CN101295707A - 影像摄取装置 - Google Patents

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Abstract

一种影像摄取装置,包括一镜头及与该镜头对正设置的一个影像感测器封装。该影像感测器封装包括一个基体、一个影像感测晶片、至少一个被动元件、一个第一粘接材料、一个盖板及一填充材料。所述基体上形成有一个凹槽,所述被动元件容置在该凹槽内,并与该基体电性连接。所述填充材料填充至所述凹槽内,覆盖所述被动元件。所述影像感测晶片由所述填充材料支撑于所述被动元件上方且于所述基体电连接。所述第一粘接材料涂布于所述影像感测晶片边缘并将所述盖板支撑于影像感测晶片上方。该影像摄取装置采用将被动元件设置在基体的凹槽内从而节省空间,达到减小影像摄取装置的体积的目的。

Description

影像摄取装置
技术领域
本发明是关于影像摄取装置,特别是关于一种小型化影像摄取装置。
背景技术
影像摄取装置是数码摄像产品中最重要的组件,其演进对数码摄像产品的发展有着决定性的影响,随着数码摄像产品的大众化,数码摄像产品的小型化、轻量化、高品质成为消费者挑选数码摄像产品标准,高品质及小尺寸的数码摄像产品便成为各个商家竞相追逐的目标。而作为数码摄像产品核心组件的影像摄取装置更是首当其冲地朝小尺寸及高品质方向发展,而影像摄取装置中的影像感测器封装的尺寸及品质则是决定影像摄取装置的尺寸及品质的重要因素。为提高影像摄取装置的成像品质,将一些被动元件与影像感测器整合成一体,来减少影像感测器在信号切换及传输过程中产生的杂讯串音。
请参阅图1,现有的一种整合有被动元件的影像感测器封装10,其包括一基体1、一支撑件2、一影像感测晶片3、两个被动元件4、一透明盖板5。所述支撑件2设置在所述基体1上与其形成一容腔6,所述影像感测晶片3容置于该容腔6内且与基体1电性及结构性连接。两个被动元件4也容置于所述容腔6内与所述基体1电性及结构性连接。所述透明盖板5固设在所述支撑件2上将所述容腔6密封。该影像感测器将被动元件4与影像感测晶片3整合在同一封装体内,从而达到改善信号传输置质量的目的,但是,此种封装结构需在基体1上为被动元件4的安装预留一定的空间,因此使得整个影像感测器封装的体积增大,从而致使应用此种影像感测器封装的影像摄取装置的体积庞大,不利于轻量化及小型化的发展。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种小型化的影像摄取装置。
一种影像摄取装置,包括一镜头及与该镜头对正设置的一个影像感测器封装。该影像感测器封装包括一个基体、一个影像感测晶片、至少一个被动元件、一个第一粘接材料、一个盖板及一填充材料。所述基体上形成有一个凹槽,所述被动元件容置在该凹槽内,并与该基体电性连接。所述填充材料填充至所述凹槽内,覆盖所述被动元件。所述影像感测晶片由所述填充材料支撑于所述被动元件上方且于所述基体电连接。所述第一粘接材料涂布于所述影像感测晶片边缘并将所述盖板支撑于影像感测晶片上方。
相较现有技术,该影像摄取装置采用将被动元件设置在基体的凹槽内从而节省空间,减小影像摄取装置的体积,从而适应轻量化及小型化的发展趋势。
附图说明
图1是现有的一种影像感测器的剖视图。
图2是本发明影像摄取装置较佳实施例的剖视图。
具体实施方式
请参阅图2,本发明影像摄取装置的较佳实施例,该影像摄取装置100包括一影像感测器封装110及一镜头模组130。所述影像感测器封装110与镜头模组130对正设置。
所述影像感测器封装110包括有一个基体112、多个被动元件114、填充材料115、一个影像感测晶片116、多条导线117、第一粘接材料118、及一盖板119。
所述基体112用于承载所述影像感测晶片116等电气元件。该基体112包括一个顶面1122及一与所述上表面对应的底面1124。在该基体112的顶面1122上开设有一个凹槽1121。优选地,该凹槽的1121的尺寸大于所述影像感测晶片116的尺寸并用以容置所述被动元件114。所述凹槽1121内还可设置有可与外部电路相电连接的电路(图未示)。该基体112的顶面1122上还设置有多个围绕所述凹槽1121用于传输信号的输入端1123,在其下表面上1124设置有多个对应于所述输入端1123的输出端1125,所述输入端1123与输出端1125通过设置在该基体112内部的电路相电连接。所述设置在凹槽1121内的电路通过设置在该基体112上的输入端1123及输出端1125与外部电路相电连接。
所述被动元件114是用以改善影像感测信号传输品质的元件,其可以是电感元件、电容元件或者电阻元件。该被动元件114收容于所述基体112的凹槽1121内并与所述基体电性连接
填充材料115可为树脂等高分子聚合物。该填充材料115填充在所述基体112的凹槽1121内,将设置在凹槽1121内的被动元件114包覆,并将所述影像感测晶片116支撑在所述被动元件116的上方。可以理解该填充材料115可将该凹槽1121完全填充,且该填充材料115的表面与基体112的顶面1124的高度一致,从形成一具有平整表面的基体112。此外,该填充材料115也可填充部分凹槽1121,从而使凹槽1121留出部分空间,将所述影像感测晶片116部分收容至该凹槽1121内,从而降低该影像感测封装110的高度。
影像感测晶片116为一光敏元件,可将光信号转化为电信号,该影像感测晶片116有一上表面1162及一下表面1164,其上表面1162设置有一个感测区1165及环绕该感测区1165的多个晶片焊垫1167。该影像感测晶片116通过其下表面1164固设在所述填充材料115上。可以理解在该影像晶片116的下表面与所填充材料115之间可设置绝缘、隔热或者电磁屏蔽层,也可以设置上述三者或者任意两者组合形成的复合层,从而防止在使用过程中由设置在其下部的被动元件产生的热量及电磁波对影像感测晶片116的正常工作造成影响,从而提高该影像摄取装置的可靠性。
导线117为导电性佳、抗氧化材料构成,所述每一导线117的一端连接在影像感测晶片116的晶片焊垫1167上,另一端连接在基体112的输入端1123上,从而将影像感测晶片116电连接至基体112上。可以理解所述影像感测晶片116也可通过导电片电性连接,或者在所述基体112上设置电连接架,采用覆晶连接的方式将所述影像感测晶片116与基体112电性连接。
所述第一粘接材料118涂布于影像感测晶片116的周缘侧壁及其上表面1162的四周边缘上,并进一步延伸至影像感测晶片116周围的基体112的上表面上。该第一粘接材料118覆盖所述影像感测晶片116的晶片焊垫1167及设置在基体112上的输入端1123,并包覆所述连接晶片焊垫1167及输入端1123的导线117。
透光盖板119设置在所述第一粘接材料118上,由所述第一粘接材料118支撑于影像感测晶片116之上方,并与该第一粘接材料118一同将影像感测晶片116的感测区1165密封,与基体112一同将影像感测晶片116密封,从而将影像感测晶片116与外部环境隔离,提高影像感测晶片116的可靠性。
所述镜头130包括一个镜筒132、一个镜座134及一个第二粘接材料136,所述镜筒132为一个中空柱体,其内部设置有至少一个镜片1323及一个滤波片1324,用以供所需之光线穿过,该镜筒132的一端容置在镜座134内。
镜座134为呈中空状,其包括一个筒部1342及一个座部1344,所述筒部1342呈中空圆柱状,该筒部1342收容所述镜筒132。所述座部1344位于所述筒部1342的一端,并与所述筒部1342相连接。所述筒部1342及座部1344的连接处形成一肩部1345。
该镜头130罩设在所述影像感测器封装110上,其中,镜座134罩设在影像感测器封装110的透光盖板119上,镜座134的肩部1345的底面通过涂布在透光盖板119顶面周缘的第二粘接材料136固设在所述透光盖板119的顶面。可以理解,所述镜座130通过镜座134的肩部1345设置在所述影像感测封装110上,因此,其镜座134的对应于所述影像感测器封装110的基体112的顶面1122的端部可仅与所述基体112的顶面1122相接触,或者与所述基体112的顶面1122相分离。此外,为加强所述镜座134与所述影像感测器封装110的粘接强度,也可在所述镜座134的端部与所述基体112的顶面1122之间添加粘接材料,从而提高其粘接可靠性。
本实施例中,通过在影像感测器封装110的基体112上设置凹槽1121,将被动元件114设置在该凹槽1121内,无需在基体112上为被动元件再预留空间,提高了影像感测器封装110的封装密度,从而减小影像感测器封装110的封装体积,同时也相应的减小影像摄取装置100的体积,达到小型化影像摄取装置100的目的。
可以理解,在本发明中设置在基体112的顶面1122的凹槽1121也可设置在该基体112的底面1124上,所述被动元件114设置在所述凹槽1121内,影像感测晶片116对应于所述被动元件114设置在所述基体112的顶面1122上并与所述基体112相电连接。从而使得在使用过程中由被动元件114所产生的热量由基体112的下部向外扩散,从而减少因被动元件产生的热对该影像摄取装置100的成像品质的影响。
另外,本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化,只要其不偏离本发明的技术效果,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (11)

1.一种影像摄取装置,包括一镜头及与该镜头对正设置的一个影像感测器封装;该影像感测器封装包括一个基体、一个影像感测晶片、至少一个被动元件、一个第一粘接材料、及一个盖板,其特征在于:该影像感测器封装还包括一填充材料,所述基体上形成有一个凹槽,所述被动元件容置在该凹槽内,并与该基体电性连接,所述填充材料填充至所述凹槽内,覆盖所述被动元件,所述影像感测晶片由所述填充材料支撑于所述被动元件上方且与所述基体电连接,所述第一粘接材料涂布于所述影像感测晶片边缘并将所述盖板支撑于影像感测晶片上方。
2.如权利要求1所述的影像摄取装置,其特征在于:所述镜头进一步包括一个镜座、一个镜筒及一个第二粘接材料,所述镜筒中收容有镜片及滤波片,该镜筒与所述镜座相配合,所述镜座通过所述第二粘接材料罩设在所述影像感测器封装的盖板上。
3.如权利要求2所述的影像摄取装置,其特征在于:所述镜座包括一筒部及与其相连接的一座部,所述筒部收容所述镜筒,所述筒部及座部的连接处形成一肩部,所述镜座通过所述肩部罩设在所述影像感测器封装的盖板上。
4.如权利要求3所述的影像摄取装置,其特征在于:所述镜座对应于所述影像感测器封装的基体的一端与所述基体之间设置有粘接材料。
5.如权利要求1所述的影像摄取装置,其特征在于:所述凹槽的尺寸大于所述影像感测晶片的尺寸。
6.如权利要求5所述的影像摄取装置,其特征在于:所述填充材料填充部分凹槽,所述影像感测晶片部分容置在所述凹槽内。
7.如权利要求1所述的影像摄取装置,其特征在于:该影像感测器封装还包括一绝缘层,该绝缘层设置在所述填充材料上,所述影像感测晶片设置在所述绝缘层上。
8.如权利要求7所述的影像摄取装置,其特征在于:该影像感测器封装还包括一个隔热层,所述隔热层设置在所述绝缘层上,所述影像感测晶片设置在所述隔热层上。
9.如权利要求8所述的影像摄取装置,其特征在于:该影像感测器封装还包括一个电磁屏蔽层,所述电磁屏蔽层设置在所述隔热层上,所述影像感测晶片设置在所述电磁屏蔽层上。
10.如权利要求1所述的影像摄取装置,其特征在于:所述影像感测晶片包括一感测区及围绕该感测区的多个晶片焊垫,所述基体上形成有多个与所述晶片焊垫相对应的输入端,所述晶片每一个焊垫与对应的输入端通过导线电连接。
11.如权利要求10所述的影像摄取装置,其特征在于:所述晶片焊垫、输入端及导线被所述第一粘接材料所包覆。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103650472A (zh) * 2011-07-29 2014-03-19 夏普株式会社 摄像机模块
TWI475680B (zh) * 2012-09-10 2015-03-01 Optiz Inc 低輪廓影像感測器封裝體及方法
CN107240591A (zh) * 2011-02-18 2017-10-10 索尼公司 固态成像装置
CN108735883A (zh) * 2017-04-24 2018-11-02 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子组件的方法
CN110277322A (zh) * 2019-06-12 2019-09-24 德淮半导体有限公司 半导体器件及其封装方法
CN110837158A (zh) * 2018-08-16 2020-02-25 先进光电科技股份有限公司 光学成像模块

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100974090B1 (ko) * 2007-09-18 2010-08-04 삼성전기주식회사 이미지 센서 패키지
JP2009260260A (ja) * 2008-03-24 2009-11-05 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
TWM382505U (en) * 2010-01-15 2010-06-11 Cheng Uei Prec Ind Co Ltd Video device
US20120090883A1 (en) * 2010-10-13 2012-04-19 Qualcomm Incorporated Method and Apparatus for Improving Substrate Warpage
CN202120913U (zh) * 2011-06-08 2012-01-18 旭丽电子(广州)有限公司 薄型化图像撷取模块
US8604576B2 (en) * 2011-07-19 2013-12-10 Opitz, Inc. Low stress cavity package for back side illuminated image sensor, and method of making same
US9190443B2 (en) 2013-03-12 2015-11-17 Optiz Inc. Low profile image sensor
US9142695B2 (en) 2013-06-03 2015-09-22 Optiz, Inc. Sensor package with exposed sensor array and method of making same
SG11201601050PA (en) 2013-09-10 2016-03-30 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
US9461190B2 (en) 2013-09-24 2016-10-04 Optiz, Inc. Low profile sensor package with cooling feature and method of making same
US9496297B2 (en) 2013-12-05 2016-11-15 Optiz, Inc. Sensor package with cooling feature and method of making same
US9667900B2 (en) 2013-12-09 2017-05-30 Optiz, Inc. Three dimensional system-on-chip image sensor package
US9524917B2 (en) 2014-04-23 2016-12-20 Optiz, Inc. Chip level heat dissipation using silicon
US9666730B2 (en) 2014-08-18 2017-05-30 Optiz, Inc. Wire bond sensor package
JP2017139258A (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 ソニー株式会社 撮像素子パッケージ及び撮像装置
US9996725B2 (en) 2016-11-03 2018-06-12 Optiz, Inc. Under screen sensor assembly
US11049898B2 (en) * 2017-04-01 2021-06-29 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Systems and methods for manufacturing semiconductor modules
CN107888812A (zh) * 2017-11-27 2018-04-06 维沃移动通信有限公司 一种电子设备及电子设备的摄像模组
KR102662890B1 (ko) * 2021-12-30 2024-05-09 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈 및 이를 구비하는 카메라 모듈

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6014586A (en) 1995-11-20 2000-01-11 Pacesetter, Inc. Vertically integrated semiconductor package for an implantable medical device
JP2001119006A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Sony Corp 撮像デバイス及びその製造方法
US6686588B1 (en) * 2001-01-16 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Optical module with lens integral holder
CN2465330Y (zh) * 2001-01-23 2001-12-12 陈文钦 Ccd及cmos影像撷取模块
US20040041088A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-04 Chen Shu Fen Digital CMOS sensor
CN2587061Y (zh) * 2002-11-26 2003-11-19 胜开科技股份有限公司 高散热的影像感测器
KR100539234B1 (ko) * 2003-06-11 2005-12-27 삼성전자주식회사 투명 고분자 소재를 적용한 씨모스형 이미지 센서 모듈 및그 제조방법
JP4405208B2 (ja) * 2003-08-25 2010-01-27 株式会社ルネサステクノロジ 固体撮像装置の製造方法
CN2664202Y (zh) * 2003-10-16 2004-12-15 胜开科技股份有限公司 多芯片的影像传感器模块
CN100483655C (zh) * 2005-09-09 2009-04-29 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 数码相机模组的制程
CN100531308C (zh) * 2005-12-02 2009-08-19 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 数码相机模组

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107240591A (zh) * 2011-02-18 2017-10-10 索尼公司 固态成像装置
CN103650472A (zh) * 2011-07-29 2014-03-19 夏普株式会社 摄像机模块
CN103650472B (zh) * 2011-07-29 2017-08-01 夏普株式会社 摄像机模块
TWI475680B (zh) * 2012-09-10 2015-03-01 Optiz Inc 低輪廓影像感測器封裝體及方法
CN108735883A (zh) * 2017-04-24 2018-11-02 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子组件的方法
CN110837158A (zh) * 2018-08-16 2020-02-25 先进光电科技股份有限公司 光学成像模块
CN110277322A (zh) * 2019-06-12 2019-09-24 德淮半导体有限公司 半导体器件及其封装方法

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