包括：存储器，存储用于针对每个像素校正亮度不均一性的迁移率校正值或阈值电压校正值；存储器读出单元，从存储器读出迁移率校正值或阈值电压校正值；相关性表，基于迁移率和阈值电压之间的相关性，根据迁移率校正值和阈值电压校正值之一产生阈值电压校正值或迁移率校正值中的另一个；迁移率校正单元，通过使用从存储器读出单元或相关性表提供来的迁移率校正值来针对每个像素校正输入信号；以及阈值电压校正单元，通过使用从存储器读出单元或相关性表提供来的阈值电压校正值来校正在迁移率校正单元处被校正了的输入信号。

Description

校正电路和显示装置
技术领域
本发明涉及对其中显示元件排列成矩阵的显示装置中发生的显示不均一性进行校正的校正电路和显示装置。
背景技术
在有机EL显示装置中，作为自发光元件的有机EL元件被用作像素。排列成矩阵的每个有机EL元件(即，发光元件)的亮度水平(灰度)可由元件中流动的电流来控制。从而，有机EL显示装置是电流控制装置(电流驱动方法)，因此与诸如液晶显示装置之类的电压控制装置有很大不同。
有机EL显示装置采用无源矩阵方法或有源矩阵方法作为其驱动方法。近年来，采用有源矩阵方法的有机EL显示装置已被广泛开发。在有源矩阵方法中，在每个像素电路中的发光元件中流动的电流由设置在像素电路中的有源元件来控制。薄膜晶体管(TFT)通常被用作有源元件，并且由于其功能而被称为驱动晶体管。
在其中TFT被布置成矩阵的TFT面板中，输入信号的电势与每个像素中的发光亮度之间的关系对应于像素的驱动晶体管中的栅极施加电压和漏极电流之间的关系(例如，参见日本未实审专利申请公布No.2006-84899)。
驱动晶体管的工作特性由以下式1来表示。
Ids＝(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)2....(1)
在式1中，Ids表示在源极和漏极之间流动的漏极电流，即，提供到像素电路中的发光元件的输出电流。Vgs表示以源极为基准、施加到栅极的栅极电压，即像素电路中的上述输入电势。Vth表示晶体管的阈值电压。μ表示构成晶体管的沟道的半导体薄膜中的载流子的迁移率。W表示沟道宽度，L表示沟道长度，并且Cox表示电容。
在包括多晶硅的半导体薄膜的TFT中，阈值电压Vth和迁移率μ(V-I特性)通常具有变动(例如，参见日本未实审专利申请公布No.2006-84899和2007-18876)。阈值电压Vth和迁移率μ的变动导致了每个像素的亮度不均一性，从而导致颜色不均一性和显示不均一性。
近年来，多晶硅TFT的硅膜通常是通过激光退火方法形成的，在这种方法中，通过激光来使无定形硅结晶。然而，由该方法形成的晶体半导体膜具有包括多个晶粒的结构。控制晶粒的位置和大小是较困难的(例如，参见日本未实审专利申请公布No.2008-252101)。晶粒的分布特性影响沟道区域中的载流子的迁移率和晶体管的阈值电压(例如，参见日本未实审专利申请公布No.2008-252101和″Statistical Analyses of the Influence ofGrain Boundary Variations in Poly-Si TFTs″，Technical Report of IEICE，VLD，VLSI Design Technologies，The Institute of Electronics，Information andCommunication Engineers，Vol.102(No.344)，pp.25-30(September 23，2002))。
在通过信号处理来校正亮度不均一性的情况下，校正通常是通过计算这两个值来执行的(参见日本未实审专利申请公布No.2006-84899、2004-264793和2007-18876)。图1图示了特性曲线，这些特性曲线示出在两个像素中的一个像素中的阈值电压相对于另一像素中的阈值电压偏移了Vth′并且一个像素中的迁移率相对于另一像素中的迁移率乘以μ′的情况下，输入信号电压和发光亮度之间的关系。在图1中，水平轴指示输入信号电压V，垂直轴指示输出电流I(对应于输出亮度)。在图1中，特定像素的由虚线绘出的特性曲线2a是在阈值电压相对于相邻像素的特性曲线1偏移Vth′的情况下的曲线的示例(水平方向上的箭头部分)。特性曲线2是在输出电流I被校正以使得迁移率相对于特性曲线2a被乘以μ′的情况下的曲线的示例(向上方向上的箭头部分)。
在此情况下，与特性曲线2的在预定像素的发光亮度相对于输入信号电压线性变化的区域中(点划线附近)的部分相对应的输出电流I被乘以Δμ，其满足等式Δμ＝1/μ′。然后，满足等式ΔVth＝-Vth′的ΔVth被加到与特性曲线1的一部分相对应的输入信号电压V。通过基于式1进行此运算，可以实现精确的校正。
图2示出了用于校正阈值电压和迁移率的框图。
图2所示的校正电路20基于预先存储在存储器22a中的迁移率校正数据和预先存储在存储器25a中的阈值电压校正数据来校正亮度数据，以便向显示面板10(TFT面板)提供经校正的亮度数据。
显示面板10具有红、绿、蓝(RGB)各颜色的像素。作为每个像素的亮度的电压信号的输入数据(像素数据：亮度数据)是为RGB每种颜色单独输入的，从而显示面板10能够控制每种颜色的显示。这里，显示区域中的一点的坐标被表示为(X，Y)。
R数据、G数据和B数据分别被提供到乘法器21R、乘法器21G和乘法器21B。用于校正每个像素的迁移率的变动的校正值Δμ分别被提供到乘法器21R、21G和21B。存储器读出单元22基于坐标信号(X坐标，Y坐标)从存储器22a中读出校正值。
乘法器21R、21G和21B的输出被提供到确定平方根的平方根运算单元23R、23G和23B。平方根运算单元23R、23G和23B的输出分别被提供到加法器24R、24G和24B。
用于校正每个像素的阈值电压的变动的校正值ΔVth分别被从存储器读出单元25提供到加法器24R、24G和24B，其中存储器读出单元25基于坐标信号(X坐标，Y坐标)从存储器25a中读出校正值ΔVth。
然后，加法器24R、24G和24B的输出分别被提供到D/A转换器26R、26G和26B，并且被转换成模拟数据信号，以便被提供到显示面板10中的各个颜色的输入端。因此，通过与针对每个像素校正的各个颜色的数据信号相对应的电流，在每个像素中驱动了有机EL元件。
如上所述，由于制造中的问题在有机EL元件中发生的亮度不均一性可被校正。然而，如上所述，对于每个像素，在存储器中存储了迁移率μ和阈值电压Vth这两个校正值，从而导致取决于像素数目的数据量极大的问题。
考虑到上述情况，日本未实审专利申请公布No.2004-264793公开了一种显示装置，其中在具有大量像素的显示面板中，显示区域被划分成小区域。在该装置中，用于校正整个显示区域的系数是通过测量每个小区域中的电流并且估计整个显示区域的趋势来计算的，或者说校正是在每个小区域中执行的。
发明内容
然而，在日本未实审专利申请公布No.2004-264793中公开的技术中，由于将显示面板划分成小区域并且以小区域为单位计算整个显示面板的趋势，所以难以针对每个像素精确地执行校正。另外，虽然在以小区域为单位校正的情况下可以使存储器的存储容量保持较小，但是仍然很难针对每个像素精确地执行校正。
希望提供一种显示装置，其中保持存储器的存储容量较小，并且能够针对每个像素校正亮度不均一性。
本发明的申请人测量了利用日本未实审专利申请公布No.2008-252101的技术形成的实际TFT的迁移率和阈值电压。根据测量，本发明的申请人认识到，迁移率和阈值电压的变动具有一定程度的相关性，虽然看起来这是因为迁移率和阈值电压取决于晶粒的分布。图3示出了阈值电压Vth和迁移率μ之间的相关性的示例。图3示出了这样的相关性：当迁移率μ较小时，阈值电压Vth较大，而随着迁移率μ增大，阈值电压Vth减小。
因此，考虑了这样的情况，即通过使用预备的相关性表，在校正电路中，阈值电压校正值ΔVth不是被存储在存储器中，而是根据迁移率校正值Δμ产生的。
根据本发明一个实施例的校正电路包括：存储器，被配置为存储用于针对每个像素校正亮度不均一性的迁移率校正值和阈值电压校正值之一，所述亮度不均一性是由构成显示面板的像素的像素电路中包括的驱动晶体管的沟道区域的载流子的迁移率和阈值电压的变动引起的并且是校正对象；存储器读出单元，被配置为读出存储在存储器中的迁移率校正值和阈值电压校正值之一；相关性表，被配置为基于迁移率和阈值电压之间的相关性，根据由存储器读出单元读出的迁移率校正值和阈值电压校正值之一产生阈值电压校正值和迁移率校正值中的另一个；迁移率校正单元，用于通过使用从存储器读出单元和相关性表之一提供来的迁移率校正值来针对每个像素校正输入信号；以及阈值电压校正单元，用于通过使用从存储器读出单元和相关性表之一提供来的阈值电压校正值来针对每个像素校正在迁移率校正单元处被校正了的输入信号。
根据本发明的实施例，可以针对每个像素校正显示面板的像素中发生的亮度不均一性。另外，在用于每个像素的像素电路中的校正处理的迁移率校正值和阈值电压校正值中，只有一个被存储在存储器中，而校正值中的另一个则是在校正电路中参考相关性表来产生的。因此，存储器不会占用更多的存储容量。
根据本发明的实施例，可以在保持存储器的存储容量较小的同时在每个像素中校正亮度不均一性，从而能够精确地抑制显示不均一性。
附图说明
图1是示出两个像素中输入信号电压和发光亮度之间的关系的示例的示图。
图2示出了用于校正阈值电压和和迁移率的框图。
图3是示出阈值电压和迁移率之间的相关性的示图。
图4示出了用于校正阈值电压和迁移率的框图的实施例。
图5是用于说明使用多项式近似的插值计算的示图。
图6是用于说明一种用于通过线性插值根据迁移率校正值Δμ产生阈值电压校正值ΔVth的方法的示图。
图7示出了用于校正阈值电压和迁移率的框图的另一实施例。
具体实施方式
现在将按以下顺序参考附图详细描述本发明的实施例。
1.实施例(相关性表：根据Δμ产生ΔVth的情况的示例)
2.另一实施例(相关性表：根据ΔVth产生Δμ的情况的示例)
<1.实施例>
根据以上式1，在基于电流驱动方法的有源矩阵TFT面板中，像素电路中的驱动晶体管的漏极电流(输出电流I)与迁移率μ成比例，并且与栅极施加电压Vgs与阈值电压Vth之间的差的平方成比例。即，驱动晶体管的漏极电流(输出电流I)的精确度取决于迁移率μ的精确度以及栅极施加电压Vgs与阈值电压Vth之间的差的平方的精确度。
鉴于驱动晶体管的输出电流的这种特性，在本发明的一个实施例中，确定迁移率μ的校正值和阈值电压Vth的校正值，以利用校正值逆计算式1的方式对输入信号执行校正处理，并且将通过校正处理产生的输出提供到TFT面板的每个像素。
即，在该实施例中，基于式1，在输入信号电压相对于预定像素的发光亮度以线性方式表示的区域中，输入信号电压被乘以满足Δμ＝1/μ′的Δμ。另外，输入信号区域中满足ΔVth＝-Vth′的ΔVth被添加，以便精确地校正输入信号。这里，迁移率校正值Δμ和阈值电压校正值ΔVth之间的相关性表(LUT：查找表)被预先提供给校正电路，以便响应于迁移率校正值Δμ的输入产生阈值电压校正值ΔVth。
图4示出了被应用到有机EL显示装置的根据本发明实施例的显示装置的结构示例。根据该实施例的这个有机EL显示装置包括显示面板10和校正电路50，并且被配置为基于预先存储的迁移率和阈值电压的校正数据来校正亮度数据，以便将经校正的亮度数据提供给显示面板10。
显示面板10具有红、绿、蓝(RGB)各颜色的像素。作为每个像素的亮度的电压信号的输入数据(像素数据：亮度数据)是为RGB每种颜色单独输入的，从而显示面板10能够控制每种颜色的显示。R数据、G数据和B数据中的每一个例如是8比特的亮度数据，并且一个像素可由RGB三种颜色的点(子像素)构成。此外，显示区域中的一点的坐标被表示为(X，Y)。
校正电路50包括乘法器51R、51G和51B、存储器读出单元52、存储器52a、平方根运算单元53R、53G和53B、加法器54R、54G和54B、相关性表55R、55G和55B、D/A转换器56R、56G和56B。
乘法器51R、51G和51B是为RGB各颜色设置的。输入的视频数据的R数据、G数据和B数据分别被提供到乘法器51R、乘法器51G和乘法器51B。用于针对每个像素校正驱动晶体管的迁移率的变动的迁移率校正值Δμ(＝1/μ′)分别被从存储器读出单元52提供到乘法器51R、51G和51B。
存储器读出单元52基于坐标信号(X坐标，Y坐标)从存储器52a中读出用于针对每个像素校正迁移率的变动的迁移率校正值Δμ，以便将迁移率校正值Δμ分别提供到乘法器51R、51G和51B。另外，存储器读出单元52将所读出的针对每个像素的迁移率校正值Δμ分别提供给相关性表55R、55G和55B。针对所有像素的迁移率校正值Δμ可以利用例如位于显示面板10的左上角的特定像素的像素电路的驱动晶体管的迁移率作为基准来确定。存储器52a仅占用用于存储每个像素的各颜色的迁移率校正值Δμ的存储容量。诸如闪存和EEPROM之类的非易失性存储器可应用来作为存储器52a。
这里，输入到存储器读出单元52中的坐标信号是由坐标产生单元(未示出)基于与垂直同步信号、水平同步信号和输入数据的像素数据同步的时钟、与RGB的输入数据(像素数据)同步地产生的。然后，如此产生的坐标信号被提供到存储器读出单元52。
乘法器51R、51G和51B将输入视频数据的R数据、G数据和B数据(输入信号电压)分别乘以从存储器读出单元52提供来的针对各个颜色的迁移率校正值Δμ(＝1/μ′)。然后，乘法结果分别被作为输出提供到用于确定平方根的平方根运算单元53R、53G和53B。
在针对各个颜色的输入信号电压的平方根在平方根运算单元53R、53G和53B中被计算出之后，这些平方根分别被作为输出提供到加法器54R、54G和54B。用于针对每个像素校正驱动晶体管的阈值电压的变动的阈值电压校正值ΔVth(＝-Vth′)分别被从相关性表55R、55G和55B提供到加法器54R、54G和54B。
相关性表55R、55G和55B使用迁移率μ和阈值电压Vth之间的相关性，以便根据从存储器读出单元52提供来的迁移率校正值Δμ产生各个颜色的阈值电压校正值ΔVth，并且将这些阈值电压校正值ΔVth分别提供到加法器54R、54G和54B。相关性表55R、55G和55B例如可被存储在显示装置中包括的微处理器(未示出)的存储器中。或者，设置在显示装置中的任意存储器可存储这些表和其他功能。
在同时访问RGB的情况下，为RGB各颜色独立设置相关性表55R、55G和55B。然而，相关性表55R、55G和55B的数据内容可能是独立的或相同的。稍后将描述要存储在相关性表55R、55G和55B中的数据内容(校正值)和用于确定校正值的方法。
加法器54R、54G和54B把从相关性表55R、55G和55B提供来的针对各个颜色的阈值电压校正值ΔVth(＝-Vth′)分别加到从平方根运算单元53R、53G和53B提供来的R数据、G数据和B数据。
然后，加法器54R、54G和54B的输出被提供到D/A转换器56R、56G和56B并被转换为模拟数据信号，以便被提供到显示面板10中的用于各个颜色的输入端。因此，通过与针对每个像素校正的各个颜色的数据信号相对应的电流，在每个像素中驱动了有机EL元件。
如上所述，在该实施例中，可以针对每个像素校正由于制造中的问题而在显示面板10的有机EL元件中发生的亮度不均一性。另外，由于只有用于在每个像素的像素电路中执行的校正处理的迁移率校正值Δμ被存储在存储器中，而阈值电压校正值ΔVth是在校正电路中参考相关性表来产生的，因此存储器的存储容量可被保持得较小。
现在描述用于确定要存储在相关性表55R、55G和55B中的阈值电压校正值ΔVth的方法。
要存储在相关性表中的阈值电压校正值ΔVth基本上是根据实际测量值确定的。然而，作为用于形成相关性表的方法，未绘出的迁移率校正值Δμ被插值，以便确定与所有迁移率校正值Δμ的输入相对应的阈值电压校正值ΔVth的输出。作为插值方法，在如图5所示的二维示图上绘出迁移率校正值Δμ和阈值电压校正值ΔVth，并且执行多项式近似。
另外，参考图6描述用于确定要存储在相关性表55R、55G和55B中的阈值电压校正值ΔVth的另一种方法。
不希望为所有迁移率校正值Δμ的输入提供相关性表，因为存储器的存储容量会增大。作为另一种方法，将迁移率校正值Δμ和与迁移率校正值Δμ相对应的阈值电压校正值ΔVth的数据离散地存储在相关性表的存储器中，并且在运算电路中基于以下运算式2来执行线性插值。在图6中，向相关性表登记的离散迁移率校正值的示例由细箭头线表示，在离散迁移率校正值之间输入的迁移率校正值Δμ由粗箭头线表示。这里，运算电路分别设置在图4中的相关性表55R、55G和55B和加法器54R、54G和54B之间。
即，基于从存储器读出单元52输出的迁移率校正值Δμ，对应于与迁移率校正值Δμ相邻的两个点的迁移率校正值的阈值电压校正值ΔVth(ΔVth n和ΔVth n+1)被从离散地存储在存储器(相关性表)中的阈值电压校正值ΔVth的数据中读出，如图6所示。然后，通过利用以下运算式2来执行线性插值，以计算阈值电压校正值ΔVth out。
ΔVth out＝(ΔVth n+1-ΔVth n)*(Δμdiff/Δμsize)+ΔVth n....(2)这里，Δμ diff表示作为向相关性表登记的、与迁移率校正值Δμ相邻的两个迁移率校正值之中较小的值的迁移率校正值与迁移率校正值Δμ之间的差，并且Δμ size表示向相关性表登记的、在与迁移率校正值Δμ相邻的两个点处的迁移率校正值之间的差。
即，获取如图6所示与迁移率校正值Δμ介于其间的两个迁移率校正值相对应的两个阈值电压校正值ΔVth n和ΔVth n+1。然后，通过使用所获取的两个迁移率校正值和与这两个迁移率校正值相对应的两个阈值电压校正值ΔVth来执行线性插值，以便确定在这些离散值之间并且对应于所输入的迁移率校正值Δμ的阈值电压校正值ΔVth out。然后，加法器54R、54G和54B把从相关性表55R、55G和55B提供来的针对各个颜色的阈值电压校正值ΔVth out加到从平方根运算单元53R、53G和53B提供来的R数据、G数据和B数据。
这里，要存储在相关性表中的校正值取决于TFT制造过程。因此，要存储在相关性表中的校正值不是针对每个显示面板确定的，而是针对每个TFT制造过程确定的，从而能够简化校正值的确定。
<2.另一实施例>
在另一实施例中，将阈值电压校正值ΔVth存储在存储器中，并且通过使用相关性表响应于阈值电压校正值ΔVth的输入来产生迁移率校正值Δμ。
图7示出了根据另一实施例用于校正阈值电压和迁移率的框图。
在图7中，对与图4中的元件相对应的元件赋予了相同的标号。下面的描述集中于与图4中的元件不同的元件，跳过对与图4中的元件相对应的元件的详细描述。
参考图7，有机EL显示装置包括显示面板10和校正电路50A。校正电路50A包括乘法器51R、51G和51B、存储器读出单元65、存储器65a、平方根运算单元53R、53G和53B、加法器54R、54G和54B、相关性表62R、62G和62B、以及D/A转换器56R、56G和56B。
输入的视频数据的R数据、G数据和B数据分别被提供到乘法器51R、乘法器51G和乘法器51B。用于针对每个像素校正驱动晶体管的迁移率的变动的迁移率校正值Δμ(＝1/μ′)分别被从相关性表62R、62G和62B提供到乘法器51R、51G和51B。
相关性表62R、62G和62B使用迁移率μ和阈值电压Vth之间的相关性，以便根据从存储器读出单元65提供来的阈值电压校正值ΔVth产生各个颜色的迁移率校正值Δμ，并且将这些迁移率校正值Δμ分别提供到乘法器51R、51G和51B。与图4的情况一样，相关性表62R、62G和62B例如可被存储在显示装置中包括的微处理器(未示出)的存储器中。或者，设置在显示装置中的任意存储器可存储这些表和其他功能。
另外，与图4的情况一样，在同时访问RGB的情况下，为RGB各颜色独立设置相关性表62R、62G和62B。然而，相关性表62R、62G和62B的数据内容可能是独立的或相同的。要存储在相关性表62R、62G和62B中的数据内容(校正值)和用于确定校正值的方法与先前实施例的相同。
存储器读出单元65基于坐标信号(X坐标，Y坐标)从存储器65a中读出用于针对每个像素校正阈值电压的变动的阈值电压校正值ΔVth，以便将阈值电压校正值ΔVth分别提供到相关性表62R、62G和62B。另外，存储器读出单元65将所读出的针对每个像素的阈值电压校正值ΔVth(＝-Vth′)分别提供给加法器54R、54G和54B。存储器65a仅占用用于存储每个像素的各颜色的阈值电压校正值ΔVth的存储容量。诸如闪存和EEPROM之类的非易失性存储器可应用来作为存储器65a。
这里，输入到存储器读出单元65中的坐标信号是由坐标产生单元(未示出)以与图4相同的方式与RGB的输入数据(像素数据)同步地产生的。
乘法器51R、51G和51B将输入视频数据的R数据、G数据和B数据(输入信号电压)分别乘以从相关性表62R、62G和62B提供来的针对各个颜色的迁移率校正值Δμ。然后，乘法结果分别被作为输出提供到用于确定平方根的平方根运算单元53R、53G和53B。
在针对各个颜色的输入信号电压的平方根在平方根运算单元53R、53G和53B中被计算出之后，这些平方根被作为输出提供到加法器54R、54G和54B。用于针对每个像素校正驱动晶体管的阈值电压的变动的阈值电压校正值ΔVth分别被从存储器读出单元65提供到加法器54R、54G和54B。
加法器54R、54G和54B把从存储器读出单元65提供来的针对各个颜色的阈值电压校正值ΔVth分别加到从平方根运算单元53R、53G和53B提供来的R数据、G数据和B数据。
然后，加法器54R、54G和54B的输出被提供到D/A转换器56R、56G和56B并被转换为模拟数据信号，以便被提供到显示面板10中的用于各个颜色的输入端。因此，通过与针对每个像素校正的各个颜色的数据信号相对应的电流，在每个像素中驱动了有机EL元件。
如上所述，在该实施例中，可以通过与先前实施例相同的方式针对每个像素校正由于制造中的问题而在显示面板10的有机EL元件中发生的亮度不均一性。另外，由于只有用于在每个像素的像素电路中执行的校正处理的迁移率校正值Δμ被存储在存储器中，而阈值电压校正值ΔVth是在校正电路中参考相关性表来产生的，因此存储器的存储容量可被保持得较小。
应当注意，上述实施例是本发明的优选实施例的具体示例，因此包括技术上优选的各种限制。然而，本发明并不限于这些实施例，除非给出了限制本发明的具体描述。因此，应当注意，本发明不限于上述实施例，而可以发生各种修改和更改，因为它们在本发明的范围内。
例如，虽然上述实施例的显示装置被应用到有机EL显示装置，但是该显示装置也可应用到任何显示装置，只要该显示装置包括基于电流驱动方法的有源矩阵TFT面板即可。
例如，上述的电路结构和一系列处理可以通过硬件或软件来实现。另外，当然，执行该系列处理的功能可以通过硬件和软件的组合来实现。
本申请包含与2009年8月5日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-182819中公开的主题相关的主题，这里通过引用将该申请的全部内容并入。
本领域的技术人员应当理解，取决于设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和变更，只要它们处于所附权利要求或其等同物的范围之内即可。

Claims (8)

1.一种校正电路，包括：
存储器，被配置为存储用于针对每个像素校正亮度不均一性的迁移率校正值和阈值电压校正值之一，所述亮度不均一性是由构成显示面板的像素的像素电路中包括的驱动晶体管的沟道区域的载流子的迁移率和阈值电压的变动引起的并且是校正对象；
存储器读出单元，被配置为读出存储在所述存储器中的迁移率校正值和阈值电压校正值之一；
相关性表，被配置为基于迁移率和阈值电压之间的相关性，根据由所述存储器读出单元读出的迁移率校正值和阈值电压校正值之一产生阈值电压校正值和迁移率校正值中的另一个；
迁移率校正装置，用于通过使用从所述存储器读出单元和所述相关性表之一提供来的迁移率校正值来针对每个像素校正输入信号；以及
阈值电压校正装置，用于通过使用从所述存储器读出单元和所述相关性表之一提供来的阈值电压校正值来针对每个像素校正在所述迁移率校正装置处被校正了的输入信号。
2.根据权利要求1所述的校正电路，还包括：
D/A转换器，被配置为把在所述阈值电压校正装置的加法器处校正了的输入信号转换成模拟信号并将所述模拟信号输出到所述显示面板；其中
所述存储器存储迁移率校正值；
所述存储器读出单元读出存储在所述存储器中的迁移率校正值；
所述相关性表根据由所述存储器读出单元读出的迁移率校正值来产生阈值电压校正值；
所述迁移率校正装置包括乘法器，该乘法器将数字输入信号乘以从所述存储器读出单元提供来的迁移率校正值以针对每个像素校正输入信号；并且
所述阈值电压校正装置包括平方根运算单元和加法器，该平方根运算单元对在所述乘法器处校正了的输入信号执行平方根运算，该加法器把从所述相关性表提供来的阈值电压校正值加到从所述平方根运算单元输出的输入信号，以便针对每个像素校正输入信号。
3.根据权利要求1所述的校正电路，还包括：
D/A转换器，被配置为把在所述阈值电压校正装置的加法器处校正了的输入信号转换成模拟信号并将所述模拟信号输出到所述显示面板；其中
所述存储器存储阈值电压校正值；
所述存储器读出单元读出存储在所述存储器中的阈值电压校正值；
所述相关性表根据由所述存储器读出单元读出的阈值电压校正值来产生迁移率校正值；
所述迁移率校正装置包括乘法器，该乘法器将数字输入信号乘以从所述相关性表提供来的迁移率校正值以针对每个像素校正输入信号；并且
所述阈值电压校正装置包括平方根运算单元和加法器，该平方根运算单元对在所述乘法器处校正了的输入信号执行平方根运算，该加法器把从所述存储器读出单元提供来的阈值电压校正值加到从所述平方根运算单元输出的输入信号，以便针对每个像素校正输入信号。
4.根据权利要求2和权利要求3之一所述的校正电路，其中，所述相关性表存储迁移率校正值和阈值电压校正值之间的多项式近似曲线，并且基于所述多项式近似曲线，根据一个校正值产生另一校正值。
5.根据权利要求2和权利要求3之一所述的校正电路，其中，所述相关性表离散地存储迁移率校正值和阈值电压校正值之间的相关性的信息，并且存储在所述相关性表中的迁移率校正值之间的迁移率校正值和存储在所述相关性表中的阈值电压校正值之间的阈值电压校正值是通过线性插值产生的。
6.一种显示装置，包括：
校正电路，该校正电路包括
显示面板，被配置为具有多个像素，其中每个像素具有基于电流驱动方法的像素电路，
存储器，被配置为存储用于针对每个像素校正亮度不均一性的迁移率校正值和阈值电压校正值之一，所述亮度不均一性是由构成所述显示面板的像素的像素电路中包括的驱动晶体管的沟道区域的载流子的迁移率和阈值电压的变动引起的，
存储器读出单元，被配置为读出存储在所述存储器中的迁移率校正值和阈值电压校正值之一，
相关性表，被配置为基于迁移率和阈值电压之间的相关性，根据由所述存储器读出单元读出的迁移率校正值和阈值电压校正值之一产生阈值电压校正值和迁移率校正值中的另一个，
迁移率校正装置，用于通过使用从所述存储器读出单元和所述相关性表之一提供来的迁移率校正值来针对每个像素校正输入信号，以及
阈值电压校正装置，用于通过使用从所述存储器读出单元和所述相关性表之一提供来的阈值电压校正值来针对每个像素校正在所述迁移率校正装置处被校正了的输入信号。
7.一种校正电路，包括：
存储器，被配置为存储用于针对每个像素校正亮度不均一性的迁移率校正值和阈值电压校正值之一，所述亮度不均一性是由构成显示面板的像素的像素电路中包括的驱动晶体管的沟道区域的载流子的迁移率和阈值电压的变动引起的并且是校正对象；
存储器读出单元，被配置为读出存储在所述存储器中的迁移率校正值和阈值电压校正值之一；
相关性表，被配置为基于迁移率和阈值电压之间的相关性，根据由所述存储器读出单元读出的迁移率校正值和阈值电压校正值之一产生阈值电压校正值和迁移率校正值中的另一个；
迁移率校正单元，被配置为通过使用从所述存储器读出单元和所述相关性表之一提供来的迁移率校正值来针对每个像素校正输入信号；以及
阈值电压校正单元，被配置为通过使用从所述存储器读出单元和所述相关性表之一提供来的阈值电压校正值来针对每个像素校正在所述迁移率校正单元处被校正了的输入信号。
8.一种显示装置，包括：
校正电路，该校正电路包括
显示面板，被配置为具有多个像素，其中每个像素具有基于电流驱动方法的像素电路，
存储器，被配置为存储用于针对每个像素校正亮度不均一性的迁移率校正值和阈值电压校正值之一，所述亮度不均一性是由构成所述显示面板的像素的像素电路中包括的驱动晶体管的沟道区域的载流子的迁移率和阈值电压的变动引起的，
存储器读出单元，被配置为读出存储在所述存储器中的迁移率校正值和阈值电压校正值之一，
相关性表，被配置为基于迁移率和阈值电压之间的相关性，根据由所述存储器读出单元读出的迁移率校正值和阈值电压校正值之一产生阈值电压校正值和迁移率校正值中的另一个，
迁移率校正单元，被配置为通过使用从所述存储器读出单元和所述相关性表之一提供来的迁移率校正值来针对每个像素校正输入信号，以及
阈值电压校正单元，被配置为通过使用从所述存储器读出单元和所述相关性表之一提供来的阈值电压校正值来针对每个像素校正在所述迁移率校正单元处被校正了的输入信号。
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