CN101989607B - 影像感测器封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明是有关于一种影像感测器封装结构,其具有:基板;晶片;透光板;第一壳体;以及封胶体,其中晶片结合于基板,而透光板则覆盖于晶片的感光区并粘附于晶片上,第一壳体又粘附于透光板上,并且第一壳体形成有开口,因此光线可经由开口穿过透光板而进入感光区,封胶体则包覆晶片及透光板的周围并充填于基板及第一壳体之间。由于第一壳体与透光板间以及透光板与晶片间均使用有粘着层,因此可延长水气入侵感光区的路径,进而达到提高影像感测器封装结构可靠度的功效。

Description

影像感测器封装结构
技术领域
本发明涉及一种影像感测器封装结构,特别是涉及一种应用于提高影像感测器封装结构可靠度的影像感测器封装结构。
背景技术
由于科技快速地进步,因此也加速了影音多媒体普及化的速度,加上数字相机、数字摄影机以及数字扫瞄器...等产品大量问世,使得影像数字化成为了必然的趋势。而影像感测器则为这些数字产品中的关键元件,影像感测器可用以接收光信号或影像信号,并将所接收的信号转换成电信号后,再将电信号传送至电路板以进行分析,使得数字产品可提供照相、摄影...等功能。
为了要使得数字产品可满足轻薄短小的市场需求,因此目前主要使用的影像感测器,包括了:电荷耦合元件影像感测器(CCD)、互补式金属氧化半导体影像感测器(CMOS)...等,因此如何改善影像感测器的封装技术,并使得影像感测器的体积可微小化,变成了影响数字产品尺寸的关键。
此外,影像感测器封装技术除了须提供可大量生产以及材料成本低廉的优点以外,因为影像感测器上的感光区相当敏感,所以需要以适当的封装方式加以保护避免受到尘粒与水气的影响,如此才可确保数字产品的使用寿命及品质,进而可提高影像感测器的成像性能及封装可靠度。
但封装过程当中用以封装影像感测器以避免水气入侵所使用的液态封胶(Liquid Compound),其价格相当的昂贵,因此造成影像感测器整体材料成本无法降低。又由于在封装过程的烘烤步骤中,工艺温度不断地升温及降温,使得含有挥发性气体的液态封胶极容易在烘烤过程中发生爆裂,或者是在烘烤完成后产生裂缝,进而造成影像感测器易受到水气入侵,导致影像感测器在进行可靠度测试时,容易因水气膨胀而造成影像感测器中内部压力上升,以致于影像感测器发生坏损以及大幅降低影像感测器的制造良率及可靠度。
由此可见,上述现有的影像感测器封装结构在结构与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的影像感测器封装结构,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于,克服现有的影像感测器封装结构存在的缺陷,而提供一种新型的影像感测器封装结构,所要解决的技术问题是使其在透光板周围增设粘着层或以壳体包覆透光板周围,用以延长水气入侵的路径,进而达到避免水气入侵及提高影像感测器封装结构可靠度的功效,非常适于实用。
本发明的另一目的在于,提供一种新型的影像感测器封装结构,所要解决的技术问题是使其在壳体上设有逃气孔,使得液态封胶在注胶或烘烤时所产生的挥发性气体可由逃气孔排出,进而提高影像感测器封装结构制造良率,从而更加适于实用。
本发明的再一目的在于,提供一种新型的影像感测器封装结构,所要解决的技术问题是使其利用壳体支撑影像感测器封装结构,因此可减少液态封胶的使用量,进而达到降低材料成本的功效,从而更加适于实用。
本发明的还一目的在于,提供一种新型的影像感测器封装结构,所要解决的技术问题是使其藉由壳体与粘着层堆叠的方式,用以加大透光板与晶片间的气室体积,进而达到改善成像品质的功效,从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种影像感测器封装结构,其具有:一基板,其具有多个第一导电接点;一晶片,其具有:一第一表面,其结合于该基板;及一第二表面,其与该第一表面相对设置,且该第二表面具有:一感光区;及多个第二导电接点,其围绕设置于该感光区的周围外侧且与该些第一导电接点通过金属导线以打线方式电性连接;一透光板,其具有:一第三表面,其以一第一粘着层直接粘附于该第二表面且覆盖于该感光区,并形成一气室;及一第四表面,其与该第三表面相对设置;一第一壳体,其具有一第一板体,且该第一板体在中央处形成有一开口,该第一板体粘附于该第四表面,使该透光板的边缘端部被该第一壳体及一第二粘着层包覆的密封,该第一板体的边缘朝向该基板侧垂直延伸形成有一凸缘,以使该第一壳体的边缘剖面形成一阶梯状,又该凸缘具有至少一逃气孔,且该逃气孔是贯穿该凸缘形成的;以及一封胶体,其包覆该晶片、该透光板及该第一壳体的周围;其中该第一壳体的材料为一耐热塑胶材料。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的基板为一电路基板。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的感光区具有多个感光元件。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的晶片为一互补式金属氧化物半导体(CMOS)。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的第一板体的一第五表面是以该第二粘着层粘附于该第四表面。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的第二粘着层进一步延伸包覆该透光板的侧面。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的开口与该感光区相对设置。
前述的影像感测器封装结构,其进一步具有多个焊球或多个焊垫,其设置于该基板的底面。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种影像感测器封装结构,其具有:一基板,其具有多个第一导电接点;一晶片,其具有:一第一表面,其结合于该基板;及一第二表面,其与该第一表面相对设置,且该第二表面具有:一感光区;及多个第二导电接点,其围绕设置于该感光区的外侧且与该些第一导电接点通过金属导线以打线方式电性连接;一透光板,其具有:一第三表面,其覆盖于该感光区,并形成一气室;及一第四表面,其与该第三表面相对设置;一第二壳体,其具有:一第二板体,其粘附于该第二表面及该第三表面之间;一第三板体,其连接于该第二板体的端部;及一第四板体,其与该第二板体平行设置,且连接于该第三板体的另一端部;以及一封胶体,其包覆该晶片及该第二壳体的周围。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的基板为一电路基板。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的感光区具有多个感光元件。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的晶片为一互补式金属氧化物半导体(CMOS)。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的第二板体的一第六表面是以一第三粘着层粘附于该第二表面。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的第二板体的一第七表面是以一第四粘着层粘附于该第三表面。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的第二壳体的材料为一耐热塑胶材料。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的第四板体进一步具有至少一逃气孔,其是贯穿该第四板体形成的。
前述的影像感测器封装结构,其进一步具有多个焊球或多个焊垫,其设置于该基板的底面。本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种影像感测器封装结构,其具有:一基板,其具有多个第一导电接点;一晶片,其具有:一第一表面,其结合于该基板;及一第二表面,其与该第一表面相对设置,且该第二表面具有:一感光区;及多个第二导电接点,其围绕设置于该感光区的外侧且与该些第一导电接点通过金属导线以打线方式电性连接;一透光板,其具有:一第三表面,其覆盖于该感光区,并形成一气室;及一第四表面,其与该第三表面相对设置;一第三壳体,其具有:一第五板体,其粘附于该第二表面;一第六板体,其连接于该第五板体的端部;一第七板体,其与该第五板体平行设置,且连接于该第六板体的另一端部,以形成一ㄈ型结构,用以夹置该透光板;及一第八板体,其是由该第七板体向该第三壳体外侧延伸形成;以及一封胶体,其包覆该晶片及该第三壳体的周围。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的基板为一电路基板。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的感光区具有多个感光元件。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的晶片为一互补式金属氧物半导体(CMOS)。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的第五板体的一第八表面是以一第五粘着层粘附于该第二表面。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的第八板体进一步具有至少一逃气孔,其是贯穿该第八板体形成的。
前述的影像感测器封装结构,其中所述的第三壳体的材料为一耐热塑胶材料。
前述的影像感测器封装结构,其进一步具有多个焊球或多个焊垫,其设置于该基板的底面。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本发明影像感测器封装结构至少具有下列优点及有益效果:
1、利用粘着层或壳体包覆透光板的周围,用以延长了水气入侵的路径,进而达到避免水气入侵的功效。
2、由于壳体可支撑影像感测器封装结构,因此可减少液态封胶的使用量,进而达到降低材料成本的功效。
3、藉由堆叠的壳体与粘着层,用以加大透光板与晶片间的气室体积,进而达到改善成像品质的功效。
综上所述,本发明是有关于一种影像感测器封装结构,其具有:基板;晶片;透光板;第一壳体;以及封胶体,其中晶片结合于基板,而透光板则覆盖于晶片的感光区并粘附于晶片上,第一壳体又粘附于透光板上,并且第一壳体形成有开口,因此光线可经由开口穿过透光板而进入感光区,封胶体则包覆晶片及透光板的周围并充填于基板及第一壳体之间。由于第一壳体与透光板间以及透光板与晶片间均使用有粘着层,因此可延长水气入侵感光区的路径,进而达到提高影像感测器封装结构可靠度的功效。本发明在技术上有显著的进步,并具有明显的积极效果,诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1是本发明的一种影像感测器封装结构的第一较佳实施例的剖视图。
图2是本发明的一种第一壳体的较佳实施例的后视立体图。
图3是本发明的一种影像感测器封装结构的第二较佳实施例的剖视图。
图4是本发明的一种影像感测器封装结构的第三较佳实施例的剖视图。
图5是本发明的一种基板的底面设置有焊垫的第一较佳实施例图。
图6是本发明的一种基板的底面设置有焊垫的第二较佳实施例图。
100、200、300:影像感测器封装结构 110:基板
111:第一导电接点                 112:粘胶层
113:底面                         120:晶片
121:第一表面                     122:第二表面
123:第二导电接点                 124:感光区
130:透光板                       131:第三表面
132:第四表面                     140:第一壳体
141:第一板体                     142:凸缘
143:开口                         144:第五表面
145、216、316:逃气孔             150:封胶体
160:第一粘着层                   170:气室
180:第二粘着层                   210:第二壳体
211:第二板体                     212:第三板体
213:第四板体                     214:第六表面
215:第七表面                     220:第三粘着层
230:第四粘着层                   310:第三壳体
311:第五板体                     312:第六板体
313:第七板体                     314:第八板体
315:第八表面                     320:第五粘着层
10:金属导线                      20:焊球
30:焊垫
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的影像感测器封装结构其具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效,在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明,当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效获得一更加深入且具体的了解,然而所附图式仅是提供参考与说明之用,并非用来对本发明加以限制。
图1是本发明的一种影像感测器封装结构的第一较佳实施例的剖视图。图2是本发明的一种第一壳体的较佳实施例的后视立体图。图3是本发明的一种影像感测器封装结构的第二较佳实施例的剖视图。图4是本发明的一种影像感测器封装结构的第三较佳实施例的剖视图。图5是本发明的一种基板的底面设置有焊垫的第一较佳实施例图。图6是本发明的一种基板的底面设置有焊垫的第二较佳实施例图。
<第一实施例>
请参阅图1所示,本发明较佳实施例的一种影像感测器封装结构100,其具有:一基板110;一晶片120;一透光板130;一第一壳体140;以及一封胶体150。
如图1所示,基板110,可为一电路基板,并且基板110上可具有至少一第一导电接点111。
晶片120,具有:一第一表面121;以及一第二表面122,也就是分别代表晶片120的下表面及上表面。其中第一表面121结合于基板110,使得晶片120可固设于基板110上,且晶片120与基板110间可使用一粘胶层112,用以强化晶片120与基板110间的固定。而晶片120的第二表面122则具有至少一第二导电接点123以及一感光区124,而第二导电接点123围绕设置于感光区124的周围外侧,感光区124中具有多个感光元件,并且第二导电接点123与感光区124中的感光元件电性连接。
此外,第二导电接点123还可通过金属导线10以打线方式与基板110的第一导电接点111形成电性连接,晶片120可以为一互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)或一电荷耦合元件(Charge Couple Device,CCD),用以感测光线。
如图1所示,透光板130具有一第三表面131;以及一第四表面132,其分别代表透光板130的下表面及上表面,而透光板130是覆盖设置于晶片120的感光区124上,用以保护晶片120以避免污染物污染晶片120的感光区124,进而影响影像感测的成像品质,而光线则可穿过透光板130进入晶片120的感光区124。
透光板130的第三表面131是以第一粘着层160粘附于晶片120的第二表面122上,并且第一粘着层160可以为一环氧树脂。由于第一粘着层160是设置于感光区124与第二导电接点123间,因此第一粘着层160并不会覆盖到感光区124,所以并不会影响到晶片120感测光线的功能。又由于第一粘着层160的设置,因此透光板130与晶片120的感光区124间可形成一气室170(air cavity)。
如图2所示,第一壳体140,其具有一第一板体141,并且第一板体141可以为一四边形板体,第一板体141的中央处形成有一开口143。而第一壳体140可进一步具有一凸缘142,并且凸缘142是由第一板体141的边缘朝向基板110侧垂直延伸形成,以使得第一壳体140的边缘剖面可形成一阶梯状。
如图1所示,第一板体141的一第五表面144可通过一第二粘着层180粘附于透光板130的第四表面132,也就是第一板体141的开口143周围的表面可与透光板130胶粘结合,且第二粘着层180可进一步延伸包覆透光板130的侧面,进而提高第一壳体140与透光板130的接合强度,第二粘着层180也可以为一环氧树脂。
如图1所示,第一板体141的开口143与晶片120的感光区124相对设置,因此光线可通过开口143之后,再穿过透光板130进入晶片120的感光区124,藉此感光区124可接收光线并进行感测。
而第一壳体140的材料可以为一耐热塑胶材质或一金属材质,并且当第一壳体140为金属材料时,第一壳体140还可帮助影像感测器结构100散热。第一壳体140与透光板130可预先通过第二粘着层180粘合为一体,再利用第一粘着层160粘附于晶片120上。
如图1所示,封胶体150,其是藉由在基板110上注入液态封胶(LiquidCompound)或模造成型模造封胶(Mold Compound)包覆晶片120、透光板130及第一壳体140的周围所形成,并使得晶片120、金属导线10可受到封胶体150的保护,以避免受到外力或湿气的破坏。
而在注入液态封胶的过程中时,由于液态封胶中含有挥发性气体,因此第一壳体140或第一壳体140的凸缘142可进一步具有至少一逃气孔145,逃气孔145是贯穿第一壳体140或凸缘142而形成的,使得液态封胶在注胶或烘烤的过程中,挥发性气体可即时由逃气孔145溢散出去,藉以避免液态封胶固化为封胶体150后,封胶体150会出现因挥发性气体而产生的气泡,导致降低影像感测器封装结构100的制造良率。
如图1所示,由于影像感测器封装结构100可利用第一粘着层160与第二粘着层180分别将透光板130粘附于晶片120上及将第一壳体140粘合于透光板130上,并且在透光板130的第四表面132的周围以第二粘着层180包覆,而且还增设有一圈第一板体141,以使得透光板130的边缘端部可受到第一壳体140及第二粘着层180包覆的密封,因此可延长水气侵入气室170的路径,进而可达到有效提高影像感测器封装结构100的可靠度。
此外,藉由第一壳体140的设置,因此在影像感测器封装结构100中可利用第一壳体140达到支撑的效果,并且在第一壳体140设置之处可减少封胶体150的体积,因此可降低影像感测器封装结构100中液态封胶的使用量,藉此达到降低材料成本的功效。
<第二实施例>
请参阅图3所示,影像感测器封装结构200中可将第一实施例中的第一壳体140以一第二壳体210取代,并且其余元件皆已详述于第一实施例中,因此在此不再加以叙述,其中第二壳体210是以其它方式与透光板130结合,第二壳体210具有:一第二板体211;一第三板体212;以及一第四板体213。
如图3所示,第二壳体210的第二板体211与第四板体213平行设置,而第三板体212则用以分别连接第二板体211与第四板体213的端部,使得第二壳体210呈阶梯状结构,此外第三板体212可以与第二板体211及第四板体213相互垂直,或是与第二板体211及第四板体213间夹有一角度。而第二板体211的一第六表面214可以一第三粘着层220直接粘附于晶片120的第二表面122,以使得第二壳体210固设于晶片120上。
第二板体211的一第七表面215可利用一第四粘着层230粘附于透光板130的第三表面131,并且第三粘着层220与第四粘着层230也可以为环氧树脂。而透光板130与第二板体211可藉由射出成型的方式,使得透光板130与第二板体211可预先结合为一体,再利用第三粘着层220将第二壳体210粘附于晶片120上。
如图3所示,第二壳体210的第四板体213可进一步具有至少一逃气孔216,而逃气孔216是贯穿第二壳体210而形成的,使得注入或烘烤液态封胶时,液态封胶中所产生的挥发性气体可由逃气孔216溢散出去,藉以避免封胶体150中出现因挥发性气体而产生的气泡,进而可提高影像感测器封装结构200的制造良率,而封胶体150则设置于基板110及第二壳体210间,用以包覆第二壳体210周围、金属导线10及晶片120。又由于第二壳体210需直接粘附于晶片120上,因此第二壳体210的材料可以为一耐热塑胶材料,使得第二壳体210至少可以承受260℃的高温。
由于影像感测器封装结构200中晶片120与透光板130间夹设有第三粘着层220、第二板体211及第四粘着层230,因此增加了透光板130与晶片120间的距离,并且加大了气室170的空间,因此可避免光线多重折射或绕射而导致产生鬼影,进而提升影像感测的成像品质。
此外,藉由第二壳体210的设置,影像感测器封装结构200中可利用第二壳体210达到支撑的效果,并且第二壳体210设置之处可减少封胶体150的体积,因此可降低影像感测器封装结构200中液态封胶的使用量,藉此达到降低材料成本的功效。
<第三实施例>
如图4所示,同样地在影像感测器封装结构300中可将第二实施例中第二壳体210以一第三壳体310取代,并且其余元件皆已详述于第一实施例中,因此在此不再加以叙述,其中第三壳体310具有:一第五板体311;一第六板体312;一第七板体313;以及一第八板体314。
如图4所示,第五板体311与第七板体313平行设置,且第六板体312可用以连接第五板体311与第七板体313的端部,使得第五板体311、第六板体312与第七板体313可呈现一ㄈ型结构,第八板体314是由第七板体313向第三壳体310外侧延伸形成。
如图4所示,第五板体311的一第八表面315以一第五粘着层320粘附于晶片120的第二表面122,使第三壳体310可固设于晶片120上,而第三壳体310的ㄈ型结构中所形成的开口可用以夹置透光板130,并使得透光板130的边缘皆被第三壳体310所包覆,此外透光板130与第三壳体310也可预先以射出成型的方式结合为一体,再通过第五粘着层320粘附于晶片120上。
如图4所示,第八板体314可进一步具有至少一逃气孔316,而逃气孔316是贯穿第八板体314形成的,使得注入或烘烤液态封胶时,液态封胶所产生的挥发性气体可由逃气孔316溢散出去,藉以避免封胶体150中因挥发性气体而产生气泡,导致影像感测器封装结构300制造良率下降,而封胶体150可以设置于基板110及第三壳体310间,用以包覆第三壳体310周围、金属导线10及晶片120。又因为第三壳体310需直接粘附于晶片120,因此第三壳体310的材料可以为一耐热塑胶材料,使得第三壳体310至少可以承受260℃的高温。
由于影像感测器封装结构300中晶片120与透光板130间夹设有第五板体311及第五粘着层320,因此可增加透光板130与晶片120间的距离,并且可撑大气室170的空间,进而达到提升影像感测的成像品质。此外,藉由第三壳体310的设置,因此影像感测器封装结构300可利用第三壳体310达到支撑的效果,并且第三壳体310设置之处可减少封胶体150的体积,因此可降低影像感测器封装结构300中液态封胶的使用量,藉此达到降低材料成本的功效。
由于在影像感测器封装结构100、200、300中可藉由逃气孔145、216、316的设置,以使得在注胶或烘烤的过程中即时将挥发性气体散除。影像感测器封装结构100、300的透光板130的周围分别设有第二粘着层180及第七板体313,藉此可延长水气侵入气室170的路径,达到避免水气进入气室170的功效。
而上述各实施例中基板110的底面113上皆可进一步具有多个焊球20(Solder Ball),并且焊球20可藉由基板110中的电路结构与基板110上的第一导电接点111电性连接,以便于利用焊球20使影像感测器封装结构100、200、300可与其他的电路装置进行电性连接。
此外,请参阅图5及图6所示,基板110的底面113上除了可植上焊球20外,也可设置有焊垫30,而焊垫30也可与基板110内部的电路结构电性连接,以使得焊垫30可与基板110上的第一导电接点111电性连接,以便利用焊垫30使影像感测器封装结构100、200、300可与其他的电路装置进行电性连接。更佳的是,焊垫30可以环绕设置于底面113的周缘(如图5所示),或是以一阵列方式排列(如图6所示)。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (25)

1.一种影像感测器封装结构,其特征在于其具有:
一基板,其具有多个第一导电接点;
一晶片,其具有:一第一表面,其结合于该基板;及一第二表面,其与该第一表面相对设置,且该第二表面具有:一感光区;及多个第二导电接点,其围绕设置于该感光区的周围外侧且与该些第一导电接点通过金属导线以打线方式电性连接;
一透光板,其具有:一第三表面,其以一第一粘着层直接粘附于该第二表面且覆盖于该感光区,并形成一气室;及一第四表面,其与该第三表面相对设置;
一第一壳体,其具有一第一板体,且该第一板体在中央处形成有一开口,该第一板体粘附于该第四表面,使该透光板的边缘端部被该第一壳体及一第二粘着层包覆的密封,该第一板体的边缘朝向该基板侧垂直延伸形成有一凸缘,以使该第一壳体的边缘剖面形成一阶梯状,又该凸缘具有至少一逃气孔,且该逃气孔是贯穿该凸缘形成的;以及
一封胶体,其包覆该晶片、该透光板及该第一壳体的周围;
其中该第一壳体的材料为一耐热塑胶材料。
2.根据权利要求1所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的基板为一电路基板。
3.根据权利要求1所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的感光区具有多个感光元件。
4.根据权利要求1所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的晶片为一互补式金属氧化物半导体。
5.根据权利要求1所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的第一板体的一第五表面是以该第二粘着层粘附于该第四表面。
6.根据权利要求5所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的第二粘着层进一步延伸包覆该透光板的侧面。
7.根据权利要求1所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的开口与该感光区相对设置。
8.根据权利要求1所述的影像感测器封装结构,其特征在于其进一步具有多个焊球或多个焊垫,其设置于该基板的底面。
9.一种影像感测器封装结构,其特征在于其具有:
一基板,其具有多个第一导电接点;
一晶片,其具有:一第一表面,其结合于该基板;及一第二表面,其与该第一表面相对设置,且该第二表面具有:一感光区;及多个第二导电接点,其围绕设置于该感光区的外侧且与该些第一导电接点通过金属导线以打线方式电性连接;
一透光板,其具有:一第三表面,其覆盖于该感光区,并形成一气室;及一第四表面,其与该第三表面相对设置;
一第二壳体,其具有:一第二板体,其粘附于该第二表面及该第三表面之间;一第三板体,其连接于该第二板体的端部;及一第四板体,其与该第二板体平行设置,且连接于该第三板体的另一端部;以及
一封胶体,其包覆该晶片及该第二壳体的周围。
10.根据权利要求9所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的基板为一电路基板。
11.根据权利要求9所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的感光区具有多个感光元件。
12.根据权利要求9所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的晶片为一互补式金属氧化物半导体。
13.根据权利要求9所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的第二板体的一第六表面是以一第三粘着层粘附于该第二表面。
14.根据权利要求9所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的第二板体的一第七表面是以一第四粘着层粘附于该第三表面。
15.根据权利要求9所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的第二壳体的材料为一耐热塑胶材料。
16.根据权利要求9所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的第四板体进一步具有至少一逃气孔,其是贯穿该第四板体形成的。
17.根据权利要求9所述的影像感测器封装结构,其特征在于其进一步具有多个焊球或多个焊垫,其设置于该基板的底面。
18.一种影像感测器封装结构,其特征在于其具有:
一基板,其具有多个第一导电接点;
一晶片,其具有:一第一表面,其结合于该基板;及一第二表面,其与该第一表面相对设置,且该第二表面具有:一感光区;及多个第二导电接点,其围绕设置于该感光区的外侧且与该些第一导电接点通过金属导线以打线方式电性连接;
一透光板,其具有:一第三表面,其覆盖于该感光区,并形成一气室;及一第四表面,其与该第三表面相对设置;
一第三壳体,其具有:一第五板体,其粘附于该第二表面;一第六板体,其连接于该第五板体的端部;一第七板体,其与该第五板体平行设置,且连接于该第六板体的另一端部,以形成一ㄈ型结构,用以夹置该透光板;及一第八板体,其是由该第七板体向该第三壳体外侧延伸形成;以及
一封胶体,其包覆该晶片及该第三壳体的周围。
19.根据权利要求18所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的基板为一电路基板。
20.根据权利要求18所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的感光区具有多个感光元件。
21.根据权利要求18所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的晶片为一互补式金属氧物半导体。
22.根据权利要求18所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的第五板体的一第八表面是以一第五粘着层粘附于该第二表面。
23.根据权利要求18所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的第八板体进一步具有至少一逃气孔,其是贯穿该第八板体形成的。
24.根据权利要求18所述的影像感测器封装结构,其特征在于其中所述的第三壳体的材料为一耐热塑胶材料。
25.根据权利要求18所述的影像感测器封装结构,其特征在于其进一步具有多个焊球或多个焊垫,其设置于该基板的底面。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120281113A1 (en) * 2011-05-06 2012-11-08 Raytheon Company USING A MULTI-CHIP SYSTEM IN A PACKAGE (MCSiP) IN IMAGING APPLICATIONS TO YIELD A LOW COST, SMALL SIZE CAMERA ON A CHIP
JP5746919B2 (ja) * 2011-06-10 2015-07-08 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ
CN103545322A (zh) * 2012-07-13 2014-01-29 原相科技股份有限公司 嵌入式非透镜透光封装的光学装置
KR102055563B1 (ko) 2012-12-06 2019-12-13 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지
US20140170797A1 (en) * 2012-12-17 2014-06-19 Stack Devices Corp. Sensor chip protective image sensor packaging method
US9722099B2 (en) * 2013-03-14 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light sensing device with outgassing hole in a light shielding layer and an anti-reflection film
US9142695B2 (en) 2013-06-03 2015-09-22 Optiz, Inc. Sensor package with exposed sensor array and method of making same
US9496297B2 (en) 2013-12-05 2016-11-15 Optiz, Inc. Sensor package with cooling feature and method of making same
CN104836949A (zh) * 2015-05-11 2015-08-12 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像头模组及其支架
TWI553797B (zh) * 2015-11-20 2016-10-11 力成科技股份有限公司 加蓋壓合式半導體封裝構造及其製造方法
CN105744131B (zh) * 2016-03-15 2019-07-05 宁波舜宇光电信息有限公司 阵列摄像模组及其线路板组件和制造方法
US10750071B2 (en) 2016-03-12 2020-08-18 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module with lens array arrangement, circuit board assembly, and image sensor and manufacturing method thereof
EP3429181A4 (en) * 2016-03-12 2019-09-18 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. NETWORK CAMERA MODULE, MOLDED PHOTOSENSITIVE ASSEMBLY, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
CN105744130B (zh) * 2016-03-12 2019-10-18 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其感光组件和制造方法
CN107527928B (zh) * 2016-06-21 2020-04-07 胜丽国际股份有限公司 光学组件封装结构
CN107611147B (zh) * 2016-07-11 2020-02-18 胜丽国际股份有限公司 多芯片塑胶球状数组封装结构
CN109716745B (zh) * 2016-08-01 2020-12-18 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其模塑电路板组件和模塑感光组件和制造方法
US9996725B2 (en) 2016-11-03 2018-06-12 Optiz, Inc. Under screen sensor assembly
CN109427829B (zh) * 2017-09-01 2020-09-15 胜丽国际股份有限公司 感测器封装结构
FR3073980A1 (fr) * 2017-11-23 2019-05-24 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Capot d'encapsulation pour boitier electronique et procede de fabrication
CN110650267A (zh) * 2018-06-26 2020-01-03 三赢科技(深圳)有限公司 感光芯片封装模组及其形成方法
CN110957334B (zh) * 2018-09-27 2022-04-15 胜丽国际股份有限公司 感测器封装结构
CN111751331A (zh) * 2019-03-28 2020-10-09 上海易孛特光电技术有限公司 光电转换探测装置及光电转换探测装置的封装方法
CN111554698B (zh) * 2020-03-27 2023-05-23 广州立景创新科技有限公司 图像获取组件及其制备方法
US11637211B2 (en) * 2021-02-02 2023-04-25 Rockwell Collins, Inc. Optically clear thermal spreader for status indication within an electronics package
CN113178421B (zh) * 2021-04-08 2022-03-29 深圳市磐锋精密技术有限公司 一种手机集成电路的多芯片封装定位装置及其定位方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101369543A (zh) * 2007-08-16 2009-02-18 胜开科技股份有限公司 影像感测晶片封装及形成该封装的方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62262445A (ja) * 1986-05-09 1987-11-14 Matsushita Electronics Corp 固体撮像装置
US5585671A (en) * 1994-10-07 1996-12-17 Nagesh; Voddarahalli K. Reliable low thermal resistance package for high power flip clip ICs
US5825623A (en) * 1995-12-08 1998-10-20 Vlsi Technology, Inc. Packaging assemblies for encapsulated integrated circuit devices
TW523924B (en) * 2001-01-12 2003-03-11 Konishiroku Photo Ind Image pickup device and image pickup lens
FR2819634B1 (fr) * 2001-01-15 2004-01-16 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur a capteur, muni d'un insert et son procede de fabrication
JP2002261260A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Nikon Corp 固体撮像装置
JP3603056B2 (ja) * 2001-07-11 2004-12-15 美▲キ▼科技股▲フン▼有限公司 固体撮像装置及びその製造方法
FR2835653B1 (fr) * 2002-02-06 2005-04-15 St Microelectronics Sa Dispositif semi-conducteur optique
KR100557140B1 (ko) * 2003-09-16 2006-03-03 삼성전자주식회사 커넥터와 그를 이용한 이미지 센서 모듈
US7199438B2 (en) * 2003-09-23 2007-04-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Overmolded optical package
TWI336022B (en) * 2004-10-29 2011-01-11 Altus Technology Inc Digital still camera lens module
JP2006276463A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Sharp Corp 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法
JP2006294659A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7227236B1 (en) * 2005-04-26 2007-06-05 Amkor Technology, Inc. Image sensor package and its manufacturing method
TWI254389B (en) * 2005-04-29 2006-05-01 Sigurd Microelectronics Corp Package structure of photo sensor and manufacturing method thereof
US7576401B1 (en) * 2005-07-07 2009-08-18 Amkor Technology, Inc. Direct glass attached on die optical module
JP4762627B2 (ja) * 2005-07-25 2011-08-31 オリンパス株式会社 撮像装置および撮像装置の製造方法
US7679167B2 (en) * 2007-01-08 2010-03-16 Visera Technologies Company, Limited Electronic assembly for image sensor device and fabrication method thereof
JP2008186875A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス
US20100127341A1 (en) * 2007-04-17 2010-05-27 Konica Minolta Opto, Inc. Imaging Device Manufacturing Method, Imaging Device and Portable Terminal
JP4324623B2 (ja) * 2007-04-27 2009-09-02 シャープ株式会社 固体撮像装置およびそれを備えた電子機器
CN101325205A (zh) * 2007-06-14 2008-12-17 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像感测晶片封装结构

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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